JP2016529740A5

JP2016529740A5 -

Info

Publication number: JP2016529740A5
Application number: JP2016540923A
Authority: JP
Filing date: 2014-09-09
Publication date: 2017-10-12
Anticipated expiration: 2034-09-09

Claims

基板上のケイ素含有層をプラズマエッチングする方法であって、
基板上に該ケイ素含有層を有するチャンバ内に、
Ｃ_２Ｆ_４Ｓ_２（ＣＡＳ１７１７−５０−６）、Ｆ _３ＣＳＨ（ＣＡＳ１４９３−１５−８）、Ｆ _３Ｃ−ＣＦ _２ −ＳＨ（ＣＡＳ１５４０−７８−９）、Ｆ _３Ｃ−ＣＨ _２ −ＳＨ（ＣＡＳ１５４４−５３−２）、ＣＨＦ _２ −ＣＦ _２ −ＳＨ（ＣＡＳ８１２−１０−２）、ＣＦ _３ −ＣＦ _２ −ＣＨ _２ −ＳＨ（ＣＡＳ６７７−５７−６）、Ｆ _３Ｃ−ＣＨ（ＳＨ）−ＣＦ _３（ＣＡＳ１５４０−０６−３）、Ｆ _３Ｃ−Ｓ−ＣＦ _３（ＣＡＳ３７１−７８−８）、Ｆ _３Ｃ−Ｓ−ＣＨＦ _２（ＣＡＳ３７１−７２−２）、Ｆ _３Ｃ−ＣＦ _２ −Ｓ−ＣＦ _２ −ＣＦ _３（ＣＡＳ１５５９５３−２２−３）、Ｆ _３Ｃ−ＣＦ _２ −ＣＦ _２ −Ｓ−ＣＦ _２ −ＣＦ _２ −ＣＦ _３（ＣＡＳ３５６−６３−８）、ｃ（−Ｓ−ＣＦ _２ −ＣＦ _２ −ＣＨＦ−ＣＦ _２ −）（ＣＡＳ１０３５８０４−７９−５）、ｃ（−Ｓ−ＣＦ _２ −ＣＨＦ−ＣＨＦ−ＣＦ _２ −）（ＣＡＳ３０８３５−８４−８）、ｃ（−Ｓ−ＣＦ _２ −ＣＦ _２ −ＣＦ _２ −ＣＦ _２ −ＣＦ _２ −）（ＣＡＳ２４３４５−５２−６）、ｃ（−Ｓ−ＣＦＨ−ＣＦ _２ −ＣＦ _２ −ＣＦＨ−）（２Ｒ，５Ｒ）（ＣＡＳ１５０７３６３−７５−８）、ｃ（−Ｓ−ＣＦＨ−ＣＦ _２ −ＣＦ _２ −ＣＦＨ−）（２Ｒ，５Ｓ）（ＣＡＳ１５０７３６３−７６−９）、及びｃ（−Ｓ−ＣＦＨ−ＣＦ _２ −ＣＦ _２ −ＣＨ _２ −）（ＣＡＳ１５０７３６３−７７−０）
からなる群から選択される化合物の蒸気を導入することと、
前記チャンバ内に不活性ガスを導入することと、
プラズマを発生させて前記蒸気から活性化した蒸気を生成することと、
前記活性化した蒸気が前記ケイ素含有層と選択的に反応して形成される揮発性副産物を前記チャンバから除去することと、
を含む、方法。
前記化合物がＣ_２Ｆ_４Ｓ_２（ＣＡＳ１７１７−５０−６）である、請求項１に記載の方法。
前記化合物が、Ｆ_３ＣＳＨ（ＣＡＳ１４９３−１５−８）、Ｆ_３Ｃ−ＣＦ_２−ＳＨ（
ＣＡＳ１５４０−７８−９）、Ｆ_３Ｃ−ＣＨ_２−ＳＨ（ＣＡＳ１５４４−５３−２）、ＣＨＦ_２−ＣＦ_２−ＳＨ（８１２−１０−２）、ＣＦ_３−ＣＦ_２−ＣＨ_２−ＳＨ（ＣＡＳ６７７−５７−６）、及びＦ_３Ｃ−ＣＨ（ＳＨ）−ＣＦ_３（ＣＡＳ１５４０−０６−３）からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
前記化合物が、Ｆ _３Ｃ−ＣＨ _２ −ＳＨ（ＣＡＳ１５４４−５３−２）である、請求項３に記載の方法。
前記化合物が、Ｆ_３Ｃ−Ｓ−ＣＦ_３（ＣＡＳ３７１−７８−８）、Ｆ_３Ｃ−Ｓ−ＣＨＦ_２（ＣＡＳ３７１−７２−２）、Ｆ_３Ｃ−ＣＦ_２−Ｓ−ＣＦ_２−ＣＦ_３（ＣＡＳ１５５９５３−２２−３）、及びＦ_３Ｃ−ＣＦ_２−ＣＦ_２−Ｓ−ＣＦ_２−ＣＦ_２−ＣＦ_３（ＣＡＳ３５６−６３−８）からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
前記化合物が、ｃ（−Ｓ−ＣＦ_２−ＣＦ_２−ＣＨＦ−ＣＦ_２−）（ＣＡＳ１０３５８０４−７９−５）、ｃ（−Ｓ−ＣＦ_２−ＣＨＦ−ＣＨＦ−ＣＦ_２−）（ＣＡＳ３０８３５−８４−８）、ｃ（−Ｓ−ＣＦ_２−ＣＦ_２−ＣＦ_２−ＣＦ_２−ＣＦ_２−）（ＣＡＳ２４３４５−５２−６）、ｃ（−Ｓ−ＣＦＨ−ＣＦ_２−ＣＦ_２−ＣＦＨ−）（２Ｒ，５Ｒ）（ＣＡＳ１５０７３６３−７５−８）、ｃ（−Ｓ−ＣＦＨ−ＣＦ_２−ＣＦ_２−ＣＦＨ−）（２Ｒ，５Ｓ）（ＣＡＳ１５０７３６３−７６−９）、及びｃ（−Ｓ−ＣＦＨ−ＣＦ_２−ＣＦ_２−ＣＨ_２−）（ＣＡＳ１５０７３６３−７７−０）からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
前記ケイ素含有層が、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリシリコン、又はそれらの組合せの層を含む、請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載の方法。
前記チャンバ内に酸化剤を導入することを更に含む、請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載の方法。
前記酸化剤が、Ｏ_２、Ｏ_３、ＣＯ、ＣＯ_２、ＮＯ、Ｎ_２Ｏ、ＮＯ_２、及びそれらの組合せからなる群から選択される、請求項８に記載の方法。
前記チャンバ内に、ｃＣ_５Ｆ_８、ｃＣ_４Ｆ_８、Ｃ_４Ｆ_８、Ｃ_４Ｆ_６、ＣＦ_４、ＣＨ_３Ｆ、ＣＦ_３Ｈ、ＣＨ_２Ｆ_２、ＣＯＳ、ＣＳ_２；ＣＦ_３Ｉ；Ｃ_２Ｆ_３Ｉ；Ｃ_２Ｆ_５Ｉ；ＳＯ_２；ｔｒａｎｓ−１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテン；ｃｉｓ−１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテン；ヘキサフルオロイソブテン；ｔｒａｎｓ−１，１，２，２，３，４−ヘキサフルオロシクロブタン；１，１，２，２，３−ペンタフルオロシクロブタン；１，１，２，２−テトラフルオロシクロブタン；及びｃｉｓ−１，１，２，２，３，４−ヘキサフルオロシクロブタンからなる群から選択されるエッチングガスを導入することを更に含む、請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載の方法。