JP2017224765A - 電子部品 - Google Patents

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Abstract

【課題】より大きなインダクタンス値を得ることができる電子部品を提供することである。
【解決手段】本発明に係る電子部品は、第１のインダクタ導体層、第２のインダクタ導体層、接続導体層及び第１の絶縁体層の組が積層方向に複数組並んでおり、同じ組に含まれる第１のインダクタ導体層の第１の重複部と第２のインダクタ導体層の第２の重複部との間には、第１の絶縁体層が設けられており、接続導体層は、積層方向において第１の絶縁体層と同じ位置に設けられ、かつ、同じ組に含まれる第１の非重複部と第２の非重複部とを電気的に接続しており、積層方向に隣り合う２つの組の内の積層方向の他方側に位置する組に含まれる第２の重複部と、積層方向に隣り合う２つの組の内の積層方向の一方側に位置する組に含まれる第１の重複部とは、物理的に接続されていること、を特徴とする。
【選択図】図２

Description

本発明は、電子部品、特に、インダクタを備えた電子部品に関する。
従来の電子部品に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載の積層インダクタが知られている。図９は、特許文献１に記載の積層インダクタ５００の分解斜視図である。
積層インダクタ５００は、積層体５１２及びインダクタ５１１を備えている。積層体５１２は、複数のフェライトシート５１６が積層された構造を有している。インダクタ５１１は、内部電極５１８ａ，５１８ｂ・・・，５１９ａ，５１９ｂ・・・が接続されることにより、螺旋状をなしている。内部電極５１８ａ，５１８ｂ・・・，５１９ａ，５１９ｂ・・・は、フェライトシート５１６上に設けられており、上側から見たときに、一部が切り欠かれた長方形状をなしている。これにより、内部電極５１８ａ，５１８ｂ・・・，５１９ａ，５１９ｂ・・・は、反時計回り方向に巻く形状をなし、約１周分の長さを有している。そして、内部電極５１８ａ，５１８ｂ・・・と内部電極５１９ａ，５１９ｂ・・・とは、上下方向に交互に並んでいる。以下では、内部電極５１８ａ，５１８ｂ・・・，５１９ａ，５１９ｂ・・・の反時計回り方向の上流側の端部を上流端と呼び、下流側の端部を下流端と呼ぶ。
内部電極５１８ａ，５１８ｂ・・・の下流端が内部電極５１８ａ，５１８ｂ・・・に囲まれた領域内に向かって折れ曲がっている。内部電極５１９ａ，５１９ｂ・・・の上流端が内部電極５１９ａ，５１９ｂ・・・に囲まれた領域内に向かって折れ曲がっている。そして、内部電極５１８ａの下流端と内部電極５１９ａの上流端とが接続されている。内部電極５１８ｂの下流端と内部電極５１９ｂの上流端とが接続されている。また、内部電極５１９ａの下流端と内部電極５１８ｂの上流端とが接続されている。これにより、内部電極５１８ａ，５１９ａ，５１８ｂ，５１９ｂが直列に接続されている。また、内部電極５１８ｃ以降及び内部電極５１９ｃ以降についても内部電極５１８ａ，５１８ｂ，５１９ａ，５１９ｂ・・・と同様に接続されている。これにより、螺旋状のインダクタ５１１が構成されている。
特開２００１−４４０３６号公報
ところで、特許文献１に記載の積層インダクタ５００では、インダクタンス値を大きくすることが難しい。より詳細には、前記の通り、内部電極５１８ａ，５１８ｂの下流端が内部電極５１８ａ，５１８ｂに囲まれた領域内に向かって折れ曲がっている。内部電極５１９ａ，５１９ｂの上流端が内部電極５１９ａ，５１９ｂに囲まれた領域内に向かって折れ曲がっている。そのため、内部電極５１８ａ，５１８ｂの下流端及び内部電極５１９ａ，５１９ｂの上流端が、上側から見たときに、インダクタ５１１に囲まれた領域内に位置してしまう。その結果、内部電極５１８ａ，５１８ｂの下流端及び内部電極５１９ａ，５１９ｂの上流端が、インダクタ５１１が発生した磁束を妨げてしまう。その結果、積層インダクタ５００では、大きなインダクタンス値を得ることが難しい。
そこで、本発明の目的は、より大きなインダクタンス値を得ることができる電子部品を提供することである。
本発明の一形態である電子部品は、第１の絶縁体層を含む複数の絶縁体層が積層方向に積層された構造を有する積層体と、前記積層体に設けられているインダクタと、を備えており、前記インダクタは、前記積層方向から見たときに、互いに重なり合うことにより環状の軌道を形成している複数の第１のインダクタ導体層、複数の第２のインダクタ導体層及び複数の接続導体層を、含んでおり、前記第１のインダクタ導体層は、前記積層方向から見たときに、前記第２のインダクタ導体層と重なる第１の重複部と、前記第２のインダクタ導体層から所定方向回りの下流側にはみ出す第１の非重複部と、を有しており、前記第２のインダクタ導体層は、前記第１のインダクタ導体層に対して前記積層方向の一方側に設けられており、かつ、該積層方向から見たときに、前記第１のインダクタ導体層と重なる第２の重複部と、前記第１のインダクタ導体層から前記所定方向回りの上流側にはみ出す第２の非重複部と、を有しており、前記第１のインダクタ導体層、前記第２のインダクタ導体層、前記接続導体層及び前記第１の絶縁体層の組が前記積層方向に複数組並んでおり、同じ組に含まれる前記第１のインダクタ導体層の前記第１の重複部と前記第２のインダクタ導体層の前記第２の重複部との間には、前記第１の絶縁体層が設けられており、前記接続導体は、前記積層方向において前記第１の絶縁体層と同じ位置に設けられ、かつ、同じ組に含まれる前記第１のインダクタ導体層の前記第１の非重複部と前記第２のインダクタ導体層の前記第２の非重複部とを電気的に接続しており、前記積層方向に隣り合う２つの組の内の前記積層方向の他方側に位置する組に含まれる前記第２のインダクタ導体層の前記第２の重複部の少なくとも一部と、該積層方向に隣り合う２つの組の内の該積層方向の一方側に位置する組に含まれる前記第１のインダクタ導体層の前記第１の重複部の少なくとも一部とは、物理的に接続されている、又は、導体を介して接続されていること、を特徴とする。
本発明によれば、より大きなインダクタンス値を得ることができる。
