JP2016530340A - 化学種発生向上試剤 - Google Patents
化学種発生向上試剤 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016530340A JP2016530340A JP2016503476A JP2016503476A JP2016530340A JP 2016530340 A JP2016530340 A JP 2016530340A JP 2016503476 A JP2016503476 A JP 2016503476A JP 2016503476 A JP2016503476 A JP 2016503476A JP 2016530340 A JP2016530340 A JP 2016530340A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reagent
- group
- chemical species
- light
- precursor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/26—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
- C08F220/28—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing no aromatic rings in the alcohol moiety
- C08F220/283—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing no aromatic rings in the alcohol moiety and containing one or more carboxylic moiety in the chain, e.g. acetoacetoxyethyl(meth)acrylate
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
- G03F7/0397—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
- G03F7/203—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure comprising an imagewise exposure to electromagnetic radiation or corpuscular radiation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
Description
本出願の特許請求の範囲は、米国特許法35U.S.C.S119(e)に基づいて2013年8月7日に出願された米国仮出願第61/863,354号の利益を主張するものであり、その内容がここに援用される。
感度(E0感度)は、EB線源及びUV光源(輝線波長は主に320nm〜380nmである)を用いて、塗布膜の厚みがゼロでない2μmのラインと塗布膜の厚みがゼロである2μmのスペースからなるパターンを形成するための総ドーズを測定することにより評価する。たとえUV光源を用いるUV露光がマスクなしで行われたとしても、2μmのスペースはEBで露光された塗布膜の一部に形成される。これは、アセタール化合物と塗布膜の照射によってPAGから発生する酸との反応の結果生じるケトン化合物が、UV露光の光増感剤として機能することを示す。
Claims (29)
- 試剤であって、
生成物が、前記試剤から発生し、
前記生成物が、前駆体からの、前記前駆体の第1反応による第1化学種の発生を向上させることを特徴とする試剤。 - 試剤であって、
保護基を含む第1部分と、
π共役系を含む第2部分とを含み、
前記第1部分の脱保護反応が、前記第1部分と第1化学種との反応によって起こり、波長が200nm以上の光を吸収する生成物、前記第1部分を生成する試剤。 - 前記生成物が、前駆体からの前記第1化学種の発生を向上させる請求項1に記載の試剤。
- 前記第1化学種が酸である請求項2に記載の試剤。
- 前記生成物は、波長が第1波長である第1光を吸収し増感剤として作用することによって、前記前駆体からの前記第1化学種の前記発生を向上させる請求項1に記載の試剤。
- 前記試剤と第2化学種の第2反応が前記生成物を生じる請求項1に記載の試剤。
- 第2光又は粒子線を用いる前駆体の照射が第2化学種を生じる請求項5に記載の試剤。
- 前記試剤自体は、前記前駆体からの前記第1化学種の前記発生を向上させない請求項1に記載の試剤。
- 前記第2光の第2波長が50nm以下である請求項7に記載の試剤。
- 前記粒子線が電子ビームである請求項7に記載の試剤。
- 前記第2化学種が前記第1化学種と同一である請求項7に記載の試剤。
- 前記第1光の前記第1波長が前記第2光の第2波長よりも長い請求項7に記載の試剤。
- 前記試剤がポリマーである請求項1に記載の試剤。
- 前記生成物が電子供与性増感剤として作用する請求項5に記載の試剤。
- 請求項1に記載の試剤と、
前記前駆体とを含む組成物。 - 樹脂、又は分子量が2000を超える化合物をさらに含む請求項15に記載の組成物。
- 前記前駆体が、前記生成物の光増感によって前記第1化学種を発生させる請求項15に記載の組成物。
- 前記生成物が、第1光を吸収することによって増感剤として作用する請求項17に記載の組成物。
- 前記第1光の第1波長が300nm以上である請求項18に記載の組成物。
- 前記前駆体が、第2光又は粒子線を吸収することによって前記第1化学種を発生させる請求項18に記載の組成物。
- 式(I)のうちの1つにより示される試剤と、酸又は塩基の発生源として機能する前駆体と、を含む組成物。
R2は水素原子、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルキル基、アルケニル基、アラルキル基、アルキニル基、環状若しくは多環状部分を含むアルキル基、又は炭素原子及び水素原子以外の原子を少なくとも1つ含む置換基であり、
R3及びR4はそれぞれ、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルキル基、アルケニル基、アラルキル基、アルキニル基、環状若しくは多環状部分を含むアルキル基、又は炭素原子及び水素原子以外の原子を少なくとも1つ含む置換基であり、
Yは酸素原子又は硫黄原子である。) - R1が、少なくとも1つの結合を介してR2に結合している請求項21に記載の組成物。
