KR102011563B1 - 기판 적재 방법 및 기판 적재 장치 - Google Patents

기판 적재 방법 및 기판 적재 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102011563B1
KR102011563B1 KR1020170096855A KR20170096855A KR102011563B1 KR 102011563 B1 KR102011563 B1 KR 102011563B1 KR 1020170096855 A KR1020170096855 A KR 1020170096855A KR 20170096855 A KR20170096855 A KR 20170096855A KR 102011563 B1 KR102011563 B1 KR 102011563B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
wafer
loading
susceptor
board
Prior art date
Application number
KR1020170096855A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180016281A (ko
Inventor
도시아키 후지사토
히로아키 아시자와
다이치 몬덴
야스시 후지이
유 누노시게
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20180016281A publication Critical patent/KR20180016281A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102011563B1 publication Critical patent/KR102011563B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은, 기판을 적재대에 적재할 때 기판이 어긋나는 것을 억제할 수 있는 기판 적재 방법을 제공한다. 각 리프트 핀(13)에 지지되는 웨이퍼(W)를 향해서 서셉터(12)가 상승하는 기판 처리 장치(10)에 있어서, 웨이퍼(W)의 에지부가 서셉터(12)의 적재면에 맞닿은 후, 서셉터(12)의 상승을 정지하고, 소정의 시간에 걸쳐서 서셉터(12)의 상승을 정지한 후에, 서셉터(12)의 상승을 재개하고, 그 후, 서셉터(12)의 소정의 시간에 걸친 상승의 정지, 및 서셉터(12)의 상승의 재개가, 웨이퍼(W)와 적재면의 맞닿음이 진행되어 웨이퍼(W)의 전체면이 적재면에 완전히 맞닿을 때까지 반복된다.

Description

기판 적재 방법 및 기판 적재 장치{SUBSTRATE MOUNTING METHOD AND SUBSTRATE MOUNTING DEVICE}
본 발명은, 기판을 적재대에 적재하는 기판 적재 방법 및 기판 적재 장치에 관한 것이다.
기판으로서의 반도체 웨이퍼(이하, 간단히 「웨이퍼」라고 함)를 챔버 내에 수용하고, 챔버 내에 도입한 처리 가스나 챔버 내에서 발생시킨 플라즈마를 사용해서 웨이퍼에 원하는 처리, 예를 들어 성막 처리나 플라즈마 처리를 실시하는 기판 처리 장치가 알려져 있다. 이 기판 처리 장치에서는, 웨이퍼에 원하는 처리를 실시할 때, 웨이퍼를 챔버 내에 배치된 스테이지로서의 서셉터에 적재한다.
웨이퍼는 서셉터에 있어서의 웨이퍼의 적재면(이하, 간단히 「적재면」이라고 함)의 소정의 위치에 적재할 필요가 있는데, 적재된 웨이퍼가 적재면의 소정의 위치에서 어긋나는 경우가 있다. 이 경우, 예를 들어 웨이퍼에 성막 처리로서의 열 CVD(Chemical Vapor Deposition) 처리나 ALD(Atomic Layer Deposition) 처리를 실시할 때, 웨이퍼가 서셉터에 내장되는 히터로부터 어긋나서 웨이퍼를 균등하게 가열할 수 없어, 웨이퍼에 형성되는 막의 두께가 균일해지지 않는다. 또한, 예를 들어 웨이퍼에 플라즈마 처리로서의 에칭 처리를 실시할 때, 웨이퍼의 에지부에 있어서 웨이퍼의 어긋남에 기인하는 임피던스의 치우침이 발생하여, 웨이퍼의 표면 상에 형성되는 시스의 두께가 불균일해져, 웨이퍼의 각 부에서의 에칭량을 균일하게 할 수 없다.
그래서, 적재면에 웨이퍼의 직경보다도 약간 큰 직경의 오목부로 이루어지는 포켓을 설치하고, 포켓의 측면에 웨이퍼의 위치 결정용 돌기를 형성하여, 포켓에 웨이퍼를 수용할 때 각 돌기에 형성된 테이퍼 면을 따라 웨이퍼를 하강시킴으로써, 포켓 내의 적절한 위치에 웨이퍼를 수용하는 기술이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).
그런데, 통상, 웨이퍼를 서셉터에 적재하는 경우, 먼저, 서셉터의 적재면으로부터 상방으로 돌출되는 복수의 리프트 핀에 의해 웨이퍼를 반송 아암으로부터 수취하고, 반송 아암이 챔버 내로부터 퇴출한 후, 리프트 핀이 하강하고, 또는, 서셉터가 상승함으로써, 웨이퍼를 서셉터에 적재시킨다.
일본 특허 공개 제2000-260851호 공보
그러나, 웨이퍼를 서셉터에 적재할 때, 웨이퍼가 적재면에 균등하게 맞닿지 않고, 한쪽으로 치우쳐 닿는 경우가 있다. 이 경우, 가령 적재면에 포켓이 형성되어 있어도, 적재면으로부터의 항력이 웨이퍼의 수직 방향에 대하여 미소하게 경사져서 웨이퍼에 작용하고, 당해 항력의 웨이퍼와 평행한 방향에서의 분력이 이동력으로서 웨이퍼에 작용하여, 웨이퍼가 서셉터의 적재면에서의 소정의 위치에서 어긋난다는 문제가 있다. 특히, 웨이퍼가 대구경화된 경우, 웨이퍼와 적재면의 맞닿음 면적의 증가에 수반하여, 항력, 나아가서는 분력도 증가해서 웨이퍼의 어긋남이 현저해질 우려가 있다.