電子部品１０，１０ａ〜１０ｃの外観斜視図である。 電子部品１０の積層体１２の分解斜視図である。 インダクタ導体層１８ａ〜１８ｃ，１９ａ〜１９ｃ及び接続導体層４０ａ〜４０ｃを上側から見た図である。 図１のＡ−Ａ線における断面構造図である。 図１のＡ−Ａにおける電子部品１０の製造時の工程断面図である。 図１のＡ−Ａにおける電子部品１０の製造時の工程断面図である。 図１のＡ−Ａにおける電子部品１０の製造時の工程断面図である。 図１のＡ−Ａにおける電子部品１０の製造時の工程断面図である。 図１のＡ−Ａにおける電子部品１０の製造時の工程断面図である。 図１のＡ−Ａにおける電子部品１０の製造時の工程断面図である。 図１のＡ−Ａにおける電子部品１０の製造時の工程断面図である。 図１のＡ−Ａにおける電子部品１０の製造時の工程断面図である。 図１のＡ−Ａにおける電子部品１０の製造時の工程断面図である。 図１のＡ−Ａにおける電子部品１０の製造時の工程断面図である。 電子部品１０の製造時の様子を上側から平面視した図である。 電子部品１０の製造時の様子を上側から平面視した図である。 電子部品１０の製造時の様子を上側から平面視した図である。 電子部品１０の製造時の様子を上側から平面視した図である。 電子部品１０の製造時の様子を上側から平面視した図である。 電子部品１０の製造時の様子を上側から平面視した図である。 電子部品１０の製造時の様子を上側から平面視した図である。 電子部品１０の製造時の様子を上側から平面視した図である。 第１の変形例に係る電子部品１０ａの積層体１２の分解斜視図である。 第２の変形例に係る電子部品１０ｂの積層体１２の断面構造図である。 第３の変形例に係る電子部品１０ｃの積層体１２の断面構造図である。 特許文献１に記載の積層インダクタ５００の分解斜視図である。
（電子部品の構成）
以下に、本発明の一実施形態に係る電子部品の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、電子部品１０，１０ａ〜１０ｃの外観斜視図である。図２は、電子部品１０の積層体１２の分解斜視図である。図３は、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｃ，１９ａ〜１９ｃ及び接続導体層４０ａ〜４０ｃを上側から見た図である。図４は、図１のＡ−Ａ線における断面構造図である。
以下では、電子部品１０の積層方向を上下方向と定義する（下側は積層方向の一方側の一例、上側は積層方向の他方側の一例）。また、電子部品１０を上側から見たときに、電子部品１０の長辺が延在する方向を左右方向と定義し、電子部品１０の短辺が延在する方向を前後方向と定義する。上下方向、前後方向及び左右方向は互いに直交している。上下方向、前後方向及び左右方向は、一例であり、電子部品１０が実際に使用される際の上下方向、前後方向及び左右方向とは一致していなくてもよい。
電子部品１０は、図１及び図２に示すように、積層体１２、外部電極１４ａ，１４ｂ、引き出し導体層２４ａ，２４ｂ及びインダクタＬを備えている。積層体１２は、図２に示すように、直方体状をなしており、絶縁体層１６ａ〜１６ｋ（複数の絶縁体層の一例）が上側から下側へとこの順に並ぶように積層された構造を有している。積層体１２は、上面、下面、右面、左面、前面及び後面を有している。積層体１２の右面、左面、前面及び後面は、上下方向に平行な側面である。
絶縁体層１６ａ，１６ｂ，１６ｄ，１６ｅ，１６ｇ，１６ｈ，１６ｊ，１６ｋは、磁性を有するフェライト（例えば、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕフェライト又はＮｉ−Ｚｎフェライト等）により作製されており、上側から見たときに、長方形状をなしている。絶縁体層１６ｃ，１６ｆ，１６ｉはそれぞれ、磁性部１５ｃ，１５ｆ，１５ｉ及び非磁性部１７ｃ，１７ｆ，１７ｉ（第１の絶縁体層の一例）を含んでおり、上側から見たときに、長方形状をなしている。磁性部１５ｃ，１５ｆ，１５ｉは、磁性を有するフェライト（例えば、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕフェライト又はＮｉ−Ｚｎフェライト等）により作製されている。非磁性部１７ｃ，１７ｆ，１７ｉは、非磁性（すなわち、透磁率が１）のフェライト（例えば、Ｚｎ−Ｃｕフェライト）により作製されている。ただし、非磁性部１７ｃ，１７ｆ，１７ｉの代わりに、磁性部１５ｃ，１５ｆ，１５ｉの透磁率よりも低い透磁率を有する低磁性部が設けられてもよいし、磁性部１５ｃ，１５ｆ，１５ｉの透磁率と同じ透磁率を有する磁性部が設けられてもよい。磁性部１５ｃ，１５ｆ，１５ｉ及び非磁性部１７ｃ，１７ｆ，１７ｉの形状を説明する前に、図３を参照しながら軌道Ｒについて説明する。
電子部品１０には、図３に示すように、環状の軌道Ｒが定義されている。軌道Ｒは、上側から見たときに、四角形状（本実施形態では長方形状）の枠型をなしており、辺Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４を有している。辺Ｌ１〜Ｌ４は、反時計回り方向にこの順に接続されている。辺Ｌ１は、左右方向に延在する後ろ側の長辺である。辺Ｌ１は、上側から見たときに、積層体１２の後面（外縁の一例）に平行である。辺Ｌ３は、左右方向に延在する前側の長辺である。辺Ｌ３は、上側から見たときに、積層体１２の前面（外縁の一例）に平行である。辺Ｌ２は、前後方向に延在する左側の短辺である。辺Ｌ２は、上側から見たときに、積層体１２の左面（外縁の一例）に平行である。辺Ｌ４は、前後方向に延在する右側の短辺である。よって、辺Ｌ４は、上側から見たときに、積層体１２の右面（外縁の一例）に平行である。
磁性部１５ｃ，１５ｆ，１５ｉ及び非磁性部１７ｃ，１７ｆ，１７ｉの形状の説明に戻る。非磁性部１７ｃ，１７ｆ，１７ｉは、図２に示すように、上側から見たときに、軌道Ｒの辺Ｌ１の左半分、辺Ｌ２、辺Ｌ３の全体及び辺Ｌ４の前半分と重なっている。すなわち、非磁性部１７ｃ，１７ｆ，１７ｉは、長方形状の軌道Ｒの一部の右後ろの角近傍が切り欠かれた形状をなしている。磁性部１５ｃ，１５ｆ，１５ｉは、絶縁体層１６ｃ，１６ｆ，１６ｉにおける磁性部１５ｃ，１５ｆ，１５ｉ以外の部分である。また、非磁性部１７ｃ，１７ｆ，１７ｉはそれぞれ、図４に示すように、磁性部１５ｃ，１５ｆ，１５ｉを上下方向に貫通している。これにより、非磁性部１７ｃ，１７ｆ，１７ｉはそれぞれ、絶縁体層１６ｃ，１６ｆ，１６ｉの上面及び下面から露出している。
インダクタＬは、図２に示すように、積層体１２内に設けられており、上側から見たときに、反時計回り方向（所定方向回りの一例）に周回しながら上側から下側へと進行する螺旋状をなしている。インダクタＬは、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｃ，１９ａ〜１９ｃ及び接続導体層４０ａ〜４０ｃを含んでいる。
インダクタ導体層１８ａ〜１８ｃ，１９ａ〜１９ｃ及び接続導体層４０ａ〜４０ｃはそれぞれ、上側から見たときに、軌道Ｒの一部に設けられている。より正確には、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｃ，１９ａ〜１９ｃ及び接続導体層４０ａ〜４０ｃは、図３に示すように、上側から見たときに、互いに重なり合うことにより、環状の軌道Ｒを形成している。
