JP2018130959A

JP2018130959A - 高周波複合基板及び液晶組成物

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Publication number: JP2018130959A
Application number: JP2018022328A
Authority: JP
Inventors: 弘榮李; Hung-Jung Lee
Original assignee: Azotek Co Ltd
Current assignee: Azotek Co Ltd
Priority date: 2017-02-16
Filing date: 2018-02-09
Publication date: 2018-08-23
Anticipated expiration: 2038-02-09
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Abstract

【課題】液相ポリマーを含有する高周波複合基板を提供する。【解決手段】金属層１１０と、金属層１１０に接着される液晶ポリマー層１２１を含む絶縁層構造１２０と、を備える高周波複合基板１００。前記液晶ポリマー層は、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、γ−ブチロラクトン、ジメチルホルムアミド、２−ブトキシエタノール、又は２−エトキシエタノールに溶解可能な可溶性液晶ポリマーである芳香族液晶ポリエステルを含む。【選択図】図１

Description

本発明は、高周波複合基板に関し、特に、液晶ポリマー（Ｌｉｑｕｉｄ−ＣｒｙｓｔａｌＰｏｌｙｍｅｒ；ＬＣＰ）を含有する複合基板に関する。

例えば、スマートフォン（ｓｍａｒｔｐｈｏｎｅ）、タブレットコンピュータ（ｔａｂｌｅｔｃｏｍｐｕｔｅｒ）及びラップトップ（ｌａｐｔｏｐ）のような、現在のモバイルデバイス（ｍｏｂｉｌｅｄｅｖｉｃｅ）に使用される中央処理装置（ＣｅｎｔｒａｌＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＵｎｉｔ；ＣＰＵ）のクロックレート（ｃｌｏｃｋｒａｔｅ）は、ほとんどギガヘルツ（ｇｉｇａｈｅｒｔｚ；ＧＨｚ）以上であるので、従来のモバイルデバイスに上記ギガヘルツのクロックレートの中央処理装置に対応するように高周波回路を採用する必要がある。高周波回路の要求を満たすために、従来のモバイルデバイスは、抵抗遅延（ＲＣｄｅｌａｙ）による悪影響を減少する必要がある。

本発明は、金属層と、前記金属層に接着される、誘電率（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｃｏｎｓｔａｎｔ）が２〜４である少なくとも１つの液晶ポリマー層を含む絶縁層構造と、を備える高周波複合基板を提供する。

本発明のある実施形態によると、液晶ポリマー層は、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、γ−ブチロラクトン、ジメチルホルムアミド、２−ブトキシエタノール及び２−エトキシエタノールの１種又は複数種から選ばれた特定の溶媒に溶解可能な可溶性液晶ポリマーを含む。

本発明のある実施形態によると、可溶性液晶ポリマーは、芳香族液晶ポリエステルである。

本発明のある実施形態によると、可溶性液晶ポリマーは、液晶高分子及び芳香性高分子を含む。この芳香性高分子は、芳香族ポリエステル、芳香族ポリアミド、ポリパラフェニレンテレフタルアミド、ポリ−ｐ−フェニレンベンゾビスオキサゾール、及びｐ−ヒドロキシ安息香酸と６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸との共重合体の１種又は複数種から選ばれる。

本発明のある実施形態によると、可溶性液晶ポリマーにおける液晶高分子は、下記繰り返し単位を有し、

Ａｒは１，４−フェニレン（１，４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）、１，３−フェニレン（１，３−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）、２，６−ナフタレン（２，６−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ）、又は４、４’−ビフェニレン（４，４’−ｂｉｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）であってよく、ＹはＯ又はＮＨであってよく、ＺはＣ＝Ｏであってよく、且つＸはアミノ基（ａｍｉｎｏ）、カルボキサミド基（ｃａｒｂｏｘａｍｉｄｏ）、イミド基（ｉｍｉｄｏ又はｉｍｉｎｏ）、アミディノ基（ａｍｉｄｉｎｏ）、アミノカルボニルアミノ基（ａｍｉｎｏｃａｒｂｏｎｙｌａｍｉｎｏ）、アミノチオカルボニル基（ａｍｉｎｏｔｈｉｏｃａｒｂｏｎｙｌ）、アミノカルボニルオキシ基（ａｍｉｎｏｃａｒｂｏｎｙｌｏｘｙ）、アミノスルホニル基（ａｍｉｎｏｓｕｌｆｏｎｙｌ）、アミノスルホニルオキシ基（ａｍｉｎｏｓｕｌｆｏｎｙｌｏｘｙ）、アミノスルホニルアミノ基（ａｍｉｎｏｓｕｌｆｏｎｙｌａｍｉｎｏ）、カルボキシルエステル基（ｃａｒｂｏｘｙｌｅｓｔｅｒ）、（カルボキシルエステル）アミノ基（（ｃａｒｂｏｘｙｌｅｓｔｅｒ）ａｍｉｎｏ）、（アルコキシカルボニル）オキシ基（（ａｌｋｏｘｙｃａｒｂｏｎｙｌ）ｏｘｙ）、アルコキシカルボニル基（ａｌｋｏｘｙｃａｒｂｏｎｙｌ）、ヒドロキシアミノ基（ｈｙｄｒｏｘｙａｍｉｎｏ）、アルコキシアミノ基（ａｌｋｏｘｙａｍｉｎｏ）、シアナト基（ｃｙａｎａｔｏ）、イソシアナト基（ｉｓｏｃｙａｎａｔｏ）又はその組み合わせであってよい。

