WO2015050080A1 - 熱可塑性液晶ポリマーフィルム、回路基板、およびそれらの製造方法 - Google Patents

熱可塑性液晶ポリマーフィルム、回路基板、およびそれらの製造方法 Download PDF

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liquid crystal
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polymer film
thermoplastic liquid
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中島崇裕
▲高▼橋健
小野寺稔
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株式会社クラレ
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Definitions

  • the present invention relates to a thermoplastic liquid crystal polymer film that forms an optically anisotropic melt phase (hereinafter sometimes referred to as a thermoplastic liquid crystal polymer film or simply a liquid crystal polymer film), and has excellent thermal adhesiveness.
  • the present invention relates to a plastic liquid crystal polymer film and a manufacturing method thereof, and a circuit board and a manufacturing method thereof.
  • a circuit board usually has a substrate made of an insulating material and a layer made of a conductive material formed on the substrate, and a circuit is formed in this conductive layer.
  • Various electronic components are installed on a circuit board by a process such as soldering.
  • laminated circuit boards having a plurality of conductive layers are also widely used.
  • a circuit board which is formed by laminating a substrate in which a conductor circuit is formed on a polyimide film and a coverlay film composed of a polyimide film and an adhesive layer.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-103269
  • a conductor layer made of a metal layer such as copper and a liquid crystal polymer layer are bonded together, and when a circuit board is formed by stacking, by forming irregularities on the conductor layer, A process for improving the pressure-bonding property between the conductor layer and the insulating layer and ensuring the peel strength (peeling resistance) has been performed, and the optimization of the uneven shape has been studied.
  • JP 2010-103269 A International Publication WO2012 / 020818
  • the first configuration of the present invention is as follows. Preparing a thermoplastic liquid crystal polymer film that forms an optically anisotropic melt phase and has a molecular orientation SOR of 0.8 to 1.4;
  • the thermoplastic liquid crystal polymer film is (i) degassed under vacuum at a vacuum degree of 1500 Pa or less for 30 minutes or more and / or (ii) degassed under heating in the range of 100 ° C. to 200 ° C.
  • a thermoplastic liquid crystal polymer film having a molecular orientation SOR of 0.8 to 1.4 and a moisture content of 300 ppm or less are examples of the thermoplastic liquid crystal polymer film that forms an optically anisotropic melt phase and has a molecular orientation SOR of 0.8 to 1.4.
  • the present invention also includes a thermoplastic liquid crystal polymer film having excellent thermal adhesiveness as the second configuration.
  • a thermoplastic liquid crystal polymer film has a molecular orientation SOR of 0.8 to 1.4 and a moisture content of 300 ppm or less. Further, the thickness of the film may be about 10 to 200 ⁇ m.
  • the thermoplastic liquid crystal polymer film may be manufactured by the manufacturing method.
  • the thermoplastic liquid crystal polymer film may be a thermoplastic liquid crystal polymer film packaged with a gas barrier packaging material.
  • the gas barrier packaging material may have, for example, an oxygen permeability of 10 mL / m 2 ⁇ day ⁇ MPa or less. Moreover, the gas barrier packaging material may have a moisture permeability of 10 g / m 2 / day or less, for example.
  • At least one selected from a bonding sheet and a coverlay may be composed of a thermoadhesive thermoplastic liquid crystal polymer film.
  • At least two kinds of circuit board materials selected from an insulating substrate, a bonding sheet, and a coverlay are a high melting point liquid crystal polymer film having high heat resistance and a low melting point liquid crystal having lower heat resistance.
  • the melting point difference between the high melting point liquid crystal polymer film and the low melting point liquid crystal polymer film may be within 70 ° C.
  • the thermocompression bonding step may include a step of thermocompression bonding the circuit board material by heating under a pressing pressure of 5 MPa or less (preferably 0.5 to 2.5 MPa).
  • the circuit board material may be thermocompression-bonded by heating at (Tm ⁇ 60) ° C. or more and (Tm + 40) ° C. or less with respect to the melting point Tm of the thermoplastic liquid crystal polymer film to be thermocompression bonded.
  • the draw ratio of such extrusion molding may be, for example, about 1.0 to 10, preferably about 1.2 to 7, more preferably about 1 as the draw ratio (or draw ratio) in the MD direction. It may be about 3-7. Further, the draw ratio (or blow ratio) in the TD direction may be, for example, about 1.5 to 20, preferably about 2 to 15, and more preferably about 2.5 to 14.
  • thermoplastic liquid crystal polymer film may be known or conventional heat treatment to adjust the melting point and / or the thermal expansion coefficient of the thermoplastic liquid crystal polymer film.
  • the heat treatment conditions can be appropriately set according to the purpose.
  • the melting point (Tm 0 ) of the liquid crystal polymer is ⁇ 10 ° C. or higher (for example, about Tm 0 ⁇ 10 to Tm 0 + 30 ° C., preferably about Tm 0 to Tm 0 + 20 ° C.)
  • the melting point (Tm) of the thermoplastic liquid crystal polymer film may be increased by heating for several hours.
  • thermoplastic liquid crystal polymer film of the present invention thus obtained has excellent dielectric properties, gas barrier properties, low hygroscopicity, and the like, and therefore can be suitably used as a circuit board material.
  • the melting point (Tm) of the thermoplastic liquid crystal polymer film can be selected within the range of about 200 to 400 ° C., preferably about 250 to 360 ° C., for the purpose of obtaining the desired heat resistance and processability of the film. Preferably, it may be about 260 to 350 ° C. (for example, 260 to 340 ° C.).
  • the melting point of the film can be obtained by observing the thermal behavior of the film using a differential scanning calorimeter. That is, after the sample film was heated at a rate of 20 ° C./min to be completely melted, the melt was rapidly cooled to 50 ° C. at a rate of 50 ° C./min, and then again heated at a rate of 20 ° C./min. The position of the endothermic peak that appears later may be recorded as the melting point of the film.
  • the thermoplastic liquid crystal polymer film used in the present invention may have any thickness. However, when used for a high-frequency transmission line, the transmission loss decreases as the thickness increases, so it is preferable to increase the thickness as much as possible.
  • the film thickness is preferably in the range of 10 to 500 ⁇ m, more preferably in the range of 15 to 200 ⁇ m. When the thickness of the film is too thin, the rigidity and strength of the film are reduced. Therefore, a method of obtaining an arbitrary thickness by laminating films having a film thickness in the range of 10 to 200 ⁇ m may be used.
  • thermoplastic liquid crystal polymer film thus obtained is subjected to a deaeration process for removing air and moisture present in the film.
  • the degassing step may be performed in a method for producing a thermoplastic liquid crystal polymer film excellent in thermal adhesiveness, or may be performed as one step in a method for producing a circuit board.
  • the thermal adhesion of the thermoplastic liquid crystal polymer film can be improved by the deaeration step, and the interlayer adhesion between the thermoplastic liquid crystal polymer film and the adherend can be improved.
  • the thickness width (W) of the film portion in the roll-shaped product may be 1000 mm or less (for example, about 10 to 900 mm), preferably 800 mm or less, More preferably, it may be 600 mm or less.
  • thermoplastic liquid crystal polymer film is degassed under a specific vacuum (for example, vacuum drying) and / or degassed under a heat (for example, heat drying) to thereby obtain a thermoplastic liquid crystal polymer. It becomes possible to extremely reduce the air and moisture present inside and on the surface of the film. Surprisingly, the thermoplastic liquid crystal polymer film that has undergone such a degassing step can improve its thermal adhesiveness.
  • thermoplastic liquid crystal polymer film it is possible to achieve high adhesiveness without performing a softening treatment such as breaking the skin layer.
  • the present invention does not deny the softening process.
  • the thermoplastic liquid crystal polymer film may be subjected to a surface treatment such as a softening treatment as necessary.
  • the thermoplastic liquid crystal polymer film is heated (i) by degassing under vacuum at a vacuum degree of 1500 Pa or less for 30 minutes or more and / or (ii) in the range of 100 ° C. to 200 ° C.
  • the thermoplastic liquid crystal polymer film can be degassed by degassing with.
  • degassing may be performed under a condition satisfying either (i) the degassing step under vacuum or (ii) the degassing step under heating, but the above (i) and (ii) ) Is preferably degassed under conditions that satisfy both.
  • degassing under conditions satisfying both (i) and (ii) is a degassing step performed under conditions where both (i) and (ii) are satisfied simultaneously (ie under vacuum heating). Or a degassing step in which the conditions of (i) and (ii) are separately performed on the thermoplastic liquid crystal polymer film, that is, in the order of (i) to (ii), or (ii) to (i The deaeration process performed separately in the order of).
  • the deaeration process is performed separately, it is different between (i) and (ii) or between (ii) and (i) as long as it does not adversely affect the thermal adhesiveness of the thermoplastic liquid crystal polymer film.
  • a process may be performed.
  • Deaeration under heating is performed in the range of 100 to 200 ° C., preferably in the range of 105 to 190 ° C., more preferably in the range of 110 to 180 ° C. Further, the deaeration under heating may set a predetermined temperature range with respect to the melting point Tm of the thermoplastic liquid crystal polymer film. In that case, for example, it may be heated in the range of (Tm-235) ° C. to (Tm-50) ° C. (for example, the range of (Tm-200) ° C. to (Tm-50) ° C.), preferably A range of (Tm-225) ° C. to (Tm-60) ° C.
  • the time required for the degassing step can be appropriately set according to various conditions such as the state of the thermoplastic liquid crystal polymer film, the degree of vacuum and / or the heating temperature. From the viewpoint of removing moisture and air from the entire thermoplastic liquid crystal polymer film, each degassing step (under vacuum, under heating, under vacuum heating) may be the same or different and may be 30 minutes or more, 40 minutes or more, or 50 minutes or more, and may be 6 hours or less, 4 The time may be 3 hours or less, 2 hours or less, or 1.5 hours or less.
  • the time required for the deaeration step may be appropriately set in view of the time when the moisture content of the thermoplastic liquid crystal polymer film falls within a predetermined range described below (for example, 300 ppm or less, or 200 ppm or less).
  • the thermal adhesiveness of the thermoplastic liquid crystal polymer film can be improved.
  • (I) Degassing under vacuum and (ii) Degassing under heating may be performed first, but preferably, degassing under heating is performed as the first degassing step.
  • deaeration under vacuum may be performed as a second deaeration step.
  • the circuit board material is heated in a range of 100 ° C. to 200 ° C.
  • thermoplastic liquid crystal polymer film with excellent thermal adhesion Surprisingly, it is possible to obtain a thermoplastic liquid crystal polymer film having excellent thermal adhesiveness through such a degassing step. The reason for this is not clear, but the following mechanisms are conceivable.
  • a thermoplastic liquid crystal polymer film having excellent gas barrier properties may be in a state where moisture contained in the film and air existing on the surface of the film are difficult to escape.
  • the main component of the gas released from the resin is water, and the volume of water becomes several thousand times when it becomes water vapor.
  • the degree of vacuum progresses, the discharge amount from the resin and the discharge amount of the vacuum pump increase. After reaching the equilibrium state, water is hardly discharged from the inside. Therefore, when thermocompression bonding is performed under vacuum, there is a possibility that water molecules taken into the film are not easily released.
  • thermoplastic liquid crystal polymer film obtained by a specific degassing method can achieve a very low moisture content while maintaining isotropy.
  • the molecular orientation degree SOR which is an isotropic index, is 0.8 to 1.4, preferably 0.9 to 1.3, more preferably 1.0 to 1.2, and particularly preferably 1 0.0 to 1.1.
  • the dielectric loss tangent at 25 GHz of the thermoplastic liquid crystal polymer film may be, for example, 0.0025 or less (for example, about 0.0001 to 0.0023), preferably about 0.0010 to 0.0022. By having such a dielectric loss tangent, it is possible to reduce power consumption and noise.
  • the relative dielectric constant of the thermoplastic liquid crystal polymer film varies depending on the thickness of the film.
  • the relative dielectric constant in the TD direction of the thermoplastic liquid crystal polymer film at 25 GHz is 3.25 or less (for example, 1.8 to 3).
  • the dielectric constant measurement may be performed by a resonance perturbation method at a frequency of 10 GHz.
  • a 1 GHz cavity resonator (Kanto Electronics Co., Ltd.) was connected to a network analyzer (Agilent Technology “E8362B”), and a minute material (width: 2.7 mm ⁇ length: 45 mm) was connected to the cavity resonator.
  • the dielectric constant and dielectric loss tangent of the material can be measured from the change in resonance frequency before and after insertion for 96 hours in an environment of temperature insertion of 20 ° C. and humidity of 65% RH.
  • the present invention comprises a thermoplastic liquid crystal polymer film
  • the thermoplastic liquid crystal polymer film may be included in a packaging body of a thermoplastic liquid crystal polymer film composed of a gas barrier packaging material that wraps the thermoplastic liquid crystal polymer film.
  • the thermoplastic liquid crystal polymer film has a gas barrier property.
  • packaged with packaging material is packaged with packaging material.
  • the gas barrier packaging material may have, for example, a moisture permeability of 10 g / m 2 / day or less (eg 0.5 to 10 g / m 2 / day), preferably 8 g / m 2 / day or less, more preferably It may be 6 g / m 2 / day or less.
  • the gas barrier packaging material may have, for example, an oxygen permeability of 10 mL / m 2 ⁇ day ⁇ MPa or less (eg, 0.5 to 10 mL / m 2 / day / MPa), preferably 8 mL / m 2. / Day / MPa or less, more preferably 5 mL / m 2 / day / MPa or less.
  • gas barrier packaging material examples include various gas barrier films, a laminate of a gas barrier film and a walliff / paper / nonwoven fabric, and the like.
  • gas barrier film examples include various aluminum foil laminate films, aluminum vapor deposited films, silica vapor deposited films, polyvinylidene chloride coated films, and the like, and film bases include polyester films, polyethylene films, polypropylene films, and the like. It may be used as appropriate.
  • these films and laminates may be packaged on the outside with paper or may be housed in a carton box, a wooden box, a metal case, a frame, or the like.
  • circuit board manufacturing method One embodiment of the present invention also includes a method for manufacturing a circuit board having excellent interlayer adhesion without using an adhesive.
  • the manufacturing method includes at least one type of circuit board selected from an insulating substrate, a bonding sheet, and a coverlay on which a conductor layer (for example, a conductor circuit or a conductor pattern, a conductor foil, or a conductor film) is formed on at least one surface.
  • a conductor layer for example, a conductor circuit or a conductor pattern, a conductor foil, or a conductor film
  • a preparation step of preparing a plurality of materials A thermocompression bonding step of laminating the prepared circuit board material in accordance with a structure of a predetermined circuit board and heating the circuit board material by thermocompression bonding under a predetermined pressure;
  • a circuit board manufacturing method comprising at least (I) At least one selected from an insulating substrate, a bonding sheet and a coverlay is composed of a thermoadhesive thermoplastic liquid crystal polymer film subjected to the degassing step, and / or (II) an insulating substrate and bonding
  • at least one of the sheet and the coverlay is formed of a thermoplastic liquid crystal polymer film, and the degassing step is performed before the thermocompression bonding step.
  • an insulating substrate having a conductor layer for example, a conductor circuit or a conductor pattern, a conductor foil, a conductor film, etc.
  • a plurality of at least one circuit board material selected from the coverlay is prepared.
  • a plurality of insulating substrates having a conductor layer formed on at least one surface may be prepared, or from an insulating substrate having a conductor circuit formed on at least one surface, a bonding sheet, and a coverlay. You may prepare at least 1 type selected.
  • thermoadhesive thermoplastic liquid crystal polymer film that has been subjected to the above-described degassing treatment. It consists of By using such a thermoplastic liquid crystal polymer film with improved thermal adhesion, the interlayer adhesion of the circuit board can be improved even in a thermocompression bonding process performed on a normal circuit board.
  • an insulating substrate having a conductor layer formed on at least one surface A unit circuit board in which a conductor circuit or a conductor pattern is formed on one side of an insulating substrate; A unit circuit board in which a conductor circuit or a conductor pattern is formed on both sides of an insulating substrate; A unit circuit board in which a conductor circuit or a conductor pattern is formed on one surface of an insulator and a conductor film or a conductor foil is formed on the other surface; A conductor-clad laminate with a conductor film or conductor foil formed on one side of an insulating substrate; Examples thereof include a conductor-clad laminate in which a conductor film or a conductor foil is formed on both surfaces of an insulating substrate.
  • the conductor layer is formed of, for example, a metal having at least conductivity, and a circuit is formed on the conductor layer using a known circuit processing method.
  • the conductor forming the conductor layer may be various conductive metals such as gold, silver, copper, iron, nickel, aluminum, or alloy metals thereof.
  • a known method can be used as a method for forming a conductor layer on an insulating substrate made of a thermoplastic liquid crystal polymer film.
  • a metal layer may be deposited, and a metal layer can be formed by electroless plating or electrolytic plating.
  • a layer may be formed.
  • a metal foil for example, copper foil
  • the metal foil that constitutes the conductor layer is preferably a metal foil used for electrical connection, and can include various metal foils such as gold, silver, nickel, and aluminum in addition to copper foil. In particular (for example, 98% by mass or more), an alloy foil composed of these metals may be included.
  • copper foil is preferably used.
  • the copper foil is not particularly limited as long as it is a copper foil that can be used in a circuit board, and may be a rolled copper foil or an electrolytic copper foil.
  • the surface of the conductor layer is preferably smooth.
  • the surface roughness of the conductor layer may be 1.25 ⁇ m or less, preferably 1.2 ⁇ m or less, more preferably, as a ten-point average roughness (Rz JIS ) by a method according to ISO 4287-1997. It may be 1.15 ⁇ m or less.
  • the lower limit of Rz JIS is not particularly limited, but may be, for example, about 0.5 ⁇ m.
  • the arithmetic average roughness (Ra) by a method based on ISO 4287-1997 may be, for example, 0.15 ⁇ m or less, or 0.14 ⁇ m or less.
  • the lower limit of Ra is not particularly limited, but may be, for example, about 0.05 ⁇ m or about 0.11 ⁇ m.
  • the thickness of the conductor layer is preferably in the range of 1 to 50 ⁇ m (for example, about 5 to 50 ⁇ m), more preferably in the range of 8 to 35 ⁇ m (for example, 10 to 35 ⁇ m).
  • the unit circuit board preparation step is A thermocompression bonding step in which a metal foil is thermocompression bonded to one or both sides of the thermoplastic liquid crystal polymer film; An oxidation resistant film forming step for forming an oxidation resistant film on the thermocompressed metal foil surface; and May be provided.
  • the step of preparing the unit circuit board may further include a silane coupling agent attaching step of attaching a silane coupling agent to the surface of the conductor layer.
  • the oxidation-resistant film examples include an oxidation-resistant alloy layer, an oxidation-resistant plating layer, and a rust preventive agent layer such as benzotriazoles.
  • the oxidation resistant film may be formed either before or after circuit processing, depending on the type of the conductor layer and the oxidation resistant film.
  • the oxidation-resistant alloy layer is preferably an alloy including at least a metal that forms the metal foil, for example, from the viewpoint of improving adhesion.
  • the metal foil constituting the conductor layer is a copper foil
  • the alloy layer may be an alloy containing at least copper.
  • the oxidation resistant alloy layer is preferably formed before circuit processing.
  • an alloy part that does not contain copper in the part away from the copper foil there may be an alloy part that does not contain copper in the part away from the copper foil.
  • an etchant include “Mekkuri Mover S-651A” (manufactured by Mec Co., Ltd.), “Espac H-150” (manufactured by Sasaki Chemical Co., Ltd.), and an aqueous solution containing an inorganic acid such as nitric acid. Is mentioned.
  • a known or conventional silane coupling agent may be attached to the surface of the conductor layer (particularly the alloy layer).
  • a silane coupling agent By attaching a silane coupling agent to the surface of the alloy layer, the adhesion between the conductor layer and the liquid crystal polymer film is further improved, and the surface state is kept smooth without forming irregularities having an anchor effect on the surface of the conductor layer. Even if thermocompression bonding is performed as it is, an adhesive strength indicated by a high peel strength can be obtained.
  • a liquid crystal polymer film that has been subjected to a deaeration process is referred to as a heat-adhesive liquid crystal polymer film
  • a liquid crystal polymer film that has not been subjected to a deaeration process is referred to as an undeaerated liquid crystal polymer film
  • A a circuit board comprising an undegassed liquid crystal polymer film as an insulating substrate, a thermoadhesive liquid crystal polymer film as a bonding sheet, and an undegassed liquid crystal polymer film as an optional coverlay
  • B a circuit board comprising a non-degassed liquid crystal polymer film as an insulating substrate, a heat-adhesive liquid crystal polymer film as a bonding sheet, and a heat-adhesive liquid crystal polymer film as an optional coverlay
  • C a circuit board comprising a thermally adhesive liquid crystal polymer film as an insulating substrate, an undegassed
  • the thermal adhesion of the liquid crystal polymer film can be manifested after the deaeration process. May also be an undegassed liquid crystal polymer film.
  • thermoplastic liquid crystal polymer films When at least two of the circuit board materials are thermoplastic liquid crystal polymer films and have a structure in which a conductor layer is sandwiched between the first thermoplastic liquid crystal polymer film and the second thermoplastic liquid crystal polymer film, the first The difference in melting point between the thermoplastic liquid crystal polymer film 1 and the second thermoplastic liquid crystal polymer film may be, for example, 0 to 70 ° C., preferably about 0 to 60 ° C. (eg about 10 to 50 ° C.) It may be.
  • the first liquid crystal polymer film may be a high melting point liquid crystal polymer film having high heat resistance
  • the second liquid crystal polymer film is a low melting point liquid crystal having lower heat resistance than the first liquid crystal polymer film.
  • the film may be a polymer film.
  • at least two circuit board materials selected from an insulating substrate, a bonding sheet, and a coverlay are high-melting-point liquid crystal polymer films having high heat resistance (for example, about 300 to 350 ° C.) And a low melting point liquid crystal polymer film (for example, about 250 to 300 ° C.).
  • both liquid crystal polymer films that adhere to each other may be a combination of a high melting point liquid crystal polymer film and a low melting point liquid crystal polymer film, in which case the melting point difference exceeds 20 ° C. It may be 30 ° C to 70 ° C.
  • the heat-adhesive liquid crystal polymer film may be used as a high melting point liquid crystal polymer film or a low melting point liquid crystal polymer film.
  • liquid crystal polymer films that adhere to each other for example, a combination of high melting point liquid crystal polymer films, a combination of low melting point liquid crystal polymer films, or a combination of a high melting point liquid crystal polymer film and a low melting point liquid crystal polymer film). At least one of these may be a heat-adhesive liquid crystal polymer film, and both may be heat-adhesive liquid crystal polymer films.
  • at least the low melting point liquid crystal polymer film may be a heat adhesive liquid crystal polymer film.
  • the melting point of the liquid crystal polymer film used as the adhesive material may be the same as the melting point of the base material of the unit circuit board, but from the liquid crystal polymer film forming the unit circuit board Alternatively, a material having a low melting point may be used. In this case, the difference between the melting points of the two may be, for example, about 0 to 70 ° C., and more preferably about 0 to 60 ° C.
