JP2017062490A - 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 - Google Patents

露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2017062490A
JP2017062490A JP2016221460A JP2016221460A JP2017062490A JP 2017062490 A JP2017062490 A JP 2017062490A JP 2016221460 A JP2016221460 A JP 2016221460A JP 2016221460 A JP2016221460 A JP 2016221460A JP 2017062490 A JP2017062490 A JP 2017062490A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
measurement
substrate
exposure
stage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016221460A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6478166B2 (ja
Inventor
柴崎 祐一
Yuichi Shibazaki
祐一 柴崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Publication of JP2017062490A publication Critical patent/JP2017062490A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6478166B2 publication Critical patent/JP6478166B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70133Measurement of illumination distribution, in pupil plane or field plane
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages
    • G03F7/70725Stages control
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/7075Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7088Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices

Abstract

【課題】ウエハを、その平面度を高く維持した状態でホルダ上に搬入する露光装置を提供する。【解決手段】露光装置は、ウエハWを保持するホルダ(ウエハテーブルWTB)を有するステージWSTと、ウエハをその表面側から非接触で支持可能なチャック本体130を有し、投影光学系から離れて設定されるローディングポジションにウエハを搬送する搬送システムと、ステージWSTが配置されるローディングポジションにおいて、チャック本体とホルダ(ウエハテーブル)とを相対移動する駆動装置と、チャック本体を介して搬送システムからホルダにウエハが搬送されるように搬送システムおよび駆動装置を制御するコントローラと、を備える。【選択図】図6