本発明のある実施形態によると、絶縁層構造は、互いに積み重ねる複数の液晶ポリマー層を含んでよい。

本発明のある実施形態によると、絶縁層構造は、接着層を更に含んでよい。液晶ポリマー層は、金属層と接着層との間に挟まれる。

本発明のある実施形態によると、接着層は、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーンゴム樹脂、パリレン系樹脂、液晶ポリマー、ビスマレイミド樹脂及びポリイミド樹脂の１種又は複数種から選ばれてよい。

本発明の一態様によると、金属層と、高分子層と、高分子層と金属層との間に位置する少なくとも１つの液晶ポリマー層と、を備える高周波複合基板を提供する。

本発明のある実施形態によると、液晶ポリマー層は、下記繰り返し単位を有する可溶性液晶ポリマーを含み、

Ａｒは１，４−フェニレン（１，４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）、１，３−フェニレン（１，３−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）、２，６−ナフタレン（２，６−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ）、又は４、４’−ビフェニレン（４，４’−ｂｉｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）であってよく、ＹはＯ又はＮＨであってよく、ＺはＣ＝Ｏであり、且つＸはアミノ基、カルボキサミド基、イミド基、アミディノ基、アミノカルボニルアミノ基、アミノチオカルボニル基、アミノカルボニルオキシ基、アミノスルホニル基、アミノスルホニルオキシ基、アミノスルホニルアミノ基、カルボキシルエステル基、（カルボキシルエステル）アミノ基、（アルコキシカルボニル）オキシ基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシアミノ基、アルコキシアミノ基、シアナト基、イソシアナト基又はその組み合わせであってよい。

本発明のある実施形態によると、この可溶性液晶ポリマーは、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、γ−ブチロラクトン、ジメチルホルムアミド、２−ブトキシエタノール、又は２−エトキシエタノールに溶解することができる。

本発明のある実施形態によると、可溶性液晶ポリマーは、液晶高分子及び芳香性高分子を含み、芳香性高分子は、芳香族ポリエステル、芳香族ポリアミド、ポリパラフェニレンテレフタルアミド、ポリ−ｐ−フェニレンベンゾビスオキサゾール、及びｐ−ヒドロキシ安息香酸と６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸との共重合体からなる群から選ばれる。

本発明のある実施形態によると、高分子層は、ポリイミド、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ＡＢＳプラスチック、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、シリコーン、ガラス繊維及びポリウレタンからなる群から選ばれる材料を含む。

本発明のある実施形態によると、高周波複合基板は、液晶ポリマー層と金属層との間に挟まれる接着層を更に含む。

本発明のある実施形態によると、接着層は、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーンゴム樹脂、パリレン系樹脂、液晶ポリマー、ビスマレイミド樹脂及びポリイミド樹脂からなる群から選ばれる材料を含む。

本発明の一態様は、少なくとも２つの金属層と、前記２つの金属層の間に配置され、前記２つの金属層の間に挟まれる複数の液晶ポリマー層を含む絶縁層構造と、を含む高周波複合基板を提供する。

本発明の一態様は、溶媒と、下記繰り返し単位を有する芳香族液晶ポリエステルと、を含み、

Ａｒは１，４−フェニレン（１，４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）、１，３−フェニレン（１，３−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）、２，６−ナフタレン（２，６−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ）、又は４、４’−ビフェニレン（４，４’−ｂｉｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）であってよく、ＹはＯ又はＮＨであってよく、ＺはＣ＝Ｏであり、且つＸはアミノ基、カルボキサミド基、イミド基、アミディノ基、アミノカルボニルアミノ基、アミノチオカルボニル基、アミノカルボニルオキシ基、アミノスルホニル基、アミノスルホニルオキシ基、アミノスルホニルアミノ基、カルボキシルエステル基、（カルボキシルエステル）アミノ基、（アルコキシカルボニル）オキシ基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシアミノ基、アルコキシアミノ基、シアナト基、イソシアナト基、又はその組み合わせであってよい液晶組成物を提供する。

下記図面の説明は、本発明の上記、他の目的、特徴、メリット及び実施例をより分かりやすくするためのものである。
本発明のある実施形態による高周波複合基板を示す断面模式図である。本発明のある実施形態による高周波複合基板を示す断面模式図である。本発明のある実施形態による高周波複合基板を示す断面模式図である。本発明のある実施形態による高周波複合基板を示す断面模式図である。本発明のある実施形態による高周波複合基板を示す断面模式図である。本発明のある実施形態による高周波複合基板を示す断面模式図である。本発明のある実施形態による高周波複合基板を示す断面模式図である。本発明のある実施形態による高周波複合基板を示す断面模式図である。本発明のある実施形態による高周波複合基板を示す断面模式図である。本発明のある実施形態による絶縁層構造を示す断面模式図である。本発明のある実施形態による絶縁層構造を示す断面模式図である。

本開示内容の記述をより詳細で完備にするために、添付図面及び下記前記各種の実施形態を参照することができ、図面で同一な符号で同様又は類似する素子を表す。

内容に他の明確な主張がない限り、本文に使用された単数形の単語は、複数の主張対象を含む。「一実施形態」のような特定の主張を参照することで、その少なくとも１つの本発明の実施形態において、ある特定の特徴、構造又は特色を示すため、すべての場所の「一実施形態において」のようなフレーズが特別な主張によって出現する場合、同様な実施形態を参照する必要がなく、更に、１つ又は複数の実施形態において、これらの特別な特徴、構造、又は特色は適切な場合によって互いに組み合わせることができる。