  • the thermal adhesiveness of the thermoplastic liquid crystal polymer film may be improved by performing the above-described degassing step.
  • a deaeration process may be performed before a thermocompression bonding process, and may be performed between the preparatory process of a circuit board material, and a thermocompression bonding process.
  • the deaeration step heats the circuit board material in a range of 100 ° C. to 200 ° C. for a predetermined time to perform deaeration.
  • the deaeration process may be performed as a preheating process before the thermocompression bonding process.
  • the preheating step may be performed at a heating temperature in the range of 50 ° C. to 150 ° C., for example, under a vacuum with a vacuum degree of 1500 Pa or less.
  • the heating temperature during the preheating step is preferably about 60 to 120 ° C., more preferably 70 to 110 ° C.
  • the preheating step is performed under a vacuum with a degree of vacuum of 1500 Pa or less, preferably 1300 Pa or less, more preferably 1100 Pa or less. Further, during the preheating step, the pressure may be applied within a range of 0.8 MPa or less, more preferably about 0.6 MPa or less as long as the effect of the invention is not hindered, but it is preferable that no pressure is applied as much as possible.
  • the preheating step may be performed, for example, for about 30 to 120 minutes, preferably about 40 to 100 minutes, more preferably about 45 to 75 minutes.
  • the unit circuit board and the adhesive Degassing is performed by heating the liquid crystal polymer film for the material, for example, under atmospheric pressure (or under normal pressure).
  • the heating temperature is 100 to 200 ° C, preferably 110 to 190 ° C.
  • the heating time can be appropriately adjusted according to the heating temperature, and may be, for example, 30 minutes to 4 hours, preferably 1 hour to 3 hours.
  • the deaeration under heating may be performed under conditions that do not include a degree of vacuum of 1500 Pa or less.
  • the deaeration may be performed under atmospheric pressure (or normal pressure) without adjusting the pressure.
  • the heating may be performed under a pressure reduced from atmospheric pressure (for example, more than 1500 Pa and less than 100,000 Pa, preferably about 3000 to 50000 Pa).
  • an inert gas atmosphere such as nitrogen in order to prevent oxidation of the conductor (such as copper foil).
  • membrane For example, rust preventive layers, such as an oxidation-resistant alloy layer, an oxidation-resistant plating layer, benzotriazole, etc. was formed in the conductor surface.
  • Step 2 it is preferable to further deaerate the unit circuit board and the liquid crystal polymer film for adhesive material in a vacuum atmosphere.
  • This step may be performed at a degree of vacuum of 1500 Pa or less, preferably 1300 Pa or less, more preferably 1100 Pa or less.
  • the deaeration time can be appropriately adjusted according to the degree of vacuum, but may be, for example, 30 minutes or more, 40 minutes or more, or 50 minutes or more, and is 6 hours or less, 4 hours or less, 3 hours or less. It may be 2 hours or less, or 1.5 hours or less.
  • Degassing under vacuum may be performed at room temperature (for example, in the range of 10 to 50 ° C., preferably in the range of 15 to 45 ° C.), but may be performed under heating from the viewpoint of increasing the degassing efficiency.
  • the heating temperature is 80 ° C to 200 ° C, preferably 100 ° C to 200 ° C, more preferably 115 ° C to 200 ° C. .
  • the heating temperature is 80 ° C to 200 ° C, preferably 100 ° C to 200 ° C, more preferably 115 ° C to 200 ° C.
  • degassing may be performed under no pressure (under pressure release) in which pressure is not substantially applied from the viewpoint of improving the degassing property.
  • no pressure under pressure release
  • the unit circuit board and the liquid crystal polymer film for adhesive material are degassed in the first degassing step, and then stacked alternately and installed in the apparatus.
  • degassing may be performed under no pressure.
  • a liquid crystal polymer film having an extremely low moisture content and air amount is used as a substrate material.
  • air is trapped due to insufficient degassing during multi-layer lamination, resulting in local poor adhesion. Can be suppressed.
  • insufficient deaeration of the film at the center can be suppressed.
  • thermocompression bonding process In the thermocompression bonding process, the circuit board material prepared in the preparation process is laminated in accordance with the structure of a predetermined circuit board and heated under a predetermined pressure to thermocompression bond the circuit board material.
  • the structure of the circuit board to be laminated can be appropriately set according to the desired structure of the circuit board, and is not particularly limited.
  • the circuit board material is stacked so as to sandwich the conductor layer (or conductor circuit). Laminated together.
  • the circuit board material may be in a laminated state when thermocompression bonding is performed, and the process of laminating the circuit board material is a preparatory process depending on the state of the prepared circuit board material, work procedure, and the like.
  • the degassing step and the thermocompression bonding step may be performed at any stage.
  • a bonding sheet may be disposed between at least two insulating substrates having conductor circuits formed on at least one surface, and a coverlay may be disposed on the outermost layer as necessary.
  • at least two insulating substrates having conductor circuits formed on at least one surface may be disposed without a bonding sheet, and a coverlay may be disposed on the outermost layer as necessary.
  • Thermocompression bonding can be performed using a vacuum hot press apparatus or a heating roll laminating equipment depending on the type of circuit board material, etc., but from the viewpoint of further reducing air from the liquid crystal polymer film, It is preferable to use a pressing device.
  • a vacuum hot press apparatus it is preferable to perform thermocompression bonding while maintaining the deaerated state of the laminate by vacuum deaeration, and the degree of vacuum at the time of thermocompression bonding is approximately the same as in the second deaeration process (for example, (1500 Pa or less).
  • the heating temperature at the time of thermocompression bonding is such that the thermoadhesive thermoplastic liquid crystal polymer film to be bonded (thermoplastic liquid crystal polymer film having different temperatures)
  • the melting point of the lower temperature thermoplastic liquid crystal polymer film is Tm
  • Tm melting point of the lower temperature thermoplastic liquid crystal polymer film
  • it may be in the range of (Tm ⁇ 60) ° C. to (Tm + 40) ° C., preferably (Tm ⁇ 55) ° C. It can be selected from a wide temperature range of about (Tm + 30) ° C., more preferably about (Tm ⁇ 50) ° C. to (Tm + 25) ° C.
  • thermocompression bonding when thermocompression bonding is performed at a high temperature, it may be in the range of (Tm ⁇ 20) ° C. to (Tm + 40) ° C. (eg, in the range of (Tm ⁇ 20) ° C. to (Tm + 20) ° C.), preferably It may be in the range of (Tm ⁇ 10) ° C. to (Tm + 30) ° C., more preferably in the range of (Tm ⁇ 10) ° C. to (Tm + 10) ° C.
  • thermocompression bonding may be performed at (Tm-60) ° C. or more and less than (Tm-20) ° C., (Tm-50) ° C. or more and (Tm-30) ° C. or more.
  • thermocompression bonding may be performed at (Tm-40) ° C. to (Tm-32) ° C.
  • the pressure applied at the time of thermocompression bonding can be selected from a wide range of 0.5 to 6 MPa, for example, depending on the properties of the liquid crystal polymer film.
  • the liquid crystal having excellent thermal adhesiveness after the deaeration step is used. Good adhesion between the liquid crystal polymer film layers even when the pressing pressure is 5 MPa or less, particularly 4.5 MPa or less (for example, 0.5 MPa to 3 MPa, preferably 1 to 2.5 MPa) because the polymer film is used for adhesion. It becomes possible to prevent a local adhesion failure caused by air entrapment even after the adhesion.
  • the thermocompression bonding step may include a thermocompression bonding step under a low pressure.
  • Thermocompression bonding may be performed in the range of 5 to 2.5 MPa, preferably thermocompression bonding may be performed in the range of 0.6 to 2 MPa, and more preferably in the range of 0.7 to 1.5 MPa.
  • thermocompression bonding may be performed by a single-stage press, or a multi-stage press such as a two-stage press may be performed.
  • temporary bonding is performed by pressing under high pressure (for example, in the range of more than 2.5 MPa to 5 MPa or less) as a pre-process of thermocompression bonding, and then main bonding is performed under the above-described low pressure. May be performed.
  • the thermocompression bonding under a low pressure may be longer than the thermocompression bonding under a high pressure.
  • the heating temperature under low pressure may be higher than the heating temperature under high pressure.
  • the time required for the thermocompression bonding process is not particularly limited as long as the interlayer adhesion of the circuit board can be improved satisfactorily. For example, it may be performed for about 15 to 60 minutes. The reaction may be performed preferably for about 20 to 50 minutes, more preferably for about 20 to 40 minutes. In addition, when performing by a multistage press, the total time of each holding time may be sufficient.
  • circuit board When manufacturing a circuit board, various manufacturing processes (for example, a circuit formation process, a through-connection process, an interlayer connection process, etc.) that are known or commonly used may be performed as necessary.
  • various manufacturing processes for example, a circuit formation process, a through-connection process, an interlayer connection process, etc.
  • a circuit board for example, one or more unit circuit boards made of a thermoplastic liquid crystal polymer film having a conductor layer formed on one side or both sides, and the conductor layer of the unit circuit board.
  • the circuit board manufacturing method may have a ten-point average roughness (Rz JIS ) of 1.25 ⁇ m or less by a method based on ISO 4287-1997 on the surface of the conductor layer on the side to be bonded to the circuit board material. .
  • FIG. 2A is a schematic cross-sectional view showing a state before stacking circuit boards when insulating boards are stacked without using a bonding sheet.
  • a first unit circuit board (double-sided copper-clad plate) 10 in which copper foils 4 and 4 are attached to both sides of the first thermoplastic liquid crystal polymer film 5 and a second plastic liquid crystal polymer film 6 are provided on one side.
  • a second unit circuit board (single-sided copper-clad board) 20 to which the copper foil 4 is attached is prepared.
  • the first thermoplastic liquid crystal polymer film 1 and the second thermoplastic liquid crystal polymer film 2 may be made of the same material having the same or different thickness.
  • first unit circuit board 10 and the second unit circuit board 20 are heated for a predetermined time, preferably in a nitrogen gas atmosphere (first deaeration step).
  • first deaeration step a predetermined time, preferably in a nitrogen gas atmosphere.
  • the first unit circuit board 10 and the second unit circuit board 20 are stacked and placed in a chamber (not shown) of the vacuum hot press apparatus to obtain a stacked body 30 shown in FIG. 2B.
  • heating is performed for a predetermined time while vacuuming is performed to maintain a vacuum degree of 1500 Pa or less (second degassing step).
  • second degassing step As the temperature and time conditions at that time, those described above can be used.
  • thermocompression bonding conditions the layers of the laminate 30 are pressure bonded by pressurization.
  • the conditions described above can be used as the temperature and pressure conditions during thermocompression bonding.
  • the inside of the apparatus is returned to the normal temperature and normal pressure condition, and then the circuit board 30 is recovered from the apparatus.
  • the first unit circuit board 10 and the second unit circuit board 20 are directly bonded.
  • the first unit circuit board 10 and the second unit circuit board 10 are directly bonded to the second unit circuit board 10 as necessary.
  • a bonding sheet may be used between the unit circuit board 20 and the unit circuit board 20.
  • the conductor circuit may be a microstrip line pattern, and a coverlay may be used in place of the second unit circuit board 20.
  • the circuit board has three conductor layers, but the number of conductor layers can be set as appropriate in one or more layers (for example, 2 to 10 layers). it can.
  • FIG. 3A is a schematic cross-sectional view illustrating a state before stacking circuit boards when insulating boards are stacked using a bonding sheet.
  • the first unit circuit board (double-sided copper-clad plate) 70 in which the copper foil 40 is pasted on both sides of the first thermoplastic liquid crystal polymer film 7 and the copper foil on one side of the second plastic liquid crystal polymer film 8 are used.
  • a bonding sheet (liquid crystal polymer film for adhesive material) 90 made of the film 9 is prepared.
  • the first thermoplastic liquid crystal polymer film 7 and the second thermoplastic liquid crystal polymer film 8 may be made of the same material having the same or different thickness.
  • the copper foil surface of the first unit circuit board is subjected to FlatBONDGT (MEC Co., Ltd.) treatment and an oxidation-resistant alloy layer (Fig. (Not shown), followed by FlatBONDGC (MEC Co., Ltd.) treatment to attach a silane coupling agent to form a conductor layer.
  • FlatBONDGT MEC Co., Ltd.
  • Fig. oxidation-resistant alloy layer
  • FlatBONDGC MEC Co., Ltd.
  • the first unit circuit board 70, the bonding sheet 90, and the second unit circuit board 80 are stacked and placed in a chamber (not shown) of the vacuum hot press apparatus, and the stacked body 50 shown in FIG. 3B. And Next, heating is performed for a predetermined time while vacuuming is performed to maintain a vacuum degree of 1500 Pa or less (second degassing step). As the temperature and time conditions at that time, those described above can be used.
  • thermocompression bonding conditions the layers of the laminate 50 are pressure bonded by pressurization.
  • the conditions described above can be used as the temperature and pressure conditions during thermocompression bonding.
  • the inside of the apparatus is returned to normal temperature and normal pressure conditions, and then the circuit board 50 is recovered from the apparatus.
  • the conductor is formed on one surface (upper surface) of the insulating layer on the first unit circuit board having the conductor layer (copper foil) bonded to both surfaces of the insulating layer, with or without a bonding sheet.
  • the second unit circuit board on which the layers are formed is laminated, but the illustrated configuration does not limit the circuit board of the present invention.
  • the circuit board may have only two conductor layers, or may have four or more conductor layers.
  • the circuit board may be provided with a cover lay made of a liquid crystal polymer film in the outermost layer in order to cover the conductor layer.
  • a circuit board (preferably a multilayer circuit board) according to a fourth configuration includes a plurality of at least one circuit board material selected from an insulating board having a conductor layer formed on at least one surface, a bonding sheet, and a coverlay. Prepared, At least one selected from an insulating substrate, a bonding sheet, and a coverlay is a circuit board that is a thermoplastic liquid crystal polymer film.
  • the circuit board is excellent in heat resistance, and is a circuit board having solder heat resistance when the circuit board is left for 60 seconds in an environment of a solder bath of 290 ° C. according to a method conforming to JIS C 5012.
  • the solder heat resistance is evaluated in accordance with JIS C 5012 by performing a solder float test with a solder bath temperature of 290 ° C. and a float time of 60 seconds, and whether the substrate after the float test has a bulge with a height of 100 ⁇ m or more. May be observed and evaluated visually and using an optical microscope ( ⁇ 5 times or more).
  • the circuit board of the present invention may be a circuit board having the following configuration.
  • a unit circuit board having an insulating layer (base material layer) made of a thermoplastic liquid crystal polymer film (first liquid crystal polymer film), and a conductor layer formed on one or both surfaces of the film, and bonding A circuit board (multilayer or laminated circuit board) in which two or more unit circuit boards are laminated via a bonding sheet,
  • a circuit board (single layer or double layer circuit board) comprising a coverlay for covering the conductor layer of the unit circuit board;
  • a circuit board (I) a unit circuit
  • the ten-point average roughness (Rz JIS ) by the method in conformity with ISO 4287-1997 on the surface of the conductor layer on the side to be bonded to the circuit board material is, for example, It may be 1.25 ⁇ m or less.
  • the circuit board can improve the adhesion of the liquid crystal polymer film, for example, it conforms to JIS-C5016-1994 between the thermoplastic liquid crystal polymer film and the circuit board material adhered to the film.
  • 0.8 kN / m or more for example, 0.8 to 3 kN / m
  • the thermoplastic liquid crystal polymer film and the insulating substrate material preferably other thermoplastic liquid crystal polymer film.
  • 0.9 kN / m or more Preferably 0.9 kN / m or more, more preferably 1 kN / m or more, and even more preferably 1.1 kN / m or more.
  • the adhesive strength was determined in accordance with JIS C5016-1994 at a speed of 50 mm per minute while peeling the adherends in the direction of 90 °, while using a tensile tester [Nidec Sympo Co., Ltd., Digital The peel strength measured by the force gauge FGP-2] may be used.
  • the circuit board can improve the adhesion of the liquid crystal polymer film, for example, it conforms to JIS-C5016-1994 between the thermoplastic liquid crystal polymer film and the circuit board material adhered to the film.
  • the adhesive strength between the thermoplastic liquid crystal polymer film and the conductor layer may be, for example, 0.3 kN / m or more (for example, 0.3 to 2 kN / m), preferably 0.5 kN / m. It may be the above. In determining interlayer adhesion, it is generally possible to determine that adhesion is good when cohesive peeling occurs. On the other hand, when the adhesiveness is not good, interface peeling often occurs.
  • the adhesive strength of the circuit board is improved overall regardless of the direction.
  • the adhesive strength is measured in four directions of A forward direction, A reverse direction, B forward direction, and B reverse direction by peeling, the minimum value of the adhesive strength is (I)
  • the thermoplastic liquid crystal polymer film and the insulating substrate material for example, it may be 0.5 kN / m or more (for example, 0.5 to 3 kN / m), preferably 0.6 kN / m.
  • / or (ii) may be, for example, 0.25 kN / m or more (for example, 0.25 to 2 kN / m) between the thermoplastic liquid crystal polymer film and the conductor layer, and preferably It may be 28 kN / m or more, more preferably 0.5 kN / m or more.
  • the circuit board has a structure in which at least two of the circuit board materials are thermoplastic liquid crystal polymer films, and a conductor layer is sandwiched between the first thermoplastic liquid crystal polymer film and the second thermoplastic liquid crystal polymer film. You may have.
  • the above-mentioned range may be sufficient as the melting
  • the insulating substrates or the insulating substrate and the coverlay may be bonded to each other without using a bonding sheet according to the thermal adhesiveness of the thermoplastic liquid crystal polymer film.
  • a bonding sheet when a bonding sheet is not used, the thickness of the circuit board can be reduced.
  • the circuit board includes n conductor layers 4 sandwiched between insulating layers, and n + 1 insulating layers (or thermoplastic liquid crystal polymer film layers) 3 sandwiching each layer of the conductor layers. May be provided.
  • the circuit board may include a conductor layer as the outermost layer as necessary.
  • the conductor layers are the same layers as long as they are sandwiched between the same insulating layers, even if they are formed on the upper and lower insulating layers, respectively.
  • the circuit board uses a thermoplastic liquid crystal polymer film having high adhesiveness, it is possible to perform thermocompression bonding under low pressure (preferably low temperature and low pressure). Therefore, it is possible to reduce the amount of sinking of the conductor circuit that occurs during thermocompression bonding and improve the reliability of the circuit board.
  • the conductor circuit 4 is not formed in the cross-sectional sample obtained by cutting the laminate including the conductor circuit 4 and the liquid crystal polymer films 5 and 6 perpendicularly to the conductor circuit.
  • the thickness L2 may be measured as the distance L2 between the lower surface of the conductor circuit 4 and the lower surface of the liquid crystal polymer film 5.
  • L1 is the distance between the adjacent liquid crystal polymer film interface and the top surface of the ground conductor 4b
  • L2 is the circuit board. The distance between the lower surface of the conductor circuit 4a and the upper surface of the ground conductor 4b may be grasped.
  • the circuit board of the present invention uses a thermoplastic liquid crystal polymer having excellent dielectric properties as an insulating material, it can be suitably used particularly as a high-frequency circuit board.
  • a high-frequency circuit is not only a circuit that transmits only a high-frequency signal, but also a transmission path that converts a high-frequency signal to a low-frequency signal and outputs the generated low-frequency signal to the outside, and driving of high-frequency compatible components
  • a transmission line for transmitting a signal that is not a high-frequency signal, such as a transmission line for supplying power supplied for the purpose, is also included.
  • the relative dielectric constant ( ⁇ r ) of the circuit board may be, for example, 2.6 to 3.5, and more preferably 2.6 to 3.4.
  • the dielectric loss tangent (Tan ⁇ ) of the circuit board may be, for example, 0.001 to 0.01, and more preferably 0.001 to 0.008.
  • the film was obtained by observing the thermal behavior of the film using a differential scanning calorimeter. In other words, the sample film was heated at a rate of 20 ° C./min to be completely melted, and then the melt was rapidly cooled to 50 ° C. at a rate of 50 ° C./min, and again raised at a rate of 20 ° C./min. The position of the endothermic peak that appeared when the film was recorded was recorded as the melting point of the film.
  • m (Zo / ⁇ z) X [1- ⁇ max / ⁇ o]
  • Zo is an apparatus constant
  • ⁇ z is an average thickness of the object
  • ⁇ max is a frequency that gives the maximum microwave transmission intensity when the microwave frequency is changed
  • ⁇ o is an average thickness of zero (ie, the object is zero). Is the frequency that gives the maximum microwave transmission intensity.
  • the rotation angle of the object with respect to the vibration direction of the microwave is 0 °, that is, the vibration direction of the microwave and the direction in which the molecules of the object are best oriented
  • the minimum microwave transmission intensity is given.
  • the orientation ratio SOR is calculated by m 0 / m 90.
  • the film thickness was measured using a digital thickness meter (manufactured by Mitutoyo Corporation) at an interval of 1 cm in the TD direction, and an average value of 10 points arbitrarily selected from the center and the end was taken as the film thickness. .
  • solder float test was performed in accordance with JIS C 5012 to examine the solder heat resistance of the circuit board.
  • the temperature of the solder bath was 290 ° C.
  • the float time was 60 seconds
  • the presence or absence of blistering of the substrate after the float test (having an area of 100 ⁇ m ⁇ 100 ⁇ m or more) was observed visually and with an optical microscope ( ⁇ 5 times or more).
  • five 5 cm square circuit board samples are prepared by cutting out any five parts of a 30 cm square circuit board sample to 5 cm squares, and each of the five 5 cm square circuit board samples is subjected to solder float.
  • the test was performed, and the presence or absence of swelling was observed visually and with an optical microscope ( ⁇ 5 times or more). It was evaluated as having good solder heat resistance when no blisters were found on all five 5 cm square circuit board samples, and any one of the five 5 cm square circuit board samples was swollen. The case was evaluated as defective.
  • one direction (MD direction) of the circuit board and the direction orthogonal to the direction (TD direction) are peeled off from both sides, respectively, so that the MD forward direction (or MD traveling direction), MD reverse direction (or MD non-progressing) Direction), TD forward direction (or TD right direction), and TD reverse direction (or TD left direction).
  • the adhesive strength was measured, and the average value was used as the representative value of the adhesive strength of the circuit board.
  • the adhesive strength is measured as the adhesive strength between the liquid crystal polymer film and the conductor layer, and when the conductor layer adheres to the liquid crystal polymer film with a contact area of less than 30%, the adhesive strength is the liquid crystal polymer film and the liquid crystal polymer film. It was measured as the adhesive strength between.
  • Ra indicates the average value of the absolute value deviation from the average line
  • the surface roughness (Rz JIS ) is obtained by extracting the reference length from the roughness curve in the direction of the average line
  • the difference between the average value of the altitude at the top (convex apex) from the 5th to the 5th and the average value of the altitude at the bottom (concave bottom) from the deepest to the 5th is expressed in ⁇ m.
  • the roughness is shown.