インダクタ導体層１８ａ〜１８ｃ（複数の第１のインダクタ導体層の一例）はそれぞれ、上下方向において、絶縁体層１６ｂ，１６ｅ，１６ｈと同じ位置に設けられている。より詳細には、インダクタ導体層１８ａは、上側から見たときに、辺Ｌ２，Ｌ３の全体及び辺Ｌ４の前半分と重なる形状をなしており、絶縁体層１６ｂを上下方向に貫通している。よって、インダクタ導体層１８ａは、絶縁体層１６ｂの上面及び下面から露出している。インダクタ導体層１８ｂ，１８ｃはそれぞれ、上側から見たときに、辺Ｌ１の左半分、辺Ｌ２，Ｌ３の全体及び辺Ｌ４の前半分と重なる形状をなしており、絶縁体層１６ｅ，１６ｈを上下方向に貫通している。よって、インダクタ導体層１８ｂ，１８ｃは、絶縁体層１６ｅ，１６ｈの上面及び下面から露出している。このように、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｃは、上側から見たときに、反時計回り方向に巻く形状をなしている。
インダクタ導体層１９ａ〜１９ｃ（複数の第２のインダクタ導体層の一例）はそれぞれ、上下方向において、絶縁体層１６ｄ，１６ｇ，１６ｊと同じ位置に設けられている。従って、インダクタ導体層１９ａ〜１９ｃはそれぞれ、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｃに対して下側に設けられている。より詳細には、インダクタ導体層１９ａ〜１９ｃは、上側から見たときに、辺Ｌ１の左半分、辺Ｌ２，Ｌ３の全体と重なる形状をなしており、絶縁体層１６ｄ，１６ｇ，１６ｊを上下方向に貫通している。よって、インダクタ導体層１９ａ〜１９ｃはそれぞれ、絶縁体層１６ｄ，１６ｇ，１６ｊの上面及び下面から露出している。このように、インダクタ導体層１９ａ〜１９ｃは、上側から見たときに、反時計回り方向に巻く形状をなしている。以下では、各導体層において、反時計回り方向の上流側の端部を単に上流端と呼び、反時計回り方向の下流側の端部を単に下流端と呼ぶ。
ここで、図３に示すように、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｃとインダクタ導体層１９ａ〜１９ｃとは、上側から見たときに、互いに一部において重なり合っている。より詳細には、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｃはそれぞれ、重複部２０ａ〜２０ｃ（第１の重複部の一例）及び非重複部２２ａ〜２２ｃ（第１の非重複部の一例）を含んでいる。重複部２０ａ〜２０ｃはそれぞれ、上側から見たときに、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｃにおいてインダクタ導体層１９ａ〜１９ｃと重なる部分である。重複部２０ａは、上側から見たときに、辺Ｌ２，Ｌ３の全体と重なる形状をなしている。重複部２０ｂ，２０ｃは、上側から見たときに、辺Ｌ１の左半分及び辺Ｌ２，Ｌ３の全体と重なる形状をなしている。非重複部２２ａ〜２２ｃはそれぞれ、上側から見たときに、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｃにおいてインダクタ導体層１９ａ〜１９ｃから反時計回り方向の下流側にはみ出す部分である。非重複部２２ａ〜２２ｃは、上側から見たときに、辺Ｌ４の前半分と重なる形状をなしている。従って、非重複部２２ａ〜２２ｃはそれぞれ、重複部２０ａ〜２０ｃの下流端に接続されている。また、非重複部２２ａ〜２２ｃの線幅は、重複部２０ａ〜２０ｃの線幅よりも大きい。線幅とは、上側から見たときに、インダクタ導体が延在する方向に直交する方向の大きさである。
インダクタ導体層１９ａ〜１９ｃはそれぞれ、重複部３０ａ〜３０ｃ（第２の重複部の一例）及び非重複部３２ａ〜３２ｃ（第２の非重複部の一例）を含んでいる。重複部３０ａ〜３０ｃはそれぞれ、上側から見たときに、インダクタ導体層１９ａ〜１９ｃにおいてインダクタ導体層１８ａ〜１８ｃと重なる部分である。重複部３０ａ〜３０ｃは、上側から見たときに、辺Ｌ１の左半分及び辺Ｌ２，Ｌ３の全体と重なる形状をなしている。非重複部３２ａ〜３２ｃはそれぞれ、上側から見たときに、インダクタ導体層１９ａ〜１９ｃにおいてインダクタ導体層１８ａ〜１８ｃから反時計回り方向の上流側にはみ出す部分である。非重複部３２ａ〜３２ｃは、上側から見たときに、辺Ｌ１の右半分の一部と重なる形状をなしている。従って、非重複部３２ａ〜３２ｃはそれぞれ、重複部３０ａ〜３０ｃの上流端に接続されている。また、非重複部３２ａ〜３２ｃの線幅は、重複部３０ａ〜３０ｃの線幅よりも大きい。
ところで、インダクタ導体層１８ａ，１９ａ、接続導体層４０ａ及び非磁性部１７ｃ（第１の絶縁体層の一例）は、組Ｃ１を形成している。インダクタ導体層１８ｂ，１９ｂ、接続導体層４０ｂ及び非磁性部１７ｆ（第１の絶縁体層の一例）は、組Ｃ２を形成している。インダクタ導体層１８ｃ，１９ｃ、接続導体層４０ｃ及び非磁性部１７ｉ（第１の絶縁体層の一例）は、組Ｃ３を形成している。組Ｃ１〜Ｃ３（複数組の一例）は、上側から下側へとこの順に並んでいる。
図２及び図４に示すように、インダクタ導体層１９ａの重複部３０ａとインダクタ導体層１８ｂの重複部２０ｂとの間には、絶縁体層が存在しない。これにより、インダクタ導体層１９ａ（積層方向に隣り合う２つの組の内の積層方向の他方側に位置する組に含まれる第２のインダクタ導体層の一例）の重複部３０ａの全体と、インダクタ導体層１８ｂ（積層方向に隣り合う２つの組の内の積層方向の一方側に位置する組に含まれる第１のインダクタ導体層の一例）の重複部２０ｂの一部とは、互いに接触することによって、物理的に接続されている。よって、インダクタ導体層１９ａとインダクタ導体層１８ｂとが直列に接続されている。図２及び図４に示すように、インダクタ導体層１９ｂの重複部３０ｂとインダクタ導体層１８ｃの重複部２０ｃとの間には、絶縁体層が存在しない。これにより、インダクタ導体層１９ｂ（積層方向に隣り合う２つの組の内の積層方向の他方側に位置する組に含まれる第２のインダクタ導体層の一例）の重複部３０ｂの全体と、インダクタ導体層１８ｃ（積層方向に隣り合う２つの組の内の積層方向の一方側に位置する組に含まれる第１のインダクタ導体層の一例）の重複部２０ｃの全体とは、互いに接触することによって、物理的に接続されている。よって、インダクタ導体層１９ｂとインダクタ導体層１８ｃとが直列に接続されている。