- R3が、少なくとも1つの結合を介してR4に結合している請求項21に記載の組成物。
- 前記生成物が前記試剤の脱保護反応により生成される請求項21に記載の組成物。
- 前記試剤が、非環状又は環状アセタール基、非環状又は環状ジチオアセタール基、非環状又は環状モノチオアセタール基を含む請求項21に記載の組成物。
- 前記π共役系が芳香族基である請求項21に記載の組成物。
- 前記芳香族基が少なくとも1つの電子供与性基に結合している請求項26に記載の組成物。
- 請求項16に記載の組成物の溶液を、前記組成物を含む塗布膜が基材上に形成されるように基材に塗布する工程と、
前記塗布膜の第1部分が前記電磁波及び前記粒子線のうちの少なくとも1つで照射され、前記塗布膜の第2部分が電磁波及び粒子線のうちの少なくとも1つで照射されないように前記塗布膜を第1電磁波及び第1粒子線のうちの少なくとも1つで第1照射する工程と、
前記塗布膜をUV光及び可視光のうちの少なくとも1つで第2照射する工程と、
前記第1部分を除去する工程と、
前記第1部分が上に存在してきた前記基材の第3部分がエッチングされるように前記基材をエッチングする工程とを含む装置の製造方法。 - 前記第2反応が、前記試剤のアセタールの脱保護反応である請求項7に記載の試剤。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201361863354P | 2013-08-07 | 2013-08-07 | |
US61/863,354 | 2013-08-07 | ||
PCT/JP2014/004119 WO2015019616A1 (en) | 2013-08-07 | 2014-08-07 | Reagent for enhancing generation of chemical species |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016530340A true JP2016530340A (ja) | 2016-09-29 |
JP6537118B2 JP6537118B2 (ja) | 2019-07-03 |
Family
ID=52460971
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016503476A Active JP6537118B2 (ja) | 2013-08-07 | 2014-08-07 | 化学増幅フォトレジスト組成物及び装置の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10031416B2 (ja) |
JP (1) | JP6537118B2 (ja) |
WO (1) | WO2015019616A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019240279A1 (ja) * | 2018-06-14 | 2019-12-19 | 国立大学法人大阪大学 | レジストパターン形成方法 |
WO2024038802A1 (ja) * | 2022-08-15 | 2024-02-22 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016530339A (ja) * | 2013-06-27 | 2016-09-29 | 東洋合成工業株式会社 | 化学種発生向上試剤 |
WO2015019616A1 (en) | 2013-08-07 | 2015-02-12 | Toyo Gosei Co., Ltd. | Reagent for enhancing generation of chemical species |
WO2015052914A1 (en) * | 2013-10-07 | 2015-04-16 | Toyo Gosei Co., Ltd. | Reagent for enhancing generation of chemical species and manufacturing apparatus |
US9567277B2 (en) | 2013-10-08 | 2017-02-14 | Toyo Gosei Co., Ltd. | Reagent for enhancing generation of chemical species |
JP2015134904A (ja) | 2013-11-18 | 2015-07-27 | 東洋合成工業株式会社 | 化学種発生向上化合物 |
EP3109703B1 (en) * | 2014-02-21 | 2020-12-30 | Tokyo Electron Limited | Photosensitization chemical-amplification type resist material, and method for forming pattern using same |
KR102357133B1 (ko) * | 2014-02-21 | 2022-01-28 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 광증감 화학 증폭형 레지스트 재료 및 이를 이용한 패턴 형성 방법, 반도체 디바이스, 리소그래피용 마스크와, 나노임프린트용 템플릿 |
JPWO2016133073A1 (ja) * | 2015-02-18 | 2017-11-24 | 東洋合成工業株式会社 | 化合物、該化合物を含有する組成物及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
CN107250310B (zh) * | 2015-02-18 | 2019-05-28 | 3M创新有限公司 | 被保护的光交联剂制成的丙烯酸类粘合剂组合物 |
JP6774814B2 (ja) | 2015-08-20 | 2020-10-28 | 国立大学法人大阪大学 | 化学増幅型レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP6809843B2 (ja) | 2015-08-20 | 2021-01-06 | 国立大学法人大阪大学 | パターン形成方法 |
JP6512994B2 (ja) | 2015-08-20 | 2019-05-15 | 国立大学法人大阪大学 | 化学増幅型レジスト材料 |