  • the laminate was cut to obtain a cross-sectional sample perpendicular to the conductor circuit.
  • the sample was placed on Pt sputtering, and a 20-mm Pt film was formed on the surface.
  • a scanning electron microscope (SU-70, manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation)
  • SEM image secondary electron image of the cross section of the laminate was taken at an acceleration voltage of 5 kV, and the degree of sinking was observed.
  • FIG. 5B the distance L1 between the adjacent liquid crystal polymer film interface and the ground conductor and the distance L2 between the lower surface of the conductor circuit of the circuit board and the ground conductor are respectively measured, and the percentage ratio of L2 / L1. And evaluated according to the following criteria.
  • L1 L2 and therefore 100%.
  • thermoplastic liquid crystal polymer film A thermoplastic liquid crystal polymer having a melting point of 280 ° C. is melted with a copolymer of p-hydroxybenzoic acid and 6-hydroxy-2-naphthoic acid (molar ratio: 73/27).
  • the thermoplastic liquid crystal polymer film in the roll was moisture content: 400 ppm.
  • the roll of the thermoplastic liquid crystal polymer film was subjected to a heat treatment at 120 ° C.
  • thermoplastic liquid crystal polymer film in the roll after degassing had a moisture content of 200 ppm and a molecular orientation SOR of 1.02.
  • Thermoplastic liquid crystal having a melting point of 280 ° C. and a thickness of 50 ⁇ m, a copolymer of p-hydroxybenzoic acid and 6-hydroxy-2-naphthoic acid (molar ratio: 73/27).
  • the polymer film was heat-treated in a nitrogen atmosphere at 260 ° C. for 4 hours, and further at 280 ° C.
  • a unit circuit board was produced in which wiring was processed so that the copper-clad laminate had a stripline structure.
  • the thermoplastic liquid crystal polymer film in the unit circuit board had a moisture content of 400 ppm.
  • circuit board As a bonding sheet, it is a copolymer of p-hydroxybenzoic acid and 6-hydroxy-2-naphthoic acid (molar ratio: 73/27) that has not been deaerated and has a melting point of 280.
  • Two unit circuit boards are stacked on both sides in the same manner as in Example 1 except that a thermoplastic liquid crystal polymer film having a temperature of 50 ° C., a moisture content of 400 ppm, and a molecular orientation SOR of 1.02 is used. Together, it was set in a vacuum hot press machine. Then, as a deaeration step under vacuum, the delamination process was performed on the stacked laminates at 120 ° C.
  • Example 7 Various physical properties of the obtained circuit board were evaluated and are shown in Table 7.
  • Example 3 (1) Production of Circuit Board A circuit board was obtained in the same manner as in Example 2 except that the adhesive thermoplastic liquid crystal polymer film obtained in Example 1 was used as the bonding sheet. Various physical properties of the obtained circuit board were evaluated and are shown in Table 7.
  • circuit board As a bonding sheet, it is a copolymer of p-hydroxybenzoic acid and 6-hydroxy-2-naphthoic acid (molar ratio: 73/27) that has not been deaerated and has a melting point of 280.
  • a circuit board was obtained in the same manner as in Example 1 except that a thermoplastic liquid crystal polymer film having a temperature of 50 ° C., a moisture content of 400 ppm, and a molecular orientation SOR of 1.02 was used.
  • Various physical properties of the obtained circuit board were evaluated and are shown in Table 7.
  • the interlayer adhesiveness of the circuit board can be improved even in a normal thermocompression bonding process. it can.
  • these circuit boards have excellent heat resistance, and can suppress swelling at high temperatures.
  • Example 2 a thermoadhesive liquid crystal polymer film is not used as the circuit board material, but before the thermocompression bonding, a degassing step of the laminate is performed under vacuum. By the process, the interlayer adhesion of the circuit board can be improved. In addition, these circuit boards have excellent heat resistance, and can suppress swelling at high temperatures.
  • Example 3 uses a liquid crystal polymer film excellent in thermal adhesiveness as a bonding sheet and performs a specific degassing step, and thus is particularly excellent in adhesiveness.
  • Comparative Example 1 does not use a heat-adhesive liquid crystal polymer film and does not perform a deaeration process. Therefore, the interlayer adhesion is lower than that of the example, and swelling occurs at a high temperature. There is a sample to do.
  • Example 4 (1) Production of unit circuit board Rolled copper foil (manufactured by JX Nippon Mining & Metals Co., Ltd.) against a thermoplastic liquid crystal polymer film having a melting point of 335 ° C. (manufactured by Kuraray Co., Ltd., CT-Z, thickness 25 ⁇ m) BHYX-T-12, 12 ⁇ m thick), using a vacuum hot press machine, set the heating plate at 295 ° C. and press-bond for 10 minutes under a pressure of 4 MPa. A first copper-clad laminate with a plastic liquid crystal polymer film / copper foil configuration was prepared.
  • a rolled copper foil (manufactured by JX Nippon Mining & Metals, BHYX-T-12) is used for a thermoplastic liquid crystal polymer film having a melting point of 280 ° C. (manufactured by Kuraray Co., Ltd., CT-F, thickness 50 ⁇ m). , Thickness 12 ⁇ m), using a vacuum hot press machine, set the heating plate at 275 ° C., and press-bond for 10 minutes under a pressure of 4 MPa to form a copper foil / second thermoplastic liquid crystal polymer film A second copper-clad laminate was prepared. Next, a circuit pattern (less than 30% of the remaining conductor ratio) is formed on one copper foil of the first copper-clad laminate by a chemical etching method so as to have a stripline structure, thereby obtaining a first unit circuit board. It was.
  • the first unit circuit board and the second copper-clad laminate are stacked so that the circuit pattern is sandwiched between the first and second thermoplastic liquid crystal polymer films, and a press pressure of 0 MPa under atmospheric pressure, Heat treatment was performed at 100 ° C. for 1 hour, and the laminate was degassed (first degassing step: degassing step under heating).
  • the first unit circuit board and the second copper clad laminate are overlaid in the chamber of the vacuum hot press apparatus. And heated at 100 ° C. under a pressure of 1000 Pa and 0 MPa for 1 hour (second degassing step: degassing step under vacuum).
  • a circuit board having a laminated structure represented by copper foil / first thermoplastic liquid crystal polymer layer / circuit layer / second thermoplastic liquid crystal polymer layer / copper foil by crimping (post-process) and performing two-stage pressing was made.
  • Various physical properties of the obtained circuit board were evaluated and are shown in Table 8.
  • the imaged SEM image is shown in FIG.
  • the white part is the liquid crystal polymer, but the interface between the first thermoplastic liquid crystal polymer layer and the second thermoplastic liquid crystal polymer layer can be observed.
  • the cross section of the copper stripe or the copper foil can be observed as a white or black and white high contrast region. From the figure, it can be observed that the sinking of the circuit layer is suppressed.
  • Example 5 As a second copper-clad laminate, a rolled copper foil (manufactured by JX Nippon Mining & Metals Co., Ltd.) is used for a thermoplastic liquid crystal polymer film having a melting point of 335 ° C. (manufactured by Kuraray Co., Ltd., CT-Z, thickness 25 ⁇ m). , BHYX-T-12, 12 ⁇ m thick), using a vacuum hot press machine, set the heating plate at 295 ° C., and press-bond for 10 minutes under a pressure of 4 MPa. A copper clad laminate having a thermoplastic liquid crystal polymer film configuration was prepared.
  • a circuit board was produced in the same manner as in Example 4 except that the copper-clad laminate was used as the second copper-clad laminate.
  • Various physical properties of the obtained circuit board were evaluated and are shown in Table 8.
  • the imaged SEM image is shown in FIG. From the figure, it can be observed that the sinking of the circuit layer is suppressed.
  • the heat resistance is excellent. Further, even when the post-process performed as the main bonding process in the thermocompression bonding process is performed under a low pressure of 1 MPa, the interlayer adhesion of the circuit board (between the thermoplastic liquid crystal polymer film and between the thermoplastic liquid crystal polymer film and the conductive film) (Interlayer) can be improved.
  • the unit circuit boards can be directly bonded well without using the bonding sheets used in the first to third embodiments.
  • the post-process performed as the main bonding process in the thermocompression bonding process is performed under a low pressure of 1 MPa, so that not only the resin flow does not occur when the circuit board is manufactured, but the conductor layer is heated. It is possible to suppress sinking into the plastic liquid crystal polymer film.
  • Example 5 even if both the thermoplastic liquid crystal polymer films are high melting point films, both circuit board materials can be bonded well. Particularly surprisingly, Example 5 shows good interlayer adhesion even when the temperature during thermocompression bonding is lower than the melting point of these high melting point films.
  • Comparative Example 2 and Comparative Example 3 since the deaeration process was not performed, not only the heat resistance was inferior, but also the interlayer adhesion was reduced by about 40% compared to Example 5.
  • Comparative Example 4 since the thermocompression bonding was performed under a high temperature and high pressure press in the post-process performed as the main bonding process, the adhesive strength was improved, but the heat resistance was inferior. In addition, a resin flow is generated during production, and the conductive layer sinks into the thermoplastic liquid crystal polymer film.
  • Example 6 Rolled copper foil (JX Nippon Mining & Metals Co., Ltd., BHYX-T-12, 12 ⁇ m thick) on the top and bottom of the film against a thermoplastic liquid crystal polymer film (manufactured by Kuraray Co., Ltd., CT-Z) with a melting point of 335 ° C. ), Using a vacuum hot press machine, set the heating plate to 295 ° C., press for 10 minutes under a pressure of 4 MPa, the first of the configuration of copper foil / thermoplastic liquid crystal polymer film / copper foil And a second unit circuit board having a configuration of a copper foil / thermoplastic liquid crystal polymer film.
  • the film thickness of the thermoplastic liquid crystal polymer film is 100 ⁇ m
  • the film thickness of the thermoplastic liquid crystal polymer film is 75 ⁇ m.
  • the first unit circuit board, the bonding sheet [a thermoplastic liquid crystal polymer film having a melting point of 280 ° C. and a film thickness of 25 ⁇ m (manufactured by Kuraray Co., Ltd., CT-F)], and the second unit circuit board are arranged in this order.
  • Stacking, deaeration treatment was performed under heating at 115 ° C. for 2 hours under a pressure of 0 MPa under atmospheric pressure (first deaeration step).
  • FIG. 3B in a state where a bonding sheet is sandwiched between the first unit circuit board and the second unit circuit board, it is installed in the chamber of the vacuum heat press apparatus, and the degree of vacuum is 1000 Pa, It heated at 100 degreeC under the pressure of 0 Mpa for 1 hour (2nd deaeration process). Thereafter, the temperature of the heating platen is set at 295 ° C., and pressure bonding is performed under a pressure of 1 MPa for 30 minutes, and the copper foil / first thermoplastic liquid crystal polymer layer / second as shown in FIG. 3B.
