JP2017142870A - 半導体記憶装置 - Google Patents
半導体記憶装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017142870A JP2017142870A JP2016022322A JP2016022322A JP2017142870A JP 2017142870 A JP2017142870 A JP 2017142870A JP 2016022322 A JP2016022322 A JP 2016022322A JP 2016022322 A JP2016022322 A JP 2016022322A JP 2017142870 A JP2017142870 A JP 2017142870A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- program
- circuit
- selected block
- bits
- nand strings
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims abstract description 48
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 46
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 41
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 32
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 9
- 238000012795 verification Methods 0.000 claims description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007619 statistical method Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
- G11C16/14—Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
- G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
- G06F11/1048—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices using arrangements adapted for a specific error detection or correction feature
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
- G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
- G06F11/1068—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices in sector programmable memories, e.g. flash disk
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
- G11C16/0483—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells having several storage transistors connected in series
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
- G11C16/14—Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits
- G11C16/16—Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits for erasing blocks, e.g. arrays, words, groups
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/26—Sensing or reading circuits; Data output circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/3436—Arrangements for verifying correct programming or erasure
- G11C16/344—Arrangements for verifying correct erasure or for detecting overerased cells
- G11C16/3445—Circuits or methods to verify correct erasure of nonvolatile memory cells
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/3436—Arrangements for verifying correct programming or erasure
- G11C16/3454—Arrangements for verifying correct programming or for detecting overprogrammed cells
- G11C16/3459—Circuits or methods to verify correct programming of nonvolatile memory cells
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
- G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
- G11C29/38—Response verification devices
- G11C29/42—Response verification devices using error correcting codes [ECC] or parity check
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
- G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
- G11C29/44—Indication or identification of errors, e.g. for repair
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C2029/0409—Online test
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/52—Protection of memory contents; Detection of errors in memory contents