図１を参照されたい。高周波複合基板１００は、複数の金属層１１０と、絶縁層構造１２０と、を備える。絶縁層構造１２０は、前記金属層１１０に接着されるように、前記金属層１１０の間に配置される。

本発明のある実施形態において、金属層１１０を構成する材料は、銅、アルミニウム、鉄、銀、パラジウム、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン、亜鉛、クロム、マンガン、コバルト、金、錫、鉛又はステンレス、或いは以上の金属材料の少なくとも２つを混合させた合金であってよい。具体的に、金属層１１０は、例えば、銅箔、アルミニウム箔、銀箔、錫箔及び／または金箔のような金属箔（ｍｅｔａｌｆｏｉｌ）であってよい。更に、金属層は、エッチングされた再配線層であってもよい。

本発明のある実施形態において、金属層１１０の厚みＴ１１は、１ミクロン〜２０００ミクロンであってよい。なお、金属層１１０の絶縁層構造１２０に接触する表面は、０．２ｕｍ〜５ｕｍ、例えば０．５ｕｍ、１ｕｍ、１．５ｕｍ、２ｕｍ、２．５ｕｍ、３ｕｍ、３．５ｕｍ、３．５ｕｍ、４ｕｍ又は４．５ｕｍの粗さを有する。金属層１１０の表面粗さが０．２ｕｍより小さく又は５ｕｍより大きくなる場合、この表面と絶縁層構造１２０との結合力が悪く、その他の外部ストレスによる脱落が発生しやすい。

本発明の一部の実施例によると、金属層１１０の表面をコーティング処理することで、金属層１１０の表面にコーティング層を被覆させてよい。例えば、金属層１１０の表面にニッケル層、亜鉛層及びコバルト層をコーティングすることで、金属層１１０と絶縁層構造１２０との間にコーティング層（図示せず）を更に含むようにしてよい。

本発明のある実施形態によると、絶縁層構造１２０は、互いに積み重ねる高分子層１２２及び複数の（少なくとも２層）液晶ポリマー層１２１を含む。高分子層１２２は前記液晶ポリマー層１２１の間に挟まれ、液晶ポリマー層１２１は高分子層１２２と金属層１１０の間に位置する。なお、図１に示すように、絶縁層構造１２０の厚みＴ２１は、５ミクロン〜２０００ミクロンであってよい。

本発明のある実施形態において、この高分子層１２２を有する複合基板１００が屈曲（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）できるように、高分子層１２２は、良好な可撓性（ｆｌｅｘｉｂｉｌｉｔｙ）を有してよい。高分子層１２２を構成する材料は、ポリイミド、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ＡＢＳプラスチック、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、シリコーン、ガラス繊維及びポリウレタンからなる群から選ばれてよい。

本発明のある実施形態において、液晶ポリマー層１２１は、可溶性液晶ポリマーを含む。可溶性液晶ポリマーは、液晶高分子及び芳香性高分子を含む。この芳香性高分子は、芳香族ポリエステル（ａｒｏｍａｔｉｃｐｏｌｙｅｓｔｅｒ）、芳香族ポリアミド（ａｒｏｍａｔｉｃｐｏｌｙａｍｉｄｅ）、ポリパラフェニレンテレフタルアミド（ｐｏｌｙｐａｒａ−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｍｉｄｅ、ＰＰＴＡ）、ポリ−ｐ−フェニレンベンゾビスオキサゾール（ｐｏｌｙ（ｐ−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ−２，６−ｂｅｎｚｏｂｉｓｏｘａｚｏｌｅ、ＰＢＯ）及びｐ−ヒドロキシ安息香酸と６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸との共重合体（ｐｏｌｙ（ｐ −ｈｙｄｒｏｘｙｂｅｎｚｏｉｃａｃｉｄ−ｃｏ−２−ｈｙｄｒｏｘｙ −６−ｎａｐｈｔｈｏｉｃａｃｉｄ））の１種又は複数種から選ばれる。注意すべきなのは、各層液晶ポリマー層１２１の材料は、互いに異なってよい。

より詳しくは、上記可溶性液晶ポリマーにおける液晶高分子は、下記繰り返し単位構造を有し、

Ａｒは１，４−フェニレン（１，４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）、１，３−フェニレン（１，３−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）、２，６−ナフタレン（２，６−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ）、又は４、４’−ビフェニレン（４，４’−ｂｉｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）であってよく、ＹはＯ又はＮＨであってよく、ＺはＣ＝Ｏであり、且つＸはアミノ基（ａｍｉｎｏ）、カルボキサミド基（ｃａｒｂｏｘａｍｉｄｏ）、イミド基（ｉｍｉｄｏ又はｉｍｉｎｏ）、アミディノ基（ａｍｉｄｉｎｏ）、アミノカルボニルアミノ基（ａｍｉｎｏｃａｒｂｏｎｙｌａｍｉｎｏ）、アミノチオカルボニル基（ａｍｉｎｏｔｈｉｏｃａｒｂｏｎｙｌ）、アミノカルボニルオキシ基（ａｍｉｎｏｃａｒｂｏｎｙｌｏｘｙ）、アミノスルホニル基（ａｍｉｎｏｓｕｌｆｏｎｙｌ）、アミノスルホニルオキシ基（ａｍｉｎｏｓｕｌｆｏｎｙｌｏｘｙ）、アミノスルホニルアミノ基（ａｍｉｎｏｓｕｌｆｏｎｙｌａｍｉｎｏ）、カルボキシルエステル基（ｃａｒｂｏｘｙｌｅｓｔｅｒ）、（カルボキシルエステル）アミノ基（（ｃａｒｂｏｘｙｌｅｓｔｅｒ）ａｍｉｎｏ）、（アルコキシカルボニル）オキシ基（（ａｌｋｏｘｙｃａｒｂｏｎｙｌ）ｏｘｙ）、アルコキシカルボニル基（ａｌｋｏｘｙｃａｒｂｏｎｙｌ）、ヒドロキシアミノ基（ｈｙｄｒｏｘｙａｍｉｎｏ）、アルコキシアミノ基（ａｌｋｏｘｙａｍｉｎｏ）、シアナト基（ｃｙａｎａｔｏ）、イソシアナト基（ｉｓｏｃｙａｎａｔｏ）又はその組み合わせであってよいが、これに制限されない。従来の液晶高分子と比べて、可溶性液晶ポリマーの特定の溶媒への溶解度はより高い。

本発明のある実施例によると、液晶ポリマー層１２１における可溶性液晶ポリマーは、芳香族液晶ポリエステル溶液により形成される。芳香族液晶ポリエステル溶液は、溶媒及び芳香族液晶ポリエステルを含み、即ち、芳香族液晶ポリエステルは溶媒への良好な溶解度を有する。芳香族液晶ポリエステルの固形分の重量パーセントは、１ｗｔ％〜８５ｗｔ％、例えば５ｗｔ％、１５ｗｔ％、２５ｗｔ％、３５ｗｔ％、４５ｗｔ％、５５ｗｔ％、６５ｗｔ％又は７５ｗｔ％であってよい。芳香族液晶ポリエステルの固形分の重量パーセントが１ｗｔ％より小さくなる場合、液晶ポリマー層１２１を所望の厚みにしようとすると、複数回のコーティング工程を行う必要があり、かなり時間及びコストがかかる。芳香族液晶ポリエステルの固形分の重量パーセントは８５ｗｔ％より大きくなくと、この芳香族液晶ポリエステルの固形分は、溶媒に溶解しにくく、糊化（ｇｅｌａｔｉｎｉｚａｔｉｏｎ）が発生する。具体的に、芳香族液晶ポリエステルは、下記繰り返し単位構造を有し、

Ａｒは１，４−フェニレン（１，４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）、１，３−フェニレン（１，３−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）、２，６−ナフタレン（２，６−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ）、又は４、４’−ビフェニレン（４，４’−ｂｉｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）であってよく、ＹはＯ又はＮＨであってよく、ＺはＣ＝Ｏであり、且つＸはアミノ基（ａｍｉｎｏ）、カルボキサミド基（ｃａｒｂｏｘａｍｉｄｏ）、イミド基（ｉｍｉｄｏ又はｉｍｉｎｏ）、アミディノ基（ａｍｉｄｉｎｏ）、アミノカルボニルアミノ基（ａｍｉｎｏｃａｒｂｏｎｙｌａｍｉｎｏ）、アミノチオカルボニル基（ａｍｉｎｏｔｈｉｏｃａｒｂｏｎｙｌ）、アミノカルボニルオキシ基（ａｍｉｎｏｃａｒｂｏｎｙｌｏｘｙ）、アミノスルホニル基（ａｍｉｎｏｓｕｌｆｏｎｙｌ）、アミノスルホニルオキシ基（ａｍｉｎｏｓｕｌｆｏｎｙｌｏｘｙ）、アミノスルホニルアミノ基（ａｍｉｎｏｓｕｌｆｏｎｙｌａｍｉｎｏ）、カルボキシルエステル基（ｃａｒｂｏｘｙｌｅｓｔｅｒ）、（カルボキシルエステル）アミノ基（（ｃａｒｂｏｘｙｌｅｓｔｅｒ）ａｍｉｎｏ）、（アルコキシカルボニル）オキシ基（（ａｌｋｏｘｙｃａｒｂｏｎｙｌ）ｏｘｙ）、アルコキシカルボニル基（ａｌｋｏｘｙｃａｒｂｏｎｙｌ）、ヒドロキシアミノ基（ｈｙｄｒｏｘｙａｍｉｎｏ）、アルコキシアミノ基（ａｌｋｏｘｙａｍｉｎｏ）、シアナト基（ｃｙａｎａｔｏ）、イソシアナト基（ｉｓｏｃｙａｎａｔｏ）又はその組み合わせであってよい。芳香族液晶ポリエステル溶液における溶媒は例えばＮ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、γ−ブチロラクトン、ジメチルホルムアミド、２−ブトキシエタノール及び２−エトキシエタノールからなる群から選ばれてよい。

注意すべきなのは、上記芳香族液晶ポリエステル溶液は、１種又は複数種の添加剤を更に含んでよい。例えば、二酸化ケイ素、水酸化アルミニウム及び炭酸カルシウムのような無機フィラー、チタン酸バリウム及びチタン酸ストロンチウムのような高誘電性フィラー、チタン酸カリウムとホウ酸アルミニウムのようなウィスカー、硬化されたエポキシ樹脂、架橋のベンゾグアナミン樹脂及び架橋のアクリルポリマーのような有機フィラー、シランカップリング剤、酸化防止剤、及びＵＶ吸収剤等を含んでよいが、これに制限されない。

工程において芳香族液晶ポリエステル溶液における溶媒を除去すると、液晶ポリマー層１２１が形成される。

本発明のまた別の実施例によると、液晶ポリマー層１２１は、フィルム状液晶ポリマーにより形成されてよい。注意すべきなのは、フィルム状液晶ポリマーは、従来の液晶ポリマーである。フィルム状液晶ポリマーを構成する材料は、上記繰り返し単位構造を有しない液晶高分子及び芳香族ポリエステル、芳香族ポリアミド、ポリパラフェニレンテレフタルアミド、ポリ−ｐ−フェニレンベンゾビスオキサゾール、及びｐ−ヒドロキシ安息香酸と６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸との共重合体の中から選ばれた少なくとも１つの種又は複数種を含むが、これに制限されない。本発明のその他の実施形態において、液晶ポリマー層１２１を形成するように、可溶性液晶ポリマー又はフィルム状液晶ポリマーを選択的に使用してよい。

従来のフィルム状液晶ポリマーは、射出成形（ｉｎｊｅｃｔｉｏｎｍｏｌｄｉｎｇ）によって液晶ポリマー層１２１を形成する。注意すべきなのは、この工程では、従来の液晶ポリマーをその融点である約３２０℃以上に加熱して溶融状態に形成させる必要があり、且つ射出成形された従来の液晶ポリマーは、その液晶分子の配列が特定の方向において等方性を有する。しかしながら、可溶性液晶ポリマーは、温度が４０℃〜１６０℃の環境でコーティング工程を行うことができる。この場合、可溶性液晶ポリマーの液晶分子は、ランダムに配列される。このため、可溶性液晶ポリマーにより形成された液晶ポリマー層１２１は、フィルム状液晶ポリマーにより形成された液晶ポリマー層１２１より工程加工時間及び設備コストをより減少することができ、且つ特定の方向において液晶ポリマー層は外部ストレスによる剥離（ｐｅｅｌｉｎｇ）又はクラック（ｃｒａｃｋ）が容易に発生しない。

高周波複合基板１００は、複数層の液晶ポリマー層１２１の間に挟まれ或いは金属層１１０と液晶ポリマー層１２１との間に挟まれる複数層の粘度を有する接着層１３０を更に含んでよい。本発明のある実施形態において、接着層１３０を構成する材料は、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーンゴム樹脂、パリレン系樹脂、液晶ポリマー、ビスマレイミド樹脂又はポリイミド樹脂、又はこれらの樹脂材料の少なくとも２種の混合物により製造されてよい。また、図１を参照されたい。接着層１３０は、金属層１１０と液晶ポリマー層１２１との間に位置してよい。これらの接着層１３０により、液晶ポリマー層１２１と金属層１１０とは、より優れた結合力を有することができる。しかし、説明する必要があるのは、高周波複合基板１００は、何れの接着層１３０も含まなくてもよく、即ち液晶ポリマー層１２１は直接高分子層１２２と金属層１１０との間に形成されてもよい。このため、本発明のある実施形態において、全ての接着層１３０を省略することができる。

本実施例の高周波複合基板１００は、回路基板の製造に用いられることができる。高周波複合基板１００における金属層１１０は回路基板における配線層であってよく、絶縁層構造１２０は回路基板における誘電体層とされてもよい。例えば、高周波複合基板１００は、フレキシブル銅張積層板（ＦｌｅｘＣｏｐｐｅｒＣｌａｄＬａｍｉｎａｔｅ；ＦＣＣＬ）である場合、可撓性を有するため、フレキシブル回路基板（ｆｌｅｘｉｂｌｅｃｉｒｃｕｉｔｂｏａｒｄ）の製造に使用されることができる。しかし、高周波複合基板１００は、銅箔基板（ＣｏｐｐｅｒＣｌａｄＬａｍｉｎａｔｅ；ＣＣＬ）であって且つ高分子層１２２がガラス強化樹脂（ｇｌａｓｓ−ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄｅｐｏｘｙ）である場合に、剛性（ｒｉｇｉｄ）を有するため、硬質回路基板（ｒｉｇｉｄｃｉｒｃｕｉｔｂｏａｒｄ）の製造に使用されることができる。硬質回路基板とは、印刷回路基板（ＰｒｉｎｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔＢｏａｒｄ；ＰＣＢ）を指してよい。

絶縁層構造１２０が例えば２〜４のような低い誘電率（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｃｏｎｓｔａｎｔ）を有する複数層の液晶ポリマー層１２１を含むため、高周波複合基板１００による静電容量を低下させ、或いは高周波複合基板１００により製造された回路基板による静電容量を減少することができる。上記静電容量は例えば寄生静電容量である。このように、抵抗遅延による悪影響を減少して、高周波回路の要求を満たすことができる。

特に、図１に示すような高周波複合基板１００において、金属層１１０が２層であり、液晶ポリマー層１２１も２層であるので、高周波複合基板１００は、両面回路基板（ｄｏｕｂｌｅｓｉｄｅｄｃｉｒｃｕｉｔｂｏａｒｄ）の製造に使用されることができる。しかしながら、その他の実施形態において、高周波複合基板１００における金属層１１０が１層のみであってよく、液晶ポリマー層１２１も１層であってもよいため、金属層１１０と液晶ポリマー層１２１との両者のそれぞれは２層以上に制限されず、高周波複合基板１００は片面回路基板（ｓｉｎｇｌｅｓｉｄｅｄｃｉｒｃｕｉｔｂｏａｒｄ）又は多層回路基板（ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒｃｉｒｃｕｉｔｂｏａｒｄ）によって決められる。なお、もう一度強調するのは、液晶ポリマー層１２１が直接高分子層１２２に形成され又は金属層１１０が直接液晶ポリマー層１２１に形成されてもよいため、図１におけるすべての接着層１３０を省略することができる。

注意すべきなのは、本実施形態における絶縁層構造１２０は、単独に形成されることができ、金属層をベースとする必要がなく、ひいては誘電体層又は絶縁層として使用するように直接製造することができる。つまり、高周波複合基板１００は、金属層１１０及び接着層１３０がない条件で、独立に成形されることができる。

図２を参照されたい。図２は、本発明の別の実施形態の高周波複合基板２００を開示する。高周波複合基板２００は、前記実施形態における高周波複合基板１００と類似する。例えば、高周波複合基板２００は、絶縁層構造２２０及び複数層（少なくとも２層）の金属層１１０を含む。しかしながら、高周波複合基板２００は、絶縁層構造２２０が複数層の液晶ポリマー層１２１を含むが、図１に示すような高分子層１２２を含まないことに、高周波複合基板１００と異なっている。これらの液晶ポリマー層１２１は、互いに繋がり、且つ金属層１１０の間に挟まれる。絶縁層構造２２０における液晶ポリマー層１２１の材料は、絶縁層構造１２０における液晶ポリマー層１２１と同様であってよい。金属層１１０の液晶ポリマー層１２１に接触する表面は、０．２ｕｍ〜５ｕｍの粗さを有する。このように、高周波複合基板２００は、図１に示すような接着層１３０を含まなくてもよい。また、高周波複合基板２００と１００との両者の同様な技術的特徴は、前記実施例に述べられたため、ここで繰り返して説明しない。

図３を参照されたい。高周波複合基板３００は、一層の金属層１１０及び絶縁層構造のみを含んでよい。この絶縁層構造は、金属層１１０に接触する一層の液晶ポリマー層１２１のみを含む。実際には、その他の実施例において、図３の絶縁層構造は、複数層の液晶ポリマー層１２１（図示せず）を含んでもよく、金属層１１０と液晶ポリマー層１２１との間に挟まれる高分子層１２２（図示せず）、又は高分子層與金属層１１０との間に挟まれる液晶ポリマー層１２１を更に含んでもよい。絶縁層構造（液晶ポリマー層１２１及び高分子層１２２）の厚みは、図１に示すような厚みＴ２１と同じであってよい。本発明のその他の実施例において、接着層１３０を金属層１１０と液晶ポリマー層１２１との間、又は液晶ポリマー層１２１と高分子層１２２との間、或いは金属層１１０と高分子層１２２との間に選択的に添加することができる。なお、図３の液晶ポリマー層１２１の厚みは、図１に示すような厚みＴ２１と同じであってよい。

また、図３の実施形態において、液晶ポリマー層１２１は、直接金属層１１０に形成されるが、その他の実施形態において、図４に示すような高周波複合基板４００のように、液晶ポリマー層１２１に一層の接着層１３０を選択的に形成することができ、液晶ポリマー層１２１を接着層１３０と金属層１１０との間に位置させる。図４を参照されたい。高周波複合基板４００は、金属層１１０及び絶縁層構造４２０を含む。絶縁層構造４２０は、液晶ポリマー層１２１に加えて、接着層１３０を更に含む。なお、図４の絶縁層構造４２０の厚みは、図１に示すような厚みＴ２１と同じであってよい。

図５を参照されたい。高周波複合基板５００は、少なくとも２層の金属層１１０及び絶縁層構造を備える。この絶縁層構造は、金属層１１０の間に挟まれる一層の液晶ポリマー層１２１のみを含む。

図６を参照されたい。本発明の別の実施形態によると、高周波複合基板６００は、少なくとも２層の金属層１１０及び絶縁層構造６２０を備える。この絶縁層構造６２０は、少なくとも２層の液晶ポリマー層１２１及び少なくとも２層の接着層１３０を備え、且つ金属層１１０の間に挟まれる。図６に示すような高周波複合基板６００の構造を形成するように、これらの接着層１３０は、互いに重なり合って、これらの液晶ポリマー層１２１の間に挟まれる。

図７を参照されたい。図７は、本発明の他の実施形態による高周波複合基板７００を示す構造である。高周波複合基板７００は、少なくとも２層の金属層１１０及び絶縁層構造７２０を備える。絶縁層構造７２０は、互いに積み重ねる複数の液晶ポリマー層１２１を含み、金属層１１０の間に挟まれる。本発明のその他の実施例によると、絶縁層構造７２０は、複数の高分子層１２２（図示せず）を選択的に含んでもよく、複数層の液晶ポリマー層１２１の上方、その間及び下方に設けられる。なお、絶縁層構造７２０は、金属層１１０と液晶ポリマー層１２１との間、又は液晶ポリマー層１２１と液晶ポリマー層１２１との間、又は金属層１１０と高分子層１２２との間、又は液晶ポリマー層１２１と高分子層１２２との間、或いは高分子層１２２と高分子層１２２との間に設けられる少なくとも１つの接着層１３０を更に含んでもよい。

図８を参照されたい。本発明の他の実施形態によると、高周波複合基板８００は、少なくとも２層の金属層１１０及び絶縁層構造８２０を含む。絶縁層構造８２０は、２層の液晶ポリマー層１２１及び２層の液晶ポリマー層１２１の間に挟まれる接着層１３０を含む。高周波複合基板８００を形成する構造は、図８に示すように、絶縁層構造８２０が金属層１１０の間に挟まれる。

図９を参照されたい。本発明の別の実施形態によると、高周波複合基板９００は、少なくとも２層の金属層１１０及び絶縁層構造９２０を含む。絶縁層構造９２０は、一層の液晶ポリマー層１２１及び一層の接着層１３０を含む。高周波複合基板９００を形成する構造は、図９に示すように、絶縁層構造９２０が金属層１１０の間に挟まれる。

図１０及び図１１は、本発明の別の実施形態による絶縁層構造を示す断面模式図である。図１０及び図１１を参照されたい。絶縁層構造は、高分子層１２２及び少なくとも２層の液晶ポリマー層１２１を含む。高分子層１２２は、液晶ポリマー層１２１の間に挟まれる。絶縁層構造は、液晶ポリマー層１２１と高分子層１２２との間に設けられて、液晶ポリマー層１２１と高分子層１２２を互いに接続する接着層１３０を更に含んでよい。具体的に、高周波複合基板を形成しようとすると、図１０及び図１１による絶縁層構造の上下にそれぞれ金属層又は業界ではよく知られている基板を形成し、絶縁層構造を金属層（又は基板）の間に挟ませる。なお、金属層（又は基板）と液晶ポリマー層１２１との間に挟まれる。更に、高周波複合基板を形成した後で後の加工工程（例えばリソグラフィ工程等）を行うように、絶縁層構造に加工工程（例えばドリル及び穴埋め工程）を行うことができ、且つ絶縁層構造に金属層（又は基板）を貼り合う。なお、絶縁層構造の厚みは、図１に示すような厚みＴ２１と同じであってよい。絶縁層構造は、金属基板（図示せず）を被覆するように、カバー層（ｃｏｖｅｒｌａｙｅｒ）としてもよい。その金属基板（図示せず）は、回路基板、例えばフレキシブル回路基板又は硬質回路基板であってよい。注意すべきなのは、以上で挙げた実施形態において、全ての接着層１３０を省略することができる。

以上のように、液晶ポリマー層として可溶性液晶ポリマーを使用し、可溶性の液晶ポリマーの融点が一定で、可塑性が高いため、製造する過程において、基材表面の凹陥を均一に埋め、後の工程に平坦な表面を提供し、回路は不均一なインターフェースによる粘り、押圧等の破損の発生を減少することができる。また、液晶ポリマーは低い誘電率（例えば２〜４）を有するため、液晶ポリマー層を含有する高周波複合基板を採用して回路基板を製造するのは、高周波回路の要求を満たすように、回路基板による静電容量（例えば寄生静電容量）を減少することができることで、抵抗遅延による悪影響を低下させ、更に現在のモバイルデバイス（例えば、スマートフォン及びタブレットコンピュータ）に適用することができる。

本発明では、実施形態を前述の通りに開示したが、上記は本発明の好ましい実施形態を示しただけであり、本発明を限定するためのものではなく、当業者なら誰でも、本発明の精神と範囲から逸脱しない限り、各種の均等な変更や修飾を行うことができる。変更例や修飾例は、本発明の保護範囲に属すべきであるため、本発明の保護範囲は、特許請求の範囲で指定した内容を基準とする。

１００、２００、３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００高周波複合基板
１１０金属層
１２０、２２０、４２０、６２０、７２０、８２０、９２０絶縁層構造
１２１液晶ポリマー層
１２２高分子層
１３０接着層
Ｔ１１、Ｔ２１厚み

Claims

金属層と、
前記金属層に接着される少なくとも１つの液晶ポリマー層を含む絶縁層構造と、
を備える高周波複合基板。
前記液晶ポリマー層は、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、γ−ブチロラクトン、ジメチルホルムアミド、２−ブトキシエタノール、又は２−エトキシエタノールに溶解可能な可溶性液晶ポリマーを含む請求項１に記載の高周波複合基板。
前記可溶性液晶ポリマーは、芳香族液晶ポリエステルである請求項２に記載の高周波複合基板。
前記可溶性液晶ポリマーは、液晶高分子及び芳香性高分子を含み、前記芳香性高分子は、芳香族ポリエステル、芳香族ポリアミド、ポリパラフェニレンテレフタルアミド、ポリ−ｐ−フェニレンベンゾビスオキサゾール、及びｐ−ヒドロキシ安息香酸と６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸との共重合体からなる群から選ばれる請求項２に記載の高周波複合基板。
前記可溶性液晶ポリマーにおける液晶高分子は、下記繰り返し単位構造を有し、

Ａｒは１，４−フェニレン（１，４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）、１，３−フェニレン（１，３−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）、２，６−ナフタレン（２，６−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ）、又は４、４’−ビフェニレン（４，４’−ｂｉｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）であってよく、ＹはＯ又はＮＨであってよく、ＺはＣ＝Ｏであり、且つＸはアミノ基、カルボキサミド基、イミド基、アミディノ基、アミノカルボニルアミノ基、アミノチオカルボニル基、アミノカルボニルオキシ基、アミノスルホニル基、アミノスルホニルオキシ基、アミノスルホニルアミノ基、カルボキシルエステル基、（カルボキシルエステル）アミノ基、（アルコキシカルボニル）オキシ基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシアミノ基、アルコキシアミノ基、シアナト基、イソシアナト基又はその組み合わせであってよい請求項４に記載の高周波複合基板。
前記絶縁層構造は、互いに積み重ねる複数の前記液晶ポリマー層を更に含む請求項１に記載の高周波複合基板。
前記絶縁層構造は、接着層を更に含み、前記液晶ポリマー層が前記金属層と前記接着層との間に挟まれる請求項１に記載の高周波複合基板。
前記接着層は、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーンゴム樹脂、パリレン系樹脂、液晶ポリマー、ビスマレイミド樹脂、ポリイミド樹脂及びその組み合わせからなる群から選ばれる請求項７に記載の高周波複合基板。
金属層と、
高分子層と、
前記高分子層と前記金属層との間に位置する少なくとも１つの液晶ポリマー層と、
を備える高周波複合基板。
前記液晶ポリマー層は、下記繰り返し単位を含む可溶性液晶ポリマーを含み、

Ａｒは１，４−フェニレン（１，４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）、１，３−フェニレン（１，３−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）、２，６−ナフタレン（２，６−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ）、又は４、４’−ビフェニレン（４，４’−ｂｉｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）であってよく、ＹはＯ又はＮＨであってよく、ＺはＣ＝Ｏであり、且つＸはアミノ基、カルボキサミド基、イミド基、アミディノ基、アミノカルボニルアミノ基、アミノチオカルボニル基、アミノカルボニルオキシ基、アミノスルホニル基、アミノスルホニルオキシ基、アミノスルホニルアミノ基、カルボキシルエステル基、（カルボキシルエステル）アミノ基、（アルコキシカルボニル）オキシ基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシアミノ基、アルコキシアミノ基、シアナト基、イソシアナト基又はその組み合わせである請求項９に記載の高周波複合基板。
前記可溶性液晶ポリマーは、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、γ−ブチロラクトン、ジメチルホルムアミド、２−ブトキシエタノール、又は２−エトキシエタノールに溶解することができる請求項９に記載の高周波複合基板。
前記可溶性液晶ポリマーは、液晶高分子及び芳香性高分子を含み、前記芳香性高分子は、芳香族ポリエステル、芳香族ポリアミド、ポリパラフェニレンテレフタルアミド、ポリ−ｐ−フェニレンベンゾビスオキサゾール、及びｐ−ヒドロキシ安息香酸と６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸との共重合体からなる群から選ばれる請求項１１に記載の高周波複合基板。
前記高分子層は、ポリイミド、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ＡＢＳプラスチック、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、シリコーン、ガラス繊維及びポリウレタンからなる群から選ばれる材料を含む請求項９に記載の高周波複合基板。
前記液晶ポリマー層と前記金属層との間に挟まれる接着層を更に含む請求項９に記載の高周波複合基板。
前記接着層は、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーンゴム樹脂、パリレン系樹脂、液晶ポリマー、ビスマレイミド樹脂及びポリイミド樹脂からなる群から選ばれる材料を含む請求項１４に記載の高周波複合基板。
少なくとも２つの金属層と、
前記２つの金属層の間に挟まれる複数の液晶ポリマー層を含む絶縁層構造と、
を備える高周波複合基板。
前記液晶ポリマー層は、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、γ−ブチロラクトン、ジメチルホルムアミド、２−ブトキシエタノール、又は２−エトキシエタノールに溶解可能な可溶性液晶ポリマーを含む請求項１６に記載の高周波複合基板。
溶媒と、
下記繰り返し単位を有する芳香族液晶ポリエステルと、
を含み、

Ａｒは１，４−フェニレン（１，４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）、１，３−フェニレン（１，３−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）、２，６−ナフタレン（２，６−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ）、又は４、４’−ビフェニレン（４，４’−ｂｉｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）であってよく、ＹはＯ又はＮＨであってよく、ＺはＣ＝Ｏであり、且つＸはアミノ基、カルボキサミド基、イミド基、アミディノ基、アミノカルボニルアミノ基、アミノチオカルボニル基、アミノカルボニルオキシ基、アミノスルホニル基、アミノスルホニルオキシ基、アミノスルホニルアミノ基、カルボキシルエステル基、（カルボキシルエステル）アミノ基、（アルコキシカルボニル）オキシ基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシアミノ基、アルコキシアミノ基、シアナト基、イソシアナト基、又はその組み合わせである液晶組成物。
前記溶媒は、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、γ−ブチロラクトン、ジメチルホルムアミド、２−ブトキシエタノール及び２−エトキシエタノールからなる群から選ばれる請求項１７に記載の液晶組成物。
前記芳香族液晶ポリエステルの重量パーセントは１ｗｔ％〜８５ｗｔ％であり、且つ前記溶媒の重量パーセントは１５ｗｔ％〜９９ｗｔ％である請求項１７に記載の液晶組成物。