Description

本発明は、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法に係り、特に、光学系を介して照明光で基板を露光する露光装置及び露光方法、並びに露光装置又は露光方法を用いるデバイス製造方法に関する。
従来、半導体素子(集積回路等)、液晶表示素子等の電子デバイス(マイクロデバイス)を製造するリソグラフィ工程では、主として、ステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(いわゆるステッパ)、あるいはステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置(いわゆるスキャニング・ステッパ(スキャナとも呼ばれる))などが用いられている。
この種の露光装置で用いられる、露光対象となるウエハ又はガラスプレート等の基板は、次第に(例えばウエハの場合、10年おきに)大型化している。現在は、直径300mmの300ミリウエハが主流となっているが、今や直径450mmの450ミリウエハ時代の到来が間近に迫っている。450ミリウエハに移行すると、1枚のウエハから採れるダイ(チップ)の数が現行の300ミリウエハの2倍以上となり、コスト削減に貢献する。加えて、エネルギ、水、その他のリソースの効率的な利用により、1チップにかかるすべてのリソース使用を減少させられるものと期待されている。
しかしながら、ウエハのサイズに比例してその厚みが大きくなるわけではないので、450ミリウエハは、300ミリウエハに比較して、強度が格段に弱い。従って、例えばウエハの搬送1つを取り上げても、現在の300ミリウエハと同様の手段方法をそのまま採用したのでは、対応が不十分になると考えられた。そこで、発明者は、物体を搬送部材により上方から非接触で保持して、保持装置に搬入する、450ミリウエハであっても採用可能な搬入方法等を先に提案した(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、その後の研究により、ウエハの非接触保持に特許文献1にも開示されているベルヌーイ・チャックを用いた場合、現在の300ミリウエハの場合でも搬入時において、位置ずれが所望の範囲を超える場合があることが判明した。従って、450ミリウエハでは、位置ずれがさらに大きくなって、その後に行われるアライメント計測(ウエハ上のマークの位置計測)が困難になることが予想される。
また、半導体素子は、次第に微細化しており、このため、露光装置には、高解像力も要求されている。解像力向上のための手段として、露光光の波長の短波長化と投影光学系の開口数の増大化(高NA化)とがある。投影光学系の実質的な開口数を最大限に大きくするため、投影光学系と液体とを介してウエハを露光する液浸露光装置が種々提案されている(例えば特許文献2参照)。この特許文献2には、ウエハアライメント(マークの検出)動作と面位置情報(フォーカス情報)の検出動作とを短時間で行うことを主たる目的とする、露光装置及びその露光方法が開示されている。
しかしながら、450ミリウエハになると、例えば特許文献2に開示される従来例に係る露光装置及びその露光方法をそのまま採用しても、スループットが十分ではない事態も予想され、スループットのさらなる向上が可能な露光装置の出現が期待されていた。
米国特許出願公開第2010/0297562号明細書 米国特許出願公開第2008/0088843号明細書
本発明の第1の態様によれば、光学系を介して照明光で基板を露光する露光装置であって、前記基板を保持するホルダを有するステージと、前記基板をその表面側から非接触で支持可能な支持部材を有し、前記光学系から離れて設定されるローディングポジションに前記基板を搬送する搬送系と、前記ステージが配置される前記ローディングポジションにおいて、前記支持部材と前記ホルダとを相対移動する駆動装置と、前記支持部材を介して前記搬送系から前記ホルダに前記基板が搬送されるように前記搬送系および前記駆動装置を制御するコントローラと、を備える露光装置が、提供される。
本発明の第2の態様によれば、デバイス製造方法であって、第1の態様に係る露光装置によって基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が、提供される。
本発明の第3の態様によれば、光学系を介して照明光で基板を露光する露光方法であって、前記基板を保持するホルダを有するステージを、前記光学系から離れて設定されるローディングポジションに配置することと、前記ステージの上方において支持部材によって前記基板をその表面側から非接触で支持することと、前記支持部材によって非接触支持される基板が前記ホルダに搬送されるように前記支持部材と前記ホルダとを相対移動することと、を含む露光方法が、提供される。
本発明の第4の態様によれば、デバイス製造方法であって、第3の態様に係る露光方法によって基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が、提供される。
一実施形態に係る露光装置の構成を概略的に示す図である。 図2(A)は、図1のウエハステージWSTを示す平面図、図2(B)は、ウエハステージWSTを−Y方向から見た図(正面図)である。 図3(A)は、図1の計測ステージMSTを−Y方向から見た図(正面図)、図3(B)は計測ステージMSTを+X方向から見た図(側面図)、図3(C)は、計測ステージMSTを示す平面図である。 図1の露光装置が備える第1ないし第4トップサイドエンコーダシステム、アライメント系、多点AF系等の配置を、投影光学系を基準として示す図である。 図4の第1ないし第4トップサイドエンコーダシステムの具体的なヘッド配置を説明するための図である。 図6(A)は、チャックユニットを示す概略正面図(−Y方向から見た図)、図6(B)は、チャックユニットの概略平面図である。 図1の第1バックサイドエンコーダシステムの概略構成を説明するための図である。 図8(A)は、第2バックサイドエンコーダシステムの計測アームの先端部を示す斜視図、図8(B)は、図8(A)の計測アームの先端部を示す平面図である。 図9(A)は、図1の第1バックサイドエンコーダシステムの概略構成を説明するための図、図9(B)は、第2バックサイドエンコーダシステムの計測アームの先端部を示す斜視図である。 図10(A)及び図10(B)は、第1バックサイドエンコーダシステム70Aを用いて行われる微動ステージWFSの6自由度方向の位置計測、及びXYZグリッドの差分計測について説明するための図である。 図11(A)〜図11(C)は、差分計測によりΔXマップを求める様子を説明するための図である。 図12(A)及び図12(B)は、それぞれΔYマップ及びΔZマップの一例を示す図である。 図13(A)は、第1トップサイドエンコーダシステムと第1バックサイドエンコーダシステムとによる並行したウエハテーブルWTBの位置計測処理の様子を示す図、図13(B)は、切換部が第1モードに設定されているとき、上記位置計測によって得られるハイブリッド位置信号の一例について示す図である。 図14(A)及び図14(B)は、第1トップサイドエンコーダシステムの座標系のリフレッシュについて説明するための図である。 アンロード装置の構成を説明するための図である。 一実施形態に係る露光装置の制御系を中心的に構成する主制御装置の入出力関係を示すブロック図である。 図16の第1、第2微動ステージ位置計測系の具体的構成の一例を示す図である。 図16の切換部150Aの構成の一例を示すブロック図である。 ウエハステージWSTと計測ステージMSTとを用いた並行処理動作について説明するための図(その1)である。 図20(A)〜図20(D)は、ウエハステージWSTと計測ステージMSTとを用いた並行処理動作について説明するための図(その2)、かつウエハステージ上へのロードの手順について説明するための図である。 ウエハステージWSTと計測ステージMSTとを用いた並行処理動作について説明するための図(その3)である。 ウエハステージWSTと計測ステージMSTとを用いた並行処理動作について説明するための図(その4)である。 ウエハステージWSTと計測ステージMSTとを用いた並行処理動作について説明するための図(その5)である。 ウエハステージWSTと計測ステージMSTとを用いた並行処理動作について説明するための図(その6)である。 ウエハステージWSTと計測ステージMSTとを用いた並行処理動作について説明するための図(その7)である。 図26(A)〜図26(D)は、ウエハステージWSTと計測ステージMSTとを用いた並行処理動作について説明するための図(その8)、かつチャックユニットの下方に次のウエハを搬入する動作を説明するための図である。 ウエハステージWSTと計測ステージMSTとを用いた並行処理動作について説明するための図(その9)である。 ウエハステージWSTと計測ステージMSTとを用いた並行処理動作について説明するための図(その10)であり、かつトラバースチェックについて説明するための図である。 ウエハステージWSTと計測ステージMSTとを用いた並行処理動作について説明するための図(その11)である。 ウエハステージWSTと計測ステージMSTとを用いた並行処理動作について説明するための図(その12)である。 ウエハステージWSTと計測ステージMSTとを用いた並行処理動作について説明するための図(その13)である。 図32(A)〜図32(D)は、ウエハステージWSTと計測ステージMSTとを用いた並行処理動作について説明するための図(その14)、かつ待機ポジションで待機しているウエハをウエハ搬送系との受け渡し位置まで搬送する手順を説明するための図である。 ウエハステージWSTと計測ステージMSTとを用いた並行処理動作について説明するための図(その15)である。 ウエハステージWSTと計測ステージMSTとを用いた並行処理動作について説明するための図(その16)である。 ウエハステージWSTと計測ステージMSTとを用いた並行処理動作について説明するための図(その17)である。 図36(A)〜図36(D)は、ウエハステージWSTと計測ステージMSTとを用いた並行処理動作について説明するための図(その18)、かつ露光済みのウエハをウエハステージ上からアンロードする手順を説明するための図である。 ウエハステージWSTと計測ステージMSTとを用いた並行処理動作について説明するための図(その19)である。 図38(A)〜図38(E)は、ウエハステージWSTと計測ステージMSTとを用いた並行処理動作について説明するための図(その20)、かつアンローディングポジションから待機ポジション2へのウエハの搬送手順について説明するための図である。 干渉計システムから成る計測ステージ位置計測系の代わりに、エンコーダシステムから成る計測テーブルの位置を計測する計測系が用いられる変形例を説明するための図である。
以下、一実施形態について、図1〜図38(E)に基づいて、説明する。
図1には、一実施形態に係る露光装置100の構成が概略的に示されている。この露光装置100は、ステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置、いわゆるスキャナである。後述するように、本実施形態では、投影光学系PLが設けられており、以下においては、この投影光学系PLの光軸AXと平行な方向をZ軸方向(Z方向)、これに直交する面内でレチクルとウエハとが相対走査される方向をY軸方向(Y方向)、Z軸及びY軸に直交する方向をX軸方向(X方向)とし、X軸、Y軸、及びZ軸回りの回転(傾斜)方向をそれぞれθx、θy、及びθz方向として説明を行う。
露光装置100は、図1に示されるように、ベース盤12上の+Y側端部近傍に配置された露光部200と、ベース盤12上の−Y側端部近傍に配置された計測部300と、ベース盤12上で独立してXY平面内で2次元移動するウエハステージWST及び計測ステージMSTと、これらの制御系等とを備えている。以下においては、説明の便宜上、露光部200、計測部300のそれぞれの場所を示す用語として、露光部、計測部と同一の符号を用いて、露光ステーション200、計測ステーション300と称するものとする。
ベース盤12は、床面上に防振機構(図示省略)によってほぼ水平に(XY平面に平行に)支持されている。ベース盤12は、平板状の外形を有する部材から成る。なお、図1において、露光ステーション200には、ウエハステージWSTが位置しており、ウエハステージWST(より詳細には後述するウエハテーブルWTB)上にウエハWが保持されている。また、露光ステーション200内、あるいはその近傍に計測ステージMSTが位置している。計測ステージMSTは、ウエハステージWSTを用いるウエハWの露光動作中、投影光学系PLの下方で移動されるウエハステージWSTと接触しないように投影光学系PLの下方から離れた所定位置(退避位置又は待機位置)に位置付けられる。また、ウエハWの露光動作の終了に先立ち、計測ステージMSTは投影光学系PLの下方で移動されるウエハステージWSTに対して接近するように相対移動されるとともに、遅くとも露光動作の終了時点で、ウエハステージWSTと計測ステージMSTとは互いに近接(又は接触)して位置付けられる。さらに、互いに近接したウエハステージWSTと計測ステージMSTとは投影光学系PLに対して移動され、ウエハステージWSTの代わりに計測ステージMSTが投影光学系PLと対向して配置される。なお、ウエハステージWSTと計測ステージMSTとを近接して位置付けるための相対移動はその少なくとも一部がウエハWの露光動作後に行われても良い。
露光部200は、照明系10、レチクルステージRST、投影ユニットPU及び局所液浸装置8等を備えている。
照明系10は、例えば米国特許出願公開第2003/0025890号明細書などに開示されるように、光源と、オプティカルインテグレータ等を含む照度均一化光学系、及びレチクルブラインド等(いずれも不図示)を有する照明光学系と、を含む。照明系10は、レチクルブラインド(マスキングシステムとも呼ばれる)で設定(制限)されたレチクルR上のスリット状の照明領域IARを、照明光(露光光)ILによりほぼ均一な照度で照明する。ここで、照明光ILとして、一例として、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)が用いられている。
レチクルステージRST上には、そのパターン面(図1における下面)に回路パターンなどが形成されたレチクルRが、例えば真空吸着により固定されている。レチクルステージRSTは、例えばリニアモータ等を含むレチクルステージ駆動系11(図1では不図示、図16参照)によって、XY平面内で微小駆動可能であるとともに、走査方向(図1における紙面内左右方向であるY軸方向)に所定の走査速度で駆動可能となっている。
レチクルステージRSTのXY平面内の位置情報(θz方向の回転情報を含む)は、レチクルレーザ干渉計(以下、「レチクル干渉計」という)13によって、レチクルステージRSTに固定された移動鏡15(実際には、Y軸方向に直交する反射面を有するY移動鏡(あるいは、レトロリフレクタ)とX軸方向に直交する反射面を有するX移動鏡とが設けられている)を介して、例えば0.25nm程度の分解能で常時検出される。レチクル干渉計13の計測値は、主制御装置20(図1では不図示、図16参照)に送られる。なお、レチクル干渉計13の代わりに、例えば米国特許第7,839,485号明細書などに開示されるエンコーダシステムを用いて、レチクルステージRSTの位置情報を計測しても良い。この場合、格子が形成される格子部材(スケール板、又はグリッド板)とエンコーダヘッドとの一方をレチクルステージRSTの下面側に設け、他方をレチクルステージRSTの下方に配置しても良いし、あるいは格子部とエンコーダヘッドとの一方をレチクルステージRSTの上面側に設け、他方をレチクルステージRSTの上方に配置しても良い。また、レチクルステージRSTは、後述のウエハステージWSTと同様に粗微動構造としても良い。
投影ユニットPUは、レチクルステージRSTの図1における下方に配置されている。投影ユニットPUは、不図示の支持部材によって水平に支持されたメインフレーム(メトロロジーフレーム)BDによってその外周部に設けられたフランジ部FLGを介して支持されている。メインフレームBDは、照明光学系の少なくとも一部やレチクルステージRSTが搭載される、露光装置100の本体フレームの一部を構成し、本実施形態では、それぞれ防振機構を介して設置面(例えば、床面など)に配置される複数(例えば3つ又は4つ)の支持部材(不図示)によって支持される。なお、設置面には後述のベース盤12なども配置される。また、防振機構は各支持部材とメインフレームBDとの間に配置しても良い。さらに、例えば国際公開第2006/038952号に開示されているように、投影ユニットPUの上方に配置される本体フレームの一部に対して投影ユニットPUを吊り下げ支持しても良い。
投影ユニットPUは、鏡筒40と、鏡筒40内に保持された投影光学系PLと、を含む。投影光学系PLとしては、例えば、Z軸と平行な光軸AXに沿って配列される複数の光学素子(レンズエレメント)から成る屈折光学系が用いられている。投影光学系PLは、例えば両側テレセントリックで、所定の投影倍率(例えば1/4倍、1/5倍又は1/8倍など)を有する。このため、照明系10からの照明光ILによってレチクルR上の照明領域IARが照明されると、投影光学系PLの第1面(物体面)とパターン面がほぼ一致して配置されるレチクルRを通過した照明光ILにより、投影光学系PL(投影ユニットPU)を介してその照明領域IAR内のレチクルRの回路パターンの縮小像(回路パターンの一部の縮小像)が、投影光学系PLの第2面(像面)側に配置される、表面にレジスト(感応剤)が塗布されたウエハW上の前記照明領域IARに共役な領域(以下、露光領域とも呼ぶ)IAに形成される。そして、レチクルステージRSTとウエハステージWST(より正しくは、ウエハWを保持する後述する微動ステージWFS)との同期駆動によって、照明領域IAR(照明光IL)に対してレチクルRを走査方向(Y軸方向)に相対移動させるとともに、露光領域IA(照明光IL)に対してウエハWを走査方向(Y軸方向)に相対移動させることで、ウエハW上の1つのショット領域(区画領域)の走査露光が行われ、そのショット領域にレチクルRのパターンが転写される。すなわち、本実施形態では照明系10、及び投影光学系PLによってウエハW上にレチクルRのパターンが生成され、照明光ILによるウエハW上の感応層(レジスト層)の露光によってウエハW上にそのパターンが形成される。
局所液浸装置8は、露光装置100が、液浸方式の露光を行うことに対応して設けられている。局所液浸装置8は、液体供給装置5、液体回収装置6(いずれも図1では不図示、図16参照)、及びノズルユニット32等を含む。ノズルユニット32は、図1に示されるように、投影光学系PLを構成する最も像面側(ウエハW側)の光学素子、ここではレンズ(「先端レンズ」又は「最終レンズ」ともいう)191を保持する鏡筒40の下端部周囲を取り囲むように不図示の支持部材を介して、投影ユニットPU等を支持するメインフレームBDに吊り下げ支持されている。ノズルユニット32は、液体Lqの供給口及び回収口と、ウエハWが対向して配置され、かつ回収口が設けられる下面と、液体供給管31A及び液体回収管31B(いずれも図1では不図示、図4参照)とそれぞれ接続される供給流路及び回収流路とを備えている。液体供給管31Aには、その一端が液体供給装置5(図1では不図示、図16参照)に接続された不図示の供給管の他端が接続されており、液体回収管31Bには、その一端が液体回収装置6(図1では不図示、図16参照)に接続された不図示の回収管の他端が接続されている。また、ノズルユニット32はその内部に供給流路と回収流路とを有し、液体供給管31Aと液体回収管31Bとはそれぞれ供給流路と回収流路とを介して供給口と回収口に接続される。さらに、ノズルユニット32はその下面に、投影光学系PLから射出される照明光ILが通る開口部を有し、回収口はその開口部の周囲に配置される。本実施形態では、先端レンズを取り囲む、ノズルユニット32の内側面に供給口が設けられるが、ノズルユニット32の下面側で開口部に対して回収口よりも内側に、その供給口とは別の供給口を設けても良い。
本実施形態では、主制御装置20が液体供給装置5(図16参照)を制御して、液体供給管31A及びノズルユニット32を介して先端レンズ191とウエハWとの間に液体を供給するとともに、液体回収装置6(図16参照)を制御して、ノズルユニット32及び液体回収管31Bを介して先端レンズ191とウエハWとの間から液体を回収する。このとき、主制御装置20は、供給される液体の量と回収される液体の量とが常に等しくなるように、液体供給装置5と液体回収装置6を制御する。従って、先端レンズ191とウエハWとの間には、一定量の液体Lq(図1参照)が常に入れ替わって保持される。局所液浸装置8は、ノズルユニット32を介して供給する液体Lqによって投影光学系PLの下に液浸領域を形成するとともに、ノズルユニット32を介して液浸領域から液体を回収して、ウエハWの一部のみに液体Lqを保持する、すなわち投影光学系PLと対向して配置されるウエハステージWST(微動ステージWFS)の上面、ひいてはウエハWの表面よりも小さい局所領域内に液体Lqを閉じ込めて液浸領域を形成することが可能である。このため、ノズルユニット32は液浸部材、液浸空間形成部材、liquid confinement member、あるいはliquid containment memberなどとも呼ぶことができる。本実施形態では、上記の液体として、ArFエキシマレーザ光(波長193nmの光)が透過する純水を用いるものとする。なお、ArFエキシマレーザ光に対する純水の屈折率nは、ほぼ1.44であり、純水の中では、照明光ILの波長は、193nm×1/n=約134nmに短波長化される。
本実施形態では、ノズルユニット32をメインフレームBDに吊り下げ支持するものとしたが、メインフレームBDと異なるフレーム部材、例えばメインフレームBDとは別に前述の設置面に配置されるフレーム部材にノズルユニット32を設けても良い。これにより、ノズルユニット32から投影光学系PLに伝達する振動を抑制又は防止できる。また、ノズルユニット32の下面側で液体Lq(液浸領域の界面)と接する、ノズルユニット32の一部を可動とし、ウエハステージWSTの移動時に、ウエハステージWSTとノズルユニット32との相対速度が小さくなるようにノズルユニット32の一部を移動しても良い。これにより、特にウエハWの露光動作中、液浸領域から液体Lqの一部が分離して、ウエハステージWSTの上面あるいはウエハWの表面に液体が残留するのを抑制又は防止できる。この場合、ウエハステージWSTの移動中、常にノズルユニット32の一部を移動しても良いが、露光動作の一部、例えばウエハステージWSTのステッピング動作のみでノズルユニット32の一部を移動することとしても良い。また、ノズルユニット32の一部は、例えば回収口と、下面の少なくとも一部とを有する可動ユニット、あるいはノズルユニット32に対して相対移動可能で、液体と接する下面を有するプレートなどで良い。
この他、露光部200は、メインフレームBDから支持部材72Aを介してほぼ片持ち状態で支持された(一端部近傍が支持された)計測アーム71Aを有する第1バックサイドエンコーダシステム70Aと、後述する第1トップサイドエンコーダシステム80A(図1では不図示、図16等参照)とを含む第1微動ステージ位置計測系110Aと、を備えている。ただし、第1微動ステージ位置計測系110Aについては、説明の便宜上、後述する微動ステージについての説明の後に、説明する。
計測部300は、メインフレームBDに設けられたアライメント装置99と、メインフレームBDに設けられた多点焦点位置検出系(以下、多点AF系と略述する)(90a,90b)(図1では不図示、図16等参照)と、メインフレームBDから支持部材72Bを介して片持ち状態で支持された(一端部近傍が支持された)計測アーム71Bを有する第2バックサイドエンコーダシステム70Bと後述する第2トップサイドエンコーダシステム80B(図1では不図示、図16等参照)とを含む第2微動ステージ位置計測系110Bと、を備えている。また、アライメント装置99の近傍には、図1に示されるように、チャックユニット120が設けられている。なお、第2微動ステージ位置計測系110Bについては、説明の便宜上、後述する微動ステージについての説明の後に、説明する。また、アライメント装置99は、アライメント検出系あるいはマーク検出系などとも呼ぶ。
アライメント装置99は、図4に示される5つのアライメント系AL1、AL21〜AL24を含む。詳述すると、図4及び図5に示されるように、投影ユニットPUの中心(投影光学系PLの光軸AX、本実施形態では前述の露光領域IAの中心とも一致)を通りかつY軸と平行な直線(以下、基準軸と呼ぶ)LV上で、光軸AXから−Y側に所定距離隔てた位置に、検出中心が位置する状態でプライマリアライメント系AL1が配置されている。プライマリアライメント系AL1を挟んで、X軸方向の一側と他側には、基準軸LVに関してほぼ対称に検出中心が配置されるセカンダリアライメント系AL21,AL22と、AL23,AL24とがそれぞれ設けられている。すなわち、5つのアライメント系AL1,AL21〜AL24はその検出中心がX軸方向に沿って配置されている。5つのアライメント系AL1、AL21〜AL24のそれぞれとしては、例えば、ウエハ上のレジストを感光させないブロードバンドな検出光束を対象マークに照射し、その対象マークからの反射光により受光面に結像された対象マークの像と不図示の指標(各アライメント系内に設けられた指標板上の指標パターン)の像とを撮像素子(CCD等)を用いて撮像し、それらの撮像信号を出力する画像処理方式のFIA(Field Image Alignment)系が用いられている。5つのアライメント系AL1、AL21〜AL24からの撮像信号は、主制御装置20に供給されるようになっている(図16参照)。なお、アライメント装置99の詳細構成は、例えば米国特許出願公開第2009/0233234号明細書に開示されている。また、アライメント系AL1、AL21〜AL24のそれぞれは撮像方式に限られるものでなく、例えばコヒーレントな計測光をアライメントマーク(回折格子)に照射し、当該マークから発生する回折光を検出する方式などでも良い。
多点AF系としては、図4及び図5に示されるように、送光系90a及び受光系90bから成る斜入射方式の多点AF系が設けられている。多点AF系(90a、90b)と同様の構成は、例えば米国特許第5,448,332号明細書等に開示されている。本実施形態では、一例として、送光系90aと受光系90bとは、プライマリアライメント系AL1の検出中心を通るX軸に平行な直線(基準軸)LAの+Y側に同一距離離れた位置に、基準軸LVに関して対称に配置されている。送光系90aと受光系90bとのX軸方向の間隔は、後述するウエハテーブルWTB上に設けられた一対のスケール39,39(図2(A)参照)の間隔より広く設定されている。
多点AF系(90a,90b)の複数の検出点は、被検面上でX軸方向に沿って所定間隔で配置される。本実施形態では、例えば1行M列(Mは検出点の総数)又は2行N列(Nは検出点の総数の1/2)の行マトリックス状に配置される。図4及び図5中では、それぞれ検出ビームが照射される複数の検出点を、個別に図示せず、送光系90a及び受光系90bの間でX軸方向に延びる細長い検出領域AFとして示している。この検出領域AFは、X軸方向の長さがウエハWの直径と同程度に設定されているので、ウエハWをY軸方向に1回スキャンするだけで、ウエハWのほぼ全面でZ軸方向の位置情報(面位置情報)を計測できる。また、この検出領域AFは、Y軸方向に関して、投影光学系PL(露光領域IA)とアライメント系(AL1、AL21,AL22,AL23,AL24)の検出領域との間に配置されているので、多点AF系とアライメント系とでその検出動作を並行して行うことが可能となっている。
なお、複数の検出点は1行M列又は2行N列で配置されるものとしたが、行数及び/又は列数はこれに限られない。但し、行数が2以上である場合は、異なる行の間でも検出点のX軸方向の位置を異ならせることが好ましい。さらに、複数の検出点はX軸方向に沿って配置されるものとしたが、これに限らず、複数の検出点の全部又は一部をY軸方向に関して異なる位置に配置しても良い。例えば、X軸及びY軸の両方と交差する方向に沿って複数の検出点を配置しても良い。すなわち、複数の検出点は少なくともX軸方向に関して位置が異なっていれば良い。また、本実施形態では複数の検出点に検出ビームを照射するものとしたが、例えば検出領域AFの全域に検出ビームを照射しても良い。さらに、検出領域AFはX軸方向の長さがウエハWの直径と同程度でなくても良い。
ウエハステージWSTは、図1及び図2(B)等からわかるように、粗動ステージWCSと、アクチュエータ(例えば、ボイスコイルモータとEIコアの少なくとも一方を含む)を介して粗動ステージWCSに非接触状態で支持され、粗動ステージWCSに対して相対移動可能な微動ステージWFSとを有している。粗動ステージWCSには、不図示ではあるが、ベース盤12の+X側(又は−X側)に分離して設けられたガイド面上に配置されたチューブキャリアが、配管、配線が一体化されたチューブを介して接続されている。チューブキャリアは、例えば電力(電流)、冷媒、圧縮空気及び真空などの用力を、チューブを介して粗動ステージWCSに供給するものである。また、粗動ステージWCSに供給された用力の一部(例えば真空など)は、微動ステージWFSに供給される。チューブキャリアは、主制御装置20によって、例えばリニアモータ等を介してウエハステージWSTに追従してY軸方向へ駆動される。チューブキャリアのY軸方向への駆動は、ウエハステージWSTのY軸方向の駆動に厳密に追従する必要はなく、ある許容範囲内で追従していれば良い。また、チューブキャリアはベース盤12上に配置しても良く、この場合、粗動ステージWCSを駆動する後述の平面モータによってチューブキャリアを駆動可能である。なお、チューブキャリアはケーブルキャリア、あるいはフォロワーなどとも呼ぶことができる。また、ウエハステージWSTは必ずしも粗微動構造でなくても良い。
ウエハステージWST(粗動ステージWCS)は、後述の平面モータを含む粗動ステージ駆動系51A(図16参照)により、X軸及びY軸方向に所定ストロークで駆動されるとともにθz方向に微小駆動される。また、微動ステージWFSは、前述のアクチュエータを含む微動ステージ駆動系52A(図16参照)によって粗動ステージWCSに対して6自由度方向(X軸、Y軸、Z軸、θx、θy及びθzの各方向)に駆動される。なお、後述の平面モータによって粗動ステージWCSを6自由度方向に駆動しても良い。
ウエハステージWST(粗動ステージWCS)の少なくともXY平面内の位置情報(θz方向の回転情報を含む)は、干渉計システムから成るウエハステージ位置計測系16A(図1及び図16参照)によって計測される。また、露光ステーション200にある粗動ステージWCSに支持された微動ステージWFSの6自由度方向の位置情報は第1微動ステージ位置計測系110A(図1参照)によって計測される。なお、ウエハステージ位置計測系16Aは設けなくても良い。この場合、第1微動ステージ位置計測系110Aのみで、露光ステーション200におけるウエハステージWSTの6自由度方向の位置情報を計測するだけで良い。
また、粗動ステージWCSが計測ステーション300にあるとき、粗動ステージWCSに支持された微動ステージWFSの6自由度方向の位置情報は第2微動ステージ位置計測系110B(図1参照)によって計測される。
また、計測ステーション300内において、後述するフォーカスマッピングを行う際などには、後述する第3バックサイドエンコーダシステム70C及び第3トップサイドエンコーダシステム80C(図16参照)によっても、微動ステージWFSの位置情報が計測される。本実施形態では、前述した通りアライメント装置99の検出中心と多点AF系の検出点とでY方向の位置が異なるため、第2微動ステージ位置計測系110Bとは別に、第3バックサイドエンコーダシステム70C及び第3トップサイドエンコーダシステム80Cを設けている。このため、アライメント装置99によるウエハWなどのマーク検出では、第2微動ステージ位置計測系110Bによって、少なくともY方向に関してアライメント装置99の検出中心と実質的に同一位置でウエハステージWSTの位置情報を計測可能であるとともに、多点AF系によるウエハWなどのZ方向の位置情報の計測では、第3バックサイドエンコーダシステム70C及び第3トップサイドエンコーダシステム80Cによって、少なくともY方向に関して多点AF系の検出点と実質的に同一位置でウエハステージWSTの位置情報を計測可能である。
なお、アライメント装置99の検出中心と多点AF系の検出点とでY方向の位置が実質的に同一である、あるいはY方向の間隔が小さい場合は、第3バックサイドエンコーダシステム70C及び第3トップサイドエンコーダシステム80Cを設けなくても良い。この場合、多点AF系の計測動作においても第2微動ステージ位置計測系110Bを用いてウエハステージWSTの位置情報を計測すれば良い。また、アライメント装置99の検出中心と多点AF系の検出点とでY方向の位置が異なっていても、第3バックサイドエンコーダシステム70C及び第3トップサイドエンコーダシステム80Cを設けず、第2微動ステージ位置計測系110Bのみを用いる場合、Y方向に関してアライメント装置99の検出中心と多点AF系の検出点との間、例えば中心で、ウエハステージWSTの位置情報が計測されるように、第2微動ステージ位置計測系110Bを配置しても良い。
さらに、露光ステーション200及び計測ステーション300との間、すなわち第1微動ステージ位置計測系110A及び第2微動ステージ位置計測系110Bの計測範囲の間における微動ステージWFSの位置情報は、後述する第4トップサイドエンコーダシステム80D(図16参照)によって計測される。なお、第1、第2微動ステージ位置計測系110A、110BによるウエハステージWSTの位置情報の計測が不能となる範囲内、すなわち前述の計測範囲外において、ウエハステージWSTの位置情報を計測する計測装置は第4トップサイドエンコーダシステム80Dに限られるものでなく、例えば干渉計システム、あるいは検出方式及び/又は構成が第4トップサイドエンコーダシステム80Dと異なるエンコーダシステムなど、他の計測装置を用いても良い。
また、計測ステージMSTのXY平面内の位置情報は、干渉計システムから成る計測ステージ位置計測系16B(図1及び図16参照)によって計測される。なお、計測ステージMSTの位置情報を計測する計測装置は干渉計システムに限られるものでなく、他の計測装置、例えばエンコーダシステム(後述の第5トップサイドエンコーダシステムなどを含む)などを用いても良い。
ウエハステージ位置計測系16A、計測ステージ位置計測系16B、及び第4トップサイドエンコーダシステム80Dの計測値(位置情報)は、それぞれ粗動ステージWCS、計測ステージMST、並びに微動ステージWFSの位置制御のため、主制御装置20に供給される(図16参照)。また、第1及び第2微動ステージ位置計測系110A、110B、並びに第3バックサイドエンコーダシステム70C及び第3トップサイドエンコーダシステム80Cの計測結果は、粗動ステージWCS、計測ステージMST、並びに微動ステージWFSの位置制御のため、それぞれ後述する切換部150A〜150Cを介して主制御装置20に供給される(図16参照)。
ここで、上記各種計測系を含めて、ステージ系の構成等について詳述する。まず、ウエハステージWSTについて説明する。
粗動ステージWCSは、図2(B)に示されるように、粗動スライダ部91と、一対の側壁部92a,92bと、一対の固定子部93a、93bと、を備えている。粗動スライダ部91は、平面視で(+Z方向から見て)X軸方向の長さがY軸方向の長さより幾分長い長方形板状の部材から成る。一対の側壁部92a,92bのそれぞれは、Y軸方向を長手方向とする長方形板状の部材から成り、粗動スライダ部91の長手方向の一端部と他端部の上面にYZ平面に平行な状態でそれぞれ固定されている。一対の固定子部93a、93bは、側壁部92a,92bそれぞれの上面のY軸方向の中央部に内側に向けて固定されている。粗動ステージWCSは、全体として、上面のX軸方向中央部及びY軸方向の両側面が開口した高さの低い直方体形状を有している。すなわち、粗動ステージWCSには、その内部にY軸方向に貫通した空間部が形成されている。この空間部内に後述する露光時、アライメント時などに計測アーム71A、71Bが挿入される。なお、側壁部92a,92bは、固定子部93a、93bとY軸方向の長さをほぼ同じにしても良い。すなわち、側壁部92a,92bは、粗動スライダ部91の長手方向の一端部と他端部の上面のY軸方向の中央部のみに設けても良い。また、粗動ステージWCSは、微動ステージWFSを支持して可動であれば良く、ウエハステージWSTの本体部、あるいは可動体や移動体などと呼ぶことができる。
ベース盤12の内部には、図1に示されるように、XY二次元方向を行方向、列方向としてマトリックス状に配置された複数のコイル17を含む、コイルユニットが収容されている。なお、ベース盤12は、その表面がXY平面とほぼ平行となるように、投影光学系PLの下方に配置される。
コイルユニットに対応して、粗動ステージWCSの底面、すなわち粗動スライダ部91の底面には、図2(B)に示されるように、XY二次元方向を行方向、列方向としてマトリックス状に配置された複数の永久磁石18から成る磁石ユニットが設けられている。磁石ユニットは、ベース盤12のコイルユニットと共に、例えば米国特許第5,196745号明細書などに開示される電磁力(ローレンツ力)駆動方式の平面モータから成る粗動ステージ駆動系51A(図16参照)を構成している。コイルユニットを構成する各コイル17に供給される電流の大きさ及び方向は、主制御装置20によって制御される。
粗動スライダ部91の底面には、上記磁石ユニットの周囲に複数のエアベアリング94が固定されている。粗動ステージWCSは、複数のエアベアリング94によって、ベース盤12の上方に所定の隙間(クリアランス、ギャップ)、例えば数μm程度の隙間を介して浮上支持され、粗動ステージ駆動系51Aによって、X軸方向、Y軸方向及びθz方向に駆動される。
なお、粗動ステージ駆動系51Aとしては、電磁力(ローレンツ力)駆動方式の平面モータに限らず、例えば可変磁気抵抗駆動方式の平面モータを用いることもできる。この他、粗動ステージ駆動系51Aを、磁気浮上型の平面モータによって構成し、該平面モータによって粗動ステージWCSを6自由度方向に駆動できるようにしても良い。この場合、粗動スライダ部91の底面にエアベアリングを設けなくても良くなる。
一対の固定子部93a、93bそれぞれは、外形が板状の部材から成り、その内部に微動ステージWFSを駆動するための複数のコイルから成るコイルユニットCUa、CUbが収容されている。コイルユニットCUa、CUbを構成する各コイルに供給される電流の大きさ及び方向は、主制御装置20によって制御される。
微動ステージWFSは、図2(B)に示されるように、本体部81と、本体部81の長手方向の一端部と他端部にそれぞれ固定された一対の可動子部82a、82bと、本体部81の上面に一体的に固定された平面視矩形の板状部材から成るウエハテーブルWTBと、を備えている。
本体部81は、平面視でX軸方向を長手方向とする八角形板状の部材から成る。本体部81の下面には、所定厚さの所定形状、例えば平面視が矩形又は本体部81より一回り大きい八角形状の板状部材から成るスケール板83が、水平(ウエハW表面と平行)に配置されて固定されている。スケール板83の下面の少なくともウエハWよりも一回り大きい領域には、2次元グレーティング(以下、単にグレーティングと呼ぶ)RGが設けられている。グレーティングRGは、X軸方向を周期方向とする反射型回折格子(X回折格子)と、Y軸方向を周期方向とする反射型回折格子(Y回折格子)と、を含む。X回折格子及びY回折格子の格子線のピッチは、例えば1μmと設定されている。
本体部81とスケール板83とは、例えば熱膨張率が同じ又は同程度の素材で形成されることが望ましく、その素材は低熱膨張率であることが望ましい。また、グレーティングRGの表面は、保護部材、例えば光が透過可能な透明な素材で、低熱膨張率なカバーガラスによって覆われて、保護されていても良い。なお、グレーティングRGは異なる2方向に関して周期的に配列されていれば、その構成などは任意で良いし、周期方向もX、Y方向と一致していなくても良い、例えば周期方向がX、Y方向に対して45度回転しても良い。
本実施形態では、微動ステージWFSが本体部81とウエハテーブルWTBとを有するものとしたが、例えば、本体部81を設けずに、前述のアクチュエータによってウエハテーブルWTBを駆動しても良い。また、微動ステージWFSは、その上面の一部にウエハWの載置領域を有していれば良く、ウエハステージWSTの保持部、あるいはテーブル、可動部などと呼ぶことができる。
一対の可動子部82a、82bは、本体部81のX軸方向の一端面と他端面とにそれぞれ固定されたYZ断面が矩形枠状の筐体を有する。以下では、便宜上、これらの筐体を可動子部82a、82bと同一の符号を用いて、筐体82a、82bと表記する。
筐体82aは、Y軸方向寸法(長さ)及びZ軸方向寸法(高さ)が、共に固定子部93aよりも幾分大きいY軸方向に細長いYZ断面が矩形の空間(開口部)を有する。筐体82aの空間内に粗動ステージWCSの固定子部93aの−X側の端部が非接触で挿入されている。筐体82aの上壁部82a及び底壁部82aの内部には、磁石ユニットMUa、MUaが、設けられている。
可動子部82bは、可動子部82aと左右対称ではあるが同様に構成されている。筐体(可動子部)82bの空間内に粗動ステージWCSの固定子部93bの+X側の端部が非接触で挿入されている。筐体82bの上壁部82b及び底壁部82bの内部には、磁石ユニットMUa、MUaと同様に構成された磁石ユニットMUb、MUbが、設けられている。
上述のコイルユニットCUa、CUbは、磁石ユニットMUa、MUa及びMUb、MUbにそれぞれ対応するように固定子部93a及び93bの内部にそれぞれ収容されている。
磁石ユニットMUa、MUa及びMUb、MUb、並びにコイルユニットCUa、CUbの構成は、例えば米国特許出願公開第2010/0073652号明細書及び米国特許出願公開第2010/0073653号明細書等に詳細に開示されている。
本実施形態では、前述した可動子部82aが有する一対の磁石ユニットMUa、MUa及び固定子部93aが有するコイルユニットCUaと、可動子部82bが有する一対の磁石ユニットMUb、MUb及び固定子部93bが有するコイルユニットCUbと、を含んで、上記米国特許出願公開第2010/0073652号明細書及び米国特許出願公開第2010/0073653号明細書と同様に、微動ステージWFSを粗動ステージWCSに対して非接触状態で浮上支持するとともに、非接触で6自由度方向へ駆動する微動ステージ駆動系52A(図16参照)が構成されている。
なお、粗動ステージ駆動系51A(図16参照)として、磁気浮上型の平面モータを用いる場合、該平面モータによって粗動ステージWCSと一体で微動ステージWFSを、Z軸、θx及びθyの各方向に微小駆動可能となるので、微動ステージ駆動系52Aは、X軸、Y軸及びθzの各方向、すなわちXY平面内の3自由度方向に微動ステージWFSを駆動可能な構成にしても良い。この他、例えば粗動ステージWCSの一対の側壁部92a,92bのそれぞれに、各一対の電磁石を、微動ステージWFSの八角形の斜辺部に対向して設け、各電磁石に対向して微動ステージWFSに磁性体部材を設けても良い。このようにすると、電磁石の磁力により、微動ステージWFSをXY平面内で駆動できるので、可動子部82a,82bと、固定子部93a,93bとによって一対のY軸リニアモータを構成しても良い。
ウエハテーブルWTBの上面の中央には、ウエハWを真空吸着等によって保持するウエハホルダ(不図示)が設けられている。ウエハホルダは、ウエハテーブルWTBと一体に形成されていても良いし、ウエハテーブルWTBに対して、例えば静電チャック機構あるいはクランプ機構等を介して、又は接着等により固定されていても良い。ここで、図2(B)等では、図示は省略されているが、本体部81には、ウエハテーブルWTB及びウエハホルダに設けられた孔を介して上下動可能な複数、例えば3本の上下動ピン140(図6(A)参照)が設けられている。3本の上下動ピン140は、上端面がウエハホルダ(ウエハテーブルWTB)の上面の上方に位置する第1位置とウエハホルダ(ウエハテーブルWTB)の上面の下方に位置する第2位置との間で上下動可能である。3本の上下動ピン140は、駆動装置142(図16参照)を介して主制御装置20によって駆動される。
ウエハテーブルWTBの上面のウエハホルダ(ウエハの載置領域)の外側には、図2(A)に示されるように、ウエハホルダよりも一回り大きな円形の開口が中央に形成され、かつ矩形状の外形(輪郭)を有するプレート(撥液板)28が設けられている。プレート28は、低熱膨張率の材料、例えばガラス又はセラミックス(例えばショット社のゼロデュア(商品名)、AlあるいはTiCなど)から成り、その表面には、液体Lqに対する撥液化処理が施されている。具体的には、例えばフッ素樹脂材料、ポリ四フッ化エチレン(テフロン(登録商標))等のフッ素系樹脂材料、アクリル系樹脂材料あるいはシリコン系樹脂材料などにより撥液膜が形成されている。なお、プレート28は、その表面の全部(あるいは一部)がウエハWの表面と実質的に同一面となるようにウエハテーブルWTBの上面に固定されている。
プレート28は、ウエハテーブルWTBのX軸方向の中央に位置し、その中央に上述の円形の開口が形成された矩形の外形(輪郭)を有する第1撥液領域28aと、該第1撥液領域28aをX軸方向に挟んでウエハテーブルWTBの+X側端部、−X側端部に位置する長方形の一対の第2撥液領域28bと、を有する。なお、本実施形態では、前述の如く液体Lqとして水を用いるので、以下では第1撥液領域28a及び第2撥液領域28bをそれぞれ第1撥水板28a及び第2撥水板28bとも呼ぶ。
第1撥水板28aの+Y側の端部近傍には、計測プレート30が設けられている。この計測プレート30には、中央に基準マークFMが設けられ、該基準マークFMを挟むように一対の空間像計測スリットパターン(スリット状の計測用パターン)SLが、設けられている。そして、各空間像計測スリットパターンSLに対応して、それらを透過する照明光ILを、ウエハステージWST外部(後述する計測ステージMSTに設けられる受光系)に導く送光系(不図示)が設けられている。計測プレート30は、例えば、ウエハホルダが配置される開口と異なる、プレート28の開口内に配置され、計測プレート30とプレート28とのギャップは、ウエハテーブルWTB内に液体が流入しないように、シール部材などによって塞がれる。また、計測プレート30はその表面がプレート28の表面と実質的に同一面となるようにウエハテーブルWTBに設けられる。なお、スリットパターンSLと異なる少なくとも1つの開口部(光透過部)を計測プレート30に形成するとともに、投影光学系PLと液体とを介して開口部を透過する照明光ILをセンサで検出し、例えば、投影光学系PLの光学特性(波面収差などを含む)及び/又は照明光ILの特性(光量、前述の露光領域IA内での照度分布などを含む)などを計測可能としても良い。
一対の第2撥水板28bには、それぞれ、第1ないし第4トップサイドエンコーダシステム80A〜80Dのためのスケール39,39が形成されている。詳述すると、スケール39,39はそれぞれ、例えばY軸方向を周期方向とする回折格子とX軸方向を周期方向とする回折格子とが組み合わされた、反射型の二次元回折格子によって構成されている。二次元回折格子の格子線のピッチは、Y軸方向及びX軸方向のいずれの方向についても、例えば1μmと設定されている。また、一対の第2撥水板28bはそれぞれ、スケール(二次元格子)39,39を有するので、格子部材、スケール板、あるいはグリッド板などと呼ばれ、本実施形態では、例えば低熱膨張率のガラスプレート表面に二次元格子が形成され、その二次元格子を覆うように撥液膜が形成される。なお、図2(A)では、図示の便宜のため、格子のピッチは、実際のピッチよりも大きく図示されている。その他の図においても同様である。また、二次元格子は異なる2方向に関して周期的に配列されていれば、その構成などは任意で良いし、周期方向もX、Y方向と一致していなくても良い、例えば周期方向がX、Y方向に対して45度回転しても良い。
なお、一対の第2撥水板28bの回折格子を保護するために、撥水性をそなえた低熱膨張率のガラス板でカバーすることも有効である。ここで、ガラス板としては、厚さがウエハと同程度、例えば厚さ1mmのものを用いることができ、一例としては、そのガラス板の表面がウエハ面と実質的に同じ高さ(同一面)になるよう、ウエハテーブルWTB上面に設置される。また、少なくともウエハWの露光動作中、前述の液浸領域の液体と接しない程度に一対の第2撥水板28bがウエハWから離れて配置される場合、一対の第2撥水板28bはその表面が撥液性でなくても良い。すなわち、一対の第2撥水板28bはそれぞれ、スケール(二次元格子)が形成される、単なる格子部材で構わない。
本実施形態では、ウエハテーブルWTBにプレート28を設けるものとしたが、プレート28は設けなくても良い。この場合、ウエハテーブルWTBの上面に、ウエハホルダが配置される凹部を設け、例えば、前述した、表面が撥液性でない一対の格子部材を、ウエハテーブルWTB上でX方向に関して凹部を挟んで配置すれば良い。前述の通り、この一対の格子部材は、液浸領域の液体と接しない程度に凹部から離して配置すると良い。また、凹部内でウエハホルダに保持されるウエハWの表面がウエハテーブルWTBの上面と実質的に同一面となるように、凹部を形成しても良い。なお、ウエハテーブルWTBの上面の全部又は一部(少なくとも凹部を囲む周囲領域を含む)を撥液性としても良い。また、スケール(二次元格子)39,39が形成される一対の格子部材を凹部に近接して配置する場合、表面が撥液性でない一対の格子部材の代わりに、前述した一対の第2撥水板28bを用いても良い。
なお、各第2撥水板28bのスケールの端付近には、後述するエンコーダヘッドとスケール間の相対位置を決めるための、不図示の位置出しパターンがそれぞれ設けられている。この位置出しパターンは例えば反射率の異なる格子線から構成され、この位置出しパターン上をエンコーダヘッドが走査すると、エンコーダの出力信号の強度が変化する。そこで、予め閾値を定めておき、出力信号の強度がその閾値を超える位置を検出する。この検出された位置を基準に、エンコーダヘッドとスケール間の相対位置を設定する。また、上述の如く、本実施形態では、微動ステージWFSがウエハテーブルWTBを備えているので、以下の説明では、ウエハテーブルWTBを含む微動ステージWFSを、ウエハテーブルWTBとも表記する。
次に、説明は前後するが、チャックユニット120について説明する。チャックユニット120は、露光前のウエハを、ウエハテーブルWTB上にロードするのに先立ってローディングポジションの上方で保持するとともに、ウエハテーブルWTB上にロードするためのものである。
チャックユニット120は、図1に示されるように、メインフレームBDの下面に不図示の防振部材を介して固定された駆動部122と、駆動部122によって上下動されるチャック本体130と、を備えている。図6(A)には、チャックユニット120の正面図(−Y方向から見た図)が、図6(B)には、チャックユニット120の平面図が、それぞれ概略的に示されている。駆動部122は、モータを内蔵し、図6(A)に示されるように、上下動軸122aを介してチャック本体130を上下方向(Z軸方向)に駆動する。
チャック本体130は、上下動軸122aの下端にその上面が固定された所定厚さの平面視円形の板状部材から成るクール・プレート123、及びクール・プレート123の下面にその上面が固定されたベルヌーイ・チャック(又はフロートチャックとも呼ばれる)124等を備えている。
クール・プレート123は、ウエハを所定温度に温調するためのもので、例えばその内部に配管等が設けられており、その配管内に所定温度に温調された液体が流れることで、所定温度に温調される。クール・プレート123のX軸方向の両端部には、一対のガイド部125が設けられている。一対のガイド部125のそれぞれには、上下方向に貫通した貫通孔から成るガイド孔125aが形成されている。
一方のガイド部125に形成されたガイド孔125aの内部には、上下方向に延びる軸126が、所定の隙間を空けて挿入されている。軸126の上端部は、ガイド部125の上方に露出し、上下動回転駆動部127に接続されている。上下動回転駆動部127は、不図示の取り付け部材を介してメインフレームBDに取り付けられている。軸126の下端部はガイド部125の下方に露出し、その下端面には、XY平面内の一軸方向に延びる(図6(A)では、X軸方向に延びている)支持板128が固定されている。なお、塵埃の発生を防止するため、ガイド孔125aの内周面の複数個所にエアベアリング等の非接触軸受を配置することが望ましい。支持板128は、長手方向の一端近傍の上面が軸126に固定されている。支持板128は、上下動回転駆動部127によって、長手方向の他端部が、ベルヌーイ・チャック124の外周部の一部に対向する第1回転位置とベルヌーイ・チャック124に対向しない第2回転位置との間でθz方向に回転駆動されるとともに、所定ストロークで上下方向にも駆動される。
他方のガイド部125側にも、上記と同様の配置、構成で、上下動回転駆動部127、軸126、支持板128が設けられている。
ベルヌ−イ・チャック124は、クール・プレート123と比較して格段に薄いクール・プレート123とほぼ同じ大きさの板状の部材から成る。ベルヌ−イ・チャック124の外周面の3箇所には、例えばCCD等の撮像素子129が埋め込み状態で取り付けられている(図6(A)等では、代表的に撮像素子のうち1つのみが示されている)。3つの撮像素子129のうち1つは、ウエハW中心とベルヌ−イ・チャック124の中心とがほぼ一致した状態で、ウエハWのノッチ(V字の切り欠き、不図示)に対向する位置に配置され、残り2つの撮像素子129は、ウエハW中心とベルヌーイ・チャック124の中心とがほぼ一致した状態で、ウエハWの外周の一部に対向する位置にそれぞれ配置されている。また、ベルヌ−イ・チャック124には、例えば静電容量センサから成る不図示のギャップセンサが設けられており、その出力は主制御装置20に供給されるようになっている。
ベルヌーイ・チャックは、周知の如く、ベルヌーイ効果を利用し、吹き出される流体(例えば空気)の流速を局所的に大きくし、対象物を非接触で固定(以下では、適宜、支持あるいは保持又は吸着とも呼ぶ)するチャックである。ここで、ベルヌーイ効果とは、流体の圧力は流速が増すにつれ減少するというベルヌーイの定理(原理)が、流体機械などに及ぼす効果を言う。ベルヌーイ・チャックでは、吸着(固定)対象物の重さ、及びチャックから吹き出される流体の流速で保持状態(吸着/浮遊状態)が決まる。すなわち、対象物の大きさが既知の場合、チャックから吹き出される流体の流速に応じて、保持の際のチャックと保持対象物との隙間の寸法が定まる。本実施形態では、ベルヌ−イ・チャック124は、ウエハ(W)の吸着(支持又は保持)に用いられる。ウエハは、ベルヌ−イ・チャック124に吸着保持されることで、Z軸方向,θx及びθy方向の移動が制限され、ベルヌ−イ・チャック124に吸着(支持又は保持)された状態で一対の支持板128にその下面(裏面)の外周部近傍の2箇所が下方から接触支持されることで摩擦力によりX軸方向,Y軸方向及びθz方向の移動が制限される。
なお、ベルヌーイ効果を利用するチャックに限らず、ベルヌーイ効果を利用しないでウエハを非接触支持可能なチャックを使用しても良い。本実施形態では、それらチャックを含めて(総称して)ベルヌーイ・チャックと呼んでいる。
上述の撮像素子129の撮像信号は、信号処理系116(図16参照)に送られ、信号処理系116は、例えば米国特許第6,624,433号明細書などに開示されている手法により、ウエハの切り欠き(ノッチなど)を含む周縁部の3箇所を検出して、ウエハWのX軸方向、Y軸方向の位置ずれと回転(θz回転)誤差とを求める。そして、それらの位置ずれと回転誤差との情報は、主制御装置20に供給される(図16参照)。本実施形態では、ベルヌーイ・チャック124に保持されたウエハWの位置計測を行うプリアライメント装置として3つの撮像素子129を用いるものとしたが、プリアライメント装置は撮像素子に限られるものでなく、例えば光量センサなど他のセンサを用いても良い。また、プリアライメント装置はベルヌーイ・チャック124に設けられるものとしたが、例えば、プリアライメント装置を構成する発光部と受光部との一方のみをベルヌーイ・チャック124に設け、他方をウエハステージWSTあるいはメインフレームBDなどに設けても良い。さらに、発光部及び受光部の少なくとも一部、例えば、光源及び/又はセンサ(ディテクタ)などはベルヌーイ・チャック124に設けず、例えば本体フレームなど他の場所に配置しても良い。
チャックユニット120の駆動部122、ベルヌーイ・チャック124、及び一対の上下動回転駆動部127などは、主制御装置20によって制御される(図16参照)。主制御装置20によって、チャックユニット120を用いて行われる各種動作については、後述する。
次に、計測ステージMSTについて説明する。図3(A)、図3(B)及び図3(C)には、計測ステージMSTの正面図(−Y方向から見た図)、側面図(−X方向から見た図)、及び平面図(+Z方向から見た図)が、それぞれ示されている。これら図3(A)〜図3(C)に示されるように、計測ステージMSTは、平面視で(+Z方向から見て)X軸方向を長手方向とする長方形板状のスライダ部60と、スライダ部60上面の+X側の端部に固定された直方体部材から成る支持部62と、該支持部62上に片持ち支持され、計測テーブル駆動系52B(図16参照)を介して例えば6自由度方向(又はXY平面内の3自由度方向)に微小駆動される長方形板状の計測テーブルMTBとを備えている。
スライダ部60の底面には、不図示ではあるが、ベース盤12のコイルユニット(コイル17)と共に、電磁力(ローレンツ力)駆動方式の平面モータから成る計測ステージ駆動系51B(図16参照)を構成する、複数の永久磁石から成る磁石ユニットが設けられている。スライダ部60の底面には、上記磁石ユニットの周囲に複数のエアベアリング(不図示)が固定されている。計測ステージMSTは、前述のエアベアリングによって、ベース盤12の上方に所定の隙間(ギャップ、クリアランス)、例えば数μm程度の隙間を介して浮上支持され、計測ステージ駆動系51Bによって、X軸方向及びY軸方向に駆動される。なお、粗動ステージ駆動系51Aと計測ステージ駆動系51Bとは、コイルユニットを共通とするが、本実施形態では、説明の便宜上から、粗動ステージ駆動系51Aと計測ステージ駆動系51Bとを別々に観念している。実際問題としても、コイルユニットの異なるコイル17が、ウエハステージWSTと計測ステージMSTとの駆動にそれぞれ用いられるので、このように観念しても問題はない。なお、計測ステージMSTはエア浮上方式としたが、例えば平面モータによる磁気浮上方式でも良い。
計測テーブルMTBには、各種計測用部材が設けられている。この計測用部材としては、例えば、図3(C)に示されるように、投影光学系PLの像面上で照明光ILを受光するピンホール状の受光部を有する照度むらセンサ95、投影光学系PLにより投影されるパターンの空間像(投影像)を計測する空間像計測器96、及び例えば国際公開第03/065428号などに開示されているシャック−ハルトマン(Shack−Hartman)方式の波面収差計測器97、並びに投影光学系PLの像面上で照明光ILを受光する所定面積の受光部を有する照度モニタ98などが設けられている。
照度むらセンサ95としては、例えば米国特許第4,465,368号明細書などに開示されるものと同様の構成のものを用いることができる。また、空間像計測器96としては、例えば米国特許出願公開第2002/0041377号明細書などに開示されるものと同様の構成のものを用いることができる。波面収差計測器97としては、例えば国際公開第99/60361号(対応欧州特許第1079223号明細書)に開示されるものも用いることができる。照度モニタ98としては、例えば米国特許出願公開第2002/0061469号明細書などに開示されるものと同様の構成のものを用いることができる。
また、計測テーブルMTBには、前述の一対の送光系(不図示)に対向し得る配置で、一対の受光系(不図示)が設けられている。本実施形態では、ウエハステージWSTと計測ステージMSTとがY軸方向に関して所定距離以内に近接した状態(接触状態を含む)において、ウエハステージWST上の計測プレート30の各空間像計測スリットパターンSLを透過した照明光ILを各送光系(不図示)で案内し、計測ステージMST内の各受光系(不図示)の受光素子で受光する、空間像計測装置45(図16参照)が構成される。
なお、本実施形態では4つの計測用部材(95,96、97、98)を計測テーブルMTBに設けるものとしたが、計測用部材の種類、及び/又は数などはこれに限られない。計測用部材として、例えば投影光学系PLの透過率を計測する透過率計測器、及び/又は、前述の局所液浸装置8、例えばノズルユニット32(あるいは先端レンズ191)などを観察する計測器などを用いても良い。さらに、計測用部材と異なる部材、例えばノズルユニット32、先端レンズ191などを清掃する清掃部材などを計測ステージMSTに搭載しても良い。
なお、本実施形態では、投影光学系PLと液体(水)Lqとを介して露光光(照明光)ILによりウエハWを露光する液浸露光が行われるのに対応して、照明光ILを用いる計測に使用される上記の照度むらセンサ95、空間像計測器96、波面収差計測器97、及び照度モニタ98では、投影光学系PL及び水を介して照明光ILを受光することとなる。また、各センサは、例えば光学系及び水を介して照明光ILを受光する受光面(受光部)、及び光学系などの一部だけが計測テーブルMTBに配置されていても良いし、センサ全体を計測テーブルMTBに配置されていても良い。
計測テーブルMTBの上面には、その表面が撥液膜(撥水膜)で覆われた透明部材から成るプレート63が、固定されている。プレート63は、前述のプレート28と同様の素材によって形成されている。計測テーブルMTBの下面(−Z側の面)には、前述のグレーティングRGと同様のグレーティングRGaが設けられている。
なお、計測ステージ駆動系51Bを、磁気浮上型の平面モータで構成する場合には、例えば計測ステージを6自由度方向に可動な単体のステージにしても良い。また、計測テーブルMTBにプレート63を設けなくても良い。この場合、計測テーブルMTBの上面に、前述した複数のセンサの受光面(光透過部)がそれぞれ配置される複数の開口を形成し、例えば、開口内で受光面が計測テーブルMTBの上面と実質的に同一面となるように、受光面を含む、センサの少なくとも一部を計測テーブルMTBに設ければ良い。
計測ステージMSTのXY平面内の位置情報は、主制御装置20により、ウエハステージ位置計測系16Aと同様の干渉計システムから成る計測ステージ位置計測系16B(図1及び図16参照)を用いて計測される。
計測ステージMSTは、計測アーム71Aに対して−X側から係合可能で、その係合状態では、計測テーブルMTBが計測アーム71Aの真上に位置する。このとき、計測テーブルMTBの位置情報は、グレーティングRGaに計測ビームを照射する後述する計測アーム71Aが有する複数のエンコーダヘッドによって計測される。
また、計測テーブルMTBは、粗動ステージWCSに支持されているウエハテーブルWTB(微動ステージWFS)に+Y側から例えば300μm程度以下の距離まで近接又は接触可能であり、その近接又は接触状態では、ウエハテーブルWTBの上面とともに、見かけ上一体のフルフラットな面を形成する(例えば図27参照)。計測テーブルMTB(計測ステージMST)は、主制御装置20により、計測ステージ駆動系51Bを介して駆動され、ウエハテーブルWTBとの間で液浸領域(液体Lq)の受け渡しを行う。すなわち、投影光学系PLの下に形成される液浸領域を規定する境界(boundary)の一部が、ウエハテーブルWTBの上面と計測テーブルMTBの上面との一方から他方に置き換えられる。なお、計測テーブルMTBとウエハテーブルWTBとの間の液浸領域(液体Lq)の受け渡しについてはさらに後述する。
次に、露光ステーション200にある粗動ステージWCSに移動可能に保持される微動ステージWFSの位置情報の計測に用いられる第1微動ステージ位置計測系110A(図16参照)の構成について説明する。
第1微動ステージ位置計測系110Aの第1バックサイドエンコーダシステム70Aは、図1に示されるように、ウエハステージWSTが投影光学系PLの下方に配置された状態で、粗動ステージWCSの内部に設けられた空間部内に挿入される計測アーム71Aを備えている。
計測アーム71Aは、図7に示されるように、メインフレームBDに支持部材72Aを介して片持ち状態で支持されたアーム部材71と、アーム部材71の内部に収容された後述するエンコーダヘッド(光学系の少なくとも一部)とを有する。すなわち、第1バックサイドエンコーダシステム70Aのヘッド部(光学系の少なくとも一部を含む)がウエハテーブルWTBのグレーティングRGよりも低く配置されるように、計測アーム71Aのアーム部材71と支持部材72Aとを含む計測部材(支持部材、又はメトロロジーアームとも呼ぶ)によってそのヘッド部を支持する。これにより、グレーティングRGに対して下方から、第1バックサイドエンコーダシステム70Aの計測ビームが照射される。アーム部材71は、図8(A)に拡大して示されるように、Y軸方向を長手方向とする長方形断面を有する中空の柱状の部材から成る。アーム部材71は、例えば図19に示されるように、幅方向(X軸方向)の寸法が基端部近傍が最も広く、基端部から長手方向の中央より幾分基端部寄りの位置にかけて先端側に行くにつれて徐々に細くなり、長手方向の中央より幾分基端部寄りの位置から先端まではほぼ一定になっている。本実施形態では、第1バックサイドエンコーダシステム70Aのヘッド部を、ウエハテーブルWTBのグレーティングRGとベース盤12の表面との間に配置するものとしたが、例えばベース盤12の下方にヘッド部を配置しても良い。
アーム部材71は、低熱膨張率の素材、望ましくは0膨張の素材(例えばショット社のゼロデュア(商品名)など)から成り、その先端部には、図7に示されるように、例えば100Hz程度の固有の共振周波数を有するマスダンパー(ダイナミックダンパとも呼ばれる)69が設けられている。ここで、マスダンパーとは、弾性部材、例えばバネと重りとで構成された振り子で、これを取り付けておくと、その構造物(ここではアーム部材71)に外から振動が加わったとき、マスダンパーの共振と同じ振動周波数であれば、重りが共振振動して構造物(ここではアーム部材71)の振動エネルギを代替吸収する。これにより、その構造物(ここではアーム部材71)の特定の周波数の振動を小さく抑えることができる。なお、マスダンパー以外の振動抑制部材によってアーム部材71の振動を抑制又は防止しても良い。また、この振動抑制部材は、アーム部材71の振動に起因して生じる第1バックサイドエンコーダシステム70Aの計測誤差を補償する補償装置の1つであり、後述の第1トップサイドエンコーダシステム80Aも補償装置の1つである。
アーム部材71は、中空でかつ基端部が幅広になっているので、剛性が高くなっており、その平面視における形状が上述のように設定されているので、ウエハステージWSTが投影光学系PLの下方に配置された状態では、アーム部材71の先端部が粗動ステージWCSの空間部内に挿入された状態で、ウエハステージWSTが移動するが、その際にウエハステージWSTの移動の妨げとなることを防止できる。また、アーム部材71の中空部内に後述するエンコーダヘッドとの間で光(計測ビーム)を伝送する送光側(光源側)及び受光側(ディテクタ側)の光ファイバなどが通されている。なお、アーム部材71は、例えば、光ファイバなどが通される部分のみが、中空であり、他の部分は中実な部材によって形成されていても良い。
前述したようにウエハステージWSTが投影光学系PLの下方に配置された状態では、計測アーム71Aのアーム部材71は、先端部が粗動ステージWCSの空間部内に挿入され、図1及び図7に示されるように、その上面が微動ステージWFSの下面(より正確には、本体部81の下面)に設けられたグレーティングRG(図1、図7では不図示、図2(B)等参照)に対向している。アーム部材71の上面は、微動ステージWFSの下面との間に所定の隙間(ギャップ、クリアランス)、例えば数mm程度の隙間が形成された状態で、微動ステージWFS下面とほぼ平行に配置される。
第1バックサイドエンコーダシステム70Aは、図17に示されるように、微動ステージWFSのX軸、Y軸及びZ軸方向の位置をそれぞれ計測する一対の3次元エンコーダ73a、73bと、微動ステージWFSのX軸及びZ軸方向の位置を計測するXZエンコーダ73cと、微動ステージWFSのY軸及びZ軸方向の位置を計測するYZエンコーダ73dとを含む。
XZエンコーダ73c及びYZエンコーダ73dのそれぞれは、計測アーム71Aのアーム部材の内部にそれぞれ収納された、X軸及びZ軸方向を計測方向とする2次元ヘッド、及びY軸及びZ軸方向を計測方向とする2次元ヘッドを備えている。以下では、便宜上、XZエンコーダ73c及びYZエンコーダ73dのそれぞれが備える2次元ヘッドを、それぞれのエンコーダと同一の符号を用いてXZヘッド73c、YZヘッド73dと表記する。これらXZヘッド73c及びYZヘッド73dのそれぞれとしては、例えば米国特許第7,561,280号明細書に開示される変位計測センサヘッドと同様の構成のエンコーダヘッド(以下、適宜、ヘッドと略記する)を用いることができる。また、一対の3次元エンコーダ73a、73bは、計測アーム71Aのアーム部材71の内部にそれぞれ収納されたX軸、Y軸及びZ軸方向を計測方向とする3次元ヘッドを備えている。以下では、便宜上、3次元エンコーダ73a及び73bのそれぞれが備える3次元ヘッドを、それぞれのエンコーダと同一の符号を用いて3次元ヘッド73a、73bと表記する。3次元ヘッド73a、73bとしては、例えばXZヘッド73cとYZヘッド73dとを、それぞれの計測点(検出点)が同一点となり、かつX軸方向、Y軸方向及びZ軸方向の計測が可能となるように組み合わせて構成した3次元ヘッドを用いることができる。
図8(A)には、アーム部材71の先端部が斜視図にて示されており、図8(B)には、アーム部材71の先端部の上面を+Z方向から見た平面図が示されている。図8(A)及び図8(B)に示されるように、一対の3次元ヘッド73a、73bは、アーム部材71のセンターラインCLに関して対称な位置に配置されている。一方の3次元ヘッド73aは、X軸に平行な直線LX1上でセンターラインCLから所定距離にあるY軸に平行な直線LY1から等距離(距離aとする)の位置にある2点(図8(B)の白丸参照)から、グレーティングRG上に計測ビームLBxa、LBxa(図8(A)参照)を照射する。また、3次元ヘッド73aは、直線LY1上で直線LX1からともに距離aの位置にある2点から、グレーティングRG上に計測ビームLBya、LByaを照射する。計測ビームLBxa、LBxaは、グレーティングRG上の同一の照射点に照射され、また、その照射点に計測ビームLBya、LByaも照射される。本実施形態では、計測ビームLBxa、LBxa及び計測ビームLBya、LByaの照射点、すなわち3次元ヘッド73aの検出点(図8(B)中の符号DP1参照)は、ウエハWに照射される照明光ILの照射領域(露光領域)IAの中心である露光位置に一致している(図1参照)。ここで、直線LY1は、前述の基準軸LVに一致している。
3次元ヘッド73bは、直線LX1でセンターラインCLに関して直線LY1と対称な直線LY2からともに距離aの位置にある2点(図8(B)の白丸参照)から、グレーティングRG上に計測ビームLBxb、LBxbを照射する。また、3次元ヘッド73bは、直線LY2上で直線LX1からともに距離aの位置にある2点から、グレーティングRG上に計測ビームLByb、LBybを照射する。計測ビームLBxb、LBxbは、グレーティングRG上の同一の照射点に照射され、また、その照射点に計測ビームLByb、LBybも照射される。計測ビームLBxb、LBxb及び計測ビームLByb、LBybの照射点、すなわち3次元ヘッド73bの検出点(図8(B)中の符号DP2参照)は、露光位置の−X側に所定距離離れた点である。
XZヘッド73cは、3次元ヘッド73aの+Y側に所定距離離れた位置に配置されている。XZヘッド73cは、図8(B)に示されるように、直線LX1から所定距離+Y側に位置するX軸に平行な直線LX2上で直線LY1からともに距離aの位置にある2点(図8(B)の白丸参照)から、グレーティングRG上の共通の照射点に図8(A)においてそれぞれ破線で示される計測ビームLBxc,LBxcを照射する。計測ビームLBxc,LBxcの照射点、すなわちXZヘッド73cの検出点が、図8(B)に符号DP3で示されている。
YZヘッド73dは、3次元ヘッド73bの+Y側に所定距離離れた位置に配置されている。YZヘッド73dは、図8(B)に示されるように、直線LY2上に配置され、直線LX2からともに距離aの位置にある2点(図8(B)の白丸参照)から、グレーティングRG上の共通の照射点に図8(A)においてそれぞれ破線で示される計測ビームLByc,LBycを照射する。計測ビームLByc,LBycの照射点、すなわちYZヘッド73dの検出点が、図8(B)に符号DP4で示されている。
第1バックサイドエンコーダシステム70Aでは、グレーティングRGのX回折格子及びY回折格子を用いて微動ステージWFSのX軸、Y軸及びZ軸方向の位置を計測する一対の3次元ヘッド73a、73bによって、3次元エンコーダ73a、73bがそれぞれ構成され、グレーティングRGのX回折格子を用いて微動ステージWFSのX軸及びZ軸方向の位置を計測するXZヘッド73cによって、XZエンコーダ73cが構成され、グレーティングRGのY回折格子を用いて微動ステージWFSのY軸及びZ軸方向の位置を計測するYZヘッド73dによって、YZエンコーダ73dが構成されている。
第1バックサイドエンコーダシステム70Aのエンコーダ73a,73b,73c,73dの出力は、後述する切換部150Aを介して主制御装置20に供給される(図16、図17等参照)。
ここで、第1バックサイドエンコーダシステム70Aの出力が切換部150Aを介して主制御装置20に供給されているとき、主制御装置20によって、第1バックサイドエンコーダシステム70Aを用いて行われる微動ステージWFSの6自由度方向の位置計測、及びXYZグリッドの差分計測について、図10(A)〜図12(B)に基づいて、説明する。
ここでは、前提として、図10(A)に示されるように、3次元エンコーダ73a、73bの計測値をそれぞれ(X1、Y1、Z1)、(X2、Y2、Z2)とし、XZエンコーダ73cの計測値を(X3、Z3)とし、YZエンコーダ73dの計測値を(Y3、Z4)とする。
本実施形態では、一例として、図10(B)中に塗りつぶしで示されるように、X1、Y1、Y2、Z1、Z2、及びZ3が、微動ステージWFSの6自由度方向(X軸、Y軸、Z軸、θx、θy及びθzの各方向)の位置計測に用いられる。具体的には、主制御装置20は、X1,Y1,Z1を用いて、微動ステージWFSのX軸、Y軸、Z軸方向の位置を演算し、Y1、Y2を用いて微動ステージWFSのθz方向の位置を演算し、Z1、Z2を用いて微動ステージWFSのθy方向の位置を演算し、Z1とZ3とを用いて微動ステージWFSのθx方向の位置を演算する。
ここで、本実施形態では、3次元ヘッド73aの検出点DP1が、露光位置に一致しているので、その検出点DP1で微動ステージWFSのX軸、Y軸、Z軸方向の位置を計測するため、X1,Y1,Z1を用いて、微動ステージWFSのX軸、Y軸、Z軸方向の位置を演算している。従って、例えば、露光位置が、一対の3次元ヘッド73a、73bの検出点DP1、DP2の中央の点に一致している場合には、主制御装置20は、X1とX2との平均値、Y1とY2との平均値、Z1とZ2との平均値に基づいて、微動ステージWFSのX軸、Y軸、Z軸方向の位置を求めるようにすれば良い。
また、主制御装置20は、上記の微動ステージWFSの6自由度方向の位置計測と並行して、以下の差分計測を行なって、第1バックサイドエンコーダシステム70Aの座標系のX,Y,Zグリッド(グリッド誤差)を求める。すなわち、主制御装置20は、図10(B)及び図11(A)に示されるように、X1とX2とを用いて、XグリッドのX位置に応じたずれΔX/δxを求め、図10(B)及び図11(B)に示されるように、X1とX3とを用いて、XグリッドのY位置に応じたずれΔX/δyを求めている。これにより、図11(C)に示されるようなΔXマップが求められる。
主制御装置20は、同様に、図10(B)に示されるように、Y2とY3とを用いて、YグリッドのY位置に応じたずれΔY/δyを求め、Z3とZ4とを用いて、ZグリッドのX位置に応じたずれΔZ/δxを求め、Z2とZ4とを用いて、ZグリッドのY位置に応じたずれΔZ/δyを求めている。また、主制御装置20は、Y1とY2とを用いて、YグリッドのX位置に応じたずれΔY/δxを求めているが、このときは、微動ステージWFSのθz方向の位置を、X1とX3とを用いて演算している。これにより、図12(A)及び図12(B)にそれぞれ示されるようなΔYマップ、ΔZマップが求まる。
主制御装置20は、所定のサンプリング間隔で、上記の微動ステージWFSの6自由度方向の位置計測と並行して、上記の差分計測を繰り返し行なって、第1バックサイドエンコーダシステム70Aの座標系のグリッド誤差の更新を行う。以下では、このグリッド誤差の更新を、第1バックサイドエンコーダシステム70Aの座標系のリフレッシュと称する。
従って、本実施形態では、主制御装置20は、第1バックサイドエンコーダシステム70Aを用いることで、微動ステージWFS上に載置されたウエハWの複数のショット領域にレチクルRのパターンを転写する際、微動ステージWFSのXY平面内の位置情報の計測を、常に露光位置の直下(微動ステージWFSの裏面側)で行うことができる。
この場合、上述のヘッド73a〜73dでは、計測ビームの空気中での光路長が極短くかつほぼ等しいため、空気揺らぎの影響が殆ど無視できる。従って、第1バックサイドエンコーダシステム70Aにより、微動ステージWFSの6自由度方向の位置情報を高精度に計測できる。また、第1バックサイドエンコーダシステム70AによるX軸、Y軸及びZ軸方向の実質的なグレーティング上の検出点は、それぞれ露光領域IAの中心(露光位置)に一致するので、いわゆるアッベ誤差の発生が実質的に無視できる程度に抑制される。従って、主制御装置20は、第1バックサイドエンコーダシステム70Aを用いることで、アッベ誤差なく、微動ステージWFSのX軸方向、Y軸方向及びZ軸方向の位置を高精度に計測できる。なお、第1バックサイドエンコーダシステム70AはウエハテーブルWTB(又はウエハステージWST)の6自由度方向の位置情報を計測するだけでも良いが、本実施形態のように、6自由度方向の位置情報の計測に必要な複数の計測ビームとは別に少なくとも1つの計測ビームを用いてウエハテーブルWTB(又はウエハステージWST)の位置情報を計測可能とすることが好ましい。
次に、第1微動ステージ位置計測系110Aの一部を構成する、第1トップサイドエンコーダシステム80Aの構成等について説明する。第1トップサイドエンコーダシステム80Aは、第1バックサイドエンコーダシステム70Aと並行して微動ステージWFSの6自由度方向の位置情報を計測することが可能である。
露光装置100では、図4に示されるように、投影ユニットPU(ノズルユニット32)の+X側、−X側に、一対のヘッド部62A、62Cが、それぞれ配置されている。ヘッド部62A,62Cは、後述するように、それぞれ複数のヘッドを含み、これらのヘッドが、支持部材を介して、メインフレームBD(図4では不図示、図1等参照)に吊り下げ状態で固定されている。
ヘッド部62A、62Cは、図4に示されるように、各4つの4軸ヘッド651〜654,641〜644を備えている。4軸ヘッド651〜654の筐体の内部には、図5に示されるように、X軸及びZ軸方向を計測方向とするXZヘッド65X1〜65X4と、Y軸及びZ軸方向を計測方向とするYZヘッド65Y1〜65Y4とが収容されている。同様に、4軸ヘッド641〜644の筐体の内部には、XZヘッド64X1〜64X4と、YZヘッド64Y1〜64Y4とが収容されている。XZヘッド65X1〜65X4及び64X1〜64X4、並びにYZヘッド65Y1〜65Y及び64Y1〜64Yのそれぞれとしては、例えば米国特許第7,561,280号明細書に開示される変位計測センサヘッドと同様の構成のエンコーダヘッドを用いることができる。
XZヘッド65X1〜65X4,64X1〜64X4(より正確には、XZヘッド65X1〜65X4,64X1〜64X4が発する計測ビームのスケール391、392上の照射点)は、投影光学系PLの光軸AX(本実施形態では前述の露光領域IAの中心とも一致)を通りかつX軸と平行な直線(以下、基準軸と呼ぶ)LH上に、所定間隔WDで配置されている。また、YZヘッド65Y1〜65Y4,64Y1〜64Y4(より正確には、YZヘッド65Y1〜65Y4,64Y1〜64Y4が発する計測ビームのスケール391、392上の照射点)は、基準軸LHに平行であり且つ基準軸LHから−Y側に所定距離離間する直線LH上に、対応するXZヘッド65X1〜65X4,64X1〜64X4と同じX位置に、配置されている。以下では、必要に応じて、XZヘッド65X1〜65X4,64X1〜64X4、及びYZヘッド65Y1〜65Y4,64Y1〜64Y4を、それぞれ、XZヘッド65X,64X、及びYZヘッド65Y,64Yとも表記する。なお、基準軸LHは、前述の直線LX1に一致している。
ヘッド部62A,62Cは、それぞれスケール391,392を用いて、ウエハテーブルWTBのX軸方向の位置(X位置)及びZ軸方向の位置(Z位置)を計測する多眼(ここでは4眼)のXZリニアエンコーダ、及びY軸方向の位置(Y位置)及びZ位置を計測する多眼(ここでは4眼)のYZリニアエンコーダを構成する。以下では、便宜上、これらのエンコーダを、XZヘッド65X、64X、YZヘッド65Y、64Yとそれぞれ同一の符号を用いて、XZリニアエンコーダ65X、64X、及びYZリニアエンコーダ65Y、64Yと表記する(図17参照)。
本実施形態では、XZリニアエンコーダ65XとYZリニアエンコーダ65Yとによって、ウエハテーブルWTBのX軸、Y軸、Z軸、及びθxの各方向に関する位置情報を計測する多眼(ここでは4眼)の4軸エンコーダ65が構成される(図17参照)。同様に、XZリニアエンコーダ64XとYZリニアエンコーダ64Yとによって、ウエハテーブルWTBのX軸、Y軸、Z軸、及びθxの各方向に関する位置情報を計測する多眼(ここでは4眼)の4軸エンコーダ64が構成されている(図17参照)。
ここで、ヘッド部62A,62Cがそれぞれ備える4つのXZヘッド65X,64X(より正確には、XZヘッド65X,64Xが発する計測ビームのスケール39、39上の照射点)及び4つのYZヘッド65Y,64Y(より正確には、YZヘッド65Y,64Yが発する計測ビームのスケール上の照射点)のX軸方向の間隔WDは、スケール391,392のX軸方向の幅より狭く設定されている。従って、露光の際などには、それぞれ4つのXZヘッド65X,64X,YZヘッド65Y,64Yのうち、少なくとも各1つのヘッドが、常に、対応するスケール391,392に対向する(計測ビームを照射する)。ここで、スケールの幅とは、回折格子(又はこの形成領域)の幅、より正確にはヘッドによる位置計測が可能な範囲を指す。
従って、4軸エンコーダ65と4軸エンコーダ64とによって、ウエハステージWSTが露光ステーション200にある場合、粗動ステージWCSに支持された微動ステージWFSの6自由度方向の位置情報を計測する第1トップサイドエンコーダシステム80Aが構成される。
第1トップサイドエンコーダシステム80Aを構成する、各エンコーダの計測値は、切換部150Aを介して主制御装置20に供給される(図16、図17等参照)。
また、図示は省略されているが、主制御装置20は、ウエハステージWSTをX軸方向に駆動する際、ウエハテーブルWTBの位置情報を計測するXZヘッド65X、64X及びYZヘッド65Y、64Yを、隣のXZヘッド65X、64X及びYZヘッド65Y、64Yに順次切り換える。すなわち、このXZヘッド及びYZヘッドの切り換え(つなぎ)を円滑に行うために、前述の如く、ヘッド部62A,62Cに含まれる隣接するXZヘッド及びYZヘッドの間隔WDが、スケール391,392のX軸方向の幅よりも狭く設定されている。
これまでの説明からわかるように、本実施形態では、ウエハステージWSTが露光ステーション200にある場合、粗動ステージWCSに支持された微動ステージWFSの6自由度方向の位置情報は、第1バックサイドエンコーダシステム70Aと、第1トップサイドエンコーダシステム80Aとによって並行して計測が可能である。
しかるに、第1トップサイドエンコーダシステム80Aと第1バックサイドエンコーダシステム70Aには、それぞれ次のような長所、短所がある。
第1トップサイドエンコーダシステム80Aは、プレート28の変形及びヘッド65X、64X、65Y、64Yのドリフト等の長期変動により、計測信号の静的な成分(極低周波の帯域の成分を含む)の変動が大きく、ウエハテーブルWTBの剛性が低く、振幅の大きい箇所を観察するため、周波数特性上不利であるなどの短所を有する反面、ボディの振動による影響は小さく、極低周波の帯域を除けば計測騙されは小さいなどの長所を有する。
一方、第1バックサイドエンコーダシステム70Aは、グレーティングRGの変形及びヘッド73a〜73dのドリフト等の長期変動が少なく、計測信号の静的な成分の信頼性が高く、また高周波帯域では微動ステージWFSの剛性の高い部分を観察しているため、周波数特性上有利であるなどの長所を有するが、計測アーム71A(アーム部材71)が片持ち支持構造でその長さが500mm、あるいはそれ以上であるため、100Hz〜400Hz位の帯域の暗振動(ボディの振動)の影響が大きいという短所も有する。
そこで、本実施形態では、後述する露光時を含み、露光ステーション200にウエハステージWSTが位置する際、例えば図13(A)に示されるように、第1バックサイドエンコーダシステム70Aと第1トップサイドエンコーダシステム80Aとにより並行して、微動ステージWFS(ウエハテーブルWTB)の位置情報の計測を行い、より信頼性の高い方の位置情報に基づいて、ウエハテーブルWTBの位置制御を行うようになっている。そのため、第1バックサイドエンコーダシステム70Aと第1トップサイドエンコーダシステム80Aとは、切換部150Aを介して主制御装置20に接続さている(図16、図17等参照)。
図18には、切換部150Aの具体的構成の一例が示されている。切換部150Aは、2つの切り換えスイッチ部158a、158bと、切り換えスイッチ部158aの1つの出力端子aを介して第1バックサイドエンコーダシステム70Aの出力信号Fが入力され、切り換えスイッチ部158bの1つの出力端子dを介して第1トップサイドエンコーダシステム80Aの出力信号Fが入力され、ハイブリッド位置信号Fを主制御装置20に出力するハイブリッドフィルタ部160と、を備えている。
切り換えスイッチ部158aは、第1バックサイドエンコーダシステム70Aに接続された入力端子(不図示)と、3つの出力端子a,b,cとを有し、入力端子と3つの出力端子a,b,cのいずれかとを切り換え接続する。この場合、出力端子bは、主制御装置20に接続され、出力端子cは、何も接続されていない端子(以下、開放端子と称する)となっている。
切り換えスイッチ部158bは、第1トップサイドエンコーダシステム80Aに接続された入力端子(不図示)と、3つの出力端子d,e,fとを有し、入力端子と3つの出力端子d,e,fのいずれかとを切り換え接続する。この場合、出力端子eは、主制御装置20に接続され、出力端子fは、開放端子となっている。
切り換えスイッチ部158a、158bの切り換えは、主制御装置20から図18中に破線で示される切り換え信号(又はセレクト信号)が入力されることで行われる。主制御装置20は、所定の処理アルゴリズムに従って、あるいは外部からの指令に応じて切り換え信号(又はセレクト信号)を切り換えスイッチ部158a、158bに入力する。
本実施形態では、切換部150Aは、主制御装置20によって次のような4つの状態が択一的に設定されるものとする。
切換部150Aは、切り換えスイッチ部158aの入力端子が出力端子aに、切り換えスイッチ部158bの入力端子が出力端子dに、それぞれ接続される第1の状態に設定される。切換部150Aは、この第1の状態では、後述するように、ハイブリッド位置信号Fを主制御装置20に出力する。
切換部150Aは、切り換えスイッチ部158aの入力端子が出力端子bに、切り換えスイッチ部158bの入力端子が出力端子eに、それぞれ接続される第2の状態に設定される。切換部150Aは、この第2の状態では、第1バックサイドエンコーダシステム70Aの出力信号F、及び第1トップサイドエンコーダシステム80Aの出力信号Fを、主制御装置20に出力する。
切換部150Aは、切り換えスイッチ部158aの入力端子が出力端子bに、切り換えスイッチ部158bの入力端子が開放端子fに、それぞれ接続される第3の状態に設定される。切換部150Aは、この第3の状態では、第1バックサイドエンコーダシステム70Aの出力信号Fのみを、主制御装置20に出力する。
切換部150Aは、切り換えスイッチ部158aの入力端子が開放端子cに、切り換えスイッチ部158bの入力端子が出力端子eに、それぞれ接続される第4の状態に設定される。切換部150Aは、この第4の状態では、第1トップサイドエンコーダシステム80Aの出力信号Fのみを、主制御装置20に出力する。
以下では、便宜上、上記第1、第2、第3、第4の状態を、切換部150Aの第1、第2、第3、第4モードと呼ぶ。すなわち、切換部150Aは、主制御装置20に対する出力の4つのモードを択一的に設定するモード設定部である。
ハイブリッドフィルタ部160は、切換部150Aが、上記第1モードに設定されているとき、第1バックサイドエンコーダシステム70Aの出力信号Fと、第1トップサイドエンコーダシステム80Aの出力信号Fとを入力とし、微動ステージWFSの位置制御に用いられるハイブリッド位置信号Fを主制御装置20に出力する。
ハイブリッドフィルタ部160は、第1バックサイドエンコーダシステム70Aの出力信号Fがそれぞれ入力される、カットオフ周波数がfcのローパスフィルタLfcと、カットオフ周波数がfc(>fc)のハイパスフィルタHfcとを有し、それら2つのフィルタLfc及びHfcをそれぞれ通過した信号の加算信号を出力する第1フィルタ部160aと、第1トップサイドエンコーダシステム80Aの出力信号Fがそれぞれ入力される、カットオフ周波数がfcのハイパスフィルタHfcと、カットオフ周波数がfcのローパスフィルタLfcとを有し、それら2つのフィルタHfc及びLfcをそれぞれ通過した信号の加算信号を出力する第2フィルタ部160bとを備えている。ハイブリッドフィルタ部160は、第1フィルタ部160aの出力と第2フィルタ部160bの出力との加算信号をハイブリッド位置信号Fとして、主制御装置20に出力する。
ここで、カットオフ周波数fcは、例えば第1バックサイドエンコーダシステム70Aが影響を受ける暗振動の周波数帯域100Hz〜400Hzの下限周波数100Hzより幾分低い周波数、例えば50Hzに設定される。また、カットオフ周波数fcは、例えば第1バックサイドエンコーダシステム70Aが影響を受ける暗振動の周波数帯域100Hz〜400Hzの上限周波数400Hzより幾分高い周波数、例えば500Hzに設定される。
このようにカットオフ周波数fc、fcを設定した場合、ハイブリッドフィルタ部160からは、図13(B)中に実線で示されるように。50Hzより低い低周波域では、第1バックサイドエンコーダシステム70Aの出力信号(位置の計測結果)が、50Hzより高く500Hzより低い中周波帯域では、第1トップサイドエンコーダシステム80Aの出力信号(位置の計測結果)が、500Hzより高い高周波域では第1バックサイドエンコーダシステム70Aの出力信号(位置の計測結果)が、それぞれハイブリッド位置信号Fとして出力されることとなる。
これにより、第1トップサイドエンコーダシステム80Aがプレート変形及びヘッドのドリフトの影響を受けて計測値の信頼性が低下する低周波域では、そのような影響を受けることがなく信頼性の高い第1バックサイドエンコーダシステム70Aの計測値が、第1バックサイドエンコーダシステム70Aが暗振動の影響を受けて計測値の信頼性が低下する中周波域では、そのような影響を受け難く信頼性の高い第1トップサイドエンコーダシステム80Aの計測値が、第1トップサイドエンコーダシステム80AがウエハテーブルWTBの剛性が低く振幅の大きい箇所を観察するため、周波数特性上不利となる高周波域では、周波数特性上有利な第1バックサイドエンコーダシステム70Aの計測値が、それぞれウエハテーブルWTBのXY平面内の位置の計測結果として、主制御装置20に出力される。従って、主制御装置20では、常に信頼性の高いウエハテーブルWTBの位置計測値に基づいて、露光ステーション200にウエハステージWSTがあるとき、微動ステージWFSを駆動(位置制御)することが可能になる。
このように、本実施形態では、切換部150Aが第1モードに設定されているとき、第1バックサイドエンコーダシステム70A、第1トップサイドエンコーダシステム80Aの計測情報(計測信号)を周波数帯で切り替えて、結果的に、より信頼性の高い方の計測情報に基づいて、ウエハテーブルWTBの位置制御が行われる。なお、例えば第1トップサイドエンコーダシステム80Aが、高周波域において周波数特性上不利とならない場合などには、カットオフ周波数fcの設定は不要である。この場合には、カットオフ周波数fcのハイパスフィルタとローパスフィルタとによって、第1バックサイドエンコーダシステム70Aと第1トップサイドエンコーダシステム80Aとの出力信号のハイブリッド位置信号を合成するフィルタ回路部を設ければ足りる。
また、切換部150Aが例えば第3モード、又は第4モードに設定されるのは、明らかに第1バックサイドエンコーダシステム70Aの計測情報の方が信頼性が高い場合、又は第1トップサイドエンコーダシステム80Aの計測情報の方が信頼性が高い場合である。
また、切換部150Aが第2モードに設定されるのは、第1バックサイドエンコーダシステム70A及び第1トップサイドエンコーダシステム80Aの計測情報をいずれも取り込む必要がある場合である。
ところで、上述したように、本実施形態では、切換部150Aが第1モードに設定されているとき、中周波域において、第1トップサイドエンコーダシステム80Aの計測値に基づいて、微動ステージWFSの駆動(位置制御)が行われるので、一対のスケール39、39の2次元グレーティングで設定される座標系の更新、すなわち一対のスケール39、39のグリッド(グリッド誤差)の更新(以下、第1トップサイドエンコーダシステム80Aの座標系のリフレッシュと称する)が行われることが望ましい。
そこで、主制御装置20は、ウエハステージWSTが露光ステーション200にあるとき、例えば露光中などに、以下のようにして、第1トップサイドエンコーダシステム80Aの座標系のリフレッシュを行なう。
本実施形態における第1バックサイドエンコーダシステム70Aの座標系と第1トップサイドエンコーダシステム80Aの複数の4軸ヘッド651〜654,641〜644との関係は、図14(A)のように表すことができる。ここで、R、R、R、Rは、それぞれ4軸ヘッド651、65、65、654に相当し、L、L、L、Lは、それぞれ4軸ヘッド641、64、64、644に相当する。
符号Ct(i=1、2、3、4)は、LとRとで吊られる第1バックサイドエンコーダシステム70Aの座標系、すなわちRとLとがスケール39、39をそれぞれ観察しているときに、第1バックサイドエンコーダシステム70Aの露光位置直下の3次元エンコーダ73aで観察される2次元グレーティングRG上の領域に対応する部分座標系を意味する。第1バックサイドエンコーダシステム70Aの全体座標系の中心からR1、R2、R3、R4までの距離を、それぞれD、D、D、Dとし、D+D(5−i)=Wとすると、Ctのグリッド歪Δ(x、y)は、次式(1)で表される。ここで、Δは、x,y,z成分を持つ3次元ベクトルである。
Δ(x、y)=1/W・{DΔ(x、y)+D(5−i)Δ(x、y)}…(1)
式(1)中の(x、y)を(x、y)に一般化して変形すると、次式(1)’が得られる。
WΔ(x、y)=DΔ(x、y)+D(5−i)Δ(x、y)…(1)’
式(1)’のiに1、2、3、4をそれぞれ代入すると、次の式(2)〜式(5)が得られる。
WΔ(x、y)=DΔ(x、y)+DΔ(x、y)…(2)
WΔ(x、y)=DΔ(x、y)+DΔ(x、y)…(3)
WΔ(x、y)=DΔ(x、y)+DΔ(x、y)…(4)
WΔ(x、y)=DΔ(x、y)+DΔ(x、y)…(5)
式(2)と式(5)との和と差とから2つの式が得られ、その2つの式を解くことで、次の2つの式が得られる。
Δ(x、y)=WΔ(x、y)/D
Δ(x、y)=WΔ(x、y)/D
同様に式(3)式(4)との和と差とから2つの式が得られ、その2つの式を解くことで、次の2つの式が得られる。
Δ(x、y)=WΔ(x、y)/D
Δ(x、y)=WΔ(x、y)/D
従って、Ctのグリッド歪Δ(x、y)から、図14(B)に示されるようなスケール39、39のグリッド歪Δ(t、s)、Δ(t、s)を求めることができることがわかる。
主制御装置20は、所定の間隔で、例えば各ウエハの露光中に少なくとも1回、スケール39、39のグリッド歪Δ(t、s)、Δ(t、s)を、上述の原理に従って求め、更新する。すなわち、グリッドが更新された第1バックサイドエンコーダシステム70Aの座標系に第1トップサイドエンコーダシステム80Aのスケールのグリッドを摺り合わせることで、そのグリッドを更新する。すなわち、このようにして、第1トップサイドエンコーダシステム80Aの座標系のリフレッシュが行われる。
ただし、主制御装置20は、第1トップサイドエンコーダシステム80Aの座標系のリフレッシュに際しては、座標系の6自由度方向(X軸、Y軸、Z軸、θx、θy及びθzの各方向)のオフセットについては、上述した摺り合わせ及び更新はせず、そのまま保存する。その理由は、計測アーム71Aの機械的長期安定性がなく、また、例えばθx、θy、θz方向の位置計測に用いられる複数ヘッドの検出点同士の間隔が狭い等の理由から、バックサイドエンコーダシステム70Aの座標系は、6自由度方向の長期安定性がなく、トップサイドエンコーダシステム80Aの座標系の方が信頼できるからである。従って、バック/トップ差から上記6自由度方向のオフセットを除去後、上述のリフレッシュ処理をする。上記6自由度のオフセット成分は、後述するポスト・ストリーム処理で使用する。
次に、計測ステーション300にある粗動ステージWCSに移動可能に保持される微動ステージWFSの位置情報の計測に用いられる第2微動ステージ位置計測系110B(図16参照)の構成について説明する。
第2微動ステージ位置計測系110Bの第2バックサイドエンコーダシステム70Bは、ウエハステージWSTがアライメント装置99(アライメント系AL1、AL2〜AL2)の下方に配置された状態で、粗動ステージWCSの内部に設けられた空間部内に挿入される計測アーム71B(図1参照)を備えている。
計測アーム71Bは、図9(A)に示されるように、メインフレームBDに支持部材72Bを介して片持ち状態で支持されたアーム部材71と、アーム部材71の内部に収容された後述するエンコーダヘッド(光学系)とを有する。計測アーム71Bは、アーム部材71の長さが前述したアーム部材71と比べて長いが、全体的には前述の計測アーム71Aと概略左右対称に構成されている。
前述したようにウエハステージWSTがアライメント装置99(アライメント系AL1、AL2〜AL2)の下方に配置された状態では、図9(A)に示されるように、計測アーム71Bのアーム部材71は、先端部が粗動ステージWCSの空間部内に挿入され、その上面が微動ステージWFS(ウエハテーブルWTB)の下面(より正確には、本体部81の下面)に設けられたグレーティングRG(図1、図7では不図示、図2(B)等参照)に対向する。アーム部材71の上面は、微動ステージWFSの下面との間に所定の隙間(ギャップ、クリアランス)、例えば数mm程度の隙間が形成された状態で、微動ステージWFS下面とほぼ平行に配置される。
第2バックサイドエンコーダシステム70Bは、図17に示されるように、前述した第1バックサイドエンコーダシステム70Aと同様、微動ステージWFSのX軸、Y軸及びZ軸方向の位置をそれぞれ計測する一対の3次元エンコーダ75a、75bと、微動ステージWFSのX軸及びZ軸方向の位置を計測するXZエンコーダ75cと、微動ステージWFSのY軸及びZ軸方向の位置を計測するYZエンコーダ75dとを含む。
XZエンコーダ75c及びYZエンコーダ75dのそれぞれは、アーム部材71の内部にそれぞれ収納された、X軸及びZ軸方向を計測方向とする2次元ヘッド、及びY軸及びZ軸方向を計測方向とする2次元ヘッドを備えている。以下では、便宜上、XZエンコーダ75c及びYZエンコーダ75dのそれぞれが備える2次元ヘッドを、それぞれのエンコーダと同一の符号を用いてXZヘッド75c、YZヘッド75dと表記する。3次元エンコーダ75a、75bは、X軸、Y軸及びZ軸方向を計測方向とする3次元ヘッドを備えている。以下では、便宜上、3次元エンコーダ75a及び75bのそれぞれが備える3次元ヘッドを、それぞれのエンコーダと同一の符号を用いて3次元ヘッド75a、75bと表記する。上記の2次元ヘッド75c、75d、3次元ヘッド75a、75bとして、前述の2次元ヘッド73c、73d、3次元ヘッド73a、73bと同様の構成のヘッドを用いることができる。
図9(B)には、計測アーム71Bの先端部が斜視図にて示されている。図9(B)に示されるように、3次元ヘッド75a、75b、及び2次元ヘッド75c及び75dは、前述の3次元ヘッド73a、73b、及び2次元ヘッド73c及び73dと左右対称ではあるが同様の位置関係で、アーム部材71の内部に配置されている。一方の3次元ヘッド75aの検出中心が、アライメント位置すなわちプライマリアライメント系AL1の検出中心と一致している。
第2バックサイドエンコーダシステム70Bのエンコーダ73a,73b,73c,73dの出力は、前述した切換部150Aと同様に構成された切換部150Bを介して主制御装置20に供給される(図16、図17等参照)。
計測ステーション300にウエハステージWSTが位置しているとき、例えば後述するウエハアライメント時などに、主制御装置20では、第2バックサイドエンコーダシステム70Bのヘッド75a〜75dによる合計10自由度の計測値に基づいて、所定のサンプリング間隔で、前述と同様のウエハテーブルWTBの6自由度方向の位置計測、及びこれと並行して前述と同様の差分計測を繰り返し行なって、第2バックサイドエンコーダシステムの座標系のリフレッシュを行う。この場合の位置計測及び差分計測は、前述の露光位置を、アライメント位置に置き換えれば、前述の説明がそのまま当てはまる。
なお、本実施形態では、3次元ヘッド75aの検出点が、アライメント位置に一致しているので、その検出点で微動ステージWFSのX軸、Y軸、Z軸方向の位置を計測するため、その3次元ヘッド75aの計測値を用いて、微動ステージWFSのX軸、Y軸、Z軸方向の位置を演算している。これと異なり、例えば、アライメント位置が、一対の3次元ヘッド75a、75bの検出点の中央の点に一致している場合には、主制御装置20は、その一対の3次元ヘッド75a,75bのX軸、Y軸及びZ軸方向それぞれの計測値の平均値に基づいて、微動ステージWFSのX軸、Y軸、Z軸方向の位置を求めるようにすれば良い。
また、第2バックサイドエンコーダシステム70BによるX軸、Y軸及びZ軸方向の実質的なグレーティングRG上の検出点は、それぞれプライマリアライメント系AL1の検出中心(アライメント位置)に一致するので、いわゆるアッベ誤差の発生が実質的に無視できる程度に抑制される。従って、主制御装置20は、第2バックサイドエンコーダシステム70Bを用いることで、アッベ誤差なく、微動ステージWFSのX軸方向、Y軸方向及びZ軸方向の位置を高精度に計測できる。
次に、微動ステージ位置計測系110Bの一部を構成する、第2トップサイドエンコーダシステム80Bの構成等について説明する。第2トップサイドエンコーダシステム80Bは、第2バックサイドエンコーダシステム70Bと並行して微動ステージWFSの6自由度方向の位置情報を計測可能である。
露光装置100では、図4に示されるように、ヘッド部62C、62Aそれぞれの−Y側でかつアライメント系AL1、AL21〜AL24とほぼ同一のY位置に、ヘッド部62E、62Fが、それぞれ配置されている。ヘッド部62E,62Fは、後述するように、それぞれ複数のヘッドを含み、これらのヘッドが、支持部材を介して、メインフレームBDに吊り下げ状態で固定されている。
ヘッド部62F、62Eは、図4に示されるように、各4つの4軸ヘッド681〜68,671〜67を備えている。4軸ヘッド681〜68の筐体の内部には、図5に示されるように、前述の4軸ヘッド651〜654等と同様に、XZヘッド68X1〜68Xと、YZヘッド68Y1〜68Y3とが収容されている。同様に、4軸ヘッド671〜67の筐体の内部には、XZヘッド67X1〜67Xと、YZヘッド67Y1〜67Yとが収容されている。XZヘッド68X1〜68X、及び67X1〜67X、並びにYZヘッド68Y1〜68Y3及び67Y1〜67Yのそれぞれとしては、例えば米国特許第7,561,280号明細書に開示される変位計測センサヘッドと同様の構成のエンコーダヘッドを用いることができる。
XZヘッド67X1〜67X3,68X〜68X(より正確には、XZヘッド67X1〜67X3,68X〜68Xが発する計測ビームのスケール391、392上の照射点)は、前述の基準軸LAに沿って、XZヘッド64X〜64X、65X〜65Xのそれぞれとほぼ同じX位置に、配置されている。
YZヘッド67Y1〜67Y3,68Y〜68Y(より正確には、YZヘッド67Y1〜67Y3,68Y〜68Yが発する計測ビームのスケール391、392上の照射点)は、基準軸LAに平行であり且つ基準軸LAから−Y側に離間する直線LA上に、対応するXZヘッド67X1〜67X3,68X〜68Xと同じX位置に、配置されている。
また、残りのXZヘッド67X、68X、及びYZヘッド67Y、68Yは、XZヘッド64X、65Xのそれぞれとほぼ同じX位置で、セカンダリアライメント系AL2、AL2それぞれの検出中心の−Y側に、基準軸LA、直線LAから同じ距離だけ−Y方向にずれて配置されている。以下では、必要に応じて、XZヘッド68X1〜68X,67X1〜67X、及びYZヘッド68Y1〜68Y,67Y1〜67Yを、それぞれ、XZヘッド68X,67X、及びYZヘッド68Y,67Yとも表記する。
ヘッド部62F、62Eは、それぞれスケール391,392を用いて、ウエハテーブルWTBのX位置及びZ位置を計測する多眼(ここでは4眼)のXZリニアエンコーダ、及びY位置及びZ位置を計測する多眼(ここでは4眼)のYZリニアエンコーダを構成する。以下では、便宜上、これらのエンコーダを、XZヘッド68X、67X、YZヘッド68Y、67Yとそれぞれ同一の符号を用いて、XZリニアエンコーダ68X、67X、及びYZリニアエンコーダ68Y、67Yと表記する(図17参照)。
本実施形態では、XZリニアエンコーダ68XとYZリニアエンコーダ68Yとによって、ウエハテーブルWTBのX軸、Y軸、Z軸及びθxの各方向に関する位置情報を計測する多眼(ここでは4眼)の4軸エンコーダ68が構成される(図17参照)。同様に、XZリニアエンコーダ67XとYZリニアエンコーダ67Yとによって、ウエハテーブルWTBのX軸、Y軸、Z軸及びθxの各方向に関する位置情報を計測する多眼(ここでは4眼)の4軸エンコーダ67が構成される(図17参照)。
ここで、前述と同様の理由により、アライメント計測の際などには、それぞれ4つのXZヘッド68X,67X,YZヘッド68Y,67Yのうち、少なくとも各1つのヘッドが、常に、対応するスケール391,392に対向する(計測ビームを照射する)。従って、4軸エンコーダ68と4軸エンコーダ67とによって、ウエハステージWSTが計測ステーション300にある場合、粗動ステージWCSに支持された微動ステージWFSの6自由度方向の位置情報を計測する第2トップサイドエンコーダシステム80Bが構成される。
第2トップサイドエンコーダシステム80Bを構成する、各エンコーダの計測値は、切換部150Bを介して主制御装置20に供給される(図16、図17等参照)。
これまでの説明からわかるように、本実施形態では、ウエハステージWSTが計測ステーション300にある場合、粗動ステージWCSに支持された微動ステージWFSの6自由度方向の位置情報は、第2バックサイドエンコーダシステム70Bと、第2トップサイドエンコーダシステム80Bとによって並行して計測が可能である。
また、切換部150Bは、切換部150Aと同様に、主制御装置20により、第1〜第4モードが設定される。そして、第1、第3、第4モードが設定された場合、そのモードの設定に応じて、ハイブリッドフィルタ部160によって、第2バックサイドエンコーダシステム70B及び第2トップサイドエンコーダシステム80Bの計測値のうち、信頼性の高い方の計測値が主制御装置20に供給され、その計測値に基づいて、ウエハステージWSTが計測ステーション300にあるとき、ウエハテーブルWTBの駆動(位置制御)が行われるようになっている。
また、主制御装置20は、前述と同様、グリッドが更新された第2バックサイドエンコーダシステム70Bの座標系に第2トップサイドエンコーダシステム80Bのスケールのグリッドを摺り合わせることで、第2トップサイドエンコーダシステム80Bの座標系のリフレッシュを行う。
なお、第2微動ステージ位置計測系110Bの第2バックサイドエンコーダシステム70B、第2トップサイドエンコーダシステム80Bについては、これまでに説明した内容の他、先の第1バックサイドエンコーダシステム70A、第1トップサイドエンコーダシステム80Aの説明をそのまま適用することができる。
ここで、説明が前後するが、後述するフォーカスマッピング時に、必要に応じて、微動ステージWFS(ウエハテーブルWTB)のY軸、Z軸、θy、及びθzの各方向の位置を計測するのに用いられる、第3バックサイドエンコーダシステム70C(図16参照)について説明する。
計測アーム71Bのアーム部材71には、図9(B)に示されるように、3次元ヘッド75a、75bそれぞれの検出中心から+Y側に同一距離離れた点をそれぞれの検出中心とするように、一対のYZヘッド77a、77bが、アーム部材71の内部にさらに配置されている。+X側のYZヘッド77aの検出中心は、AF中心、すなわち前述の多点AF系(90a、90b)の検出中心に一致している。この一対のYZヘッド77a、77bにより、第3バックサイドエンコーダシステム70Cが構成される。
第3バックサイドエンコーダシステム70Cの出力は、前述した切換部150Aと同様に構成された切換部150Cを介して主制御装置20に供給される(図16、図17等参照)。第3バックサイドエンコーダシステム70Cの出力が切換部150Cを介して主制御装置20に供給されているとき、主制御装置20では、YZヘッド77aで計測されるY軸及びZ軸方向の位置情報に基づいて微動ステージWFS(ウエハテーブルWTB)のY位置及びZ位置を求め、一対のYZヘッド77a、77bで計測されるY軸方向及びZ軸方向の位置情報に基づいて微動ステージWFS(ウエハテーブルWTB)のθz方向の位置(θz回転)及びθy方向の位置(θy回転)を求める。
なお、アライメント中心が一対の3次元ヘッド75a、75bの検出点の中心に一致している場合、AF中心は、一対のYZヘッド77a、77bの検出点の中心に一致するように設定される。従って、この場合、主制御装置20は、一対のYZヘッド77a、77bで計測されるY軸及びZ軸方向の位置情報の平均値から微動ステージWFS(ウエハテーブルWTB)のY位置及びZ位置を求める。
なお、第3バックサイドエンコーダシステム70Cについては、ヘッドの位置や数など、多少違いはあるが、これまでの説明の他、先の第1バックサイドエンコーダシステム70Aの説明を、基本的には同様に適用することができる。
本実施形態では、第3バックサイドエンコーダシステム70Cに対応して第3トップサイドエンコーダシステム80Cも設けられている(図16参照)。第3トップサイドエンコーダシステム80Cは、図4に示されるように、基準軸LVに関して対称に配置された一対の4軸ヘッド66、66を含む。一対の4軸ヘッド66、66は、それぞれ4軸ヘッド68の+Y側の位置、4軸ヘッド67の+Y側の位置に配置され、支持部材を介して、メインフレームBDに吊り下げ状態で固定されている。一対の4軸ヘッド66、66のそれぞれは、図5に示されるように、前述の4軸ヘッド64、65、66、68と同様に、Y軸方向に沿ってそれぞれの検出点が配置されたXZヘッド66X、66XとYZヘッド66Y、66Yとを含む。一対の4軸ヘッド66、66のそれぞれが有するXZヘッド66X、66Xの検出点のY位置がAFビームの検出中心のY位置(直線LA上)に一致している。また、XZヘッド66Xの検出点のX位置は、XZヘッド67Xの検出点より幾分+X側に位置し、XZヘッド66Xの検出点のX位置は、XZヘッド68Xの検出点より幾分−X側に位置している。一対の4軸ヘッド66、66は、それぞれスケール39、39を用いて、ウエハテーブルWTBのX軸、Y軸、Z軸、及びθxの各方向の位置情報を計測する一対の4軸エンコーダを構成する。この一対の4軸エンコーダによって、第3トップサイドエンコーダシステム80Cが構成される。
第3トップサイドエンコーダシステム80Cを構成する、各エンコーダの計測値は、切換部150Aと同様に構成された切換部150Cを介して主制御装置20に供給される(図16、図17等参照)。
本実施形態では、第3トップサイドエンコーダシステム80Cと第3バックサイドエンコーダシステム70Cとにより、並行してウエハテーブルWTB(微動ステージWFS)の4自由度方向(Y軸、Z軸、θz及びθyの各方向)に関する位置情報を計測可能である。
また、切換部150Cは、切換部150Aと同様に、主制御装置20により、第1〜第4モードが設定される。そして、第1、第3、第4モードが設定された場合、そのモードの設定に応じて、ハイブリッドフィルタ部160によって、第3バックサイドエンコーダシステム70C及び第3トップサイドエンコーダシステム80Cの計測値のうち、信頼性の高い方の計測値が主制御装置20に供給されるようになっている。
ただし、後述するフォーカスマッピング時には、ウエハステージWSTは、計測ステーション300にあり、フォーカスマッピングと並行してウエハアライメント計測が行われており、このアライメント計測が終了するまでの間は、微動ステージWFS(ウエハテーブルWTB)の6自由度方向の位置は、主制御装置20によって、第2微動ステージ位置計測系110Bの前述したハイブリッド位置信号に基づいて、サーボ制御され、第3トップサイドエンコーダシステム80C、第3バックサイドエンコーダシステム70Cの計測値は、主としてフォーカスマッピングの計測データとして用いられる。そして、ウエハアライメント計測終了後、第2微動ステージ位置計測系110Bの計測範囲からウエハテーブルが外れてからフォーカスマッピングが終了するまでの間は、主制御装置20によって、第3トップサイドエンコーダシステム80C及び/又は第3バックサイドエンコーダシステム70Cの計測値に基づいて、微動ステージWFSの駆動(位置のサーボ制御)が行われるようになっている。
本実施形態では、さらに、ウエハステージWSTが、フォーカスマッピングの終了位置から露光ステーション200まで移動する際に、その移動中のウエハテーブルWTBの6自由度方向の位置を計測するための第4トップサイドエンコーダシステム80Dが設けられている(図16参照)。第4トップサイドエンコーダシステム80Dは、図4に示されるように、Y軸方向に関してヘッド部62Aとヘッド部62Fとの中間の位置に、X軸方向及びY軸方向にずれて配置された一対の3次元ヘッド79、79を含む。一対の3次元ヘッド79、79は、支持部材を介して、メインフレームBDに吊り下げ状態で固定されている。一対の3次元ヘッド79、79のそれぞれは、図5に示されるように、Y軸方向に並んで配置されたXZヘッド79X、79Xと、Yヘッド79Y、79Yとを含む。Yヘッド79Y、79Yは、Y軸方向を計測方向とする1次元ヘッドである。この場合、XZヘッド79X、79XのX位置は、それぞれXZヘッド68X、66Xと同じ位置に設定されている。Yヘッド79Y、79Yのそれぞれとしては、例えば米国特許出願公開第2008/0088843号明細書などに開示される回折干渉型のエンコーダヘッドを用いることができる。
一対の3次元ヘッド79、79は、ともにスケール39を用いて、ウエハテーブルWTBのX軸,Y軸及びZ軸方向の位置情報を計測する一対の3次元エンコーダ79A、79B(図16参照)を構成する。この一対の3次元エンコーダ79A、79Bの計測値は、主制御装置20に供給される。一対の3次元ヘッド79、79は、ウエハテーブルWTBのX軸方向の中心位置が基準軸LVに一致しているとき、同一のスケール39を用いて、ウエハテーブルWTBの6自由度方向の位置を計測可能である。一対の3次元エンコーダ79A、79Bによって、第4トップサイドエンコーダシステム80Dが構成される。
なお、第4トップサイドエンコーダシステム80Dについては、ヘッドの位置や数など、多少違いはあるが、これまでの説明の他、先の第1トップサイドエンコーダシステム80Aの説明を、基本的には同様に適用することができる。
本実施形態の露光装置100では、図4に示されるように、基準軸LV上で露光位置とアライメント位置との間の所定位置、一例として基準軸LV上で3次元ヘッド79のXZヘッド79Xとほぼ同じY位置に、アンローディングポジションUP1が設定され、アンローディングポジションUP1の−X側に所定距離隔てた位置に、待機ポジションUP2が設定されている。また、基準軸LV上でアライメント位置の−Y側にローディングポジションLPが設定されている。
アンローディングポジションUP1及び待機ポジションUP2、並びにそれらの近傍領域には、図15に示されるように、アンロード装置170が配置されている。アンロード装置170は、メインフレームBDの周囲にメインフレームBDとは振動的に分離して配置される、例えば不図示の支持部材によって床面上に支持された平面視矩形枠状のフレームFLに取り付けられている。
アンロード装置170は、フレームFLの下面(−Z側の面)に固定されY軸に対して例えば所定角度α(αは例えば10度未満の所定角度)を成す方向に伸びる第1アーム171、第1アーム171の長手方向の一端部(+Y側端部)の一側面(+X側面)にその長手方向の一端面が固定されたX軸方向に伸びる第2アーム172、第2アーム172の長手方向に沿って移動可能な第1アンロードスライダ170A、及び第1アーム171の長手方向に沿って移動可能な第2アンロードスライダ170Bを備えている。
第1アーム171は、長手方向の一端がフレームFLの−X側の辺部におけるY軸方向中央近傍に対向し、かつ長手方向の他端がフレームFLの−X側の辺部における−Y側の端部に対向する状態で、フレームFLの下面に対向して配置された棒状部材から成る。第1アーム171は、その上面の全面又は複数ヶ所がフレームFLの下面に固定されている。第1アーム171の下面(裏面)には不図示のガイドが長手方向に沿って設けられるとともにそのガイドに平行に不図示の固定子が配置されている。
第2アーム172は、第1アーム171とほぼ同じ長さを有する棒状部材から成る。第2アーム172は、第1アーム171の長手方向の一端部(+Y側端部)の一側面(+X側面)に、第1アーム172に対してXY平面内で(90°−α)の角度を成す状態で固定されている。第2アーム172の下面(裏面)には、第1アーム171と同様に、不図示のガイドが長手方向に沿って設けられるとともにそのガイドに平行に不図示の固定子が配置されている。
第1アンロードスライダ170Aは、第2アーム172の裏面に上述のガイドに沿って移動可能に設けられた第1スライド部材173と、第1スライド部材173の下方に配置されるとともに第1スライド部材173に設けられた上下動駆動部176によって上下動される平面視X字状のウエハ把持部174と、を備えている(例えば、図36(A)参照)。第1スライド部材173には、上述の第2アーム172に配置された固定子とともに第1スライダ駆動用リニアモータを構成する可動子が内蔵されている。
ウエハ把持部174は、図15に示されるように、平面視X字状に組み合わされた一対の棒状部材から成る本体部174aと、本体部174aの4つの先端部にそれぞれ取り付けられた4つの把持部174bとを備えている。
本体部174aを構成する一対の棒状部材の長手方向寸法は、ウエハWの直径に対して僅かに長く、一対の棒状部材は互いに長手方向の中央において所定角度で交わるように配置されている。本体部174aは、一対の棒状部材の交点の部分が上下動駆動部176の駆動軸の下面に固定されている。
ここで、本体部174aの一対の棒状部材は、ウエハステージWST上のウエハWを4つの把持部174bが把持できれば良いので、一方の棒状部材の中央部上面(又は下面)に溝を形成し、その溝内に他方の棒状部材を挿入することで、それぞれの棒状部材の上面(又は下面)が高さが同じとなるように両者を固定しても良いし、一方の棒状部材の下面に他方の棒状部材を固定しても良い。一対の棒状部材の高さが異なる位置において一対の棒状部材を互いに接続する場合(例えば、一方の棒状部材の下面に他方の棒状部材を固定する場合)一方の棒状部材の両端に設けられた把持部174bのZ軸方向の長さを調整する、又は一方の棒状部材の両端部が他方の棒状部材の両端部の高さと同じになるよう上に凸(又は下に凸)形状の部材とするなどして、4つの把持部174bそれぞれの下端部のZ軸方向位置を合わせることが望ましい。
4つの把持部174bのそれぞれは、その下端部にウエハの裏面を支持可能な爪部が設けられている。4つの把持部174bのそれぞれは、不図示の駆動機構を介してそれぞれが取り付けられた棒状部材に沿ってスライド移動可能である。すなわち、4つの把持部174bは、開閉可能である(図36(C)参照)。
本実施形態では、前述の第1スライダ駆動用リニアモータ、上下動駆動部176及び把持部174bの開閉用の上記の駆動機構を含み、第1アンロードスライダ駆動系180A(図16参照)が構成されている。
第2アンロードスライダ170Bは、第1アーム171の裏面に上述のガイドに沿って移動可能に設けられた第2スライド部材175と、第2スライド部材175の下方に配置されるとともに第2スライド部材175に設けられた上下動回転駆動部179によって上下動及びZ軸周りに回転駆動されるY字保持部177とを備えている(例えば、図32(A)参照)。第2スライド部材175には、上述の第1アーム171に配置された固定子とともに第2スライダ駆動用リニアモータを構成する可動子が内蔵されている。
Y字保持部177は、図15に示されるように、平面視Y字形状を有する薄板部材から成り、その上面にウエハWを真空吸着(又は静電吸着)により吸着保持する不図示の吸着部を有している。Y字保持部177は、ウエハWに対してXY平面内の大きさが幾分小さく、吸着部上でウエハWを保持した状態でY字形状の先端部(すなわち先割れ部)がウエハWの外縁内に収まる。Y字保持部177は、上下動回転駆動部179の駆動軸の下端にY字形状の先端部とは反対側の端部が固定されている。
本実施形態では、前述の第2スライダ駆動用リニアモータ、上下動回転駆動部179を含み、第2アンロードスライダ駆動系180B(図16参照)が構成されている。
第1アンロードスライダ駆動系180A、及び第2アンロードスライダ駆動系180Bは、主制御装置20によって制御される(図16参照)。なお、アンロード装置は上述の構成に限られるものでなく、ウエハWを保持して移動可能であれば良い。また、ウエハWのアンローディングポジションも投影光学系PLとアライメント装置99との間に限られものではなく、例えば、後述の第2実施形態のようにアライメント装置99に関して投影光学系PLと反対側でアンロードを行っても良い。
図16には、露光装置100の制御系を中心的に構成し、構成各部を統括制御する主制御装置20の入出力関係を示すブロック図が示されている。主制御装置20は、ワークステーション(又はマイクロコンピュータ)等を含み、露光装置100の構成各部を統括制御する。図17には、図16の第1、第2微動ステージ位置計測系110A、110Bの具体的構成の一例が示されている。また、図18には、図16の切換部150Aの構成の一例が示されている。
次に、本実施形態に係る露光装置100における、ウエハステージWSTと計測ステージMSTとを用いた並行処理動作について、図19〜図37に基づいて説明する。なお、以下の動作中、主制御装置20によって、局所液浸装置8の液体供給装置5及び液体回収装置6の制御が前述したようにして行われ、投影光学系PLの先端レンズ191の直下には常時水が満たされている。しかし、以下では、説明を分かり易くするため、液体供給装置5及び液体回収装置6の制御に関する説明は省略する。また、以後の動作説明は、多数の図面を用いて行うが、図面毎に同一の部材に符号が付されていたり、付されていなかったりしている。すなわち、図面毎に、記載している符号が異なっているが、それら図面は符号の有無に関わらず、同一構成である。これまでに説明に用いた、各図面についても同様である。また、図19以降において、計測ステージMSTは簡略化して示されている。
また、第1ないし第3バックサイドエンコーダシステム70A〜70C及び第1ないし第4トップサイドエンコーダシステム80A〜80Dの各ヘッド、多点AF系、アライメント系などは、それらを使用するとき、又はその使用の少し前にオフ状態からオン状態に設定されるが、以後の動作説明においては、この点に関する説明は省略する。
また、前提条件として、切換部150A、150Bは、一例としてともに第1モードに設定され、切換部150Cは、例えば第2モードに設定されているものとする。すなわち、第1微動ステージ位置計測系110Aからは、第1バックサイドエンコーダシステム70Aと第1トップサイドエンコーダシステム80Aとのハイブリッド位置信号Fに対応する計測値(以下、特に必要な場合を除き、第1微動ステージ位置計測系110Aの計測値と称する)が、第2微動ステージ位置計測系110Bからは、第2バックサイドエンコーダシステム70Bと第1トップサイドエンコーダシステム80Bとのハイブリッド位置信号Fに対応する計測値(以下、特に必要な場合を除き、第2微動ステージ位置計測系110Bの計測値と称する)が、それぞれ、主制御装置20に対して出力される。また、第3バックサイドエンコーダシステム70C及び第3トップサイドエンコーダシステム80Cからは、それぞれの出力信号(計測値)が、主制御装置20に対して出力される。
図19には、ウエハステージWSTがローディングポジションLPにあり、計測ステージMSTが、投影光学系PLの直下にある状態が示されている。このとき、ウエハステージWSTの空間部内に計測アーム71Bが挿入され、ウエハテーブルWTBの裏面(グレーティングRG)が計測アーム71Bに対向している。このローディングポジションLPで、新たな露光前のウエハW(ここでは、一例として、あるロット(1ロットは25枚又は50枚)の中間のウエハとする)が、以下の手順でウエハステージWST上にロードされる。
このとき、露光前のウエハWは、前ウエハに対して後述するストリーム処理が終了した後、露光が開始される前の時点で、既に、ローディングポジションLPにて、前述のチャックユニット120によって支持され、その支持状態が維持されている。具体的には、図20(A)に示されるように、ウエハWは、ローディングポジションLPにおける所定高さ位置にあるベルヌーイ・チャック124によって、所定の距離(ギャップ)を保って非接触で吸着(保持又は支持)されるとともに、その裏面の外周部の2箇所が、一対の支持板128によって下方から接触支持され、6自由度方向の移動が制限されている。また、ウエハWは、クール・プレート123によって、所定温度、例えば23°Cに温調されている。
主制御装置20は、まず、図20(B)に示されるように、駆動装置142を介して前述の3本の上下動ピン140を上昇させる。そして、3本の上下動ピン140は、ベルヌーイ・チャック124に支持されているウエハWの裏面に当接すると、その当接状態を維持したまま上昇が停止される。3本の上下動ピン140は、上端面がその移動範囲の最下端位置である第2位置以外にあるとき、不図示のばねによって+Z方向に一定の力で押圧されている。
次いで、主制御装置20は、一対の上下動回転駆動部127を介して、一対の支持板128を、僅かに下降させてウエハWの裏面から離間させるとともに、図20(C)に示されるように所定角度回転させ、第2回転位置に位置させる。上記の一対の支持板128のウエハWの裏面からの離間により、新たなウエハWは、支持板128によって支持された状態から上下動ピン140によって支持された状態に移行している。なお、ベルヌーイ・チャック124によるウエハWの吸着(保持又は支持)はこの状態でも続行されており、ベルヌーイ・チャック124による吸着(保持又は支持)と、上下動ピン140の下方からの支持による摩擦力によりウエハWは、6自由度方向の移動が制限されている。また、クール・プレート123によるウエハWの温調も継続されている。
次に、主制御装置20は、図20(D)に示されるように、駆動部122及び一対の上下動回転駆動部127を制御してチャック本体130及び一対の支持板128を下方に駆動する。この場合、前述のばねの力による3本の上下動ピン140に対する上向きの力が、ウエハWに対して予圧力として与えられている。従って、チャック本体130が下方に駆動されることで、ウエハWは、下方に押され、その予圧力に抗して、3本の上下動ピン140を押し下げる。すなわち、このようにして、ウエハWは、ベルヌーイ・チャック124に対して所定ギャップを維持したまま、チャック本体130及び3本の上下動ピン140とともに下降する。そして、ウエハWの裏面がウエハホルダ(ウエハテーブルWTB)に当接すると、主制御装置20はベルヌーイ・チャック124によるウエハWの吸着(保持又は支持)を解除し、ウエハWをウエハホルダに吸着保持させる。これにより、ウエハWは撓みの発生が実質的に抑制又は防止されてウエハホルダに保持される。すなわち、ベルヌーイ・チャック124は搬送機能だけでなく、前述の温調機能、及びプリアライメント機能に加えて撓み矯正(補正)機能も備えている。この撓み補正機能は、ウエハホルダに保持されるウエハWを平坦化することから平坦化機能とも呼ぶことができる。なお、ベルヌーイ・チャック124で保持されるウエハWは実質的に撓みなくフラットに維持されるものとしたが、例えば、ベルヌーイ・チャック124によってその保持したウエハWの少なくとも一部に撓みを発生させた状態でウエハWをウエハホルダに受け渡すことにより、結果的に、ウエハホルダに保持されるウエハWの撓みを抑制又は防止しても良い。また、ベルヌーイ・チャック124に保持されるウエハWの全面又は一部でZ方向の位置情報あるいは撓み情報を検出する検出装置(例えば、前述のギャップセンサなど)を設け、主制御装置20はこの検出結果を用いてベルヌーイ・チャック124によってその保持するウエハWを撓みなくフラットに維持する、あるいは少なくとも一部で撓みを発生させても良い。さらに、ベルヌーイ・チャック124によるウエハWの吸着解除は、ウエハホルダによるウエハWの吸着開始前に行っても良いが、例えばウエハWの撓み補正(平坦化)のために、ウエハホルダによるウエハWの吸着開始と同時あるいは吸着開始後に行っても良い。また、主制御装置20は、3本の上下動ピン140によるウエハWの支持の解除と同時にウエハホルダによるウエハWの吸着保持を開始しても良いし、あるいは3本の上下動ピン140によるウエハWの支持の解除に先立ってウエハホルダによるウエハWの吸着保持を開始しても良い。
ここで、主制御装置20は、ベルヌーイ・チャック124によるウエハWの吸着(保持又は支持)の解除に先立って、ウエハホルダ(ウエハテーブルWTB)にその裏面(下面)が当接(接触)したウエハWの一部又は全部に対して、チャック本体130によって上方から下向きの力を与えることとしても良い。ここで、下向きの力は、重力以外の力を意味する。この下向きの力を与える方法としては、例えば、ベルヌーイ・チャック124から噴き出される気体の流量及び/又は流速を増加させる、あるいはベルヌーイ・チャック124の下面とウエハWの表面とのギャップ(隙間)を、それまでのチャック本体130の下降時の所定ギャップより狭めるなどが考えられる。いずれにしても、ウエハWは、下向きの力が与えられた後、あるいは下向きの力が与えられながら、ウエハホルダに吸着保持される。これにより、ウエハホルダに保持されるウエハWは撓みの発生が実質的に抑制又は防止される。
また、主制御装置20は、ウエハホルダによるウエハWの吸着保持が時間差を持って行われる、例えば、周辺部から中心部に向かって時間差を持って開始される、あるいは一側からその反対側に向かって時間差を持って開始されるように、ウエハホルダによる吸引状態を制御しても良い。特に、後者の場合、ウエハホルダ(ウエハテーブルWTB)をθx及び/又はθy方向に傾斜させても良い。このようなウエハホルダによるウエハWの吸着保持を、ベルヌーイ・チャック124によるウエハWの撓み補正と組み合わせて実施することにより、ウエハWはその撓みが実質的に抑制又は防止されてウエハホルダに保持される。
本実施形態では、上述したチャック本体130及び3本の上下動ピン140の下降中、撮像素子129の撮像信号が、信号処理系116(図16参照)に送られ、ウエハWの位置ずれと回転誤差との情報が、主制御装置20に供給される(図16参照)。なお、3本の上下動ピン140は、ベルヌーイ・チャック124(チャック本体130)と同期して下方に駆動されるようにしても良いし、同期することなく、下方に駆動されるようにしても良い。特に、後者の場合、主制御装置20は、3本の上下動ピン140の下降速度と、チャック本体130との下降速度とを、ウエハWが平坦化されるように異ならせても良い。この場合、例えば前述のギャップセンサを、ベルヌ−イ・チャック124の複数箇所に配置し、主制御装置20は、その複数のギャップセンサを用いてウエハWの変形状態(例えば上側に凸であるか、下側に凸であるかなど)を検出し、その検出結果に応じて、3本の上下動ピン140の下降速度と、チャック本体130との下降速度とを、異ならせるようにしても良い。
本実施形態では、図20(A)からもわかるように、ローディングポジションLPにウエハテーブルWTBが戻って来た時点で、上下動ピン140が所定量上昇した状態が維持されているので、上下動ピン140がウエハホルダの内部に収納されている場合に比べてウエハロードを短時間で行うことができる。図19には、ウエハWがウエハテーブルWTB上にロードされた状態が示されている。
本実施形態では、図19に示されるように、ローディングポジションLPは、計測プレート30上の基準マークFMがプライマリアライメント系AL1の視野(検出領域)内に位置決めされる位置(すなわち、プライマリアライメント系AL1のベースライン計測(Pri−BCHK)の前半の処理を行う位置)に設定されている。
ここで、Pri−BCHKの前半の処理とは、以下のような処理を意味する。すなわち、主制御装置20は、前述した計測プレート30の中央に位置する基準マークFMを、プライマリアライメント系AL1で検出(観察)し、そのプライマリアライメント系AL1の検出結果とその検出時における微動ステージ位置計測系110Bの計測値とを対応付けてメモリに記憶する。
本実施形態では、ウエハWのロード動作と少なくとも一部並行してPri−BCHKの前半の処理が行われる。
このとき、計測ステージMSTは、計測テーブルMTBの裏面(グレーティングRGa)が計測アーム71Aに対向する状態で、計測アーム71Aに係合している。また、計測テーブルMTBと投影光学系PLとの間に液体Lqによる液浸領域14が形成されている。
また、このとき、先に露光が終了したウエハ(Wとする)は、待機ポジションUL2の所定の高さの位置で、第2アンロードスライダ170BのY字保持部177に保持されている。このウエハWの待機状態は、次のウエハWの露光が開始され、ウエハステージWSTが、待機ポジションUL2の下方から退避した状態となるまで維持されることとなる。
次に、主制御装置20は、ウエハステージ位置計測系16Aの計測値に基づいて粗動ステージWCSを駆動するとともに、第2微動ステージ位置計測系110Bの計測値に基づいて、ウエハテーブルWTBの位置をサーボ制御しつつ、ウエハステージWSTのローディングポジションLPから露光ステーション200へ向けての+Y方向の移動動作を開始する。このウエハステージWSTの+Y方向への移動は、まず、例えば3つのファーストアライメントショット領域に付設されたアライメントマーク(以下、ファーストアライメントマークと略称する)を検出する位置へ向けて開始される。このとき、ウエハテーブルWTBの6自由度方向の位置は、第2微動ステージ位置計測系110Bの計測値に基づいて、サーボ制御されている。なお、粗動ステージWCSは、露光ステーション200、計測ステーション300及びその間のいずれの領域でも、ウエハステージ位置計測系16Aによって計測された位置情報に基づいて、XY平面内で駆動されるが、以下においては、この点に関する説明は省略する。
そして、+Y方向への移動中に、図21に示される位置、すなわち計測プレート30に送光系90aからの検出ビームが照射される位置にウエハステージWSTが到達すると、主制御装置20は、ウエハステージWSTを停止して、フォーカスキャリブレーション前半の処理を行う。
すなわち、主制御装置20は、前述した第3トップサイドエンコーダシステム80Cの一対のXZヘッド66X、66Xによって検出されるウエハテーブルWTBのX軸方向の一側と他側の端部における面位置情報(スケール39、39のZ位置情報)を検出しつつ、それらの情報から得られる基準平面を基準として、多点AF系(90a,90b)を用いて前述の計測プレート30表面の面位置情報を検出する。これにより、前述の基準軸LVにウエハテーブルWTBのセンターラインが一致した状態における一対のXZヘッド66X、66Xの計測値(ウエハテーブルWTBのX軸方向の一側と他側の端部における面位置情報)と、多点AF系(90a,90b)の計測プレート30表面の検出点(複数の検出点のうち中央又はその近傍に位置する検出点)における検出結果(面位置情報)との関係が求まる。
また、本実施形態では、上述のフォーカスキャリブレーション前半の処理が行われるウエハテーブルWTBの位置と、3つのファーストアライメントマークを検出する処理が行われるウエハテーブルWTBの位置とが一致しているので、主制御装置20は、フォーカスキャリブレーション前半の処理と並行して、プライマリアライメント系AL1,セカンダリアライメント系AL22,AL23を用いて、3つのファーストアライメントマークをほぼ同時にかつ個別に検出し(図21中の星マーク参照)、上記3つのアライメント系AL1,AL22,AL23の検出結果とその検出時の第2微動ステージ位置計測系110Bの計測値とを関連付けて不図示のメモリに格納する。なお、この場合の3つのファーストアライメントマークの同時検出は、ウエハテーブルWTBのZ位置を変化させることで、複数のアライメント系AL1,AL21〜AL24とウエハテーブルWTBに載置されているウエハWとの間の、Z軸方向(フォーカス方向)における相対位置関係を変更しつつ行われている。以下で説明するセカンドアライメントショット領域以降の各アライメントショット領域に付設されたアライメントマークの検出においても同様である。
なお、フォーカスキャリブレーション前半の処理が行われるウエハテーブルWTBの位置と、ファーストアライメントマークを検出する処理が行われるウエハテーブルWTBの位置とが一致していない場合には、主制御装置20は、これらの処理を、それぞれの処理が行われる位置へのウエハテーブルWTBの到達の順で順次行えば良い。
次に、主制御装置20によって、ウエハステージWSTの+Y方向への移動(例えば5つのセカンドアライメントショット領域に付設されたアライメントマーク(以下、セカンドアライメントマークと略称する)を検出する位置に向かってのステップ移動)が開始される。
そして、ウエハステージWSTが+Y方向へ更に移動し、図22に示される位置に到達すると、5つのアライメント系AL1,AL21〜AL24を用いて、5つのセカンドアライメントマークをほぼ同時にかつ個別に検出し(図22中の星マーク参照)、上記5つのアライメント系AL1,AL21〜AL24の検出結果とその検出時の第2微動ステージ位置計測系110Bの計測値とを関連付けて不図示のメモリに格納する。
また、本実施形態では、図22に示されるように、このセカンドアライメントマークを検出する位置で、送光系90aからの検出ビームがウエハWに当たり始める。そこで、セカンドアライメントマークの検出後、主制御装置20は、第3トップサイドエンコーダシステム80Cの4軸ヘッド66、66、並びに多点AF系(90a,90b)を用いたフォーカスマッピングを開始する。
ここで、本実施形態に係る露光装置100で行われるフォーカスマッピングについて説明する。このフォーカスマッピングに際しては、主制御装置20は、例えば図22に示されるように、スケール391,392にそれぞれ対向する第3トップサイドエンコーダシステム80Cの2つの4軸ヘッド66、66の計測値に基づいてウエハテーブルWTBのXY平面内の位置を管理している。この図22の状態では、基準軸LVに、ウエハテーブルWTBの中心(ウエハWの中心にほぼ一致)を通るY軸に平行な直線(センターライン)が一致した状態となっている。
そして、この状態で、主制御装置20は、ウエハステージWSTが+Y方向へ進行している間に、2つの4軸ヘッド66、66のそれぞれで計測されるウエハテーブルWTB表面(プレート28表面)のX軸方向両端部(一対の第2撥水板28b)のY軸及びZ軸方向に関する位置情報と、多点AF系(90a,90b)で検出される複数の検出点におけるウエハW表面のZ軸方向に関する位置情報(面位置情報)とを、所定のサンプリング間隔で取り込み、その取り込んだ各情報を相互に対応付けて不図示のメモリに逐次格納する。
そして、多点AF系(90a,90b)の検出ビームがウエハWに掛からなくなると、主制御装置20は、上記のサンプリングを終了し、多点AF系(90a,90b)の各検出点についての面位置情報を、同時に取り込んだ2つの4軸ヘッド66、66それぞれで計測されたZ軸方向に関する位置情報を基準とするデータに換算する。
これをさらに詳述すると、一方の4軸ヘッド66によるZ位置の計測値に基づいて、プレート28の−X側端部近傍の領域(スケール392が形成された第2撥水板28b)上の所定の点(多点AF系(90a,90b)の複数の検出点の配列とほぼ同一のX軸上の点に相当:以下、この点を左計測点と呼ぶ)における面位置情報が得られる。また、他方の4軸ヘッド66によるZ位置の計測値に基づいて、プレート28の+X側端部近傍の領域(スケール391が形成された第2撥水板28b)上の所定の点(多点AF系(90a,90b)の複数の検出点の配列とほぼ同一のX軸上の点に相当:以下、この点を右計測点と呼ぶ)における面位置情報が得られる。そこで、主制御装置20は、多点AF系(90a,90b)の各検出点における面位置情報を、左計測点の面位置と右計測点の面位置とを結ぶ直線(以下、テーブル面基準線と呼ぶ)を基準とする面位置データに換算する。このような換算を、主制御装置20は、全てのサンプリング時に取り込んだ情報について行う。
ここで、本実施形態に係る露光装置100では、上記の第3トップサイドエンコーダシステム80Cによる計測と並行して、第3バックサイドエンコーダシステム70CによるY軸方向、Z軸方向及びθy方向(並びにθz方向)に関するウエハテーブルWTB(微動ステージWFS)の位置情報の計測が可能になっている。そこで、主制御装置20は、上記の2つの4軸ヘッド66、66のそれぞれで計測されるウエハテーブルWTB表面(プレート28の表面)のX軸方向両端部のY軸及びZ軸方向に関する位置情報と、多点AF系(90a,90b)で検出される複数の検出点におけるウエハW表面のZ軸方向に関する位置情報(面位置情報)との取り込みと同じタイミングで、第3バックサイドエンコーダシステム70Cによる上記各方向(Y、Z、θy(及びθz))に関する位置の計測値をも取り込んでいる。そして、主制御装置20は、同時に取り込んだ第3トップサイドエンコーダシステム80Cの計測情報から得られるテーブル面基準線のデータ(Z、θy)と、第3バックサイドエンコーダシステム70の計測情報(Z、θy)との関係を求めている。これにより、上述のテーブル面基準線を基準とする面位置データを、裏面計測により得られるウエハテーブルWTBのZ位置及びθy回転で定まる、上述のテーブル面基準線に対応する基準線(以下、便宜上、裏面計測基準線と呼ぶ)を基準とする面位置データに換算することができる。
このようにして、予め上記の換算データを取得しておくことで、例えば、露光の際などには、前述のXZヘッド64X及び65XでウエハテーブルWTB表面(スケール392が形成された第2撥水板28b上の点、及びスケール391が形成された第2撥水板28b上の点)を計測して、ウエハテーブルWTBのZ位置とXY平面に対する傾斜(主としてθy回転)を算出する。この算出したウエハテーブルWTBのZ位置とXY平面に対する傾斜と前述の面位置データ(テーブル面基準線を基準とする面位置データ)とを用いることで、ウエハW表面の面位置情報を実際に取得することなく、ウエハWの面位置制御が可能になる。従って、多点AF系を投影光学系PLから離れた位置に配置しても何ら支障がないので、ワーキングディスタンス(露光時における投影光学系PLとウエハWとの間隔)が狭い露光装置などであっても、本実施形態のフォーカスマッピングは好適に適用できる。
以上の説明は、ウエハテーブルWTB表面に凹凸が存在しないことを前提にしている。しかし、実際には、ウエハテーブルWTBの表面、すなわちスケール392が形成された第2撥水板28bの表面及びスケール391が形成された第2撥水板28bの表面などには、凹凸がある。しかしながら、このようにウエハテーブルWTBの表面に凹凸が存在する場合であっても、ウエハWの子午線(ウエハ中心を通るY軸に平行な直線)上の点では、極めて高精度な面位置制御が可能である。
その理由は、フォーカスマッピングをしている際(ウエハステージWSTが+Y方向に移動している際)に、ウエハWの子午線上に位置するショット領域は、露光の際などには、ウエハステージWST(ウエハテーブルWTB)をフォーカスマッピング時と比べてX軸方向に移動させることなく、露光位置(投影光学系PLの下)に配置されることになる。子午線上のショット領域が露光位置に達したときに、XZヘッド66Xとほぼ同一のX位置に検出点が配置されるXZヘッド65X、及びXZヘッド66Xとほぼ同一のX位置に検出点が配置されるXZヘッド64Xは、フォーカスマッピング時にXZヘッド66X及びXZヘッド66Xがそれぞれ面位置情報を検出していたウエハテーブルWTB上の点とほぼ同じ点における面位置情報を検出することとなる。すなわち、多点AF系(90a,90b)による面位置情報の検出の基準となる、一対のXZヘッドが計測する基準面(テーブル面基準線をY軸方向に連続させた面)が、フォーカスマッピング時と露光時とで同じになる。このため、ウエハテーブルWTBの表面に凹凸又はうねりなどが生じていたとしても、子午線上のショット領域を露光する際には、その凹凸及びうねりなどを考慮することなく、フォーカスマッピング時に得られたZ位置をそのままZ位置として用いて、露光の際のウエハのフォーカス制御を行うことができるので、高精度なフォーカス制御が可能となる。
同様に、子午線上のショット領域が露光位置に達したときに、YZヘッド77aの検出点と同一のY軸に平行な直線(基準軸LV)上にその検出点が設定される3次元ヘッド73a、及びYZヘッド77bの検出点と同一のY軸に平行な直線上にその検出点が設定される3次元ヘッド73bは、フォーカスマッピング時にYZヘッド及びYZヘッドがそれぞれ面位置情報を検出していたグレーティングRG上の点と同じ点におけるZ位置を検出し、この検出結果に基づいて、Z、θyの算出が行われることになる。すなわち、多点AF系(90a,90b)による面位置情報の検出の基準となる、前述の裏面計測基準線をY軸方向に連続させた面(以下、裏面計測基準面と呼ぶ)が、フォーカスマッピング時と露光時とで同じ点のZ位置の計測値に基づいて算出されることになる。
子午線上以外のショット領域を露光する際、ウエハテーブルWTBの表面に凹凸及びうねりなどがない場合には、上記子午線上のショット領域と同程度のフォーカス制御精度を確保できるが、ウエハテーブルWTBの表面に凹凸又はうねりなどがある場合には、フォーカス制御精度は、後述するトラバースチェックの精度に依存する。
なお、本実施形態では、セカンドアライメントマークを検出する位置にウエハステージWSTが到達したときに、送光系90aからの検出ビームがウエハWに当たり始めるため、その位置でフォーカスマッピングを開始することとした。しかし、セカンドアライメントマークを検出する位置にウエハステージWSTが到達するのに先立って、あるいは遅れて送光系90aからの検出ビームがウエハWに当たり始める場合には、セカンドアライメントマークを検出に先立って、あるいは遅れて、その検出ビームがウエハWに当たり始めた時点でフォーカスマッピングが開始されれば良い。
並行動作の説明に戻る。上記のフォーカスマッピングのためのウエハステージWSTの+Y方向への移動により、ウエハステージWSTが、図23に示される位置に達すると、主制御装置20は、ウエハステージWSTをその位置で停止させる。そして、主制御装置20は、例えば5つのアライメント系AL1,AL21〜AL24を用いて、5つのサードアライメントショット領域に付設されたアライメントマーク(以下、サードアライメントマークと略称する)をほぼ同時にかつ個別に検出し(図23中の星マーク参照)、上記5つのアライメント系AL1,AL21〜AL24の検出結果とその検出時の第2微動ステージ位置計測系110Bの計測値とを関連付けて不図示のメモリに格納する。また、この時点でも、フォーカスマッピングは続行されている。
次に、主制御装置20は、例えば3つのフォースアライメントショット領域に付設されたアライメントマーク(以下、フォースアライメントマークと略称する)を検出する位置へ向けてのウエハステージWSTの+Y方向への移動を開始する。このとき、フォーカスマッピングは続行されている。
そして、ウエハステージWSTが図24に示される位置に到達すると、主制御装置20は、直ちにウエハステージWSTを停止させ、プライマリアライメント系AL1,セカンダリアライメント系AL22,AL23を用いて、ウエハW上の3つのフォースアライメントマークをほぼ同時にかつ個別に検出し(図24中の星マーク参照)、上記3つのアライメント系AL1,AL22,AL23の検出結果とその検出時の第2微動ステージ位置計測系110Bの計測値とを関連付けて不図示のメモリに格納する。
そして、主制御装置20は、このようにして得た合計16個のアライメントマークの検出結果と対応する第2微動ステージ位置計測系110Bの計測値とを用いて、例えば米国特許第4,780,617号明細書に開示されているEGA方式にて統計演算を行って、EGAパラメータ(Xオフセット、Yオフセット、直交度、ウエハ回転、ウエハXスケーリング、ウエハYスケーリングなど)を算出する。
上述のウエハアライメント(少なくともフォースアライメントマークの位置計測までの処理)が終了した後、主制御装置20は、図27に示される位置、すなわちウエハステージWSTと計測ステージMSTとを、Y軸方向に関して、接触或いは例えば300μm程度の離間距離を挟んで近接する状態(以下、接触又は近接する状態と称する)の開始位置へウエハステージWSTを移動させる。この移動は、主制御装置20により、ウエハテーブルWTBに液体が触れることがない状態で、+Y方向に一気に長ストロークでウエハステージWSTを高速移動させることで行われる。また、この移動の途中で、ウエハステージWSTが第2微動ステージ位置計測系110Bの計測範囲から外れるので、主制御装置20は、それに先立って、ウエハテーブルWTBの位置のサーボ制御のために用いる計測系を、第2微動ステージ位置計測系110Bから第4トップサイドエンコーダシステム80Dに切り換えている。
主制御装置20は、上述の長ストロークでのウエハステージWSTの+Y方向の高速移動の開始直後は、フォーカスマッピングを続行する。そして、多点AF系(90a,90b)からの検出ビームがウエハW表面から外れると、図25示されるように、フォーカスマッピングを終了する。
上述したウエハステージWSTを+Y方向に直線的に移動させながらアライメント計測及びフォーカスマッピングを行う処理(以下、ストリーム処理と称する)中、主制御装置20は、前述の第1バックサイドエンコーダシステム70Aの座標系のリフレッシュ及び第1トップサイドエンコーダシステム80Aの座標系のリフレッシュと同様にして、第2バックサイドエンコーダシステム70Bの座標系のリフレッシュ及び第2トップサイドエンコーダシステム80Bの座標系のリフレッシュを行なっている。
ところで、アライメント時など計測ステーション300におけるウエハテーブルWTBの姿勢を支配するのは第2バックサイドエンコーダシステム70Bである。しかし、先に第1バックサイドエンコーダシステム70Aについて説明したのと同様の理由により、第2バックサイドエンコーダシステム70Bの座標系の6自由度方向の長期安定性は期待できない。しかるに、グローバルなθy方向の位置(ローリング量)及びθz方向の位置(ヨーイング量)の変動は、アライメント計測の結果に影響する。そこで、主制御装置20は、上述の長ストロークでのウエハステージWSTの+Y方向の高速移動中にストリーム処理が終了した時点で、次に説明するポスト・ストリーム処理を開始し、このポスト・ストリーム処理結果を用いたアライメント演算(EGAパラメータを用いたウエハ上の全てのショット領域の配列座標の算出)並びにフォーカスマッピング結果に含まれる裏面計測基準面の補正を行う。
ここで、ポスト・ストリーム処理とは、EGA結果及びフォーカスマッピングの結果に含まれる以下の誤差要因パラメータa.〜c.を、以下のd.で説明するθy、θz及びX軸方向スケーリングのオフセットと置き換える演算処理を意味する。
a.グローバルなθyのオフセット:フォーカスマッピング結果に含まれる第3バックサイドエンコーダシステム70Cを用いる裏面計測により得られるウエハテーブルのθy方向の位置(θy回転量)
b.グローバルなθzのオフセット:EGAパラメータに含まれる直交度/ウエハの回転
c.グローバルなX軸方向スケーリングのオフセット:EGAパラメータに含まれるウエハのX軸方向スケーリング
d.第2トップサイドエンコーダシステム80B及び第3トップサイドエンコーダシステム80Cが、ストリーム処理中に観測した全データの平均から算出されたθy、θz及びX軸方向スケーリングのオフセット
ここで、X軸方向スケーリングは、アライメント計測に用いるXZヘッド67X、68X間、又はXZヘッド67X、68X間の距離(軸間隔)を不変と考え、これを基準に、第2バックサイドエンコーダシステム70Bの座標系に対する摺り合わせが行われた第2トップサイドエンコーダシステム80Bのスケール39、39の格子間隔をXZヘッド67X、68X又は67X、68Xで計測し、その格子間隔の上述の基準に対する倍率をX軸方向スケーリングとする。
上記のようなポスト・ストリーム処理により、結果的にスケール39、39上の特定の1点における計測結果を用いてウエハテーブルWTBの姿勢をリセットさせるのでなく、スケール39、39全面における計測結果の平均から得られるウエハテーブルWTBの平均的な姿勢を、アライメント演算(EGAパラメータのうち、直交度/ウエハの回転、ウエハのX軸方向スケーリングが、上述の上記d.のθz及びX軸方向スケーリングに置き換えられたEGA演算式を用いたウエハ上の全てのショット領域の配列座標の算出)に用いることとなる。このアライメント演算の結果は、平均化効果により、スケール39、39上の特定の1点における計測結果を用いて姿勢をリセットさせる場合より信頼できる。
ストリーム処理におけるθz方向及びθy方向の位置計測をトップサイドエンコーダシステムのみを用いて行わない理由は、次のe.〜h.の通りである。
e. このようにすると、アライメント(及びフォーカスマッピング)はトップサイドエンコーダシステムのみ、露光はバックサイドエンコーダシステム中心となり、両者の基準が(摺り合せているとは言え)完全に別になってしまう。
f. 幅の狭い帯状の部分(3次元ヘッド75a、75bの検出点同士のX軸方向の間隔と同一幅の帯状の部分)だけであっても、アライメントにもバックサイドエンコーダシステムを用いた方が良いと考えられる。
g. バックサイドエンコーダシステムの座標系のリフレッシュ処理の精度には期待できる。その結果、常に正確なグリッド、フラットな平面に保つことが出来る。その場合、幅の狭い帯状の部分の計測であっても、θy及びθzのオフセットさえ除去できればバックサイドエンコーダシステムを基準とした方が良い。
h. トップサイドエンコーダシステムは、バックサイドエンコーダシステムの情報を反映しているが、精度上完全ではない。
次に、トラバースチェックについて説明する。まず、トラバースチェックが必要となる主要因であるストリーム処理特有の誤差要因について説明する。
ストリーム処理では、上述した説明から明らかなように、ウエハステージWSTは、Y軸に平行な直線上を移動するため、X軸方向に関して異なる点におけるウエハテーブル(微動ステージWFS)の位置情報(X、Y,Z)の取得ができない。従って、第2バックサイドエンコーダシステム70Bの座標系のリフレッシュにおいても、前述したΔX/δx、ΔY/δx、ΔZ/δxの取得ができない。すなわち、露光時には、前述した第1バックサイドエンコーダシステム70Aの座標系のリフレッシュにより、その座標系は全体でリアルタイムに更新され、グリッド誤差が座標系全体でリアルタイムに補正されるのに対し、アライメント時には、第2バックサイドエンコーダシステム70Bの座標系のリフレッシュが行われても、その座標系は、ウエハのX軸方向中心を通るY軸方向の直線上以外は更新されず、この結果、グリッド誤差がその直線上以外の部分ではリアルタイムに補正されない。この結果、アライメント時にウエハステージの位置が管理されるアライメント時座標系と露光時にウエハステージの位置が管理される露光時座標系とに誤差が生じることになる。すなわち、これが、ストリーム処理特有の誤差要因である。
そこで、主制御装置20は、次のようなトラバースチェックを、ロット内の25又は50枚のウエハを処理する間に、予め定められた頻度(必要に応じた頻度)で、行なっている。
トラバースチェックに際し、主制御装置20は、上述のストリーム処理中に、ウエハステージWSTが、Y軸方向に関して、例えば図28に示される位置に到達したとき、第2微動ステージ位置計測系110Bの計測値に基づいて、ウエハテーブルWTBの6自由度方向の位置を管理してウエハステージWSTをX軸方向に関し所定の範囲内(ウエハテーブルWTBのセンターラインが、基準軸LVを中心とする所定幅(スケール39、39の幅及びアライメント系AL2、AL2の検出領域相互間の距離より広い幅)の範囲内でX軸方向に関して変位する範囲内)で、ステップ駆動しつつ、ウエハWの中心近傍に位置する同一のアライメントマークを、5つのアライメント系AL1、AL2〜AL2を用いて順次計測する。また、主制御装置20は、上記のウエハステージWSTのX軸方向の移動中に、所定のサンプリング間隔で、ウエハテーブルWTBの一対の第2撥水板28b表面の領域(スケール39、39表面)の面位置情報を検出する一対のXZヘッド66X、66Xの計測値と、多点AF系(90a、90b)によるウエハWの面位置情報の検出値とを同時に取り込む。
このようなトラバースチェックにより、第2微動ステージ位置計測系110Bの座標系(第2トップサイドエンコーダシステム80Aの座標系及び第2バックサイドエンコーダシステム70Aの座標系)と、多点AF系(90a、90b)及びアライメント系AL1、AL2〜AL2との関係をキャリブレーションすることができる。具体的には、次の通りである。
A.上記の所定範囲内でのウエハステージWSTのX軸方向の移動により、X軸方向に関して異なる点におけるウエハテーブルWTB(微動ステージWFS)の位置情報(X、Y,Z)の取得ができ、第2バックサイドエンコーダシステム70Bの座標系のリフレッシュにおいても、前述したΔX/δx、ΔY/δx、ΔZ/δxの取得が可能となり、結果として、第2バックサイドエンコーダシステム70Bの座標系のリフレッシュ、及びこれに基づく第2トップサイドエンコーダシステム80Bの座標系のリフレッシュの結果がより精度の良いものとなる。
B.上記のウエハWの中心近傍に位置する同一のアライメントマークの計測により、プライマリアライメント系AL1とセカンダリアライメント系AL2〜AL2との検出中心相互の位置関係、すなわちセカンダリアライメント系AL2〜AL2のベースラインが、第2微動ステージ位置計測系110Bの座標系上で求められる。
C.多点AF系(90a,90b)の各検出点についての面位置情報と、同時に取り込んだ一対のXZヘッド66X、66Xの計測値(面位置情報)との関係を、異なるサンプリング時について求め、その求めた複数の関係から、スケール39、39表面のX軸方向に関する凹凸が、第2微動ステージ位置計測系110Bの座標系上で求められる。ただし、このスケール39、39表面のX軸方向に関する凹凸を正確に求めるためには、多点AF系(90a,90b)は、センサ間オフセットが事前に調整されている必要がある。
そして、主制御装置20は、後述する露光時に、上記のセカンダリアライメント系AL2〜AL2のベースラインを用いてウエハテーブルWTBの露光位置に対する位置合わせを行うと共に、スケール表面のX軸方向に関する凹凸情報等を補正量として加味しながら、ウエハWのフォーカス制御を行う。
すなわち、本実施形態では、主制御装置20は、上述のようにして、上述したストリーム処理特有の誤差要因に起因するウエハテーブルWTBの位置誤差を、ウエハステージWSTを実際にX軸方向に動かすことで補正する。
前述したポスト・ストリーム処理と並行して、図25中に破線の矢印で示されるように、前述のチャックユニット120の下方に次のウエハ(ウエハWとする)を搬入する動作が、次のような手順で行われる。
ウエハ搬入が開始される前提として、図25に示されるように、露光前のウエハWが搭載されたウエハステージWSTがローディングポジションLPから完全に外れた位置(ローディングポジションLPの+Y側位置)にある。また、このとき、一対の支持板128は、図26(A)に示されるように、前述の第2回転位置にある。
まず、主制御装置20はウエハ搬送アーム132を駆動し、新たな(露光前の)ウエハWを、外部装置からローディングポジションLPにあるベルヌ−イ・チャック124の下方の一対の駆動軸126の間の空間に搬入する(図26(A)参照)。
次に、主制御装置20は、チャックユニット120の駆動部122及びウエハ搬送アーム132を制御し、ベルヌーイ・チャック124と新たなウエハWとが所定の距離、例えば数μm程度になるまでチャック本体130とウエハ搬送アーム132との少なくとも一方をZ軸方向に駆動する(図26(A)中の白矢印参照)。このとき、ベルヌーイ・チャック124と新たなウエハWとの距離は、上述の不図示のギャップセンサにより計測されている。
ベルヌ−イ・チャック124と新たなウエハWとの距離が所定の距離になると、主制御装置20は、図26(B)に示されるように、ベルヌ−イ・チャック124と新たなウエハW1とが所定の距離(ギャップ)を維持するようにベルヌ−イ・チャック124から吹き出される空気の流速を調整する。これにより、数μm程度の隙間(ギャップ、クリアランス)を介して、ウエハWがベルヌ−イ・チャック124により上方から非接触で吸着保持される。ベルヌ−イ・チャック124によりウエハWが吸着保持されると、ウエハWは、クール・プレート123を介して所定の温度に温調される。
ウエハWがベルヌ−イ・チャック124に吸着保持されると、主制御装置20は、図26(C)に示されるように、一対の上下動回転駆動部127を介して一対の支持板128を第1回転位置まで軸126と一体で回転させるとともに、チャック本体130と一対の支持板128とを両者が接近する方向に所定量Z軸方向に相対駆動して一対の支持板128によってウエハWの裏面を接触支持させる。
そして、主制御装置20は、図26(D)に示されるように、ウエハ搬送アーム132をウエハWから離間させて、ローディングポジションLPから退避させる。このとき、新たなウエハWは、ベルヌーイ・チャック124と一対の支持板128とによって6自由度方向の移動が制限されている。なお、ウエハ搬送アーム132のウエハWからの離間と、一対の支持板128のウエハWに対する接触とは、その順序が逆でも良い。何れにしても、ウエハWは、前ウエハWの露光が終了して、ウエハステージWSTがローディングポジションLPに戻り、そのウエハWのロードが開始されるまで、その支持状態が維持されることとなる。
並行処理動作の説明に再び戻る。前述した長ストロークでのウエハステージWSTの+Y方向の高速移動により、図27に示される位置にウエハステージWSTが到達すると、計測ステージMSTとウエハステージWSTとは接触又は近接する状態へ移行する。この接触又は近接する状態では、計測テーブルMTBの−Y側の端面とウエハテーブルWTBの+Y側の端面とが接触或いは近接する。主制御装置20は、その接触又は近接する状態を保ちながら、両ステージWST,MSTを+Y方向に駆動する。この移動に伴い、液浸領域14の水は、計測テーブルMTB上からウエハテーブルWTB上に移動する。
そして、両ステージWST,MSTが、図29に示される計測プレート30が投影光学系PLの直下に配置される位置に到達すると、主制御装置20は、両ステージWST,MSTを停止し、Pri−BCHK後半の処理及びフォーカスキャリブレーション後半の処理を行う。
ここで、Pri−BCHK後半の処理とは、投影光学系PLによって投影されたレチクルR(又はレチクルステージRST上の不図示のマーク板)上の一対の計測マークの投影像(空間像)を、計測プレート30を含む前述した空間像計測装置45を用いて計測する処理を意味する。この場合、例えば米国特許出願公開第2002/0041377号明細書などに開示される方法と同様に、一対の空間像計測スリットパターンSLを用いたスリットスキャン方式の空間像計測動作にて、一対の計測マークの空間像をそれぞれ計測し、その計測結果(ウエハテーブルWTBのXY位置に応じた空間像強度)をメモリに記憶する。このPri−BCHK後半の処理に際しては、ウエハテーブルWTBのXY平面内の位置は、第1微動ステージ位置計測系110Aの計測値に基づいて、計測制御されている。
また、フォーカスキャリブレーション後半の処理とは、ウエハテーブルWTBのX軸方向の一側と他側の端部における面位置情報を計測する一対のXZヘッド65X、64Xによって計測される面位置情報を基準として、計測プレート30(ウエハテーブルWTB)の投影光学系PLの光軸方向に関する位置(Z位置)を制御しつつ、空間像計測装置45を用いて、レチクルR上の計測マークの空間像をスリットスキャン方式で計測し、その計測結果に基づいて投影光学系PLのベストフォーカス位置を測定する処理を意味する。
このとき、液浸領域14が投影光学系PLと計測プレート30(ウエハテーブルWTB)との間に形成されているので、上記の空間像の計測は、投影光学系PL及び液体Lqを介して行われる。また、空間像計測装置45の計測プレート30などはウエハステージWST(ウエハテーブルWTB)に搭載され、受光素子などは計測ステージMSTに搭載されているので、上記の空間像の計測は、ウエハステージWSTと計測ステージMSTとが、接触又は近接状態を保ったままで行われる。
上記の測定により、基準軸LVに、ウエハテーブルWTBのセンターラインが一致した状態における一対のXZヘッド65X、64Xの計測値(すなわち、ウエハテーブルWTBのX軸方向の一側と他側の端部における面位置情報)が求まる。この計測値は、投影光学系PLのベストフォーカス位置に対応している。
上述のPri−BCHK後半の処理及びフォーカスキャリブレーション後半の処理を行なった後、主制御装置20は、前述のPri−BCHKの前半の処理の結果とPri−BCHKの後半の処理の結果とに基づいて、プライマリアライメント系AL1のベースラインを算出する。また、これとともに、主制御装置20は、前述のフォーカスキャリブレーション前半の処理で得られた基準軸LVにウエハテーブルWTBのセンターラインが一致した状態における一対のXZヘッド66X、66Xの計測値(ウエハテーブルWTBのX軸方向の一側と他側の端部における面位置情報)と、多点AF系(90a,90b)の計測プレート30表面の検出点(複数の検出点のうち中央又はその近傍に位置する検出点)における検出結果(面位置情報)との関係と、上述のフォーカスキャリブレーション後半の処理で得られた投影光学系PLのベストフォーカス位置に対応するウエハテーブルWTBのセンターラインが基準軸LVに一致した状態における一対のXZヘッド65X、64Xの計測値(すなわち、ウエハテーブルWTBのX軸方向の一側と他側の端部における面位置情報)とに基づいて、多点AF系(90a,90b)の代表的な検出点におけるオフセットを求め、そのオフセットが零になるように前述の光学的手法により多点AF系の検出原点を調整する。
この場合において、スループット向上の観点から、上述のPri−BCHKの後半の処理及びフォーカスキャリブレーション後半の処理の一方のみを行っても良いし、両方の処理を行うことなく、次の処理に移行しても良い。勿論、Pri−BCHKの後半の処理を行わない場合には、前述のPri−BCHKの前半の処理を行う必要もない。
以上の作業が終了すると、主制御装置20は、図30に示されるように、計測ステージMSTを、+X方向かつ+Y方向に駆動して、両ステージWST,MSTの接触又は近接状態を解除する。
そして、主制御装置20は、ステップ・アンド・スキャン方式の露光を行い、新しいウエハW上にレチクルパターンを転写する。この露光動作は、主制御装置20により、事前に行われたウエハアライメント(EGA)の結果(前述のスケール39、39全面における計測結果の平均から得られる平均的な姿勢をアライメント演算に用いて算出されたウエハ上のすべてのショット領域の配列座標)及びアライメント系AL1(及びAL21〜AL24)の最新のベースライン等に基づいて、ウエハW上の各ショット領域の露光のための走査開始位置(加速開始位置)へウエハステージWSTを移動するショット間移動と、各ショット領域に対してレチクルRに形成されたパターンを走査露光方式で転写する走査露光と、を繰り返すことにより行われる。なお、上記の露光動作は、先端レンズ191とウエハWとの間に液体(水)Lqを保持した状態で行われる。
また、本実施形態では、一例として最初に露光される第1ショット領域が、ウエハWの−X側半部の+Y端部に位置するショット領域に定められているため、まず、その加速開始位置へ移動するため、ウエハステージWSTが、図30に黒矢印で示されるように、+X方向かつ+Y方向に移動される。
そして、図31に黒矢印で示されるような経路に沿って、ウエハステージWSTを移動しながらウエハの−X側半部の領域を+Y側のショット領域から−Y側のショット領域の順で露光する。
上述のウエハWの−X側半部の領域の露光のため、ウエハステージWSTが、図31に黒矢印で示されるような経路に沿って+Y方向に移動すると、待機ポジションUP2で露光済みのウエハWを保持している第2アンロードスライダ170BのY字保持部177を下降させても、ウエハステージWSTとの干渉のおそれがなくなる。このため、主制御装置20は、この時点で、図32(A)に示されるように、Y字保持部177に保持されているウエハWを、以下の手順でウエハ搬送系との受け渡し位置まで搬送する。
すなわち、主制御装置20は、ウエハWを保持しているY字保持部177を、図32(B)中に黒矢印で示されるように、第2アンロードスライダ駆動系180Bを介して所定量下降駆動した後、図32(C)中に黒矢印で示されるように、−Y方向に第1アーム171に沿って駆動する(図31中の白矢印参照)。この駆動の途中で、図31中に破線で示される位置にウエハWが達すると、ウエハWを持ち上げてもヘッド部62E等に干渉するおそれはなくなる。そこで、主制御装置20は、その時点以後、第2アンロードスライダ駆動系180Bを介して、図32(D)中に2つの黒矢印で示されるように、ウエハWを保持しているY字保持部177を所定量上昇させつつ、ウエハ搬送系との受け渡し位置まで移動させる。このようにして、ウエハWが、ウエハ搬送系との受け渡し位置まで搬送される。
上述のウエハWの受け渡し位置への搬送と並行して、主制御装置20は、図33、図34中に黒矢印で示されるような経路に沿って、ウエハステージWSTを移動しながらウエハWの+X側半部の領域を−Y側のショット領域から+Y側のショット領域の順で露光する。これにより、ウエハW上の全てのショット領域の露光が終わった時点では、ウエハステージWSTは、露光開始前の位置とほぼ同一位置に戻っている。
本実施形態では、上述したショット領域の露光順序を採用しているが、その露光のためにウエハステージWSTが移動する経路の全体長さは、同じ大きさのウエハを同一のショットマップに従って露光するとした場合、例えば米国特許出願公開第2008/0088843号明細書などに開示される従来の液浸スキャナなどと大差ない。
上記の露光中、第1微動ステージ位置計測系110Aの計測値、すなわちスケール391,392にそれぞれ対向する4軸ヘッド65、64の計測値、すなわち前述の第1トップサイドエンコーダシステム80Aによる6自由度方向の位置情報の計測結果(位置の計測値)及び第1バックサイドエンコーダシステム70Aによる6自由度方向の位置情報の計測結果(位置の計測値)のうち信頼性の高い計測値が前述のハイブリッド位置信号として主制御装置20に供給され、そのハイブリッド位置信号から得られるウエハテーブルWTBの6自由度方向に関する位置情報に基づいて、ウエハテーブルWTBの位置のサーボ制御が行われる。また、この露光中のウエハテーブルWTBのZ軸方向の位置,θy回転及びθx回転の制御(ウエハWのフォーカス・レベリング制御)は、事前に行われた前述のフォーカスマッピングの結果(スケール基準面を基準とする面位置情報又はポスト・ストリーム処理結果を用いて補正された裏面計測基準面を基準とする面位置情報)に基づいて行われる。
また、主制御装置20は、露光中に、前述した冗長軸の計測値を用いた差分計測による第1バックサイドエンコーダシステム70Aの座標系のリフレッシュを所定サンプリング間隔で行い、そのリフレッシュされた第1バックサイドエンコーダシステム70Aの座標系に第1トップサイドエンコーダシステム80Aのスケール39,39のグリッドを摺り合わせることによるその座標系のリフレッシュを少なくとも1回行う。
上記のステップ・アンド・スキャン方式の露光動作中、ウエハステージWSTがX軸方向に移動すると、その移動に伴って、第1トップサイドエンコーダシステム80Aの前述のヘッドの切り換え(複数のヘッド間における計測値の引き継ぎ)が行なわれる。このように、主制御装置20は、ウエハステージWSTの位置座標に応じて、使用する第1トップサイドエンコーダシステム80Aのエンコーダを適宜切り換えて、ステージ制御を実行している。
上述したウエハの+X側半部のショット領域の露光と並行して、受け渡し位置に搬送された露光済みのウエハWは、不図示の搬送ロボットによって、装置外への搬出のためウエハ搬送系(不図示)に渡される。
ウエハWの露光が終了すると、主制御装置20は、計測ステージ位置計測系16Bの計測値に基づいて、計測ステージMSTを、図34中に白矢印で示されるように、XY平面内で駆動することで、露光中には互いに離れていたウエハステージWSTと計測ステージMSTとを、前述の接触又は近接する状態に移行させる。この接触又は近接する状態への移行に際し、計測ステージMSTは、横側(側方)から計測アーム71Aに係合する。この計測ステージMSTの横側からの計測アーム71Aに対する係合を可能にするため、計測ステージMSTの計測テーブルMTBは、スライダ部60上の支持部62上に片持ち支持されている。
そして、主制御装置20は、図35に示されるように、上記の接触又は近接する状態を保って、両ステージWST,MSTを−Y方向に移動させる。これにより、投影ユニットPUの下に形成される液浸領域14(液体Lq)が、ウエハテーブルWTB上から計測テーブルMTB上に移動する(受け渡される)。
上記の液浸領域14(液体Lq)のウエハテーブルWTB上から計測テーブルMTB上への受け渡しが終了した段階では、主制御装置20は、計測テーブルMTBの位置を、計測テーブルMTBの裏面に設けられたグレーティングRGaを用いる第1バックサイドエンコーダシステム70Aの計測値に基づいて、計測テーブル駆動系52B(図16参照)を介して制御することが可能である。従って、主制御装置20は、必要な露光に関連する計測動作を、計測テーブルMTBの6自由度方向の位置を制御しつつ行うことができる。
上記の接触又は近接する状態に移行後、液浸領域14(液体Lq)のウエハテーブルWTB上から計測テーブルMTB上への移動が完了する直前に、ウエハステージWSTが、第1微動ステージ位置計測系110Aの計測範囲から外れ、第1トップサイドエンコーダシステム80A及び第1バックサイドエンコーダシステム70AによるウエハテーブルWTBの位置計測ができなくなる。その直前に、主制御装置20は、ウエハテーブルWTBの位置のサーボ制御に用いる位置計測系を、第1微動ステージ位置計測系110Aから第4トップサイドエンコーダシステム80D(3次元ヘッド79、79)に切り換える。
その後、ウエハステージWSTは、主制御装置20によってアンローディングポジションUP1に向けて駆動される。これにより、前述の接触又は近接する状態が解除された後、ウエハステージWSTは、アンローディングポジションUP1に移動する。この移動は、ウエハテーブルWTB上に液体Lqが触れることなく行われるので、高加速、例えば2段階の加速により短時間で行うことができる。アンローディングポジションUP1にウエハステージWSTが到達すると、主制御装置20は、露光済みのウエハWを次のような手順で、ウエハステージWST上からアンロードする。
すなわち、主制御装置20は、ウエハホルダによる露光済みのウエハWの吸着を解除した後、図36(A)に黒矢印で示されるように、3本の上下動ピン140を所定量上昇駆動してウエハWを持ち上げる。このときの3本の上下動ピンの位置は、ローディングポジションLPにウエハステージWSTが到達し、次のウエハのロードが開始されるまで維持される。
次に、主制御装置20は、第1アンロードスライダ駆動系180Aを介して、図36(B)中に白矢印で示されるように、第1アンロードスライダ170Aのウエハ把持部174を所定量下降駆動する。これにより、ウエハ把持部174の本体部174aが、ウエハWに対して所定の距離の位置まで接近する。このとき、ウエハ把持部174の4つの把持部174bは開いている。そこで、主制御装置20は、図36(C)に黒矢印で示されるように、第1アンロードスライダ駆動系180Aを介して4つの把持部174bを閉じるとともに、図36(D)に白矢印で示されるように、ウエハ把持部174を所定の高さ位置まで上昇駆動する。これにより、ウエハ把持部174の4つの把持部174bによって、ウエハWが裏面の外周部の4箇所を下方から支持した状態で、持ち上げられる。これにより、ウエハWのアンロードが終了する。
次いで、主制御装置20は、図37に示されるように、ウエハステージWSTをローディングポジションLPに向けて、ロングステップで直線的に高速駆動する。この駆動の途中で、ウエハステージWSTが計測範囲から外れて第4トップサイドエンコーダシステム80DによるウエハテーブルWTBの位置計測ができなくなる。そこで、主制御装置20は、ウエハステージWSTが第4トップサイドエンコーダシステム80Dによる計測範囲から外れる前に、ウエハテーブルWTBの位置のサーボ制御に用いる位置計測系を、第4トップサイドエンコーダシステム80Dから第2微動ステージ位置計測系110Bに切り換えている。
ウエハステージWSTのローディングポジションLPへの移動と並行して、主制御装置20によって、図37中に白矢印で模式的に示されるように、アンローディングポジションUP1の所定の高さの位置で、第1アンロードスライダ170Aのウエハ把持部174に保持されているウエハWの待機ポジションUP2への移動が行われる。この移動は、主制御装置20によって次の手順で行われる。
すなわち、主制御装置20は、図38(A)中に黒矢印で示されるように、ウエハ把持部174によりウエハWを保持している第1アンロードスライダ170Aを、第1アンロードスライダ駆動系180Aを介して第2アーム172に沿って待機ポジションUP2における下限移動位置近傍にあるY字保持部177の真上まで移動させる。そして、主制御装置20は、図38(B)中に黒矢印で示されるように、例えば第1アンロードスライダ駆動系180Aを介してウエハWを保持しているウエハ把持部174を、ウエハWの裏面がY字保持部177の吸着部に接触するまで、下方に駆動する。あるいは、主制御装置20は、例えば第2アンロードスライダ駆動系180Bを介して、Y字保持部177の吸着部がウエハ把持部174に保持されているウエハW裏面に接触するまで、Y字保持部177を上方に駆動しても良い。
そして、ウエハWの裏面がY字保持部177の吸着部に接触すると、主制御装置20は、図38(C)中に黒矢印で示されるように、第1アンロードスライダ駆動系180A介して4つの把持部174bを開くとともに、図38(D)中に黒矢印で示されるように、ウエハ把持部174を所定量上方に駆動する。これにより、ウエハWがウエハ把持部174からY字保持部177に受け渡される。
その後、主制御装置20は、図38(E)中に黒矢印で示されるように、第1アンロードスライダ駆動系180Aを介して第1アンロードスライダ170A(ウエハ把持部174)をアンローディングポジションUP1に戻すとともに、図38(E)中に白矢印で示されるように、ウエハWを下方から吸着保持するY字保持部177を待機ポジションUP2の所定高さの位置まで上昇させる。このウエハWは、次のウエハの露光が開始され、ウエハステージWSTが、待機ポジションUP2の下方から退避した状態となるまで、待機ポジションUP2の所定の高さの位置に、Y字保持部177に保持された状態が維持される。
これにより、1枚のウエハに対する一連(1サイクル)の処理が終了し、以降、同様の動作が繰り返し実行される。
以上詳細に説明したように、本実施形態に係る露光装置100は、載置されたウエハを保持するとともに、XY平面に沿って移動可能な不図示のウエハホルダを有する微動ステージWFSと、ローディングポジションLPの上方にて、ウエハを上方から非接触で保持し、かつ上下動可能なチャック本体130を有するチャックユニット120と、微動ステージWFSに設けられ、ウエハを下方から支持可能で上下動可能な3本の上下動ピン140と、を備えている。また、チャックユニット120は、3本の上下動ピン140でウエハを下方から支持するのに先立って、チャック本体130(ベルヌーイ・チャック124)により上方から非接触で保持されたウエハを、その上面を除く部分(たとえば下面(裏面))の一部に接触して保持する一対の支持板128を備えている。
ウエハのウエハテーブルWTB上へのロードに先立って、主制御装置20は、ローディングポジションLPの上方にて、ウエハを、チャック本体130(ベルヌーイ・チャック124)により上方から非接触で保持しつつ、その下面(裏面)の一部に一対の支持板128を接触させる。これにより、ウエハは、6自由度方向に関して移動が制限される。そして、ウエハステージWSTがローディングポジションLPに戻るまで、チャックユニット120は、この状態を維持する。
そして、ウエハステージWSTがローディングポジションLPに戻ると、主制御装置20は、チャック本体130(ベルヌーイ・チャック124)により保持されたウエハを3本の上下動ピン140により下方から支持するとともに、一対の支持板128によるウエハに対する接触保持を解除する。その後、直ちに、主制御装置20は、チャック本体130(ベルヌーイ・チャック124)によるウエハの保持状態及び3本の上下動ピン140によるウエハの支持状態を維持しつつ、ウエハの下面が微動ステージWFS(ウエハテーブルWTB)上の不図示のウエハホルダ(バキュームチャック等)に接触するまでチャック本体130及び3本の上下動ピン140下降させ、ウエハの下面がウエハホルダ(バキュームチャック等)に接触した段階で、ウエハに対する3本の上下動ピン140による支持及びチャック本体130(ベルヌーイ・チャック124)によるウエハの保持を解除する。
従って、露光装置100によると、ウエハを、平面度を高く維持した状態で、ウエハテーブルWTB上に位置ずれなく(再現性良く)搬入することが可能になる。また、主制御装置20は、ウエハの露光の際には、前述の第1微動ステージ位置計測系110Aで計測された位置情報に基づいて、微動ステージWFSを駆動する。従って、微動ステージWFS上に平面度を高く維持した状態で、位置ずれなく搬入されたウエハに対する高精度な露光が可能になる。
また、本実施形態に係る露光装置100によると、チャック本体130は、ウエハを非接触で保持するベルヌーイ・チャック124と、ウエハを温調するクール・プレート123とを含み、ウエハは、チャック本体130による保持が解除されるまでの間目標温度に温調される。これにより、ウエハテーブルWTB上への搬入が終了するまでの間、ウエハの目標温度の温調状態が持続される。
また、露光装置100は、チャック本体130に設けられ、ウエハの位置情報(中心位置(ずれ)、回転位置(ずれ))を計測する3つの撮像素子及び信号処理系116を含む計測系を備え、チャック本体130の下降動作中に、ウエハの下面がウエハホルダ(バキュームチャック等)に接触するまで、3つの撮像素子及び信号処理系116を含む上記計測系によりウエハの位置情報を計測する。これにより、ウエハがウエハテーブルWTB上にロードされた瞬間においてもウエハの位置ずれと回転誤差を計測することが可能になり、主制御装置20は、この計測情報をウエハの位置の補正情報として加味することで、アライメント時及び/又は露光時におけるウエハWのより精度の高い位置制御(位置決めを含む)を実現することができる。
また、本実施形態に係る露光装置100によると、計測ステーション300のY軸方向の一側(−Y側)に設定されたローディングポジションLPから露光ステーション200に向かってウエハステージWSTを+Y方向に移動させ、この移動経路の途中で複数のアライメント系ALG1、ALG2〜ALG2によるウエハ上の複数(例えば16個)のアライメントマークの検出を行う際に、その複数のマークの検出が終了するまでの間に、ウエハステージWSTの如何なる部分も液浸領域14にかからないように、投影光学系PLと複数のアライメント系ALG1、ALG2〜ALG2とのY軸方向の位置関係が設定されている。また、この上記のアライメント計測に加え前述のフォーカスマッピングを含む前述のストリーム処理は、ウエハテーブルWTBに液体が触れることなく行われるので、高速かつ高加速でウエハテーブルWTB(ウエハステージWST)を移動させつつ、ストリーム処理を行うことができる。
また、アンローディングポジションUP1が、露光位置とアライメント位置との間に設定されているので、ウエハの露光終了後にその露光済みのウエハを直ちにウエハテーブルWTB上からアンロードした後、ローディングポジションLPに戻ることができる。また、露光終了後、計測テーブルMTBに液浸領域14(液体Lq)を渡した後、ウエハテーブルWTBは、液体に触れること無く、アンローディングポジションUP1へ、さらにはローディングポジションLPに戻る。従って、この時のウエハテーブルWTBの移動を、高速かつ高加速で行うことができる。さらに、ローディングポジションLPが、露光位置とアライメント位置とを結ぶ直線上に設定され、さらにこの位置でPri-BCHKの前半の処理が行われるので、ウエハテーブルWTB上へのウエハのロード後、直ちにストリーム処理を開始することができる。
さらに、ウエハW上の複数のショット領域の露光順序は、−X側半部(又は+X側半部)における+Y側から−Y側のショット領域の順に露光した後、+X側半部(又は−X側半部)における−Y側から+Y側のショット領域の順に露光するので、露光が終了した時点で、アンローディングポジションUP1に最も近い位置にウエハテーブルWTBが位置している。従って、露光終了後、最短時間でアンローディングポジションUP1へのウエハテーブルWTBの移動が可能である。
また、本実施形態に係る露光装置100によると、露光ステーション200にウエハステージWSTがあるときに、粗動ステージWCSに6自由度方向に移動可能に保持されるウエハテーブルWTB(微動ステージWFS)の6自由度方向の位置を計測する第1微動ステージ位置計測系110Aが、ウエハテーブルWTBの裏面(−Z側の面)に設けられたグレーティングRGに計測ビームを下方から照射して、ウエハテーブルWTBの6自由度方向の位置情報を計測する第1バックサイドエンコーダシステム70Aと、メインフレームBDに設けられたヘッド部62A、62Cを有し、ヘッド部62A、62CからウエハテーブルWTBに設けられた一対のスケール39、39(2次元グレーティング)に計測ビームを照射して、ウエハテーブルWTBの6自由度方向の位置情報を計測する第1トップサイドエンコーダシステム80Aと、を備えている。そして、前述の切換部150Aが第1モードに設定されている場合、主制御装置20は、ウエハテーブルWTBが露光ステーション200内の上記所定の範囲(ウエハテーブルWTBに保持されたウエハWの露光のためウエハテーブルWTBが移動する範囲を含む範囲)を移動する際、例えば露光時に、第1バックサイドエンコーダシステム70Aによる位置情報及び第1トップサイドエンコーダシステム80Aによる位置情報のうち、信頼性の高い方の位置情報に基づいて、ウエハテーブルWTBを駆動する。この駆動は、主制御装置20によって、粗動ステージ駆動系51Aを介して粗動ステージWCSが駆動されるとともに微動ステージ駆動系52Aを介してウエハテーブルWTBがサーボ駆動されることで行われる。
また、本実施形態では、切換部150Aの第1モードの設定により、主制御装置20は、前述のハイブリッド位置信号Fに対応する位置情報に基づいて、ウエハテーブルWTBを、上記所定の範囲内で駆動することで、結果的に、第1バックサイドエンコーダシステム70Aによる位置情報及び第1トップサイドエンコーダシステム80Aによる位置情報のうち、信頼性の高い方の位置情報に基づいて、ウエハテーブルWTBを上記所定の範囲内で駆動する。従って、常に信頼性が高い位置情報に基づいて、ウエハテーブルWTBを、露光ステーション200内の上記所定の範囲内で精度良く駆動することが可能になる。
また、本実施形態に係る露光装置100によると、計測ステーション300にウエハステージWSTがあるときに、粗動ステージWCSに6自由度方向に移動可能に保持されるウエハテーブルWTB(微動ステージWFS)の6自由度方向の位置を計測する第2微動ステージ位置計測系110Bが、ウエハテーブルWTBの裏面(−Z側の面)に設けられたグレーティングRGに計測ビームを下方から照射して、ウエハテーブルWTBが計測ステーション300内の所定の範囲(前述したストリーム処理、及びトラバースチェックのため、ウエハテーブルWTBが移動する範囲を少なくとも含む計測ステーション300内の範囲、例えば露光ステーション200における前述の所定の範囲に対応する計測ステーション300における範囲)で移動する際に、ウエハテーブルWTBの6自由度方向の位置情報を計測する第2バックサイドエンコーダシステム70Bと、メインフレームBDに設けられたヘッド部62F、62Eを有し、ヘッド部62F、62EからウエハテーブルWTB上の一対のスケール39、39(2次元グレーティング)に計測ビームを照射して、ウエハテーブルWTBの6自由度方向の位置情報を、第2バックサイドエンコーダシステム70Bによる前記位置情報の計測と並行して計測可能な第2トップサイドエンコーダシステム80Bと、を備えている。そして、前述の切換部150Bが第1モードに設定されている場合、主制御装置20は、ウエハテーブルWTBが計測ステーション300内の上記所定の範囲を移動する際、例えばアライメント時に、第2バックサイドエンコーダシステム70Bによる位置情報及び第2トップサイドエンコーダシステム80Bによる位置情報のうち、信頼性の高い方の位置情報に基づいて、ウエハテーブルWTBをサーボ駆動する。
また、本実施形態では、切換部150Bの第1モードの設定により、主制御装置20は、前述のハイブリッド位置信号Fに対応する位置情報に基づいて、ウエハテーブルWTBを、上記所定の範囲内で駆動することで、結果的に、第2バックサイドエンコーダシステム70Bによる位置情報及び第2トップサイドエンコーダシステム80Bによる位置情報のうち、信頼性の高い方の位置情報に基づいて、ウエハテーブルWTBを上記所定の範囲内で駆動する。従って、常に信頼性が高い位置情報に基づいて、ウエハテーブルWTBを、計測ステーション300内の上記所定の範囲内で精度良く駆動することが可能になる。
また、本実施形態に係る露光装置100によると、主制御装置20により、露光時等にウエハテーブルWTBが、露光ステーション200の上記所定の範囲内で移動するときに、第1バックサイドエンコーダシステム70Aの座標系のリフレッシュ処理が所定の間隔で繰り返し行われ、常にグリッド誤差が補正された第1バックサイドエンコーダシステム70Aの座標系上でウエハテーブルWTBの位置が管理されつつ、ウエハWの露光が行われる。また、主制御装置20により、第1バックサイドエンコーダシステム70Aと第1トップサイドエンコーダシステム80Aとの互いに対応する部分座標系同士の関係から、更新された第1バックサイドエンコーダシステム70Aの座標系のグリッドに基づいて、第1トップサイドエンコーダシステム80Aの座標系のグリッド歪を逆算して更新する、第1トップサイドエンコーダシステム80Aの座標系のリフレッシュが、行われる。
また、ストリーム処理時には、主制御装置20により、第2バックサイドエンコーダシステム70Bの座標系のリフレッシュ処理が所定の間隔で繰り返し行われ、常にグリッド誤差が補正された第2バックサイドエンコーダシステム70Bの座標系上でウエハテーブルWTBの位置が管理されつつ、アライメント計測、フォーカスマッピングが行われる。また、主制御装置20により、同様に、更新された第2バックサイドエンコーダシステム70Bの座標系のグリッドに基づいて、第2トップサイドエンコーダシステム80Bの座標系のグリッド歪を逆算して更新する、第2トップサイドエンコーダシステム80Bの座標系のリフレッシュが行われる。
なお、上記第1、第2バックサイドエンコーダシステム70A、70Bの座標系のリフレッシュを、高次成分を含めて高精度におこなうため、正確な位置関係でマークが配置され、その表面平坦度が極めて高い基準ウエハを用意し、この基準ウエハをウエハテーブルWTB上に搭載し、ウエハテーブルWTBの位置を第2バックサイドエンコーダシステム70Bにより計測しつつ、ウエハテーブルWTBをXY平面内で移動させて、基準ウエハのマークをプライマリアライメント系AL1で計測するとともに、基準ウエハの凹凸を多点AF系(90a、90b)により計測することを行い、第2バックサイドエンコーダシステム70Bの座標系、すなわちグレーティングRGのグリッドの高次成分を含む計測(補正)を行うようにしても良い。この計測は、装置の立ち上げ時などに少なくとも1回、理論上は、ウエハ全面ではなく、ウエハの一部の領域に対して行なっていても良い。リフレッシュの対象となるグレーティングRGのグリッドの高次成分のデータを得るためであり、残りの領域は、前述のリフレッシュを行うことで補正が可能になると考えられるからである。
また、主制御装置20により、ストリーム処理独自の誤差要因に基づく、アライメント時座標系と露光時座標系との誤差を、ウエハステージWSTを実際にX軸方向に動かすことで補正する前述のトラバースチェックが、予め定められた頻度(必要に応じた頻度)で行われる。
また、ウエハアライメント結果(EGA結果)及びフォーカスマッピングの結果に含まれる誤差要因パラメータを、第2トップサイドエンコーダシステム80B及び第3トップサイドエンコーダシステム80Cが、ストリーミング処理中に観測した全データの平均から算出された対応するパラメータに置き換える演算処理、すなわち、前述のポスト・ストリーム処理が行われる。
以上の説明から明らかなように、本実施形態に係る露光装置100によると、高精度なアライメント結果、及びフォーカスマッピングの結果に基づいて、ステップ・アンド・スキャン方式でウエハWに対する液浸露光による高解像度な露光が、重ねあわせ精度良く行われる。また、露光対象のウエハWが、例えば450ミリウエハなどであっても、スループットを高く維持することができる。具体的には、露光装置100では、450ミリウエハに対する露光処理を、前述した米国特許出願公開第2008/0088843号明細書などに開示される液浸スキャナで300ミリウエハに対する露光処理と、同等あるいはそれ以上の高スループットで実現することが可能である。
なお、上記実施形態では、チャックユニット120を、前述のように構成したので、例えば前ウエハの露光中に、これと並行してローディングポジションLPの上方で次ウエハを待機させるとともにその温調を行うことで、ウエハステージWSTがローディングポジションLPに戻ってくると、直ちに温調済みのウエハをウエハテーブルWTB上にロードすることができるようになっている。しかしながら、チャックユニット120の構成は、前述した構成に限定されるものではない。すなわち、チャックユニット120(ベルヌーイ・チャック124)は、例えば搬送機能のみ、あるいは、搬送機能に加えて、前述の温調機能、プリアライメント機能、及び撓み補正機能(平坦化機能)の少なくとも1つを有することとしても良く、チャックユニット120(ベルヌーイ・チャック124)に付加する機能の種類や数などによってその構成を決定すれば良いし、搬送機能を含む4つの機能を実現する構成はそれぞれ前述した構成に限られない。例えば前ウエハの露光中に、これと並行してローディングポジションLPの上方で次ウエハを待機しない場合などには、その待機中におけるチャック本体130による非接触保持状態でのウエハのXY平面内の位置ずれを防止するための上記の一対の支持板128などの保持部材は必ずしも設ける必要はない。また、チャック本体130は、クール・プレート123などの温調部材を、必ずしも有していなくても良い。たとえば、前ウエハの露光中に、これと並行してローディングポジションLPの上方で次ウエハを待機しない場合、その他ローディング開始直前まで、ウエハをローディングポジションLP以外の所に設置されたクール・プレート上で温調するだけで十分な場合なども考えられるからである。また、ローディング後にそのウエハのアライメントが可能であれば良いので、チャック本体130によるウエハの保持中に、そのウエハの位置情報を計測する計測系も必ずしも設けなくても良い。
また、上記実施形態では、チャック本体130が、クール・プレート123とほぼ同じ大きさの板状の部材から成るベルヌ−イ・チャック124を有するものとしたが、これに限らず、チャック本体130が、ベルヌ−イ・チャック124に代えて、クール・プレート123の下面に直接又はプレート部材を介して取付けられた複数のベルヌーイ・カップを有していても良い。この場合、複数のベルヌーイ・カップは、クール・プレート123の全面、又は少なくとも中心部及び周辺部に分布していることが望ましく、主制御装置20によって、流体(例えば空気)の吹き出し及びその停止、並びに吹き出される流体の流量及び/又は流速などが、個別に又はグループ毎(例えば、中心部と周辺部とのグループ毎)に調整可能になっていることが望ましい。このような構成のチャック本体130を有するチャックユニット120を露光装置が備えている場合、チャック本体130によって上方から非接触で支持されるウエハWの変形が抑制されるように、ローディングポジションでの待機時、又はウエハWのウエハホルダ(ウエハテーブルWTB)上への搬入時に、チャック本体130の複数のべルヌーイ・カップの少なくとも一部からの流体の吹き出し流量及び/又は流速を、通常のウエハWの支持状態と異ならせて、非接触支持するウエハWの少なくとも一部を鉛直方向に変位させることとしても良い。勿論、上記実施形態と同様の単一のベルヌ−イ・チャック124を、チャック本体130が有している場合でも、ウエハWの変形を抑制するため、ベルヌ−イ・チャック124から噴き出される流体の流速等を、通常のウエハWの支持状態と異ならせても良い。いずれにしても、これらの場合、変形が抑制されたウエハWが、ウエハホルダ(ウエハテーブルWTB)で保持されることとなる。
なお、上記実施形態では、チャック本体130及び3本の上下動ピン140により上下から非接触又は接触状態で支持されたウエハWをウエハホルダ(ウエハテーブルWTB)上に載置する際に、主制御装置20が、チャック本体130及び3本の上下動ピン140を下方に駆動するものとした。しかし、これに限らず、主制御装置20は、ウエハホルダ(ウエハテーブルWTB)の方を、チャック本体130及び3本の上下動ピン140に対して上方に駆動しても良いし、チャック本体130及び3本の上下動ピン140を下方に駆動するとともに、ウエハホルダ(ウエハテーブルWTB)を上方に駆動しても良い。要は、主制御装置20は、チャック本体130及び3本の上下動ピン140により上下から支持されたウエハWの下面がウエハホルダ(ウエハテーブルWTB)と接触するまで、チャック本体130及び3本の上下動ピン140とウエハホルダ(ウエハテーブルWTB)とをZ軸方向に相対移動することとすれば良い。この場合において、主制御装置20は、チャック本体130及び3本の上下動ピン140とウエハホルダ(ウエハテーブルWTB)とをZ軸方向に相対移動は、ウエハWがウエハホルダ(ウエハテーブルWTB)に接触するまで行う必要はなく、接触直前に相対移動を停止し、あとはチャック本体130の制御だけでウエハWをウエハホルダ(ウエハテーブルWTB)に受け渡しても良い。
また、主制御装置20は、チャック本体130(第1支持部材)及び3本の上下動ピン140(第2支持部材)のうちの一方の支持部材によるウエハWの支持を解除しかつ他方の支持部材でウエハWを支持しつつ、その一方の支持部材と他方の支持部材に対してウエハホルダ(ウエハテーブルWTB)を相対移動するなどして、ウエハホルダ(ウエハテーブルWTB)とウエハWとの位置関係をずらしても良い、すなわちウエハWの載せ換えを行っても良い。特に、3本の上下動ピン140でウエハWの載せ換えを行う場合は、吸着の解除中にウエハWの載せ換えを行ない、再度吸着を行っても良い。また、チャック本体130、3本の上下動ピン140、及びウエハテーブルWTB(ウエハステージWST)の少なくとも1つを移動して、ウエハホルダ(ウエハテーブルWTB)とウエハWとの相対位置関係を調整しても良い。
また、上記実施形態において、主制御装置20は、ウエハWが3本の上下動ピン140で支持される前に、3つの撮像素子129を用いてチャック本体130に非接触で支持されたウエハWのX軸方向、Y軸方向の位置ずれと回転(θz回転)誤差を検出することとしても良い。この場合おいて、駆動部122によって、チャック本体130のXY平面内の位置(回転を含む)を調整可能な構成を採用する場合には、その検出された位置ずれと回転誤差とに応じて、ウエハWのXY平面内の位置(回転を含む)を調整することとしても良い。あるいは、3本の上下動ピン140を、ウエハテーブルWTBに対してXY平面内で可動な構成を採用することとし、主制御装置20は、検出された位置ずれと回転誤差とに応じて、3本の上下動ピン140を介してウエハWのXY平面内の位置(回転を含む)を調整することとしても良い。このようにして、主制御装置20は、ウエハホルダ(ウエハテーブルWTB)による、ウエハWの保持前に、ウエハWの位置を微調整する。
また、上記実施形態では、3本の上下動ピン140が、駆動装置142によって一体で上下動可能な場合について説明した。しかし、これに限らず、3本の上下動ピン140は、個別に上下動可能あっても良い。かかる場合、前述したチャック本体130及び3本の上下動ピン140により上下から非接触又は接触状態で支持されたウエハWをウエハホルダ(ウエハテーブルWTB)上に載置する際に、3本の上下動ピン140の上下動のタイミングを異ならせることで、チャック本体130からウエハWの全面に一様な押圧力が与えられる場合であっても、ウエハホルダによるウエハWの吸着保持が、一側からその反対側に向かって時間差を持って開始されるようにすることができる。あるいは、3本の上下動ピン140のそれぞれを、+Z方向に押圧する押圧力(付勢力)を個別に調整可能な構成を採用しても良い。この場合も、チャック本体130からウエハWの全面に一様な押圧力が与えられる場合であっても、ウエハホルダによるウエハWの吸着保持が、一側からその反対側に向かって時間差を持って開始されるようにすることができる。いずれの場合も、ウエハホルダ(ウエハテーブルWTB)をθx及び/又はθy方向に傾斜させる必要もない。
なお、上記実施形態において、ウエハWを接触支持可能な3本の上下動ピンに代えて、例えば、ウエハWを、チャック本体130と並行して支持し、上下動可能な別の1つ又は複数の支持部材を設けても良い。この複数の支持部材は、ウエハWの側面の一部を支持可能な構造、あるいはウエハWの外周縁部を複数箇所で側方(及び/又は下方)から開閉可能に支持する構造になっていても良い。この支持部材はチャックユニット120(ベルヌーイ・チャック124)に設けても良い。また、チャック本体130が有するウエハWを非接触で支持するチャック部材としては、ベルヌーイ・チャックに限らず、ウエハWを非接触で支持できる部材であれば良い。従って、例えば、ベルヌーイ・チャック(又はベルヌーイ・カップ)に代えて、あるいはこれとともに真空予圧型のエアベアリングなどを用いることもできる。
上記実施形態において、主制御装置20は、ウエハホルダ(ウエハテーブルWTB)に保持されるウエハWが実質的に平坦化される、あるいはウエハWの撓みが抑制又は防止されるように、ウエハWに対するチャック本体130(が有するチャック部材)の斥力と引力との少なくとも一方を制御することとしても良い。
また、上記実施形態では、メインフレームBDの下面に不図示の防振部材を介して駆動部122を固定することで、チャック本体130をメインフレームBDに対して振動的に分離する場合について例示した。しかし、これに限らず、例えば駆動部122を不図示の支持部材を介してフレームFLに取り付けることで、チャック本体130をメインフレームBDに対して振動的に分離しても良い。
また、上記実施形態では、ウエハテーブルWTBのいかなる部分にも液体Lqが触れることがない状態で、アライメント計測及びフォーカスマッピングを含むストリーム処理が行われる場合について説明した。しかしながら、アライメント計測が終了した時点でウエハテーブルWTBと計測テーブルMTBとが前述の接触又は近接する状態に移行するシーケンスも考えられ、この場合に、例えばアライメント計測終了後の時点でフォーカスマッピングが終了していなければ、その残りのフォーカスマッピングは両テーブルWTB、MTBの接触又は近接する状態を維持して行っても良い。かかる場合であっても、アライメント計測を、ウエハテーブルWTBのいかなる部分にも液体Lqが触れることなく行うことができるので、そのアライメント計測に際してのウエハテーブルWTB(ウエハステージWST)のステップ移動を、前述の米国特許出願公開第2008/0088843号明細書などに開示される液浸スキャナに比べて、より短時間で行うことが可能になる。
また、上記実施形態では、アンローディングポジションUP1が、投影光学系PLと計測ステーション300(プライマリアライメント系AL1)とをY軸方向に結ぶ直線上に位置し、該アンローディングポジションUP1の−X側に待機ポジションUP2が設定される場合について説明したが、待機ポジションUP2は必ずしも設定しなくても良い。しかし、ウエハテーブルWTBのいかなる部分にも液体Lqが触れることがない状態で、アライメント計測が行われる場合において、必ずしも上記の位置関係を満足する位置にアンローディングポジションは、設定されていなくても良い。
また、上記実施形態で説明したアンロード装置170の構成は一例に過ぎない。例えば、フレームFLのX軸方向の一側の辺部の下面と他側の辺部の下面とに、ヘッド部等に干渉しない状態で板状の支持部材を架設し、その支持部材上のアンローディングポジションUP1の位置に上下動可能な前述のウエハ把持部174と同様の構成の部材から成る第1アンロードスライダを設けるとともに、ロボットアームなどによって第2アンロードスライダを構成しても良い。この場合、第1アンロードスライダにより、ウエハステージWST上の上下動ピン140からウエハを受け取った後、その第1アンロードスライダを上昇させる。そして、第2アンロードスライダにより、その第1アンロードスライダからウエハを、アンローディングポジションUP1で受け取り、前述の待機ポジションUP2で待機させる、あるいは搬送系との受け渡しポジションに搬送する。後者の場合、待機ポジションUP2は設定しなくても良い。
また、上記実施形態では、計測ステーション300に検出領域がX軸方向に沿って配置された複数のアライメント系AL1、AL2〜AL2が設けられている場合について説明したが、これに限らず、複数のアライメント系AL1、AL2〜AL2の検出領域は、X軸方向のみならず、Y軸方向に関しても位置が互いに異なっていても良い。あるいは、計測ステーション300にマーク検出系は1つのみ設けられていても良い。かかる場合であっても、ローディングポジション、計測ステーション、アンローディングポジション、及び露光ステーションが上記実施形態と同様の位置関係になっていれば、例えばローディングポジションから露光ステーションに向けてウエハWを保持するウエハステージWSTをY軸方向に沿って移動させ、その移動の途中で、移動経路上に位置する計測ステーション300にてマーク検出系によりウエハW上の複数のマークを検出する。そして、ウエハステージWSTに保持されたウエハを露光ステーション200において露光した後、露光ステーション200からY軸方向に沿ってローディングポジションに戻る前に、露光ステーション200から計測ステーション300に向かうウエハステージWSTの移動経路中に設定されたアンローディングポジションにて、露光されたウエハをウエハステージWST上から搬出することとすることができる。この場合、ウエハステージWST上へのウエハの搬入(ロード)、ウエハ上のマークの検出、ウエハの露光、露光済みのウエハのウエハステージWST上からの搬出(アンロード)の一連の処理を、Y軸方向に離れて位置するローディングポジションから露光ステーションへウエハステージWSTを往復移動させる間に、短時間で効率良く行うことが可能になる。
なお、上記実施形態では、ウエハW上の−X側半部(又は+X側半部)における+Y側から−Y側のショット領域の順に露光した後、+X側半部(又は−X側半部)における−Y側から+Y側のショット領域の順に露光する場合を例示したが、ウエハW上の複数のショット領域の露光順序は、これに限られるものではない。露光終了後、ほぼ最短時間でウエハテーブルWTBをアンローディングポジションまで移動しない場合(その必要がない場合、及び露光位置とアンローディングポジションとが離れていてそのような移動が困難な場合のいずれの場合をも含む)などには、従来の液浸スキャナ、例えば米国特許出願公開第2008/0088843号明細書などと同様の順序でウエハW上の複数のショット領域を露光しても良い。あるいは、露光終了後、最短時間でアンローディングポジションUP1まで移動する場合であっても、上記実施形態の露光順序に限られない。要は、ウエハ上の複数のショット領域のうち、アンローディングポジションに遠い所定の第1ショット領域から露光が開始され、その第1ショット領域の近傍のショット領域が最後に露光されれば良い。
また、上記実施形態において、状況に応じて、第1バックサイドエンコーダシステム70Aと第1トップサイドエンコーダシステム80Aとによる計測情報(位置情報)を切り換える場合であっても、その切り換え方法は、上記実施形態の方法に限られないことは勿論である。主制御装置20は、例えば計測アーム71Aのヘッド73a〜73d(アーム部材71)の振動によって第1トップサイドエンコーダシステム80Aより第1バックサイドエンコーダシステム70Aの信頼性が低くなる周波数帯域、例えば50Hz〜500Hz、特に100Hz〜400Hzの少なくとも一部では、ウエハテーブルWTBの駆動制御のために、少なくとも第1トップサイドエンコーダシステム80Aで計測される位置情報を用いることとすることが望ましい。第1バックサイドエンコーダシステム70Aと第1トップサイドエンコーダシステム80Aとによる計測情報(位置情報)の切り換えの基準は、出力信号の周波数帯に限定されるものではない。また、上記実施形態によると、第1バックサイドエンコーダシステム70Aと第1トップサイドエンコーダシステム80Aとによる並行したウエハテーブルWTBの位置計測が可能であるので、一方のエンコーダシステムの単独使用、両者のシステムの併用など、両者の長所、短所に応じた種々の使用方法が可能になる。要は、主制御装置20が、第1バックサイドエンコーダシステム70Aと第1トップサイドエンコーダシステム80Aの少なくとも一方によって計測される位置情報に基づいて、粗動ステージ駆動系51A及び/又は微動ステージ駆動系52AによるウエハテーブルWTBの駆動を制御すれば良い。なお、第2微動ステージ位置計測系110Bを構成する第2バックサイドエンコーダシステム70B及び第2トップサイドエンコーダシステム80Bについても、上述と同様のことが言える。
ハイブリッド制御(切換部150A、150B、150Cの第1モード)において、トップサイドエンコーダシステムとバックサイドエンコーダシステムとを、振動に応じて、具体的には同一のカットオフ周波数を有するローパスフィルタ及びハイパスフィルタを用いて、切り換えるものとしたが、これに限らず、例えば、フィルタを用いることなく、トップサイドエンコーダシステムの出力信号とバックサイドエンコーダシステムの出力信号とを重み付けして加算したハイブリッド位置信号を用いても良い。また、振動以外の要因によってトップサイドエンコーダシステムとバックサイドエンコーダシステムとを使い分ける、あるいは併用しても良い。例えば、第1微動ステージ位置計測系110Aでは、例えば走査露光中はバックサイドエンコーダシステム70Aのみを用いるようにしても良い。
また、上記実施形態では、第2微動ステージ位置計測系110Bが、第2バックサイドエンコーダシステム70Bと第2トップサイドエンコーダシステム80Bとを備えるものとしたが、これに限らず、計測ステーション300におけるウエハテーブルWTBの位置を計測する計測系は、第2バックサイドエンコーダシステム70Bと第2トップサイドエンコーダシステム80Bとの一方のみであっても良いし、全く別の構成のエンコーダシステム、あるいは干渉計システムなどであっても良い。勿論、第2トップサイドエンコーダシステム80Bのみの場合、前述した摺り合わせによる第2トップサイドエンコーダシステム80Bの座標系のリフレッシュは行われない。同様に、露光ステーション200におけるウエハテーブルWTBの位置を計測する計測系は、第1バックサイドエンコーダシステム70Aと第1トップサイドエンコーダシステム80Aとの一方のみであっても良いし、全く別の構成のエンコーダシステム、あるいは干渉計システムなどであっても良い。
なお、上記実施形態では、第1、第2バックサイドエンコーダシステム70A,70Bが、エンコーダヘッドの光学系の少なくとも一部のみが内蔵されたアーム部材71、71をそれぞれ有する計測アーム71A,71Bを備える場合を説明したが、これに限らず、例えば、計測アームとしては、グレーティングRGに対向する部分から計測ビームを照射できれば、例えばアーム部材の先端部に光源や光検出器等を内蔵していても良い。この場合、アーム部材の内部に前述の光ファイバを通す必要がなくなる。さらに、アーム部材は、その外形及び断面の形状は特に問わないし、ダンピング部材も必ずしもなくても良い。また、第1、第2バックサイドエンコーダシステム70A,70Bは、アーム部材71、71に光源及び/又は検出器が設けられていない場合であっても、アーム部材71、71の内部を利用しなくても良い。
また、第1、第2バックサイドエンコーダシステム70A,70Bは、必ずしも、計測アームを備えている必要はなく、粗動ステージWCSの空間部内にグレーティングRGに対向して配置され、該グレーティングRGに少なくとも1本の計測ビームを照射し、該計測ビームのグレーティングRGからの光(反射回折光)を受光するヘッドを有し、該ヘッドの出力に基づいて微動ステージWFSの少なくともXY平面内の位置情報を計測できれば足りる。
また、上記実施形態では、第1、第2バックサイドエンコーダシステム70A,70Bが、それぞれ、2つの3次元ヘッドと、XZヘッド及びYZヘッドを備える場合について例示したが、ヘッドの組み合わせ配置は、これに限られないことは勿論である。例えば、冗長軸の計測値を用いた座標系のリフレッシュを行う場合であっても、第1、第2バックサイドエンコーダシステム70A,70Bが計測可能な自由度を10自由度に設定する必要はなく、7以上の自由度、例えば8自由度であっても良い。例えば、2つの3次元ヘッドと、XZヘッド及びYZヘッドの一方のみとを備えていても良い。この場合に、ヘッドの配置、構成なども上記実施形態のものに限られない。例えば、第1、第2バックサイドエンコーダシステム70A,70Bが、ウエハテーブルWTBの6自由度方向の位置情報を計測するために複数の計測ビームをグレーティングRGに照射するとともに、これらの複数の計測ビーム、すなわちウエハテーブルWTBの6自由度方向の位置情報を計測するために複数の計測ビームとは異なる少なくとも1つの計測ビームをグレーティングRGに照射することとしても良い。かかる場合、主制御装置20は、前記異なる少なくとも1つの計測ビームによって第1、第2バックサイドエンコーダシステム70A,70Bで計測されるウエハテーブルWTBの位置情報を用いて、前述と同様の座標系のリフレッシュを行う、すなわちグレーティングRGに起因して生じる第1、第2バックサイドエンコーダシステム70A,70Bの計測誤差を補償する情報を更新することができる。
また、例えば、前述の冗長軸の計測値を用いた座標系のリフレッシュを行わないのであれば、第1、第2バックサイドエンコーダシステム70A,70Bは、ウエハテーブルWTBの6自由度方向の位置情報のみを計測可能なヘッドの組み合わせ配置にしても良い。例えば、第1、第2バックサイドエンコーダシステム70A,70Bは、それぞれ2つの3次元ヘッドのみを備えていても良い。この場合、この2つの3次元ヘッドが、上記実施形態と同様の配置であれば、ウエハテーブルWTBのθx方向を除く、5自由度方向の位置情報の計測が可能になる。また、2つの3次元ヘッドを、X軸方向及びY軸方向に関して互いにずらして配置すれば、ウエハテーブルWTBの6自由度方向の位置情報の計測が可能になる。この他、第1、第2バックサイドエンコーダシステム70A,70Bは、それぞれ、X軸方向に並べて配置された一対のXYヘッドのみを備えていても良い。この場合、ウエハテーブルWTBのXY平面内の3自由度方向の位置情報の計測が可能となる。また、第1、第2バックサイドエンコーダシステム70A,70Bは、Xヘッド及び/又はYヘッドとは別にZヘッドを備えるヘッド部(光学系)を採用しても良い。
上記実施形態では、微動ステージWFSの下面(裏面)にグレーティングRGが配置されているので、微動ステージWFSを中空構造にして軽量化を図るとともに、その内部に配管、配線等を配置することとしても良い。その理由は、エンコーダヘッドから照射される計測ビームが微動ステージWFSの内部を進行しないので、微動ステージWFSを光が透過可能な中実部材とする必要がないからである。しかしながら、これに限らず、微動ステージWFSを光が透過可能な中実部材とする場合には、微動ステージの上面、すなわちウエハに対向する面にグレーティングが配置されても良いし、グレーティングは、ウエハを保持するウエハホルダに形成されていても良い。後者の場合、露光中にウエハホルダが膨張したり、微動ステージに対する装着位置がずれたりした場合であっても、これに追従してウエハホルダ(ウエハ)の位置を計測することができる。
また、上記実施形態における第1ないし第4トップサイドエンコーダシステム80A〜80Dの構成は、上記実施形態で説明したものに限られない。例えば、第1ないし第4トップサイドエンコーダシステム80A〜80Dの少なくとも一部は、例えば米国特許出願公開第2006/0227309号明細書などに開示されているように、ウエハテーブルWTBに複数のエンコーダヘッド部(各エンコーダヘッド部は、例えば前述した4軸ヘッドと同様に構成することができる)を設け、これに対向してウエハテーブルWTBの外部に格子部(例えば2次元格子又は2次元に配置された1次元の格子部)を配置する構成のエンコーダシステムを採用しても良い。この場合、複数のエンコーダヘッド部はそれぞれウエハテーブルWTBの4隅(コーナー)に配置しても良いし、あるいは、ウエハテーブルWTBの外側でその中心(ウエハホルダの中心)で交差する2つの対角線上にそれぞれ、ウエハテーブルWTBを挟んで一対のエンコーダヘッド部を配置してもよい。また、格子部は、例えば、それぞれ2次元格子が形成される4つの格子板を、1つの固定部材(プレートなど)に取り付けるとともに、その4つの格子板が投影光学系PL(あるいはノズルユニット32)の周囲に配置されるように、フレクチャーを含む支持部材によって固定部材をメインフレームBDに吊り下げ支持しても良い。
なお、上記実施形態では、微動ステージWFSは、全6自由度方向に駆動可能であったが、これに限らず少なくともXY平面に平行な二次元平面内の3自由度方向に移動できれば良い。この場合、微動ステージWFSが露光ステーション200内の所定の範囲(ウエハテーブルWTBに保持されたウエハWの露光のため微動ステージWFSが移動する範囲を少なくとも含む露光ステーション200内の範囲)で移動する際に、主制御装置20が、例えば第1バックサイドエンコーダシステム70Aの複数のヘッドによる計測情報に基づいて、微動ステージWFSの前記二次元平面内の3自由度を含むn自由度(n≧3)方向の位置を制御しつつ微動ステージWFSを駆動するとともに、微動ステージWFSのn自由度の駆動に用いられる位置情報のうちの一部の所定の計測方向に関する位置情報と、これとは別の前記所定の計測方向に関する微動ステージWFSのn自由度の駆動に用いられない冗長な位置情報との差分に基づいて、前記第1バックサイドエンコーダシステム70Aの座標系の前記所定の計測方向に関するグリッド誤差を更新することとしても良い。この場合、微動ステージWFSのX軸、Y軸及びθzの各方向に関する微動ステージWFSの位置を計測でき、かつ冗長軸の計測値を用いて第1バックサイドエンコーダシステム70Aの座標系のX軸、Y軸、Z軸の少なくとも一方向に関するグリッド誤差を更新できるのみでも良いので、前述のヘッド73a〜73dの全てを設ける必要はない。
また、微動ステージ駆動系52Aは、上述したムービングマグネット式のものに限らず、ムービングコイル式のものであっても良い。さらに微動ステージWFSは、粗動ステージWCSに接触支持されていても良い。従って、微動ステージWFSを粗動ステージWCSに対して駆動する微動ステージ駆動系は、例えばロータリモータとボールねじ(又は送りねじ)とを組み合わせたものであっても良い。
なお、上記実施形態において、ウエハステージ位置計測系16Aとして、干渉計システムに代えて、ホール素子センサ、又はエンコーダシステムなどを用いても良い。また、上記実施形態では、粗動ステージWCSの位置を直接計測するウエハステージ位置計測系16Aは設けなくても良い。すなわち、上記実施形態では、干渉計システムは全く設けなくても良い。この場合、粗動ステージWCSと微動ステージWFSとの相対位置情報を計測する計測系を設けることが望ましい。
なお、上記実施形態において、露光ステーション200と計測ステーション300との間に設定されていたアンローディングポジションUP1及び待機ポジションUP2に代えて、アンローディングポジションのみを、ローディングポジションLPの近傍の位置、例えばローディングポジションLPと同一Y位置でかつ−X側に所定距離離れた位置に設定しても良い。この場合において、アンローディングポジションを、ローディングポジションLPと同一位置に設定しても良い。また、ローディングポジションLPは、上述した計測プレート30上の基準マークFMがプライマリアライメント系AL1の視野(検出領域)内に位置決めされる位置に限らず、その近傍の位置、例えばアンローディングポジションと基準軸LVに関して対称な位置に設定しても良い。なお、アライメント系として、単一のアライメント系を用いても良く、その場合、アンロードポジションはその1つのアライメント系に対してその−Y側に配置しても良い。
また、上記実施形態において、計測ステージMSTの位置を計測する計測ステージ位置計測系16Bとして、干渉計システムに代えて、ホール素子センサ、又はエンコーダシステムなどを用いても良い。後者の場合、例えば図39に示されるように、計測テーブルMTBの上面に例えば2次元グレーティングRG2を設け、2次元グレーティングRG2に対向して、メインフレームBDに支持部材を介して複数のエンコーダヘッド、例えばXZヘッドとYZヘッドとの組み合わせから成る4軸ヘッドを、複数対、計測ステージMSTの移動経路に沿って配置することとしても良い。図39では、一対の4軸ヘッド166、166と、一対の4軸ヘッド166、166と、一対の4軸ヘッド166、166とが、計測ステージMSTの移動経路に沿って配置されている。これらヘッドと2次元グレーティングRG2とをまとめて第5トップサイドエンコーダシステムと呼ぶことができ、図39に示したヘッドの配置(位置)を変更する、あるいは少なくとも1つのヘッドを追加することによって、前述のスクラム動作中に、第5トップサイドエンコーダシステムによって計測ステージMSTの位置情報を計測可能としても良い。この場合、計測ステージMSTの位置を直接計測する計測ステージ位置計測系16Bは必ずしも設けなくても良い。この場合、計測ステージMSTのスライダ部60及び支持部62と計測テーブルMTBとの相対位置情報を計測する計測系を設けることが望ましい。
なお、上記第1、第2実施形態において、各バックサイドエンコーダシステムは、ヘッド部の構成などは前述したものに限らず任意で構わない。また、各トップサイドエンコーダシステムは、ヘッドの配置や数などが任意で構わない。
なお、上記実施形態では、液浸型の露光装置について説明したが、これに限らず、露光装置は、液体(水)を介さずにウエハWの露光を行うドライタイプであっても良い。
また、上記実施形態では、露光装置が、1つの微動ステージを粗動ステージWCSで支持して、計測ステーション300と露光ステーション200との間で往復移動させる構成である場合について説明したが、2つの微動ステージを用いても良い。この場合、2つの微動ステージの2つの粗動ステージ間での持ち替えが可能となる構成を付加し、その2つの微動ステージを、交互に、計測ステーション300と露光ステーション200との間で往復移動させても良い。あるいは、3つ以上の微動ステージを用いても良い。一方の微動ステージWFS上のウエハに対する露光処理と、他方の微動ステージWFSを用いた上述のストリーム処理との並行処理が可能となる。この場合、2つの粗動ステージの一方は露光ステーション200内でのみ、2つの粗動ステージの他方は計測ステーション300内でのみ移動可能としても良い。
あるいは、計測ステージMSTに代えて、例えば米国特許第6,341,007号明細書、及び米国特許第6,262,796号明細書などに開示されているように、ウエハステージWSTをもう1つ設けても良い。この場合、計測アーム71Aに対して、横側から係合可能となるような形状に、そのもう1つのウエハステージ(粗動ステージ)を構成することが望ましい。このようにすると、一方のウエハステージ上のウエハに対する露光処理と、他方のウエハステージを用いた上述したストリーム処理との並行処理が可能となる。
あるいは、ウエハステージWSTを、もう1つ設けても良い。すなわち、計測ステージMSTと、2つのウエハステージとを設けても良い。この場合も、一方の微動ステージWFS上のウエハに対する露光処理と、他方の微動ステージWFSを用いた上述のストリーム処理との並行処理が可能となる。これに加えて、一方の微動ステージWFS上のウエハに対する露光処理が終了後、他方の微動ステージWFS上のウエハに対する露光が開始されるまでの間に、計測テーブルMTBと投影光学系PLとの間に液体Lqを保持しつつ、その計測テーブルMTB上の計測部材を用いた種々の計測が可能となる。この場合おいて、計測ステージMSTの複数の計測用部材(センサ)を使う計測動作はその全てを、2つのウエハステージの一方から他方への置換中に行なう必要はなく、例えば、複数の計測の一部を、一方のウエハステージから他方のウエハステージへの置換中に行ない、残りの計測を、他方のウエハステージから一方のウエハステージへの置換中に行なっても良い。
また、上記実施形態において、計測ステージMSTは必ずしも前述の各種計測用部材(センサ)を有していなくても良く、単にウエハステージの代わりに投影光学系PLの下に液浸領域を維持するためだけに使用しても良い。この場合、ウエハステージに前述の各種計測用部材(センサ)の少なくとも一部を設けても良い。この他、計測ステージMSTに代えて、ウエハテーブルWTBとの間で液浸領域の受け渡しが可能で投影光学系PLとの間に液浸領域の液体を保持可能なプレート部材、あるいは例えば米国特許出願公開第2010/0159403号明細書に開示される補助ステージと同様のステージを設けても良い。
なお、上記実施形態では、露光装置が、スキャニング・ステッパである場合について説明したが、これに限らず、ステッパなどの静止型露光装置に上記実施形態を適用しても良い。また、ショット領域とショット領域とを合成するステップ・アンド・スティッチ方式の縮小投影露光装置にも上記実施形態は適用することができる。
また、上記実施形態の露光装置における投影光学系は縮小系のみならず等倍及び拡大系のいずれでも良いし、投影光学系PLは屈折系のみならず、反射系及び反射屈折系のいずれでも良いし、この投影像は倒立像及び正立像のいずれでも良い。
また、照明光ILは、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)に限らず、KrFエキシマレーザ光(波長248nm)などの紫外光や、F2レーザ光(波長157nm)などの真空紫外光であっても良い。例えば米国特許第7,023,610号明細書に開示されているように、真空紫外光としてDFB半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム(又はエルビウムとイッテルビウムの両方)がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。
また、上記実施形態では、露光装置の照明光ILとしては波長100nm以上の光に限らず、波長100nm未満の光を用いても良いことはいうまでもない。例えば、軟X線領域(例えば5〜15nmの波長域)のEUV(Extreme Ultraviolet)光を用いるEUV露光装置にも上記実施形態を適用することができる。その他、電子線又はイオンビームなどの荷電粒子線を用いる露光装置にも、上記実施形態は適用できる。
また、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン(又は位相パターン・減光パターン)を形成した光透過型マスク(レチクル)を用いたが、このレチクルに代えて、例えば米国特許第6,778,257号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて、透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスク(可変成形マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれ、例えば非発光型画像表示素子(空間光変調器)の一種であるDMD(Digital Micro-mirror Device)などを含む)を用いても良い。かかる可変成形マスクを用いる場合には、ウエハ又はガラスプレート等が搭載されるステージが、可変成形マスクに対して走査されるので、このステージの位置を前述の第1、第2微動ステージ位置計測系110A、110Bを用いて計測することで、上記実施形態と同等の効果を得ることができる。
また、例えば国際公開第2001/035168号に開示されているように、干渉縞をウエハW上に形成することによって、ウエハW上にライン・アンド・スペースパターンを形成する露光装置(リソグラフィシステム)にも上記実施形態を適用することができる。
さらに、例えば米国特許第6,611,316号明細書に開示されているように、2つのレチクルパターンを、投影光学系を介してウエハ上で合成し、1回のスキャン露光によってウエハ上の1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置にも上記実施形態を適用することができる。
なお、上記実施形態でパターンを形成すべき物体(エネルギビームが照射される露光対象の物体)はウエハに限られるものでなく、ガラスプレート、セラミック基板、フィルム部材、あるいはマスクブランクスなど他の物体でも良い。
露光装置の用途としては半導体製造用の露光装置に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置や、有機EL、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD等)、マイクロマシン及びDNAチップなどを製造するための露光装置にも広く適用できる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも上記実施形態を適用できる。
半導体素子などの電子デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたレチクルを製作するステップ、シリコン材料からウエハを製作するステップ、前述した実施形態に係る露光装置(パターン形成装置)及びその露光方法によりマスク(レチクル)のパターンをウエハに転写するリソグラフィステップ、露光されたウエハを現像する現像ステップ、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト除去ステップ、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む)、検査ステップ等を経て製造される。この場合、リソグラフィステップで、上記実施形態の露光装置を用いて前述の露光方法が実行され、ウエハ上にデバイスパターンが形成されるので、高集積度のデバイスを生産性良く製造することができる。
また、上記各実施形態の露光装置(パターン形成装置)は、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
20…主制御装置、52A…微動ステージ駆動系、71A…計測アーム、73a、73b…3次元ヘッド、73c…XZヘッド、73d…YZヘッド、100…露光装置、110A…第1微動ステージ位置計測系、120…チャックユニット、116…信号処理系、123…クール・プレート、124…ベルヌーイ・チャック、128…支持板、129…撮像素子、130…チャック本体、140…上下動ピン、132…ウエハ搬送アーム、BD…メインフレーム、IL…照明光、RG…グレーティング、WCS…粗動ステージ、PL…投影光学系、W…ウエハ、WFS…微動ステージ、WTB…ウエハテーブル。

Claims (18)

  1. 光学系を介して照明光で基板を露光する露光装置であって、
    前記基板を保持するホルダを有するステージと、
    前記基板をその表面側から非接触で支持可能な支持部材を有し、前記光学系から離れて設定されるローディングポジションに前記基板を搬送する搬送系と、
    前記ステージが配置される前記ローディングポジションにおいて、前記支持部材と前記ホルダとを相対移動する駆動装置と、
    前記支持部材を介して前記搬送系から前記ホルダに前記基板が搬送されるように前記搬送系および前記駆動装置を制御するコントローラと、を備える露光装置。
  2. 請求項1に記載の露光装置において、
    前記搬送系によって前記基板の変形制御、温度調整およびプリアライメントの少なくとも1つが行われる露光装置。
  3. 請求項1又は2に記載の露光装置において、
    前記基板に対する前記支持部材の斥力と引力との少なくとも一方を制御して、前記基板の変形が制御される露光装置。
  4. 請求項1〜3のいずれか一項に記載の露光装置において、
    前記支持部材は、前記基板を非接触で保持するチャック部材と、前記基板の温調部材と、を含み、
    前記基板は、前記チャック部材によって非接触で支持されつつ前記温調部材によって温度が調整される露光装置。
  5. 請求項4に記載の露光装置において、
    前記チャック部材は、ベルヌーイ効果を利用するベルヌーイ・チャックを含む露光装置。
  6. 請求項1〜5のいずれか一項に記載の露光装置において、
    前記基板の位置情報を計測する計測系を、さらに備え、
    前記ホルダによって前記基板が保持される前に、前記計測系によって前記基板の位置情報が計測される露光装置。
  7. 請求項6に記載の露光装置において、
    前記計測系によって計測される前記基板の位置情報に基づいて前記基板と前記ホルダとの相対的な位置関係が調整される露光装置。
  8. 請求項1〜7のいずれか一項に記載の露光装置において、
    前記搬送系は、前記支持部材によって非接触で支持される基板をその表面と異なる部分で接触保持する保持部材を有する露光装置。
  9. 請求項1〜8のいずれか一項に記載の露光装置において、
    前記搬送系は、前記ステージの上方かつ前記支持部材の下方に前記基板を搬送する搬送部材を有する露光装置。
  10. デバイス製造方法であって、
    請求項1〜9のいずれか一項に記載の露光装置によって基板を露光することと、
    前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
  11. 光学系を介して照明光で基板を露光する露光方法であって、
    前記基板を保持するホルダを有するステージを、前記光学系から離れて設定されるローディングポジションに配置することと、
    前記ステージの上方において支持部材によって前記基板をその表面側から非接触で支持することと、
    前記支持部材によって非接触支持される基板が前記ホルダに搬送されるように前記支持部材と前記ホルダとを相対移動することと、を含む露光方法。
  12. 請求項11に記載の露光方法において、
    前記支持部材を有する前記基板の搬送系によって、前記基板の変形制御、温度調整およびプリアライメントの少なくとも1つが行われる露光方法。
  13. 請求項11又は12に記載の露光方法において、
    前記基板に対する前記支持部材の斥力と引力との少なくとも一方を制御して、前記基板の変形が制御される露光方法。
  14. 請求項11〜13のいずれか一項に記載の露光方法において、
    前記基板は、前記支持部材によって非接触で支持されつつ温度が調整される露光方法。
  15. 請求項11〜14のいずれか一項に記載の露光方法において、
    前記ホルダによって前記基板が保持される前、前記基板の位置情報が計測されるとともに、前記計測される位置情報に基づいて前記基板と前記ホルダとの相対的な位置関係が調整される露光方法。
  16. 請求項11〜15のいずれか一項に記載の露光方法において、
    前記支持部材によって非接触で支持される基板はその表面と異なる部分で接触保持される露光方法。
  17. 請求項11〜16のいずれか一項に記載の露光方法において、
    前記基板は、前記支持部材と異なる搬送部材によって、前記ステージの上方かつ前記支持部材の下方に搬送される露光方法。
  18. デバイス製造方法であって、
    請求項11〜17のいずれか一項に記載の露光方法によって基板を露光することと、
    前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
JP2016221460A 2011-12-29 2016-11-14 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 Active JP6478166B2 (ja)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161581314P 2011-12-29 2011-12-29
US201161581347P 2011-12-29 2011-12-29
US61/581,314 2011-12-29
US61/581,347 2011-12-29
US13/727,281 US9360772B2 (en) 2011-12-29 2012-12-26 Carrier method, exposure method, carrier system and exposure apparatus, and device manufacturing method
US13/727,281 2012-12-26

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014528757A Division JP6300725B2 (ja) 2011-12-29 2012-12-28 搬入方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017062490A true JP2017062490A (ja) 2017-03-30
JP6478166B2 JP6478166B2 (ja) 2019-03-06

Family

ID=47631675

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014528757A Active JP6300725B2 (ja) 2011-12-29 2012-12-28 搬入方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2016221460A Active JP6478166B2 (ja) 2011-12-29 2016-11-14 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014528757A Active JP6300725B2 (ja) 2011-12-29 2012-12-28 搬入方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (3) US9360772B2 (ja)
JP (2) JP6300725B2 (ja)
KR (3) KR101925197B1 (ja)
CN (3) CN104024942B (ja)
TW (2) TWI592764B (ja)
WO (1) WO2013100203A2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180016281A (ko) * 2016-08-05 2018-02-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 적재 방법 및 기판 적재 장치
WO2018181476A1 (ja) * 2017-03-31 2018-10-04 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、フラットパネルディスプレイの製造方法、及び、デバイス製造方法
WO2020184179A1 (ja) * 2019-03-08 2020-09-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
WO2020257546A1 (en) * 2019-06-21 2020-12-24 Kla Corporation Six degree of freedom workpiece stage
JP7418924B2 (ja) 2020-05-13 2024-01-22 株式会社ディスコ 保持機構

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5273118B2 (ja) * 2010-10-04 2013-08-28 村田機械株式会社 搬送車及び搬送システム
JP5750926B2 (ja) * 2011-02-15 2015-07-22 村田機械株式会社 天井搬送車
NL2009533A (en) * 2011-10-27 2013-05-07 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
US9360772B2 (en) * 2011-12-29 2016-06-07 Nikon Corporation Carrier method, exposure method, carrier system and exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5778054B2 (ja) * 2012-02-13 2015-09-16 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置、および、基板処理方法
US9772564B2 (en) * 2012-11-12 2017-09-26 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
JP6130703B2 (ja) * 2013-04-01 2017-05-17 キヤノン株式会社 ホルダ、ステージ装置、リソグラフィ装置及び物品の製造方法
JP6286024B2 (ja) * 2014-03-07 2018-02-28 富士フイルム株式会社 トランジスタの製造方法
JP6429989B2 (ja) 2014-08-15 2018-11-28 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置及び方法
CN107111224B (zh) 2014-11-17 2021-05-07 Asml荷兰有限公司 表膜附接设备
KR101963336B1 (ko) * 2015-02-04 2019-03-28 카와사키 주코교 카부시키 카이샤 로봇의 편차 자동조정 장치 및 로봇의 편차 자동조정 방법
EP4300194A3 (en) * 2015-02-23 2024-04-10 Nikon Corporation Measurement device, lithography system and exposure apparatus, and control method, overlay measurement method and device manufacturing method
JP6543061B2 (ja) * 2015-03-20 2019-07-10 株式会社オーク製作所 基板矯正治具を用いる露光装置、及び基板矯正治具
US9553010B2 (en) 2015-06-25 2017-01-24 Coreflow Ltd. Wafer gripper with non-contact support platform
CN108139689B (zh) 2015-09-30 2021-06-15 株式会社尼康 曝光装置及曝光方法、以及平面显示器制造方法
US10268121B2 (en) * 2015-09-30 2019-04-23 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, and flat panel display manufacturing method
CN111650818B (zh) * 2015-09-30 2024-03-15 株式会社尼康 曝光装置、平面显示器的制造方法、及组件制造方法
KR20180071360A (ko) * 2015-10-25 2018-06-27 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 상의 진공 증착을 위한 장치 및 진공 증착 동안에 기판을 마스킹하기 위한 방법
US9978631B2 (en) * 2015-12-31 2018-05-22 Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. Wafer pick-and-place method and system
US10466599B2 (en) 2016-05-25 2019-11-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
KR102181121B1 (ko) * 2016-09-20 2020-11-20 주식회사 원익아이피에스 기판 이송 장치 및 기판 이송 장치의 제어 방법
KR102472753B1 (ko) * 2016-09-30 2022-11-30 가부시키가이샤 니콘 이동체 장치, 이동 방법, 노광 장치, 노광 방법, 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
CN106311772A (zh) * 2016-10-17 2017-01-11 山西太钢不锈钢股份有限公司 一种立卷机及其使用方法
NL2020344A (en) * 2017-02-03 2018-08-14 Asml Netherlands Bv Exposure apparatus
JP7364323B2 (ja) 2017-07-14 2023-10-18 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 計測装置及び基板ステージ・ハンドラ・システム
JP6743791B2 (ja) * 2017-09-20 2020-08-19 株式会社安川電機 ロボットシステムおよびワークの製造方法
JP6900284B2 (ja) * 2017-09-27 2021-07-07 株式会社Screenホールディングス 描画装置および描画方法
JP7131334B2 (ja) * 2018-11-29 2022-09-06 株式会社安川電機 基板支持装置、基板搬送ロボットおよびアライナ装置
CN111380464B (zh) * 2018-12-28 2021-05-07 上海微电子装备(集团)股份有限公司 一种光栅尺的安装装置、安装方法、光栅测量系统及光刻机
CN111332788B (zh) * 2020-03-12 2021-08-03 徐州谷阳新能源科技有限公司 一种镀膜自动化设备取片定位方法
CN113917800B (zh) * 2021-10-12 2023-12-08 哈尔滨工业大学 光刻机用高动态超精密多动子工件台

Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6144436A (ja) * 1984-08-09 1986-03-04 Canon Inc 半導体ウエハ搬送装置
JPS61140432A (ja) * 1984-12-11 1986-06-27 Shinko Denki Kk ウエハ−等の保持装置
JPS6281725A (ja) * 1985-10-07 1987-04-15 Nec Corp 半導体ウエハ−チヤツク治具
JPH0281041U (ja) * 1988-12-12 1990-06-22
JPH05102287A (ja) * 1991-10-02 1993-04-23 Hitachi Ltd 板状物搬送装置
JP2004083180A (ja) * 2002-08-26 2004-03-18 Sharp Corp シート状基板の搬送装置及び搬送方法
JP2004235622A (ja) * 2003-01-09 2004-08-19 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物の搬送装置
JP2007329447A (ja) * 2006-05-09 2007-12-20 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置及び縦型熱処理装置
JP2008177238A (ja) * 2007-01-16 2008-07-31 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置及び縦型熱処理装置
JP2009302558A (ja) * 2005-07-06 2009-12-24 Asml Netherlands Bv 基板ハンドラー、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2010109369A (ja) * 2008-10-31 2010-05-13 Asml Netherlands Bv 基板の最適テイクオーバー高さを較正するための較正方法およびリソグラフィ装置
JP2010251454A (ja) * 2009-04-14 2010-11-04 Tomoo Matsushita 板状体の搬送装置
JP2011003891A (ja) * 2009-05-20 2011-01-06 Nikon Corp 物体交換方法、露光方法、搬送システム及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2011061130A (ja) * 2009-09-14 2011-03-24 Nikon Corp 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
WO2011062296A2 (en) * 2009-11-19 2011-05-26 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method
WO2011102410A1 (ja) * 2010-02-17 2011-08-25 株式会社ニコン 搬送装置、搬送方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2011258682A (ja) * 2010-06-08 2011-12-22 Tomoo Matsushita 基板入替装置
JP2015504236A (ja) * 2011-12-29 2015-02-05 株式会社ニコン 搬入方法、露光方法、搬送システム及び露光装置、並びにデバイス製造方法

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57117238A (en) 1981-01-14 1982-07-21 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer
US4780617A (en) 1984-08-09 1988-10-25 Nippon Kogaku K.K. Method for successive alignment of chip patterns on a substrate
US5196745A (en) 1991-08-16 1993-03-23 Massachusetts Institute Of Technology Magnetic positioning device
KR100300618B1 (ko) 1992-12-25 2001-11-22 오노 시게오 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법
US6624433B2 (en) 1994-02-22 2003-09-23 Nikon Corporation Method and apparatus for positioning substrate and the like
JPH07270122A (ja) 1994-03-30 1995-10-20 Canon Inc 変位検出装置、該変位検出装置を備えた露光装置およびデバイスの製造方法
SG102627A1 (en) 1996-11-28 2004-03-26 Nikon Corp Lithographic device
DE69829614T2 (de) 1997-03-10 2006-03-09 Asml Netherlands B.V. Lithographiegerät mit einer positioniervorrichtung mit zwei objekthaltern
JPH1116816A (ja) 1997-06-25 1999-01-22 Nikon Corp 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法
KR20010032714A (ko) 1997-12-03 2001-04-25 오노 시게오 기판 반송방법 및 기판 반송장치, 이것을 구비한 노광장치및 이 노광장치를 이용한 디바이스 제조방법
IL138374A (en) 1998-03-11 2004-07-25 Nikon Corp An ultraviolet laser device and an exposure device that includes such a device
AU3849199A (en) 1998-05-19 1999-12-06 Nikon Corporation Aberration measuring instrument and measuring method, projection exposure apparatus provided with the instrument and device-manufacturing method using the measuring method, and exposure method
US6242718B1 (en) * 1999-11-04 2001-06-05 Asm America, Inc. Wafer holder
WO2001035168A1 (en) 1999-11-10 2001-05-17 Massachusetts Institute Of Technology Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams
JP4249869B2 (ja) * 1999-12-22 2009-04-08 株式会社オーク製作所 基板搬送装置
SG124257A1 (en) 2000-02-25 2006-08-30 Nikon Corp Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution
US20020041377A1 (en) 2000-04-25 2002-04-11 Nikon Corporation Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method
US6631935B1 (en) * 2000-08-04 2003-10-14 Tru-Si Technologies, Inc. Detection and handling of semiconductor wafer and wafer-like objects
EP1364257A1 (en) 2001-02-27 2003-11-26 ASML US, Inc. Simultaneous imaging of two reticles
TW529172B (en) 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
JP4415674B2 (ja) 2002-01-29 2010-02-17 株式会社ニコン 像形成状態調整システム、露光方法及び露光装置、並びにプログラム及び情報記録媒体
SG115602A1 (en) * 2003-01-09 2005-10-28 Disco Corp Conveying device for a plate-like workpiece
JP2004296777A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Oki Electric Ind Co Ltd ワーク吸着装置及びワーク吸着方法
EP1794650A4 (en) 2004-09-30 2008-09-10 Nikon Corp OPTICAL PROJECTION DEVICE AND EXPOSURE DEVICE
US7515281B2 (en) 2005-04-08 2009-04-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100409424C (zh) * 2005-04-26 2008-08-06 大日本网目版制造株式会社 基板处理装置
WO2007083758A1 (ja) 2006-01-19 2007-07-26 Nikon Corporation 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及びパターン形成装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP5195417B2 (ja) 2006-02-21 2013-05-08 株式会社ニコン パターン形成装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
WO2008038752A1 (fr) 2006-09-29 2008-04-03 Nikon Corporation système à unité MOBILE, DISPOSITIF DE FORMATION DE MOTIF, DISPOSITIF D'EXPOSITION, PROCÉDÉ D'EXPOSITION, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF
KR101549709B1 (ko) 2006-11-09 2015-09-11 가부시키가이샤 니콘 유지 장치, 위치 검출 장치 및 노광 장치, 이동 방법, 위치검출 방법, 노광 방법, 검출계의 조정 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
JP2008227386A (ja) * 2007-03-15 2008-09-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US7561280B2 (en) 2007-03-15 2009-07-14 Agilent Technologies, Inc. Displacement measurement sensor head and system having measurement sub-beams comprising zeroth order and first order diffraction components
KR20080088843A (ko) 2007-03-30 2008-10-06 주식회사 신라공업 자동차용 벨트풀리의 제조방법
KR101484348B1 (ko) * 2007-08-10 2015-01-19 가부시키가이샤 니콘 기판접합장치 및 기판접합방법
JP4850811B2 (ja) * 2007-11-06 2012-01-11 東京エレクトロン株式会社 載置台、処理装置および処理システム
US8994923B2 (en) 2008-09-22 2015-03-31 Nikon Corporation Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8325325B2 (en) 2008-09-22 2012-12-04 Nikon Corporation Movable body apparatus, movable body drive method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8902402B2 (en) 2008-12-19 2014-12-02 Nikon Corporation Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8760629B2 (en) * 2008-12-19 2014-06-24 Nikon Corporation Exposure apparatus including positional measurement system of movable body, exposure method of exposing object including measuring positional information of movable body, and device manufacturing method that includes exposure method of exposing object, including measuring positional information of movable body
JP5743437B2 (ja) * 2009-07-09 2015-07-01 キヤノン株式会社 露光装置、露光方法、搬送方法及びデバイスの製造方法
US20110085150A1 (en) 2009-09-30 2011-04-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US20110164238A1 (en) * 2009-12-02 2011-07-07 Nikon Corporation Exposure apparatus and device fabricating method

Patent Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6144436A (ja) * 1984-08-09 1986-03-04 Canon Inc 半導体ウエハ搬送装置
JPS61140432A (ja) * 1984-12-11 1986-06-27 Shinko Denki Kk ウエハ−等の保持装置
JPS6281725A (ja) * 1985-10-07 1987-04-15 Nec Corp 半導体ウエハ−チヤツク治具
JPH0281041U (ja) * 1988-12-12 1990-06-22
JPH05102287A (ja) * 1991-10-02 1993-04-23 Hitachi Ltd 板状物搬送装置
JP2004083180A (ja) * 2002-08-26 2004-03-18 Sharp Corp シート状基板の搬送装置及び搬送方法
JP2004235622A (ja) * 2003-01-09 2004-08-19 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物の搬送装置
JP2009302558A (ja) * 2005-07-06 2009-12-24 Asml Netherlands Bv 基板ハンドラー、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2007329447A (ja) * 2006-05-09 2007-12-20 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置及び縦型熱処理装置
JP2008177238A (ja) * 2007-01-16 2008-07-31 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置及び縦型熱処理装置
JP2010109369A (ja) * 2008-10-31 2010-05-13 Asml Netherlands Bv 基板の最適テイクオーバー高さを較正するための較正方法およびリソグラフィ装置
JP2010251454A (ja) * 2009-04-14 2010-11-04 Tomoo Matsushita 板状体の搬送装置
JP2011003891A (ja) * 2009-05-20 2011-01-06 Nikon Corp 物体交換方法、露光方法、搬送システム及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2011061130A (ja) * 2009-09-14 2011-03-24 Nikon Corp 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
WO2011062296A2 (en) * 2009-11-19 2011-05-26 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method
WO2011102410A1 (ja) * 2010-02-17 2011-08-25 株式会社ニコン 搬送装置、搬送方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2011258682A (ja) * 2010-06-08 2011-12-22 Tomoo Matsushita 基板入替装置
JP2015504236A (ja) * 2011-12-29 2015-02-05 株式会社ニコン 搬入方法、露光方法、搬送システム及び露光装置、並びにデバイス製造方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180016281A (ko) * 2016-08-05 2018-02-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 적재 방법 및 기판 적재 장치
KR102011563B1 (ko) 2016-08-05 2019-08-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 적재 방법 및 기판 적재 장치
WO2018181476A1 (ja) * 2017-03-31 2018-10-04 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、フラットパネルディスプレイの製造方法、及び、デバイス製造方法
KR20190124806A (ko) * 2017-03-31 2019-11-05 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법, 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법, 및, 디바이스 제조 방법
TWI758452B (zh) * 2017-03-31 2022-03-21 日商尼康股份有限公司 曝光裝置、曝光方法、平板顯示器的製造方法以及元件製造方法
KR102630304B1 (ko) * 2017-03-31 2024-01-26 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법, 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법, 및, 디바이스 제조 방법
WO2020184179A1 (ja) * 2019-03-08 2020-09-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JPWO2020184179A1 (ja) * 2019-03-08 2021-12-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP7134330B2 (ja) 2019-03-08 2022-09-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
WO2020257546A1 (en) * 2019-06-21 2020-12-24 Kla Corporation Six degree of freedom workpiece stage
US11209373B2 (en) 2019-06-21 2021-12-28 Kla Corporation Six degree of freedom workpiece stage
JP7418924B2 (ja) 2020-05-13 2024-01-22 株式会社ディスコ 保持機構

Also Published As

Publication number Publication date
TW201341965A (zh) 2013-10-16
CN106919002A (zh) 2017-07-04
CN104024942B (zh) 2016-10-05
JP6300725B2 (ja) 2018-03-28
WO2013100203A2 (en) 2013-07-04
TWI592764B (zh) 2017-07-21
KR20140119715A (ko) 2014-10-10
US20130177857A1 (en) 2013-07-11
CN104024942A (zh) 2014-09-03
CN106919002B (zh) 2018-11-27
KR101925197B1 (ko) 2018-12-04
KR20160150649A (ko) 2016-12-30
KR20170100052A (ko) 2017-09-01
US9360772B2 (en) 2016-06-07
US10268126B2 (en) 2019-04-23
US20180059554A1 (en) 2018-03-01
CN106919001A (zh) 2017-07-04
JP2015504236A (ja) 2015-02-05
TWI641920B (zh) 2018-11-21
TW201734673A (zh) 2017-10-01
WO2013100203A3 (en) 2014-04-17
KR101943250B1 (ko) 2019-01-28
KR101925171B1 (ko) 2018-12-04
JP6478166B2 (ja) 2019-03-06
US20160259254A1 (en) 2016-09-08
US9835958B2 (en) 2017-12-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6478166B2 (ja) 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP6016200B2 (ja) 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP6423797B2 (ja) 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP5804301B2 (ja) 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US9588443B2 (en) Object exchange method, exposure method, carrier system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8792084B2 (en) Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP5348630B2 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP2014003335A (ja) 移動体装置
JP2013506973A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
KR102022788B1 (ko) 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP6102230B2 (ja) 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170913

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170919

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171110

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180213

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180329

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180710

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180820

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190111

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190124

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6478166

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250