KR20150128581A - 열처리 장치, 열처리 방법 및 기억 매체 - Google Patents
열처리 장치, 열처리 방법 및 기억 매체 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20150128581A KR20150128581A KR1020150063038A KR20150063038A KR20150128581A KR 20150128581 A KR20150128581 A KR 20150128581A KR 1020150063038 A KR1020150063038 A KR 1020150063038A KR 20150063038 A KR20150063038 A KR 20150063038A KR 20150128581 A KR20150128581 A KR 20150128581A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- temperature
- heating plate
- heating
- support member
- Prior art date
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title description 22
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 313
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 269
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 31
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 8
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 7
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 abstract 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 16
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67712—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
승온의 과정에서 휨이 발생하는 기판을 균일하고 또한 신속히 가열하는 것이 가능한 열처리 장치 등을 제공한다. 열처리 장치(1)에 있어서, 가열 온도로 조절되는 가열 플레이트(2)에는, 승온의 과정에서 휨이 발생하고, 그 후, 평탄하게 복귀되는 기판(W)이 배치되고, 지지 부재(3)는 기판(W)을 하면측으로부터 지지하고, 승강 기구(31, 32)에 의해, 상방측의 전달 위치와 가열 플레이트(2)의 하방측의 위치와의 사이를 승강한다. 제어부(4)는, 전달 위치로부터 기판(W)을 강하시키는 기간 중, 가열 플레이트(2)의 상방측에서, 상기 가열 플레이트(2)로부터의 열에 의해 휨이 발생하는 온도까지 기판(W)을 승온하고, 이어서, 기판(W)이 평탄하게 복귀될 때까지의 복귀 시간의 경과 후에 상기 기판(W)을 가열 플레이트(2)에 배치한다.
Description
본 발명은 기판을 가열하는 기술에 관한 것이다.
포토리소그래피를 이용한 디바이스의 제조 프로세스에 있어서는, 레지스트액이 도포된 기판 또는 노광 후의 기판 등을 가열하는 열처리 장치가 이용된다. 이 열처리 장치에는, 가열 온도로 조절된 가열 플레이트에 기판을 배치함으로써 기판의 가열을 행하는 것이 있다.
한편, 디바이스의 제조에 이용되는 기판의 종류는 다양하며, 반도체 디바이스의 제조에 일반적으로 이용되는 실리콘 기판(약 160 W/(m·℃))보다 열전도율이 작은 기판 재료(예컨대 탄탈산 리튬(LiTaO3) : 약 4.6 ~ 8.8 W/(m·℃), 갈륨 비소(GaAs) : 약 55 W/(m·℃), 니오브산 리튬(LiNbO3) : 약 38 W/m·℃) 등)로 이루어지는 기판을 가열하는 처리가 행해지는 경우도 있다.
그런데, 가열 플레이트에 배치하여 기판을 가열하는 경우에는, 열전도율이 작은 기판의 전면(全面)을 균일하게 가열하는 것이 어렵다. 이 때문에, 기판면 내에 온도 불균일이 발생하고, 온도가 상이한 영역의 팽창율의 차이로 인해 기판이 변형되어 휨이 발생하여, 균일한 가열이 더 곤란해진다. 또한, 가열 플레이트 상에서 기판이 변형되면, 기판과 가열 플레이트가 접촉하여, 균열이 발생하는 요인이 되기도 한다. 특히 기판을 가열할 시의 휨이 발생되는 문제는, 기판의 대형화 또는 박형화가 진행됨에 따라 커지고 있다. 또한 특허 문헌 1에 기재되어 있는 바와 같이, 상술한 기판에는 방위에 따라 열팽창율이 상이한 결정 구조를 가지는 것이 있다. 이 종류의 기판은, 열변화에 노출되었을 시에 기판의 내부에 생기는 응력 왜곡의 영향으로 기판에 균열이 생길 우려도 있다.
여기서 특허 문헌 2에는, 회전하는 반도체 웨이퍼 상에 실리카계 피막 형성용 도포액을 도포하여 형성되는 SOG(Spin On Glass)막을 치밀화하기 위하여, 기판을 지지시킨 리프트 핀을 차례로, 하강시켜 핫 플레이트의 상면으로부터의 높이를 변화시킴으로써, 기판의 열처리의 온도를 단계적으로 올리는 기판 열처리 장치가 기재되어 있다. 그러나 특허 문헌 1에는, 핫 플레이트 상에 배치하여 가열할 시에, 휨의 영향을 억제하여 균일한 가열을 행하는 기술은 기재되어 있지 않다.
본 발명은 이러한 사정 하에 이루어진 것이며, 그 목적은 승온의 과정에서 휨이 발생하는 기판을 균일하고 또한 신속하게 가열하는 것이 가능한 열처리 장치, 열처리 방법, 및 이 방법을 기억한 기억 매체를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 열처리 장치는, 기판의 가열을 행하는 열처리 장치에 있어서, 승온의 과정에서 휨이 발생하고, 그 후, 평탄하게 복귀되는 기판이 배치되고, 상기 기판을 가열하는 가열 온도로 조절되는 가열 플레이트와, 상기 가열 플레이트에 대하여 돌출 및 함몰 가능하게 마련되고, 기판을 하면측으로부터 지지하는 지지 부재와, 상기 가열 플레이트의 상방측에 설정되고, 상기 지지 부재에 대한 기판의 전달이 행해지는 전달 위치와, 상기 가열 플레이트의 하방측의 위치와의 사이에서, 상기 지지 부재를 승강시키는 승강 기구와, 상기 전달 위치로부터 기판을 강하시키는 기간 중, 상기 가열 플레이트의 상방측에서 상기 가열 플레이트로부터의 열에 의해 휨이 발생하는 온도까지 기판을 승온하고, 이어서, 기판이 평탄하게 복귀될 때까지의 복귀 시간의 경과 후에 상기 기판을 가열 플레이트에 배치하도록 상기 승강 기구를 작동시켜, 상기 지지 부재의 위치 제어를 행하는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 열처리 장치는, 이하의 구성을 구비하고 있어도 된다.
(a) 상기 제어부는, 상기 휨이 발생하는 온도 이상의 온도로 기판이 승온되는 제 1 높이 위치에서 상기 지지 부재의 강하를 정지시키고, 처리 대상의 기판에 휨이 발생하고, 상기 복귀 시간이 경과한 후에, 재차, 상기 지지 부재를 강하시키도록 상기 승강 기구를 제어하는 것. 상기 제 1 높이 위치는, 가열 플레이트로부터의 거리가, 상기 위치에서 기판에 발생하는 휨의 높이 방향의 최대 변위보다 커지는 위치로 설정되어 있는 것. 또한 상기 제어부는, 상기 제 1 높이 위치보다 상방측의 제 2 높이 위치에서 상기 지지 부재의 강하를 정지시키고, 처리 대상의 기판을 예비 가열한 후에, 재차, 상기 지지 부재를 강하시키도록 상기 승강 기구를 제어하는 것.
(b) 상기 제어부는, 사전에 기판의 종류마다 취득한, 기판에 휨이 발생하는 온도와 상기 복귀 시간과의 대응 관계에 기초하여, 처리 대상의 기판에 대한 상기 복귀 시간이 경과하는 타이밍을 추정하는 것. 또한, 상기 제어부는, 사전에 기판의 종류마다 취득한, 상기 가열 온도로 조절된 가열 플레이트로부터 기판까지의 거리와, 상기 기판의 온도의 시간 경과에 따른 변화와의 관계에 기초하여, 처리 대상의 기판의 온도를 추정하여, 상기 지지 부재를 강하시킬 시의 위치 제어에 이용하는 것.
(c) 상기 제어부는, 상기 전달 위치에서 지지 부재에 기판을 전달하고 나서, 상기 가열 플레이트의 배치면에 기판을 배치하고, 그 후, 상기 배치면으로부터 기판을 상승시킬 때까지의 기간 중의 기판의 온도의 시간 적분치가, 사전에 설정된 값이 되도록 설정된 가열 시퀀스에 기초하여, 상기 지지 부재를 승강시키는 위치와 타이밍을 결정하는 것. 상기 기판의 온도의 시간 적분치는, 사전에 기판의 종류마다 취득한, 상기 가열 플레이트로부터 기판까지의 거리와, 상기 기판의 평균 승온 속도와의 관계에 기초하여 구해지는 것.
(d) 상기 기판은, 탄탈산 리튬, 갈륨 비소, 니오브산 리튬으로 이루어지는 기판 재료군으로부터 선택된 기판 재료에 의해 구성되는 것. 또는 상기 기판은, 열전도율이 55 W/(m·℃) 이하의 기판 재료에 의해 구성되는 것.
