JP2018533226A - 単層回路基板、多層回路基板及びそれらの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(例示1)
(例示2)
(例示3)
11 基材
12 基材の表面
13 導電種結晶層
131 イオン注入層
132 プラズマ堆積層
15 導体肉厚層
16 回路パターン層
161 回路領域
162 非回路領域
17 貫通穴
18 止まり穴
19 穴の壁
20 多層回路基板
21 金属箔
22 中間貼合層
23 表面貼合層
24 フォトレジスト膜
Claims (39)
- 基材上に止まり穴及び/または貫通穴を含む穴を穿孔するステップS1と、
前記基材の表面上に回路のネガパターンを有するフォトレジスト層を形成するステップS2と、
前記基材の表面及び前記穴の壁に導電種結晶層を形成するステップS3と、
前記基材の表面上に回路パターンを形成するように、前記フォトレジスト層を除去するステップS4と、を含み、
前記ステップS3は、前記導電種結晶層の少なくとも一部としてイオン注入層を形成するように、イオン注入によって導電材料を前記基材の表面の下方及び前記穴の壁の下方に注入することを含む、単層回路基板を製造する方法。 - 前記ステップS3は、プラズマ堆積層を形成するように、プラズマ堆積によって導電材料を前記イオン注入層の上方に堆積することをさらに含み、前記プラズマ堆積層及び前記イオン注入層が前記導電種結晶層を構成する、請求項1に記載の方法。
- 前記方法は、前記ステップS3の後且つ前記ステップS4の前に、前記導電種結晶層上に導体肉厚層を形成するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記フォトレジスト層を除去するステップは、剥離液を用いて前記フォトレジスト層を溶解することを含む、請求項1に記載の方法。
- 基材上に止まり穴及び/または貫通穴を含む穴を穿孔するステップS1と、
前記基材の表面及び前記穴の壁に導電種結晶層を形成するステップS2と、
前記基材の表面上に回路パターンを形成するステップS3と、を含み、
前記ステップS2は、前記導電種結晶層の少なくとも一部としてイオン注入層を形成するように、イオン注入によって導電材料を前記基材の表面の下方及び前記穴の壁の下方に注入することを含む、単層回路基板を製造する方法。 - 前記ステップS2は、プラズマ堆積層を形成するように、プラズマ堆積によって導電材料を前記イオン注入層の上方に堆積することをさらに含み、前記プラズマ堆積層及び前記イオン注入層が前記導電種結晶層を構成する、請求項5に記載の方法。
- 前記ステップS3は、先に前記導電種結晶層上に導体肉厚層を形成し、次に前記基材の表面の上方に位置する前記導体肉厚層上にパターンめっきまたはパネルめっきを行うことによって、前記回路パターンを得ることを含む、請求項5に記載の方法。
- 前記ステップS3は、前記基材の表面に形成された前記導電種結晶層上に直接にパターンめっきまたはパネルめっきを行うことによって、前記回路パターンを得ることを含む、請求項5に記載の方法。
- 前記基材は剛性板材または可撓性板材であって、前記剛性板材は有機高分子剛性板、セラミック板、ガラス板のうちの1種または多種を含み、前記有機高分子剛性板はLCP、PTFE、CTFE、FEP、PPE、合成ゴム板、ガラス繊維布/セラミックフィラー補強板のうちの1種または多種を含み、前記可撓性板材は有機高分子薄膜であり、PI、PTO、PC、PSU、PES、PPS、PS、PE、PP、PEI、PTFE、PEEK、PA、PET、PEN、LCP、またはPPAのうちの1種または多種を含む、請求項1〜8のいずれか1項に記載の方法。
- 前記イオン注入の期間に、前記導電材料のイオンは1−1000keVのエネルギーを与えられ、前記基材の表面の下方及び前記穴の壁の下方の1−500nmの深さまで注入されるとともに、前記基材と安定したドーピング構造を形成する、請求項1または5に記載の方法。
- 前記プラズマ堆積の期間に、前記導電材料のイオンは1−1000eVのエネルギーを与えられ、厚さが1−10000nmのプラズマ堆積層を形成する、請求項2または6に記載の方法。