본 발명은, 기판을 적재대에 적재할 때 기판이 어긋나는 것을 억제할 수 있는 기판 적재 방법 및 기판 적재 장치를 제공한다.
본 발명의 기판 적재 방법은, 적재대에서의 기판의 적재면으로부터 돌출되고, 또한 상기 기판을 지지하는 복수의 돌기물의 상기 적재면으로부터의 돌출량을 감소시킴으로써 상기 기판을 상기 적재대에 근접시켜 적재시키는 기판 적재 방법으로서, 상기 기판의 적어도 일부가 상기 적재면에 맞닿은 후, 상기 기판의 상기 적재대에의 근접 동작을 정지하고, 상기 기판의 상기 적재대에의 근접 동작을 정지한 후에, 상기 기판의 상기 적재대에의 근접 동작을 재개한다.
본 발명에 따르면, 기판의 적어도 일부가 적재면에 맞닿은 후, 기판의 적재대에의 근접 동작을 정지하고, 기판의 적재대에의 근접 동작을 정지한 후에, 기판의 적재대에의 근접 동작을 재개하므로, 기판은 일단 정지되고, 기판과 적재면의 맞닿음에 기인하는 항력에 의해 발생하는 기판의 진동을 기판의 댐핑 효과에 의해 감쇠시킬 수 있다. 이에 의해, 항력을 소멸시켜 해당 항력이 기판의 이동력으로서 작용하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 기판을 적재대에 적재할 때 기판이 어긋나는 것을 억제할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 기판 적재 장치를 내장한 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시하는 단면도이며, 도 1의 (A)는 웨이퍼를 리프터 핀에 전달하는 경우를 나타내고, 도 1의 (B)는 웨이퍼를 서셉터에 적재한 경우를 나타낸다.
도 2는 웨이퍼를 서셉터에 적재할 때, 웨이퍼가 적재면의 소정의 위치에서 어긋나는 이유를 설명하기 위한 공정도이다.
도 3은 본 실시 형태에 관한 기판 적재 방법을 나타내는 공정도이다.
도 4는 도 3의 기판 적재 방법의 시퀀스도이다.
도 5는 도 3의 기판 적재 방법의 변형예의 시퀀스도이며, 도 5의 (A)는 제1 변형예를 나타내고, 도 5의 (B)는 제2 변형예를 나타낸다.
도 6은 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 기판 적재 장치를 내장한 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시하는 단면도이며, 도 6의 (A)는 웨이퍼를 리프터 핀에 전달하는 경우를 나타내고, 도 6의 (B)는 웨이퍼를 서셉터에 적재한 경우를 나타낸다.
도 7은 본 실시 형태에 관한 기판 적재 방법을 나타내는 공정도이다.
도 8은 도 7의 기판 적재 방법의 시퀀스도이다.
도 9는 도 7의 기판 적재 방법의 변형예의 시퀀스도이며, 도 9의 (A)는 제1 변형예를 나타내고, 도 9의 (B)는 제2 변형예를 나타낸다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다.
먼저, 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 기판 적재 장치 및 기판 적재 방법에 대해서 설명한다.
도 1은, 본 실시 형태에 관한 기판 적재 장치를 내장한 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시하는 단면도이며, 도 1의 (A)는 웨이퍼를 리프터 핀에 전달하는 경우를 나타내고, 도 1의 (B)는 웨이퍼를 서셉터에 적재한 경우를 나타낸다.
도 1의 (A) 및 도 1의 (B)에서, 기판 처리 장치(10)는, 웨이퍼(W)를 수용하는 하우징 상의 챔버(11)와, 챔버(11) 내의 하방에 배치되는 받침대 형상의 서셉터(12)(적재대)와, 서셉터(12)의 상면으로 이루어지는 웨이퍼의 적재면으로부터 상방을 향해서 돌출되는 복수, 예를 들어 3개의 리프트 핀(13)(돌기물)(2개만을 도시함)을 구비한다. 또한, 서셉터(12) 및 각 리프트 핀(13)은, 본 실시 형태에 관한 기판 적재 장치를 구성한다. 챔버(11)의 측벽에는 개구인 게이트(14)가 형성되고, 해당 게이트(14)를 통해서 웨이퍼(W)를 유지하는 반송 아암(15)이 챔버(11) 내에 진입한다. 게이트(14)의 높이는 각 리프트 핀(13)의 선단의 높이와 거의 일치하기 때문에, 반송 아암(15)에 유지된 웨이퍼(W)는, 챔버(11) 내에서 각 리프트 핀(13)의 선단의 근방이면서 또한 상방에 위치하고, 반송 아암(15)이 미량으로 하강, 또는, 리프트 핀(13)이 미량으로 상승함으로써, 웨이퍼(W)가 각 리프트 핀(13)에 전달된다. 웨이퍼(W)를 각 리프트 핀(13)에 전달하는 반송 아암(15)은, 챔버(11) 내로부터 퇴출된다. 또한, 챔버(11)의 측방에는 게이트(14)를 개폐 가능한 게이트 밸브(16)가 설치되고, 반송 아암(15)이 챔버(11) 내로부터 퇴출되면, 게이트 밸브(16)는 게이트(14)를 막는다.
각 리프트 핀(13)은, 챔버(11)의 저부로부터 세워 설치되고, 서셉터(12)를 상하 방향으로 관통한다. 각 리프트 핀(13)은 이동하지 않도록 구성되는 한편, 서셉터(12)는 상하 방향으로 이동 가능하게 구성되고, 각 리프트 핀(13)이 웨이퍼(W)를 지지한 후, 서셉터(12)는 상방으로 이동(상승)함으로써, 지지된 웨이퍼(W)를 서셉터(12)의 적재면에 근접시켜, 그대로 적재면에 웨이퍼(W)를 적재시킨다. 서셉터(12)는, 히터나 냉매 유로(모두 도시하지 않음)를 내장하여, 적재된 웨이퍼(W)의 온도를 제어한다. 또한, 각 리프트 핀(13)은 상하 이동 가능하게 구성해도 된다.
또한, 기판 처리 장치(10)는, 처리 가스 도입 기구, 배기 기구나 플라즈마 발생 기구(모두 도시하지 않음)를 구비하고, 예를 들어 챔버(11) 내를 감압한 뒤에, 처리 가스나 플라즈마에 의해 웨이퍼(W)에 원하는 처리, 예를 들어 성막 처리나 플라즈마 처리를 실시한다.
그런데, 기판 처리 장치(10)에서는, 웨이퍼(W)를 서셉터(12)의 적재면에 안정적으로 적재시키기 위해서, 적재면과, 각 리프트 핀(13)의 선단에 의해 형성되는 가상 평면(이하, 「웨이퍼 지지면」이라고 함)과는 평행을 이루도록, 각 리프트 핀(13)이나 서셉터(12)가 배치된다. 그러나, 각 리프트 핀(13)이나 서셉터(12)의 기계적 공차, 나아가 서셉터(12)의 이동 시의 덜걱거림에 의해, 적재면과 웨이퍼 지지면은 완전히 평행이 되지는 않고, 예를 들어 웨이퍼 지지면이 적재면에 대하여 미소하게 경사지는 경우가 있다(도 2의 (A)). 이 경우, 서셉터(12)가 상승해서 웨이퍼(W)를 적재면에 근접시키는, 즉, 근접 동작을 행하면, 웨이퍼(W)는 전체가 동시에 적재면에 맞닿지 않고, 웨이퍼(W)의 일부, 예를 들어 웨이퍼(W)의 에지부가 최초로 적재면에 맞닿는다(도 2의 (B)). 이때, 웨이퍼(W)의 에지부에는 맞닿음에 기인하는 항력(N)이 작용하는데, 항력(N)은 적재면에 대하여 수직으로 작용한다. 한편, 상술한 바와 같이, 웨이퍼 지지면은 적재면에 대하여 미소하게 경사지기 때문에, 웨이퍼(W)도 적재면에 대하여 경사진다. 따라서, 항력(N)은, 웨이퍼(W)에 대하여 수직으로 작용하지 않고, 웨이퍼(W)의 수직 방향에 대하여 미소하게 경사져서 작용하기 때문에, 웨이퍼(W)에 대하여 항력(N)의 분력(F)이 수평 방향으로 이동력으로서 작용하여, 웨이퍼(W)는 수평 방향으로 어긋난다.
또한, 서셉터(12)의 상승이 계속되어 웨이퍼(W)와 적재면의 맞닿음이 진행되는 동안에, 진행되는 맞닿음에 수반하여 항력(N)이 웨이퍼(W)에 계속해서 작용하기 때문에, 웨이퍼(W)에 대하여 분력(F)이 수평 방향으로 이동력으로서 계속해서 작용한다(도 2의 (C)). 또한, 웨이퍼(W)와 적재면의 맞닿음의 진행이 도중에 끊어지지 않고 계속되면, 가스, 예를 들어 처리 가스나 희석 가스가 웨이퍼(W)와 적재면의 사이에 잔류하는 경우가 있다. 이 경우, 특히 웨이퍼(W)에 원하는 처리를 실시하기 위해서 챔버(11) 내가 감압되어 있으면, 웨이퍼(W)와 적재면의 사이, 및 챔버(11) 내의 압력차가 커져, 웨이퍼(W)가 적재면으로부터 떠서 어긋나기 쉬워지기 때문에, 상술한 이동력에 의한 웨이퍼(W)의 수평 방향의 어긋남을 더욱 조장한다. 그 결과, 웨이퍼(W)가 수평 방향으로 크게 이동하여, 웨이퍼(W)가 적재면의 소정의 위치에서 어긋나는 경우가 있다.
본 실시 형태에서는, 이것에 대응하여, 서셉터(12)가 상승할 때, 웨이퍼(W)에 대하여 분력(F)이 작용하는 것을 방지한다.
도 3은, 본 실시 형태에 관한 기판 적재 방법을 나타내는 공정도이며, 도 4는, 도 3의 기판 적재 방법의 시퀀스도이다.