JP6507958B2 (ja) | 2015-09-10 | 2019-05-08 | Jsr株式会社 | 化学増幅型レジスト材料及びレジストパターン形成方法 |
JP2017054116A (ja) | 2015-09-10 | 2017-03-16 | Jsr株式会社 | レジストパターン形成方法 |
WO2017057537A1 (ja) * | 2015-10-01 | 2017-04-06 | 東洋合成工業株式会社 | ポリマー、該ポリマーを含有するレジスト組成物及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
US10018911B2 (en) | 2015-11-09 | 2018-07-10 | Jsr Corporation | Chemically amplified resist material and resist pattern-forming method |
US9989849B2 (en) * | 2015-11-09 | 2018-06-05 | Jsr Corporation | Chemically amplified resist material and resist pattern-forming method |
JP6827037B2 (ja) * | 2016-04-28 | 2021-02-10 | 東洋合成工業株式会社 | レジスト組成物及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002527795A (ja) * | 1998-10-14 | 2002-08-27 | クラリアント・インターナシヨナル・リミテッド | ポジ型フォトレジスト用の混合溶剤系 |
JP2008133448A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-06-12 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 重合性アニオンを有するスルホニウム塩及び高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2009217253A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-09-24 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2010077377A (ja) * | 2008-09-23 | 2010-04-08 | Korea Kumho Petrochem Co Ltd | オニウム塩化合物、それを含む高分子化合物、前記高分子化合物を含む化学増幅型レジスト組成物、および前記組成物を用いたパターン形成方法 |
JP2011256390A (ja) * | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Korea Kumho Petrochemical Co Ltd | 化合物、これを含む重合体、及びその重合体を含む化学増幅型レジスト組成物 |
WO2012105479A1 (ja) * | 2011-02-02 | 2012-08-09 | 東洋合成工業株式会社 | 2,2-ジメトキシ-1,2-ジ-[4-(メタ)アクリロイルオキシ]フェニルエタン-1-オン、その製造方法及びラジカル重合開始剤並びに光硬化性組成物 |
JP2013517345A (ja) * | 2010-01-18 | 2013-05-16 | リントフィールド リミテッド | 光開始反応 |
Family Cites Families (76)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3503993A (en) * | 1965-06-08 | 1970-03-31 | Du Pont | 4-keto-1,3-dioxanes |
US3622848A (en) * | 1970-03-19 | 1971-11-23 | Du Pont | Capacitor with photocrosslinked dielectric |
FI60194C (fi) | 1972-07-28 | 1981-12-10 | Ciba Geigy Ag | Foerfarande foer framstaellning av bensil-monoketaler |
US4439516A (en) * | 1982-03-15 | 1984-03-27 | Shipley Company Inc. | High temperature positive diazo photoresist processing using polyvinyl phenol |
US4931380A (en) * | 1985-07-18 | 1990-06-05 | Microsi, Inc. | Pre-exposure method for increased sensitivity in high contrast resist development of positive working diazo ketone photoresist |
DE3604580A1 (de) * | 1986-02-14 | 1987-08-20 | Basf Ag | Haertbare mischungen, enthaltend n-sulfonylaminosulfoniumsalze als kationisch wirksame katalysatoren |
DE3833650A1 (de) * | 1988-10-04 | 1990-04-05 | Basf Ag | Kontinuierliches verfahren zur herstellung eines lichtempfindlichen aufzeichnungselements |
JPH02180909A (ja) | 1988-12-30 | 1990-07-13 | Ipposha Oil Ind Co Ltd | ベンゾフェノン系化合物及びその単独重合物或いは共重合物 |
DE3905765A1 (de) * | 1989-02-24 | 1990-08-30 | Basf Ag | Lichtempfindliches aufzeichnungselement |
JP2616820B2 (ja) * | 1989-05-20 | 1997-06-04 | 松下電子工業株式会社 | レジストパターンの形成方法 |