  • a circuit board having a laminated structure represented by two thermoplastic liquid crystal polymer layers / circuit layer / first thermoplastic liquid crystal polymer layer / copper foil was prepared.
  • circuit board was evaluated for heat resistance, adhesive strength, flowability, and circuit layer sinkability. These results are shown in Table 9.
  • Example 7 A circuit board was prepared in the same manner as in Example 6 except that the FlatBOND process was not performed on the copper foil of the first unit circuit board, and the heat resistance, adhesive strength, flow property, and sinking property of the circuit layer were evaluated. .
  • the results are shown in Table 9.
  • the surface roughness of the copper foil forming the conductor layer was 0.14 ⁇ m for Ra and 1.09 ⁇ m for Rz JIS .
  • Example 8 instead of the FlatBOND process, the surface treatment of the first unit circuit board is performed by the blackening process belonging to the surface roughening process of the prior art, and the pressure at the time of thermocompression bonding is set to 4 MPa.
  • a circuit board was prepared, and the heat resistance, adhesive strength, flowability, and sinking property of the circuit layer were evaluated. The results are shown in Table 9.
  • a blackening treatment solution aqueous solution
  • a blackening treatment solution containing 31 g / L of sodium sulfite, 15 g / L of sodium hydroxide, and 12 g / L of sodium phosphate is maintained at 95 ° C. in a heat insulating bath,
  • the circuit board was immersed for 2 minutes, then washed with water and dried.
  • the surface roughness of the copper foil in this case was as follows: Ra was 0.18 ⁇ m and Rz JIS was 1.31 ⁇ m.
  • the occurrence of blistering on the circuit board can be effectively suppressed by combining the deaeration process under specific conditions.
  • the copper foil surface is smoothed by performing FlatBOND treatment on the surface of the copper foil, and the deaeration process under specific conditions is combined, so that the heat resistance is also excellent.
  • the adhesive strength in the circuit board can be improved.
  • Example 9 A circuit board was obtained in the same manner as in Example 4 except that only the second degassing step was performed without performing the first degassing step. Various physical properties of the obtained circuit board were evaluated and are shown in Table 10.
  • Example 10 A circuit board was obtained in the same manner as in Example 4 except that only the first degassing step was performed without performing the second degassing step. Various physical properties of the obtained circuit board were evaluated and are shown in Table 10.
  • a rolled copper foil (manufactured by JX Nippon Mining & Metals, BHYX-T-12) is used for a thermoplastic liquid crystal polymer film having a melting point of 280 ° C. (manufactured by Kuraray Co., Ltd., CT-F, thickness 50 ⁇ m). , Thickness 12 ⁇ m), using a vacuum hot press machine, set the heating plate at 275 ° C., and press-bond for 10 minutes under a pressure of 4 MPa to form a copper foil / second thermoplastic liquid crystal polymer film A second copper-clad laminate was prepared. Next, a circuit pattern (less than 30% of the remaining conductor ratio) is formed on one copper foil of the first copper-clad laminate by a chemical etching method so as to have a stripline structure, thereby obtaining a first unit circuit board. It was.
  • the first unit circuit board and the second copper clad laminate are overlaid in the chamber of the vacuum hot press apparatus.
  • the pressure of the heating panel is set to 150 Pa
  • the pressure of the heating panel is set to 150 ° C.
  • pressurization is performed under pressure of 4 MPa for 5 minutes
  • the pressure of the heating panel is set to 320 ° C.
  • Pressed and pressed for 30 minutes under pressure shown by copper foil / first thermoplastic liquid crystal polymer layer / circuit layer / second thermoplastic liquid crystal polymer layer / copper foil by two-stage press
  • a circuit board having a laminated structure was manufactured.
  • Various physical properties of the obtained circuit board were evaluated and are shown in Table 10.
  • Comparative Example 6 since the deaeration process was not performed, not only the maximum value and the minimum value of the adhesive strength were low, but also the overall average value was low. Particularly in Comparative Example 6, it is difficult to improve the adhesive strength despite the fact that the thermocompression bonding temperature is set as high as 320 ° C. in order to increase the adhesive strength. For example, when compared with Example 4, The typical value of the adhesive strength is 1/3 or less, and the minimum value of the adhesive strength is only 1/5 or less.
  • Example 9 since the second deaeration process is performed, the maximum value, the minimum value, and the average value of the adhesive strength can be increased as compared with Comparative Example 6. Moreover, in Example 10, since the 1st deaeration process is performed, compared with the comparative example 6, the maximum value of adhesive strength, the minimum value, and an average value can be increased. In these Examples 9 and 10, when the adhesive strength of the circuit board is evaluated from four directions, even the lowest value can satisfy 0.7 kN / m, which is the minimum value obtained in Comparative Example 6. The adhesive strength is more than doubled.
  • the liquid crystal polymer film of the present invention is excellent in thermal adhesion, it can be usefully used as various circuit board materials. Further, the circuit board of the present invention can be used as a board for various electric and electronic products. In particular, since the liquid crystal polymer film has excellent dielectric properties at high frequencies, the circuit board of the present invention can be effectively used as a high frequency circuit board or the like.

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Abstract

　熱接着性に優れる熱可塑性液晶ポリマーフィルム、回路基板、およびそれらの製造方法を提供する。前記熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、分子配向度ＳＯＲが０．８～１．４であり、且つ水分率３００ｐｐｍ以下である。前記回路基板は、少なくとも一方の面に導体層が形成された絶縁基板、ボンディングシート、およびカバーレイから選択される少なくとも一種の回路基板材料を複数枚備えている。前記回路基板材料の少なくとも１枚が、熱可塑性液晶ポリマーフィルムである。回路基板をＪＩＳ　Ｃ　５０１２に準拠した方法によるはんだ浴２９０℃の環境下に６０秒間静置した場合に、回路基板は、はんだ耐熱性を有している。

Description

熱可塑性液晶ポリマーフィルム、回路基板、およびそれらの製造方法 関連出願
　本願は、２０１３年１０月３日に出願した特願２０１３－２０８２０９の優先権、２０１４年３月２７日に出願した特願２０１４－０６５７５１の優先権、および２０１４年６月１０日に出願した特願２０１４－１１９８５０の優先権を主張するものであり、その全体を参照により本出願の一部をなすものとして引用する。
　本発明は、光学的異方性の溶融相を形成する熱可塑性液晶ポリマーフィルム（以下、熱可塑性液晶ポリマーフィルム、または単に液晶ポリマーフィルムと称する場合がある）であって、熱接着性に優れる熱可塑性液晶ポリマーフィルムおよびその製造方法、並びに回路基板およびその製造方法に関する。
　情報処理機器、通信機器等の電子機器は、一般に回路基板を内蔵している。回路基板は通常、絶縁性の材料で形成された基板と、基板上に形成された導電材料からなる層を有し、この導電層に回路が形成されている。各種の電子部品は、はんだ付け等の処理によって、回路基板に設置される。近年では、複数の導電層を有する積層回路基板も広く用いられている。
　回路基板として、従来、ポリイミドを絶縁材料に用いたものが知られており、例えば、ポリイミドフィルム上の導電体層に回路を形成した基板と、ポリイミドフィルムと接着剤層からなるカバーレイフィルムを貼り合わせて構成された回路基板が知られている。
　しかし、このような回路基板では、接着剤を用いているために、耐熱性、特に半田耐熱性に劣る場合がある。また、接着剤に由来する溶剤が残存する場合があるが、このような場合、多層化後の回路基板において不具合を発生させ、回路基板の信頼性を低下させる可能性がある。そのため、接着剤を用いることなく回路基板を形成する技術が求められている。
　近年、ＰＣなど情報処理分野、携帯電話などの通信機器分野の発展は目覚ましく、このようなエレクトロニクスや通信機器に使用される周波数は、ギガヘルツの領域にシフトしている。しかしながら、一般にこのような高周波帯域では、伝送損失が大きくなることが知られている。
　回路基板は、従来、ポリイミドフィルムに導体回路が形成された基板と、ポリイミドフィルムと接着剤層とで構成されたカバーレイフィルムとを貼り合わせて形成されたものが知られている。
　しかし、このような回路基板では、接着剤を用いているため耐熱性、特にはんだ耐熱性に劣る場合がある。また、このような回路基板では、接着剤に由来する溶剤が残存する場合があり、このような残存溶剤は、多層化後の回路基板において不具合を発生させ、回路基板の信頼性を低下させてしまう虞がある。そのため、接着剤を用いることなく回路基板を形成する技術が求められている。
　一方、接着剤を用いることなく、回路基板を形成するための基板材料として、熱可塑性液晶ポリマーフィルムが注目されている。しかしながら、熱可塑性液晶ポリマーフィルムにおいては、フィルムの押出成形時に表面に硬いスキン層が発生してしまうため、熱可塑性液晶ポリマーを熱接着させる場合、スキン層によって層間接着性が十分でない場合がある。
　それを改良するため、例えば特許文献１（特開２０１０－１０３２６９号公報）では、光学的異方性の溶融相を形成する熱可塑性液晶ポリマーを押出成形して熱可塑性液晶ポリマーフィルムを形成するフィルム形成工程と、
　前記熱可塑性液晶ポリマーフィルムの少なくとも一方の表面に対して、物理的な研磨または紫外線照射を行うことにより、このフィルム表面が、ナノインデンテーション法によって測定された硬度０．０１～０．１ＧＰａを有するように軟化させて、接着面を形成する軟化工程と、
　前記接着面を、光学的異方性の溶融相を形成する熱可塑性液晶ポリマーフィルムの少なくとも一方の面に導体回路が形成された基板の回路形成面に対向させ、全体を熱圧着により接着させる熱圧着工程と、
　を含む多層回路基板の製造方法が開示されている。
　一方で、接着材を用いることなく、銅などの金属層からなる導体層と液晶ポリマー層とを貼り合わせ、積層により回路基板を形成する場合、導体層上に凹凸を形成してアンカー効果により、導体層と絶縁層との圧着性を高め、ピール強度（耐剥離強度）を確保する処理が行われており、この凹凸形状の最適化が研究されている。
　例えば、特許文献２（国際公開ＷＯ２０１２/０２０８１８号パンフレット）には、液晶ポリマー層の片面または両面に金属箔を有する金属張積層基板において、金属箔は、液晶ポリマー層と接する面が粗化処理されて表層部に突起物を有し、該突起物の根本部分の幅Ｌに対する突起物の高さＨの比で表されるアスペクト比（Ｈ／Ｌ）が３～２０の範囲であると共に、突起物の高さが０．１～２μｍの範囲であり、液晶ポリマー層は、１０～２０００μｍの厚さを有して、膜厚公差が６％未満であることを特徴とする金属張積層板が開示されている。
特開２０１０－１０３２６９号公報 国際公開ＷＯ２０１２／０２０８１８号
　特許文献１では、物理的研磨または紫外線照射によるスキン層への軟化処理によって、液晶ポリマーフィルム間の層間接着性を向上させているが、スキン層へのダメージを与えることなく液晶ポリマーフィルム間の層間接着性を向上させることについては開示も示唆もされていない。
　特許文献２には、金属箔を粗化処理することにより、液晶ポリマーフィルムと金属箔の層間接着性を向上させることについては記載されているが、液晶ポリマーフィルムに対して特定の処理を行うことにより層間接着性を向上する点については、認識されていない。さらに、この文献に記載されている発明では、銅箔に突出部が存在するため、液晶ポリマーがそのような突出部により受ける不利益についても検討されていない。
　本発明の目的は、層間接着性を向上することが可能な熱接着性に優れる液晶ポリマーフィルム、およびその製造方法を提供することにある。
　本発明の別の目的は、層間接着性を向上させた回路基板およびその製造方法を提供することにある。
　本発明の発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討した結果、以下の構成を見出した。
　すなわち、本発明の第１の構成は、
　光学的異方性の溶融相を形成し、分子配向度ＳＯＲが０．８～１．４である熱可塑性液晶ポリマーフィルムを準備する準備工程と、
　前記熱可塑性液晶ポリマーフィルムを、（ｉ）真空度１５００Ｐａ以下で３０分以上真空下で脱気することにより、および／または（ｉｉ）１００℃～２００℃の範囲で加熱下で脱気することより、前記熱可塑性液晶ポリマーフィルム中の熱可塑性液晶ポリマーフィルムを脱気する脱気工程と、
　を少なくとも備え、分子配向度ＳＯＲが０．８～１．４であり、且つ水分率３００ｐｐｍ以下である熱可塑性液晶ポリマーフィルムを製造する方法である。
　前記製造方法では、脱気工程が、準備された熱可塑性液晶ポリマーフィルムを、１００℃～２００℃の範囲で所定の時間加熱して、脱気を行う第一の脱気工程と、
　前記回路基板材料に対して、真空度１５００Ｐａ以下で、さらに所定の時間脱気を行う第二の脱気工程と、を備えていてもよい。また、真空下での脱気（ｉ）または第二の脱気工程は、真空度１５００Ｐａ以下で、８０～２００℃の範囲で加熱することにより行われてもよい。
　また、脱気工程が行われる熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、ロール状物であってもよい。
　本発明は、第２の構成として、熱接着性に優れる熱可塑性液晶ポリマーフィルムについても包含する。このような熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、分子配向度ＳＯＲが０．８～１．４であり、且つ水分率３００ｐｐｍ以下である。また、フィルムの厚みが１０～２００μｍ程度であってもよい。前記熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、前記製造方法で製造されてもよい。前記熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、ガスバリア性包装材で包装されている熱可塑性液晶ポリマーフィルムであってもよい。
　なお、本発明は、前記熱接着性熱可塑性液晶ポリマーフィルムと、この熱可塑性液晶ポリマーフィルムを包装している、ガスバリア性包装材と、で構成された熱可塑性液晶ポリマーフィルムの包装体についても包含してもよい。
　前記包装体では、ガスバリア性包装材が、例えば酸素透過度１０ｍＬ／ｍ２・ｄａｙ・ＭＰａ以下を有していてもよい。また、ガスバリア性包装材は、例えば透湿度１０ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下を有していてもよい。
　本発明は、第３の構成として、回路基板の製造方法も包含し、前記製造方法は、
　少なくとも一方の面に導体層が形成された絶縁基板、ボンディングシート、およびカバーレイから選択される少なくとも一種の回路基板材料を複数枚準備する準備工程と、
　前記準備された回路基板材料を、所定の回路基板の構造に合わせて積層し、所定の圧力下で加熱して回路基板材料を熱圧着する熱圧着工程と、
　を少なくとも備える回路基板の製造方法であって、
　（Ｉ）絶縁基板、ボンディングシートおよびカバーレイから選択された少なくとも１枚が、前記脱気工程が行われた熱接着性熱可塑性液晶ポリマーフィルムで構成され、および／または
　（ＩＩ）絶縁基板、ボンディングシートおよびカバーレイの少なくとも１枚が、熱可塑性液晶ポリマーフィルムで構成されるとともに、熱圧着工程の前に、前記脱気工程が行われる製造方法である。
　前記製造方法では、ボンディングシートおよびカバーレイから選択された少なくとも一種が熱接着性熱可塑性液晶ポリマーフィルムで構成されてもよい。
　また前記製造方法では、絶縁基板、ボンディングシートおよびカバーレイから選択される少なくとも二種の回路基板材料が、高い耐熱性を有する高融点液晶ポリマーフィルムと、それよりも低い耐熱性を有する低融点液晶ポリマーフィルムとで構成され、前記高融点液晶ポリマーフィルムと、低融点液晶ポリマーフィルムとの融点差が、７０℃以内であってもよい。
　前記回路基板の製造方法において、熱圧着工程が、プレス圧５ＭＰａ以下（好ましくは０．５～２．５ＭＰａ）下で加熱して回路基板材料を熱圧着する工程を含んでいてもよい。また、例えば、熱圧着される熱可塑性液晶ポリマーフィルムの融点Ｔｍに対して、（Ｔｍ－６０）℃以上（Ｔｍ＋４０）℃以下で加熱して回路基板材料を熱圧着してもよい。
　本発明は、第４の構成として、少なくとも一方の面に導体層が形成された絶縁基板、ボンディングシート、およびカバーレイから選択される少なくとも一種の回路基板材料を複数枚備え、
　絶縁基板、ボンディングシートおよびカバーレイから選択された少なくとも１枚が、熱可塑性液晶ポリマーフィルムである回路基板であって、
　回路基板をＪＩＳ　Ｃ　５０１２に準拠した方法によるはんだ浴２９０℃の環境下に６０秒間静置した場合に、はんだ耐熱性を有する回路基板を包含する。前記回路基板は、前記製造方法で製造された回路基板であってもよい。
　好ましくは、回路基板は、熱可塑性液晶ポリマーフィルムと、このフィルムに対して接着している回路基板材料との間におけるＪＩＳ－Ｃ５０１６－１９９４に準拠した接着強度が、熱可塑性液晶ポリマーフィルムと絶縁性基板材料（例えば、熱可塑性液晶ポリマーフィルム）との間で０．８ｋＮ／ｍ以上であってもよく、熱可塑性液晶ポリマーフィルムと導体層との間で０．３ｋＮ／ｍ以上であってもよい。
　なお、液晶ポリマーフィルムに対して導体層が接する部分の表面積の割合（すなわち、残導体率＝接触面におけるユニット回路基板上の回路パターンの面積／ユニット回路基板の総面積ｘ１００）が３０％以上である場合、接着強度は液晶ポリマーフィルムと導体層との間の接着強度として測定され、導体層の表面積が３０％未満の割合で液晶ポリマーフィルムに接触している場合、接着強度は液晶ポリマーフィルムと液晶ポリマーフィルムとの間の接着強度として測定される。
　また、回路基板では、接着強度の等方性に優れるのが好ましい。例えば、回路基板の一方向（Ａ方向）と、それに対する直交方向（Ｂ方向）について、それぞれ、両側から引きはがすことにより、Ａ順方向、Ａ逆方向、Ｂ順方向、Ｂ逆方向の４方向について、熱可塑性液晶ポリマーフィルムと、このフィルムに対して接着している回路基板材料との間におけるＪＩＳ－Ｃ５０１６－１９９４に準拠した接着強度を測定した場合、接着強度の最小値が、
　（ｉ）熱可塑性液晶ポリマーフィルムと絶縁性基板材料との間で０．５ｋＮ／ｍ以上であってもよいし、または
