JP2018157022A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2018157022A5
JP2018157022A5 JP2017051414A JP2017051414A JP2018157022A5 JP 2018157022 A5 JP2018157022 A5 JP 2018157022A5 JP 2017051414 A JP2017051414 A JP 2017051414A JP 2017051414 A JP2017051414 A JP 2017051414A JP 2018157022 A5 JP2018157022 A5 JP 2018157022A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
insulating film
face
semiconductor device
element region
stripe
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017051414A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2018157022A (ja
JP6815237B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2017051414A priority Critical patent/JP6815237B2/ja
Priority claimed from JP2017051414A external-priority patent/JP6815237B2/ja
Priority to US15/837,387 priority patent/US10756029B2/en
Publication of JP2018157022A publication Critical patent/JP2018157022A/ja
Publication of JP2018157022A5 publication Critical patent/JP2018157022A5/ja
Priority to US16/895,837 priority patent/US11031357B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6815237B2 publication Critical patent/JP6815237B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

JP2017051414A 2017-03-16 2017-03-16 半導体装置 Active JP6815237B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017051414A JP6815237B2 (ja) 2017-03-16 2017-03-16 半導体装置
US15/837,387 US10756029B2 (en) 2017-03-16 2017-12-11 Semiconductor device
US16/895,837 US11031357B2 (en) 2017-03-16 2020-06-08 Semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017051414A JP6815237B2 (ja) 2017-03-16 2017-03-16 半導体装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2018157022A JP2018157022A (ja) 2018-10-04
JP2018157022A5 true JP2018157022A5 (https=) 2019-07-18
JP6815237B2 JP6815237B2 (ja) 2021-01-20

Family

ID=63520377

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017051414A Active JP6815237B2 (ja) 2017-03-16 2017-03-16 半導体装置

Country Status (2)

Country Link
US (2) US10756029B2 (https=)
JP (1) JP6815237B2 (https=)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7443097B2 (ja) * 2020-03-09 2024-03-05 キオクシア株式会社 半導体ウェハおよび半導体チップ
JP6851557B1 (ja) 2020-05-25 2021-03-31 三菱電機株式会社 半導体装置、および、半導体装置の製造方法
JP7638197B2 (ja) * 2021-11-19 2025-03-03 三菱電機株式会社 半導体ウエハおよび半導体ウエハの製造方法
FR3131799B1 (fr) * 2022-01-10 2024-12-20 St Microelectronics Crolles 2 Sas Procédé de fabrication de circuits intégrés à partir d’une plaquette en substrat semiconducteur
US12224248B2 (en) * 2022-03-07 2025-02-11 SanDisk Technologies, Inc. Semiconductor wafer and semiconductor dies formed therefrom including grooves along long edges of the semiconductor dies

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61251147A (ja) * 1985-04-30 1986-11-08 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体ウエハのチツプ分割方法
JPS6424442A (en) * 1987-07-20 1989-01-26 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor wafer
JP2777426B2 (ja) * 1989-10-16 1998-07-16 三洋電機株式会社 半導体装置の製造方法
JPH04251960A (ja) * 1991-01-09 1992-09-08 Fujitsu Ltd 半導体ウエハおよび半導体装置の製造方法
JP2776457B2 (ja) 1992-12-29 1998-07-16 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 半導体デバイスのクラックストップ形成方法及び半導体デバイス
JPH06275713A (ja) 1993-03-19 1994-09-30 Hitachi Ltd 半導体ウエハおよび半導体チップならびにダイシング方法
JP2008053559A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2008085278A (ja) * 2006-09-29 2008-04-10 Ricoh Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP5507118B2 (ja) * 2009-05-20 2014-05-28 富士電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP5625558B2 (ja) * 2010-02-22 2014-11-19 サンケン電気株式会社 半導体ウェハ、及び半導体装置の製造方法
JP2011243859A (ja) * 2010-05-20 2011-12-01 Renesas Electronics Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP5633992B2 (ja) * 2010-06-11 2014-12-03 トヨタ自動車株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2013012652A (ja) 2011-06-30 2013-01-17 Fuji Electric Co Ltd 逆阻止絶縁ゲート型バイポーラトランジスタとその製造方法
JP6063629B2 (ja) * 2012-03-12 2017-01-18 ローム株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
US8907408B2 (en) * 2012-03-26 2014-12-09 Infineon Technologies Austria Ag Stress-reduced field-effect semiconductor device and method for forming therefor
JP2014138143A (ja) * 2013-01-18 2014-07-28 Toyota Motor Corp 半導体装置の製造方法、半導体ウエハ、及び、半導体装置
JP6135528B2 (ja) * 2014-01-31 2017-05-31 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP6299412B2 (ja) 2014-05-15 2018-03-28 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP6274968B2 (ja) * 2014-05-16 2018-02-07 ローム株式会社 半導体装置
JP6589278B2 (ja) 2015-01-16 2019-10-16 富士電機株式会社 半導体素子および半導体素子の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10026809B1 (en) Semiconductor device
JP5772987B2 (ja) 半導体装置とその製造方法
JP2018157022A5 (https=)
KR102159926B1 (ko) 전계 효과 트렌지스터 및 그 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치
TWI678807B (zh) 半導體裝置
US9026977B2 (en) Power rail layout for dense standard cell library
US20170117411A1 (en) Semiconductor device and method of fabricating the same
JP2015065420A5 (https=)
US20170271340A1 (en) Semiconductor devices
JP6666671B2 (ja) 半導体装置
JP2016541114A5 (ja) 半導体構造、集積回路構造、及びそれらの製造方法
JP5775268B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
KR20190029942A (ko) 수직 채널을 가지는 반도체 소자 및 그 제조 방법
JP2018137324A5 (https=)
KR102760141B1 (ko) 수직 전계 효과 트랜지스터 및 핀형 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 집적 회로 장치 및 그 제조 방법
JP2011086941A5 (https=)
JP2019165093A (ja) 半導体記憶装置およびその製造方法
WO2016139727A1 (ja) 半導体記憶装置及びその製造方法
JP5856545B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP5247014B2 (ja) ５チャネルのフィントランジスタ及びその製造方法
KR102741402B1 (ko) 수직형 반도체 소자
JP6528594B2 (ja) 半導体装置
TWI708342B (zh) 半導體結構及其製造方法以及半導體元件的終端區結構
JP2020004936A5 (https=)
CN105633157B (zh) 半导体器件及其制造方法