US5262281A (en) * | 1990-04-10 | 1993-11-16 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Resist material for use in thick film resists |
DE4014489A1 (de) | 1990-05-07 | 1991-11-14 | Merck Patent Gmbh | Copolymerisierbare benzilketal-fotoinitiatoren |
US5576143A (en) * | 1991-12-03 | 1996-11-19 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Light-sensitive composition |
JPH05310635A (ja) * | 1992-05-12 | 1993-11-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | ベンジルケタール誘導体 |
JP3119957B2 (ja) * | 1992-11-30 | 2000-12-25 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP2661635B2 (ja) * | 1994-08-12 | 1997-10-08 | 工業技術院長 | アセタール化合物の製造方法 |
US5633103A (en) * | 1994-10-28 | 1997-05-27 | Lucent Technologies Inc. | Self-aligned alignment marks for phase-shifting masks |
JPH08166670A (ja) * | 1994-12-13 | 1996-06-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
US5684621A (en) | 1995-05-08 | 1997-11-04 | Downing; Elizabeth Anne | Method and system for three-dimensional display of information based on two-photon upconversion |
JPH0954437A (ja) * | 1995-06-05 | 1997-02-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | 化学増幅型ポジレジスト組成物 |
US6048667A (en) | 1995-07-19 | 2000-04-11 | Ciba Specialty Chemicals Corp. | Heterogeneous photo-initiators, photopolymerizable compositions and their use |
US5900472A (en) * | 1996-12-23 | 1999-05-04 | Sartomer Technology | Copolymerizable benzophenone photoinitiators |
EP1265103A1 (en) * | 2000-12-05 | 2002-12-11 | Kansai Research Institute, Inc. | Active components and photosensitive resin compositions containing the same |
AU2003218051A1 (en) | 2002-03-08 | 2003-09-22 | Rensselaer Polytechnic Institute | Accelerators for cationic photopolymerization |
US7122294B2 (en) | 2003-05-22 | 2006-10-17 | 3M Innovative Properties Company | Photoacid generators with perfluorinated multifunctional anions |
JP4547598B2 (ja) | 2003-09-08 | 2010-09-22 | Dic株式会社 | 調光層形成材料及び液晶デバイス |
US7141354B2 (en) | 2003-09-30 | 2006-11-28 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Photo radical generator, photo sensitive resin composition and article |
JP4477421B2 (ja) | 2004-05-28 | 2010-06-09 | 富士通株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP4524154B2 (ja) * | 2004-08-18 | 2010-08-11 | 富士フイルム株式会社 | 化学増幅型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP2006139047A (ja) | 2004-11-12 | 2006-06-01 | Sharp Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
CA2599476A1 (en) | 2005-03-16 | 2006-09-21 | F. Hoffmann-La Roche Ag | Cis-2,4,5-triaryl-imidazolines and their use as anti-cancer medicaments |
US7514764B2 (en) | 2005-03-23 | 2009-04-07 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Materials and methods for creating imaging layers |
JP2007031650A (ja) | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Japan Atomic Energy Agency | 量子ビームにより着色する樹脂組成物とナノイメージング形成方法 |
US7102802B1 (en) | 2006-02-22 | 2006-09-05 | General Electric Company | Methods for storing holographic data and articles having enhanced data storage lifetime derived therefrom |
WO2007124092A2 (en) | 2006-04-21 | 2007-11-01 | Cornell Research Foundation, Inc. | Photoacid generator compounds and compositions |
CN104281006B (zh) * | 2006-11-02 | 2019-01-22 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 放射线敏感性组合物 |
DE102006053074B4 (de) * | 2006-11-10 | 2012-03-29 | Qimonda Ag | Strukturierungsverfahren unter Verwendung chemisch verstärkter Fotolacke und Belichtungsvorrichtung |
JP2010513625A (ja) * | 2006-12-20 | 2010-04-30 | バーゼル・ポリオレフィン・イタリア・ソチエタ・ア・レスポンサビリタ・リミタータ | オレフィン重合用の触媒成分及びそれから得られる触媒 |
JP2009038150A (ja) | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置 |
CN102026967B (zh) | 2007-10-10 | 2013-09-18 | 巴斯夫欧洲公司 | 锍盐引发剂 |
EP2065362A1 (en) * | 2007-11-29 | 2009-06-03 | Agfa Graphics N.V. | Preparation method of copolymerizable photoinitiators |
JP5357153B2 (ja) | 2008-06-27 | 2013-12-04 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
EP2692826B1 (en) | 2008-06-27 | 2016-04-13 | Merck Patent GmbH | Liquid-crystalline medium |
US8158338B2 (en) * | 2008-07-08 | 2012-04-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Resist sensitizer |
JP5435193B2 (ja) | 2008-09-02 | 2014-03-05 | 川崎化成工業株式会社 | 1,4−ナフタレンジエーテル化合物及びその製造方法 |
DE102008054611A1 (de) * | 2008-12-15 | 2010-06-17 | Evonik Röhm Gmbh | Verfahren zur Herstellung von methacrylierten Benzophenonen |
KR101700980B1 (ko) * | 2009-02-20 | 2017-01-31 | 산아프로 가부시키가이샤 | 술포늄염, 광산 발생제 및 감광성 수지 조성물 |
DE102010012900A1 (de) | 2009-04-23 | 2010-11-25 | Merck Patent Gmbh | Flüssigkristallanzeige |
US8124319B2 (en) | 2010-04-12 | 2012-02-28 | Nanya Technology Corp. | Semiconductor lithography process |
US20120040288A1 (en) | 2010-08-11 | 2012-02-16 | Microchem Corp. | Epoxy formulations with controllable photospeed |
CN103080824B (zh) | 2010-09-07 | 2016-03-09 | 夏普株式会社 | 液晶层形成用组合物、液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法 |
WO2012121319A1 (ja) * | 2011-03-09 | 2012-09-13 | シャープ株式会社 | 液晶組成物、液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法 |
JP2014511849A (ja) | 2011-04-01 | 2014-05-19 | ザ リサーチ ファウンデーション オブ ステイト ユニバーシティ オブ ニューヨーク | 安定化された酸増幅剤 |
JP2013031125A (ja) | 2011-07-29 | 2013-02-07 | Toshiba Corp | 音信号処理装置、および音信号処理方法 |
WO2013018668A1 (ja) | 2011-08-04 | 2013-02-07 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
US9823516B2 (en) | 2011-09-27 | 2017-11-21 | Merck Patent Gmbh | Liquid crystal display device and method for producing same |
JP5261756B1 (ja) | 2012-03-30 | 2013-08-14 | 株式会社フジクラ | 多層配線基板 |
US9334423B2 (en) * | 2012-08-31 | 2016-05-10 | Basf Se | Compositions comprising an acrylic block copolymer and a UV-curable copolymer and methods of making and using the same |
US9522968B2 (en) * | 2012-11-26 | 2016-12-20 | Lummus Novolen Technology Gmbh | High performance Ziegler-Natta catalyst systems, process for producing such MgCl2 based catalysts and use thereof |
KR102062966B1 (ko) | 2013-02-20 | 2020-01-06 | 오사카 유니버시티 | 레지스트패턴 형성방법, 레지스트잠상 형성장치, 레지스트패턴 형성장치 및 레지스트재료 |
CN105308146A (zh) | 2013-05-13 | 2016-02-03 | 东洋合成工业株式会社 | 试剂和抗蚀剂组合物 |
US9240565B2 (en) | 2013-06-06 | 2016-01-19 | Toyo Gosei Co., Ltd. | Composition |
WO2014208076A1 (en) | 2013-06-24 | 2014-12-31 | Toyo Gosei Co., Ltd. | Reagent for enhancing generation of chemical species |
JP2016531953A (ja) | 2013-06-27 | 2016-10-13 | 東洋合成工業株式会社 | 化学種発生向上試剤 |
JP2016530339A (ja) | 2013-06-27 | 2016-09-29 | 東洋合成工業株式会社 | 化学種発生向上試剤 |
WO2015019616A1 (en) | 2013-08-07 | 2015-02-12 | Toyo Gosei Co., Ltd. | Reagent for enhancing generation of chemical species |
WO2015022779A1 (en) | 2013-08-14 | 2015-02-19 | Toyo Gosei Co., Ltd. | Reagent for enhancing generation of chemical species |
US20150060728A1 (en) * | 2013-09-05 | 2015-03-05 | Toyo Gosei Co., Ltd. | Reagent for enhancing generation of chemical species |
WO2015045426A1 (en) | 2013-09-30 | 2015-04-02 | Toyo Gosei Co., Ltd. | Compounders for Enhancing Generation of Chemical Species |
US20160223904A1 (en) | 2013-10-02 | 2016-08-04 | Toyo Gosei Co., Ltd. | Reagent for enhancing generation of chemical species |
WO2015052914A1 (en) | 2013-10-07 | 2015-04-16 | Toyo Gosei Co., Ltd. | Reagent for enhancing generation of chemical species and manufacturing apparatus |
US9567277B2 (en) | 2013-10-08 | 2017-02-14 | Toyo Gosei Co., Ltd. | Reagent for enhancing generation of chemical species |
JP2015098471A (ja) | 2013-11-18 | 2015-05-28 | 東洋合成工業株式会社 | 化学種発生向上試剤 |
JP2015134904A (ja) * | 2013-11-18 | 2015-07-27 | 東洋合成工業株式会社 | 化学種発生向上化合物 |
JP2015200874A (ja) * | 2014-02-21 | 2015-11-12 | 東洋合成工業株式会社 | 化学種発生向上剤 |
JP2016009195A (ja) * | 2014-06-26 | 2016-01-18 | 東洋合成工業株式会社 | 化学種の発生を向上させるための化合物 |
-
2014
- 2014-08-07 WO PCT/JP2014/004119 patent/WO2015019616A1/en active Application Filing
- 2014-08-07 US US14/909,051 patent/US10031416B2/en active Active
- 2014-08-07 JP JP2016503476A patent/JP6537118B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002527795A (ja) * | 1998-10-14 | 2002-08-27 | クラリアント・インターナシヨナル・リミテッド | ポジ型フォトレジスト用の混合溶剤系 |
JP2008133448A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-06-12 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 重合性アニオンを有するスルホニウム塩及び高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2009217253A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-09-24 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2010077377A (ja) * | 2008-09-23 | 2010-04-08 | Korea Kumho Petrochem Co Ltd | オニウム塩化合物、それを含む高分子化合物、前記高分子化合物を含む化学増幅型レジスト組成物、および前記組成物を用いたパターン形成方法 |
JP2013517345A (ja) * | 2010-01-18 | 2013-05-16 | リントフィールド リミテッド | 光開始反応 |
JP2011256390A (ja) * | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Korea Kumho Petrochemical Co Ltd | 化合物、これを含む重合体、及びその重合体を含む化学増幅型レジスト組成物 |