　（ｉｉ）熱可塑性液晶ポリマーフィルムと導体層との間で０．２５ｋＮ／ｍ以上であってもよい。
　また、回路基板において、前記回路基板材料の少なくとも２枚が、熱可塑性液晶ポリマーフィルムであり、第１の熱可塑性液晶ポリマーフィルムと、第２の熱可塑性液晶ポリマーフィルムとで導体層を挟む構造を有しており、前記第１の熱可塑性液晶ポリマーフィルムと、第２の熱可塑性液晶ポリマーフィルムとの融点差が、０～７０℃である回路基板であってもよい。
　さらに、回路基板材料が、すべて熱可塑性液晶ポリマーフィルムから形成され、ボンディングシートを介することなく、絶縁基板同士、または絶縁基板とカバーレイとが接着していてもよい。
　前記回路基板では、導体層が平滑であるのが好ましく、たとえば、導体層の少なくとも一方の表面のＩＳＯ４２８７－１９９７に準拠した方法による十点平均粗度（ＲｚＪＩＳ）が、１．２５μｍ以下であってもよい。
　回路基板の厚みを薄くすることが出来る指標として、例えば、回路基板が、ｎ＋１層の熱可塑性液晶ポリマーフィルム層と、これらの熱可塑性液晶ポリマーフィルム層に挟まれるｎ層の導体回路層とを備えていてもよい。この場合、回路基板はボンディングシートを介することなく、導体回路層を挟んだ状態で熱可塑性液晶ポリマーフィルム同士を接着することができる。
　回路基板における導体回路の沈み込みが抑制されている場合、その指標として、上面と底面を有する絶縁基板の上面側に導体回路が形成されている絶縁基板において、導体回路が形成されていない箇所における絶縁基板の厚みＬ１と、導体回路が形成されている箇所における絶縁基板の厚みＬ２とをそれぞれ測定した場合、Ｌ２／Ｌ１のパーセント比率が、８０～１００％であってもよい。
　回路基板において、導体回路が、ストリップライン構造またはマイクロストリップライン構造を有している回路基板であってもよい。
　本発明は、前記製造方法で製造された回路基板を包含することができる。本発明の回路基板は、上述するように導体層を１層有する単層回路基板であっても、導体層を複数層有する多層回路基板であっても、いずれでもよい。
　また、本発明では、別の構成として、以下の発明を含んでいてもよい。
　第５の構成は、導体層が片面または両面に形成された熱可塑性液晶ポリマーフィルムからなる一以上のユニット回路基板と、このユニット回路基板の導体層に対して接着するための熱可塑性液晶ポリマーフィルムからなる一以上の回路基板材料とを、準備する工程と、
　前記ユニット回路基板と前記回路基板材料とを、例えば大気圧下で、100℃～200℃の範囲で所定の時間加熱して、脱気を行う第一の脱気工程と、
　前記ユニット回路基板と前記回路基板材料に対して、真空度１５００Ｐａ以下で、さらに所定の時間脱気を行う第二の脱気工程と、
　前記回路基板材料と前記ユニット回路基板とを積層して形成した積層体に加熱及び加圧を行い、熱圧着により前記積層体を一体化する工程とを備えるとともに、
　前記回路基板材料と接着する側における前記導体層表面のＩＳＯ４２８７－１９９７に準拠した方法による十点平均粗度（ＲｚＪＩＳ）が、１．２５μｍ以下である、回路基板の製造方法である。
　第二の脱気工程は、８０℃～２００℃の範囲で行われてもよい。また、第二の脱気工程が、無加圧下で行われてもよい。回路基板材料は、ボンディングシートおよびカバーレイから選択される少なくとも一種であってもよい。
　また、ユニット回路基板の準備工程は、
　熱可塑性液晶ポリマーフィルムの片面または両面に金属箔を熱圧着する熱圧着工程と、
　前記熱圧着された金属箔表面に、耐酸化被膜を形成する皮膜形成工程と、を備えていてもよい。
　前記導体層は、銅箔からなる銅層を含むのが好ましく、さらに銅を含む合金層を耐酸化性皮膜として含んでいてもよい。
　さらに、ユニット回路基板の準備工程は、導体層表面に、シランカップリング剤を付着する、シランカップリング剤付着工程をさらに備えていてもよい。
　本発明の第６の構成では、回路基板は、上記の方法によって製造された回路基板とすることができる。
　また、本発明の第６の構成では、前記回路基板は、導体層が片面または両面に形成された熱可塑性液晶ポリマーフィルムからなる一以上のユニット回路基板と、このユニット回路基板の導体層に対して接着するための熱可塑性液晶ポリマーフィルムからなる一以上の回路基板材料とを有する回路基板であって、
　前記回路基板材料と接着する側における前記導体層表面のＩＳＯ４２８７－１９９７に準拠した方法による十点平均粗度（ＲｚＪＩＳ）が、１．２５μｍ以下であり、かつ
　回路基板を、ＪＩＳ　Ｃ　５０１２に準拠した方法によるはんだ浴２９０℃の環境下に６０秒間静置した場合に、はんだ耐熱性を有する回路基板とすることができる。
　第１の構成に係る熱可塑性液晶ポリマーフィルムでは、特定の脱気工程が行われることにより、液晶ポリマーフィルムの等方性を保ちつつ熱接着性を向上させることができ、その結果、たとえ接着剤を用いない場合であっても液晶ポリマーフィルムを用いた回路基板の層間接着性を向上することができる。
　さらに、特定の脱気工程が行われた熱可塑性液晶ポリマーフィルムをガスバリア性包装材で包装することにより、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの脱気状態を維持したままで熱可塑性液晶ポリマーフィルムの包装体として、輸送・運搬することができる。
　第２の構成に係る熱可塑性液晶ポリマーフィルムの製造方法では、接着性に優れる熱可塑性液晶ポリマーフィルムを効率よく製造することができる。
　第３の構成に係る回路基板では、熱可塑性液晶ポリマーフィルムを用いた回路基板の層間接着性を高めることにより、局部的な密着不良を抑制し、電子部品を回路基板に取り付けるリフロー処理時などの高温処理時において、回路基板に膨れが生じるのを抑制することができる。また、接着剤を利用することなく層間接着を行うことが可能であるため、回路基板の信頼性を向上することもできる。
　第４の構成に係る回路基板の製造方法では、このような回路基板を効率よく製造することが可能である。
　この発明は、添付の図面を参考にした以下の好適な実施形態の説明からより明瞭に理解されるであろう。しかしながら、実施形態および図面は単なる図示および説明のためのものであり、この発明の範囲を定めるために利用されるべきでない。この発明の範囲は添付のクレームによって定まる。
本発明の一実施形態に係る熱可塑性液晶ポリマーフィルムから形成されたロール状物の形状を説明するための概略断面図である。 本発明の一実施形態に係る回路基板の製造工程を説明するための模式断面図であり、積層前の状態を示す。 本発明の一実施形態に係る回路基板の製造工程を説明するための模式断面図であり、積層後の状態を示す。 本発明の別の一実施形態に係る回路基板の製造工程を説明するための模式断面図であり、積層前の状態を示す。 本発明の別の一実施形態に係る回路基板の製造工程を説明するための模式断面図であり、積層後の状態を示す。 本発明の一実施形態に係る回路基板において、ｎ層の導体層と、これらの導電層を内部に含むｎ＋１層の絶縁層との関係を説明するための概略断面図である。 本発明の一実施形態に係る回路基板において、導体層の沈み込み量を説明するための、導体回路と、この導体回路を挟み込む２枚の液晶ポリマーフィルムを備える積層体の概略断面図である。 本発明の一実施形態に係る回路基板において、上記図５Ａの積層体の両面に、さらに地導体を備える積層体の概略断面図である。 本発明の実施例４および５、ならびに比較例４について撮像した断面ＳＥＭ像である。図中のスケールの幅は１００μｍであり、いずれのＳＥＭ像も互いに等倍である。
　本発明の第１の構成は、以下の点を見出したことに基づいている。すなわち（ｉ）熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、剛直なメソゲン基を有するためか、数ある有機材料の中でも最高レベルのガスバリア性を有している。これは、熱可塑性液晶ポリマーフィルムと、他の有機材料とを比較する際の大きなメリットであり、熱可塑性液晶ポリマーフィルムにおいては、脱気をする必要性について、何ら認識されていなかった。（ｉｉ）しかしながら、明確な理由は定かではないが、熱可塑性液晶ポリマーに含まれる水分などのガス化しうる成分、熱可塑性液晶ポリマーフィルム表面に吸着した水分や表面に存在するエアーが、存在すると、フィルムと被着体との層間接着性が低下するためか、高温条件下で回路基板にふくれを生じさせる原因となりうることが推測された。そして、（ｉｉｉ）その知見に基づき、熱可塑性液晶ポリマーフィルムに対して特定の脱気工程（degassing）を行うと、驚くべきことに、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの等方性を維持した状態で、フィルムと被着体との層間接着性を向上させ、高温条件下で回路基板にふくれが生じるのを抑制できることが見出された。
［熱可塑性液晶ポリマーフィルムの製造方法］
　本発明の一実施態様は、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの製造方法であり、この製造方法は、光学的異方性の溶融相を形成し、分子配向度ＳＯＲが０．８～１．４である熱可塑性液晶ポリマーフィルムを準備する準備工程と、
　前記熱可塑性液晶ポリマーフィルムを、
（ｉ）真空度１５００Ｐａ以下で３０分以上真空下で脱気させることにより、および／または
（ｉｉ）１００℃～２００℃の範囲で加熱下で脱気させることより、前記熱可塑性液晶ポリマーフィルムを脱気する脱気工程と、
　を少なくとも備え、分子配向度ＳＯＲが０．８～１．４であり、且つ水分率３００ｐｐｍ以下である熱可塑性液晶ポリマーフィルムを製造する。
（熱可塑性液晶ポリマーフィルムの準備工程）
　準備される熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、溶融成形できる液晶性ポリマーから形成される。この熱可塑性液晶ポリマーは、溶融成形できる液晶性ポリマーであれば特にその化学的構成については特に限定されるものではないが、例えば、熱可塑性液晶ポリエステル、又はこれにアミド結合が導入された熱可塑性液晶ポリエステルアミドなどを挙げることができる。
　また熱可塑性液晶ポリマーは、芳香族ポリエステルまたは芳香族ポリエステルアミドに、更にイミド結合、カーボネート結合、カルボジイミド結合やイソシアヌレート結合などのイソシアネート由来の結合等が導入されたポリマーであってもよい。
　本発明に用いられる熱可塑性液晶ポリマーの具体例としては、以下に例示する（１）から（４）に分類される化合物およびその誘導体から導かれる公知の熱可塑性液晶ポリエステルおよび熱可塑性液晶ポリエステルアミドを挙げることができる。ただし、光学的に異方性の溶融相を形成し得るポリマーを形成するためには、種々の原料化合物の組合せには適当な範囲があることは言うまでもない。
（１）芳香族または脂肪族ジヒドロキシ化合物（代表例は表１参照）
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
（２）芳香族または脂肪族ジカルボン酸（代表例は表２参照）
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
（３）芳香族ヒドロキシカルボン酸（代表例は表３参照）
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
（４）芳香族ジアミン、芳香族ヒドロキシアミンまたは芳香族アミノカルボン酸（代表例は表４参照）
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　これらの原料化合物から得られる液晶ポリマーの代表例として表５および６に示す構造単位を有する共重合体を挙げることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
　これらの共重合体のうち、ｐ―ヒドロキシ安息香酸および／または６－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸を少なくとも繰り返し単位として含む重合体が好ましく、特に、（ｉ）ｐ－ヒドロキシ安息香酸と６－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸との繰り返し単位を含む重合体、（ｉｉ）ｐ－ヒドロキシ安息香酸および６－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸からなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ヒドロキシカルボン酸と、４，４’－ジヒドロキシビフェニルおよびヒドロキノンからなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ジオールと、テレフタル酸、イソフタル酸および２，６－ナフタレンジカルボン酸からなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ジカルボン酸との繰り返し単位を含む重合体が好ましい。
　例えば、（ｉ）の重合体では、熱可塑性液晶ポリマーが、少なくともｐ－ヒドロキシ安息香酸と６－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸との繰り返し単位を含む場合、繰り返し単位（Ａ）のｐ－ヒドロキシ安息香酸と、繰り返し単位（Ｂ）の６－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸とのモル比（Ａ）／（Ｂ）は、液晶ポリマー中、（Ａ）／（Ｂ）＝１０／９０～９０／１０程度であるのが望ましく、より好ましくは、（Ａ）／（Ｂ）＝５０／５０～８５／１５程度であってもよく、さらに好ましくは、（Ａ）／（Ｂ）＝６０／４０～８０／２０程度であってもよい。
　また、（ｉｉ）の重合体の場合、ｐ－ヒドロキシ安息香酸および６－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸からなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ヒドロキシカルボン酸（Ｃ）と、４，４’－ジヒドロキシビフェニルおよびヒドロキノンからなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ジオール（Ｄ）と、テレフタル酸、イソフタル酸および２，６－ナフタレンジカルボン酸からなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ジカルボン酸（Ｅ）の、液晶ポリマーにおける各繰り返し単位のモル比は、芳香族ヒドロキシカルボン酸（Ｃ）：前記芳香族ジオール（Ｄ）：前記芳香族ジカルボン酸（Ｅ）＝３０～８０：３５～１０：３５～１０程度であってもよく、より好ましくは、（Ｃ）：（Ｄ）：（Ｅ）＝３５～７５：３２．５～１２．５：３２．５～１２．５程度であってもよく、さらに好ましくは、（Ｃ）：（Ｄ）：（Ｅ）＝４０～７０：３０～１５：３０～１５程度であってもよい。
　また、芳香族ジカルボン酸に由来する繰り返し構造単位と芳香族ジオールに由来する繰り返し構造単位とのモル比は、（Ｄ）／（Ｅ）＝９５／１００～１００／９５であることが好ましい。この範囲をはずれると、重合度が上がらず機械強度が低下する傾向がある。
　なお、本発明にいう溶融時における光学的異方性とは、例えば試料をホットステージにのせ、窒素雰囲気下で昇温加熱し、試料の透過光を観察することにより認定できる。
　熱可塑性液晶ポリマーとして好ましいものは、融点（以下、Ｔｍ０と称す）が２６０～３６０℃の範囲のものであり、さらに好ましくはＴｍ０が２７０～３５０℃のものである。なお、融点は示差走査熱量計（（株）島津製作所ＤＳＣ）により主吸熱ピークが現れる温度を測定することにより求められる。
　前記熱可塑性液晶ポリマーには、本発明の効果を損なわない範囲内で、ポリエチレンテレフタレート、変性ポリエチレンテレフタレート、ポリオレフィン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリアミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、フッ素樹脂等の熱可塑性ポリマー、各種添加剤を添加してもよい。また、必要に応じて充填剤を添加してもよい。
　本発明に使用される熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、熱可塑性液晶ポリマーを押出成形して得られる。熱可塑性液晶ポリマーの剛直な棒状分子の方向を制御できる限り、任意の押出成形法が適用できるが、周知のＴダイ法、ラミネート体延伸法、インフレーション法などが工業的に有利である。特にインフレーション法やラミネート体延伸法では、フィルムの機械軸方向（または機械加工方向：以下、ＭＤ方向と略す）だけでなく、これと直交する方向（以下、ＴＤ方向と略す）にも応力が加えられ、ＭＤ方向とＴＤ方向における分子配向性、誘電特性などを制御したフィルムが得られる。
　押出成形では、配向を制御するために、延伸処理を伴うのが好ましく、例えば、Ｔダイ法による押出成形では、Ｔダイから押出した溶融体シートを、フィルムのＭＤ方向だけでなく、これとＴＤ方向の双方に対して同時に延伸してもよいし、またはＴダイから押出した溶融体シートを一旦ＭＤ方向に延伸し、ついでＴＤ方向に延伸してもよい。
　また、インフレーション法による押出成形では、リングダイから溶融押出された円筒状シートに対して、所定のドロー比（ＭＤ方向の延伸倍率に相当する）およびブロー比（ＴＤ方向の延伸倍率に相当する）で延伸してもよい。
　このような押出成形の延伸倍率は、ＭＤ方向の延伸倍率（またはドロー比）として、例えば、１．０～１０程度であってもよく、好ましくは１．２～７程度、さらに好ましくは１．３～７程度であってもよい。また、ＴＤ方向の延伸倍率（またはブロー比）として、例えば、１．５～２０程度であってもよく、好ましくは２～１５程度、さらに好ましくは２．５～１４程度であってもよい。
　ＭＤ方向とＴＤ方向とのそれぞれの延伸倍率の比（ＴＤ方向／ＭＤ方向）は、例えば、２．６以下、好ましくは０．４～２．５程度であってもよい。
　また、熱可塑性液晶ポリマーフィルムには、押出成形した後に、必要に応じて延伸を行ってもよい。延伸方法自体は公知であり、二軸延伸、一軸延伸のいずれを採用してもよいが、分子配向度を制御することがより容易であることから、二軸延伸が好ましい。また、延伸は、公知の一軸延伸機、同時二軸延伸機、逐次二軸延伸機などが使用できる。
　また、必要に応じて、公知または慣用の熱処理を行い、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの融点および／または熱膨張係数を調整してもよい。熱処理条件は目的に応じて適宜設定でき、例えば、液晶ポリマーの融点（Ｔｍ０）－１０℃以上（例えば、Ｔｍ０－１０～Ｔｍ０＋３０℃程度、好ましくはＴｍ０～Ｔｍ０＋２０℃程度）で数時間加熱することにより、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの融点（Ｔｍ）を上昇させてもよい。
　このようにして得られた本発明の熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、優れた誘電特性、ガスバリア性、低吸湿性などを有しているため、回路基板材料として好適に用いることができる。
　熱可塑性液晶ポリマーフィルムの融点（Ｔｍ）は、フィルムの所望の耐熱性および加工性を得る目的において、２００～４００℃程度の範囲内で選択することができ、好ましくは２５０～３６０℃程度、より好ましくは２６０～３５０℃程度（例えば、２６０～３４０℃）であってもよい。なお、フィルムの融点は、示差走査熱量計を用いて、フィルムの熱挙動を観察して得ることができる。すなわち供試フィルムを２０℃／分の速度で昇温して完全に溶融させた後、溶融物を５０℃／分の速度で５０℃まで急冷し、再び２０℃／分の速度で昇温した後に現れる吸熱ピークの位置を、フィルムの融点として記録すればよい。
　本発明において使用される熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、任意の厚みであってもよい。ただし、高周波伝送線路に使用する場合は、厚みが厚いほど伝送損失が小さくなるので、できるだけ厚みを厚くするのが好ましい。電気絶縁層として熱可塑性液晶ポリマーフィルムを用いる場合、そのフィルムの膜厚は、１０～５００μｍの範囲内にあることが好ましく、１５～２００μｍの範囲内がより好ましい。フィルムの厚さが薄過ぎる場合には、フィルムの剛性や強度が小さくなることから、フィルム膜厚１０～２００μｍの範囲のフィルムを積層させて任意の厚みを得る方法を使用してもよい。
（脱気工程）
　このようにして得られた熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、フィルムに存在するエアーや水分を除去するための脱気工程へ供せられる。
　脱気工程は、熱接着性に優れる熱可塑性液晶ポリマーフィルムの製造方法において行われてもよいし、回路基板の製造方法の一工程として行われてもよい。
　脱気工程により熱可塑性液晶ポリマーフィルムの熱接着性を向上することができ、熱可塑性液晶ポリマーフィルムと被着体との層間接着性を向上することができる。
　脱気工程に供せられる熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの脱気が可能である限り、その形状は特に限定されない。例えば、脱気工程において、熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、導電層が形成されていてもよいシート物として供せられてもよいし、シートの多層積層物（例えば、導電層が形成されていてもよいフィルム層が複数層に重ねられた多層積層物など）として供せられてもよいし、ロール状物として供せられてもよい。
　例えば、ロール状物とする場合、公知または慣用の方法により、フィルムを筒状のコアに対してロール状に巻き取られてロール状物として準備される。図１は、熱可塑性液晶ポリマーフィルムから形成されたロール状物を説明するための概略図である。図１に示すように、ロール状物１は、筒状のコア２に対して、熱可塑性液晶ポリマーフィルム３が巻き取られた状態で形成されている。
　ロール状物では、例えば、図１に示すように、ロール状物中のフィルム部分の厚み幅（Ｗ）が、１０００ｍｍ以下（例えば、１０～９００ｍｍ程度）であってもよく、好ましくは８００ｍｍ以下、より好ましくは６００ｍｍ以下であってもよい。
　脱気処理では、熱可塑性液晶ポリマーフィルムに対して、特定の真空下での脱気（例えば真空乾燥）および／または加熱下での脱気（例えば加熱乾燥）を行うことにより、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの内部や表面に存在するエアーや水分を極めて高度に低減することが可能となる。そして、驚くべきことに、このような脱気工程を経た熱可塑性液晶ポリマーフィルムでは、その熱接着性を向上させることが可能となる。
　例えば、このような熱可塑性液晶ポリマーフィルムでは、スキン層を破壊するといった軟化処理を行わなくとも、高い接着性を達成することが可能となる。ただし、本発明では、軟化処理を否定するものではない。熱可塑性液晶ポリマーフィルムには、必要に応じて、軟化処理などの表面処理が行われてもよい。
　脱気工程では、熱可塑性液晶ポリマーフィルムを、（ｉ）真空度１５００Ｐａ以下で３０分以上、真空下で脱気させることにより、および／または（ｉｉ）１００℃～２００℃の範囲で、加熱下で脱気させることより、熱可塑性液晶ポリマーフィルムを脱気することができる。
　脱気工程では、上記（ｉ）真空下での脱気工程または（ｉｉ）加熱下での脱気工程のいずれか一方を充足する条件で脱気すればよいが、上記（ｉ）および（ｉｉ）の双方を充足する条件で脱気するのが好ましい。
　（ｉ）および（ｉｉ）の双方を充足する条件で脱気する場合とは、（ｉ）および（ｉｉ）の双方が同時に充足される条件（すなわち、真空加熱下）で行われる脱気工程であってもよいし、熱可塑性液晶ポリマーフィルムに対して（ｉ）および（ｉｉ）の条件が別々に行われる脱気工程、すなわち（ｉ）から（ｉｉ）の順、または（ｉｉ）から（ｉ）の順で別々に行われる脱気工程であってもよい。
　なお、別々に脱気工程を行う場合、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの熱接着性に悪影響を与えない範囲において、（ｉ）および（ｉｉ）の間、または（ｉｉ）および（ｉ）の間に別工程が行われてもよい。
　また、脱気工程では、脱気性を向上させる観点から、実質的に加圧を行わない無加圧下（圧力解放下）で脱気を行ってもよい。例えば、低加圧または圧力解放状態（例えば、０～０．７ＭＰａ程度の圧力下、好ましくは０～０．５ＭＰａ程度の圧力下）で脱気工程を行ってもよい。
　（ｉ）真空下での脱気は、真空度１５００Ｐａ以下で行われ、好ましくは１３００Ｐａ以下、より好ましくは１１００Ｐａ以下で行われてもよい。
　真空下での脱気を独立して行う場合、常温下（例えば１０～５０℃、好ましくは１５～４５℃の範囲）において行われてもよいが、脱気効率を高める観点から加熱下で行ってもよい。その場合の加熱温度は、例えば、５０～２００℃（例えば、５０～１５０℃）、好ましくは８０～２００℃、より好ましくは９０～１９０℃程度であってもよい。
　（ｉｉ）加熱下での脱気は、１００～２００℃の範囲で行われ、好ましくは１０５～１９０℃の範囲、より好ましくは１１０～１８０℃の範囲で行ってもよい。
　また、加熱下での脱気は、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの融点Ｔｍに対して、所定の温度範囲を設定してもよい。その場合は、例えば、（Ｔｍ－２３５）℃～（Ｔｍ－５０）℃の範囲（例えば、（Ｔｍ－２００）℃～（Ｔｍ－５０）℃の範囲）で加熱してもよく、好ましくは、（Ｔｍ－２２５）℃～（Ｔｍ－６０）℃の範囲（例えば、（Ｔｍ－１９０）℃～（Ｔｍ－６０）℃の範囲）、より好ましくは、（Ｔｍ－２１５）℃～（Ｔｍ－７０）℃の範囲（例えば、（Ｔｍ－１８０）℃～（Ｔｍ－７０）℃の範囲）で行われてもよい。
　上述のような、特定の温度範囲において加熱することにより、フィルムから急激に水分が発生することを抑制しつつ、フィルム中（例えば、フィルム内部やフィルム表面）の水を水蒸気として脱気したり、表面に存在するエアーの運動エネルギーを高めてフィルム表面から脱気することが可能となる。
　なお、加熱下での脱気を単独で行う場合、真空度１５００Ｐａ以下を含まない条件下で行われてもよく、例えば、圧力を調整しない大気圧下（または常圧下）で行ってもよいが、必要に応じて、大気圧から減圧された条件下（例えば、１５００Ｐａを超えて１０００００Ｐａ未満、好ましくは３０００～５００００Ｐａ程度）で加熱してもよい。