- 前記導電種結晶層を構成する導電材料は、Ti、Cr、Ni、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo、Nb、及びそれらの間の合金のうちの1種または多種を含む、請求項1〜8のいずれか1項に記載の方法。
- めっき、無電解めっき、真空蒸着めっき、スパッタリングのうちの1種または多種によって、Al、Mn、Fe、Ti、Cr、Co、Ni、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo、Nb、及びそれらの間の合金のうちの1種または多種を用いて厚さが0.01−1000μmの前記導体肉厚層を形成する、請求項3または7に記載の方法。
- 止まり穴及び/または貫通穴を含む穴があけられた基材であって、前記穴の壁に導電種結晶層が形成された前記基材と、
前記基材の一部の表面上に形成された回路パターン層であって、前記基材の一部の表面に形成された導電種結晶層を含む、前記回路パターン層と、
を含み、
前記導電種結晶層は、前記基材の一部の表面の下方及び前記穴の壁の下方に注入されたイオン注入層を含む、
単層回路基板。 - 前記イオン注入層は前記基材の一部の表面の下方及び前記穴の壁の下方の1−500nmの深さに位置するとともに、前記基材と安定したドーピング構造を形成している、請求項14に記載の単層回路基板。
- 前記導電種結晶層は前記イオン注入層の上方に付着した、厚さが1−10000nmのプラズマ堆積層をさらに含む、請求項14に記載の単層回路基板。
- 前記導電種結晶層を構成する導電材料は、Ti、Cr、Ni、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo、Nb、及びそれらの間の合金のうちの1種または多種を含む、請求項14に記載の単層回路基板。
- 前記回路パターン層は、導電種結晶層の上方に位置する導体肉厚層をさらに含み、前記導体肉厚層は、厚さが0.01−1000μmであり、Al、Mn、Fe、Ti、Cr、Co、Ni、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo、Nb、及びそれらの間の合金のうちの1種または多種によって構成される、請求項14に記載の単層回路基板。
- 金属箔、中間貼合層、単層回路基板、中間貼合層、単層回路基板、・・・・、中間貼合層、金属箔の順で基板をマッチングして積層するステップS1と、
積層された多層基板上に貫通穴及び/または止まり穴を含む穴を穿孔するステップS2と、
前記穴の壁に導電種結晶層を形成するステップS3と、
回路パターンを形成するように、前記金属箔の一部を除去するステップS4と、を含み、
前記ステップS3は、前記導電種結晶層の少なくとも一部としてイオン注入層を形成するように、イオン注入によって導電材料を前記穴の壁の下方に注入することを含む、多層回路基板を製造する方法。 - 表面貼合層、単層回路基板、中間貼合層、単層回路基板、中間貼合層、単層回路基板、・・・・、表面貼合層の順で基板をマッチングして積層するステップS1と、
積層された多層基板上に貫通穴及び/または止まり穴を含む穴を穿孔するステップS2と、
前記表面貼合層の外面及び前記穴の壁に導電種結晶層を形成するステップS3と、
前記表面貼合層の外面に回路パターンを形成するステップS4と、を含み、
前記ステップS3は、前記導電種結晶層の少なくとも一部としてイオン注入層を形成するように、イオン注入によって導電材料を前記表面貼合層の外面の下方及び前記穴の壁の下方に注入することを含む、多層回路基板を製造する方法。 - 前記イオン注入の期間に、前記導電材料のイオンは1−1000keVのエネルギーを与えられ、前記穴の壁の下方及び/または前記表面貼合層の外面の下方の1−500nmの深さまで注入されるとともに、前記基材と安定したドーピング構造を形成する、請求項19または20に記載の方法。
- 前記ステップS3は、プラズマ堆積層を形成するように、プラズマ堆積によって導電材料を前記イオン注入層の上方に堆積することをさらに含み、前記プラズマ堆積層及び前記イオン注入層が前記導電種結晶層を構成する、請求項19または20に記載の方法。
- 前記プラズマ堆積の期間に、前記導電材料のイオンは1−1000eVのエネルギーを与えられ、厚さが1−10000nmの前記プラズマ堆積層を形成する、請求項22に記載の方法。
- 前記導電種結晶層を構成する導電材料は、Ti、Cr、Ni、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo、Nb、及びそれらの間の合金のうちの1種または多種を含む、請求項19または20に記載の方法。
- 前記ステップS3は、前記穴の壁に形成された前記導電種結晶層上に導体肉厚層を形成することをさらに含む、請求項19に記載の方法。
- 前記ステップS4は、先に前記導電種結晶層上に導体肉厚層を形成し、次に前記表面貼合層の外面の上方に位置する前記導体肉厚層上にパターンめっきまたはパネルめっきを行うことによって、前記回路パターンを得ることを含む、請求項20に記載の方法。
- めっき、無電解めっき、真空蒸着めっき、スパッタリングのうちの1種または多種によって、Al、Mn、Fe、Ti、Cr、Co、Ni、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo、Nb、及びそれらの間の合金のうちの1種または多種を用いて厚さが0.01−1000μmの前記導体肉厚層を形成する、請求項25または26に記載の方法。
- 前記ステップS4は、前記表面貼合層の外面に形成された前記導電種結晶層上に直接にパターンめっきまたはパネルめっきを行うことによって、前記回路パターンを得ることを含む、請求項20に記載の方法。
- 少なくとも1つの前記中間貼合層に穴があけられ、当該穴の壁に導電層が形成されている、請求項19または20に記載の方法。
- 少なくとも1つの前記単層回路基板に穴があけられ、当該穴の壁に導電層が形成されている、請求項19または20に記載の方法。
- 前記中間貼合層及び/または前記表面貼合層は、PP、PI、PTO、PC、PSU、PES、PPS、PS、PE、PEI、PTFE、PEEK、PA、PET、PEN、LCP、PPAのうちの1種または多種を含む、請求項19または20に記載の方法。
- 金属箔、中間貼合層、単層回路基板、中間貼合層、単層回路基板、・・・・、中間貼合層、金属箔の順で構成され、穴があけられ、前記穴の壁に導電種結晶層が形成されるとともに、回路パターン層を形成するように、前記金属箔の一部の領域が除去され、前記導電種結晶層は前記穴の壁の下方に注入されるイオン注入層を含む、多層回路基板。
- 表面貼合層、単層回路基板、中間貼合層、単層回路基板、・・・・、表面貼合層の順で構成され、穴があけられ、前記穴の壁に導電種結晶層が形成されるとともに、前記表面貼合層の一部の外面上に導電種結晶層を有する回路パターン層が形成され、前記導電種結晶層は前記穴の壁の下方及び前記表面貼合層の一部の外面の下方に注入されるイオン注入層を含む、多層回路基板。
- 前記イオン注入層は前記穴の壁の下方及び/または前記表面貼合層の一部の外面の下方の1−500nmの深さに位置するとともに、前記基材と安定したドーピング構造を形成している、請求項32または33に記載の多層回路基板。
- 前記導電種結晶層は前記イオン注入層の上方に付着した、厚さが1−10000nmのプラズマ堆積層をさらに含む、請求項32または33に記載の多層回路基板。
- 前記導電種結晶層を構成する導電材料は、Ti、Cr、Ni、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo、Nb、及びそれらの間の合金のうちの1種または多種を含む、請求項32または33に記載の多層回路基板。
- 前記導電種結晶層の上方に厚さが0.01−1000μmの導体肉厚層が形成されている、請求項32または33に記載の多層回路基板。
- 前記穴は多層回路基板を貫通する貫通穴、または前記多層回路基板の表面上に形成される止まり穴、あるいは前記単層回路基板または中間貼合層に形成される止まり穴である、請求項32または33に記載の多層回路基板。
- 前記中間貼合層及び/または前記表面貼合層は、PP、PI、PTO、PC、PSU、PES、PPS、PS、PE、PEI、PTFE、PEEK、PA、PET、PEN、LCP、PPAのうちの1種または多種を含む、請求項32または33に記載の多層回路基板。
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