WO2012105479A1 (ja) * | 2011-02-02 | 2012-08-09 | 東洋合成工業株式会社 | 2,2-ジメトキシ-1,2-ジ-[4-(メタ)アクリロイルオキシ]フェニルエタン-1-オン、その製造方法及びラジカル重合開始剤並びに光硬化性組成物 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019240279A1 (ja) * | 2018-06-14 | 2019-12-19 | 国立大学法人大阪大学 | レジストパターン形成方法 |
KR20210036340A (ko) * | 2018-06-14 | 2021-04-02 | 오사카 유니버시티 | 레지스트패턴 형성방법 |
JPWO2019240279A1 (ja) * | 2018-06-14 | 2021-08-12 | 国立大学法人大阪大学 | レジストパターン形成方法 |
JP7122020B2 (ja) | 2018-06-14 | 2022-08-19 | 国立大学法人大阪大学 | レジストパターン形成方法 |
KR102590254B1 (ko) | 2018-06-14 | 2023-10-17 | 오사카 유니버시티 | 레지스트패턴 형성방법 |
US11796919B2 (en) | 2018-06-14 | 2023-10-24 | Osaka University | Resist pattern formation method |
WO2024038802A1 (ja) * | 2022-08-15 | 2024-02-22 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160187773A1 (en) | 2016-06-30 |
US10031416B2 (en) | 2018-07-24 |
WO2015019616A1 (en) | 2015-02-12 |
JP6537118B2 (ja) | 2019-07-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6537118B2 (ja) | 化学増幅フォトレジスト組成物及び装置の製造方法 | |
JP6525269B2 (ja) | 化学増幅型レジスト組成物および装置の製造方法 | |
JP2016530339A (ja) | 化学種発生向上試剤 | |
US9567277B2 (en) | Reagent for enhancing generation of chemical species | |
JP2016539201A (ja) | 化学種発生向上試剤 | |
JP6485875B2 (ja) | 化学増幅レジスト組成物および化学増幅レジスト組成物を用いてデバイスを製造する方法 | |
JP2016531953A (ja) | 化学種発生向上試剤 | |
JP2015134904A (ja) | 化学種発生向上化合物 | |
TWI464140B (zh) | 膽酸鹽光酸產生劑及含該光酸產生劑之光阻 | |
KR20190083378A (ko) | 레지스트 적용에서 광산 발생제로서의 술폰산 유도체 화합물 | |
TW201116927A (en) | Photoacid generators and photoresists comprising same | |
US20160195808A1 (en) | Reagent for enhancing generation of chemical species | |
WO2015052914A1 (en) | Reagent for enhancing generation of chemical species and manufacturing apparatus | |
KR20180041201A (ko) | 레지스트 적용에서 광산 발생제로서 술폰산 유도체 화합물 | |
JP2016529330A (ja) | 化学種の発生を向上させるための試剤 | |
JP2017500275A (ja) | 化学種発生向上化合物 | |
JP4144957B2 (ja) | レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法 | |
US8741545B2 (en) | Fluorine-free fused ring heteroaromatic photoacid generators and resist compositions containing the same | |
US20150376438A1 (en) | Compounders for enhancing generation of chemical species | |
JP2005266049A (ja) | ポジ型感放射線性組成物 | |
JP2017516144A (ja) | 化学種の発生を向上する化合物 | |
WO2015194910A1 (ko) | 화학 증폭형 후막 포토레지스트용 용해 억제제, 이를 포함한 포토레지스트 조성물, 및 이를 사용한 소자의 패터닝 방법 | |
JP2018200419A (ja) | 感放射線性組成物、感放射線性樹脂組成物、およびパターン形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160208 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20161205 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20170710 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20170710 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170803 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181016 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181214 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190514 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190530 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6537118 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |