KR20100072921A - 양면 연성회로기판의 제조방법 - Google Patents

양면 연성회로기판의 제조방법 Download PDF

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KR20100072921A
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Abstract

본 발명은 폴리이미드필름(Poly-imide Film) 또는 글라스에폭시필름(Glass Epoxy Film)의 전/후면 중 어느 한 면을 이온반응진공실과 스퍼터링진공실로 구성된 롤 투 롤(Roll to Roll) 타입의 물리진공증착(PVD) 장비의 이온반응진공실에서 이온반응처리하는 제1단계와, 상기 스퍼터링진공실에서 이온반응처리된 폴리이미드필름 또는 글라스에폭시필름 표면의 이온반응 처리면에 일괄연속공정(One Stop Process)으로 직접 동(Cu) 또는 동(Cu) 이상의 전기전도도를 갖는 전도성 금속 중 하나의 금속을 전기(전해)도금을 위해 스퍼터링 공법에 의해 0.2㎛ 이하의 전도성 금속 피막 종자층을 형성하는 제2단계와, 상기 폴리이미드필름 또는 글라스에폭시필름의 배면(전도성 금속 피막 종자층이 형성된 반대면)에 상기 제1단계와 같은 이온반응 처리 후, 스퍼터링 공법에 의해 0.2㎛ 이하의 전도성 금속 피막 종자층을 형성하는 제3단계, 및 상기 폴리이미드필름 또는 글라스에폭시필름의 양면인 전도성 금속 피막 종자층에 위에 미세회로 형성을 위한 도금두께로 전기(전해)도금을 실시하여 전기(전해)도금층을 형성하는 제4단계로 제조하는 양면 연성회로기판의 제조방법에 관한 것이다.
연성회로기판,폴리이미드필름,글라스에폭시필름,물리진공증착,스퍼터링

Description

양면 연성회로기판의 제조방법{Manufacturing method of double side flexible printed circuit board for fine pattern}
본 발명은 연성회로기판에 관한 것으로, 특히 폴리이미드필름 또는 글라스에폭시필름을 원자재로 이용하여 그 양면에 미세회로를 형성할 수 있도록 한 양면 연성회로기판의 제조방법에 관한 것이다.
회로기판(PCB:Printed Circuit Board)이라 함은 전기배선용 회로를 형성할 수 있도록 절연성 부도체 위에 도체금속을 접착한 회로기판과 그 도체금속 위에 회로를 형성한 회로형성기판을 통칭하여 일반적으로 회로기판이라 한다. 최근 전자제품이 급속히 경박단소화/다기능화/고밀도화 등 변화함에 따라 전자제품에 필요불가결한 회로기판 및 회로형성기술도 경성에서 연성으로, 단면에서 양면으로, 단층에서 다층으로, 미세화/고밀도화/고집적화/일체화/IC-Substrate Package화로 변화하는 추세에 있다.
종래의 양면 연성회로기판에는 캐스팅(Casting) 공법과 라미네이션(Lamination) 공법에 의한 양면 연성 2-Layer CCL(Copper Clad Laminate) 회로기판이 있다. 이는 기술위주의 제품이 아닌 장치산업의 제품이기 때문에 미국/일본/ 한국/대만/중국 등 다국에서 대량 생산하고 있어 회로기판시장 가격형성이 매우 어려운 실정에 있다.
해외수입의 양면 연성회로기판은 스퍼터링(Sputtering) 공법에 의한 기술위주의 제품으로 미국, 일본만이 생산하고, 일본제품이 세계 회로기판시장을 점유하고 있지만, 절연성의 폴리이미드필름 기판과 이 위에 접착한 전도성 금속의 도체부분간의 접착력 향상을 위해 크롬(Cr), 니켈(Ni) 또는 이들 합금(Cr-Ni Alloy)으로 접착력 향상을 기하였고, 일정하게 10㎛ 이상의 두께로 전기도금층까지 완비한 회로기판으로 다음과 같은 많은 문제를 갖고 있다.
해외수입의 양면 연성회로기판은 수입가격이 지나치게 고가이고, 적기 조달이 매우 어렵고, 기업제품기술 및 상거래 계획 등 전략이 노출될 우려가 크고, 일정한 전기도금층까지 완비된 회로기판으로 도체부분의 두께가 10㎛ 이상으로 고밀도 미세회로를 형성할 수 없는 치명적 문제를 갖고 있을 뿐만 아니라, 제조방법에 있어서도, 열과 약품에 강하고, 절연성이 우수한 고분자유기화합물로 구성된 폴리이미드필름에 스퍼터링(Sputtering) 공법으로 적층할 금속과 필름간의 접착력(Peel Strength) 향상을 위해 크롬(Cr), 니켈(Ni) 또는 크롬-니켈합금(Nichrome Alloy) 피막 종자층(Nickle and chrome or nickle-chrome alloy metal seed layer by sputtered on poly-imide film for peel strength)을 형성하고, 그 위에 전기(전해)도금을 위한 전도성 동(Cu) 피막 종자층(Copper seed layer by sputter on nickel and chrome seed layer for electro-plating)을 형성한 후, 그 위에 전기 동(Cu) 도금한 3-4층 구조의 양면 연성회로기판으로 전자제품 및 회로형성 기술추 세에 부응한 미세회로 형성이 불가한 문제를 갖고 있어서, 고밀도화된 우수부품 소재생산이 불가하여 국내 전자제품생산업체나 회로형성업체들이 기술적 어려움에 처해 있는 실정이다.
현재 전자제품이 경박단소화/고기능화/고다층화/고밀도화/고집적화/일체화/IC-Substrate Package화 등으로 급속히 변화함에 따라 전자회로기판 제조기술도 이에 부응하려면, 먼저 회로기판의 동(Cu) 박판 두께를 아주 얇게 하여 회로형성 공정 중 하나인 에칭(Etching)공정 특성에 맞춘 고밀도 미세회로기판이 제조되어야만 동일기판 내 더 많은 고밀도 미세회로를 형성할 수 있고, 다층 고밀도 미세회로 형성 및 IC-Package 화 등 전자제품과 회로기판 및 회로형성 기술추세에 부응할 수 있다.
아래 [표 1]의 "연성회로기판의 제품기술동향"과 [표 2]의 "전자제품의 핵심 반도체 패키지의 변화추세"를 예로 전자제품에 필수불가결한 회로기판 및 회로형성기술추세를 살펴보기로 한다.
Figure 112008088026758-PAT00001
위 [표 1]의 "연성회로기판 제품기술동향"에서 제품종류를 살펴보면, 기판위에 도체층을 형성한 회로기판이 단면(S/S)에서 양면(D/S), 경성 다층화(MLB/RPCB), Embedded Passive화, Embedded Active화가 출현함과 함께 향후 Flexible Semiconductor Circuit화로 발전하고, 소형화/굴곡화하는 추세임을 알 수 있다.