본 발명은 지지 부재에 지지된 기판이 가열 플레이트의 상방측에서 가열되고, 기판에 휨이 발생하는 온도까지 승온된 후, 휨이 발생한 기판이 평탄하게 복귀되는 복귀 시간이 경과되고 나서 상기 기판을 가열 플레이트에 배치함으로써, 평탄한 기판에 대하여 균일하고 또한 신속한 가열을 행할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 열처리 모듈의 분해 사시도이다.
도 2는 상기 열처리 모듈의 전기적 구성을 나타낸 블록도이다.
도 3a ~ 도 3c는 평가 기판의 가열 온도와 휨량의 시간 경과에 따른 변화와의 관계를 나타낸 설명도이다.
도 4a ~ 도 4c는 다른 종류의 평가 기판의 가열 온도와 휨량의 시간 경과에 따른 변화와의 관계를 나타낸 설명도이다.
도 5a 및 도 5b는 휨 데이터의 구성예를 나타낸 설명도이다.
도 6은 가열 플레이트로부터의 갭 높이와 기판의 승온 특성과의 관계를 나타낸 설명도이다.
도 7은 기판의 가열 시퀀스의 작성예를 나타낸 설명도이다.
도 8은 종래의 가열 시퀀스를 나타낸 설명도이다.
도 9는 본 예의 가열 시퀀스에 있어서의 열이력의 산출법을 나타낸 설명도이다.
도 10은 상기 가열 시퀀스를 작성하는 동작의 순서도이다.
도 11은 상기 열처리 모듈의 제 1 동작 설명도이다.
도 12는 상기 열처리 모듈의 제 2 동작 설명도이다.
도 13은 상기 열처리 모듈의 제 3 동작 설명도이다.
도 14는 상기 열처리 모듈의 제 4 동작 설명도이다.
도 15a ~ 도 15c는 상기 열처리 모듈에서 처리되는 기판 상태를 나타낸 모식도이다.
도 2는 상기 열처리 모듈의 전기적 구성을 나타낸 블록도이다.
도 3a ~ 도 3c는 평가 기판의 가열 온도와 휨량의 시간 경과에 따른 변화와의 관계를 나타낸 설명도이다.
도 4a ~ 도 4c는 다른 종류의 평가 기판의 가열 온도와 휨량의 시간 경과에 따른 변화와의 관계를 나타낸 설명도이다.
도 5a 및 도 5b는 휨 데이터의 구성예를 나타낸 설명도이다.
도 6은 가열 플레이트로부터의 갭 높이와 기판의 승온 특성과의 관계를 나타낸 설명도이다.
도 7은 기판의 가열 시퀀스의 작성예를 나타낸 설명도이다.
도 8은 종래의 가열 시퀀스를 나타낸 설명도이다.
도 9는 본 예의 가열 시퀀스에 있어서의 열이력의 산출법을 나타낸 설명도이다.
도 10은 상기 가열 시퀀스를 작성하는 동작의 순서도이다.
도 11은 상기 열처리 모듈의 제 1 동작 설명도이다.
도 12는 상기 열처리 모듈의 제 2 동작 설명도이다.
도 13은 상기 열처리 모듈의 제 3 동작 설명도이다.
도 14는 상기 열처리 모듈의 제 4 동작 설명도이다.
도 15a ~ 도 15c는 상기 열처리 모듈에서 처리되는 기판 상태를 나타낸 모식도이다.
본 발명의 실시 형태로서, 탄탈산 리튬의 얇은 기판(이하, '기판(W)'이라고 함)을 처리했을 경우의 예를 들어 설명한다. 도 1, 도 2는, 기판(W)을 가열하는 열처리 모듈(열처리 장치)(1)의 구성을 나타내고 있다. 예컨대 열처리 모듈(1)은, 기판(W)에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하고, 노광 후의 레지스트막의 현상을 행하는 도포, 현상 장치에 탑재되어 있다.
도 1의 분해 사시도에 나타낸 바와 같이, 본 예의 열처리 모듈(1)은 기대부(11)의 상면에 마련되고, 처리 대상의 기판(W)이 배치되는 가열 플레이트(2)와, 이 가열 플레이트(2)에 기판(W)을 배치하기 위한 지지 핀(3)을 구비하고 있다.
가열 플레이트(2)는, 예컨대 SiC 또는 AlN 등의 세라믹스제의 원판 형상의 열판 내에 저항 발열체(21)를 매립한 구조로 되어 있으며, 이 저항 발열체(21)는 급전부(23)에 접속되어 있다(도 2). 또한 가열 플레이트(2)의 상면에는, 당해 상면으로부터 0.2 mm 상방의 높이 위치에서 기판(W)을 이면으로부터 지지하는 복수의 갭 핀(22)이 마련되어 있다.
갭 핀(22)은, 예컨대 직경 3 mm의 세라믹스제의 원기둥 형상의 부재로 이루어지고, 기판(W)의 중앙 위치에 1 개, 이 중앙 위치를 둘러싸고, 가열 플레이트(2)의 둘레 방향을 따라 서로 간격을 두고 3 개 마련되어 있다. 이들 갭 핀(22)의 상면은, 상기 가열 플레이트(2)에 있어서의 기판(W)의 배치면에 상당하며, 예컨대 직경이 200 mm의 기판(W)이 배치된다.
지지 핀(3)은, 스테인리스 등의 금속제의 막대 형상 부재의 상부에, SiC 등의 세라믹제의 칩을 마련한 구조로 되어 있고, 전체적으로 직경 1 mm의 막대 형상의 부재로서 구성되어 있다. 본 예의 열처리 모듈(1)에 있어서는, 3 개의 지지 핀(지지 부재)(3)이 가열 플레이트(2)의 둘레 방향으로 서로 간격을 두고 배치되고, 각 지지 핀(3)이 가열 플레이트(2)를 상하 방향으로 관통하도록 마련되어 있다. 가열 플레이트(2)에는, 이들 지지 핀(3)을 관통시키기 위한 예컨대 직경 3 mm의 관통구(25)가 마련되어 있다.
도 2에 모식적으로 나타낸 바와 같이, 이들 지지 핀(3)의 하단부는 공통의 승강 부재(31)에 접속되고, 이 승강 부재(31)는 기대부(11)의 측방에 배치된 승강 모터(32)에 접속되어 있다. 승강 모터(32)에 의해 승강 부재(31)를 승강시킴으로써, 3 개의 지지 핀(3)의 상단의 높이 위치를 일치시키면서, 이들 지지 핀(3)을 가열 플레이트(2)의 상면으로부터 돌출시키거나 함몰시킬 수 있다. 기판(W)은, 이들 3 개의 지지 핀(3)의 선단부에서 이면측으로부터 지지된다. 승강 모터(32)는, 예컨대 기대부(11)의 측방에 배치된 박스(17) 내에 저장되어 있다.
상술한 승강 부재(31)를 승강시켰을 시, 지지 핀(3)의 선단부는 가열 플레이트(2)의 상방측에 마련되고, 외부의 기판 반송 기구(예컨대 열처리 모듈(1)이 마련되어 있는 도포, 현상 장치의 기판 반송 기구)와의 사이에서 기판(W)의 전달이 행해지는 전달 위치와, 가열 플레이트(2)의 하방측의 위치와의 사이를 이동한다. 본 예에 있어서 전달 위치는, 예컨대 가열 플레이트(2)의 상면으로부터 16.5 mm 상방측의 위치에 설치되어 있다.
또한 승강 모터(32)는, 상기 전달 위치와 가열 플레이트(2)의 하방측의 위치와의 사이의 임의의 위치에서 지지 핀(3)의 선단부를 정지시킬 수 있다. 이 결과, 기판(W)을 지지한 지지 핀(3)은, 가열 플레이트(2)의 상면으로부터 기판(W)까지의 거리를 자유롭게 조절할 수 있다.
승강 부재(31) 또는 승강 모터(32)는 지지 핀(3)의 승강 기구에 상당한다.
여기서, 가열 플레이트(2)에 갭 핀(22) 또는 지지 핀(3), 관통구(25)가 마련되어있으면, 가열 플레이트(2)의 상면의 구조가 불균일해지고, 기판(W)의 면내의 균일한 가열을 저해하는 요인이 된다. 이 점, 본 예에 있어서는, 갭 핀(22) 또는 지지 핀(3), 관통구(25)를 비교적 작게 함으로써(갭 핀(22)은 직경 3 mm, 지지 핀(3)은 직경 1 mm, 관통구(25)는 직경 3 mm), 기판(W)을 가열할 시의 면내 균일성의 저하를 억제하고 있다.