また、図２及び図４に示すように、同じ組Ｃ１に含まれるインダクタ導体層１８ａの重複部２０ａとインダクタ導体層１９ａの重複部３０ａとの間には、非磁性部１７ｃが設けられている。これにより、重複部２０ａと重複部３０ａとが絶縁されている。同じ組Ｃ２に含まれるインダクタ導体層１８ｂの重複部２０ｂとインダクタ導体層１９ｂの重複部３０ｂとの間には、非磁性部１７ｆが設けられている。これにより、重複部２０ｂと重複部３０ｂとが絶縁されている。同じ組Ｃ３に含まれるインダクタ導体層１８ｃの重複部２０ｃとインダクタ導体層１９ｃの重複部３０ｃとの間には、非磁性部１７ｉが設けられている。これにより、重複部２０ｃと重複部３０ｃとが絶縁されている。
接続導体層４０ａ〜４０ｃ（複数の接続導体層の一例）は、上下方向において、絶縁体層１６ｃ，１６ｆ，１６ｉと同じ位置に設けられている。より詳細には、接続導体層４０ａ〜４０ｃはそれぞれ、絶縁体層１６ｃ，１６ｆ，１６ｉを上下方向に貫通している。よって、接続導体層４０ａ〜４０ｃは、絶縁体層１６ｃ，１６ｆ，１６ｉの上面及び下面から露出している。
接続導体層４０ａ〜４０ｃは同じ形状を有しているので、これらの形状についてはまとめて説明する。接続導体層４０ａ〜４０ｃは、上側から見たときに、軌道Ｒの右後ろの角近傍に設けられており、辺Ｌ１（第１の長辺の一例）の右端近傍及び辺Ｌ４（第１の短辺の一例）の後端近傍に跨って重なっており、辺Ｌ２，Ｌ３（辺Ｌ２が第２の短辺の一例、辺Ｌ３が第２の長辺の一例）には重なっていない形状をなしている。これにより、接続導体層４０ａ〜４０ｃは、上側から見たときに、反時計回りに巻く形状をなしており、Ｌ字状をなしている。
接続導体層４０ａ〜４０ｃの上流端はそれぞれ、上側から見たときに、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｃの非重複部２２ａ〜２２ｃと重なっている。接続導体層４０ａ〜４０ｃと非重複部２２ａ〜２２ｃとの間には絶縁体層が存在しないので、接続導体層４０ａ〜４０ｃと非重複部２２ａ〜２２ｃとは、互いに接触することによって、物理的に接続されている。これにより、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｃと接続導体層４０ａ〜４０ｃとがそれぞれ直列に接続されている。ただし、図３に示すように、上側から見たときに、接続導体層４０ａ〜４０ｃの上流端と重複部３０ａ〜３０ｃの下流端との間には隙間が存在している。これにより、接続導体層４０ａ〜４０ｃの上流端と重複部３０ａ〜３０ｃとが絶縁されている。
接続導体層４０ａ〜４０ｃの下流端はそれぞれ、上側から見たときに、インダクタ導体層１９ａ〜１９ｃの非重複部３２ａ〜３２ｃと重なっている。接続導体層４０ａ〜４０ｃと非重複部３２ａ〜３２ｃとの間には絶縁体層が存在しないので、接続導体層４０ａ〜４０ｃと非重複部３２ａ〜３２ｃとは、互いに接触することによって、物理的に接続されている。これにより、インダクタ導体層１９ａ〜１９ｃと接続導体層４０ａ〜４０ｃとがそれぞれ直列に接続されている。ただし、図３に示すように、上側から見たときに、接続導体層４０ｂ、４０ｃの下流端と重複部２０ｂ，２０ｃの上流端との間には隙間が存在している。これにより、接続導体層４０ｂ，４０ｃの上流端と重複部２０ｂ、２０ｃとが絶縁されている。
以上のように、接続導体層４０ａは、同じ組Ｃ１に含まれるインダクタ導体層１８ａの非重複部２２ａとインダクタ導体層１９ａの非重複部３２ａとを電気的に接続している。接続導体層４０ｂは、同じ組Ｃ２に含まれるインダクタ導体層１８ｂの非重複部２２ｂとインダクタ導体層１９ｂの非重複部３２ｂとを電気的に接続している。接続導体層４０ｃは、同じ組Ｃ３に含まれるインダクタ導体層１８ｃの非重複部２２ｃとインダクタ導体層１９ｃの非重複部３２ｃとを電気的に接続している。
ところで、接続導体層４０ａ〜４０ｃの線幅及び非重複部２２ａ〜２２ｃ，３２ａ〜３２ｃの線幅は、重複部２０ａ〜２０ｃ，３０ａ〜３０ｃの線幅よりも大きい。これにより、軌道Ｒにおける接続導体層４０ａ〜４０ｃ及び非重複部２２ａ〜２２ｃ，３２ａ〜３２ｃと重なる部分（すなわち、右後ろの角近傍）の線幅は、軌道Ｒにおける残余の部分の線幅よりも大きくなっている。
引き出し導体層２４ａは、上下方向において、絶縁体層１６ｂと同じ位置に設けられている。より詳細には、引き出し導体層２４ａは、上側から見たときに、インダクタ導体層１８ａの上流端に接続されており、絶縁体層１６ｂの左側の短辺に引き出されている。また、引き出し導体層２４ａは、絶縁体層１６ｂを上下方向に貫通している。よって、引き出し導体層２４ａは、絶縁体層１６ｂの上面及び下面から露出している。
引き出し導体層２４ｂは、上下方向において、絶縁体層１６ｊと同じ位置に設けられている。より詳細には、引き出し導体層２４ｂは、上側から見たときに、インダクタ導体層１９ｃの下流端に接続されており、絶縁体層１６ｊの右側の短辺に引き出されている。また、引き出し導体層２４ｂは、絶縁体層１６ｊを上下方向に貫通している。よって、引き出し導体層２４ｂは、絶縁体層１６ｊの上面及び下面から露出している。
以上のようなインダクタ導体層１８ａ〜１８ｃ，１９ａ〜１９ｃ、引き出し導体層２４ａ，２４ｂ及び接続導体層４０ａ〜４０ｃは、例えば、ＡｇやＣｕ等を主成分とする導体により作製されている。
外部電極１４ａは、図１に示すように、積層体１２の左面の全面を覆っていると共に、積層体１２の上面、下面、前面及び後面に折り返されている。これにより、外部電極１４ａは、引き出し導体層２４ａと接続され、インダクタＬに電気的に接続さている。
外部電極１４ｂは、図１に示すように、積層体１２の右面の全面を覆っていると共に、積層体１２の上面、下面、前面及び後面に折り返されている。これにより、外部電極１４ｂは、引き出し導体層２４ｂと接続され、インダクタＬに電気的に接続されている。また、接続導体層４０ａ〜４０ｃは、上側から見たときに、辺Ｌ４と重なっている。辺Ｌ４は、上側から見たときに、軌道Ｒの辺Ｌ１〜Ｌ４の内で右面（第１の側面の一例）に最も近い辺であり、かつ、右面と平行である。これにより、接続導体層４０ａ〜４０ｃは、外部電極１４ｂに近接している。外部電極１４ａ，１４ｂは、例えば、Ａｇ等を主成分とする材料により形成された下地電極上にＮｉめっき及びＳｎめっきが施されることにより形成される。
（電子部品の製造方法）
以下に、電子部品１０の製造方法について図５Ａないし図５Ｊ及び図６Ａないし図６Ｈを参照しながら説明する。図５Ａないし図５Ｊは、図１のＡ−Ａにおける電子部品１０の製造時の工程断面図である。図６Ａないし図６Ｈは、電子部品１０の製造時の様子を上側から平面視した図である。なお、図５Ａないし図５Ｊ及び図６Ａないし図６Ｈでは、１個の電子部品１０の製造時の様子を示しているが、実際の製造時には、マザー積層体が作製された後に、マザー積層体が複数の積層体１２にカットされる。