　脱気工程に要する時間は、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの状態、真空度および／または加熱温度などの各種条件により適宜設定することができるが、熱可塑性液晶ポリマーフィルム全体から水分やエアーを除去する観点から、例えば、それぞれの脱気工程（真空下、加熱下、真空加熱下）について、同一または異なって、３０分以上、４０分以上、または５０分以上であってもよく、６時間以下、４時間以下、３時間以下、２時間以下、または１．５時間以下であってもよい。
　また、脱気工程に要する時間は、例えば、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの水分率が、後述する所定の範囲（例えば、３００ｐｐｍ以下、または２００ｐｐｍ以下）になる時点を見計らって適宜設定してもよい。
　上述したように、脱気工程において、（ｉ）真空下での脱気と（ｉｉ）加熱下での脱気とを組み合わせて行う場合、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの熱接着性を向上できる範囲で、（ｉ）真空下での脱気と（ｉｉ）加熱下での脱気の順序はいずれを先にしてもよいが、好ましくは、第一の脱気工程として加熱下での脱気を行った後、第二の脱気工程として真空下での脱気を行ってもよい。
　具体的には、例えば、脱気工程が、前記回路基板材料を、１００℃～２００℃の範囲で所定の時間加熱して、脱気を行う第一の脱気工程と、前記回路基板材料に対して、真空度１５００Ｐａ以下で、さらに所定の時間脱気を行う第二の脱気工程とを備えていてもよい。これらの脱気工程を行う際には、上述した条件を適宜組み合わせて行うことができる。
［熱接着性に優れる熱可塑性液晶ポリマーフィルム］
　このような脱気工程を経ることにより、驚くべきことに熱接着性に優れる熱可塑性液晶ポリマーフィルムを得ることが可能となる。その理由については定かではないが、以下のメカニズムが考えられる。ガスバリア性に優れる熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、フィルム内部に含まれた水分や、その表層に存在するエアーがかえって抜けにくい状態になる可能性がある。
　また、一般に、樹脂から放出されるガスの主成分は水であり、水は水蒸気になるとその体積が数千倍になる一方、真空度が進むにつれて樹脂からの排出量と真空ポンプの排出量が平衡状態となった後は、ほとんど内部から水分が排出されなくなる。そのため、真空下において熱圧着を行うような場合、フィルム内部に取り込まれた水分子はなかなか放出されない可能性も考えられる。
　そして、フィルムに由来して発生するエアーや水分は、回路基板作製時の積層工程においてもそのままフィルム内部または表層に残存し、層間接着をする上で局所的な密着不良を起こす原因となるのではないかと考えられる。
　さらに、特定の脱気方法により得られた熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、等方性を維持した状態で極めて低い水分率を達成することができる。
　脱気工程を経た熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、液晶ポリマーフィルムの分子配向度ＳＯＲが０．８～１．４であり、且つ水分率３００ｐｐｍ以下である熱可塑性液晶ポリマーフィルムである。
　水分率は、好ましくは２００ｐｐｍ以下、より好ましくは１８０ｐｐｍ以下、さらに好ましくは１５０ｐｐｍ以下であってもよい。なお、ここで水分率は、後述する実施例に記載された方法により測定された値を示す。
　また、等方性の指標である分子配向度ＳＯＲは、０．８～１．４であり、好ましくは０．９～１．３、より好ましくは１．０～１．２、特に好ましくは１．０～１．１である。
　ここで、分子配向度ＳＯＲ（Segment Orientation Ratio）とは、分子を構成するセグメントについての分子配向の度合いを与える指標をいい、従来のＭＯＲ（Molecular Orientation Ratio）とは異なり、物体の厚さを考慮した値である。
　また、フィルムは等方性であるため、好ましくは、フィルムの寸法安定性が、ＭＤおよびＴＤ方向において、±１％以内、より好ましくは±０．５％以内、さらに好ましくは±０．１％であってもよい。ここで、寸法安定性は、ＩＰＣ－ＴＭ－６５０２．２．４に準じて測定した値であってもよい。
　得られた熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、導体層が片面または両面に形成されユニット回路基板の絶縁性基材層として用いられてもよい。また、導体層に対して接着するための接着性材料（例えば、ボンディングシートおよびカバーレイ）として用いられてもよい。
　また、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの２５ＧＨｚにおける誘電正接は、例えば、０．００２５以下（例えば、０．０００１～０．００２３程度）、好ましくは０．００１０～０．００２２程度であってもよい。このような誘電正接を有することにより、低電力化や低ノイズ化が可能となる。
　熱可塑性液晶ポリマーフィルムの比誘電率は、フィルムの厚みに応じて異なるが、例えば、２５ＧＨｚにおける熱可塑性液晶ポリマーフィルムのＴＤ方向の比誘電率は、３．２５以下（例えば、１．８～３．２３程度）、好ましくは２．５～３．２０程度であってもよい。なお、一般的に、誘電率は、比誘電率に対して真空の誘電率（＝８．８５５×１０－１２（F/m)）を乗じることにより算出できる。
　例えば、誘電率測定は周波数１０ＧＨｚで共振摂動法により実施してもよい。ネットワークアナライザ（Ａｇｉｌｅｎｔ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製「Ｅ８３６２Ｂ」）に１ＧＨｚの空洞共振器（（株）関東電子応用開発）を接続し、空洞共振器に微小な材料（幅：２．７ｍｍ×長さ：４５ｍｍ）を挿入し、温度２０℃、湿度６５％ＲＨ環境下、９６時間の挿入前後の共振周波数の変化から材料の誘電率および誘電正接を測定することができる。
　本発明は、熱可塑性液晶ポリマーフィルムと、
　前記熱可塑性液晶ポリマーフィルムを包装している、ガスバリア性包装材と、で構成された熱可塑性液晶ポリマーフィルムの包装体についても包含してもよく、この場合、熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、ガスバリア性包装材で包装されている。
　このような熱可塑性液晶ポリマーフィルムの包装体では、ガスバリア性包装材で熱可塑性液晶ポリマーフィルムが包装されているため、脱気工程後の熱可塑性液晶ポリマーフィルムの状態を維持しつつ、輸送・運搬することが可能となる。
　熱可塑性液晶ポリマーフィルムの形状は、上述したシート物、多層積層物、ロール状物のいずれであってもよい。熱可塑性液晶ポリマーフィルムには、必要に応じて導体層または導電層が形成されていてもよい。
　持ち運び性の観点から、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの包装体で包装される熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、ロール状物であるのが好ましい。
　ガスバリア性包装材は、例えば、透湿度が１０ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下（例えば０．５～１０ｇ／ｍ２／ｄａｙ）であってもよく、好ましくは８ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下、より好ましくは６ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であってもよい。
　また、ガスバリア性包装材は、例えば、酸素透過度が１０ｍＬ／ｍ２・ｄａｙ・ＭＰａ以下（例えば０．５～１０ｍＬ／ｍ２／ｄａｙ／ＭＰａ）であってもよく、好ましくは８ｍＬ／ｍ２／ｄａｙ／ＭＰａ以下、より好ましくは５ｍＬ／ｍ２／ｄａｙ／ＭＰａ以下であってもよい。
　ガスバリア性包装材としては、例えば、各種ガスバリア性フィルム、ガスバリア性フィルムとワリフ・紙・不織布などとの積層体などを例示することができる。
　ガスバリア性フィルムとしては、例えば、各種アルミニウム箔ラミネートフィルム、アルミニウム蒸着フィルム、シリカ蒸着フィルム、ポリ塩化ビニリデンコートフィルムなどが挙げられ、これらのフィルム基材としては、ポリエステルフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルムなどが適宜用いられてもよい。
　さらにまた、これらのフィルムや積層体は、その外側を紙などで包装してもよいし、カートンボックス、木箱、金属ケース、架台などに収容してもよい。
[回路基板の製造方法]
　本発明の一実施形態は、接着剤を用いなくとも層間接着性に優れた回路基板の製造方法についても包含する。
　前記製造方法は、少なくとも一方の面に導体層（例えば、導体回路または導体パターン、導体箔、導体膜など）が形成された絶縁基板、ボンディングシート、およびカバーレイから選択される少なくとも一種の回路基板材料を複数枚準備する準備工程と、
　前記準備された回路基板材料を、所定の回路基板の構造に合わせて積層し、所定の圧力下で加熱して回路基板材料を熱圧着する熱圧着工程と、
　を少なくとも備える回路基板の製造方法であって、
　（Ｉ）絶縁基板、ボンディングシートおよびカバーレイから選択された少なくとも１枚が、前記脱気工程が行われた熱接着性熱可塑性液晶ポリマーフィルムで構成され、および／または
　（ＩＩ）絶縁基板、ボンディングシートおよびカバーレイの少なくとも１枚が、熱可塑性液晶ポリマーフィルムで構成されるとともに、熱圧着工程の前に、前記脱気工程が行われる製造方法である。
　すなわち、本発明の回路基板の製造方法では、（Ｉ）準備工程において、熱可塑性液晶ポリマーフィルムとして、脱気工程を経た熱可塑性液晶ポリマーフィルムを用いることにより、回路基板の層間接着性を向上させてもよいし、および／または（ＩＩ）熱圧着工程の前に、特定の脱気工程を備えており、この脱気工程によって熱可塑性液晶ポリマーフィルムの脱気を行い、回路基板の層間接着性を向上させてもよい。
（回路基板材料の準備工程）
　準備工程では、回路基板材料（または絶縁性基板材料）として、少なくとも一方の面に導体層（例えば、導体回路または導体パターン、導体箔、導体膜など）が形成された絶縁基板、ボンディングシート、およびカバーレイから選択される少なくとも一種の回路基板材料を、複数枚準備する。
　準備工程では、例えば、少なくとも一方の面に導体層が形成された絶縁基板を複数枚準備してもよいし、少なくとも一方の面に導体回路が形成された絶縁基板と、ボンディングシートおよびカバーレイから選択される少なくとも一種とを準備してもよい。
　上述のように、回路基板の製造工程（Ｉ）の場合、絶縁基板、ボンディングシートおよびカバーレイから選択される少なくとも１枚が、上述の脱気処理が行われた熱接着性熱可塑性液晶ポリマーフィルムで構成されている。このような熱接着性が向上した熱可塑性液晶ポリマーフィルムを用いることにより、通常の回路基板で行われる熱圧着工程であっても、回路基板の層間接着性を向上させることができる。
　絶縁基板は、通常の回路基板で用いられている各種有機材料や無機材料を用いてもよい。有機材料としては、熱可塑性液晶ポリマー、ポリイミド、シクロオレフィンポリマー、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル系樹脂などが挙げられ、無機材料としては、セラミックなどが挙げられる。これらの材料は、回路基板において、単独でまたは二種以上組み合わせて使用してもよい。これらのうち、高周波特性、寸法安定性などに優れる観点から、熱可塑性液晶ポリマー絶縁基板が好ましい。
　少なくとも一方の面に導体層が形成された絶縁基板の例としては、
　絶縁基板の片面に導体回路または導体パターンが形成されたユニット回路基板、
　絶縁基板の両面に導体回路または導体パターンが形成されたユニット回路基板、
　絶縁体の一方の面に導体回路または導体パターン、他方の面に導体膜または導体箔が形成されたユニット回路基板、
　絶縁基板の片面に導体膜または導体箔が形成された導体張積層板、
　絶縁基板の両面に導体膜または導体箔が形成された導体張積層板が挙げられる。
（導体層）
　導体層は、例えば、少なくとも導電性を有する金属から形成され、この導体層に公知の回路加工方法を用いて回路が形成される。導体層を形成する導体としては、導電性を有する各種金属、例えば、金、銀、銅、鉄、ニッケル、アルミニウムまたはこれらの合金金属などであってもよい。
　熱可塑性液晶ポリマーフィルムからなる絶縁性基材上に導体層を形成する方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば金属層を蒸着してもよく、無電解めっき、電解めっきにより、金属層を形成してもよい。また、金属箔（例えば銅箔）を熱圧着により、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの表面に圧着してもよい。
　導体層を構成する金属箔は、電気的接続に使用されるような金属箔が好適であり、銅箔、のほか金、銀、ニッケル、アルミニウムなどの各種金属箔を挙げることができ、また実質的に（例えば、９８質量％以上）これらの金属で構成される合金箔を含んでいてもよい。
　これらの金属箔のうち、銅箔が好ましく用いられる。銅箔は、回路基板において用い得る銅箔であれば、特に限定されず、圧延銅箔、電解銅箔のいずれであってもよい。
　はんだ耐熱性、層間接着性を向上させる観点から、導体層の表面は平滑であるのが好ましい。
　好ましくは、導体層の表面粗度は、ＩＳＯ４２８７－１９９７に準拠した方法による十点平均粗度（ＲｚＪＩＳ）として、１．２５μｍ以下であってもよく、好ましくは１．２μｍ以下、より好ましくは１．１５μｍ以下であってもよい。ＲｚＪＩＳの下限は特に限定されないが、例えば、０．５μｍ程度であってもよい。
　また、ＩＳＯ４２８７－１９９７に準拠した方法による算術平均粗さ（Ｒａ）として、例えば、０．１５μｍ以下であってもよく、０．１４μｍ以下であってもよい。Ｒａの下限は特に限定されないが、例えば、０．０５μｍ程度であってもよく、０．１１μｍ程度であってもよい。
　上記構成において、積層体を形成する際に、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの被着されない面の導体層も平滑であってもよい。なお、導体層には回路が加工されるが、回路加工後に残る導体の表面が平滑であればよい。
　導体層の厚さは、例えば、１～５０μｍ（例えば、５～５０μｍ程度）の範囲内が好ましく、より好ましくは８～３５μｍ（例えば１０～３５μｍ）の範囲内がより好ましい。
　また、導体層は、導体層の表面に耐酸化性の皮膜を形成していてもよい。導体層の表面処理により、導体層の表面上に導体層本体より耐酸化性が高い合金層を形成したのち、脱気処理を行えば、脱気処理の際に導体表面が酸化して導体層が劣化することを避けることができ、さらに合金層による接着性の向上を期待しうる。
　例えば、その場合、ユニット回路基板の準備工程が、
　熱可塑性液晶ポリマーフィルムの片面または両面に金属箔を熱圧着する熱圧着工程と、
　前記熱圧着された金属箔表面に、耐酸化性皮膜を形成する耐酸化性皮膜形成工程と、
を備えていてもよい。
　また、ユニット回路基板の準備工程は、前記導体層表面に、シランカップリング剤を付着する、シランカップリング剤付着工程をさらに備えていてもよい。
　耐酸化性皮膜としては、例えば、耐酸化性合金層、耐酸化性メッキ層、ベンゾトリアゾール類などの防錆剤層などが挙げられる。
　なお、耐酸化性皮膜は、導体層および耐酸化性皮膜の種類に応じて、回路加工前、回路加工後のいずれに形成してもよい。
　たとえば、導体層が熱圧着された金属箔を含む場合、耐酸化性合金層としては、例えば、接着性を高める観点から、金属箔を形成する金属を少なくとも含む合金であるのが好ましい。例えば、導体層を構成する金属箔が銅箔の場合、合金層は少なくとも銅を含む合金であってもよい。例えば、耐酸化性合金層は、回路加工前に形成されるのが好ましい。
　例えば、このような合金層は、メック（株）から上市されている「FlatBONDGT」などで形成してもよい。
　なお、銅箔から離れる部分には、銅を含まない合金部分が存在する場合がある。その場合、銅を含まない合金部分については、エッチング液によりエッチングしてもよい。そのようなエッチング液としては、例えば「メックリムーバーＳ－６５１Ａ」（メック（株）製）、「エスパックH-150」（佐々木化学薬品（株）製）、硝酸等の無機酸を含む水溶液などが挙げられる。
　さらに、導体層の接着性を向上させる観点から、導体層（特に合金層）表面に対して、公知または慣用のシランカップリング剤を付着させてもよい。合金層表面にシランカップリング剤を付着させると、導体層と液晶ポリマーフィルムとの接着性をさらに改善し、導体層の表面にアンカー効果を有する凹凸を形成することなく、表面状態を平滑に保ったまま熱圧着を行っても、高いピール強度で示される接着強度を得ることができる。
（ボンディングシートおよび／またはカバーレイ）
　導体層に対して接着するための回路基板材料（接着性材料）として、上記ユニット回路基板とは別に、ユニット回路基板の導体層と接着させるための回路基板材料を一以上準備してもよい。接着性材料は、熱可塑性液晶ポリマーフィルムであるのが好ましく、例えば、具体的には、ボンディングシートおよびカバーレイから選択される少なくとも一種が挙げられる。なお、カバーレイは、通常、導体層を被覆するために用いられ、ボンディングシートは、回路基板材料間を接着するために用いられる。ボンディングシートおよび／またはカバーレイが液晶ポリマーフィルムで構成されていてもよく、好ましくは、ボンディングシートおよびカバーレイから選択された少なくとも一種が熱接着性液晶ポリマーフィルムで構成されていてもよい。
　例えば、好適な回路基板材料の組み合わせとしては、脱気工程が行われた液晶ポリマーフィルムを熱接着性液晶ポリマーフィルムと称し、脱気工程が行われていない液晶ポリマーフィルムを未脱気液晶ポリマーフィルムと称する場合、
（ａ）絶縁基板として未脱気液晶ポリマーフィルム、ボンディングシートとして熱接着性液晶ポリマーフィルム、および任意で設けられるカバーレイとして未脱気液晶ポリマーフィルムを備える回路基板；
（ｂ）絶縁基板として未脱気液晶ポリマーフィルム、ボンディングシートとして熱接着性液晶ポリマーフィルム、および任意で設けられるカバーレイとして熱接着性液晶ポリマーフィルムを備える回路基板；
（ｃ）絶縁基板として熱接着性液晶ポリマーフィルム、ボンディングシートとして未脱気液晶ポリマーフィルム、および任意で設けられるカバーレイとして未脱気液晶ポリマーフィルムを備える回路基板；
（ｄ）絶縁基板として熱接着性液晶ポリマーフィルム、ボンディングシートとして熱接着性液晶ポリマーフィルム、および任意で設けられるカバーレイとして未脱気液晶ポリマーフィルムを備える回路基板；
（ｅ）絶縁基板として熱接着性液晶ポリマーフィルム、ボンディングシートとして熱接着性液晶ポリマーフィルム、および任意で設けられるカバーレイとして熱接着性液晶ポリマーフィルムを備える回路基板；
（ｆ）絶縁基板として熱接着性液晶ポリマーフィルム、およびカバーレイとして未脱気液晶ポリマーフィルムを備える回路基板；
（ｇ）絶縁基板として未脱気液晶ポリマーフィルム、およびカバーレイとして熱接着性液晶ポリマーフィルムを備える回路基板；
（ｈ）絶縁基板として熱接着性液晶ポリマーフィルム、およびカバーレイとして熱接着性液晶ポリマーフィルムを備える回路基板；
（ｉ）第１の絶縁基板として熱接着性液晶ポリマーフィルム、第２の絶縁基板として熱接着性液晶ポリマーフィルム、および任意で設けられるカバーレイとして未脱気液晶ポリマーフィルムを備える回路基板；
（ｊ）第１の絶縁基板として熱接着性液晶ポリマーフィルム、第２の絶縁基板として熱接着性液晶ポリマーフィルム、および任意で設けられるカバーレイとして熱接着性液晶ポリマーフィルムを備える回路基板；などの組み合わせを例示することができる。
　また、回路基板の製造工程において脱気工程を行う場合、液晶ポリマーフィルムの熱接着性は脱気工程後に発現することが可能であるため、準備される絶縁基板、ボンディングシート、カバーレイは、いずれも未脱気液晶ポリマーフィルムであってもよい。
　また、回路基板材料の少なくとも２枚が、熱可塑性液晶ポリマーフィルムであり、第１の熱可塑性液晶ポリマーフィルムと、第２の熱可塑性液晶ポリマーフィルムとで導体層を挟む構造を有する場合、前記第１の熱可塑性液晶ポリマーフィルムと、第２の熱可塑性液晶ポリマーフィルムとの融点差は、例えば、０～７０℃であってもよく、好ましくは０～６０℃程度（例えば１０～５０℃程度）であってもよい。
　例えば、第１の液晶ポリマーフィルムは、高い耐熱性を有する高融点液晶ポリマーフィルムであってもよく、第２の液晶ポリマーフィルムは、第１の液晶ポリマーフィルムよりも低い耐熱性を有する低融点液晶ポリマーフィルムであってもよく、例えば、絶縁基板、ボンディングシートおよびカバーレイから選択される少なくとも二枚の回路基板材料が、高い耐熱性を有する高融点液晶ポリマーフィルム（例えば、３００～３５０℃程度）と、低融点液晶ポリマーフィルム（例えば、２５０～３００℃程度）とで構成されていてもよい。
　また、本発明の回路基板では層間接着性に優れるため、例えば、回路基板材料において、互いに隣接して接着する液晶ポリマーフィルムが、双方とも高融点液晶ポリマーフィルムであってもよいし、双方とも低融点液晶ポリマーフィルムであってもよい。例えば、この場合、双方の融点差は０～２０℃程度であってもよく、好ましくは０～１０℃程度であってもよい。
　一方で、回路基板材料において、互いに隣接して接着する双方の液晶ポリマーフィルムが、高融点液晶ポリマーフィルムおよび低融点液晶ポリマーフィルムの組み合わせであってもよく、その場合、融点差は２０℃を超えていてもよく、好ましくは３０℃～７０℃であってもよい。
　熱接着性液晶ポリマーフィルムは、高融点液晶ポリマーフィルムとして用いても、低融点液晶ポリマーフィルムとして用いてもよい。また、互いに隣接して接着する液晶ポリマーフィルム（例えば、高融点液晶ポリマーフィルム同士の組合わせ、低融点液晶ポリマーフィルム同士の組合わせ、または高融点液晶ポリマーフィルムおよび低融点液晶ポリマーフィルムの組合わせ）の少なくとも一方が、熱接着性液晶ポリマーフィルムであればよく、双方が熱接着性液晶ポリマーフィルムであってもよい。または、少なくとも低融点液晶ポリマーフィルムが熱接着性液晶ポリマーフィルムであってもよい。
　また、回路基板の構成に応じて、接着性材料として用いられる液晶ポリマーフィルムの融点は、ユニット回路基板の基材の融点と同一であってもよいが、ユニット回路基板を形成する液晶ポリマーフィルムよりも、融点が低いものを用いてもよい。その場合、両者の融点差は、例えば、０～７０℃程度であってもよく、０～６０℃程度がより好ましい。
　なお、本発明の効果を阻害しない範囲において、回路基板材料（特に液晶ポリマーフィルム）に対して表面処理を施してもよい。表面処理は、例えば、紫外線照射、プラズマ照射、物理的研磨などの公知の方法によって行うことができる。
（脱気工程）
　回路基板の製造方法において、上述した脱気工程を行うことにより、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの熱接着性を向上させてもよい。
　回路基板の製造方法において脱気工程を行う場合、脱気工程を熱圧着工程の前に行ってもよいし、回路基板材料の準備工程と熱圧着工程との間に行ってもよい。
　回路基板の製造方法において脱気工程を行う場合、好ましくは、脱気工程が、前記回路基板材料を、１００℃～２００℃の範囲で所定の時間加熱して、脱気を行う第一の脱気工程と、前記回路基板材料に対して、真空度１５００Ｐａ以下で、さらに所定の時間脱気を行う第二の脱気工程とを備えていてもよい。
　また、脱気工程は、予熱工程として、熱圧着工程の前に行われてもよい。この場合、予熱工程は、例えば、真空度１５００Ｐａ以下の真空下で加熱温度５０℃～１５０℃の範囲で行われてもよい。予熱工程中の加熱温度は、好ましくは６０～１２０℃程度、より好ましくは７０～１１０℃であってもよい。
　このような予熱工程を行うことによって、たとえ脱気工程を経たフィルムでなくとも、液晶ポリマーフィルムの表面および／または中に存在するエア－や水分をある程度放出することが可能となり、その結果、接着剤を用いない場合であっても液晶ポリマーフィルムとその被着体との層間接着性を向上させることが出来る。
　予熱工程は、真空度１５００Ｐａ以下の真空下で行われ、好ましくは１３００Ｐａ以下、より好ましくは１１００Ｐａ以下で行われてもよい。
　また、予熱工程中、発明の効果を阻害しない範囲で、圧力を例えば、０．８ＭＰａ以下、より好ましくは０．６ＭＰａ以下程度で加えてもよいが、極力圧力を加えないのが好ましい。
　また、予熱工程は、例えば、３０～１２０分間程度行われてもよく、好ましくは４０～１００分間程度、より好ましくは４５～７５分間程度行われてもよい。
　例えば、第一の脱気工程と、第２の脱気工程を組み合わせる場合、以下のように脱気工程を行ってもよい。
（第一の脱気工程：加熱下での脱気工程）
　回路基板の積層時またはその後の工程で、回路基材と接着性材料用の液晶ポリマーフィルム、および導体層の金属層から脱ガスが生じることを防止するため、予め、ユニット回路基板と、接着性材料用の液晶ポリマーフィルムを、例えば、大気圧下（または常圧下）で加熱することにより脱気を行う。
　加熱温度は、１００～２００℃の範囲で行われ、好ましくは１１０～１９０℃の範囲で行われてもよい。また、加熱時間は、加熱温度に応じて適宜調節することができるが、例えば３０分～４時間、好ましくは１時間～３時間であってもよい。
　また、加熱下での脱気は、真空度１５００Ｐａ以下を含まない条件下で行われてもよく、例えば、圧力を調整しない大気圧下（または常圧下）で行ってもよいが、必要に応じて、大気圧から減圧された条件下（例えば、１５００Ｐａを超えて１０００００Ｐａ未満、好ましくは３０００～５００００Ｐａ程度）で加熱してもよい。
　なお、第一の脱気工程は、導体（銅箔など）の酸化を防止するため、窒素などの不活性ガス雰囲気下で加熱することが好ましい。あるいは、導体表面に耐酸化性皮膜（例えば、耐酸化性合金層、耐酸化性メッキ層、ベンゾトリアゾール類などの防錆剤層など）が形成された状態で行ってもよい。
（第二の脱気工程：脱気強化工程）
　次いで、真空雰囲気下で、さらにユニット回路基板、および接着性材料用液晶ポリマーフィルムの脱気を行うことが好ましい。この工程は、真空度１５００Ｐａ以下で行われ、好ましくは１３００Ｐａ以下、より好ましくは１１００Ｐａ以下で行われてもよい。また、脱気時間は、真空度に応じて適宜調節することができるが、例えば３０分以上、４０分以上、または５０分以上であってもよく、６時間以下、４時間以下、３時間以下、２時間以下、または１．５時間以下であってもよい。
　真空下での脱気は、常温下（例えば１０～５０℃、好ましくは１５～４５℃の範囲）において行われてもよいが、脱気効率を高める観点から加熱下で行ってもよい。加熱をする場合、加熱温度としては、８０℃～２００℃の範囲で加熱することにより行われ、好ましくは１００℃～２００℃の範囲、より好ましくは１１５℃～２００℃範囲で行われてもよい。上述のように、このような融点よりも特定の低い温度において加熱することにより、フィルムから急激に水分が発生することを抑制しつつ、フィルム中の水を水蒸気として脱気することが可能となる。
　また、第二の脱気工程では、脱気性を向上させる観点から、実質的に加圧を行わない無加圧下（圧力解放下）で脱気を行ってもよい。例えば、真空熱プレス装置を用いて回路基板を作成する場合、ユニット回路基板と接着性材料用液晶ポリマーフィルムを第一の脱気工程で脱気した後、交互に積層して装置内に設置し、第二の脱気工程では、無加圧下で脱気を行えばよい。
　このような脱気工程により、極めて低い水分量やエアー量を有する液晶ポリマーフィルムを基板材料として用いるため、例えば、多層積層時の脱気不足でエアーをかみ込み、局部的に密着不良となることを抑制することができる。特に多層回路基板の場合、多層積層時の段数が多い場合であっても、中央部のフィルムの脱気不足を抑制することができる。
（熱圧着工程）
　熱圧着工程では、準備工程で準備された回路基板材料を、所定の回路基板の構造に合わせて積層し、所定の圧力下で加熱して回路基板材料を熱圧着する。
　積層される回路基板の構造は、回路基板の所望の構造に応じて適宜設定することが可能であり特に限定されないが、通常、回路基板材料が、導体層（または導体回路）を挟むように重ね合わせて積層される。
　なお、回路基板材料は、熱圧着を行う際に、積層された状態であればよく、回路基板材料を積層する工程は、準備された回路基板材料の状態、作業手順などに応じて、準備工程、脱気工程、熱圧着工程などのいずれの段階で行われてもよい。
　重ね合わせる際は、例えば、少なくとも一方の面に導体回路が形成された少なくとも２枚の絶縁基板の間にボンディングシートが配設され、必要に応じて最外層にカバーレイが配設されてもよいし、少なくとも一方の面に導体回路が形成された少なくとも２枚の絶縁基板がボンディングシートを介せずに配設され、必要に応じて最外層にカバーレイが配設されてもよい。絶縁基板同士をボンディングシートを介せずに直接配設することができる場合、回路基板全体の厚みを低減することができる。
　熱圧着は、回路基板材料の種類などに応じて、真空熱プレス装置や加熱ロール積層設備等を用いて行うことができるが、液晶ポリマーフィルムからエアーをさらに低減させることができる観点から、真空熱プレス装置を用いるのが好ましい。例えば、真空熱プレスに際しては、真空脱気による積層体の脱気状態を保持しながら、熱圧着を行うのが好ましく、熱圧着時の真空度は、第二の脱気工程と同程度（例えば、１５００Ｐａ以下）に保持することが好ましい。
　脱気工程により熱接着性が向上している熱可塑性液晶ポリマーフィルムを用いる場合、熱圧着の際の加熱温度は、接着される熱接着性熱可塑性液晶ポリマーフィルム（温度が異なる熱可塑性液晶ポリマーフィルム間の場合は、より低温の熱可塑性液晶ポリマーフィルム）の融点をＴｍとすると、例えば、（Ｔｍ－６０）℃～（Ｔｍ＋４０）℃の範囲であってもよく、好ましくは（Ｔｍ－５５）℃～（Ｔｍ＋３０）℃、より好ましくは（Ｔｍ－５０）℃～（Ｔｍ＋２５）℃程度の幅広い温度範囲から選択することができる。例えば、高温下で熱圧着を行う場合は、（Ｔｍ－２０）℃～（Ｔｍ＋４０）℃の範囲（例えば、（Ｔｍ－２０）℃～（Ｔｍ＋２０）℃の範囲）であってもよく、好ましくは（Ｔｍ－１０）℃～（Ｔｍ＋３０）℃程度の範囲であってもよく、より好ましくは（Ｔｍ－１０）℃～（Ｔｍ＋１０）℃の範囲であってもよい。
　また、本発明では、脱気工程（ｉ）および（ｉｉ）を組み合わせる場合、驚くべきことに、接着される熱接着性熱可塑性液晶ポリマーフィルムの融点未満で接着しても、良好な層間接着性を達成することが可能であり、例えば、（Ｔｍ－６０）℃以上（Ｔｍ－２０）℃未満で熱圧着を行ってもよく、（Ｔｍ－５０）℃以上（Ｔｍ－３０）℃未満、より好ましくは（Ｔｍ－４０）℃～（Ｔｍ－３２）℃で熱圧着を行ってもよい。
　また、熱圧着時に加える圧力は、液晶ポリマーフィルムの性質に応じて、例えば、０．５～６ＭＰａの広い範囲から選択することができるが、本発明では脱気工程を経た熱接着性に優れる液晶ポリマーフィルムを用いて接着するため、プレス圧力が５ＭＰａ以下、特に４．５ＭＰａ以下（例えば、０．５ＭＰａ～３ＭＰａ、好ましくは、１～２．５ＭＰａ）であっても、液晶ポリマーフィルム層間での良好な接着が可能となり、接着後においてもエアーのかみ込みによって生じる局部的な密着不良を抑制することができる。
　また、本発明では、脱気工程（ｉ）および（ｉｉ）を組み合わせる場合、熱圧着工程が、低圧下での熱圧着工程を含むことも可能であり、例えば、低圧下では、プレス圧０．５～２．５ＭＰａの範囲で熱圧着を行ってもよく、好ましくは０．６～２ＭＰａの範囲、より好ましくは０．７～１．５ＭＰａの範囲で熱圧着を行ってもよい。
　また、本発明では、熱圧着を１段プレスで行ってもよく、２段プレスなどの多段プレスを行ってもよい。例えば、２段プレスを行う場合、熱圧着の前工程として高圧下（例えば、２．５ＭＰａを超えて５ＭＰａ以下の範囲）でプレスすることにより仮接着を行い、続いて上述した低圧下で本接着を行ってもよい。低圧下での熱圧着は、高圧下での熱圧着より、長時間であってもよい。また、低圧下での加熱温度は、高圧下での加熱温度より高温であってもよい。
　また、熱圧着工程に要する時間（一定の温度および圧力下での保持時間）は、回路基板の層間接着性を良好にできる限り特に限定されないが、例えば、１５～６０分間程度行われてもよく、好ましくは２０～５０分間程度、さらに好ましくは２０～４０分間程度行われてもよい。なお多段プレスで行われる場合は、それぞれの保持時間の合計時間であってもよい。
　なお回路基板を製造する際には、必要に応じて、公知又は慣用に行われている各種製造工程（例えば、回路形成工程、貫通接続工程、層間接続工程など）を行ってもよい。
　好ましい一実施形態にかかる回路基板の製造方法では、例えば、導体層が片面または両面に形成された熱可塑性液晶ポリマーフィルムからなる一以上のユニット回路基板と、このユニット回路基板の導体層に対して接着するための熱可塑性液晶ポリマーフィルムからなる一以上の回路基板材料とを、準備する工程と、
　前記ユニット回路基板と前記回路基板材料とを、例えば大気圧下（または常圧下）、100℃～200℃の範囲で３０分以上加熱して、脱気を行う第一の脱気工程と、
　前記ユニット回路基板と前記回路基板材料に対して、真空度１５００Ｐａ以下で、さらに所定の時間脱気を行う第二の脱気工程と、
　前記回路基板材料と前記ユニット回路基板とを積層して形成した積層体に加熱及び加圧を行い、熱圧着により前記積層体を一体化する工程とを備えるとともに、
　前記回路基板材料と接着する側における前記導体層表面のＩＳＯ４２８７－１９９７に準拠した方法による十点平均粗度（ＲｚＪＩＳ）が、１．２５μｍ以下である、回路基板の製造方法であってもよい。
　以下、上記本発明にかかる回路基板の製造方法の一実施形態（ボンディングシートを使用せずに、絶縁基板を積層する形態）、別の一実施形態（ボンディングシートを使用して、絶縁基板を積層する形態）について、それぞれ、図面を参照して説明する。なお、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。
　図２Ａは、ボンディングシートを使用せずに、絶縁基板を積層する場合の回路基板の積層前の状態を示す模式断面図である。ここでは、第一の熱可塑性液晶ポリマーフィルム５の両面に銅箔４，４を貼り付けた第一のユニット回路基板（両面銅張板）１０と、第二の塑性液晶ポリマーフィルム６の片面に銅箔４を張り付けた第二のユニット回路基板（片面銅張基板）２０と、を準備する。ここで、第一の熱可塑性液晶ポリマーフィルム１と第二の熱可塑性液晶ポリマーフィルム２は、同一または異なる厚みを有する同じ素材からなるものであってもよい。
　ついで対向するユニット回路基板に挟まれる銅箔などに回路加工（例えば、ストリップラインパターン）を施した後、導体回路を形成する。
　その後、好ましくは窒素ガス雰囲気下で、第一のユニット回路基板１０、および第二のユニット回路基板２０を所定時間加熱する（第一の脱気工程）。その際の温度、時間条件は、上記に説明したものを用いることができる。
　その後、真空熱プレス装置のチャンバ（図示せず）内において、第一のユニット回路基板１０および第二のユニット回路基板２０を積層して載置し、図２Ｂに示す積層体３０とする。次いで、真空引を行って１５００Ｐａ以下の真空度を保持しながら、所定時間加熱を行う（第二の脱気工程）。その際の温度、時間条件は、上記に記載したものを用いることができる。
　次いで、真空度を１５００Ｐａ以下に保持したまま、温度を熱圧着条件に上げ、加圧して積層体３０の各層を圧着する。熱圧着時の温度、圧力条件は、上記に説明した条件を用いることができる。
　次いで、通常のプロセスに従って、装置内を常温常圧条件にもどしたのち、回路基板３０を装置より回収する。
　上記実施形態では、第一のユニット回路基板１０と第二のユニット回路基板２０とを直接接着しているが、変形例として、必要に応じて、直接第一のユニット回路基板１０と第二のユニット回路基板２０との間にボンディングシートを用いてもよい。また、さらなる変形例として、導体回路をマイクロストリップラインパターンにするとともに、第二のユニット回路基板２０に代えてカバーレイを用いてもよい。
　また、図２Ｂに示す例では、回路基板は、導体層を３層形成しているが、導体層の数は、１層または複数層（例えば、２～１０層）において、適宜設定することができる。
　図３Ａは、ボンディングシートを使用して、絶縁基板を積層する場合の回路基板の積層前の状態を示す模式断面図である。ここでは、第一の熱可塑性液晶ポリマーフィルム７の両面に銅箔４０を貼り付けた第一のユニット回路基板（両面銅張板）７０と、第二の塑性液晶ポリマーフィルム８の片面に銅箔４０を張り付けた第二のユニット回路基板（片面銅張基板）８０と、第一の熱可塑性液晶ポリマーフィルム７、第二の熱可塑性液晶ポリマーフィルム８より、融点の低い第三の熱可塑性液晶ポリマーフィルム９からなるボンディングシート（接着性材料用液晶ポリマーフィルム）９０とを準備する。ここで、第一の熱可塑性液晶ポリマーフィルム７と第二の熱可塑性液晶ポリマーフィルム８は、同一または異なる厚みを有する同じ素材からなるものであってもよい。
　ついで各ユニット回路基板の銅箔４０に回路加工を施した後、第一のユニット回路基板の銅箔表面にFlatBONDGT（メック（株）製）処理を施し銅箔表面に耐酸化性合金層（図示せず）を形成し、次いでFlatBONDGC（メック（株）製）処理を行うことでシランカップリング剤を付着させ、導体層を形成する。
　その後、好ましくは窒素ガス雰囲気下で第一のユニット回路基板７０、第二のユニット回路基板８０、およびボンディングシート９０を所定時間加熱する（第一の脱気工程）。その際の温度、時間条件は、上記に説明したものを用いることができる。
　その後、真空熱プレス装置のチャンバ（図示せず）内において、第一のユニット回路基板７０、ボンディングシート９０、第二のユニット回路基板８０を積層して載置し、図３Ｂに示す積層体５０とする。次いで、真空引を行って１５００Ｐａ以下の真空度を保持しながら、所定時間加熱を行う（第二の脱気工程）。その際の温度、時間条件は、上記に記載したものを用いることができる。
　次いで、真空度を１５００Ｐａ以下に保持したまま、温度を熱圧着条件に上げ、加圧して積層体５０の各層を圧着する。熱圧着時の温度、圧力条件は、上記に説明した条件を用いることができる。
　次いで、通常のプロセスに従って、装置内を常温常圧条件にもどしたのち、回路基板５０を装置より回収する。
　これらに示す例では、絶縁層の両面に導体層(銅箔)が接合された第一のユニット回路基板の上に、ボンディングシートを介してまたは介さずに、絶縁層の片面（上面）に導体層が形成された第二のユニット回路基板を積層しているが、図示された構成は、本発明の回路基板を限定するものではない。例えば、回路基板は、導体層を二枚のみ有するものであってもよく、四枚以上の導体層を有するものであってもよい。また、回路基板は、導体層をカバーするために、最外層に液晶ポリマーフィルムからなるカバーレイを備えていてもよい。
［回路基板］
　第４の構成にかかる回路基板（好ましくは多層回路基板）は、少なくとも一方の面に導体層が形成された絶縁基板、ボンディングシート、およびカバーレイから選択される少なくとも一種の回路基板材料を複数枚備え、
　絶縁基板、ボンディングシートおよびカバーレイから選択された少なくとも１枚が、熱可塑性液晶ポリマーフィルムである回路基板である。
　前記回路基板は、耐熱性に優れており、回路基板をＪＩＳ　Ｃ　５０１２に準拠した方法によるはんだ浴２９０℃の環境下に６０秒間静置した場合に、はんだ耐熱性を有する回路基板である。はんだ耐熱性の評価は、ＪＩＳ　Ｃ　５０１２に準拠してはんだ浴の温度２９０℃、フロート時間６０秒として、半田フロート試験を行い、フロート試験後の基板が高さ１００μｍ以上のふくれを有するか否かを目視および光学顕微鏡（×５倍以上）を用いて観察し、評価してもよい。
　例えば、本発明の回路基板は、以下の構成を有する回路基板などであってもよい。
（ｉ）熱可塑性の液晶ポリマーフィルム（第一の液晶ポリマーフィルム）からなる絶縁層（基材層）と、前記フィルムの片面または両面上に形成された導体層とを有するユニット回路基板と、ボンディングシートとを備え、ボンディングシートを介してユニット回路基板が二枚以上積層した回路基板（多層または積層回路基板）、
（ｉｉ）熱可塑性の液晶ポリマーフィルム（第一の液晶ポリマーフィルム）からなる絶縁層（基材層）と、前記フィルムの片面または両面上に形成された導体層とを有するユニット回路基板と、このユニット回路基板の導体層をカバーするためのカバーレイとを備える回路基板（単層または二層回路基板）、
（ｉｉｉ）上記（ｉ）および（ｉｉ）を組み合わせた構成であり、ユニット回路基板と、ボンディングシートと、カバーレイとを備え、二枚以上のユニット回路基板がボンディングシートを介して積層され、回路基板の最外層が、ユニット回路基板の導体層をカバーするカバーレイで構成されている回路基板（多層または積層回路基板）、
（ｉｖ）熱可塑性の液晶ポリマーフィルムからなる絶縁層（基材層）を備えるユニット回路基板を複数枚備え、二枚以上のユニット回路基板が、ボンディングシートを介することなく直接積層した回路基板（多層または積層回路基板）、および
（ｖ）上記（ｉｉ）および（ｉｖ）を組み合わせた構成であり、二枚以上のユニット回路基板と、カバーレイとを備え、二枚以上のユニット回路基板がボンディングシートを介することなく直接積層され、回路基板の最外層が、ユニット回路基板の導体層をカバーするカバーレイで構成されている回路基板（多層または積層回路基板）。
　なお、導体層について、製造方法において既に述べたように、前記回路基板材料と接着する側における前記導体層表面のＩＳＯ４２８７－１９９７に準拠した方法による十点平均粗度（ＲｚＪＩＳ）が、例えば、１．２５μｍ以下であってもよい。
　また、前記回路基板は、液晶ポリマーフィルムの接着性を向上できるため、例えば、熱可塑性液晶ポリマーフィルムと、このフィルムに対して接着している回路基板材料との間におけるＪＩＳ－Ｃ５０１６－１９９４に準拠した接着強度が、熱可塑性液晶ポリマーフィルムと絶縁性基板材料（好ましくは、他の熱可塑性液晶ポリマーフィルム）との間で、例えば、０．８ｋＮ／ｍ以上（例えば、０．８～３ｋＮ／ｍ）であってもよく、好ましくは０．９ｋＮ／ｍ以上であってもよく、より好ましくは１ｋＮ／ｍ以上であってもよく、さらに好ましくは１．１ｋＮ／ｍ以上であってもよい。なお、接着強度は、ＪＩＳ　Ｃ５０１６－１９９４に準拠して、毎分５０ｍｍの速度で、９０°の方向に被着体同士を引きはがしながら、引っ張り試験機［日本電産シンポ(株)製、デジタルフォースゲージＦＧＰ-２］により、測定された引きはがし強さの値であってもよい。
　また、前記回路基板は、液晶ポリマーフィルムの接着性を向上できるため、例えば、熱可塑性液晶ポリマーフィルムと、このフィルムに対して接着している回路基板材料との間におけるＪＩＳ－Ｃ５０１６－１９９４に準拠した接着強度が、熱可塑性液晶ポリマーフィルムと導体層との間で、例えば、０．３ｋＮ／ｍ以上（例えば、０．３～２ｋＮ／ｍ）であってもよく、好ましくは０．５ｋＮ／ｍ以上であってもよい。
　なお、層間接着性を判断するに当たり、凝集剥離が生じる場合、一般的に接着性が良好であると判断することが可能である。一方、接着性が良好でない場合は、界面剥離が生じる場合が多い。
　また、好ましくは、回路基板の接着強度は、方向に係らず全体的に向上されており、例えば、サンプルの一方向（Ａ方向）と、それに対する直交方向（Ｂ方向）について、それぞれ、両側から引きはがすことにより、Ａ順方向、Ａ逆方向、Ｂ順方向、Ｂ逆方向の４方向について接着強度を測定した場合、接着強度の最小値が、
　（ｉ）熱可塑性液晶ポリマーフィルムと絶縁性基板材料との間で、例えば、０．５ｋＮ／ｍ以上（例えば、０．５～３ｋＮ／ｍ）であってもよく、好ましくは０．６ｋＮ／ｍ以上であってもよく、より好ましくは０．７ｋＮ／ｍ以上であってもよく、さらに好ましくは０．８ｋＮ／ｍ以上であってもよく、特に好ましくは０．９ｋＮ／ｍ以上であってもよく、および／または
　（ｉｉ）熱可塑性液晶ポリマーフィルムと導体層との間で、例えば、０．２５ｋＮ／ｍ以上（例えば、０．２５～２ｋＮ／ｍ）であってもよく、好ましくは０．２８ｋＮ／ｍ以上であってもよく、より好ましくは０．５ｋＮ／ｍ以上であってもよい。
　また、回路基板は、前記回路基板材料の少なくとも２枚が、熱可塑性液晶ポリマーフィルムであり、第１の熱可塑性液晶ポリマーフィルムと、第２の熱可塑性液晶ポリマーフィルムとで導体層を挟む構造を有していてもよい。前記第１の熱可塑性液晶ポリマーフィルムと、第２の熱可塑性液晶ポリマーフィルムとの融点差が、上述した範囲であってもよい。また、高周波特性を向上させる観点から、回路基板材料が、すべて熱可塑性液晶ポリマーフィルムから形成されるのが好ましい。
　また、回路基板では、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの熱接着性に応じて、ボンディングシートを用いることなく、絶縁基板同士、または絶縁基板とカバーレイとが接着していてもよい。例えば、ボンディングシートを用いない場合、回路基板の厚みを薄くすることが可能である。
　例えば、図４に示すように、回路基板は、絶縁層に挟まれるｎ層の導体層４と、前記導体層の各層を挟む、ｎ＋１層の絶縁層（または熱可塑性液晶ポリマーフィルム層）３とを備えていてもよい。この場合、回路基板は、必要に応じて最外層に導体層を備えていてもよい。また、導体層は、上側および下側の絶縁層にそれぞれ形成された導体層であっても、それぞれ同一の絶縁層により挟まれる限り、同一層としている。
　また、回路基板は、接着性の高い熱可塑性液晶ポリマーフィルムを用いているため、低圧下（好ましくは、低温かつ低圧下）で熱圧着することが可能である。そのため、熱圧着の際に生じる導体回路の沈み込み量を低減し、回路基板の信頼性を向上させることが可能である。
　例えば、図５Ａに示すように、導体回路４と、液晶ポリマーフィルム５，６を備える積層体を導体回路に対して垂直に切断して得られた断面サンプルにおいて、導体回路４が形成されていない箇所における液晶ポリマーフィルム５の厚みＬ１と、導体回路が形成されている箇所における絶縁基板の厚みＬ２をそれぞれ測定した場合、沈み込みの指標であるＬ２／Ｌ１のパーセント比率は、８０～１００％であってもよく、好ましくは８５～１００％であってもよく、より好ましくは９０～１００％であってもよい。なお、この指標は全く沈み込まない場合は、Ｌ１＝Ｌ２となるため１００％であり、沈み込みが大きいほど数値が低下する。厚みＬ２は、導体回路４の下面と前記液晶ポリマーフィルム５の下面との距離Ｌ２として測定してもよい。
　なお、図５Ｂに示すように、地導体４ｂが液晶ポリマーフィルムの底面に形成されている場合、Ｌ１は、隣接する液晶ポリマーフィルム界面と地導体４ｂの上面との距離として、Ｌ２は、回路基板の導体回路４ａの下面と地導体４ｂの上面との間の距離として把握してもよい。
　本発明の回路基板は、誘電特性に優れる熱可塑性液晶ポリマーを絶縁材料として用いているため、特に高周波回路基板として好適に用いることができる。高周波回路は、単に高周波信号のみを伝送する回路からなるものだけでなく、高周波信号を低周波信号に変換して、生成された低周波信号を外部へ出力する伝送路や、高周波対応部品の駆動のために供給される電源を供給するための伝送路等、高周波信号ではない信号を伝送する伝送路も同一平面上に併設された回路も含まれる。
　例えば、１０ＧＨｚの周波数において、前記回路基板の比誘電率（εｒ）は、例えば２．６～３．５であってもよく、より好ましくは２．６～３．４であってもよい。
　また、例えば、１０ＧＨｚの周波数において、前記回路基板の誘電正接（Ｔａｎδ）は、例えば０．００１から０．０１であってもよく、より好ましくは０．００１から０．００８であってもよい。
　以下、実施例により本発明をより詳細に説明するが、本発明は本実施例により何ら限定されるものではない。なお、以下の実施例及び比較例においては、下記の方法により各種物性を測定した。
［融点］
　示差走査熱量計を用いて、フィルムの熱挙動を観察して得た。つまり、供試フィルムを２０℃／分の速度で昇温して完全に溶融させた後、溶融物を５０℃／分の速度で５０℃まで急冷し、再び２０℃／分の速度で昇温した時に現れる吸熱ピークの位置を、フィルムの融点として記録した。
［水分率］
　水分の測定法としてカールフィッシャー法（カール・フィッシャー滴定の原理を利用し、水分を溶媒に吸収させ電位差の変化により水分を測定する）を使用した。
　１）微量水分測定装置名：(株)三菱化学アナリテック社製（ＶＡ－０７，ＣＡ－０７）
　２）加熱温度：　２６０（℃）
　３）N2パージ圧：　１５０（ml/min）
　４）測定準備（自動）
　　　Purge　　　　１分
　　　Preheat　　　２分　　　試料ボード空焼き
　　　Cooling　　　２分　　　試料ボード冷却
　５）測定
　　　滴定セル内溜め込み時間（Ｎ２で水分を送り出す時間）：　３分
　６）試料量：　1.0～1.3ｇ　
［分子配向度（ＳＯＲ）］
　マイクロ波分子配向度測定機において、液晶ポリマーフィルムを、マイクロ波の進行方向にフィルム面が垂直になるように、マイクロ波共振導波管中に挿入し、該フィルムを透過したマイクロ波の電場強度（マイクロ波透過強度）を測定する。そして、この測定値に基づいて、次式により、ｍ値（屈折率と称する）を算出する。
　ｍ＝（Ｚｏ／△ｚ） Ｘ ［１－νmax／νｏ］
　ここで、Ｚｏは装置定数、△ｚは物体の平均厚、νmaxはマイクロ波の振動数を変化させたとき、最大のマイクロ波透過強度を与える振動数、νｏは平均厚ゼロのとき（すなわち物体がないとき）の最大マイクロ波透過強度を与える振動数である。
　次に、マイクロ波の振動方向に対する物体の回転角が０°のとき、つまり、マイクロ波の振動方向と、物体の分子が最もよく配向されている方向であって、最小マイクロ波透過強度を与える方向とが合致しているときのｍ値をｍ０、回転角が９０°のときのｍ値をｍ９０として、分子配向度ＳＯＲをｍ０／ｍ９０により算出した。
［膜厚］
　膜厚は、デジタル厚み計（株式会社ミツトヨ製）を用い、得られたフィルムをＴＤ方向に１ｃｍ間隔で測定し、中心部および端部から任意に選んだ１０点の平均値を膜厚とした。
（耐熱性試験）
　ＪＩＳ　Ｃ　５０１２に準拠して半田フロート試験を実施し、回路基板のはんだ耐熱性を調べた。はんだ浴の温度は２９０℃、フロート時間は６０秒として、フロート試験後の基板のふくれ（１００μｍｘ１００μｍ以上の面積を有するもの）の有無を目視および光学顕微鏡（×５倍以上）にて観察した。
　具体的には、３０ｃｍ四方の回路基板サンプルの任意の５箇所をそれぞれ５ｃｍ四方に切り取って５個の５ｃｍ四方の回路基板サンプルを作成し、この５個の５ｃｍ四方の回路基板サンプルそれぞれについて半田フロート試験を実施し、目視および光学顕微鏡（×５倍以上）により膨れの有無を観察した。５個の５ｃｍ四方の回路基板サンプル全てに膨れが見られない場合を良としてはんだ耐熱性を有すると評価し、５個の５ｃｍ四方の回路基板サンプルのうちいずれか一つでも膨れが見られた場合は不良として評価した。
［隣接する回路基板材料間の接着強度の測定方法］
　ＪＩＳ　Ｃ５０１６－１９９４に準拠して、毎分５０ｍｍの速度で、隣接する回路基板材料間において、一方を、他方に対し９０°の方向に引きはがしながら、引っ張り試験機[日本電産シンポ(株)製、デジタルフォースゲージＦＧＰ-２]により、引きはがし強さを測定し、得られた値を接着強度（ピール強度）とした。
　なお、回路基板の一方向（ＭＤ方向）と、それに対する直交方向（ＴＤ方向）について、それぞれ、両側から引きはがすことにより、ＭＤ順方向（またはＭＤ進行方向）、ＭＤ逆方向（またはＭＤ非進行方向）、ＴＤ順方向（またはＴＤ右方向）、ＴＤ逆方向（またはＴＤ左方向）の４方向について接着強度を測定し、その平均値を回路基板の接着強度の代表値とした。
　また、液晶ポリマーフィルムに対して導体層が接する表面積の割合（すなわち、残導体率＝接触面におけるユニット回路基板上の回路パターンの面積／ユニット回路基板の総面積ｘ１００）が３０％以上である場合、接着強度は液晶ポリマーフィルムと導体層との間の接着強度として測定され、導体層が３０％未満の接触面積で液晶ポリマーフィルムに接着している場合、接着強度は液晶ポリマーフィルムと液晶ポリマーフィルムとの間の接着強度として測定された。
（表面粗度の測定方法）
　接触式表面粗さ計（ミツトヨ（株）製、型式　ＳＪ－２０１）を用い、積層体（Ｂ）で粗化処理された銅箔表面の算術平均粗さ（Ｒａ）と十点平均粗さ（ＲｚＪＩＳ）を測定した。測定はＩＳＯ４２８７－１９９７に準拠した方法により行った。より詳細には、Ｒａは、平均線から絶対値偏差の平均値を示したものであり、表面粗度（ＲｚＪＩＳ）は、粗さ曲線からその平均線の方向に基準長さを抜き取り、最高から５番目までの山頂（凸の頂点）の標高の平均値と、最深から５番目までの谷底（凹の底点）の標高の平均値との差をμｍで表わしたもので、十点平均粗さを示したものである。
［沈み込み性］
　積層体を切断し、導体回路に対して垂直な断面サンプルを得た。サンプルをＰｔスパッタに設置し、表面に２０ÅのＰｔ膜を形成した。次いで、走査型電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ製　ＳＵ－７０）を用い、加速電圧５ｋＶで、積層体断面の二次電子像（ＳＥＭ像）を撮像し、沈み込みの度合いを観察した。
　図５Ｂに示すように、隣接する液晶ポリマーフィルム界面と地導体との距離Ｌ１と、回路基板の導体回路の下面と地導体との間の距離Ｌ２とをそれぞれ測定し、Ｌ２／Ｌ１のパーセント比率で把握し、下記の基準に従って評価した。全く沈み込まない場合は、Ｌ１＝Ｌ２となるため１００％であり、沈み込みが大きいほど数値が低下する。
　良好：Ｌ２／Ｌ１のパーセント比率が８０％以上である。
　不良：Ｌ２／Ｌ１のパーセント比率が８０％未満である。
［フロー性］
　回路基板を目視により観察し、長さ１０ｃｍにおいて１ｍｍ以下の樹脂流れが観察されたものを良好とし、１ｍｍを超える樹脂流れが観察されたものを不良として評価した。
［実施例１］
（１）接着性液晶ポリマーフィルムの製造
　ｐ－ヒドロキシ安息香酸と６－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸の共重合物（モル比：７３／２７）で、融点が２８０℃である熱可塑性液晶ポリマーを溶融押出し、インフレーション製膜法により融点が２８０℃、厚さが５０μｍ、分子配向度ＳＯＲが１．０２である熱可塑性液晶ポリマーフィルムのロール状物（フィルム層の厚み幅Ｗ＝６００ｍｍ）を準備した。このロール状物中の、熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、水分率：４００ｐｐｍであった。
　この熱可塑性液晶ポリマーフィルムのロール状物を、１２０℃において６０分間加熱処理を行うことにより、熱可塑性液晶ポリマーフィルムのロール状物の脱気を行った。脱気後のロール状物中の熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、水分率：２００ｐｐｍ、分子配向度ＳＯＲ：１．０２であった。
（２）ユニット回路基板の製造
　ｐ－ヒドロキシ安息香酸と６－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸の共重合物（モル比：７３／２７）で、融点が２８０℃、厚さが５０μｍである熱可塑性液晶ポリマーフィルムを窒素雰囲気下で２６０℃４時間、さらに２８０℃２時間熱処理することで融点を３２５℃に増加させ、フィルム上下に圧延銅箔（ＪＸ日鉱日石金属（株）製、ＢＨＹＸ－Ｔ－１２、厚さ１２μｍ）をセットし、一対のロールでの連続プレス機にてロール温度２９０℃、線圧１００ｋｇ／ｃｍ、ライン速度２ｍ／分の条件にて銅張積層板を得た後、この銅張積層板がストリップライン構造となるように配線加工したユニット回路基板を作製した。なお、ユニット回路基板中の熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、水分率：４００ｐｐｍであった。
（３）多層回路基板の製造
　上記（１）で得られた接着性液晶ポリマーフィルムをボンディングシートとして、その両側に２枚のユニット回路基板を重ね合わせて真空熱プレス装置にセットした。その後、この積層体を真空度１３００Ｐａ下、加圧力４ＭＰａで３００℃３０分間熱圧着することによりそれぞれを接着し、ユニット回路基板／ボンディングシート／ユニット回路基板で構成された回路基板を得た。得られた回路基板の各種物性を評価し、表７に示す。
［実施例２］
（１）回路基板の製造
　ボンディングシートとして、脱気工程が行われていないｐ－ヒドロキシ安息香酸と６－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸の共重合物（モル比：７３／２７）で、融点が２８０℃、厚さが５０μｍ、水分率４００ｐｐｍ、分子配向度ＳＯＲが１．０２である熱可塑性液晶ポリマーフィルムを用いる以外は、実施例１と同様にして、その両側に２枚のユニット回路基板を重ね合わせて真空熱プレス装置にセットした。
　その後、真空下での脱気工程として、真空度１０００Ｐａ下、加圧（プレス圧）０．５ＭＰａ下で１２０℃、６０分間の状態で、重ね合わせた積層体に脱気処理を行った。
　真空下での脱気工程後、この積層体を実施例（１）と同様に熱圧着することによりそれぞれを接着し、ユニット回路基板／ボンディングシート／ユニット回路基板で構成された回路基板を得た。得られた回路基板の各種物性を評価し、表７に示す。
［実施例３］
（１）回路基板の製造
　ボンディングシートとして、実施例１で得られた接着性熱可塑性液晶ポリマーフィルムを用いる以外は、実施例２と同様にして、回路基板を得た。得られた回路基板の各種物性を評価し、表７に示す。
［比較例１］
（１）回路基板の製造
　ボンディングシートとして、脱気工程が行われていないｐ－ヒドロキシ安息香酸と６－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸の共重合物（モル比：７３／２７）で、融点が２８０℃、厚さが５０μｍ、水分率４００ｐｐｍ、分子配向度ＳＯＲが１．０２である熱可塑性液晶ポリマーフィルムを用いる以外は、実施例１と同様にして、回路基板を得た。得られた回路基板の各種物性を評価し、表７に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
　表７に示すように、実施例１および３では、ボンディングシートとして熱接着性に優れる液晶ポリマーフィルムを用いているため、通常の熱圧着工程においても、回路基板の層間接着性を向上することができる。また、これらの回路基板では、耐熱性にもすぐれており、高温下での膨れが生じるのを抑制することができる。
　一方、実施例２では、回路基板材料としては、熱接着性液晶ポリマーフィルムを用いていないが、熱圧着前に、積層体の真空下での脱気工程を行っているため、その後の熱圧着工程により、回路基板の層間接着性を向上することができる。また、これらの回路基板では、耐熱性にもすぐれており、高温下での膨れが生じるのを抑制することができる。
　特に、実施例３は、ボンディングシートとして熱接着性に優れる液晶ポリマーフィルムを用いているとともに、特定の脱気工程を行っているため、特に接着性に優れている。
　一方、比較例１では、熱接着性液晶ポリマーフィルムを用いておらず、また脱気工程も行っていないため、層間接着性が実施例と比べると低い値であり、高温下での膨れが発生するサンプルが存在している。
［実施例４］
（１）ユニット回路基板の製造
　融点３３５℃の熱可塑性液晶ポリマーフィルム（（株）クラレ製、ＣＴ－Ｚ、厚さ２５μｍ）に対して、圧延銅箔（ＪＸ日鉱日石金属（株）製、ＢＨＹＸ－Ｔ－１２、厚さ１２μｍ）を重ね合わせ、真空熱プレス装置を用いて、加熱盤を２９５℃に設定し、４ＭＰａの圧力下、10分間、圧着して、銅箔／第一の熱可塑性液晶ポリマーフィルム／銅箔の構成の第一の銅張積層板を作製した。一方で、融点２８０℃の熱可塑性液晶ポリマーフィルム（（株）クラレ製、ＣＴ－Ｆ、厚さ５０μｍ）に対して、圧延銅箔（ＪＸ日鉱日石金属（株）製、ＢＨＹＸ－Ｔ－１２、厚さ１２μｍ）を重ね合わせ、真空熱プレス装置を用いて、加熱盤を２７５℃に設定し、４ＭＰａの圧力下、１０分間圧着して、銅箔／第二の熱可塑性液晶ポリマーフィルムの構成の第二の銅張積層板を作製した。
　ついで、第一の銅張積層板の一方の銅箔に対し、ストリップライン構造となるように化学エッチング法により回路パターン（残導体率３０％未満）を形成し、第１のユニット回路基板を得た。
　上記第一のユニット回路基板と、第二の銅張積層板とを、回路パターンが第一および第二の熱可塑性液晶ポリマーフィルム間により挟まれるように積み重ね、大気圧下、０ＭＰａのプレス圧、１００℃、１時間の条件で加熱処理を行い、積層体に脱気処理を行った（第一の脱気工程：加熱下での脱気工程）。
　次いで、第一および第二の熱可塑性液晶ポリマーフィルム間に回路パターンがはさまれた状態で、第一のユニット回路基板および第二の銅張積層板を重ね合わせて真空熱プレス装置のチャンバ内に設置し、真空度を１０００Ｐａ、０ＭＰａの圧力下１００℃で１時間加熱した（第二の脱気工程：真空下での脱気工程）。
　その後、加熱盤の温度を１５０℃に設定し４ＭＰａの圧力下５分間加圧して圧着し（前工程）、次いで、加熱盤の温度を３００℃に設定し、１ＭＰａの圧力下３０分間加圧して圧着し（後工程）、２段プレスを行うことにより、銅箔/第一の熱可塑性液晶ポリマー層/回路層/第二の熱可塑性液晶ポリマー層/銅箔で示される積層構造を有する回路基板を作製した。得られた回路基板の各種物性を評価し、表８に示す。
　なお、得られた回路基板について、撮像されたＳＥＭ像を図６に示す。図中、白色の部分は液晶ポリマーであるが、第一の熱可塑性液晶ポリマー層と第二の熱可塑性液晶ポリマー層との界面を観察できる。銅ストライプまたは銅箔の断面は、白色または白黒の高コントラストの部位として観察できる。図からは、回路層の沈み込みが抑制されているのが観察できる。
［実施例５］
　第二の銅張積層板として、融点３３５℃の熱可塑性液晶ポリマーフィルム（（株）クラレ製、ＣＴ－Ｚ、厚さ２５μｍ）に対して、圧延銅箔（ＪＸ日鉱日石金属（株）製、ＢＨＹＸ－Ｔ－１２、厚さ１２μｍ）を重ね合わせ、真空熱プレス装置を用いて、加熱盤を２９５℃に設定し、４ＭＰａの圧力下、１０分間、圧着して、銅箔／第二の熱可塑性液晶ポリマーフィルムの構成の銅張積層板を作製した。第二の銅張積層板として、上記銅張積層板を用いる以外は、実施例４と同様にして回路基板を作製した。得られた回路基板の各種物性を評価し、表８に示す。
　なお、得られた回路基板について、撮像されたＳＥＭ像を図６に示す。図からは、回路層の沈み込みが抑制されているのが観察できる。
［比較例２］
　加熱下での脱気工程および真空下での脱気工程を双方とも行わない以外は、実施例４と同様にして回路基板を作製した。得られた回路基板の各種物性を評価し、表８に示す。
［比較例３］
　加熱下での脱気工程および真空下での脱気工程を双方とも行わない以外は、実施例５と同様にして回路基板を作製した。得られた回路基板の各種物性を評価し、表８に示す。
［比較例４］
　加熱下での脱気工程および真空下での脱気工程を双方とも行わないこと、および熱圧着工程において、加熱盤の温度を１５０℃に設定し４ＭＰａの圧力下５分間加圧して圧着し（前工程）、次いで、加熱盤の温度を３２０℃に設定し、３ＭＰａの圧力下、３０分間加圧して圧着し（後工程）、２段プレスを行うこと以外は、実施例５と同様にして回路基板を作製した。得られた回路基板の各種物性を評価し、表８に示す。
　なお、得られた回路基板について、撮像されたＳＥＭ像を図６に示す。図からは、回路層が液晶ポリマー層に沈み込んでいるのが観察できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000008
　表８に示すように、実施例４および５では、特定の脱気工程が行われた熱可塑性液晶ポリマーフィルムを用いているため、耐熱性に優れている。さらに、熱圧着工程において本接着工程として行われる後工程が１ＭＰａという低圧下で行われる場合であっても、回路基板の層間接着性（熱可塑性液晶ポリマーフィルム間、および熱可塑性液晶ポリマーフィルムと導電層間）を向上することができる。特に、実施例４および５では、実施例１～３で用いられたボンディングシートを介することなく、直接ユニット回路基板同士を良好に接着することができる。
　また、これらの回路基板では、熱圧着工程において本接着工程として行われる後工程が１ＭＰａという低圧下で行われるため、回路基板を製造する際に樹脂流れが生じないだけでなく、導体層が熱可塑性液晶ポリマーフィルム内部へ沈み込むのを抑制することができる。
　さらに、実施例５では、熱可塑性液晶ポリマーフィルムが双方とも高融点フィルムであっても、双方の回路基板材料を良好に接着することが可能である。特に驚くべきことには、実施例５では、熱圧着時の温度が、これらの高融点フィルムの融点よりも低い場合であっても良好な層間接着性を示している。
　一方、比較例２および比較例３では、脱気工程を行っていないため、耐熱性に劣るだけでなく、層間接着性が実施例５よりも４０％程度低下している。
　また比較例４では、本接着工程として行われる後工程において高温、高圧プレス下で熱圧着を行ったため、接着強度は向上しているが、耐熱性は劣っている。また、製造する際に樹脂流れが発生するとともに、導電層が熱可塑性液晶ポリマーフィルム内部へ沈み込んでいる。
　上述した実施例では、絶縁基板とボンディングフィルム、絶縁基板とカバーレイの組み合わせ、絶縁基板と絶縁基板の組み合わせにおいて各種特性を測定し、優れた耐熱性、層間接着性などを有することが示されている。
　次いで、導電層の表面粗度が回路基板に対して与える影響を実施例６～８および比較例５に基づいて考察する。
［実施例６］
　融点３３５℃の熱可塑性液晶ポリマーフィルム（（株）クラレ製、ＣＴ－Ｚ）に対して、フィルム上下に圧延銅箔（ＪＸ日鉱日石金属（株）製、ＢＨＹＸ－Ｔ－１２、厚さ１２μｍ）を重ね合わせ、真空熱プレス装置を用いて、加熱盤を２９５℃に設定し、４ＭＰａの圧力下、１０分間、圧着して、銅箔／熱可塑性液晶ポリマーフィルム／銅箔の構成の第一のユニット回路基板、および銅箔／熱可塑性液晶ポリマーフィルムの構成の第二のユニット回路基板を作製した。第一のユニット回路基板では熱可塑性液晶ポリマーフィルムの膜厚は１００μｍ、第二のユニット回路基板では、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの膜厚は７５μｍである。ついで、それぞれの銅箔に化学エッチング法により回路加工（残導体率３０％以上）を行った。
　ついで第一のユニット回路基板の銅箔の表面処理を行った。具体的にはメック（株）「FlatBONDGT、及びFlatBONDGC処理」を行った。以下、この処理をＦｌａｔＢＯＮＤ処理と称する。合金層を含む導体層の表面粗度は、Ｒａ０．１３μｍ、ＲｚＪＩＳ１．０５であった。
　上記第一のユニット回路基板と、ボンディングシート［融点２８０℃、膜厚２５μｍ、の熱可塑性液晶ポリマーフィルム（（株）クラレ製、ＣＴ－Ｆ）］と、第二のユニット回路基板を、この順に積み重ね、大気圧下、０ＭＰａの圧力下、１１５℃、２時間の条件で加熱下での脱気処理を行った（第一の脱気工程）。
　次いで、図３Ｂで示されるように、第一のユニット回路基板と第二のユニット回路基板の間にボンディングシートをはさんだ状態で、真空熱プレス装置のチャンバ内に設置し、真空度を１０００Ｐａ、０ＭＰａの圧力下、１００℃で１時間加熱した（第二の脱気工程）。
　その後、加熱盤の温度を２９５℃に設定し、１ＭＰａの圧力下、３０分間加圧の条件で圧着して、図３Ｂに示されるような、銅箔/第一の熱可塑性液晶ポリマー層/第二の熱可塑性液晶ポリマー層/回路層/第一の熱可塑性液晶ポリマー層/銅箔で示される積層構造を有する回路基板を作製した。
　得られた回路基板において、耐熱性、接着強度、フロー性および回路層の沈み込み性を評価した。これらの結果を表９に示す。
［実施例７］
　第一のユニット回路基板の銅箔に対し、ＦｌａｔＢＯＮＤ処理を行わない以外は実施例６と同様にして回路基板を作製し、耐熱性、接着強度、フロー性および回路層の沈み込み性を評価した。その結果を表９に示す。なお、この場合の導体層を形成する銅箔の表面粗度はＲａが０．１４μｍ、ＲｚＪＩＳが１．０９μｍであった。
［実施例８］
　ＦｌａｔＢＯＮＤ処理に代えて、従来技術の表面粗化処理に属する黒化処理で第一のユニット回路基板の表面処理を行うとともに、熱圧着時の圧力を４ＭＰａにした以外は、実施例６と同様にして回路基板を作製し、耐熱性、接着強度、フロー性および回路層の沈み込み性を評価した。その結果を表９に示す。
　なお黒化処理では、亜硫酸ナトリウム３１ｇ/Ｌ、水酸化ナトリウム１５ｇ/Ｌ、リン酸ナトリウム１２ｇ/Ｌを含む黒化処理液（水溶液）を保温槽で９５℃に保持し、これに第一のユニット回路基板を２分間浸漬させた後、水洗、乾燥させることにより行った。この場合の銅箔の表面粗度は、Ｒａが０．１８μｍ、ＲｚＪＩＳが１．３１μｍであった。
［比較例５］
　加熱下での脱気工程および真空下での脱気工程を双方とも行わない以外は、実施例８と同様にして回路基板を作製した。得られた回路基板の各種物性を評価し、表９に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000009
　表９に示すように、いずれの実施例においても、特定の条件下における脱気工程を組み合わせることにより、回路基板にふくれが発生するのを効果的に抑制することができる。
　特に、実施例６の回路基板では、銅箔の表面にＦｌａｔＢＯＮＤ処理を行うことにより、銅箔表面を平滑にするとともに、特定の条件下における脱気工程を組み合わせているため、耐熱性にも優れるだけでなく、回路基板内の接着強度を向上することもできる。
　一方、実施例６および７では、熱圧着時のプレス圧を低くすることにより、回路層が絶縁基板に沈み込む量を低減することが可能であるが、実施例８の回路基板では、熱圧着時のプレス圧が高いため、回路層が絶縁基板に沈み込む量が多く、また、フロー性が不良である。
　次いで、脱気工程が回路基板の層間接着強度に対して与える影響を実施例１０～１１および比較例６に基づいて考察する。
［実施例９］
　第一の脱気工程を行わず、第二の脱気工程のみを行う以外は、実施例４と同様にして、回路基板を得た。得られた回路基板の各種物性を評価し、表１０に示す。
［実施例１０］
　第二の脱気工程を行わず、第一の脱気工程のみを行う以外は、実施例４と同様にして、回路基板を得た。得られた回路基板の各種物性を評価し、表１０に示す。
［比較例６］
（１）ユニット回路基板の製造
　融点３３５℃の熱可塑性液晶ポリマーフィルム（（株）クラレ製、ＣＴ－Ｚ、厚さ２５μｍ）に対して、圧延銅箔（ＪＸ日鉱日石金属（株）製、ＢＨＹＸ－Ｔ－１２、厚さ１２μｍ）を重ね合わせ、真空熱プレス装置を用いて、加熱盤を２９５℃に設定し、４ＭＰａの圧力下、10分間、圧着して、銅箔／第一の熱可塑性液晶ポリマーフィルム／銅箔の構成の第一の銅張積層板を作製した。一方で、融点２８０℃の熱可塑性液晶ポリマーフィルム（（株）クラレ製、ＣＴ－Ｆ、厚さ５０μｍ）に対して、圧延銅箔（ＪＸ日鉱日石金属（株）製、ＢＨＹＸ－Ｔ－１２、厚さ１２μｍ）を重ね合わせ、真空熱プレス装置を用いて、加熱盤を２７５℃に設定し、４ＭＰａの圧力下、１０分間圧着して、銅箔／第二の熱可塑性液晶ポリマーフィルムの構成の第二の銅張積層板を作製した。
　ついで、第一の銅張積層板の一方の銅箔に対し、ストリップライン構造となるように化学エッチング法により回路パターン（残導体率３０％未満）を形成し、第１のユニット回路基板を得た。
　次いで、第一および第二の熱可塑性液晶ポリマーフィルム間に回路パターンがはさまれた状態で、第一のユニット回路基板および第二の銅張積層板を重ね合わせて真空熱プレス装置のチャンバ内に設置し、真空度を１０００Ｐａ、加熱盤の温度を１５０℃に設定し４ＭＰａの圧力下５分間加圧して圧着し（前工程）、次いで、加熱盤の温度を３２０℃に設定し、１ＭＰａの圧力下３０分間加圧して圧着し（後工程）、２段プレスを行うことにより、銅箔/第一の熱可塑性液晶ポリマー層/回路層/第二の熱可塑性液晶ポリマー層/銅箔で示される積層構造を有する回路基板を作製した。得られた回路基板の各種物性を評価し、表１０に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000010
　表１０に示すように、比較例６では、脱気工程を行っていないため、接着強度の最大値および最小値が低いだけでなく、全体の平均値としても低い接着強度となっている。特に比較例６では、接着強度を高めるために熱圧着温度を３２０℃と高く設定しているにも係らず、接着強度を向上することが困難であり、例えば、実施例４と比較した場合、接着強度の代表値は、１／３以下、接着強度の最小値は、１／５以下でしかない。
　実施例９では、第二の脱気工程を行っているため、比較例６と比べ、接着強度の最大値、最小値および平均値を増加することができる。また、実施例１０では、第一の脱気工程を行っているため、比較例６と比べ、接着強度の最大値、最小値および平均値を増加することができる。これらの実施例９および１０では、回路基板の接着強度を４方向から評価した場合、最も低い値であっても０．７ｋＮ／ｍを充足することができ、比較例６で得られる最小値の２倍以上の接着強度を達成している。
　本発明の液晶ポリマーフィルムは、熱接着性に優れるため、各種回路基板材料などとして有用に用いることが出来る。また、本発明の回路基板は、各種電気・電子製品の基板として利用することが可能である。特に、液晶ポリマーフィルムは、高周波における誘電特性に優れているため、本発明の回路基板は、高周波回路基板等として、有効に利用することができる。
　以上のとおり、本発明の好適な実施形態を説明したが、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々の追加、変更または削除が可能であり、そのようなものも本発明の範囲内に含まれる。
１…ロール状物
２…コア
３，５，６，７，８，９…熱可塑性液晶ポリマーフィルム
４，４ａ，４ｂ，４０…銅箔または回路層
１０，２０，７０，８０…ユニット回路基板
３０…積層体（回路基板）
Ｗ…フィルム部分の厚み

Claims (16)

  1. 　光学的異方性の溶融相を形成し、分子配向度ＳＯＲが０．８～１．４である熱可塑性液晶ポリマーフィルムを準備する準備工程と、
    　前記熱可塑性液晶ポリマーフィルムを、
    （ｉ）真空度１５００Ｐａ以下で３０分以上真空下で脱気することにより、および／または（ｉｉ）１００℃～２００℃の範囲で加熱下で脱気することより、前記熱可塑性液晶ポリマーフィルムを脱気する脱気工程と、
    　を少なくとも備え、
    　分子配向度ＳＯＲが０．８～１．４であり、且つ水分率３００ｐｐｍ以下である熱可塑性液晶ポリマーフィルムを製造する方法。
  2. 　請求項１の熱可塑性液晶ポリマーフィルムの製造方法において、脱気工程が、
    　準備された熱可塑性液晶ポリマーフィルムを、１００℃～２００℃の範囲で所定の時間加熱して、脱気を行う第一の脱気工程と、
    　前記回路基板材料に対して、真空度１５００Ｐａ以下で、さらに所定の時間脱気を行う第二の脱気工程と、を備える製造方法。
  3. 　請求項１または２の熱可塑性液晶ポリマーフィルムの製造方法において、真空下での脱気（ｉ）または第二の脱気工程が、真空度１５００Ｐａ以下で、８０～２００℃の範囲で加熱することにより行われる製造方法。
  4. 　分子配向度ＳＯＲが０．８～１．４であり、且つ水分率３００ｐｐｍ以下である熱可塑性液晶ポリマーフィルム。
  5. 　請求項４に記載された熱可塑性液晶ポリマーフィルムにおいて、フィルムの厚みが１０～２００μｍである熱可塑性液晶ポリマーフィルム。
  6. 　請求項４または５に記載された熱可塑性液晶ポリマーフィルムにおいて、ガスバリア性包装材で包装されている熱可塑性液晶ポリマーフィルム。
  7. 　少なくとも一方の面に導体層が形成された絶縁基板、ボンディングシート、およびカバーレイから選択される少なくとも一種の回路基板材料を複数枚準備する準備工程と、
    　前記準備された回路基板材料を、所定の回路基板の構造に合わせて積層し、所定の圧力下で加熱して回路基板材料を熱圧着する熱圧着工程と、
    　を少なくとも備える回路基板の製造方法であって、
    　（Ｉ）絶縁基板、ボンディングシートおよびカバーレイから選択された少なくとも１枚が、請求項１～３のいずれか一項に記載される脱気工程が行われた熱接着性熱可塑性液晶ポリマーフィルムで構成され、および／または
    　（ＩＩ）絶縁基板、ボンディングシートおよびカバーレイから選択された少なくとも１枚が、熱可塑性液晶ポリマーフィルムで構成されるとともに、熱圧着工程の前に、請求項１～３のいずれか一項に記載された脱気工程が行われる、
    製造方法。
  8. 　請求項７の回路基板の製造方法において、熱圧着工程が、プレス圧５ＭＰａ以下で加熱して回路基板材料を熱圧着する、製造方法。
  9. 　請求項８の回路基板の製造方法において、熱圧着工程が、プレス圧０．５～２．５ＭＰａ下で加熱して回路基板材料を熱圧着する、製造方法。
  10. 　請求項７～９のいずれか一項の回路基板の製造方法において、熱圧着工程で、熱圧着される熱可塑性液晶ポリマーフィルムの融点Ｔｍに対して、（Ｔｍ－６０）℃以上（Ｔｍ＋４０）℃以下で加熱して回路基板材料を熱圧着する製造方法。
  11. 　少なくとも一方の面に導体層が形成された絶縁基板、ボンディングシート、およびカバーレイから選択される少なくとも一種の回路基板材料を複数枚備え、所定の回路基板構造を有している回路基板であって、
    　前記回路基板材料の少なくとも１枚が、熱可塑性液晶ポリマーフィルムである回路基板であって、
    　回路基板をＪＩＳ　Ｃ　５０１２に準拠した方法によるはんだ浴２９０℃の環境下に６０秒間静置した場合に、はんだ耐熱性を有する回路基板。
  12. 　請求項１１の回路基板において、熱可塑性液晶ポリマーフィルムと、このフィルムに対して接着している回路基板材料との間におけるＪＩＳ－Ｃ５０１６－１９９４に準拠した接着強度が、
    　（ｉ）熱可塑性液晶ポリマーフィルムと絶縁性基板材料との間で０．８ｋＮ／ｍ以上であるか、または
    　（ｉｉ）熱可塑性液晶ポリマーフィルムと導体層との間で０．３ｋＮ／ｍ以上である、回路基板。
  13. 　請求項１１または１２の回路基板において、熱可塑性液晶ポリマーフィルムと、このフィルムに対して接着している回路基板材料との間におけるＪＩＳ－Ｃ５０１６－１９９４に準拠した接着強度が、回路基板の一方向（Ａ方向）と、それに対する直交方向（Ｂ方向）について、それぞれ、両側から引きはがすことにより、Ａ順方向、Ａ逆方向、Ｂ順方向、Ｂ逆方向の４方向について接着強度を測定した場合、接着強度の最小値が、
    　（ｉ）熱可塑性液晶ポリマーフィルムと絶縁性基板材料との間で０．５ｋＮ／ｍ以上であるか、または
    　（ｉｉ）熱可塑性液晶ポリマーフィルムと導体層との間で０．２５ｋＮ／ｍ以上である、回路基板。
  14. 　請求項１１～１３のいずれか一項の回路基板において、第１の熱可塑性液晶ポリマーフィルムと、第２の熱可塑性液晶ポリマーフィルムとで導体層を挟む構造を有しており、前記第１の熱可塑性液晶ポリマーフィルムと、第２の熱可塑性液晶ポリマーフィルムとの融点差が、０～７０℃である回路基板。
  15. 　請求項１１～１４のいずれか一項の回路基板において、導体層の少なくとも一方の表面のＩＳＯ４２８７－１９９７に準拠した方法による十点平均粗度（ＲｚＪＩＳ）が、１．２５μｍ以下である回路基板。
  16. 　請求項１１～１５のいずれか一項の回路基板において、
    　上面と底面を有する絶縁基板の上面側に導体回路が形成されている絶縁基板において、
    　導体回路が形成されていない箇所における絶縁基板の厚みＬ１と、導体回路が形成されている箇所における絶縁基板の厚みＬ２をそれぞれ測定する場合、Ｌ２／Ｌ１のパーセント比率が、８０～１００％である回路基板。
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