제품기술, 즉 회로기판 및 회로형성 기술을 살펴보면, 회로간격이 향후 30㎛이하로 좁아지기를 필요로 하고, 회로기판의 도체부분이 더욱 얇아져서, 회로형성 공정중 에칭(Etching)특성에 부합해야 회로간격 25㎛이하의 고밀도 미세회로를 형성할 수 있다. 현재로서는 다층회로기판은 4층 회로기판에서 14층 이상 회로기판을 실현해야 하는데, 단위면적에 보다 많은 회로를 형성할 수 있어서, 고밀도 미세회로형성기술이 실현되면 저층(두께가 얇아 짐) 회로기판으로도 전자제품의 다기능화, 고기능화, 고밀도화 및 IC-Substrate Package화에 충족할 수 있다.
제조방식을 살펴보면, 회로의 원자재가 경성(硬性)인 절연성 글라스 에폭시 판재로서 Sheet type, In-line 제조방식에서 연성의 절연성 고분자유기화합물로 구성한 필름으로 변하면서 Roll Type, Roll to Roll 제조방식으로 변화하여 제품 생산성 향상을 기하고, 가격도 고가에서 저가로 돌입하고 있음을 알 수 있다.
Figure 112008088026758-PAT00002
위 [표 2]의 "전자제품의 핵심 반도체 패키지의 변화추세"를 통해 반도체 Package의 변화를 살펴보면, 경박단소화/첨단화 추세로 크게는 Peripheral에서 Area Array로 변화하면서 전자제품의 기술변화추세가 다층화/고기능화/고밀도화/첨단화/IC-Package화로 변화하고 있어, 반도체와 각종 회로기판과의 결합연결로의 복합화 시대에 돌입함을 나타내고 있다.
한편, 리드프레임 시대를 종식하고, 새로운 양면 연성 다층화 FPCB(Flexible PC Board) 및 FMLB(Flexible Multi Layer Board) 시대에 돌입하였음을 보여 주고 있다. 따라서 경성(Rigid)/연성(Flexible)/다층(Multi Layer Board)/IC-Substrate Package 및 CSP/LOC/MCM/WSP/COB/DCA등으로 대폭 확대추세임을 알 수 있다.
CSP/LOC/MCM/WSP/COB/DCA 등의 확대는 통신기기, MP3, 디지털, 가전제품, 위성방송기기의 소형 박형화의 차세대 회로기판 수요가 증가할 것으로 예상되고 있다. 이러한 제품기술동향에 따라 회로기판도 단위면적 당 더 많은 회로를 형성할 수 있고, 전자제품의 경박단소화/굴곡화/고밀도화/첨단화에 부응할 수 있는 (다층)미세회로형성기판을 가진 양면 연성회로기판이 절실하게 요구되고 있다는 사실을 알 수 있다.
상기한 해외수입의 양면 연성회로기판과 종래의 단면/양면 연성 2-Layer CCL 회로기판을 회로기판 및 회로형성기술추세에 비추어 볼 때 다음과 같은 많은 문제점을 갖고있다.
(1) 일정한 두께의 전기도금층이 완비된 해외수입의 양면 연성회로기판의 도체 두께가 10㎛ 이상으로 회로형성공정 중 하나인 에칭(Etching) 특성상 도체 부분의 상/하부의 에칭량 차이로 역삼각형으로 부식함으로 회로폭 및 간격을 보다 좁게 줄일 방법이 없어서 고밀도 미세회로형성이 불가한 문제점이 있다.
(2) 후술할 본 발명의 양면 연성회로기판과 종래 해외수입의 양면 연성회로기판을 비교해 보면, 해외수입의 양면 연성회로기판은 스퍼터링(Sputtering) 공법을 이용하여 폴리이미드필름의 상/하면 위에 스퍼터링 공법으로 크롬(Cr), 니켈(Ni) 또는 니켈(Ni)-크롬(Cr) 합금을 사용하여 폴리이미드필름과 적층 금속간의 접착력 향상(Nickle and chrome or nickel-chrome alloy layer by sputtered on poly-imide film for peel strength)을 위한 피막 종자층을 형성하고, 그 위에 전기(전해)도금을 위한 전도성 동(Cu) 피막 종자층(copper Layer by sputtered on nickel-chrome seed layer by sputtering for electro-plating)을 적층형성 후, 전기(전해)동(Cu) 도금한 것으로서 기판 도체구성이 크롬, 니켈 또는 크롬-니켈합금 층 구조를 갖고 있기 때문에 크롬(Cr), 니켈(Ni) 또는 크롬-니켈합금 피막 종자층 없이, 전도성 금속 피막 종자층인 동(Cu) 피막만으로 구성된 본 발명에 비해 기판제조공급업체의 공급자나 전자제품생산업체나 회로형성업체의 소비자가 공히 생산성 향상을 기할 수 없고, 회로형성 공정중 하나인 에칭(부식/박리)하는 작업시간이 많이 소요될 뿐만 아니라 에칭약품 추가가 불가피하여 제조원가 및 제조경비 상승요인의 문제점을 갖고 있다.
(3) 다층 회로기판을 제조함에 있어서, 해외수입의 양면 연성회로기판의 도체 구성이 니켈(Ni), 크롬(Cr) 또는 니켈-크롬합금 피막 종자층과 그 위에 동(Cu) 피막 종자층을 형성하고, 그 위에 일정 두께의 전기(전해)동(Cu) 도금한 기판으로서 빛으로 구성된 레이저는 금속에 닿으면 반사하는 특성 때문에 레이저 홀 가공이 불가하고, 홀이 3중으로 중첩된 3중 스택 비아 홀(3-Layer Stack Via Hole) 가공이 불가한 문제점이 있다.
(4) 다층 회로기판을 제조함에 있어서, 해외수입의 양면 연성회로기판은 절연체 물질로 구성된 각종 홀 내부 벽면을 공해산업의 대표로 지적되는 무전해 화학도금 처리가 불가피한 문제점이 있다.
(5) 다층 회로형성기판을 제조함에 있어서, 해외수입의 양면 연성회로기판은 전자제품생산업체나 회로형성업체측에서는 종래의 빌드업(Build up), 세미어디티브(Semi-additive) 방식의 23단계 공정의 다층 미세회로형성기판을 제조할 수밖에 다른 방법이 없는 치명적 문제점이 있다.
(6) 종래의 단면/양면 연성 2-Layer CCL 회로기판은 앞면/뒷면에 접착한 12㎛ 이상의 동(Cu) 박판(Copper Foil) 접착방법이 서로 다른 캐스팅(Casting) 공법과 라미네이션(Lamination) 공법으로 제조되고, 라미네이션 공법은 고가의 해외수입의 폴리이미드필름과 폴리이미드바니시를 요하고, 여기에 앞면은 캐스팅 공법, 뒷면은 라미네이션 공법으로 제조해야 하므로 두 대의 설비가 필요하여 제조원가 상승 요인이 있고, 한국/일본/대만/중국 등이 생산하고 있어서 기판 시장가격 형성이 매우 어려운 문제점이 있다.
(7) 종래의 양면 연성 2-Layer CCL 회로기판은 앞면의 캐스팅 공법에 의한 동(Cu) 박판의 접착력에 비해 뒷면의 라미네이션 공법에 의한 동(Cu) 박판의 접착력이 국제회로협회(IPC) 기준이하로 월등히 낮아서 양면 회로기판으로서 기능을 상실하는 문제점이 있다.
(8) 종래의 양면 연성 2-Layer CCL 회로기판과 해외수입의 양면 연성회로기판은 다층 회로형성기판을 제조함에 있어서, 에칭(Etching) 특성상 상부에 비하여 바닥부분은 에칭량이 적어서 미 에칭부분이 발생하게 되어 홀 하단부의 쇼트불량을 발생으로 전자제품 클레임 유발 우려의 문제점이 있다.
본 발명은 해외수입의 양면 연성회로기판과 종래 다국생산의 양면 연성 2- Layer CCL 회로기판의 제반문제를 해결하고, 제품품질, 제조원가. 경비절감과 생산성 향상등 획기적인 가격경쟁력을 확보할 수 있도록 발명된 양면 연성회로기판의 제조방법에 관한 것으로 아래와 같은 기술적 과제 달성 목적이 있다.
(1) 해외수입의 양면 연성회로기판의 도체부분은 크롬(Cr), 니켈(Ni) 또는 크롬-니켈합금(Alloy Metal)으로 형성된 접착력 향상 피막 종자층으로 구성되어 있으나 본 발명은 피막 종자층 없이, 직접 동(Cu) 피막만으로 도체를 구성하여 전도성 금속간의 접착력 향상 기술을 제공하는데 제1목적이 있다.
(2) 해외수입의 양면 연성회로기판과 종래 다국생산의 양면 연성 2-Layer CCL 회로기판은 획일적으로 일정한 10㎛ 이상 또는 12㎛ 이상의 도체 두께가 두꺼워 미세회로 형성이 불가한 기판임에 반하여 본 발명은 0.2㎛ 이하의 전도성 금속 피막 종자층 위에 미세회로 형성에 적정한 도금 두께를 산출하여 임의로 도금두께를 조절할 수 있는 고밀도 미세회로형성 제조기술 제공에 제2목적이 있다.
(3) 상기한 제조공법과 제품구성을 달리 차별화함으로서 공급자인 기판제조공급업체는 동(銅,Cu)보다 월등히 고가인 크롬(Cr),니켈(Ni) 또는 크롬-니켈 합금(Cr-Ni Alloy)이 필요없기 때문에 제조원가, 경비절감 및 생산성 향상을 기할 수 있을 뿐만 아니라 소비자인 전자제품생산업체나 회로형성업체는 회로형성을 위한 에칭(Etching) 공정시간을 대폭 단축할 수 있어서 생산성 향상과 크롬/니켈 박리를 위한 에칭 약품의 추가 필요성이 없어 공급자와 소비자가 모두 함께 가격경쟁력을 확보할 수 있는 제조기술을 제공하는데 제3목적이 있다.
(4) 물리진공증착(PVD) 방식 중에서 스퍼터링(Sputtering) 공법을 응용하여 피막 종자층 두께 0.2㎛ 이하의 동(Cu) 피막만을 적층하고, 미세회로형성에 적합한 전기(전해)도금 두께를 산출하여 실시함으로써 라인/스페이스(Line/Space)를 대폭 넓게 할 수 있어서 고밀도 미세회로 및 다층 미세회로 형성에 필요한 설계자유도의 폭을 확대하는데 제4목적이 있다.
(5) 다층회로기판 제조방법에 있어서, 해외수입의 양면 연성회로기판과 종래 다국생산의 양면 연성 2-Layer CCL 회로기판은 금속에 닿으면 반사하는 레이저로 가공해야만 하는 아주 작은 비아 홀(Via Hole)과 홀이 3중 중첩된 3중 스택 비아 홀(3-Layer Stack Via Hole)가공이 불가한 치명적 문제를 해결할 수 있는 기술제공에 제5목적이 있다.
(6) 다층회로기판 제조방법에 있어서, 동(Cu) 도금층까지 완비된 해외수입의 양면 연성회로기판이나, 종래 다국생산의 양면 연성 2-Layer CCL 회로기판 위에 가공된 홀 내부 벽면이 절연체인 폴리이미드필름으로 구성되어 있어서 통전이 불가하기 때문에 전기도금이 불가하여 공해산업의 대표로 지적되고 있는 무전해 화학도금이 불가피한데, 본 발명은 폴리이미드필름 표면과 홀 내부 벽면을 전도성 금속 중 하나의 금속만을 선택하여 일괄연속공정(One Stop Process)으로 국제회로협회(IPC) 기준 이상의 접착력 향상 처리기술을 제공하는데 제6목적이 있다.
(7) 해외수입의 양면 연성회로기판과 종래 다국생산의 양면 연성 2-Layer CCL 회로기판의 가공 홀의 내부 벽면은 무전해 화학도금이 불가피한바, 이는 복잡한 6단계의 공정을 거쳐야하고 동시에 공해산업의 대표로 지적되는 공정으로 FTA 비관세시대를 맞이하여 향후 Green PCB 인증제도(RoHS)가 수출장벽으로 확대되어 수출제한 조치될 경우를 대비하여 본 발명은 무공해 친환경공법인 스퍼터링(Sputtering) 공법을 응용하여 사전 대비할 수 있는 기술을 제공하는데 제7목적이 있다.
(8) 종래의 다층회로기판 제조에 있어서, 레이저 홀은 12㎛ 이상의 동(Cu) 박판위에 감광성 드라이필름을 부착한 후, 그 위에 레이저 비아 홀 규격마스터를 올려놓고, 마스킹/UV노광/현상/에칭(Etching)하여 소위 윈도 홀 가공처리가 불가피한 문제를 해결하기 위하여 본 발명은 폴리이미드필름 위에 직접 레이저 가공의 비아 홀, 3중 중첩된 3중 스택 비아 홀(3-Stack Via Hole) 가공기술을 제공하는데 제8목적이 있다.