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/20—Memory cell initialisation circuits, e.g. when powering up or down, memory clear, latent image memory
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Memory System (AREA)
Abstract
【解決手段】 フラッシュメモリは、複数のNANDストリングを含むメモリアレイと、ビット線を介してメモリアレイのNANDストリングに接続され、NANDストリングの不良の有無を出力するページバッファ/センス回路170と、複数のページバッファ/センス回路170に接続され、選択ブロックのNANDストリングの不良数を検出する検出回路200とを含む。検出回路200により検出されたNANDストリングの不良数が一定数以下であるとき、使用可能なブロックと判定し、不良数が一定数を超えるとき、バッドブロックと判定する。
【選択図】 図9
Description
先ず、0ビットの不合格ビットの判定について説明する。これは、全ビットのプログラムが成功したか否かを判定することであり、この場合には、トランジスタQ8が全く不要であるか、あるいはトランジスタQ8がディスエーブルである(N=0)。プログラムベリファイは、選択ワード線にベリファイ電圧を印加する以外は、通常の読出し動作と同様であり、全ビットのプログラムが成功した場合には、選択メモリセルが非導通であり、全ビット線の電位は放電されず、プリチャージされた電位である。このため、ラッチノードSLSはLレベルであり、トランジスタQ1はオフであり、配線PB_Uの電圧は変動しない。また、ベリファイ時、JUDGEON信号がHレベルに駆動され、トランジスタQ7がオンし、配線PB_DISがGNDレベルとなる。このとき、トランジスタQ6は、1/2Irefの電流を流すため、基準電圧Vrefは、1/2Irefの電圧降下に応じた値となる。その結果、配線PB_UPの電圧が基準電圧Vrefよりも1/2Irefの分だけ高くなるため、比較器CMPは、Hレベルの信号、すなわち合格を出力する。
1ビットの不合格ビットを判定する場合(N=1)、1つのトランジスタQ8が動作可能な状態に置かれる。例えば、図10(B)であれば、EN-1がHレベル、EN-2がLレベルに駆動される。上記したように、全ビットのプログラムが成功した場合には、トランジスタQ1がオフであり、配線PB_UPの電圧は変動せず、1ビットの不合格ビットがある場合には、1つのページバッファ/センス回路のトランジスタQ1がオンし、配線PB_UPの電圧は、Irefの分だけ降下する。JUDGEON信号がHレベルに駆動され、トランジスタQ7がオンし、配線PB_DISがGNDレベルになると、トランジスタQ6が1/2Irefの電流を流し、さらに、トランジスタQ8がIrefの電流を流す。このため、基準電圧Vrefは、1/2Iref+Irefの分だけ降下した値となる。その結果、配線PB_UPの電圧が基準電圧Vrefよりも高くなり、比較器CMPは、Hレベルを出力する。
2ビットの不合格ビットを判定する場合(N=2)、2つのトランジスタQ8が動作可能な状態に置かれる。例えば、図10(B)であれば、EN_1がHレベル、EN_2がHレベルに駆動される。上記したように、2ビットの不合格ビットがある場合には、2つのページバッファ/センス回路のトランジスタQ1がオンし、配線PB_UPの電圧は、2×Irefの分だけ降下する。JUDGEON信号がHレベルに駆動され、トランジスタQ7がオンし、配線PB_DISがGNDレベルになると、トランジスタQ6が1/2Irefの電流を流し、さらに、2つのトランジスタQ8が2×Irefの電流を流す。このため、基準電圧Vrefは、1/2Iref+2×Irefの分だけ降下した値となる。その結果、配線PB_UPの電圧が基準電圧Vrefよりも高くなり、比較器CMPは、Hレベルを出力する。
制御部150によりイネーブル信号EN_1、EN_2がLレベルに駆動され、トランジスタQ8_1、Q8_2が動作不能な状態におかれる。ここで、選択ブロックのリバース読出しが行われる。全てのNANDストリングの消去が成功であれば(全てのメモリセルのしきい値分布が「0」)、全てのページバッファ/センス回路170のセンスノードSNSはHレベルであり、トランジスタQ1がオフし、比較器CMPは、Hレベルを出力する。この出力は、選択ブロックの消去においてストリング不良数Nsがゼロであることを示す。一方、1ビットのNANDストリングの消去が不良であれば(メモリセルのしきい値分布が「1」でない)、1つのページバッファ/センス回路170のセンスノードSNSがLレベルであり、トランジスタQ1がオンし、配線PB_UPの電圧が基準電圧Vrefよりも1/2Iref分だけ低くなり、比較器CMPは、Lレベルを出力する。この出力は、選択ブロックの消去においてストリング不良数Nsが1ビットであることを示す。
(2)1ビットのストリング不良の検出:
制御部150によりイネーブル信号EN_1またはEN_2の一方がHレベルに駆動され、トランジスタQ8_1またはQ8_2の一方が動作可能な状態におかれる。リバース読出しで、1ビットのNANDストリングの不良があるとき、比較器CMPは、Hレベルを出力し、2ビットのストリング不良があるとき、比較器CMPは、Lレベルを出力する。
(3)2ビットのストリング不良の検出:
制御部150によりイネーブル信号EN_1およびEN_2の双方がHレベルに駆動され、トランジスタQ8_1およびQ8_2の双方が動作可能な状態におかれる。リバース読出しで、2ビットのNANDストリングの不良があるとき、比較器CMPは、Hレベルを出力し、3ビットのストリング不良があるとき、比較器CMPは、Lレベルを出力する。
120:入出力バッファ 130:ECC回路
140:アドレスレジスタ 150:制御部
160:ワード線選択回路 170:ページバッファ/センス回路
180:列選択回路 190:内部電圧発生正回路
200:判定回路 210:供給回路
300:レギュラー領域 310:スペア領域
Claims (15)
- フラッシュメモリの消去方法であって、
選択ブロックに消去パルスを印加するステップと、
選択ブロックの消去ベリファイが不合格であり、かつ消去パルスの印加回数が予め決められた回数に到達した場合には、選択ブロックのNANDストリングの不良数を検出するステップと、
検出されたNANDストリングの不良数が一定数以下であるとき、当該選択ブロックを使用可能な状態で消去を終了し、不良数が一定数を超えるとき、当該選択ブロックを使用不可能なバッドブロックとして管理するステップと、
を有する消去方法。 - 前記一定数は、誤り検出・訂正によって救済可能なビット数以下である、請求項1に記載の消去方法。
- フラッシュメモリのプログラム方法であって、
選択ブロックのNANDストリングの不良数を検出するステップと、
検出されたNANDストリングの不良数に基づき、プログラムベリファイにおいて許容可能な不合格ビット数を決定するステップと、
選択ブロックの選択ページにプログラムパルスを印加するステップと、
前記許容可能な不合格ビット数に基づき選択ページのプログラムベリファイを行うステップと、
を有するプログラム方法。 - 前記許容可能な不合格ビット数は、誤り検出・訂正によって救済可能なビット数以下である、請求項3に記載のプログラム方法。
- 前記許容可能な不合格ビット数は、NANDストリングの不良数の増加に応じて減算される、請求項3または4に記載のプログラム方法。
- 前記プログラムベリファイは、選択ページのプログラム不良ビット数が前記許容可能な不合格ビット数以下であるとき疑似合格と判定する、請求項3ないし5いずれか1つに記載のプログラム方法。
- NANDストリングの不良数を検出するステップは、選択ブロックの共通ソース線からNANDストリングに電圧を印加して読出しを行うリバース読出しをするステップを含む、請求項3に記載のプログラム方法。
- プログラム方法は、プログラムすべきデータの誤り検出・訂正処理を行うステップを含み、
NANDストリングの不良による誤りは、データの読出し時に前記誤り検出・訂正処理によって訂正される、請求項3ないし7いずれか1つに記載のプログラム方法。 - 複数のNANDストリングを含むメモリアレイと、
ビット線を介して前記メモリアレイのNANDストリングに接続され、NANDストリングの不良の有無を出力する出力回路と、
複数の前記出力回路に接続され、選択ブロックのNANDストリングの不良数を検出する検出回路と、
を含む半導体記憶装置。 - 前記検出回路は、前記複数の出力回路のNANDストリングの不良の有無に応じた検出電圧を生成する第1の回路と、基準電圧を生成する第2の回路と、前記検出電圧と前記基準電圧とを比較する比較回路とを含み、当該比較回路は、前記複数の出力回路に接続されたNANDストリングの不良数を検出する、請求項9に記載の半導体記憶装置。
- 半導体記憶装置はさらに、選択ブロックの共通ソース線からNANDストリングに電圧を印加し、選択ブロックの全ページにベリファイ電圧を印加することで、選択ブロックの複数のNANDストリングのリバース読出しを行う手段を含み、前記出力回路は、前記リバース読出し手段の読出し結果に基づきNANDストリングの不良の有無を出力する、請求項9または10に記載の半導体記憶装置。
- 半導体記憶装置はさらに、選択ブロックを消去する消去手段を含み、
前記消去手段は、選択ブロックの消去ベリファイが不合格であり、かつ消去パルスの印加回数が予め決められた回数に到達した場合において、前記検出回路により検出されたNANDストリングの不良数が一定数以下であるとき、当該選択ブロックを使用可能な状態で消去を終了し、不良数が一定数を超えるとき、当該選択ブロックを使用不可能なバッドブロックとして管理する、請求項9ないし11いずれか1つに記載の半導体記憶装置。 - 半導体記憶装置はさらに、選択ブロックの選択ページをプログラムするプログラム手段を含み、
前記プログラム手段は、前記検出回路により検出されたNANDストリングの不良数に基づき設定された許容可能な不合格ビット数に基づき選択ページのプログラムベリファイを行う、請求項9ないし12いずれか1つに記載の半導体記憶装置。 - 半導体記憶装置はさらに、プログラムすべきデータおよび前記メモリアレイ読み出されたデータの誤り検出・訂正を行う回路を含み、前記不合格ビット数は、前記誤り検出・訂正を行う回路によって救済可能なビット数以下である、請求項9ないし13いずれか1つに記載の半導体記憶装置。
- 前記出力回路は、ページバッファ/センス回路を含む、請求項9ないし12いずれか1つに記載の半導体記憶装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016022322A JP6238378B2 (ja) | 2016-02-09 | 2016-02-09 | 半導体記憶装置 |
TW105116411A TWI625727B (zh) | 2016-02-09 | 2016-05-26 | 半導體儲存裝置、其抹除方法及編程方法 |
CN201610454162.1A CN107045889B (zh) | 2016-02-09 | 2016-06-21 | 半导体存储装置、其擦除方法及编程方法 |
KR1020160100591A KR101829861B1 (ko) | 2016-02-09 | 2016-08-08 | 반도체 메모리 장치, 그 소거 방법 및 프로그램 방법 |
US15/239,763 US10026482B2 (en) | 2016-02-09 | 2016-08-17 | Semiconductor memory device, erasing method and programing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016022322A JP6238378B2 (ja) | 2016-02-09 | 2016-02-09 | 半導体記憶装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017005947A Division JP6371423B2 (ja) | 2017-01-17 | 2017-01-17 | 半導体記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017142870A true JP2017142870A (ja) | 2017-08-17 |
JP6238378B2 JP6238378B2 (ja) | 2017-11-29 |
Family
ID=59497902
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016022322A Active JP6238378B2 (ja) | 2016-02-09 | 2016-02-09 | 半導体記憶装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10026482B2 (ja) |
JP (1) | JP6238378B2 (ja) |
KR (1) | KR101829861B1 (ja) |
CN (1) | CN107045889B (ja) |
TW (1) | TWI625727B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019075185A (ja) * | 2017-10-12 | 2019-05-16 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | 不揮発性メモリ装置及びその動作方法 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101941098B1 (ko) | 2016-04-25 | 2019-01-22 | 주식회사 엘지화학 | 염화비닐계 중합체의 제조방법 및 이에 따라 제조된 염화비닐계 중합체 |
KR102460526B1 (ko) | 2018-01-04 | 2022-11-01 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치, 불휘발성 메모리 장치, 그리고 스토리지 장치의 동작 방법 |
CN110473584B (zh) * | 2018-05-11 | 2021-07-23 | 建兴储存科技(广州)有限公司 | 固态储存装置中已抹除区块的再验证方法 |
KR20200114354A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-07 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법 |
JP6820380B2 (ja) * | 2019-06-18 | 2021-01-27 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | ダミーセルの制御方法および半導体装置 |
KR20210055346A (ko) | 2019-11-07 | 2021-05-17 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 스토리지 장치 및 그 동작 방법 |
JP7025472B2 (ja) * | 2020-04-20 | 2022-02-24 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 半導体装置 |
KR20220019547A (ko) | 2020-08-10 | 2022-02-17 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 메모리 시스템 및 이의 소거 방법 |
KR20220020717A (ko) | 2020-08-12 | 2022-02-21 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치, 메모리 컨트롤러 및 이들을 포함하는 메모리 시스템 |
KR20220020724A (ko) | 2020-08-12 | 2022-02-21 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 및 비휘발성 메모리의 불량 메모리 셀 블록 검출 방법 |
JP2022040515A (ja) * | 2020-08-31 | 2022-03-11 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | フラッシュメモリおよびプログラミング方法 |
JP7181984B1 (ja) * | 2021-12-09 | 2022-12-01 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 半導体装置および消去方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6259628B1 (en) * | 1997-12-30 | 2001-07-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory devices with verifying input/output buffer circuits and methods of operation thereof |
JP2006012367A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-12 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2006079695A (ja) * | 2004-09-08 | 2006-03-23 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2007102942A (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びそれを用いた不揮発性メモリシステム |
JP3955530B2 (ja) * | 2001-02-28 | 2007-08-08 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 改良された消去方法に立脚した一層高いプログラムvtおよび一層高速なプログラム速度 |
JP2008198337A (ja) * | 2007-01-17 | 2008-08-28 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2011008910A (ja) * | 2009-06-29 | 2011-01-13 | Hynix Semiconductor Inc | 不揮発性メモリ素子及びプログラム方法 |
JP2013127827A (ja) * | 2011-12-16 | 2013-06-27 | Samsung Yokohama Research Institute Co Ltd | 不揮発性半導体記憶装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3408552B2 (ja) * | 1991-02-11 | 2003-05-19 | インテル・コーポレーション | 不揮発性半導体メモリをプログラム及び消去する回路とその方法 |
TW439293B (en) * | 1999-03-18 | 2001-06-07 | Toshiba Corp | Nonvolatile semiconductor memory |
JP2003068086A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
CN101271731A (zh) * | 2007-03-22 | 2008-09-24 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 存储器的擦除方法 |
JP2008004264A (ja) * | 2007-09-21 | 2008-01-10 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリ及び不揮発性半導体メモリにおける不良カラムの検出及び置き換え方法 |
JP5514135B2 (ja) * | 2011-02-15 | 2014-06-04 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US8514624B2 (en) * | 2011-06-21 | 2013-08-20 | Micron Technology, Inc. | In-field block retiring |
JP2014053056A (ja) * | 2012-09-06 | 2014-03-20 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP5583185B2 (ja) * | 2012-10-12 | 2014-09-03 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 不揮発性半導体メモリ |
US9196366B2 (en) * | 2013-09-18 | 2015-11-24 | Winbond Electronics Corp. | Semiconductor memory apparatus and method for erasing the same |
JP2017054561A (ja) * | 2015-09-07 | 2017-03-16 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置及びメモリシステム |
-
2016
- 2016-02-09 JP JP2016022322A patent/JP6238378B2/ja active Active
- 2016-05-26 TW TW105116411A patent/TWI625727B/zh active
- 2016-06-21 CN CN201610454162.1A patent/CN107045889B/zh active Active