絶縁体層１６ａ，１６ｂ，１６ｄ，１６ｅ，１６ｇ，１６ｈ，１６ｊ，１６ｋ及び磁性部１５ｃ，１５ｆ，１５ｉの原料となる第１のセラミックスラリーを作製する。酸化第二鉄（Ｆｅ2Ｏ3）を４８．０ｍｏｌ％、酸化亜鉛（ＺｎＯ）を２０．０ｍｏｌ％、酸化ニッケル（ＮｉＯ）を２３．０ｍｏｌ％及び酸化銅（ＣｕＯ）を９．０ｍｏｌ％の比率で秤量したそれぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を７５０℃で１時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、フェライトセラミック粉末を得る。
このフェライトセラミック粉末に対して結合剤（酢酸ビニル、水溶性アクリル等）と可塑剤、湿潤材、分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。これにより、絶縁体層１６ａ，１６ｈ及び磁性部１５ｃ，１５ｆ，１５ｉの原料となる第１のセラミックスラリーを得る。
次に、非磁性部１７ｃ，１７ｆ，１７ｉの原料となる第２のセラミックスラリーを作製する。酸化第二鉄（Ｆｅ2Ｏ3）を４８．０ｍｏｌ％、酸化亜鉛（ＺｎＯ）を４３．０ｍｏｌ％及び酸化銅（ＣｕＯ）を９．０ｍｏｌ％の比率で秤量したそれぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を７５０℃で１時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、フェライトセラミック粉末を得る。
このフェライトセラミック粉末に対して結合剤（酢酸ビニル、水溶性アクリル等）と可塑剤、湿潤材、分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。これにより、非磁性部１７ｃ，１７ｆ，１７ｉの原料となる第２のセラミックスラリーを得る。
次に、図５Ａ及び図６Ａに示すように、第１のセラミックスラリーを印刷することにより、絶縁体層１６ｋとなるべきセラミックグリーン層１１６ｋを形成する。
次に、図５Ｂ及び図６Ｂに示すように、セラミックグリーン層１１６ｋ上に、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、インダクタ導体層１９ｃ及び引き出し導体層２４ｂを形成する。
次に、図５Ｃ及び図６Ｃに示すように、セラミックグリーン層１１６ｋ上に、第１のセラミックスラリーをスクリーン印刷法で塗布することにより、絶縁体層１６ｊとなるべきセラミックグリーン層１１６ｊを形成する。
次に、図５Ｄ及び図６Ｄに示すように、セラミックグリーン層１１６ｊ及び非重複部３２ｃ上に、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、接続導体層４０ｃを形成する。
次に、図５Ｅ及び図６Ｅに示すように、インダクタ導体層１９ｃ及びセラミックグリーン層１１６ｊ上に、第２のセラミックスラリーをスクリーン印刷法で塗布することにより、非磁性部１７ｉとなるべきセラミックグリーン部１１７ｉを形成する。
次に、図５Ｆ及び図６Ｆに示すように、セラミックグリーン層１１６ｊ及び引き出し導体層２４ｂ上に、第１のセラミックスラリーをスクリーン印刷法で塗布することにより、磁性部１５ｉとなるべきセラミックグリーン部１１５ｉを形成する。
次に、図５Ｇ及び図６Ｇに示すように、接続導体層４０ｃ及びセラミックグリーン層１１６ｉ上に、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、インダクタ導体層１８ｃを形成する。
次に、図５Ｈ及び図６Ｈに示すように、セラミックグリーン層１１６ｉ及び接続導体層４０ｃ上に、第１のセラミックスラリーをスクリーン印刷法で塗布することにより、絶縁体層１６ｈとなるべきセラミックグリーン層１１６ｈを形成する。
以上の図５Ｂないし図５Ｈ及び図６Ｂないし図６Ｈの工程により、組Ｃ３に含まれるインダクタ導体層１８ｃ，１９ｃ、引き出し導体層２４ｂ、接続導体層４０ｃ、セラミックグリーン層１１６ｈ，１１６ｊ及びセラミックグリーン部１１５ｉ，１１７ｉが形成される。また、図５Ｂないし図５Ｈ及び図６Ｂないし図６Ｈの工程と同様の工程を２回繰り返すことにより、図５Ｉに示すように、組Ｃ１に含まれるインダクタ導体層１８ａ，１９ａ、引き出し導体層２４ａ、接続導体層４０ａ、セラミックグリーン層１１６ｂ，１１６ｄ及びセラミックグリーン部１１５ｃ，１１７ｃ、並びに、組Ｃ２に含まれるインダクタ導体層１８ｂ，１９ｂ、接続導体層４０ｂ、セラミックグリーン層１１６ｅ，１１６ｇ及びセラミックグリーン部１１５ｆ，１１７ｆを形成する。
次に、図５Ｊに示すように、セラミックグリーン層１１６ｂ、インダクタ導体層１８ａ及び引き出し導体層２４ａ上に、第１のセラミックスラリーをスクリーン印刷法で塗布することにより、絶縁体層１６ａとなるべきセラミックグリーン層１１６ａを形成する。以上の工程を経て、マザー積層体が形成される。静水圧プレスなどによりマザー積層体に本圧着を施す。本圧着は、例えば、４５℃及び１．０ｔ／ｃｍ2の条件で行われる。
次に、マザー積層体を所定サイズ（例えば、３．２ｍｍ×２．５ｍｍ×０．８ｍｍ）の積層体１２にカットする。これにより未焼成の積層体１２が得られる。その後、未焼成の積層体１２に脱バインダー処理及び焼成を施す。脱バインダー処理は、例えば、低酸素雰囲気中において５００℃で２時間の条件で行う。焼成は、例えば、大気中において８９０℃で２．５時間の条件で行う。
以上の工程により、焼成された積層体１２が得られる。積層体１２にバレル加工を施して積層体１２の面取りを行う。その後、浸漬法等の方法により主成分がＡｇである電極ペーストを塗布及び焼き付けして、外部電極１４ａ，１４ｂとなるべき下地電極を形成する。下地電極の乾燥は、１００℃で１０分間行われ、下地電極の焼き付けは、７８０℃で２．５時間の条件で行う。
最後に、下地電極の表面に、Ｎｉめっき／Ｓｎめっきを施すことにより、外部電極１４ａ，１４ｂを形成する。以上の工程を経て、図１に示すような電子部品１０が完成する。
（効果）
電子部品１０によれば、より大きなインダクタンス値を得ることができる。以下では、組Ｃ２を例に挙げて説明する。インダクタ導体層１８ｂは、重複部２０ｂ及び非重複部２２ｂを含んでいる。インダクタ導体層１９ｂは、重複部３０ｂ及び非重複部３２ｂを含んでいる。重複部２０ｂと重複部３０ｂとは、上側から見たときに、重なり合っている。ただし、重複部２０ｂと重複部３０ｂとの間には、非磁性部１７ｆが設けられているので、重複部２０ｂと重複部３０ｂとは絶縁されている。非重複部２２ｂは、上側から見たときに、インダクタ導体層１９ｂから反時計回り方向の下流側にはみ出している。また、非重複部３２ｂは、上側から見たときに、インダクタ導体層１８ｂから反時計回り方向の上流側にはみ出している。これにより、接続導体層４０ｂが非重複部２２ｂと非重複部３２ｂとを接続することにより、インダクタ導体層１８ｂとインダクタ導体層１９ｂとが直列に接続されるようになる。そして、組Ｃ１，Ｃ３も、組Ｃ２と同様の構成を有している。更に、重複部３０ａと重複部２０ｂとが接続されている。同様に、重複部３０ｂと重複部２０ｃとが接続されている。以上の構成により、インダクタ導体層１８ａ，１９ａ，１８ｂ，１９ｂ，１８ｃ，１９ｃが直列に接続されている。また、接続導体層４０ａ〜４０ｃは、軌道Ｒの右後ろの角近傍に設けられており、軌道Ｒの内部に侵入していない。その結果、電子部品１０では、インダクタ導体層１８ａ，１９ａ，１８ｂ，１９ｂ，１８ｃ，１９ｃを接続するための導体が軌道Ｒ内に設けられなくなる。よって、軌道Ｒ内にインダクタＬが発生した磁束を妨げる導体が存在しなくなるので、電子部品１０では、インダクタＬのインダクタンス値を大きくすることが可能となる。
また、電子部品１０では、インダクタＬの直流抵抗値の低減が図られる。より詳細には、重複部３０ａと重複部２０ｂとは物理的に接触している。同様に、重複部３０ｂと重複部２０ｃとは物理的に接触している。重複部３０ａ，２０ｂが設けられている区間及び重複部３０ｂ，２０ｃが設けられている区間ではインダクタＬの断面積が２つの導体層の断面積の合計となる。インダクタＬの直流抵抗値の低減の観点からは、これらの区間の長さは長い方が好ましい。そこで、電子部品１０では、重複部３０ａの全体と重複部２０ｂの全体とは物理的に接触している。同様に、重複部３０ｂの全体と重複部２０ｃの全体とは物理的に接触している。これにより、インダクタＬの直流抵抗値の低減が図られている。
また、電子部品１０では、以下の理由によっても、インダクタＬの直流抵抗値の低減が図られる。より詳細には、接続導体層４０ａ〜４０ｃは、辺Ｌ１及び辺Ｌ４に跨って重なっている。すなわち、接続導体層４０ａ〜４０ｃは、軌道Ｒの右後ろの角近傍に設けられている。角における線幅は、角以外の辺における線幅より大きい。よって、接続導体層４０ａ〜４０ｃが角近傍に設けられることにより、接続導体層４０ａ〜４０ｃの線幅が大きくなる。その結果、接続導体層４０ａ〜４０ｃの抵抗値が低減され、インダクタＬの直流抵抗値の低減が図られる。
電子部品１０では、以下の理由によっても、インダクタＬの直流抵抗値の低減が図られる。より詳細には、接続導体層４０ａ〜４０ｃの線幅は、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｃ，１９ａ〜１９ｃの重複部２０ａ〜２０ｃ，３０ａ〜３０ｃの線幅よりも大きい。これにより、接続導体層４０ａ〜４０ｃの抵抗値が低減され、インダクタＬの直流抵抗値の低減が図られる。
電子部品１０では、以下の理由によっても、インダクタＬの直流抵抗値の低減が図られる。より詳細には、非重複部２２ａ〜２２ｃ，３２ａ〜３２ｃの線幅は、重複部２０ａ〜２０ｃ，３２ａ〜３２ｃの線幅よりも大きい。これにより、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｃ，１９ａ〜１９ｃの抵抗値が低減され、インダクタＬの直流抵抗値の低減が図られる。
また、電子部品１０では、高い放熱性を得ることができる。より詳細には、インダクタＬは、接続導体層４０ａ〜４０ｃにおいて非重複部２２ａ〜２２ｃ，３２ａ〜３２ｃに接続されている部分以外の部分では、１層分の厚みしか有していない。そのため、接続導体層４０ａ〜４０ｃにおいて非重複部２２ａ〜２２ｃ，３２ａ〜３２ｃに接続されている部分以外の部分の直流抵抗値は、比較的に高くなる。よって、接続導体層４０ａ〜４０ｃでは、熱が発生しやすい。そこで、接続導体層４０ａ〜４０ｃは、外部電極１４ｂに近接している。これにより、接続導体層４０ａ〜４０ｃにおいて発生した熱は、外部電極１４ｂを介して電子部品１０の外部に放出される。よって、電子部品１０では、高い放熱性を得ることができる。
また、接続導体層４０ａ〜４０ｃは、前記の通り、インダクタＬにおいて熱が発生しやすい部分である。そこで、接続導体層４０ａ〜４０ｃの線幅が大きくなっている。これにより、接続導体層４０ａ〜４０ｃの抵抗値が低減され、接続導体層４０ａ〜４０ｃにおいて発生する熱が低減される。その結果、電子部品１０が局所的に加熱されることが抑制される。
また、電子部品１０では、優れた直流重畳特性を得ることができる。より詳細には、電子部品１０では、重複部２０ａと重複部３０ａとの間に非磁性部１７ｃが設けられ、重複部２０ｂと重複部３０ｂとの間に非磁性部１７ｆが設けられ、重複部２０ｃと重複部３０ｃとの間に非磁性部１７ｉが設けられている。これにより、重複部２０ａと重複部３０ａとの間、重複部２０ｂと重複部３０ｂとの間、及び、重複部２０ｃと重複部３０ｃとの間において、磁束密度が高くなり過ぎることが抑制される。その結果、インダクタＬにおいて磁気飽和が発生することが抑制され、電子部品１０において優れた直流重畳特性を得ることができる。
また、電子部品１０では、インダクタ導体層１８ａ，１９ａ，１８ｂ，１９ｂ，１８ｃ，１９ｃを接続するための導体が軌道Ｒ内に設けられない。そのため、電子部品１０の製造に必要な導電性ペーストの量が少なくて済む。
ところで、本願発明者は、電子部品１０が奏する効果をより明確にするために、以下に説明する実験を行った。本願発明者は、第１のサンプルとして、特許文献１に記載の積層インダクタを作成した。また、第２のサンプルとして、電子部品１０を作成した。このとき、第１のサンプル及び第２のサンプルにおいて、内径面積以外の条件については同じ条件とした。内径面積とは、上側から見たときに、インダクタＬにより囲まれた部分の面積である。そして、第１のサンプル及び第２のサンプルのインダクタンス値を測定した。表１は、実験条件及び実験結果を示した表である。
Figure 2017224765
第２のサンプルでは、インダクタ導体層１８ａ，１９ａ，１８ｂ，１９ｂ，１８ｃ，１９ｃを接続するための導体が軌道Ｒ内に設けられない。そのため、第２のサンプルの内径面積が第１のサンプルの内径面積よりも大きくなる。その結果、表１に示すように、第２のサンプルのインダクタンス値が第１のサンプルのインダクタンス値よりも大きくなっている。
（第１の変形例）
以下に、第１の変形例に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。図７は、第１の変形例に係る電子部品１０ａの積層体１２の分解斜視図である。電子部品１０ａの外観斜視図については、図１を援用する。
電子部品１０ａは、接続導体層４０ａ〜４０ｃが設けられている位置及び形状において電子部品１０と相違する。以下に、かかる相違点を中心に電子部品１０ａについて説明する。
電子部品１０では、接続導体層４０ａ〜４０ｃは、上側から見たときに、軌道Ｒの右後ろの角近傍に設けられ、Ｌ字状をなしている。一方、電子部品１０ａでは、接続導体層４０ａ〜４０ｃは、上側から見たときに、軌道Ｒの右側の辺Ｌ４と重なっており、直線状をなしている。電子部品１０ａでは、接続導体層４０ａ〜４０ｃは、上側から見たときに、辺Ｌ４（第１の長辺、第２の長辺、第１の短辺又は第２の短辺のいずれか１つの所定の辺の一例）に重なっており、残余の辺Ｌ１〜Ｌ３には重なっていない。更に、接続導体層４０ａ〜４０ｃは、辺Ｌ４よりも短い。
また、Ｌ４は、上側から見たときに、軌道Ｒの各辺Ｌ１〜Ｌ４の内で積層体１２の右面（第１の側面）に最も近い辺であり、かつ、右面と平行である。外部電極１４ｂは、積層体１２の右面を覆っている。これにより、接続導体層４０ａ〜４０ｃは、外部電極１４ｂに近接している。
以上のように構成された電子部品１０ａも、電子部品１０と同様に、より大きなインダクタンス値を得ることができる。また、電子部品１０ａによれば、電子部品１０と同様に、インダクタＬの直流抵抗値の低減が図られる。また、電子部品１０ａによれば、電子部品１０と同様に、優れた直流重畳特性を得ることができる。電子部品１０ａによれば、電子部品１０と同様に、電子部品１０ａの製造に必要な導電性ペーストの量が少なくて済む。
また、電子部品１０ａでは、より高い放熱性を得ることができる。より詳細には、電子部品１０ａでは、接続導体層４０ａ〜４０ｃの全体は、上側から見たときに、辺Ｌ４と重なっている。一方、電子部品１０では、接続導体層４０ａ〜４０ｃの半分程度が、上側から見たときに、辺Ｌ４と重なっているにすぎない。よって、電子部品１０ａの方が電子部品１０よりも、接続導体層４０ａ〜４０ｃが外部電極１４ｂに近接している部分の長さが長い。その結果、電子部品１０ａでは、より高い放熱性を得ることができる。
また、電子部品１０ａでは、以下の理由によっても、インダクタＬの直流抵抗値の低減が図られる。より詳細には、接続導体層４０ａ〜４０ｃでは抵抗値が高くなりやすい。そこで、電子部品１０ａでは、接続導体層４０ａ〜４０ｃは、辺Ｌ４よりも短い。これにより、抵抗値が大きくなりやすい部分の長さが短くなるので、電子部品１０ａにおいて、インダクタＬの直流抵抗値の低減が図られる。
（第２の変形例）
以下に、第２の変形例に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。図８Ａは、第２の変形例に係る電子部品１０ｂの積層体１２の断面構造図である。電子部品１０ｂの外観斜視図については、図１を援用する。図８Ａの断面構造図は、図１のＡ−Ａ線における断面構造図である。
電子部品１０ｂは、絶縁体層１６ｃ，１６ｆ，１６ｉの全体が非磁性部である点において電子部品１０と相違する。このように、非磁性部の位置や大きさは、電子部品１０に示したものに限らない。
（第３の変形例）
以下に、第３の変形例に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。図８Ｂは、第３の変形例に係る電子部品１０ｃの積層体１２の分解斜視図である。電子部品１０ｃの外観斜視図については、図１を援用する。
電子部品１０ｃは、絶縁体層１６ｂ’，１６ｊ’、インダクタ導体層１８ａ’，１９ｃ’及び引き出し導体層２４ａ’，２４ｂ’を更に備えている点において、電子部品１０と相違する。以下に、かかる相違点を中心に電子部品１０ｃについて説明する。
絶縁体層１６ｂ’，１６ｊ’はそれぞれ、絶縁体層１６ｂ，１６ｊと同じ形状を有している。また、絶縁体層１６ｂ’は、絶縁体層１６ａと絶縁体層１６ｂとの間に設けられている。絶縁体層１６ｊ’は、絶縁体層１６ｊと絶縁体層１６ｋとの間に設けられている。
インダクタ導体層１８ａ’，１９ｃ’はそれぞれ、インダクタ導体層１８ａ，１９ｃと同じ形状を有している。また、インダクタ導体層１８ａ’，１９ｃ’はそれぞれ、上下方向において、絶縁体層１６ｂ’，１６ｊ’と同じ位置に設けられている。また、引き出し導体層２４ａ’，２４ｂ’はそれぞれ、引き出し導体層２４ａ，２４ｂと同じ形状を有している。また、引き出し導体層２４ａ’，２４ｂ’はそれぞれ、上下方向において、絶縁体層１６ｂ’，１６ｊ’と同じ位置に設けられている。
以上のように、絶縁体層１６ｂ、インダクタ導体層１８ａ及び引き出し導体層２４ａの組と絶縁体層１６ｂ’、インダクタ導体層１８ａ’及び引き出し導体層２４ａ’の組とが上下に連なって積層されている。また、これらの組は同じ構造を有している。同様に、絶縁体層１６ｊ、インダクタ導体層１９ｃ及び引き出し導体層２４ｂの組と絶縁体層１６ｊ’、インダクタ導体層１９ｃ’及び引き出し導体層２４ｂ’の組とが上下に連なって積層されている。また、これらの組は同じ構造を有している。なお、電子部品１０ｃのその他の構成は、電子部品１０と同じであるので説明を省略する。
以上のように構成された電子部品１０ｃによれば、電子部品１０と同じ理由により、より大きなインダクタンス値を得ることができる。また、電子部品１０ｃでは、電子部品１０と同じ理由により、インダクタＬの直流抵抗値の低減が図られる。また、電子部品１０ｃでは、電子部品１０と同じ理由により、高い放熱性を得ることができる。また、電子部品１０ｃでは、電子部品１０と同じ理由により、優れた直流重畳特性を得ることができる。また、電子部品１０ｃでは、電子部品１０と同じ理由により、電子部品１０ｃの製造に必要な導電性ペーストの量が少なくて済む。
（その他の実施形態）
本発明に係る電子部品は、電子部品１０，１０ａ〜１０ｃに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。
なお、電子部品１０，１０ａ〜１０ｃの構成を任意に組み合わせてもよい。
また、電子部品１０，１０ａ〜１０ｃにおいて、重複部３０ａの全体と重複部２０ｂの全体とが物理的に接続されているが、重複部３０ａの少なくとも一部と重複部２０ｂの少なくとも一部とが物理的に接続されていればよい。同様に、重複部３０ｂの全体と重複部２０ｃの全体とが物理的に接続されているが、重複部３０ｂの少なくとも一部と重複部２０ｃの少なくとも一部とが物理的に接続されていればよい。
また、電子部品１０，１０ａ〜１０ｃにおいて、インダクタ導体層１９ａ及び絶縁体層１６ｄが上下に２層重ねられていてもよい。この場合、上側のインダクタ導体層１９ａが第２のインダクタ導体層である。そして、上側のインダクタ導体層１９ａの重複部３０ａは、下側のインダクタ導体層１９ａの重複部３０ａを介して、インダクタ導体層１８ｂの重複部２０ｂに接続されている。なお、インダクタ導体層１８ａ〜１８ｃ，１９ｂ，１９ｃについても、インダクタ導体層１９ａと同様に、上下に２層重ねられてもよい。これにより、インダクタＬの直流抵抗値が低減される。
また、電子部品１０，１０ｂにおいて、接続導体層４０ａ〜４０ｃは、上側から見たときに、軌道Ｒの右前の角、左前の角又は左後ろの角に設けられていてもよい。
また、電子部品１０ａにおいて、接続導体層４０ａ〜４０ｃは、上側から見たときに、軌道Ｒの辺Ｌ１〜Ｌ３のいずれか１つと重なっていてもよい。
また、軌道Ｒは、上側から見たときに、長方形状以外の形状であってもよく、例えば、楕円状や円状であってもよい。なお、長方形とは、正方形を含む概念である。
以上のように、本発明は、電子部品に有用であり、特に、より大きなインダクタンス値を得ることができる点で優れている。
１０，１０ａ，１０ｂ：電子部品
１２：積層体
１４ａ，１４ｂ：外部電極
１５ｃ，１５ｆ，１５ｉ：磁性部
１６ａ〜１６ｋ：絶縁体層
１７ｃ，１７ｆ，１７ｉ：非磁性部
１８ａ〜１８ｃ，１９ａ〜１９ｃ：インダクタ導体層
２０ａ〜２０ｃ，３０ａ〜３０ｃ：重複部
２２ａ〜２２ｃ，３２ａ〜３２ｃ：非重複部
４０ａ〜４０ｃ：接続導体層
Ｃ１〜Ｃ３：組
Ｌ：インダクタ
Ｌ１〜Ｌ４：辺
Ｒ：軌道

Claims (9)

  1. 第１の絶縁体層を含む複数の絶縁体層が積層方向に積層された構造を有する積層体と、
    前記積層体に設けられているインダクタと、
    を備えており、
    前記インダクタは、
    前記積層方向から見たときに、互いに重なり合うことにより環状の軌道を形成している複数の第１のインダクタ導体層、複数の第２のインダクタ導体層及び複数の接続導体層を、
    含んでおり、
    前記第１のインダクタ導体層は、前記積層方向から見たときに、前記第２のインダクタ導体層と重なる第１の重複部と、前記第２のインダクタ導体層から所定方向回りの下流側にはみ出す第１の非重複部と、を有しており、
    前記第２のインダクタ導体層は、前記第１のインダクタ導体層に対して前記積層方向の一方側に設けられており、かつ、該積層方向から見たときに、前記第１のインダクタ導体層と重なる第２の重複部と、前記第１のインダクタ導体層から前記所定方向回りの上流側にはみ出す第２の非重複部と、を有しており、
    前記第１のインダクタ導体層、前記第２のインダクタ導体層、前記接続導体層及び前記第１の絶縁体層の組が前記積層方向に複数組並んでおり、
    同じ組に含まれる前記第１のインダクタ導体層の前記第１の重複部と前記第２のインダクタ導体層の前記第２の重複部との間には、前記第１の絶縁体層が設けられており、
    前記接続導体層は、前記積層方向において前記第１の絶縁体層と同じ位置に設けられ、かつ、同じ組に含まれる前記第１のインダクタ導体層の前記第１の非重複部と前記第２のインダクタ導体層の前記第２の非重複部とを電気的に接続しており、
    前記積層方向に隣り合う２つの組の内の前記積層方向の他方側に位置する組に含まれる前記第２のインダクタ導体層の前記第２の重複部の少なくとも一部と、該積層方向に隣り合う２つの組の内の該積層方向の一方側に位置する組に含まれる前記第１のインダクタ導体層の前記第１の重複部の少なくとも一部とは、物理的に接続されている、又は、導体を介して接続されていること、
    を特徴とする電子部品。
  2. 前記積層方向に隣り合う２つの組の内の前記積層方向の他方側に位置する組に含まれる前記第２のインダクタ導体層の前記第２の重複部の全体と、該積層方向に隣り合う２つの組の内の該積層方向の一方側に位置する組に含まれる前記第１のインダクタ導体層の前記第１の重複部の全体とは、物理的に接続されている、又は、導体を介して接続されていること、
    を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
  3. 前記積層方向に隣り合う２つの組の内の前記積層方向の他方側に位置する組に含まれる前記第２のインダクタ導体層の前記第２の重複部の少なくとも一部と、該積層方向に隣り合う２つの組の内の該積層方向の一方側に位置する組に含まれる前記第１のインダクタ導体層の前記第１の重複部の少なくとも一部とは、物理的に接続されていること、
    を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の電子部品。
  4. 前記環状の軌道は、前記積層方向から見たときに、第１の長辺、第２の長辺、第１の短辺及び第２の短辺を有する長方形状をなしており、
    前記接続導体層は、前記積層方向から見たときに、前記第１の長辺及び前記第１の短辺に跨って重なっており、前記第２の長辺及び前記第２の短辺には重なっていないこと、
    を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の電子部品。
  5. 前記環状の軌道は、前記積層方向から見たときに、第１の長辺、第２の長辺、第１の短辺及び第２の短辺を有する長方形状をなしており、
    前記接続導体層は、前記積層方向から見たときに、前記第１の長辺、前記第２の長辺、前記第１の短辺又は前記第２の短辺のいずれか１つの所定の辺に重なっており、残余の辺には重なっていないこと、
    を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の電子部品。
  6. 前記積層体は、前記積層方向に平行な第１の側面を有する直方体状をなしており、
    前記環状の軌道の各辺は、前記積層方向から見たときに、前記積層体の外縁と平行であり、
    前記電子部品は、
    前記インダクタに電気的に接続され、かつ、前記第１の側面上に設けられている外部電極を、
    更に備えており、
    前記所定の辺は、前記積層方向から見たときに、前記環状の軌道の各辺の内で前記第１の側面に最も近い辺であり、かつ、前記第１の側面と平行であること、
    を特徴とする請求項５に記載の電子部品。
  7. 前記接続導体層は、前記第１の短辺に重なっており、かつ、該第１の短辺よりも短いこと、
    を特徴とする請求項５又は請求項６のいずれかに記載の電子部品。
  8. 前記接続導体層の線幅は、前記第１の重複部の線幅及び前記第２の重複部の線幅よりも大きいこと、
    を特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の電子部品。
  9. 前記第１の非重複部の線幅及び前記第２の非重複部の線幅は、前記第１の重複部の線幅及び前記第２の重複部の線幅よりも大きいこと、
    を特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の電子部品。
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