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キヤノン株式会社 |
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Procede de traitement de substrats pour la microelectronique et substrats obtenus par ce procede
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2003-10-24 |
Commissariat Energie Atomique |
Substrat fragilise et procede de fabrication d'un tel substrat
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FR2816445B1
(fr)
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2003-07-25 |
Commissariat Energie Atomique |
Procede de fabrication d'une structure empilee comprenant une couche mince adherant a un substrat cible
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FR2817394B1
(fr)
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2000-11-27 |
2003-10-31 |
Soitec Silicon On Insulator |
Procede de fabrication d'un substrat notamment pour l'optique, l'electronique ou l'optoelectronique et substrat obtenu par ce procede
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FR2894990B1
(fr)
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2005-12-21 |
2008-02-22 |
Soitec Silicon On Insulator |
Procede de fabrication de substrats, notamment pour l'optique,l'electronique ou l'optoelectronique et substrat obtenu selon ledit procede
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FR2823599B1
(fr)
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2004-12-17 |
Commissariat Energie Atomique |
Substrat demomtable a tenue mecanique controlee et procede de realisation
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FR2827423B1
(fr)
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Soitec Silicon On Insulator |
Procede d'amelioration d'etat de surface
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(ja)
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信越半導体株式会社 |
貼り合わせウエーハの製造方法
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(fr)
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2002-01-22 |
2005-03-18 |
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Procede de preparation d'ensembles a semi-conducteurs separables, notamment pour former des substrats pour l'electronique, l'optoelectrique et l'optique
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KR100511656B1
(ko)
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주식회사 실트론 |
나노 에스오아이 웨이퍼의 제조방법 및 그에 따라 제조된나노 에스오아이 웨이퍼
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Procede de fabrication d'une couche epitaxiee
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Ｓｏｉウェーハの製造方法
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Soitec Silicon On Insulator |
Procede de fabrication d'une heterostructure de type semi-conducteur sur isolant
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Ｓｏｉウェーハの製造方法
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貼り合わせウェーハの製造方法
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Nicholas Francis Borrelli |
Image sensor using thin-film SOI
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Commissariat Energie Atomique |
PROCEDE DE FABRICATION DE COUCHES MINCES DE GaN PAR IMPLANTATION ET RECYCLAGE D'UN SUBSTRAT DE DEPART
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(fr)
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2009-04-17 |
Soitec Silicon On Insulator |
"procede de fabrication d'un substrat hybride"
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(fr)
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2007-02-01 |
2009-06-05 |
Soitec Silicon On Insulator |
Procede de fabrication d'un substrat du type "silicium sur isolant".
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FR2913528B1
(fr)
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2007-03-06 |
2009-07-03 |
Soitec Silicon On Insulator |
Procede de fabrication d'un substrat comportant une couche d'oxyde enterree pour la realisation de composants electroniques ou analogues.
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2007-04-20 |
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Manufacturing method of SOI substrate
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Methods of fabricating glass-based substrates and apparatus employing same
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Semiconductor substrate, method for manufacturing semiconductor substrate, semiconductor device, and electronic device
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(ja)
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株式会社Ｓｕｍｃｏ |
貼り合わせウェーハの製造方法
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株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
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信越半導体株式会社 |
貼り合わせウェーハの製造方法
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Ｓｏｉ基板の作製方法
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康宁股份有限公司 |
对绝缘体基材上的硅进行精整的方法
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Modulating implantation for improved workpiece splitting
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信越半導体株式会社 |
貼り合わせウェーハの製造方法
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イオン注入機の基板保持具の劣化判定方法
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上海新傲科技股份有限公司 |
制备具有均匀厚度器件层的衬底的方法
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中国科学院微电子研究所 |
形成复合功能材料结构的方法
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2011-12-08 |
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信越半導体株式会社 |
イオン注入機の基板保持具の劣化判定方法
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JP5927894B2
(ja)
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2011-12-15 |
2016-06-01 |
信越半導体株式会社 |
Ｓｏｉウェーハの製造方法
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