JP2017117855A - 撮像装置の製造方法 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 92
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 72
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 72
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 60
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 50
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 23
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 abstract description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 28
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 12
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 11
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 7
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 6
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 5
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000293849 Cordylanthus Species 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14689—MOS based technologies
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
- H01L27/14614—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor having a special gate structure
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14692—Thin film technologies, e.g. amorphous, poly, micro- or nanocrystalline silicon
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Element Separation (AREA)
Abstract
Description
本実施形態に係る撮像装置の製造方法を図1から図7を用いて説明する。
本実施形態は、基本的には第1の実施形態と同じであるが、図6(B)に示した工程の代わりに、図8に示す工程が実施される点が異なる。
本実施形態は、第1の実施形態である図4(B)に示した工程の代わりに、図9(A)に示す工程が実施される点が特徴である。すなわち、図4(B)に示すように、第1の実施形態では、酸化シリコン膜104が基板101の裏面側および側面に残存している。しかし、本実施形態では、図9(A)に示すように、酸化シリコン膜104が基板101の裏面側および側面から除去される。この工程により、基板101の裏面側及び側面のポリシリコン膜103が露出される。この後の工程で、ポリシリコン膜109を形成する際に、第1の実施形態のように酸化シリコン膜104が存在しないため、ポリシリコン膜103の直上にはポリシリコン膜109が形成され、積層体が構成されることになる。2層のポリシリコン膜の間に酸化シリコンが設けられないため、プラズマCVD法により層間絶縁膜を形成する際に、より容易に電荷をステージ側に逃がすことができる。また、積層体となることにより、撮像装置の製造工程で混入する金属不純物を除去するゲッタリング効果も向上する。
104 酸化シリコン膜
108 酸化シリコン膜
109 ポリシリコン膜
115 酸化シリコン膜
116 窒化シリコン膜
Claims (8)
- 複数のトランジスタが形成される第1の主面と、前記第1の主面とは反対側の第2の主面を有する基板を準備する工程と、
前記第1の主面の上と、前記第2の主面の上と、前記基板の側面にポリシリコン膜を形成する工程と、
前記第1の主面の上と、前記第2の主面の上と、前記基板の側面に形成されたポリシリコン膜の上に第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜の前記第2の主面の上に形成された部分と、前記第1の絶縁膜の前記基板の側面に形成された部分を除去することにより、前記第2の主面の上と前記基板の側面に形成された前記ポリシリコン膜を露出する工程と、
前記ポリシリコン膜を露出する工程の後に、前記第1の主面の上に、プラズマCVD法で第2の絶縁膜を形成する工程と、を備えたことを特徴とする撮像装置の製造方法。 - 前記ポリシリコン膜を露出する工程において、前記第1の絶縁膜の一部が前記第2の主面の上に残存するように、前記第1の絶縁膜を除去することを特徴とする請求項1に記載の撮像装置の製造方法。
- 前記第1の絶縁膜は、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜を有する積層膜であり、前記第2の絶縁膜は、酸化シリコン膜であることを特徴とする請求項1または2に記載の撮像装置の製造方法。
- 前記ポリシリコン膜を形成する工程の前に、
前記第1の主面の上と、前記第2の主面の上と、前記基板の側面に別のポリシリコン膜を形成する工程と、
前記第1の主面の上と、前記第2の主面の上と、前記基板の側面に形成された前記別のポリシリコン膜の上に、別の酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記第2の主面の上の前記別のポリシリコン膜の上に形成された前記別の酸化シリコン膜を除去する工程と、
を更に有することを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の撮像装置の製造方法。 - 前記第2の絶縁膜を形成する工程の前に、画素領域に設けられた複数のトランジスタと、前記画素領域の外側である周辺回路領域に設けられた複数のトランジスタとを形成することを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の撮像装置の製造方法。
- 前記ポリシリコン膜を形成する工程の後に、前記第1の主面の上に設けられた前記ポリシリコン膜をパターニングする工程を有し、
前記パターニングされた前記ポリシリコン膜は、前記画素領域に設けられた複数のトランジスタのゲート電極と、前記周辺回路領域に設けられた複数のトランジスタのゲート電極となることを特徴とする請求項5に記載の撮像装置の製造方法。 - 前記第1の絶縁膜を形成する工程の後に、前記第1の主面の上に設けられた前記第1の絶縁膜をエッチングする工程を有し、
前記第1の絶縁膜をエッチングする工程で、前記第1の絶縁膜は、前記周辺回路領域に設けられた前記複数のトランジスタのゲート電極の側壁となることを特徴とする請求項5または6に記載の撮像装置の製造方法。 - 前記第1の絶縁膜をエッチングする工程で、前記第1の絶縁膜は、前記画素領域に設けられた前記複数のトランジスタのゲート電極と、ソース領域と、ドレイン領域の上を覆うように設けられることを特徴とする請求項7に記載の撮像装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015249094A JP6676365B2 (ja) | 2015-12-21 | 2015-12-21 | 撮像装置の製造方法 |
US15/383,357 US9859329B2 (en) | 2015-12-21 | 2016-12-19 | Imaging device manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015249094A JP6676365B2 (ja) | 2015-12-21 | 2015-12-21 | 撮像装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017117855A true JP2017117855A (ja) | 2017-06-29 |
JP6676365B2 JP6676365B2 (ja) | 2020-04-08 |
Family
ID=59067115
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015249094A Active JP6676365B2 (ja) | 2015-12-21 | 2015-12-21 | 撮像装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9859329B2 (ja) |
JP (1) | JP6676365B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2009087979A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Oki Semiconductor Co Ltd | 基板構造体、及び基板構造体の製造方法 |
JP2009182133A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2010212589A (ja) * | 2009-03-12 | 2010-09-24 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2012129312A (ja) * | 2010-12-14 | 2012-07-05 | Canon Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP2012182426A (ja) * | 2011-02-09 | 2012-09-20 | Canon Inc | 固体撮像装置、固体撮像装置を用いた撮像システム及び固体撮像装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9859329B2 (en) | 2018-01-02 |
US20170179191A1 (en) | 2017-06-22 |
JP6676365B2 (ja) | 2020-04-08 |
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