또한 도 1에 나타낸 바와 같이, 가열 플레이트(2)의 상면에 있어서의 기판(W)의 배치 영역의 주위에는, 기판(W)의 위치 이탈을 방지하기 위한 원판 형상의 기판 가이드(24)가, 기판(W)의 둘레 방향으로 간격을 두고 복수 개 마련되어 있다. 또한, 도 1 및 도 2 이외의 도면에 있어서는, 기판 가이드(24)의 도시는 생략되어 있다.
이상으로 설명한 가열 플레이트(2)의 주위에는, 기판(W)이 가열되는 공간을 측방으로부터 둘러싸는 통 형상 벽부(12)가 마련되어 있다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 통 형상 벽부(12)는, 예컨대 금속제의 편평한 원통 형상의 부재로 이루어지며, 지지 핀(3)에 지지된 상태의 기판(W) 또는, 가열 플레이트(2) 상에 배치된 후의 기판(W)을 측방으로부터 둘러싸도록 배치된다.
도 2에 나타낸 바와 같이 통 형상 벽부(12)의 하단부는 승강 부재(121)에 접속되고, 이 승강 부재(121)는 기대부(11)의 측방에 배치된 승강 모터(122)에 접속되어 있다. 그리고 승강 모터(122)에 의해 승강 부재(121)를 승강시킴으로써, 기대부(11)의 상면에 마련된 링 형상의 개구부(111)(도 1 참조)를 개재하여, 통 형상 벽부(12)는, 기대부(11)의 하방측의 위치와, 지지 핀(3) 또는 가열 플레이트(2) 상의 기판(W)을 둘러싸는 위치와의 사이를 승강한다(도 11 ~ 도 14 참조).
또한 본 예에 있어서는, 상술한 바와 같이 지지 핀(3)을 승강시키는 승강 모터(32) 또는 통 형상 벽부(12)를 승강시키는 승강 모터(122)는 공통의 박스(17) 내에 넣어져 있으나(도 1), 설명의 편의상, 도 2에서는 이들 승강 모터(32) 또는 승강 모터(122)를 떨어진 위치로 기재하고 있다.
통 형상 벽부(12)를 상승시켰을 시, 통 형상 벽부(12)의 상단부는, 지지 핀(3)의 전달 위치보다 상방측에 도달하고, 지지 핀(3)에 지지되어 전달 위치와 가열 플레이트(2)의 배치면과의 사이를 반송되는 기판(W)의 이동 영역의 전체를 둘러싼 상태가 된다.
또한 도 1, 도 2에 나타낸 바와 같이, 기판(W)의 이동 영역을 둘러싸는 위치까지 상승한 통 형상 벽부(12)의 상방측에는, 통 형상 벽부(12)의 상면측의 개구를 막도록 덮개부(13)가 마련되어 있다. 덮개부(13)는 예컨대 금속제의 원판 형상의 부재로 이루어지며, 그 상면에는, 통 형상 벽부(12), 덮개부(13), 기대부(11)에 둘러싸인 처리 공간 내를 배기하기 위한 배기관(16)이 접속되어 있다. 배기관(16)의 말단부는 도시하지 않은 배기 기구에 접속되어 있으며, 상술한 처리 공간 내를 배기시키면서 기판(W)의 가열을 행할 수 있다.
도 1에 나타낸 바와 같이 덮개부(13)는, 기대부(11)의 긴 변 방향을 따라 연장되도록 배치된 2 개의 횡형부(15)에 의해, 중심부를 개재하여 대향하는 2 개소의 단부를 유지하고 있다. 각 횡형부(15)는, 기대부(11)의 상면으로부터 상방측을 향하여 연장하도록 배치된 2 개의 지주부(14)에 지지되고, 이에 의해 덮개부(13)는, 그 하면을 가열 플레이트(2)에 대향시킨 상태에서, 당해 가열 플레이트(2)의 상방측에 배치되어 있다.
또한, 도 1 이외의 도면에 있어서는, 배기관(16) 및 횡형부(15), 지주부(14)의 기재는 생략되어 있다.
위와 같이 설명한 구성을 구비하는 기대부(11) 또는 박스(17), 통 형상 벽부(12), 덮개부(13) 등은, 도시하지 않은 하우징 내에 저장되고, 예컨대 도포, 현상 장치의 레지스트액 도포 모듈 또는 현상 모듈의 설치 영역에 인접하여 배치된다.
또한 도 2에 나타낸 바와 같이, 열처리 모듈(1)은 제어부(4)와 접속되어 있다. 제어부(4)는 CPU(41)와 메모리(기억부)(42)를 구비한 컴퓨터로 이루어지며, 메모리(42)에는 열처리 모듈(1)의 작용, 즉 열처리 모듈(1)로 반송되고, 지지 핀(3)에 전달된 기판(W)을 가열 플레이트(2)에 배치하여 가열을 행한 후, 재차 지지 핀(3)을 상승시켜 전달 위치까지 반송하고, 처리 후의 기판(W)을 반출시킬 때까지의 제어에 따른 단계(명령)군이 짜여진 프로그램이 기록되어 있다. 이 프로그램은, 예컨대 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 마그넷 옵티컬 디스크, 메모리 카드 등의 기억 매체에 저장되고, 기억 매체로부터 컴퓨터에 인스톨된다.
예컨대 열처리 모듈(1)의 제어부는, 당해 열처리 모듈(1)이 탑재되어 있는 도포, 현상 장치의 제어를 행하는 제어 컴퓨터와 공통화되어 있다.
또한 도 2에 나타낸 바와 같이 열처리 모듈(1)에는, 후술의 기판 정보 또는 처리 조건의 입력을 오퍼레이터로부터 접수하거나, 에러를 알람하기 위한, 터치 패널식의 디스플레이 등으로 이루어지는 인터페이스부(5)가 마련되어 있다.
또한 본 예의 열처리 모듈(1)은, 기판(W)을 승온하는 과정에 있어서의 휨의 발생에 기인하는 가열 불균일의 발생을 억제하여, 기판(W)의 전면을 균일하게 가열하는 기능을 구비하고 있다.
이하, 당해 기능의 상세한 내용에 대하여 도 2 ~ 도 8을 참조하여 설명한다
발명자들은, 기판(W)을 가열할 시에 발생하는 휨 현상에 대하여, 가열 온도 또는 기판(W)의 두께 등을 다양하게 변화시켜 검토를 행했다. 이 결과, (1) 기판(W)에 휨이 발생하는 가열 온도와 휨이 발생하지 않는 가열 온도가 있는 것, (2) 휨이 발생하는 가열 온도로 기판(W)을 가열한 경우라도, 시간의 경과에 수반하여 휨이 해소되어, 평탄한 기판(W)으로 복귀되는 것을 새롭게 찾아냈다.
또한 이하에 설명하는 도 3a ~ 도 4c에 있어서는, 탄탈산 리튬의 얇은 기판을 평가 기판으로 하고 있다.
도 3a ~ 도 3c, 도 4a ~ 도 4c에 나타낸 예비 실험의 결과는, 정해진 가열 온도가 되도록 설정된 가열 플레이트(2) 상에 평가 기판을 배치한 후의, 평가 기판의 상면의 검출 높이의 시간 경과에 따른 변화를 나타내고 있다. 도 3a ~ 도 3c는, 가열 플레이트(2)의 온도를 다양하게 변화시켜, 레지스트막 등이 도포되어 있지 않은, 두께 200 μm의 평가 기판을 가열한 결과를 나타내며, 도 4a ~ 도 4c는 마찬가지로 두께 400 μm의 평가 기판을 가열한 결과를 나타내고 있다.
높이 위치는, 평가 기판의 상면측의 주연으로부터 2 mm만큼 중심쪽의 위치로 설정한 검출 위치의 높이를 레이저 변위계에 의해 검출했다. 각 도면의 가로축은 경과 시간(초), 세로축은 검출 높이(mm)를 나타내고 있다.
도 3a ~ 도 3c에 나타낸 두께 200 μm의 평가 기판의 실험 결과에 의하면, 가열 플레이트(2)의 설정 온도가 50℃의 경우에는, 평가 기판의 휨은 거의 검출되지 않았다(도 3a).
한편, 가열 플레이트(2)의 설정 온도를 60℃로 올리면, 도 3b에 나타낸 바와 같이 최대 약 1.0 mm의 휨이 발생했다. 이대로 가열을 계속한 바, 휨은 점차 작아지고, 휨이 검출되고 나서 약 10 초 후에는 평가 기판은, 거의 평탄한 상태로 복귀되었다.
또한 도 3c에 나타낸 바와 같이, 가열 플레이트(2)의 설정 온도를 110℃로 했을 경우에는, 휨의 최대치(약 1.7 mm), 평가 기판이 휘기 시작하고 나서 평탄하게 복귀될 때까지의 시간(약 40 초) 모두, 설정 온도가 60℃의 경우보다 커졌다.
이와 같이, 두께가 동일한 평가 기판이어도, 가열 플레이트(2)의 설정 온도가 상이하면, 휨이 발생하는 경우와 발생하지 않는 경우가 있고(이하, 휨이 발생하는 온도를 '휨 개시 온도'라고 함), 또한 휨이 발생하는 경우여도, 휨의 최대치(이하, '휨량'이라고 함) 또는 휘기 시작하고 나서 평탄하게 복귀될 때까지의 시간(이하, '복귀 시간'이라고 함)도 상이한 것이 확인되었다.
이어서, 평가 기판의 두께를 400 μm로 했을 경우에는, 가열 플레이트(2)의 설정 온도를 80℃로 해도 휨은 거의 검출되지 않았다(도 4a).
한편, 가열 플레이트(2)의 설정 온도를 90℃로 올리면, 도 4b에 나타낸 바와 같이 평가 기판의 휨이 검출되었으므로, 10℃씩 가열 플레이트(2)의 설정 온도를 변화시켰을 시(이하, 본 실시 형태에 있어서 동일)의 휨 개시 온도는 90℃인 것을 알 수 있다. 또한, 이 때의 휨량은 약 0.7 mm이며, 그 복귀 시간은 약 30 초였다. 또한 가열 플레이트(2)의 설정 온도를 110℃로 하면, 도 4c에 나타낸 바와 같이 휨량은 약 0.9 mm, 복귀 시간은 약 46 초가 되었다.
이와 같이, 평가 기판의 두께(기판(W)의 종류)가 상이하면 휨 개시 온도는 변화하는 것이 확인되었다. 또한, 가열 플레이트(2)의 설정 온도가 동일해도, 기판(W)의 두께가 상이하면, 휨량 또는 복귀 시간의 값도 상이한 것이 확인되었다.
이상으로 확인한 바와 같이, 휨이 발생한 기판(W)은 복귀 시간의 경과 후에 평탄하게 복귀된다. 따라서, 사전에 기판(W)에 휨을 발생시키고, 이 복귀 시간이 경과한 후에 가열 플레이트(2) 상에 배치하면, 평탄한 기판(W)에 대하여 균일한 가열을 행하는 것이 가능해진다.
이 점, 가열 플레이트(2)의 상방측에서 지지 핀(3)에 지지되어 있는 기판(W)은, 가열 플레이트(2)로부터의 복사열 등의 영향을 받아 온도가 상승한다. 따라서, 본 실시 형태의 열처리 모듈(1)은, 지지 핀(3)이 기판(W)을 지지하는 높이 위치를 적절히 조절함으로써, 지지 핀(3)에 지지된 상태로 기판(W)에 휨을 발생시킬 수 있다. 또한 복귀 시간이 경과된 후에 기판(W)을 가열 플레이트(2)에 배치함으로써, 평탄하게 복귀된 기판(W)을 가열 플레이트(2) 상에서 가열할 수도 있다.
이들의 기능에 관하여, 열처리 모듈(1)은 도 2에 나타낸 바와 같이, 사전에 기판(W)의 종류(예컨대 두께 치수 또는 레지스트막 등의 도포막의 유무, 도포막의 두께 치수 또는 기판 재료)를 파라미터로서, 가열 플레이트(2)의 설정 온도(가열 플레이트(2) 상에 기판(W)을 배치했을 경우에는, 충분한 시간의 경과 후에 있어서 기판(W)의 가열 온도로 간주할 수 있음)에 대한 휨량 또는 복귀 시간에 관한 정보를 휨 데이터(431)로서 기억하고 있다.
예컨대 휨 데이터(431)는, 도 5a, 도 5b에 나타낸 바와 같이, 기판(W)의 가열 온도에 대하여, 휨량, 및 복귀 시간을 대응시킨 테이블로서 기억되어 있다(도 5a 및 도 5b에는 상술한 평가 기판에 관한 휨 데이터(431)를 나타내고 있다). 도 5a 및 도 5b에 나타낸 예에 의하면, 기판(W)의 가열 온도를 낮은 쪽부터 차례로 보았을 때, 휨량이 제로가 아니게 되는 온도가 당해 기판(W)의 휨 개시 온도에 상당한다.
또한 휨 데이터(431)에서 설정하는 복귀 시간은, 실제로 계측한 복귀 시간(도 3b, 도 3c, 도 4b, 도 4c 참조)에 대하여, 여유를 갖게 한 값(예컨대 계측 결과의 10 % 증가의 값 또는, 일률적으로, 복귀 시간을 5 초 증가시킨 값 등)으로 해도 좋다.
또한 도 2에 나타낸 바와 같이, 열처리 모듈(1)의 메모리(43)에는 지지 핀(3)에 기판(W)이 지지되어 있는 높이 위치를 다양하게 변화시켰을 때, 가열 플레이트(2)의 상면으로부터 기판(W)의 하면까지의 거리(이하, '갭 높이'라고 함)와 대응시켜, 실온(23℃)을 기준으로 한 기판(W)의 온도의 시간 경과에 따른 변화가 기억되어 있다(승온 특성 데이터(432)).
이들 승온 특성 데이터(432)는, 기판(W)의 종류, 및 가열 플레이트(2)의 설정 온도를 파라미터로서 복수 조 기억되어 있다. 도 6은 가열 플레이트(2)의 설정 온도를 110℃로 했을 때의 두께 200 μm의 기판(W)의 승온 특성 데이터(432)를, 갭 높이마다 도시한 승온 곡선이다(갭 높이는 예컨대 1.0 mm씩 작성되고, 도 6에는 그 일부를 나타내고 있음). 기판(W)의 온도가 상승하고 있는 기간 중의 승온 곡선의 기울기(승온 속도)는, 갭 높이가 커짐에 따라 작아지고 있다. 즉, 갭 높이가 클수록, 기판(W)의 가열에 시간이 걸린다.
또한, 지지 핀(3)에 지지된 기판(W)은 갭 높이가 커질수록, 도달 온도가 낮아지고 있다. 따라서, 상기 도달 온도가 휨 개시 온도보다 낮아지는 갭 높이 위치에 기판(W)을 배치해도, 당해 기판(W)에는 휨이 발생하지 않는다. 이 때문에, 그 후, 가열 플레이트(2)에 기판(W)을 배치하면, 가열 플레이트(2)에서 휨이 발생하게 된다.
본 실시 형태에 따른 열처리 모듈(1)은, 이들 휨 데이터(431), 승온 특성 데이터(432)에 기초하여, 기판(W)이 가열 플레이트(2)에 배치되기 전에 휨이 발생하며, 또한, 복귀 시간이 경과하는 조건을 만족하도록, 지지 핀(3)에 지지된 기판(W)을 차례로, 강하시키면서 가열하는 시퀀스를 작성한다.
이하, 상기 가열 시퀀스를 작성하는 방법에 대하여 설명한다. 또한 이하의 설명에 있어서, 지지 핀(3)에 지지된 기판(W)의 승강 동작은 기판(W)의 승온 속도와 비교해 충분히 빠르게 행할 수 있는 것으로 한다.
상술한 바와 같이 본 예의 열처리 모듈(1)에 있어서는, 전달 위치에서 지지 핀(3)에 지지된 기판(W)을, 어느 갭 높이 위치까지 강하시켜 휨을 발생시킨다. 그러나, 이와 같이 가열 플레이트(2) 상에 직접 기판(W)을 배치하지 않고, 가열 플레이트(2)보다 상방에서 가열을 개시하는 경우라도, 급격한 온도 변화에 수반하여 기판(W)에 균열 등이 발생하는 경우도 있다.
따라서 본 예의 열처리 모듈(1)은, 휨을 발생시키는 갭 높이 위치(제 1 높이 위치)로 기판(W)을 이동시키기 전에, 당해 위치보다 상방측의 위치(제 2 높이 위치)에서 예비 가열을 행한다. 이 예비 가열에 있어서는, 기판(W)에 휨이 발생해도 되고, 발생하지 않아도 된다.
이와 같이, 열처리 모듈(1)은, 예비 가열을 행하는 단계(이하 '제 1 단계'라고 칭함)와, 기판(W)에 휨을 발생시키는 단계(이하, '제 2 단계'라고 칭함)와, 가열 플레이트(2)에 기판(W)을 배치하는 단계(이하, '제 3 단계'라고 칭함)의 3 종류의 갭 높이 위치에서 기판(W)의 가열을 행한다.
본 예에 있어서의 예비 가열의 온도는 예컨대 60℃로 설정되어 있다. 그리고, 상술한 가열 단계수 데이터(422)(3 단계), 및 예비 가열 온도 데이터(421)(60℃)는, 사전에 제어부(4)의 메모리(42)에 기억되어 있다(도 2).
도 7은 두께 200 μm의 기판(W)을 110℃로 설정된 가열 플레이트(2) 상에 배치하는 가열 시퀀스에 있어서의, 기판(W)의 온도의 시간 경과에 따른 변화의 예를 나타내고 있다.
도 7에 나타낸 예에서는, 전달 위치(갭 높이 16.5 mm)에서 지지 핀(3)에 전달된 실온의 기판(W)이, 제 1 단계에서 정해진 갭 높이 위치까지 반송되어 예비 가열 온도(60℃, 도 5a에 의하면 휨 개시 온도이기도 함)까지 승온된다. 이후, 하방측의 갭 높이 위치로 더 반송되고, 제 2 단계에서 휨 개시 온도 이상의 온도(80℃)로 승온된다. 이 제 2 단계에서는, 휨이 발생한 기판(W)의 복귀 시간이 경과되는 것을 기다리며, 그 후, 제 3 단계에서 기판(W)이 가열 플레이트(2) 상에 배치되어, 110℃로 가열된다.
한편, 도 6에 나타낸 승온 곡선을 참조하면, 기판(W)의 도달 온도가 예비 가열 온도(60℃) 또는 휨을 발생시키는 온도(휨 개시 온도(60℃) 이상의 온도)로 되어 있는 갭 높이 위치의 조합은 다수 있다. 이 때문에, 예비 가열이 행해지는 위치, 기판(W)에 휨을 발생시키는 위치, 및 가열 플레이트(2) 상의 각각에 있어서의 기판(W)의 가열 시간(도 7에 나타낸 가열 시간 A, B, C (초))도 다양한 값을 취할 수 있다.
따라서 본 예의 열처리 모듈(1)은, 이하에 설명하는 방침에 기초하여, 각 단계에 있어서의 갭 높이 위치 또는 가열 시간을 결정한다.
도 8은 전달 위치에서 기판(W)이 지지 핀(3)에 전달된 후, 당해 기판(W)을 즉시 가열 플레이트(2)에 배치하여 가열을 개시하는 종래법에 있어서의 기판(W)의 온도의 시간 경과에 따른 변화를 나타내고 있다. 종래법에 의하면, 실온에서 반송된 기판(W)이 급격하게 가열 플레이트(2)의 온도(T3 = 110℃)까지 승온되고, 그 상태로 소정 시간만큼 가열이 계속된다.
이 종래법에 있어서의 기판(W) 온도의 시간 경과에 따른 변화와 비교하여, 도 7에 나타낸 기판(W)의 온도의 시간 경과에 따른 변화는, 갭 높이 위치의 변화에 따라, 기판(W)의 온도가 서서히 상승하는 점에서 상이하다. 이와 같이, 기판(W)의 온도의 시간 경과에 따른 변화가 종래법과는 상이하다고 해도, 기판(W)의 처리 결과(예컨대, 레지스트막의 베이크 처리의 경우는, 레지스트막 중의 용제의 잔존량 등)는 서로 거의 동일할 필요가 있다.
이 점에 대하여 발명자들은, 도 8 중에 사선으로 나타낸 기간에 있어서의 기판(W)의 온도의 시간 적분치(이하, '열이력'이라고 함)가, 도 7에 나타낸 A ~ C의 기간(제 1 단계 ~ 제 3 단계) 중의 열이력과 동일하면, 이들의 가열법에 있어서의 기판(W)의 처리 결과는, 거의 동일해지는 것을 파악했다.
따라서 도 2에 나타낸 바와 같이, 본 예의 열처리 모듈(1)의 열이력 설정 데이터(433)에는, 사전에 기판(W)의 종류마다, 도 8에 나타낸 종래법의 열이력이 열이력 설정 데이터(433)로서 기억되어 있다. 그리고, 선택된 기판(W)의 종류에 대응하는 열이력 설정 데이터(433)와 거의 일치하는 열이력이 실현되도록, 각 단계에 있어서의 갭 높이 위치 또는 가열 시간이 결정된다.
제 1 단계 ~ 제 3 단계의 열이력은, 예컨대 도 9에 나타낸 바와 같이 각 단계에 있어서의 승온 속도를 직선 근사함으로써 구한다. 본 예에 있어서는, 제 1 단계, 및 제 2 단계에서 직선 근사되는 승온 속도가 사전에 결정되어 있고, 승온 속도 데이터(423)로서 제어부(4)의 메모리(42)에 사전에 기억되어 있다(도 2). 본 예에서는, 제 1 단계의 승온 속도는 0.5℃/초, 제 2 단계의 승온 속도는 1.0℃/초로 설정되어 있다.
그리고, 제 1 단계의 갭 높이 위치의 결정에 있어서는, 승온 특성 데이터(432)중에서, 기판(W)을 실온으로부터 60℃(예비 가열 온도, 도 9의 T1)로 가열하는 기간중의 승온 속도의 평균의 기울기가 0.5℃/초에 가장 가까운 갭 높이 위치를 선택한다. 그리고 이 승온 속도에서 기판(W)을 실온으로부터 60℃로 가열하는데 필요로 하는 시간이 가열 시간(A)이 된다.
제 1 단계에 있어서, 실온(23℃)으로부터 예비 가열 온도(T1)로 가열되는 기판(W)의 열이력(V1)은, 이하의 식 (1)로 나타내진다.
V1 = (T1 - 23) * A / 2 ··· (1)
이어서, 제 2 단계의 갭 높이 위치의 결정에 있어서는, 60℃로 예비 가열된 기판(W)이 휨 개시 온도 이상의 온도로 가열되며, 또한 복귀 시간의 경과 후에 기판(W)이 가열 플레이트(2)에 배치되도록, 가열 시간(B)이 결정된다.
즉, 휨 개시 온도가 예비 가열 온도보다 낮은 경우에는, '제 1 단계에서 기판(W)이 휨 개시 온도에 도달한 시점 ~ 예비 가열 온도에 도달한 시점까지의 시간(A') ＋ 제 2 단계의 가열 시간(B) ≥ 복귀 시간'이 되도록, 제 2 단계의 승온 속도 1.0℃/초부터, 제 2 단계를 완료하는 온도가 결정된다.
또한, 휨 개시 온도가 예비 가열 온도보다 높은 경우에는, 기판(W)을 예비 가열 온도로부터 휨 개시 온도까지 승온하기까지 필요로 하는 가열 시간을 B1, 또한 휨 개시 시간에 도달 후, 제 2 단계를 종료할 때까지의 가열 시간을 B2로 했을 때, 'B2 ≥ 복귀 시간'이 되도록, 제 2 단계의 승온 속도 1.0℃/초부터, 제 2 단계를 완료하는 온도가 결정된다.
여기서, 도 5a, 도 5b에 나타낸 바와 같이, 휨이 발생한 기판(W)의 복귀 시간은 기판(W)의 가열 온도가 높아짐에 따라 길어진다. 그러나 도 3a ~ 도 4c를 이용하여 설명한 바와 같이, 상기 복귀 시간은 실온의 기판(W)을 각 가열 온도로 설정된 가열 플레이트(2)에 배치했을 경우의 급격한 온도 변화의 발생에 수반하는 휨의 발생 후의 복귀 시간이다.
이 점, 단계적으로 승온을 행하는 본 예의 열처리 모듈(1)에 있어서는, 휨의 발생은 비교적 완만하고, 각 갭 높이 위치에서 기판(W)의 온도가 상승해도, 복귀 시간이 크게 변화될 가능성은 작다고 생각된다. 따라서, 본 예에 있어서는 휨 개시 온도에 있어서의 복귀 시간에 기초하여, 제 2 단계의 가열 시간(B)을 결정하는 것으로 한다. 또한, 예비 실험에 의해 제 1 단계 또는 제 2 단계의 승온 속도(0.5℃/초, 1.0℃/초)로 온도가 변화하는 조건 하에서의 복귀 시간을 파악해 두고, 이 복귀 시간을 휨 데이터(431)로서 기억해 두어도 되는 것은 물론이다. 또한, 상술한 바와 같이 휨 데이터(431)에 기재된 복귀 시간은, 실측 결과에 대하여 여유를 갖게 해 두어도 되므로, 이 여유의 설정폭에 의해 온도 변화의 영향을 흡수해도 된다.
이상으로 설명한 방법에 의해 제 2 단계의 가열을 끝내는 온도(T2)가 결정되면, 승온 특성 데이터(432) 중에서, 기판(W)을 온도(T1)에서 온도(T2)로 가열하는 기간 중의 승온 속도의 평균 기울기가 1.0℃/초에 가장 가까운 갭 높이 위치를 선택한다. 그리고 이 승온 속도에서 기판(W)을 온도(T1)에서 온도(T2)로 가열하는데 필요로 하는 시간이 가열 시간(B)이 된다.
제 2 단계에 있어서, 예비 가열 온도(T1)에서 온도(T2)로 가열되는 기판(W)의 열이력(V2)은, 이하의 식 (2)로 나타내진다.
V2 = (T2 - T1) * B / 2 ＋ (T1 - 23) * B ··· (2)
그런 다음, 온도(T2)로 가열된 기판(W)을 가열 플레이트(2)에 배치한다(제 3 단계. 이 때, 기판(W)이 온도(T2)로부터, 가열 플레이트(2) 상에 있어서의 가열 온도(T3)로 승온될 때까지 필요로 하는 시간을 a 초로 한다.
제 3 단계에 있어서, 가열 플레이트(2)로부터 기판(W)을 상승시키고, 가열을 끝낼 때까지의 기판(W)의 열이력(V3)은, 이하의 식 (3)으로 나타내진다.
V3 = (T3 - 23) * C - (T3 - T2) * a / 2 ··· (3)
도 9에 나타낸 기판(W)의 열이력을, 도 8에 나타낸 종래의 열이력과 일치시키기 위해서는, 열이력 설정 데이터(433)인 V와, 제 1 단계 ~ 제 3 단계의 열이력(V1 ~ V3)의 합계를 일치시키면 된다(하기 식(4)).
V = V1 ＋ V2 ＋ V3 ··· (4)
따라서 본 예에 있어서는, 식 (4)의 조건을 만족하도록, 제 2 단계의 가열 시간(B), 제 3 단계의 가열 시간(C)이 결정된다. 예컨대, 처리 시간을 짧게 하는 관점에서, 복귀 시간에 대한 제약을 만족시키면서 최단이 되도록 제 2 단계에 있어서의 가열 시간(B)(즉 온도(T2))을 먼저 결정한다(T1 ＞ 휨 개시 온도의 경우, 'A' ＋ B = 복귀 시간', T1 ≤ 휨 개시 온도의 경우, 'B2 = 복귀 시간'). 이후, 식 (4)의 조건을 만족하도록, 제 3 단계의 가열 시간(C)을 결정한다.
여기서 예컨대 도 5b에 나타낸 두께 400 μm에 있어서의 휨 데이터(431)와 같이, 휨 개시 온도가 90℃이고, 1.0℃/초의 승온 속도로 승온을 행하면, 30 초의 복귀 시간을 확보할 수 없는 경우도 있다. 또한, 선택된 갭 높이 위치가, 기판(W)의 휨량의 최대 변위보다 작아지는 경우도 있을 수 있다.
이와 같이 가열 시퀀스가 제약에 저촉된 경우에는, 인터페이스부(5)로부터 에러를 알람하고, 예를 들면 제 2 단계의 승온 속도를 저하시키는 변경을 접수한다. 이 때, 가열 단계의 수를 늘려 예를 들면 예비 가열 온도까지 승온을 행한 후(제 1 단계), 승온 속도를 2 회로 나누어 변화시키고(제 2 단계, 제 3 단계), 그 후, 가열 플레이트(2) 상에 기판(W)을 배치하는(제 4 단계) 설정을 접수해도 된다.
이상으로 설명한 각 단계의 갭 높이 위치, 및 가열 시간의 결정법은, 가열 시퀀스 설정 프로그램(424)으로서 제어부(4)의 메모리(42)에 기억되어 있다. 또한 설명의 편의상, 도 2에 있어서는 예비 가열 온도 데이터(421) 등이 기억되어 있는 메모리(42)와 휨 데이터(431) 등이 기억되어 있는 메모리(43)를 별도로 나타냈지만, 이들 메모리(42, 43)를 공통으로 해도 되는 것은 물론이다.
이상으로 설명한 구성을 구비하는 열처리 모듈(1)의 동작에 대하여, 도 10 ~도 14를 참조하여 설명한다.
먼저, 기판(W)의 가열 시퀀스를 작성하는 동작에 대하여, 도 10의 순서도를 참조하여 설명한다.
예를 들면 새로운 로트의 기판(W)의 처리를 개시하는 타이밍에서(시작), 인터페이스부(5)를 개재하여 오퍼레이터로부터 기판 정보(기판(W)의 두께 치수, 도포막의 유무, 도포막의 두께 치수 또는 기판 재료 등), 처리 조건(가열 플레이트(2)의 설정 온도 또는 처리 공간 내의 압력 조건)의 입력을 접수한다(단계(S101)).
입력된 가열 플레이트(2)의 설정 온도에 있어서, 기판(W)에 휨이 발생하지 않는 경우에는(단계(S102) ; NO), 가열 플레이트(2) 상에 기판(W)을 직접 배치하여 가열을 행하는 레시피를 작성하도록, 레시피 작성 데이터를 출력하고(단계(S103)), 가열 시퀀스의 작성 동작을 끝낸다(종료).
입력된 설정 온도에서, 기판(W)에 휨이 발생하는 경우에는(단계(S102) ; YES), 도 7 ~ 도 9를 이용하여 설명한 방법에 의해, 승온 특성 데이터(432)로부터 각 단계에 있어서의 갭 높이 위치를 선택하고(단계(S104)), 작성하는 가열 시퀀스의 열이력이 입력된 기판 정보, 처리 조건에 있어서의 열이력 설정 데이터(433)와 일치하도록 각 단계의 가열 시간을 결정한다(단계(S105)).
그리고 작성한 가열 시퀀스가, 복귀 시간이 확보되어 있는 것 또는 갭 높이 위치가 휨량의 최대 변위보다 큰 것 등의 제약을 만족하고 있는 것을 확인한다(단계(S106)). 이들의 제약을 만족하지 않는 경우에는(단계(S106) ; NO), 인터페이스부(5)로부터 에러를 알람하고, 오퍼레이터로부터 승온 속도 데이터(423) 등의 파라미터의 변경을 접수한 후(단계(S108)), 가열 시퀀스의 작성을 반복한다(단계(S104, S105)).
한편, 제약을 만족하는 가열 시퀀스를 작성할 수 있으면(단계(S106) ; YES), 각 단계의 갭 높이 및 가열 시간을 레시피 작성 데이터로서 출력하고(단계(S107)), 가열 시퀀스의 작성 동작을 끝낸다(종료).
상술한 동작에 의해, 가열 시퀀스가 작성되면, 열처리 모듈(1)에 기판(W)을 반송하여 가열을 행한다.
먼저 열처리 모듈(1)은, 사전에 설정된 처리 조건의 설정 온도까지 가열 플레이트(2)를 승온시킨 상태로 대기하고 있다. 그리고 예를 들면, 도포, 현상 장치의 도포 모듈에서 레지스트액의 도포가 행해진, 또는 현상 모듈에서 현상액이 공급되어 현상 된 후의 기판(W)이 기판 반송 기구에 의해 열처리 모듈(1)로 반송된다. 이 때 도 11에 나타낸 바와 같이, 열처리 모듈(1)은, 통 형상 벽부(12)를 기대부(11) 내까지 강하시키고, 지지 핀(3)을 전달 위치까지 상승시켜, 열처리 모듈(1) 내로 진입한 기판 반송 기구로부터 기판(W)을 수취한다.
이후, 통 형상 벽부(12)를 상승시켜 덮개부(13)와 통 형상 벽부(12)로 둘러싸인 처리 공간 내를 배기하고, 또한 기판(W)을 제 1 단계의 갭 높이 위치까지 강하시켜, 예비 가열 온도(T1)까지 가열한다(도 12).
기판(W)이 예비 가열 온도까지 승온되면, 상기 기판(W)을 제 2 단계의 갭 높이 위치까지 강하시켜, 사전에 설정된 온도(T2)까지 승온한다(도 13).
그리고 기판(W)이 온도(T2)까지 승온되면, 상기 기판(W)을 가열 플레이트(2) 상에 배치하고, 가열 시퀀스에 정해진 시간만큼 가열을 행한다(도 14).
그런 다음, 소정 시간이 경과하면, 전달 위치까지 기판(W)을 상승시키고, 처리 공간 내의 배기를 정지해 통 형상 벽부(12)를 강하시키고, 기판(W)을 반출한다. 또한 반출 전에 기판(W)을 냉각할 필요가 있는 경우에는, 예를 들면 전달 위치에서 소정 시간만큼 대기시킨 후, 기판(W)을 반출해도 된다.
이들의 동작에 있어서, 도 15a에 나타낸 바와 같이 평탄한 상태로 지지 핀(3)에 전달된 기판(W)이, 제 1 단계, 제 2 단계로 차례로, 승온되는 과정에서 휨이 발생하고(도 15b)), 그 후, 평탄한 상태로 복귀되고 나서 가열 플레이트(2) 상에 배치되어 가열이 행해진다(도 15c).
처리가 완료되면 열처리 모듈(1)은, 지지 핀(3)을 상승시키고, 통 형상 벽부(12)를 강하시켜 전달 위치까지 반송하고, 통 형상 벽부(12)를 강하시킨다. 그런 다음, 기판(W)은, 열처리 모듈 내로 진입한 기판 반송 기구에 전달되고, 다음의 처리 모듈로 반송된다.
본 실시의 형태에 따른 열처리 모듈(1)에 의하면 이하의 효과가 있다. 지지 핀(3)에 지지된 기판(W)이 가열 플레이트(2)의 상방측에서 가열되고, 기판(W)에 휨이 발생하는 온도까지 승온된 후, 휨이 발생한 기판(W)이 평탄하게 복귀되는 복귀 시간이 경과되고 나서 상기 기판(W)을 가열 플레이트(2)에 배치하므로, 평탄한 기판(W)에 대하여 균일한 가열을 행할 수 있다. 또한, 휨이 해소된 후에는 기판(W)을 가열 플레이트(2) 상에 배치하여 가열을 행함으로써, 처리 시간의 증대를 억제하고, 신속하게 처리를 행할 수 있다.
여기서, 본 실시 형태에 따른 열처리 모듈(1)을 이용하여 가열하는 기판(W)의 종류는 탄탈산 리튬을 기판 재료로 하는 것에 한정되지 않는다. 탄탈산 리튬을 포함하는, 갈륨 비소, 니오브산 리튬으로 이루어지는 기판 재료군으로부터 선택된 기판 재료에 의해 구성된 기판(W)에 대해서도, 열처리 모듈(1)을 이용한 단계적인 승온을 행함으로써, 휨의 영향을 억제하여 균일한 가열을 행할 수 있다. 이들의 기판 재료를 물성의 관점에서 보았을 시, 열전도율이 55 W/(m·℃) 이하의 기판 재료이면, 가열 시의 휨의 문제가 발생할 수 있으므로, 본 예의 열처리 모듈(1)을 이용하여 가열을 행하는 것에 따른 휨의 영향의 억제 효과가 얻어진다.
또한, 기판(W)의 가열이 행해지는 처리 공간 내를 배기하는 것은 필수가 아니고, 대기 분위기 하에서 또는 불활성 가스 분위기 하에서 가열을 행해도 된다. 또한, 처리 공간은 도 1에 나타낸 통 형상 벽부(12), 덮개부(13)를 이용하여 구성하는 예에 한정되지 않으며, 예를 들면 기판(W)의 반입반출구가 형성된 하우징 내에 가열 플레이트(2)를 마련하여, 상기 반입반출구를 셔터로 개폐하는 구조로 해도 된다.
또한, 가열 플레이트(2)의 설정 온도는, 기판(W)을 배치하여 처리할 시의 온도로 사전에 승온해 두는 경우에 한정되지 않고, 기판(W)의 강하에 맞춰 가열 플레이트(2)의 온도를 변화시켜도 된다. 예를 들면, 제 1 단계 ~ 제 3 단계로 기판(W)을 강하시킴에 따라, 점차 가열 플레이트(2)의 온도를 상승시키는 경우를 생각할 수 있다.
이에 더하여, 휨이 발생한 기판(W)에 대하여, 복귀 시간이 경과한 타이밍을 아는 방법은, 사전에 파악해 둔 기판(W)의 온도와 복귀 시간과의 관계에 기초하여 추정하는 경우에 한정되지 않는다. 예를 들면 가열 플레이트(2)의 상방에서 지지 핀(3)에 지지되어 있는 기판(W)의 휨을 레이저 변위계로 실시간으로 감시해도 된다. 예를 들면 기판(W)의 휨의 발생은, 기판(W)의 중심부측과 주연부측과의 복수 개소의 높이 위치를 검출하고, 이들의 위치의 차를 구함으로써 특정할 수 있다.
이 경우에는, 전달 위치로부터 기판(W)을 천천히 강하시키고, 휨의 발생 후, 평탄하게 복귀된 것이 검출된 타이밍에서 기판(W)의 강하 속도를 올려, 가열 플레이트(2) 상에 배치하는 방법을 채용해도 된다. 이러한 방법은, 처리 결과에 대한 열이력의 영향이 작은 타입의 기판(W)에 있어서 유효하다.
이 예와 같이, 지지 핀(3)에 지지된 기판(W)은, 정해진 갭 높이 위치(상술한 제 1, 제 2 높이 위치)에서 정지시켜 가열을 행하는 것은 필수가 아니고, 기판(W)을 연속적으로 강하시키면서 가열을 행해도 된다.
주로 실리콘을 포함하는 실리콘 기판으로서, 예를 들면 100 μm 이하 두께의 얇은 기판에 있어서는 열에 따른 변형의 특성이 본원 청구항 1에 기재된 '승온의 과정에서 휨이 발생하고, 그 후 평탄하게 복귀되는 기판'도 포함되는 것이다.
W : 기판
1 : 열처리 모듈
2 : 가열 플레이트
3 : 지지 핀
31 : 승강 부재
32 : 승강 모터:
4 : 제어부
431 : 휨 데이터:
432 : 승온 특성 데이터:
433 : 열이력 설정 데이터
1 : 열처리 모듈
2 : 가열 플레이트
3 : 지지 핀
31 : 승강 부재
32 : 승강 모터:
4 : 제어부
431 : 휨 데이터:
432 : 승온 특성 데이터:
433 : 열이력 설정 데이터
Claims (17)
- 기판의 가열을 행하는 열처리 장치에 있어서,
승온의 과정에서 휨이 발생하고, 그 후, 평탄하게 복귀되는 기판이 배치되고, 상기 기판을 가열하는 가열 온도로 조절되는 가열 플레이트와,
상기 가열 플레이트에 대하여 돌출 및 함몰 가능하게 마련되고, 기판을 하면측으로부터 지지하는 지지 부재와,
상기 가열 플레이트의 상방측에 설정되고, 상기 지지 부재에 대한 기판의 전달이 행해지는 전달 위치와, 상기 가열 플레이트의 하방측의 위치와의 사이에서, 상기 지지 부재를 승강시키는 승강 기구와,
상기 전달 위치로부터 기판을 강하시키는 기간 중, 상기 가열 플레이트의 상방측에서 상기 가열 플레이트로부터의 열에 의해 휨이 발생하는 온도까지 기판을 승온하고, 이어서, 기판이 평탄하게 복귀될 때까지의 복귀 시간의 경과 후에 상기 기판을 가열 플레이트에 배치하도록 상기 승강 기구를 작동시켜, 상기 지지 부재의 위치 제어를 행하는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 휨이 발생하는 온도 이상의 온도로 기판이 승온되는 제 1 높이 위치에서 상기 지지 부재의 강하를 정지시키고, 처리 대상의 기판에 휨이 발생하고, 상기 복귀 시간이 경과한 후에, 재차, 상기 지지 부재를 강하시키도록 상기 승강 기구를 제어하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 높이 위치는, 가열 플레이트로부터의 거리가, 상기 위치에서 기판에 발생하는 휨의 높이 방향의 최대 변위보다 커지는 위치로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치. - 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 제 1 높이 위치보다 상방측의 제 2 높이 위치에서 상기 지지 부재의 강하를 정지시키고, 처리 대상의 기판을 예비 가열한 후에, 재차, 상기 지지 부재를 강하시키도록 상기 승강 기구를 제어하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어부는, 사전에 기판의 종류마다 취득한, 기판에 휨이 발생하는 온도와 상기 복귀 시간과의 대응 관계에 기초하여, 처리 대상의 기판에 대한 상기 복귀 시간이 경과하는 타이밍을 추정하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어부는, 사전에 기판의 종류마다 취득한, 상기 가열 온도로 조절된 가열 플레이트로부터 기판까지의 거리와, 상기 기판의 온도의 시간 경과에 따른 변화와의 관계에 기초하여, 처리 대상의 기판의 온도를 추정하고, 상기 지지 부재를 강하시킬 시의 위치 제어에 이용하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 전달 위치에서 지지 부재에 기판을 전달하고 나서, 상기 가열 플레이트의 배치면에 기판을 배치하고, 그 후, 상기 배치면으로부터 기판을 상승시킬 때까지의 기간 중의 기판의 온도의 시간 적분치가, 사전에 설정된 값이 되도록 설정된 가열 시퀀스에 기초하여, 상기 지지 부재를 승강시키는 위치와 타이밍을 결정하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 기판의 온도의 시간 적분치는, 사전에 기판의 종류마다 취득한, 상기 가열 플레이트로부터 기판까지의 거리와, 상기 기판의 평균 승온 속도와의 관계에 기초하여 구해지는 것을 특징으로 하는 열처리 장치. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판은, 탄탈산 리튬, 갈륨 비소, 니오브산 리튬으로 이루어지는 기판 재료군으로부터 선택된 기판 재료에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 열처리 장치. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판은, 열전도율이 55 W/(m·℃) 이하의 기판 재료에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 열처리 장치. - 기판을 가열 플레이트에 배치하여 가열을 행하는 열처리 방법에 있어서,
상기 가열 플레이트의 상방측에 설정된 전달 위치에서, 상기 가열 플레이트에 대하여 돌출 및 함몰 가능하게 마련된 지지 부재에 기판을 지지시키는 공정과,
상기 지지 부재를 강하시켜 기판을 이동시키는 기간 중, 상기 가열 플레이트의 상방측에서 상기 가열 플레이트로부터의 열에 의해 기판을 승온하고, 상기 기판에 휨을 발생시키는 공정과,
상기 가열 플레이트의 상방측에서, 상기 휨의 발생 후, 기판이 평탄하게 복귀되는 복귀 시간의 경과를 기다리는 공정과,
상기 복귀 시간의 경과 후에, 상기 지지 부재를 상기 가열 플레이트의 하방측으로 강하시켜, 상기 기판을 가열 플레이트에 배치하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리 방법. - 제 11 항에 있어서,
상기 기판에 휨을 발생시키는 공정, 및 복귀 시간의 경과를 기다리는 공정은, 휨이 발생하는 온도 이상의 온도로 기판이 승온되는 제 1 높이 위치에서 상기 지지 부재의 강하를 정지시켜 행하는 것을 특징으로 하는 열처리 방법. - 제 12 항에 있어서,
상기 제 1 높이 위치는, 가열 플레이트로부터의 거리가, 상기 위치에서 기판에 발생하는 휨의 높이 방향의 최대 변위보다 커지는 위치로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 방법. - 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
상기 제 1 높이 위치보다 상방측의 제 2 높이 위치에서 상기 지지 부재의 강하를 정지시키고, 처리 대상의 기판을 예비 가열한 후에, 재차, 상기 지지 부재를 강하시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리 방법. - 제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판은, 탄탈산 리튬, 갈륨 비소, 니오브산 리튬으로부터 이루어지는 기판 재료군으로부터 선택된 기판 재료에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 열처리 방법. - 제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판은, 열전도율이 55 W/(m·℃) 이하의 기판 재료에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 열처리 방법. - 배치된 기판의 가열을 행하는 가열 플레이트를 구비한 열처리 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램을 기억하는 기억 매체로서,
상기 컴퓨터 프로그램은, 제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 기재된 열처리 방법을 실행하도록 단계군이 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 기억 매체.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2014-097775 | 2014-05-09 | ||
| JP2014097775A JP6107742B2 (ja) | 2014-05-09 | 2014-05-09 | 熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20150128581A true KR20150128581A (ko) | 2015-11-18 |
| KR102338243B1 KR102338243B1 (ko) | 2021-12-10 |
Family
ID=54577751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150063038A KR102338243B1 (ko) | 2014-05-09 | 2015-05-06 | 열처리 장치, 열처리 방법 및 기억 매체 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6107742B2 (ko) |
| KR (1) | KR102338243B1 (ko) |
| CN (1) | CN105097612B (ko) |
| TW (1) | TWI610337B (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110931385A (zh) * | 2018-09-20 | 2020-03-27 | 株式会社斯库林集团 | 加热装置以及加热方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102447723B1 (ko) * | 2016-03-18 | 2022-09-27 | 에이씨엠 리서치 (상하이) 인코포레이티드 | 기판 열처리 장치 |
| CN110416110A (zh) * | 2018-04-28 | 2019-11-05 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | Sog片预处理方法、sog片传输方法、系统及翘曲度检测装置 |
| KR20210021524A (ko) * | 2018-06-22 | 2021-02-26 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 |
| JP2020035834A (ja) | 2018-08-28 | 2020-03-05 | キオクシア株式会社 | 加熱処理装置および加熱処理方法 |
| KR102225682B1 (ko) * | 2018-09-28 | 2021-03-12 | 세메스 주식회사 | 기판의 열처리 방법 |
| JP7269713B2 (ja) * | 2018-10-09 | 2023-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板冷却装置及び基板冷却方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006093495A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | 基板の加熱装置及び方法 |
| JP2008301066A (ja) | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Yamajiyu Ceramics:Kk | タンタル酸リチウム（ｌｔ）又はニオブ酸リチウム（ｌｎ）単結晶複合基板 |
| JP2010034208A (ja) * | 2008-07-28 | 2010-02-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
| JP2013145916A (ja) * | 2013-04-08 | 2013-07-25 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002203995A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-19 | Toshiba Corp | 基板加熱方法、基板冷却方法、及びそれらの装置 |
| JP3755814B2 (ja) * | 2001-08-07 | 2006-03-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理方法及び熱処理装置 |
| JP4250469B2 (ja) * | 2003-07-14 | 2009-04-08 | キヤノンマーケティングジャパン株式会社 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
| JP4694878B2 (ja) * | 2005-04-20 | 2011-06-08 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
| JP5125031B2 (ja) * | 2006-08-29 | 2013-01-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置及び真空処理方法 |
| JP4457242B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2010-04-28 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2011228531A (ja) * | 2010-04-21 | 2011-11-10 | M.Solar Co Ltd | コンパウンドウエハーの薬液加熱乾燥装置並びにその方法 |
| JP2012010054A (ja) * | 2010-06-24 | 2012-01-12 | Ngk Insulators Ltd | 複合基板及びそれを用いた弾性波デバイス |
| JP5542743B2 (ja) * | 2010-10-07 | 2014-07-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置および熱処理方法 |
| JP5547147B2 (ja) * | 2011-09-13 | 2014-07-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| JP5964626B2 (ja) * | 2012-03-22 | 2016-08-03 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理装置 |
-
2014
- 2014-05-09 JP JP2014097775A patent/JP6107742B2/ja active Active
-
2015
- 2015-05-05 TW TW104114204A patent/TWI610337B/zh active
- 2015-05-06 KR KR1020150063038A patent/KR102338243B1/ko active IP Right Grant
- 2015-05-08 CN CN201510232817.6A patent/CN105097612B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006093495A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | 基板の加熱装置及び方法 |
| JP2008301066A (ja) | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Yamajiyu Ceramics:Kk | タンタル酸リチウム（ｌｔ）又はニオブ酸リチウム（ｌｎ）単結晶複合基板 |
| JP2010034208A (ja) * | 2008-07-28 | 2010-02-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
| JP2013145916A (ja) * | 2013-04-08 | 2013-07-25 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110931385A (zh) * | 2018-09-20 | 2020-03-27 | 株式会社斯库林集团 | 加热装置以及加热方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2015216212A (ja) | 2015-12-03 |
| JP6107742B2 (ja) | 2017-04-05 |
| CN105097612B (zh) | 2019-05-03 |
| KR102338243B1 (ko) | 2021-12-10 |
| TW201608606A (zh) | 2016-03-01 |
| CN105097612A (zh) | 2015-11-25 |
| TWI610337B (zh) | 2018-01-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20150128581A (ko) | 열처리 장치, 열처리 방법 및 기억 매체 | |
| JP4531778B2 (ja) | 温度制御方法、温度調節器および加熱処理装置 | |
| JP4781901B2 (ja) | 熱処理方法，プログラム及び熱処理装置 | |
| CN107924826B (zh) | 半导体装置的制造方法、基板处理装置以及记录介质 | |
| JP5296022B2 (ja) | 熱処理方法及びその熱処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体並びに熱処理装置 | |
| KR20070122390A (ko) | 기판 처리 방법 및 장치 | |
| JP2008166514A (ja) | 温度制御方法、調整装置、温度調節器、プログラム、記録媒体および加熱処理装置 | |
| JP6446563B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
| KR20180073477A (ko) | 열처리 장치, 열처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체 | |
| JP2016186962A (ja) | 熱処理装置、熱処理における異常検出方法及び読み取り可能なコンピュータ記憶媒体 | |
| JP2006237262A (ja) | 加熱処理装置 | |
| JP6944993B2 (ja) | 発熱体、基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP2016186991A (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
| JP2007305728A (ja) | 熱処理における温度安定化方法及びそのプログラム | |
| JP6823709B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
| KR102360141B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
| JP7200638B2 (ja) | 熱処理装置及び熱処理方法 | |
| JP7198718B2 (ja) | 熱処理装置および熱処理方法 | |
| JP6313253B2 (ja) | 熱処理装置、熱処理方法及びコンピュータ記憶媒体 | |
| KR20240022689A (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
| JP2023168056A (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム | |
| KR20190089546A (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
| JP2008034824A (ja) | 基板処理方法および装置 | |
| JP2018120978A (ja) | 熱処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |