JP2019511112A - ドナー基板への注入のための適切なエネルギーの決定方法、およびセミコンダクタ・オン・インシュレータ(Semiconductor−on−insulator)構造体の組立方法 - Google Patents
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Abstract
(i)前記ドナー基板(30)および前記レシーバー基板(10)のいずれか一方に誘電体層を形成し、
(ii)所定のエネルギーを有する前記ドナー基板(30)に、前記原子種を共注入して、前記脆化領域(31)を形成し、
(iii)前記誘電体層が前記結合境界面に存在するように、前記レシーバー基板(10)上に前記ドナー基板(30)を結合させ、
(iv)前記脆化領域(31)に沿って前記ドナー基板(30)を切り離して前記単結晶半導体層(32)を転写し、前記ドナー基板の残部(34)を回収し、
(v)前記ドナー基板(10)の前記残部(34)の周縁部クラウン、または工程(iv)において前記単結晶半導体層(32)が転写された前記レシーバー基板(10)の外縁部クラウンを観察する工程、
(vi)前記クラウンが前記レシーバー基板へ転写された領域を示す場合、工程(ii)での注入エネルギーが高すぎると決定し、
(vii)前記クラウンが前記レシーバー基板へ転写された領域を示さない場合、工程(ii)での注入エネルギーが適切であると決定する、
ことを含む、方法に関する。
Description
a)ドナー基板に原子種を注入して脆化領域を形成し、前記脆化領域の深さは、転写することが所望される前記薄層の厚さに相当し、
b)前記基板と結合部を、分子結合を介して接触させ、ウエハーはエッジロールオフ(ERO)を有し、従って図1に見られるように、その周縁部では接触していないため、前記結合部は、前記基板の周縁部を除き表面全体にわたって生じ、
c)前記ドナー基板の脆化領域に沿って切り離して、前記薄層を前記レシーバー基板へ転写させる。
(i)前記ドナー基板および前記レシーバー基板の少なくとも一方に誘電体層を形成し、
(ii)所定のエネルギーを有する前記ドナー基板に、前記原子種を共注入して、前記脆化領域を形成し、
(iii)前記誘電体層が前記結合境界面に存在するように、前記レシーバー基板上に前記ドナー基板を結合させ、
(iv)前記脆化領域に沿って前記ドナー基板を切り離して前記単結晶半導体層を転写し、前記ドナー基板の残部を回収し、
(v)前記ドナー基板の残部の周縁部クラウン、または前記工程(iv)において前記単結晶半導体層が転写された前記レシーバー基板の外縁部クラウンを観察し、
(vi)前記クラウンが前記レシーバー基板へ転写された領域を示す場合、前記工程(ii)における注入エネルギーが高すぎると決定し、
(vii)前記クラウンが前記レシーバー基板へ転写された領域を示さない場合、前記工程(ii)における注入エネルギーが適切であると決定する。
(a)上記の方法により適切な注入エネルギーを決定し、
(b)レシーバー基板およびドナー基板の少なくとも一方の上に、誘電体層を形成し、
(c)工程(a)で決定された前記注入エネルギーを用いて、水素およびヘリウムなどの原子種を共注入して、転写される単結晶半導体層を画定するようにドナー基板中に脆化領域を形成し、
(d)レシーバー基板上に、前記ドナー基板を分子結合する工程であって、前記誘電体層は前記結合境界面に存在し、
(e)前記脆化領域に沿って、前記ドナー基板を切り離して、前記レシーバー基板上に、前記単結晶半導体層を転写する。
(i)ドナー基板30およびレシーバー基板10の少なくとも一方に、誘電体層(典型的には酸化層)を形成し、
(ii)所定のエネルギーを有するドナー基板30に、原子種を共注入して、脆化領域31を形成し、
(iii)前記誘電体層が結合境界面に存在するように、レシーバー基板10へドナー基板30を結合させ、
(iv)脆化領域31に沿って、ドナー基板30を分離し、単結晶半導体層32を転写し、ドナー基板の残部34を回収する。
−ドナー基板の残部のクラウンが、(ギザギザ縁部を示す)レシーバー基板へ転写された領域を示す場合、工程(ii)における注入エネルギーが高すぎること、
−前記クラウンは、レシーバー基板上に転写された領域を有さない場合(これは、ギザギザな端部が全く生成されていないことを意味する)、工程(ii)における注入エネルギーは適切であること。
Claims (5)
- レシーバー基板(10)へ転写される単結晶半導体層(32)を画定する脆化領域(31)を形成するために、ドナー基板(30)に少なくとも2種の原子種を注入する適切なエネルギーを決定する方法であって、
(i)前記ドナー基板(30)および前記レシーバー基板(10)のいずれか一方に誘電体層を形成し、
(ii)所定のエネルギーを有する前記ドナー基板(30)に、前記原子種を共注入して、前記脆化領域(31)を形成し、
(iii)前記誘電体層が前記結合境界面に存在するように、前記レシーバー基板(10)上に前記ドナー基板(30)を結合させ、
(iv)前記脆化領域(31)に沿って前記ドナー基板(30)を切り離して前記単結晶半導体層(32)を転写し、前記ドナー基板の残部(34)を回収し、
(v)前記ドナー基板(10)の前記残部(34)の周縁部クラウン、または前記工程(iv)において前記単結晶半導体層(32)が転写された前記レシーバー基板(10)の外縁部クラウンを観察し、
(vi)前記クラウンが前記レシーバー基板へ転写された領域を示す場合、前記工程(ii)における注入エネルギーが高すぎると決定し、
(vii)前記クラウンが前記レシーバー基板へ転写された領域を示さない場合、前記工程(ii)における注入エネルギーが適切であると決定する、
ことを含む、方法。 - 前記工程(ii)は、それぞれ異なる注入エネルギーで、いくつかのドナー基板において実施され、前記ドナー基板の残部(34)の、または前記単結晶半導体層(32)が転写された前記レシーバー基板(10)の観察後に、前記注入エネルギーのそれぞれについて、注入エネルギーの適切な範囲を決定する、請求項1に記載の方法。
- 前記適切な注入エネルギーの範囲内の最大注入エネルギーを決定し、前記レシーバー基板へ転写される前記単結晶半導体層(32)の最大厚さは、そこから低減される、請求項2に記載の方法。
- 単結晶半導体層の、ドナー基板(30)からレシーバー基板(10)への転写により、セミコンダクタ・オン・インシュレータ型の構造体を製造する方法であって、
(a)請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法により適切な注入エネルギーを決定し、
(b)前記レシーバー基板(10)および前記ドナー基板(30)の少なくとも一方の上に、誘電体層を形成し、
(c)前記工程(a)で決定された前記注入エネルギーを用いて、水素およびヘリウムなどの原子種を共注入して、転写される単結晶半導体層(32)を画定するようにドナー基板中に脆化領域(31)を形成し、
(d)前記レシーバー基板(10)上に、前記ドナー基板(30)を分子結合する工程であって、前記誘電体層は前記結合境界面に存在し、
(e)前記脆化領域(31)に沿って、前記ドナー基板(3)を切り離して、前記レシーバー基板上に、前記単結晶半導体層(32)を転写する、
ことを含む、方法。 - 前記工程(a)において決定される前記適切な注入エネルギーは、前記セミコンダクタ・オン・インシュレータ構造体の前記単結晶半導体層(33)についての前記所望の厚さ(E2)よりも薄い前記工程(e)において転写された層の厚さ(E1)に相当し、前記工程(e)の後に、更に、前記所望の厚さ(E2)が得られるまで、前記レシーバー基板(10)へ転写される前記層(32)上にエピタキシーする工程(f)を含む、請求項4に記載の方法。
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