(1) 상술한 본 발명의 목적은 폴리이미드필름(Poly-imide Film) 또는 글라스에폭시필름(Glass Epoxy Film)의 전/후면 중 어느 한 면을 이온반응진공실과 스퍼터링진공실로 구성된 롤 투 롤(Roll to Roll) 타입의 물리진공증착(PVD) 장비의 이온반응진공실에서 이온반응처리하는 제1단계와, 상기 스퍼터링진공실에서 이온반응처리된 폴리이미드필름 또는 글라스에폭시필름 표면의 이온반응 처리면에 일괄연속공정(One Stop Process)으로 직접 동(Cu) 또는 동(Cu) 이상의 전기전도도를 갖는 전도성 금속 중 하나의 금속을 전기(전해)도금을 위해 스퍼터링 공법에 의해 0.2㎛ 이하의 전도성 금속 피막 종자층을 형성하는 제2단계와, 상기 폴리이미드필름 또는 글라스에폭시필름의 배면(전도성 금속 피막 종자층이 형성된 반대면)에 상기 제1단계와 같은 이온반응 처리 후, 스퍼터링 공법에 의해 0.2㎛ 이하의 전도성 금속 피막 종자층을 형성하는 제3단계, 및 상기 폴리이미드필름 또는 글라스에폭시필름의 양면인 전도성 금속 피막 종자층에 위에 미세회로 형성을 위한 도금두께로 전기(전해)도금을 실시하여 전기(전해)도금층을 형성하는 제4단계로 제조하는 양면 연성회로기판의 제조방법에 의해 달성된다.
(2) 또한 본 발명의 목적은 폴리이미드필름(Poly-imide Film) 또는 글라스에폭시필름(Glass Epoxy Film)의 전/후면 중 어느 한 면을 이온반응진공실과 스퍼터링진공실로 구성된 롤 투 롤(Roll to Roll) 타입의 물리진공증착(PVD) 장비의 이온반응진공실에서 이온반응처리하는 제1단계와, 상기 스퍼터링진공실에서 이온반응처리된 폴리이미드필름 또는 글라스에폭시필름 표면의 이온반응 처리면에 일괄연속공정(One Stop Process)으로 직접 동(Cu) 또는 동(Cu) 이상의 전기전도도를 갖는 전도성 금속 중 하나의 금속을 전기(전해)도금을 위해 스퍼터링 공법에 의해 0.2㎛ 이하의 전도성 금속 피막 종자층을 형성하는 제2단계와, 상기 폴리이미드필름 또는 글라스에폭시필름의 배면(전도성 금속 피막 종자층이 형성된 반대면)에 상기 제1단계와 같은 이온반응 처리 후, 스퍼터링 공법에 의해 0.2㎛ 이하의 전도성 금속 피막 종자층을 형성하는 제3단계와, 상기 폴리이미드필름 또는 글라스에폭시필름의 양면인 전도성 금속 피막 종자층에 위에 미세회로 형성을 위한 도금두께로 전기(전해)도금을 실시하여 전기(전해)도금층을 형성하는 제4단계와, 상기 전도성 금속 피 막 종자층에 위에 또는 전기(전해)도금층 위에 감광성 드라이필름(DFR)을 접착한 후, 미세회로 규격 마스터를 상기 감광성 드라이필름(DFR) 위에 올려놓고 마스킹, UV노광(Exposure), 현상 후에 불필요한 전도성 금속 피막 종자층 또는 전기(전해)도금층을 에칭(Etching) 제거하여 미세회로만을 형성한 다음에 감광성 드라이필름을 제거하는 제5단계, 및 동(Cu) 또는 동(Cu) 이상의 전기전도도를 갖는 전도성 금속 중 하나의 금속을 미세회로 규격 마스터에 의해 형성된 미세회로에만 도금되는 전기(전해)패턴도금을 실시하는 제6단계로 제조하는 양면 연성회로기판의 제조방법에 의해 달성된다.
(3) 상술한 본 발명의 양면 연성회로기판의 제조방법 (2)에 있어서, 상기 제1단계는 상기 폴리이미드필름 또는 글라스에폭시필름의 표면에 관통 홀(PTH), 밑막힘 홀(BVH), 비아 홀(Via Hole), 및 3중 스택 비아홀(3-Layer Stack Via Hole)을 가공한 후에 상기 폴리이미드필름 또는 글라스에폭시필름의 표면과 홀의 내부 벽면을 이온반응처리하는 것을 특징으로 한다.
(4) 상술한 본 발명의 양면 연성회로기판의 제조방법 (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 있어서, 상기 물리진공증착(PVD) 장비의 이온반응진공실에는 이온반응을 위한 이온주입장치를 설치하는 한편 작업진공도는 10-3 내지 10-5 Torr로 하고, 스퍼터링진공실에는 폴리이미드필름 또는 글라스에폭시필름의 폭 보다 큰 전도성 금속 타켓(Target)을 캐소드(Cathode)에 부착하되, 폴리이미드필름 또는 글라스에폭시필름의 표면과 대향되게 부착하는 한편, 작업진공도는 10-3 내지 10-6 Torr로 하여 이온 을 자유롭게 조절할 수 있도록 설치하고, 스퍼터링 가스는 헬륨, 네온, 아르곤, 크립톤 또는 크세논을 사용하고, 스퍼터링 방법은 DC 또는 RF Magnetron법, 이온 빔 스퍼터링방법, ECR 스퍼터링방법, 컨벤셔널 RF 스퍼터링방법 또는 컨벤셔널 DC 스퍼터링방법을 사용한 것을 특징으로 한다.
(5) 상술한 본 발명의 양면 연성회로기판의 제조방법 (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 있어서, 상기 미세회로 형성을 위한 도금두께는 8㎛ 이하인 것을 특징으로 한다.
(6) 상술한 본 발명의 양면 연성회로기판의 제조방법 (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 있어서, 상기 동(Cu) 이상의 전기전도도를 갖는 전도성 금속은 니켈, 금 또는 니켈-금 합금인 것을 특징으로 한다.
(1) 상술한 본 발명에 의하면, 내열성,내약품성에 강하여 전자회로 및 기판의 신축성 변화가 비교적 없는 폴리이미드필름(Poly-imide Film)으로 구성된 회로기판을 이온반응처리한 후, 일괄연속공정으로 스퍼터링(Sputtering) 함으로서 국제회로협회(IPC) 기준이상의 접착력(Peel Strength)을 획기적으로 향상시키는 기술효과가 있다.
(2) 양면 연성회로기판의 제조에 있어서, 미세회로 형성이 가능한 양면 연성회로기판과 맞춤주문방식의 미세회로를 형성할 양면 연성회로기판은 홀 가공 없이, 각종 홀과 미세회로를 형성할 양면 연성회로기판은 각종 홀을 가공 후, 해외수입의 양면 연성회로기판의 구성과 차별화하여 접착력 향상을 위한 피막 종자층 없이, 직 접 동(Cu) 또는 동(Cu) 이상의 전기 전도도를 갖는 전도성 금속 중 하나의 금속만을 선택하여 0.2㎛ 이하의 얇은 전도성 금속 피막 종자층 형성 후에 또는 미세회로형성에 적합한 도금두께를 산출하여 전기(전해)도금 후에 각각 그 위에 감광성 드라이필름을 부착하고, 미세회로 마스터를 올려놓고 마스킹, UV노광, 현상 후, 에칭하여 미세회로외의 불필요한 전도성 금속 피막 종자층 또는 전기(전해)도금층을 제거하여 미세회로만을 형성하고, 감광성 드라이필름을 제거하여 그 위에 패턴도금을 실시하는 맞춤주문방식의 미세회로가 형성된 양면 연성회로기판 및 각종 홀과 미세회로가 형성된 다층의 양면 연성회로기판은 물론 동일 면적에 보다 많은 회로형성이 가능하도록 하여 고밀도 회로형성에 절대적으로 필요한 설계자유도의 폭(Line/Space)을 넓게 확보할 수 있는 기술효과가 있다.
(3) 미세회로 형성이 가능한 양면 연성회로기판과 맞춤주문방식의 미세회로가 형성된 양면 연성회로기판 및 각종 홀과 미세회로가 형성된 양면 연성회로기판을 제조함에 있어서, 미세회로만을 형성하고, 그 위에 패턴도금을 실시함으로써 제조원가를 대폭 절감할 수 있는 기술효과가 있다.
(4) 양면 연성 다층회로형성에 있어서, 3중 스택 비아 홀(3-Layer Stack Via Hole)을 전기(전해)도금으로 메워 미세회로 설계자유도의 폭(Line/Space)을 크게 넓힐 수 있을 뿐만 아니라, 홀이 차지하는 불필요한 공간을 최소화할 수 있고, 비아 홀 위에 직접 부품소자를 실장 할 수 있어 기판의 공간 활용이 매우 우수하며, 3중 스택 비아 홀(3-Layer Stack Via Hole) 가공 기술을 가능하게 하는 기술효과가 있다.
(5) 종래 양면 연성 2-Layer CCL 회로기판으로 다층회로기판을 제조할 경우, 에칭(Etching)하는 공정 중에 발생하는 회로 하단부의 언더 컷(Under Cut)으로 인한 회로 쇼트불량을 본 발명에 의해 방지할 수 있어 전자제품의 클레임을 사전 방지하는 기술효과가 있다.
(6) 자유무역협정(FTA)의 비관세시대를 맞아 자국 산업보호차원의 수출장벽으로 강화되어 가는 Green PCB 인증제도(RoHS)하에서 친환경적인 스퍼터링(Sputtering) 공법을 이용함으로서 환경오염을 야기하고, 공정이 복잡한 무전해 화학도금공정을 완전 탈피하여 수출장벽을 사전 대비할 수 있는 기술효과가 있다.
(7) 본 발명의 미세회로형성공정에서 보는 바와 같이 해외수입의 연성회로기판과 달리, 차별화된 제조방법과 기판구성으로 크롬, 니켈 또는 크롬-니켈 합금의 접착력 향상을 위한 전도성 금속 피막 종자층 없이, 직접 동(Cu) 피막 종자층 형성이 가능할 뿐만아니라, 홀 내부 벽면과 회로형성 부분만을 전기(전해)패턴도금이 가능하여 불필요한 전도성 금속을 절약할 수 있어, 제조원가를 낮출 수 있는 미세회로형성 제조 기술효과가 있다.
이하, 본 발명의 기술구성을 첨부한 도면을 이용하여 상세하게 기술하기로 한다.
도 1은 본 발명의 양면 연성회로기판의 구조 및 제조방법을 나타내는 도면으로서, (A)는 이온반응처리된 회로기판의 폴리이미드필름 또는 글라스에폭시필름 구조로서, 폴리이미드필름 또는 글라스에폭시필름의 표면을 물리진공증착(PVD) 장비 의 이온반응진공실에서 이온반응처리한 폴리이미드필름 또는 글라스에폭시필름의 구조를 나타내고 있다.
(B)는 (A)의 이온반응 처리면에 전도성 금속 피막 종자층을 형성한 단면 연성회로기판으로서, 물리진공증착(PVD) 장비의 스퍼터링진공실에서 접착력 향상을 위한 피막 종자층 없이, 직접 동(Cu) 또는 동(Cu)이상의 전기전도도를 갖는 전도성 금속 중 하나의 금속만을 선택하여 전기(전해)도금을 위한 피막 종자층을 형성한 단면 연성회로기판의 구조를 나타낸 도면이다.
(C)는 스퍼터링진공실에서 (B)의 단면 연성회로기판의 배면(폴리이미드필름 또는 글라스에폭시필름의 배면)에 동(Cu) 피막만으로 전도성 금속 피막 종자층을 구성한 전기(전해)도금 전 단계의 양면 연성회로기판의 구조로서, 물리진공증착(PVD) 장비의 스퍼터링진공실에서 (B)의 단면 연성회로기판의 배면에 접착력 향상 피막 종자층 없이, 동(Cu) 피막만으로 전도성 금속 피막 종자층을 구성한 전기(전해)도금 전단계의 양면 연성회로기판의 구조를 나타낸 도면이다.
(D)는 (C)의 피막 종자층에 고밀도 미세회로 형성을 위한 전기(전해)도금층까지 구비한 양면 연성회로기판의 완성구조를 나타낸 도면이다.
종래 해외수입의 양면 연성회로기판은 일정 두께의 전기도금층까지 완비된 회로기판으로서 절연성 기판은 폴리이미드필름으로, 도체구성은 폴리이미드필름과 도체금속 간의 접착력 향상을 위해 크롬(Cr), 니켈(Ni) 또는 크롬-니켈 합금과 그 위에 전기도금층을 위한 전도성 금속인 동(Cu)으로 구성한 3-4층 구조의 기판이며, 이 위에 전기 동(Cu) 도금한 것을 특징으로 한 양면 연성회로기판으로서 도체두께 가 일정하게 10㎛이상으로 미세회로형성에 부적합한 많은 문제점을 갖고 있다.
따라서 본 발명은 국내에서는 아직 생산하지 못하고, 해외수입에 의존하고 있는 스퍼터링(Sputtering) 방식의 상기 양면 연성회로기판의 제반문제를 해결하고, 나아가 해외수입의 연성회로기판의 제조방법과 도체구성을 차별화하여 공급자인 회로기판공급업체와 소비자인 전자제품생산업체나 회로형성업체가 함께 제조원가와 경비절감 및 생산성향상을 기할 수 있도록 하여 가격 경쟁력을 확보할 수 있게 하고, 한편 맞춤주문의 고밀도 미세회로형성 및 다층 고밀도 미세회로기판을 공급받을 수 있도록 한 것으로, 기판의 도체구성을 동(Cu) 또는 동(Cu) 이상의 전기전도도를 갖는 전도성 금속 중 하나의 금속만을 선택하여 0.2㎛ 이하로 두께를 구성하고 미세회로형성이 가능한 도금두께를 산출하여 전기(전해)동(Cu) 도금을 조절 실시함으로써 공급자인 회로기판공급업체와 소비자인 전자제품생산업체나 회로형성업체가 함께 제조원가와 경비절감 및 생산성향상을 기할 수 있어 가격경쟁력확보가 가능하도록 하였고, 전자제품생산업체나 회로형성업체가 미세회로형성은 물론, 나아가 맞춤주문방식으로 회로기판공급업체로부터 미세회로 형성이 가능한 양면 연성회로기판과 맞춤주문방식의 미세회로가 형성된 양면 연성회로기판 및 각종 홀과 미세회로가 형성된 양면 연성회로기판을 제공받을 수 있도록 한 것을 특징으로 한 새로운 개념의 양면 연성회로기판의 제조방법에 관한 것이다.
상술한 본 발명의 양면 연성회로기판은 도 1의 (A)와 같은 내열성,내약품성이 우수한 폴리이미드필름(Poly-imide Film) 또는 글라스에폭시필름(Glass Epoxy Film)을 원자재로 하여 다음과 같은 제조방법에 의해 제조된다.
기판제조공급업체는 제1단계로 이온반응진공실과 스퍼터링진공실로 구성된 롤 투 롤(Roll to Roll) 타입의 물리진공증착(PVD) 장비의 감기롤(Winding Roll), 안내롤(Guide Roll), 되감기롤(Rewinding Roll)에 내열성,내약품성이 우수한 폴리이미드필름(Poly-imide Film) 또는 글라스에폭시필름(Glass Epoxy Film)(1)을 장착한 후, 작업진공도를 10-3 내지 10-5 Torr로 이온을 자유롭게 조절할 수 있도록 장치하고, 원자재 물성에 적합한 이온반응을 위한 이온주입장치를 설치한 이온반응진공실에서 상기 폴리이미드필름(Poly-imide Film) 또는 글라스에폭시필름(Glass Epoxy Film)의 전/후면 중 어느 한 면을 도 1의 (A)와 같이 이온반응처리한다.
이어서 제2단계로 상기 폴리이미드필름(Poly-imide Film) 또는 글라스에폭시필름(Glass Epoxy Film)의 폭 보다 큰 폭의 전도성 금속 타켓(Target)이 부착된 캐소드(Cathode)와 가스주입장치가 설치된 스퍼터링진공실에서 이온반응처리된 폴리이미드필름 또는 글라스에폭시필름(1)의 표면이 전도성 금속 타켓(Target)과 대향토록 설치하고, 작업진공도를 10-3 내지 10-6 Torr로 이온을 자유롭게 조절할 수 있도록 설치하고, 스퍼터링 가스는 헬륨, 네온, 아르곤, 크립톤 또는 크세논을 사용하고, 스퍼터링 방법은 DC 또는 RF Magnetron법, 이온 빔 스퍼터링방법, ECR 스퍼터링방법, 컨벤셔널 RF 스퍼터링방법 또는 컨벤셔널 DC 스퍼터링방법을 사용하여 일괄연속공정(One Stop Process)으로 종래 접착력(Peel Strength) 향상을 위한 크롬(Cr), 니켈(Ni), 또는 크롬-니켈 합금(Nickel-chrome Alloy)의 피막 종자층(Nickel and chrome or nickel-chrome alloy metal seed layer by sputtering for peel strength)을 형성하지 않고 폴리이미드필름 또는 글라스에폭시필름(1) 표면의 이온반응 처리면(2)에 직접 동(Cu) 또는 동(Cu) 이상의 전기전도도를 갖는 전도성 금속(니켈, 금 또는 니켈-금 합금) 중 하나의 금속을 전기(전해)도금을 위해 스퍼터링 공법에 의해 0.2㎛ 이하의 전도성 금속 피막 종자층(3)을 도 1의 (B)와 같이 형성한다.
제3단계로 이렇게 전도성 금속 피막 종자층(3)이 형성된 폴리이미드필름 또는 글라스에폭시필름(1)을 롤 투 롤(Roll to Roll) 타입의 물리진공증착(PVD) 장비의 롤(Roll) 면에 전도성 금속 피막 종자층을 붙여 되감아 장착하여 노출된 폴리이미드필름 또는 글라스에폭시필름(1)의 배면(전도성 금속 피막 종자층이 형성된 반대면)에 상기 제1단계와 같은 이온반응처리 후, 스퍼터링 공법에 의해 도 1의 (B)와 같은 0.2㎛ 이하의 전도성 금속 피막 종자층(3)을 도 1의 (C)와 같이 형성한다.
제4단계로 도 1의 (C)처럼 전도성 금속 피막 종자층(3)이 형성된 양면에 동(Cu) 또는 동(Cu) 이상의 전기전도도를 갖는 전도성 금속 중 하나의 금속만을 선택하여 고밀도 미세회로형성에 적정한 전기(전해)도금두께(예를 들면, 폴리이미드필름 또는 글라스에폭시필름 위의 도체두께 8㎛ 이하)를 산출하여 도 1의 (D)와 같이 전기(전해)도금을 실시하여 전기(전해)도금층(4)을 형성함으로써 미세회로형성이 가능한 양면 연성회로기판을 제조한다.
이와 같이 제조된 양면 연성회로기판을 기판제조공급업체는 소비자인 전자제품생산업체나 회로형성업체에 제조공급함으로써 전자제품생산업체나 회로형성업체가 필요에 따라 양면 연성회로기판의 양면 중 어느 한 면 또는 양면 모두를 미세회 로 형성을 위한 미세회로기판으로 사용할 수 있는 것이다.
그리고 전자제품생산업체나 회로형성업체는 상기한 양면 연성회로기판의 양면의 8㎛이하의 전기(전해)도금층(4)에 직접 미세회로를 형성할 수도 있지만, 미세회로의 형성을 위해 기판제조공급업체에게 형성하고자 하는 미세회로 규격마스터를 제공하여 맞춤주문방식으로 아래와 같이 제조되는 미세회로가 형성된 양면 연성회로기판을 공급받을 수도 있다.
상술한 미세회로형성이 가능한 양면 연성회로기판의 제조방법의 제1단계 내지 제4단계에 이어서 다음과 같은 제5단계와 제6단계를 수행한다.
제5단계로 상기 전도성 금속 피막 종자층(3) 위에 또는 전기(전해)도금층(4) 위에 감광성 드라이필름(DFR)을 접착한 후, 전자제품생산업체나 회로형성업체로부터 제공받은 미세회로 규격마스터를 상기 감광성 드라이필름(DFR) 위에 올려놓고 마스킹, UV노광(Exposure), 현상 후에 불필요한 전도성 금속 피막 종자층(3) 또는 전기(전해)도금층(4)을 에칭(Etching) 제거하여 미세회로만을 형성한 다음에 감광성 드라이필름을 제거한다.
이후, 제6단계로 동(Cu) 또는 동(Cu) 이상의 전기전도도를 갖는 전도성 금속 중 하나의 금속(니켈,금,니켈-금 합금)을 미세회로 규격마스터에 의해 형성된 미세회로에만 도금되는 전기(전해)패턴도금을 실시하여 미세회로가 형성된 양면 연성회로기판을 제조한다.
이렇게 미세회로가 형성된 양면 연성회로기판의 생산 로뜨(Lot)별로 미세회로기판 표면의 전도성 금속(전기(전해)도금층)의 접착력 시험을 실시하여 합격된 제품과 불합격품을 선별하여 통과된 미세회로기판 위에 보호필름(Cover-lay Film)을 부착한 후에 전자제품생산업체나 회로형성업체에 제공한다.
한편, 상기와 같이 제조된 양면 연성회로기판을 다층 회로기판으로 제작하기 위해서는 다층기판간의 연결,결합,통전,땜 및 칩 실장 등에 필요불가결한 각종 홀이 필요한데, 전자제품생산업체나 회로형성업체는 각종 홀을 가공하기 위한 펀치(Punch) 또는 씨앤씨(CNC) 드릴과 레이저 드릴 및 미세회로를 형성하기 위한 미세회로 및 홀 규격마스터를 이용하여 아래와 같이 직접 각종 홀을 가공하고 미세회로를 형성할 수도 있지만 기판제조공급업체에게 형성하고자 하는 미세회로 및 홀 규격마스터를 제공하여 맞춤주문방식으로 각종 홀이 가공되고 미세회로가 형성된 양면 연성회로기판을 공급받을 수 있다.
상기 미세회로가 형성된 양면 연성회로기판의 제1단계의 이온반응처리전에 먼저 폴리이미드필름 또는 글라스에폭시필름(1)의 표면에 미세회로기판에 필요불가결한 펀치(Punch) 또는 씨앤씨(CNC) 드릴로 관통 홀(PTH)을 가공하고, 레이저 드릴로 밑막힘 홀(BVH), 비아 홀(Via Hole)과 홀이 3중 중첩된 3중 스택 비아홀(3-Layer Stack Via Hole)을 가공 한 후에 상기 폴리이미드필름 또는 글라스에폭시필름(1)의 표면과 홀의 내부 벽면을 이온반응처리 한다.
이후, 동일하게 상기 미세회로가 형성된 양면 연성회로기판의 제2,3,4,5,6단계의 공정을 거쳐 각종 홀과 미세회로가 형성된 양면 연성회로기판을 제조한다.
이렇게 각종 홀이 가공되고 미세회로가 형성되어 제조된 양면 연성회로기판의 생산 로뜨(Lot)별로 각종 홀의 내부 벽면이나 미세회로 표면의 전도성 금속(전 기(전해)도금층)의 접착력 시험을 실시하여 합격된 제품과 불합격품을 선별하여 통과된 미세회로기판 위에 보호필름(Cover-lay Film)을 부착한 후에 전자제품생산업체나 회로형성업체에 공급한다.
전자제품생산업체 또는 회로형성업체는 공급받은 각종 홀이 가공되고 미세회로가 형성된 양면 연성회로기판 중에서 중심기판을 중심으로 그 위/아래로 순서에 따라 기판을 적층(쌓아올림)하여 양면 연성회로기판을 다층으로 제조할 수 있다.
이상 기술한 바와 같이 본 발명은 기판제조공급업체가 폴리이미드필름 또는 글라스에폭시필름을 이용하여 전자제품생산업체나 회로형성업체에게 미세회로의 형성이 가능한 양면 연성회로기판을 공급하거나 또는 미세회로가 형성되거나 또는 각종 홀과 미세회로가 형성된 양면 연성회로기판을 공급하면 기판제조공급업체, 전자제품생산업체, 회로형성업체 모두 제조원가와 경비를 절감할 수 있고, 나아가 생산성 향상을 기할 수 있어 가격경쟁력을 갖출 수 있게 된다.
더욱 상세하게는 본 발명의 양면 연성회로기판은 종래 해외수입의 양면 연성회로기판과 달리 폴리이미드필름 또는 글라스에폭시필름과 전도성 금속 피막 종자층 간의 접착력 향상을 위한 크롬, 니켈 또는 크롬-니켈 합금 피막 종자층의 형성없이, 직접 동(Cu) 또는 동(Cu) 이상의 전기전도도를 갖는 전도성 금속중 하나의 금속만을 선택하여 피막 종자층을 형성함으로써 종래 해외수입의 양면 연성회로기판에 비하여 공급자인 기판제조공급업체는 제조원가, 경비절감, 가격경쟁력 확보는 물론 3분의 2이상의 생산성 향상을 기할 수 있고, 또한 소비자인 전자제품생산업체나 회로형성업체도 회로형성공정 중 하나인 에칭(Etching/부식/박리)공정에서 크 롬,니켈을 에칭할 필요가 없고, 보다 연한 전도성 금속인 동(Cu)만을 에칭하기 때문에 회로형성 속도를 향상시킬 수 있고, 크롬/니켈 에칭약품의 추가 필요성이 없기 때문에 공급자와 소비자가 모두 함께 제조원가와 경비절감, 생산성향상을 통한 가격경쟁력을 확보할 수 있어 공급자와 소비자가 모두 함께 이익을 창출 할 수 있도록 새로운 개념에서 발명된 것이다.
본 발명은 기판시장에서 종래 해외수입의 회로기판 보다 선호도가 높아 질것이 분명하고, 미세회로형성이 불가한 종래 해외수입의 양면 연성회로기판보다 저렴하고도 미세회로형성이 가능하고, 품질/가격/생산성 면에서 차별우위를 확보하였을 뿐만 아니라, 전자제품생산업체나 회로형성업체가 기판공급업체로부터 맞춤주문방식으로도 미세회로가 형성되거나 또는 각종 홀과 미세회로가 형성된 양면 연성회로기판을 제공받을 수 있도록 한 것이다.
도 1은 본 발명의 양면 연성회로기판의 구조도로서,
(A)는 폴리이미드필름 또는 글라스에폭시필름의 표면을 물리진공증착(PVD) 방식에 의해 이온반응처리한 구조도이고,
(B)는 (A)의 이온반응 처리면에 스퍼터링(Sputtering) 공법에 의해 0.2㎛ 이하의 전도성금속 피막 종자층을 형성한 구조도이며,
(C)는 (B)의 폴리이미드필름 또는 글라스에폭시필름의 배면에 스퍼터링(Sputtering) 공법에 의해 0.2㎛ 이하의 전도성금속 피막 종자층을 형성한 구조도이며,
(D)는 (C)의 전도성 금속 피막 종자층에 미세회로 형성을 위한 5-6㎛ 이하의 전기(전해)도금층을 형성한 구조도이다.
** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 **
1: 폴리이미드필름 또는 글라스에폭시필름
2: 이온반응 처리면
3: 전도성 금속 피막 종자층
4 : 전기(전해)도금층

Claims (6)

  1. 폴리이미드필름(Poly-imide Film) 또는 글라스에폭시필름(Glass Epoxy Film)의 전/후면 중 어느 한 면을 이온반응진공실과 스퍼터링진공실로 구성된 롤 투 롤(Roll to Roll) 타입의 물리진공증착(PVD) 장비의 이온반응진공실에서 이온반응처리하는 제1단계와,
    상기 스퍼터링진공실에서 이온반응처리된 폴리이미드필름 또는 글라스에폭시필름 표면의 이온반응 처리면에 일괄연속공정(One Stop Process)으로 직접 동(Cu) 또는 동(Cu) 이상의 전기전도도를 갖는 전도성 금속 중 하나의 금속을 전기(전해)도금을 위해 스퍼터링 공법에 의해 0.2㎛ 이하의 전도성 금속 피막 종자층을 형성하는 제2단계와,
    상기 폴리이미드필름 또는 글라스에폭시필름의 배면(전도성 금속 피막 종자층이 형성된 반대면)에 상기 제1단계와 같은 이온반응처리 후, 스퍼터링 공법에 의해 0.2㎛ 이하의 전도성 금속 피막 종자층을 형성하는 제3단계, 및
    상기 폴리이미드필름 또는 글라스에폭시필름의 양면인 전도성 금속 피막 종자층에 위에 미세회로 형성을 위한 도금두께로 전기(전해)도금을 실시하여 전기(전해)도금층을 형성하는 제4단계로 제조하는 것을 특징으로 하는 양면 연성회로기판의 제조방법.
  2. 폴리이미드필름(Poly-imide Film) 또는 글라스에폭시필름(Glass Epoxy Film) 의 전/후면 중 어느 한 면을 이온반응진공실과 스퍼터링진공실로 구성된 롤 투 롤(Roll to Roll) 타입의 물리진공증착(PVD) 장비의 이온반응진공실에서 이온반응처리하는 제1단계와,
    상기 스퍼터링진공실에서 이온반응처리된 폴리이미드필름 또는 글라스에폭시필름 표면의 이온반응 처리면에 일괄연속공정(One Stop Process)으로 직접 동(Cu) 또는 동(Cu) 이상의 전기전도도를 갖는 전도성 금속 중 하나의 금속을 전기(전해)도금을 위해 스퍼터링 공법에 의해 0.2㎛ 이하의 전도성 금속 피막 종자층을 형성하는 제2단계와,
    상기 폴리이미드필름 또는 글라스에폭시필름의 배면(전도성 금속 피막 종자층이 형성된 반대면)에 상기 제1단계와 같은 이온반응처리 후, 스퍼터링 공법에 의해 0.2㎛ 이하의 전도성 금속 피막 종자층을 형성하는 제3단계와,
    상기 폴리이미드필름 또는 글라스에폭시필름의 양면인 전도성 금속 피막 종자층에 위에 미세회로 형성을 위한 도금 두께로 전기(전해)도금을 실시하여 전기(전해)도금층을 형성하는 제4단계와,
    상기 전도성 금속 피막 종자층 위에 또는 전기(전해)도금층 위에 감광성 드라이필름(DFR)을 접착한 후, 미세회로 규격 마스터를 상기 감광성 드라이필름(DFR) 위에 올려놓고 마스킹, UV노광(Exposure), 현상 후에 불필요한 전도성 금속 피막 종자층 또는 전기(전해)도금층을 에칭(Etching) 제거하여 미세회로만을 형성한 다음에 감광성 드라이필름을 제거하는 제5단계, 및
    동(Cu) 또는 동(Cu) 이상의 전기전도도를 갖는 전도성 금속 중 하나의 금속 을 미세회로 규격 마스터에 의해 형성된 미세회로에만 도금되는 전기(전해)패턴도금을 실시하는 제6단계로 제조하는 것을 특징으로 하는 양면 연성회로기판의 제조방법.
  3. 청구항 2에 있어서, 상기 제1단계는 상기 폴리이미드필름 또는 글라스에폭시필름의 표면에 관통 홀(PTH), 밑막힘 홀(BVH), 비아 홀(Via Hole), 및 3중 스택 비아홀(3-Layer Stack Via Hole)을 가공한 후에 상기 폴리이미드필름 또는 글라스에폭시필름의 표면과 홀의 내부 벽면을 이온반응처리하는 것을 특징으로 하는 양면 연성회로기판의 제조방법.
  4. 청구항 1 내지 3항중 어느 한 항에 있어서, 상기 물리진공증착(PVD) 장비의 이온반응진공실에는 이온반응을 위한 이온주입장치를 설치하는 한편 작업진공도는 10-3 내지 10-5 Torr로 하고, 스퍼터링진공실에는 폴리이미드필름 또는 글라스에폭시필름의 폭보다 큰 전도성 금속 타켓(Target)을 캐소드(Cathode)에 부착하되, 폴리이미드필름 또는 글라스에폭시필름의 표면과 대향되게 부착하는 한편, 작업진공도는 10-3 내지 10-6 Torr로 하여 이온을 자유롭게 조절할 수 있도록 설치하고, 스퍼터링 가스는 헬륨, 네온, 아르곤, 크립톤 또는 크세논을 사용하고, 스퍼터링 방법은 DC 또는 RF Magnetron법, 이온 빔 스퍼터링방법, ECR 스퍼터링방법, 컨벤셔널 RF 스퍼터링방법 또는 컨벤셔널 DC 스퍼터링방법을 사용한 것을 특징으로 하는 양면 연성회로기판의 제조방법.
  5. 청구항 1 내지 3항중 어느 한 항에 있어서, 상기 미세회로 형성을 위한 도금두께는 8㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 양면 연성회로기판의 제조방법.
  6. 청구항 1 내지 3항중 어느 한 항에 있어서, 상기 동(Cu) 이상의 전기전도도를 갖는 전도성 금속은 니켈, 금 또는 니켈-금 합금인 것을 특징으로 하는 양면 연성회로기판의 제조방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101469614B1 (ko) * 2013-08-30 2014-12-05 한국생산기술연구원 양면 연성회로기판의 금속회로패턴 형성방법
CN110072345A (zh) * 2019-04-17 2019-07-30 深圳市隽美泰和电子科技有限公司 一种柔性线路板精密线路的加成法制作工艺
US11809077B2 (en) 2020-07-30 2023-11-07 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoresist compositions and pattern formation methods

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