먼저, 웨이퍼(W)가 각 리프트 핀(13)에 전달되고, 각 리프트 핀(13)이 웨이퍼(W)를 지지하면, 서셉터(12)는, 웨이퍼(W)의 에지부가 적재면에 맞닿을 때까지 상승한다(도 3의 (A)). 웨이퍼(W)의 에지부가 적재면에 맞닿으면, 웨이퍼(W)에는 적재면으로부터의 항력(N)이 작용한다(도 3의 (B)). 통상, 판상물에 외력이 가해지면, 당해 판상물은 진동한다. 즉, 판상물에 있어서 외력이 진동으로 변환되는데, 본 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)에 작용하는 항력(N)이 웨이퍼(W)의 진동으로 변환된다(도 3의 (C)). 한편, 본 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)의 에지부가 적재면에 맞닿으면, 서셉터(12)는 일단, 상승을 정지(停止)한다. 통상, 판상물을 계속해서 정지(靜止)시키면, 당해 판상물의 진동은 판상물의 댐핑 효과에 의해 감쇠되는데, 서셉터(12)가 일단, 상승을 정지하면, 웨이퍼(W)와 적재면의 맞닿음의 진행이 도중에 끊어져서 웨이퍼(W)는 정지(靜止)한다. 또한, 본 실시 형태에서는, 서셉터(12)의 상승의 정지가 소정의 시간, 예를 들어 0.5초간에 걸쳐서 계속된다. 즉, 웨이퍼(W)는, 소정의 시간에 걸쳐서 계속해서 정지(靜止)되기 때문에, 항력(N)으로부터 변환된 웨이퍼(W)의 진동은 웨이퍼(W)의 댐핑 효과에 의해 감쇠된다. 따라서, 본 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)의 에지부와 적재면의 맞닿음에 기인하는 항력(N)이, 웨이퍼(W)의 진동으로 변환된 후, 감쇠됨으로써 소멸한다.
계속해서, 서셉터(12)의 상승의 정지가 소정의 시간에 걸쳐서 계속된 후, 서셉터(12)의 상승이 재개되는데, 서셉터(12)는, 소정량, 예를 들어 0.1mm 정도 상승하면, 다시, 상승을 소정의 시간에 걸쳐서 정지한다. 이때, 웨이퍼(W)에는, 웨이퍼(W)와 적재면의 맞닿음의 진행에 수반하여 항력(N)이 웨이퍼(W)에 작용하고(도 3의 (D)), 웨이퍼(W)에 작용하는 항력(N)이 웨이퍼(W)의 진동으로 변환되는데(도 3의 (E)), 여기에서도, 웨이퍼(W)는, 소정의 시간에 걸쳐서 계속해서 정지(靜止)되기 때문에, 항력(N)으로부터 변환된 웨이퍼(W)의 진동은 웨이퍼(W)의 댐핑 효과에 의해 감쇠된다. 따라서, 본 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)와 적재면의 맞닿음의 진행에 수반하여 발생하는 항력(N)이, 웨이퍼(W)의 진동으로 변환된 후, 감쇠됨으로써 소멸한다.
그 후, 서셉터(12)의 소정의 시간에 걸친 상승의 정지, 및 서셉터(12)의 상승의 재개가, 웨이퍼(W)와 적재면의 맞닿음이 진행되어 웨이퍼(W)의 전체면이 적재면에 완전히 맞닿을 때까지 반복된다(도 4). 또한, 서셉터(12)의 상승의 정지의 반복에 있어서의 정지의 소정의 시간은 모두 동일한 시간, 예를 들어 0.5초간으로 설정된다.
본 실시 형태에 의하면, 웨이퍼(W)의 에지부가 적재면에 맞닿은 후, 서셉터(12)의 상승을 정지하고, 소정의 시간에 걸쳐서 서셉터(12)의 상승을 정지한 후에, 서셉터(12)의 상승을 재개한다. 즉, 서셉터(12)의 상승을 정지했을 때 웨이퍼(W)는 소정의 시간에 걸쳐서 계속해서 정지(靜止)되기 때문에, 웨이퍼(W)와 적재면의 맞닿음에 기인하는 항력(N)에 의해 발생하는 웨이퍼(W)의 진동을 웨이퍼(W)의 댐핑 효과에 의해 감쇠하여, 항력(N)을 소멸시킬 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)와 적재면의 맞닿음이 진행되는 동안에, 서셉터(12)의 상승의 정지, 및 서셉터(12)의 상승의 재개를 반복하므로, 웨이퍼(W)와 적재면의 맞닿음이 진행되어 항력(N)이 발생할 때마다, 당해 항력(N)에 의해 발생하는 웨이퍼(W)의 진동을 감쇠함으로써, 항력(N)을 소멸시킬 수 있다. 이에 의해, 항력(N)이 웨이퍼(W)의 수평 방향의 이동력으로서 작용하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 웨이퍼(W)를 서셉터(12)에 적재할 때 웨이퍼(W)가 적재면의 소정의 위치에서 어긋나는 것을 억제할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)의 에지부가 적재면에 맞닿은 후나 웨이퍼(W)와 적재면의 맞닿음이 진행되는 동안에, 소정의 시간에 걸쳐서 서셉터(12)의 상승이 정지되기 때문에, 웨이퍼(W)와 적재면의 근접 동작이 소정의 시간에 걸쳐서 정지되어 웨이퍼(W)와 적재면의 사이로부터 가스를 충분히 확산시킬 수 있다. 그 결과, 웨이퍼(W)와 적재면의 사이에 가스가 잔류하는 것을 방지할 수 있고, 챔버(11) 내가 감압 환경 하이어도, 웨이퍼(W)가 적재면으로부터 떠서 어긋나는 것을 방지할 수 있다.
상술한 본 실시 형태에서는, 서셉터(12)의 상승의 정지의 반복에 있어서의 정지의 소정의 시간은 모두 동일한 시간으로 설정되었지만, 최초로 웨이퍼(W)와 적재면이 맞닿았을 때의 항력(N)은, 그 후의 웨이퍼(W)와 적재면의 맞닿음의 진행에 기인하는 항력(N)보다도 크다고 생각되므로, 최초로 웨이퍼(W)와 적재면이 맞닿았을 때의 서셉터(12)의 상승의 정지 시간을, 그 후의 서셉터(12)의 상승의 정지에 있어서의 정지 시간보다도 길게 설정하는 것이 바람직하다(도 5의 (A)). 이에 의해, 최초로 웨이퍼(W)와 적재면이 맞닿았을 때의 큰 항력(N)에 의해 발생하는 웨이퍼(W)의 큰 진동을 확실하게 감쇠할 수 있다. 또한, 최초로 웨이퍼(W)와 적재면이 맞닿은 후의 웨이퍼(W)와 적재면의 맞닿음의 진행에 기인하는 항력(N)은 매우 작다고 생각되므로, 최초로 웨이퍼(W)와 적재면이 맞닿았을 때만, 서셉터(12)의 상승을 소정의 시간에 걸쳐서 정지해도 된다(도 5의 (B)). 이에 의해, 웨이퍼(W)의 서셉터(12)에의 적재에 요하는 시간을 단축할 수 있고, 따라서, 스루풋을 향상시킬 수 있다.
또한, 상술한 본 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)의 에지부가 적재면에 맞닿은 후에 비로소 서셉터(12)의 상승을 정지하지만, 웨이퍼(W)나 서셉터(12)의 열팽창에 의해 상정보다도 빨리 웨이퍼(W)의 에지부가 적재면에 맞닿는 경우도 있기 때문에, 웨이퍼(W)의 에지부가 적재면에 맞닿기 전부터, 서셉터(12)의 소정의 시간에 걸친 상승의 정지, 및 서셉터(12)의 상승의 재개를 반복해도 된다.
이어서, 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 기판 적재 장치 및 기판 적재 방법에 대해서 설명한다.
본 실시 형태는, 그 구성, 작용이 상술한 제1 실시 형태와 기본적으로 동일하므로, 중복된 구성, 작용에 대해서는 설명을 생략하고, 이하에 서로 다른 구성, 작용에 관한 설명을 행한다.
도 6은, 본 실시 형태에 관한 기판 적재 장치를 내장한 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 도시하는 단면도이며, 도 6의 (A)는 웨이퍼를 리프터 핀에 전달하는 경우를 나타내고, 도 6의 (B)는 웨이퍼를 서셉터에 적재한 경우를 나타낸다.
도 6의 (A) 및 도 6의 (B)에서, 기판 처리 장치(60)는, 챔버(11) 내의 하방에 배치되는 받침대 형상의 서셉터(61)(적재대)와, 서셉터(61)의 적재면으로부터 상방을 향해서 돌출되는 복수, 예를 들어 3개의 리프트 핀(62)(돌기물)(2개만을 도시함)을 구비한다. 또한, 서셉터(61) 및 각 리프트 핀(62)은, 본 실시 형태에 관한 기판 적재 장치를 구성한다. 돌출 시의 각 리프트 핀(62)의 선단의 높이는 게이트(14)의 높이와 거의 일치하기 때문에, 반송 아암(15)에 유지된 웨이퍼(W)는, 챔버(11) 내에서 각 리프트 핀(62)의 선단의 근방이면서 또한 상방에 위치하고, 반송 아암(15)이 미량으로 하강, 또는, 리프트 핀(62)이 미량으로 상승함으로써, 웨이퍼(W)가 각 리프트 핀(62)에 전달된다.
서셉터(61)는, 상하 방향으로 이동하지 않도록 구성되는 한편, 각 리프트 핀(62)은, 서셉터(61)에 내장된 상하 기구에 의해 상하 방향으로 이동 가능하게 구성되고, 각 리프트 핀(62)은 웨이퍼(W)를 지지한 후에 하방으로 이동(하강)함으로써, 지지된 웨이퍼(W)를 서셉터(61)의 적재면에 근접시켜, 그대로 적재면에 웨이퍼(W)를 적재시킨다.
도 7은, 본 실시 형태에 관한 기판 적재 방법을 나타내는 공정도이며, 도 8은, 도 7의 기판 적재 방법의 시퀀스도이다.
먼저, 웨이퍼(W)가 각 리프트 핀(62)에 전달되고, 각 리프트 핀(62)은 웨이퍼(W)를 지지하면, 지지한 웨이퍼(W)의 에지부가 적재면에 맞닿을 때까지 하강한다(도 7의 (A)).
계속해서, 웨이퍼(W)의 에지부가 적재면에 맞닿으면, 웨이퍼(W)에는 적재면으로부터의 항력(N1)이 작용하고(도 7의 (B)), 당해 항력(N1)은 웨이퍼(W)의 진동으로 변환된다(도 7의 (C)). 여기서, 웨이퍼(W)의 에지부가 적재면에 맞닿으면, 각 리프트 핀(62)은 일단, 하강을 정지해서 웨이퍼(W)를 정지(靜止)시키고, 하강의 정지를 소정의 시간에 걸쳐서 계속한다. 즉, 본 실시 형태에서도, 웨이퍼(W)는, 소정의 시간에 걸쳐서 계속해서 정지(靜止)되기 때문에, 웨이퍼(W)의 에지부와 적재면의 맞닿음에 기인하는 항력(N1)이, 웨이퍼(W)의 진동으로 변환된 후, 웨이퍼(W)의 댐핑 효과에 의해 감쇠되어 소멸한다.
계속해서, 각 리프트 핀(62)의 하강의 정지가 소정의 시간에 걸쳐서 계속된 후, 각 리프트 핀(62)의 하강이 재개되는데, 각 리프트 핀(62)은 소정량 하강하면, 다시, 하강을 소정의 시간에 걸쳐서 정지한다. 이때, 웨이퍼(W)에는, 웨이퍼(W)와 적재면의 맞닿음의 진행에 수반하여 항력(N1)이 웨이퍼(W)에 작용하고(도 7의 (D)), 웨이퍼(W)에 작용하는 항력(N1)이 웨이퍼(W)의 진동으로 변환되는데(도 7의 (E)), 여기에서도, 웨이퍼(W)는 소정의 시간에 걸쳐서 계속해서 정지(靜止)되기 때문에, 항력(N1)으로부터 변환된 웨이퍼(W)의 진동은, 웨이퍼(W)의 댐핑 효과에 의해 감쇠된다. 따라서, 본 실시 형태에서도, 웨이퍼(W)와 적재면의 맞닿음의 진행에 수반하여 발생하는 항력(N1)이, 웨이퍼(W)의 진동으로 변환된 후, 감쇠됨으로써 소멸한다.
그 후, 각 리프트 핀(62)의 소정의 시간에 걸친 하강의 정지, 및 각 리프트 핀(62)의 하강의 재개가, 웨이퍼(W)와 적재면의 맞닿음이 진행되어 웨이퍼(W)의 전체면이 적재면에 완전히 맞닿을 때까지 반복된다(도 8). 또한, 각 리프트 핀(62)의 하강의 정지의 반복에 있어서의 정지의 소정의 시간도, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 모두 동일한 시간으로 설정된다.
본 실시 형태에 의하면, 웨이퍼(W)의 에지부가 적재면에 맞닿은 후, 각 리프트 핀(62)의 하강을 정지하고 웨이퍼(W)를 소정의 시간에 걸쳐서 계속해서 정지(靜止)시키기 때문에, 항력(N1)에 의해 발생하는 웨이퍼(W)의 진동을 감쇠시킴으로써, 항력(N1)을 소멸시킬 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)와 적재면의 맞닿음이 진행되는 동안에, 각 리프트 핀(62)의 하강의 정지, 및 각 리프트 핀(62)의 하강의 재개를 반복하므로, 웨이퍼(W)와 적재면의 맞닿음이 진행되어 항력(N1)이 발생할 때마다, 당해 항력(N1)에 의해 발생하는 웨이퍼(W)의 진동을 감쇠시킴으로써, 항력(N1)을 소멸시킬 수 있다. 이에 의해, 항력(N1)이 웨이퍼(W)의 수평 방향의 이동력으로서 작용하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)의 에지부가 적재면에 맞닿은 후나 웨이퍼(W)와 적재면의 맞닿음이 진행되는 동안에, 소정의 시간에 걸쳐서 각 리프트 핀(62)의 하강이 정지되기 때문에, 웨이퍼(W)와 적재면의 사이에 가스가 잔류하는 것을 방지할 수 있다.
상술한 본 실시 형태에서는, 각 리프트 핀(62)의 하강의 정지의 반복에 있어서의 정지의 소정의 시간은 모두 동일한 시간으로 설정되었지만, 최초로 웨이퍼(W)와 적재면이 맞닿았을 때의 각 리프트 핀(62)의 하강의 정지 시간을, 그 후의 각 리프트 핀(62)의 하강의 정지에 있어서의 정지 시간보다도 길게 설정해도 되고(도 9의 (A)), 또한 최초로 웨이퍼(W)와 적재면이 맞닿았을 때만, 각 리프트 핀(62)의 하강을 소정의 시간에 걸쳐서 정지해도 된다(도 9의 (B)). 또한, 웨이퍼(W)의 에지부가 적재면에 맞닿기 전부터, 각 리프트 핀(62)의 소정의 시간에 걸친 하강의 정지, 및 각 리프트 핀(62)의 하강의 재개를 반복해도 된다.
이상, 본 발명에 대해서, 상기 각 실시 형태를 사용해서 설명했지만, 본 발명은 상기 각 실시 형태에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 각 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)가 서셉터(12)(61)에 적재되었지만, 상술한 각 실시 형태에 관한 기판 적재 방법은, 판상물의 종류를 막론하고, 당해 판상물을 받침대 형상물에 적재할 때 적용할 수 있다. 특히, 판상물이 FPD(Flat Panel Display)인 경우, FPD는 웨이퍼보다도 훨씬 크고, 받침대 형상물에 한쪽으로 치우쳐 닿거나 하여 위치 어긋남을 일으킬 가능성이 높기 때문에, 상술한 각 실시 형태에 관한 기판 적재 방법을 적용함으로써 위치 어긋남을 억제함으로써 얻어지는 이득은, 웨이퍼에 상술한 각 실시 형태에 관한 기판 적재 방법을 적용하는 경우보다도 훨씬 크다.
또한, 상기 각 실시 형태에서는, 챔버(11) 내가 감압되었지만, 챔버(11) 내가 감압되어 있지 않아도, 상술한 각 실시 형태에 관한 기판 적재 방법을 적용함으로써, 웨이퍼(W)가 수평 방향으로 어긋나는 것을 억제할 수 있다.
또한, 본 발명의 목적은, 상술한 각 실시 형태의 기능을 실현하는 소프트웨어의 프로그램 코드를 기록한 기억 매체를, 기판 처리 장치(10, 60)의 제어부(도시 생략)에 공급하고, 해당 제어부의 CPU가 기억 매체에 저장된 프로그램 코드를 판독해서 실행함으로써도 달성된다.
이 경우, 기억 매체로부터 판독된 프로그램 코드 자체가 상술한 각 실시 형태의 기능을 실현하게 되며, 프로그램 코드 및 그 프로그램 코드를 기억한 기억 매체는 본 발명을 구성하게 된다.
또한, 프로그램 코드를 공급하기 위한 기억 매체로서는, 예를 들어 RAM, NVRAM, 플로피(등록 상표) 디스크, 하드 디스크, 광자기 디스크, CD-ROM, CD-R, CD-RW, DVD(DVD-ROM, DVD-RAM, DVD-RW, DVD+RW) 등의 광 디스크, 자기 테이프, 불휘발성의 메모리 카드, 다른 ROM 등의 상기 프로그램 코드를 기억할 수 있는 것이면 된다. 또는, 상기 프로그램 코드는, 인터넷, 상용 네트워크, 또는 로컬에리어 네트워크 등에 접속되는 도시하지 않은 다른 컴퓨터나 데이터베이스 등으로부터 다운로드함으로써 상기 제어부에 공급되어도 된다.
또한, CPU가 판독한 프로그램 코드를 실행함으로써, 상기 각 실시 형태의 기능이 실현될 뿐만 아니라, 그 프로그램 코드의 지시에 기초하여, CPU 상에서 가동하고 있는 OS(오퍼레이팅 시스템) 등이 실제의 처리의 일부 또는 전부를 행하여, 그 처리에 의해 상술한 각 실시 형태의 기능이 실현되는 경우도 포함된다.
또한, 기억 매체로부터 판독된 프로그램 코드가, 상기 제어부에 접속된 기능 확장 카드나 기능 확장 유닛에 구비되는 메모리에 기입된 후, 그 프로그램 코드의 지시에 기초하여, 그 기능 확장 카드나 기능 확장 유닛에 구비되는 CPU 등이 실제의 처리의 일부 또는 전부를 행하여, 그 처리에 의해 상술한 각 실시 형태의 기능이 실현되는 경우도 포함된다.
상기 프로그램 코드의 형태는, 오브젝트 코드, 인터프리터에 의해 실행되는 프로그램 코드, OS에 공급되는 스크립트 데이터 등의 형태로 이루어져도 된다.
W : 웨이퍼
10, 60 : 기판 처리 장치
12, 61 : 서셉터
13, 62 : 리프트 핀

Claims (8)

  1. 적재대에 있어서의 기판의 적재면으로부터 돌출되고, 또한 상기 기판을 지지하는 복수의 돌기물의 상기 적재면으로부터의 돌출량을 감소시킴으로써 상기 기판을 상기 적재대에 근접시켜 적재시키는 기판 적재 방법으로서,
    상기 기판의 적어도 일부가 상기 적재면에 맞닿은 후, 상기 기판의 상기 적재대에의 근접 동작을 정지하고,
    상기 기판의 상기 적재대에의 근접 동작을 정지한 후에, 상기 기판의 상기 적재대에의 근접 동작을 재개하며,
    상기 기판의 상기 적재대에의 근접 동작의 정지 및 상기 기판의 상기 적재대에의 근접 동작의 재개를 반복하는, 기판 적재 방법.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    최초의 상기 기판의 상기 적재대에의 근접 동작의 정지에 있어서의 정지 시간은, 그 후의 상기 기판의 상기 적재대에의 근접 동작의 정지에 있어서의 정지 시간보다도 긴, 기판 적재 방법.
  4. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 적재대가 상기 복수의 돌기물에 지지된 상기 기판을 향해서 상승함으로써 상기 기판을 상기 적재대에 근접시키는, 기판 적재 방법.
  5. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 복수의 돌기물이 상기 적재대를 향해서 하강함으로써 상기 기판을 상기 적재대에 근접시키는, 기판 적재 방법.
  6. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    감압 환경 하에서 상기 기판을 상기 적재대에 근접시켜 적재시키는, 기판 적재 방법.
  7. 적재대와, 상기 적재대에 있어서의 기판의 적재면으로부터 돌출되고, 또한 상기 기판을 지지하는 복수의 돌기물을 포함하고, 상기 적재대가 상기 복수의 돌기물에 지지된 상기 기판을 향해서 상승함으로써 상기 기판을 상기 적재대에 적재시키는 기판 적재 장치로서,
    상기 기판의 적어도 일부가 상기 적재면에 맞닿은 후, 상기 적재대의 상승을 정지하고,
    상기 적재대의 상승을 정지한 후에, 상기 적재대의 상승을 재개하며,
    상기 적재대의 상승의 정지 및 상기 적재대의 상승의 재개를 반복하는, 기판 적재 장치.
  8. 적재대와, 상기 적재대에 있어서의 기판의 적재면으로부터 돌출되고, 또한 상기 기판을 지지하는 복수의 돌기물을 포함하고, 상기 복수의 돌기물이 상기 적재대를 향해서 하강함으로써 상기 기판을 상기 적재대에 적재시키는 기판 적재 장치로서,
    상기 기판의 적어도 일부가 상기 적재면에 맞닿은 후, 상기 복수의 돌기물의 하강을 정지하고,
    상기 복수의 돌기물의 하강을 정지한 후에, 상기 복수의 돌기물의 하강을 재개하며,
    상기 복수의 돌기물의 하강의 정지 및 상기 복수의 돌기물의 하강의 재개를 반복하는, 기판 적재 장치.
KR1020170096855A 2016-08-05 2017-07-31 기판 적재 방법 및 기판 적재 장치 KR102011563B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2016-154382 2016-08-05
JP2016154382A JP6710603B2 (ja) 2016-08-05 2016-08-05 基板載置方法及び基板載置装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180016281A KR20180016281A (ko) 2018-02-14
KR102011563B1 true KR102011563B1 (ko) 2019-08-16

Family

ID=61069528

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170096855A KR102011563B1 (ko) 2016-08-05 2017-07-31 기판 적재 방법 및 기판 적재 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10340176B2 (ko)
JP (1) JP6710603B2 (ko)
KR (1) KR102011563B1 (ko)
CN (1) CN107689341B (ko)
TW (1) TWI749033B (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20190244787A1 (en) * 2018-02-02 2019-08-08 Wei-Chuan Chou Plasma etching reaction chamber
CN108666244A (zh) * 2018-05-15 2018-10-16 长江存储科技有限责任公司 斜面刻蚀装置及晶圆刻蚀方法
KR102633336B1 (ko) * 2020-07-28 2024-02-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017062490A (ja) 2011-12-29 2017-03-30 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3357311B2 (ja) 1999-02-12 2002-12-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 半導体製造装置におけるウェハ支持装置
JP4250184B2 (ja) * 2006-12-05 2009-04-08 シャープ株式会社 基板処理装置
JP2008198739A (ja) * 2007-02-09 2008-08-28 Tokyo Electron Ltd 載置台構造、これを用いた処理装置及びこの装置の使用方法
KR100939933B1 (ko) 2007-06-27 2010-02-04 피에스케이 주식회사 리프트 핀 어셈블리 및 그것을 구비한 기판 처리 장치
JP2010016053A (ja) * 2008-07-01 2010-01-21 Tokyo Electron Ltd 被検査体の受け渡し機構
JP5356769B2 (ja) * 2008-10-15 2013-12-04 東京エレクトロン株式会社 載置台
KR101360585B1 (ko) * 2012-07-23 2014-02-10 우리에이텍(주) 다이 본더의 다이 픽업 제어 방법, 이 방법으로 구동되는 다이 픽업 장치 및 이를 구비한 다이 본더
JP6114060B2 (ja) * 2013-02-27 2017-04-12 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置、基板受渡位置確認方法及び基板処理システム
WO2015072086A1 (ja) * 2013-11-18 2015-05-21 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理装置および方法
JP5944429B2 (ja) * 2014-03-20 2016-07-05 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体
JP5775633B1 (ja) * 2014-09-29 2015-09-09 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体
JP6109224B2 (ja) * 2015-03-30 2017-04-05 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、プログラムおよび基板処理装置
JP5940199B1 (ja) * 2015-06-26 2016-06-29 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017062490A (ja) 2011-12-29 2017-03-30 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6710603B2 (ja) 2020-06-17
TW201820518A (zh) 2018-06-01
KR20180016281A (ko) 2018-02-14
TWI749033B (zh) 2021-12-11
US10340176B2 (en) 2019-07-02
US20180040503A1 (en) 2018-02-08
CN107689341A (zh) 2018-02-13
JP2018022822A (ja) 2018-02-08
CN107689341B (zh) 2021-03-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102011563B1 (ko) 기판 적재 방법 및 기판 적재 장치
KR100909499B1 (ko) 기판의 탑재 기구 및 기판 처리 장치
KR100735935B1 (ko) 기판 처리 방법, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 프로그램
JP2008060285A (ja) 基板載置機構および基板受け渡し方法
KR102031405B1 (ko) 기판 처리 장치
JP2014165439A (ja) 基板搬送装置、基板受渡位置確認方法及び基板処理システム
JP2018026413A (ja) 接合装置および接合システム
JP2006324366A (ja) 処理装置および位置合わせ方法
KR20150128581A (ko) 열처리 장치, 열처리 방법 및 기억 매체
CN112133657A (zh) 半导体工艺设备及传输晶片的方法
US20190081014A1 (en) Method of manufacturing semiconductor device
KR101500050B1 (ko) 피처리체의 냉각 방법, 냉각 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
JP6275824B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
WO2016052023A1 (ja) 半導体製造装置、半導体装置の製造方法および記録媒体
US20230064868A1 (en) Substrate Processing Apparatus, Substrate Processing Method, Non-transitory Computer-readable Recording Medium and Method of Manufacturing Semiconductor Device
JP2018067582A (ja) 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
JP2006253365A (ja) プラズマ処理装置
JP6473974B2 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
KR20060078545A (ko) 리프트 핀 어셈블리 및 이를 사용한 화학기상증착장비
JPH11111821A (ja) 基板支持装置
JP6453081B2 (ja) 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP3205980U (ja) フォーク用位置決め治具および基板を支持するフォーク並びに複数のフォークを備えた基板を搬送する基板搬送装置
WO2022202529A1 (ja) 基板処理装置および基板昇降装置
KR102297311B1 (ko) 기판 지지 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP3145424U (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right