- 2016-08-08 KR KR1020160100591A patent/KR101829861B1/ko active IP Right Grant
- 2016-08-17 US US15/239,763 patent/US10026482B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6259628B1 (en) * | 1997-12-30 | 2001-07-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory devices with verifying input/output buffer circuits and methods of operation thereof |
JP3955530B2 (ja) * | 2001-02-28 | 2007-08-08 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 改良された消去方法に立脚した一層高いプログラムvtおよび一層高速なプログラム速度 |
JP2006012367A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-12 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2006079695A (ja) * | 2004-09-08 | 2006-03-23 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2007102942A (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びそれを用いた不揮発性メモリシステム |
JP2008198337A (ja) * | 2007-01-17 | 2008-08-28 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2011008910A (ja) * | 2009-06-29 | 2011-01-13 | Hynix Semiconductor Inc | 不揮発性メモリ素子及びプログラム方法 |
JP2013127827A (ja) * | 2011-12-16 | 2013-06-27 | Samsung Yokohama Research Institute Co Ltd | 不揮発性半導体記憶装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019075185A (ja) * | 2017-10-12 | 2019-05-16 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | 不揮発性メモリ装置及びその動作方法 |
JP7061549B2 (ja) | 2017-10-12 | 2022-04-28 | 三星電子株式会社 | 不揮発性メモリ装置及びその動作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201729196A (zh) | 2017-08-16 |
KR20170094481A (ko) | 2017-08-18 |
US20170229184A1 (en) | 2017-08-10 |
JP6238378B2 (ja) | 2017-11-29 |
TWI625727B (zh) | 2018-06-01 |
KR101829861B1 (ko) | 2018-02-19 |
CN107045889A (zh) | 2017-08-15 |
CN107045889B (zh) | 2020-05-12 |
US10026482B2 (en) | 2018-07-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6238378B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP6856400B2 (ja) | 半導体記憶装置及びメモリシステム | |
JP4874566B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP5095802B2 (ja) | 半導体メモリ | |
US7907446B2 (en) | Nonvolatile semiconductor memory device and method of driving the same | |
JP2006012367A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP2008027511A (ja) | 半導体記憶装置およびその制御方法 | |
US10395753B2 (en) | Semiconductor memory device and programming method thereof | |
JP6131207B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2014157650A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP6115740B1 (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP6088675B1 (ja) | 半導体記憶装置 | |
JPH11176175A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
CN107305786B (zh) | 非易失性半导体存储装置 | |
US8385129B2 (en) | Semiconductor memory device and control method thereof | |
JP6115882B1 (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2020135903A (ja) | 半導体記憶装置、メモリシステム及び不良検出方法 | |
JP6371423B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2013246849A (ja) | メモリシステム | |
JP6293846B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP4105188B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置およびそのデータ消去方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170512 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171024 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171026 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6238378 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |