JP2016526790A - Cmos画像センサ用のゲート制御型電荷変調デバイス - Google Patents
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Abstract
Description
Vtamp=VREF+R・IGCMD
更に、GCMDからの電流を、次のようにモデル化することができる:
IGCMD=Ioff (光なし)
IGCMD=IΔ+Ioff (光)
いくつかの実施形態では、ベース電流は、光検知素子が実質的に光を受けていない時に光検知素子によって供給される電流(例えば、Ioff)に対応する。Ioffが第1のトランスインピーダンス増幅器904によって変換されると、対応する電圧VBASEは、次のように決定される:
VBASE=VREF+R・Ioff
その時、VtampとVBASEとの間の電圧差は、次の通りである:
Vtamp−VBASE=R・IΔ
差動増幅器906の電圧出力Vdampは、次の通りである:
Vdamp=A・R・IΔ
ここで、Aは、差動増幅器906の差動利得である。いくつかの実施形態では、差動利得は、1、2、3、5、10、20、50、及び100のうちの一つである。
Claims (89)
- 光を検知するためのデバイスであって、
第1の型のドーパントを用いてドープされた第1の半導体領域と、
第2の型のドーパントを用いてドープされた第2の半導体領域であって、
前記第2の半導体領域は、前記第1の半導体領域の上方に配置されていて、
前記第1の型は、前記第2の型とは異なる、
第2の半導体領域と、
前記第2の半導体領域の上方に配置されているゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層の上方に配置されているゲートと、
前記第2の半導体領域に電気的に接続されているソースと、
前記第2の半導体領域に電気的に接続されているドレインと、
を備え、
前記第2の半導体領域は、前記ゲート絶縁層のほうを向いて配置されている上面を有し、
前記第2の半導体領域は、前記第2の半導体領域の前記上面に対して反対側に配置されている底面を有し、
前記第2の半導体領域は、前記第2の半導体領域の前記上面を含む上側部分を有し、
前記第2の半導体領域は、前記上側部分とは相互に排他的であり前記第2の半導体領域の前記底面を含む下側部分を有し、
前記第1の半導体領域は、前記第2の半導体領域の前記上側部分及び前記下側部分の両方と接触していて、
前記第1の半導体領域は、少なくとも前記ゲートの下に位置する場所で前記第2の半導体領域の前記上側部分と接触している、
デバイス。 - 前記第1の型はn型であり、前記第2の型はp型である、請求項1に記載のデバイス。
- 前記第1の型はp型であり、前記第2の型はn型である、請求項1に記載のデバイス。
- 前記第2の半導体領域は、前記上面及び前記底面とは異なり前記ソースから前記ドレインまで延びる第1の側面を有し、
前記第2の半導体領域は、前記上面及び前記底面とは異なり前記ソースから前記ドレインまで延びる第2の側面を有し、
前記第1の半導体領域は、前記第1の側面の一部を介して前記第2の半導体領域の前記上側部分と接触していて、
前記第1の半導体領域は、前記第2の側面の一部を介して前記第2の半導体領域の前記上側部分と接触している、
請求項1から3のいずれか1項に記載のデバイス。 - 前記第1の半導体領域はゲルマニウムを含む、請求項1から4のいずれか1項に記載のデバイス。
- 前記第2の半導体領域はゲルマニウムを含む、請求項1から5のいずれか1項に記載のデバイス。
- 前記ゲート絶縁層は酸化物層を含む、請求項1から6のいずれか1項に記載のデバイス。
- 前記第1の半導体領域の下方に配置されている基板絶縁層を含み、前記基板絶縁層は、SiO2、GeOx、ZrOx、HfOx、SixNy、SixOyNz、TaxOy、SrxOy及びAlxOyのうちの一つ又は複数を含む、請求項1から7のいずれか1項に記載のデバイス。
- 前記第2の型のドーパントを用いてドープされたゲルマニウムを含む第3の半導体領域を含み、前記第3の半導体領域は前記第1の半導体領域の下方に配置されている、請求項1から8のいずれか1項に記載のデバイス。
- 前記第2の半導体領域内の前記第2の型の前記ドーパントのドーピング濃度は、前記第3の半導体領域内の前記第2の型の前記ドーパントのドーピング濃度よりも高い、請求項9に記載のデバイス。
- シリコン基板を含む、請求項1から10のいずれか1項に記載のデバイス。
- 前記ゲートは、多結晶ゲルマニウム、非晶質ゲルマニウム、多結晶シリコン、非晶質シリコン、炭化ケイ素、及び金属のうちの一つ又は複数を含む、請求項1から11のいずれか1項に記載のデバイス。
- 前記第2の半導体領域は、前記ソースから前記ドレインまで延びる、請求項1から12のいずれか1項に記載のデバイス。
- 前記第1の半導体領域は、前記ソースから前記ドレインまで延びる、請求項1から13のいずれか1項に記載のデバイス。
- 前記ゲート絶縁層は、前記ソースから前記ドレインまで延びる、請求項1から14のいずれか1項に記載のデバイス。
- 前記第2の半導体領域は、前記ソースと前記ドレインとの間に複数のチャネルを画成する、請求項1から15のいずれか1項に記載のデバイス。
- 前記第2の半導体領域は、100nm未満の厚さを有する、請求項1から16のいずれか1項に記載のデバイス。
- 前記第1の半導体領域は、1000nm未満の厚さを有する、請求項1から17のいずれか1項に記載のデバイス。
- 光を検知するためのデバイスを形成する方法であって、
シリコン基板の上方に、第1の型のドーパントを用いてドープされた第1の半導体領域を形成するステップと、
前記シリコン基板の上方に、第2の型のドーパントを用いてドープされた第2の半導体領域を形成するステップであって、
前記第2の半導体領域は、前記第1の半導体領域の上方に配置され、
前記第1の型は、前記第2の型とは異なる、
ステップと、
前記第2の半導体領域の上方にゲート絶縁層を形成するステップであって、
前記第2の半導体領域の一つ又は複数の部分が、ソース及びドレインを画成するために前記ゲート絶縁層から露出され、
前記第2の半導体領域は、前記ゲート絶縁層に面している上面を有し、
前記第2の半導体領域は、前記第2の半導体領域の前記上面に対して反対側である底面を有し、
前記第2の半導体領域は、前記第2の半導体領域の前記上面を含む上側部分を有し、
前記第2の半導体領域は、前記上側部分とは相互に排他的であり前記第2の半導体領域の前記底面を含む下側部分を有し、
前記第1の半導体領域は、前記第2の半導体領域の前記上側部分及び前記下側部分の両方と接触し、
前記第1の半導体領域は、少なくとも前記ゲートの下に位置する場所で前記第2の半導体領域の前記上側部分と接触する、
ステップと、
前記ゲート絶縁層の上方に配置されたゲートを形成するステップと、
を含む、方法。 - 前記第1の半導体領域は、前記第1の半導体領域をエピタキシャル成長させることによって形成される、請求項19に記載の方法。
- 前記第1の半導体領域は、前記第1の半導体領域が成長させられている間に、前記第1の型の前記ドーパントを用いてその場でドープされる、請求項20に記載の方法。
- 前記第1の半導体領域は、イオン注入プロセス又は気相拡散プロセスを使用して前記第1の型の前記ドーパントを用いてドープされる、請求項19から21のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第2の半導体領域は、前記第2の半導体領域をエピタキシャル成長させることによって形成される、請求項19から22のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第2の半導体領域は、前記第2の半導体領域が成長させられている間に、前記第2の型の前記ドーパントを用いてその場でドープされる、請求項23に記載の方法。
- 前記第2の半導体領域は、イオン注入プロセス又は気相拡散プロセスを使用して前記第2の型の前記ドーパントを用いてドープされる、請求項19から24のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1の半導体領域がイオン注入プロセス又は気相拡散プロセスを使用して前記第1の型の前記ドーパントを用いてドープされた後で、前記第2の半導体領域がイオン注入プロセスを使用して前記第2の型の前記ドーパントを用いてドープされる、請求項に25に記載の方法。
- 前記第1の型はn型であり、前記第2の型はp型である、請求項19から26のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1の型はp型であり、前記第2の型はn型である、請求項19から26のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第2の半導体領域は、前記上面及び前記底面とは異なり前記ソースから前記ドレインまで延びる第1の側面を有し、
前記第2の半導体領域は、前記上面及び前記底面とは異なり前記ソースから前記ドレインまで延びる第2の側面を有し、
前記第1の半導体領域は、前記第1の側面の一部を介して前記第2の半導体領域の前記上側部分と接触し、
前記第1の半導体領域は、前記第2の側面の一部を介して前記第2の半導体領域の前記上側部分と接触する、
請求項19から28のいずれか1項に記載の方法。 - 前記第1の半導体領域はゲルマニウムを含む、請求項19から29のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第2の半導体領域はゲルマニウムを含む、請求項19から30のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ゲート絶縁層は酸化物層を含む、請求項19から31のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1の半導体領域の下方に配置されている基板絶縁層を含み、前記基板絶縁層は、SiO2、GeOx、ZrOx、HfOx、SixNy、SixOyNz、TaxOy、SrxOy及びAlxOyのうちの一つ又は複数を含む、請求項19から32のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第2の型のドーパントを用いてドープされたゲルマニウムを含む第3の半導体領域を含み、前記基板絶縁層は前記第1の半導体領域の下方に配置される、請求項19から33のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第2の半導体領域内の前記第2の型の前記ドーパントのドーピング濃度は、前記第3の半導体領域内の前記第2の型の前記ドーパントのドーピング濃度よりも高い、請求項34に記載の方法。
- 前記デバイスは、シリコン基板を含む、請求項19から35のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ゲートは、多結晶ゲルマニウム、非晶質ゲルマニウム、多結晶シリコン、非晶質シリコン、炭化ケイ素、及び金属のうちの一つ又は複数を含む、請求項19から36のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第2の半導体領域は、前記ソースから前記ドレインまで延びる、請求項19から37のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1の半導体領域は、前記ソースから前記ドレインまで延びる、請求項19から38のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ゲート絶縁層は、前記ソースから前記ドレインまで延びる、請求項19から39のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第2の半導体領域は、前記ソースと前記ドレインとの間に複数のチャネルを画成する、請求項19から40のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第2の半導体領域は、100nm未満の厚さを有する、請求項19から41のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1の半導体領域は、1000nm未満の厚さを有する、請求項19から42のいずれか1項に記載の方法。
- 共通シリコン基板上に形成されている複数のデバイスを備え、
前記複数のデバイスの各々のデバイスは、請求項1〜18のいずれか1項に記載の前記デバイスに対応する、
センサ・アレイ。 - 前記複数のデバイスは、共通平面上に前記第1の半導体領域を有する、請求項44に記載のセンサ・アレイ。
- 前記複数のデバイスは、共通平面上に前記第2の半導体領域を有する、請求項44又は45に記載のセンサ・アレイ。
- 前記複数のデバイスは、共通平面上に前記第3の半導体領域を有する、請求項44から46のいずれか1項に記載のセンサ・アレイ。
- 前記複数のデバイスは、一つ又は複数のトレンチによって分離されている、請求項44から47のいずれか1項に記載のセンサ・アレイ。
- 前記複数のデバイスは、前記共通シリコン基板上に形成されている別々のゲルマニウム・アイランド上に配置されている、請求項44から47のいずれか1項に記載のセンサ・アレイ。
- 前記複数のデバイスを覆うパッシベーション層を含む、請求項44から49のいずれか1項に記載のセンサ・アレイ。
- 前記複数のデバイスの間にパッシベーション層を含む、請求項44から50のいずれか1項に記載のセンサ・アレイ。
- センサ・アレイを形成する方法であって、
請求項19から43のいずれか1項に記載の方法を使用して共通シリコン基板上に複数のデバイスを同時に形成するステップを含む、
方法。 - ソース端子、ゲート端子、ドレイン端子、及びボディ端子を有する光検知素子と、
ソース端子、ゲート端子、及びドレイン端子を有する選択トランジスタであって、前記選択トランジスタの前記ドレイン端子は前記光検知素子の前記ソース端子に電気的に接続されている又は前記選択トランジスタの前記ソース端子は前記光検知素子の前記ドレイン端子に電気的に接続されている、選択トランジスタと、
を備える、センサ回路。 - 前記光検知素子は、請求項1から18のいずれか1項に記載の前記デバイスである、請求項53に記載のセンサ回路。
- 前記光検知素子の、前記選択トランジスタの前記ソース端子又は前記ドレイン端子に電気的に接続されていない前記ソース端子又は前記ドレイン端子は、グランドに接続されている、請求項53又は54に記載のセンサ回路。
- 前記光検知素子の、前記選択トランジスタの前記ソース端子又は前記ドレイン端子に電気的に接続されている前記ソース端子又は前記ドレイン端子は、グランドに接続されていない、請求項53から55のいずれか1項に記載のセンサ回路。
- 前記光検知素子の、前記選択トランジスタの前記ソース端子又は前記ドレイン端子に電気的に接続されている前記ソース端子又は前記ドレイン端子は、電圧源に電気的に接続されている、請求項53から56のいずれか1項に記載のセンサ回路。
- 前記電圧源は一定電圧を供給する、請求項57に記載のセンサ回路。
- トランジスタを二つのみ含み、前記二つのトランジスタは前記選択トランジスタを含む、請求項53から58のいずれか1項に記載のセンサ回路。
- トランジスタを一つのみ含み、前記一つのトランジスタは前記選択トランジスタである、請求項53から59のいずれか1項に記載のセンサ回路。
- 入力端子を有する第1のトランスインピーダンス増幅器であって、前記入力端子は、請求項53から60のいずれか1項に記載の前記センサ回路の前記選択トランジスタの、前記光検知素子の前記ソース端子又は前記ドレイン端子に電気的に接続されていない前記ソース端子又は前記ドレイン端子に電気的に接続されていて、前記第1のトランスインピーダンス増幅器は、前記光検知素子からの電流入力を電圧出力へと変換するように構成されている、第1のトランスインピーダンス増幅器と、
二つの入力端子を有する差動増幅器であって、前記二つの入力端子のうちの第1の入力端子は、前記第1のトランスインピーダンス増幅器の前記電圧出力に電気的に接続されていて、前記二つの入力端子のうちの第2の入力端子は、前記光検知素子によって供給されるベース電流に対応する電圧を供給するように構成されている電圧源に電気的に接続されていて、前記差動増幅器は、前記電圧出力と前記電圧源によって供給される前記電圧との間の電圧差に基づいて電圧を出力するように構成されている、差動増幅器と、
を備える、コンバータ回路。 - 前記第1のトランスインピーダンス増幅器は演算増幅器を含む、請求項61に記載のコンバータ回路。
- 前記ベース電流は、前記光検知素子が実質的に光を受けていない時に前記光検知素子によって供給される電流に対応する、請求項61又は62に記載のコンバータ回路。
- 前記電圧源は、前記センサ回路とは異なりかつ請求項53から60のいずれか1項に記載の前記センサ回路に対応する第2のセンサ回路に電気的に接続されている入力端子を有する第2のトランスインピーダンス増幅器である、請求項61から63のいずれか1項に記載のコンバータ回路。
- 前記第2のトランスインピーダンス増幅器の前記入力端子は、前記第2のセンサ回路の前記選択トランジスタの前記ソース端子又は前記ドレイン端子に電気的に接続されている、請求項64に記載のコンバータ回路。
- 前記第2のトランスインピーダンス増幅器は演算増幅器を含む、請求項64又は65に記載のコンバータ回路。
- 前記第2のセンサ回路の前記光検知素子は、前記第2のセンサ回路の前記光検知素子が光を受けることを妨げられるように光学的に覆われている、請求項64から66のいずれか1項に記載のコンバータ回路。
- 前記電圧源はディジタル−アナログ・コンバータである、請求項61から63のいずれか1項に記載のコンバータ回路。
- 前記差動増幅器の出力に電気的に接続されているアナログ−ディジタル・コンバータを含み、前記アナログ−ディジタル・コンバータは前記差動増幅器の前記出力をディジタル信号へと変換するように構成されている、請求項61から68のいずれか1項に記載のコンバータ回路。
- 前記第1のトランスインピーダンス増幅器は、マルチプレクサを介して複数のセンサ回路のそれぞれのセンサ回路に電気的に接続されるように構成されている、請求項61から69のいずれか1項に記載のコンバータ回路。
- センサのアレイを備え、前記センサのアレイ内のそれぞれのセンサは請求項53から60のいずれか1項に記載の前記センサ回路を含む、
画像センサ・デバイス。 - 請求項61から70のいずれか1項に記載の前記コンバータ回路を含む、請求項71に記載の画像センサ・デバイス。
- 前記センサのアレイは、センサの複数の行を含み、
それぞれの行内のセンサに関して、選択トランジスタのゲート端子は、共通選択ラインに電気的に接続されている、
請求項71又は72に記載の画像センサ・デバイス。 - 前記センサのアレイは、センサの複数の列を含み、
それぞれの列内のセンサに関して、選択トランジスタのソース端子又はドレイン端子のうちの一方が、共通列ラインに電気的に接続されている、
請求項71から73のいずれか1項に記載の画像センサ・デバイス。 - 請求項53から60のいずれか1項に記載の前記センサ回路の前記光検知素子を光にあてるステップと、
前記光検知素子の前記ソース端子に一定電圧を供給するステップと、
前記光検知素子のドレイン電流を測定するステップと、
を含む、方法。 - 前記光検知素子の前記ドレイン電流に基づいて前記光の強度を決定するステップを含む、請求項75に記載の方法。
- 前記ドレイン電流を測定するステップは、前記ドレイン電流を電圧信号に変換するステップを含む、請求項75又は76に記載の方法。
- 前記ドレイン電流を前記電圧信号に変換するステップは、前記ドレイン電流を前記電圧信号に変換するためにトランスインピーダンス増幅器を使用するステップを含む、請求項77に記載の方法。
- 前記ドレイン電流を測定するステップは、請求項61から70のいずれか1項に記載の前記コンバータ回路を使用するステップを含む、請求項75から78のいずれか1項に記載の方法。
- 前記センサ回路の前記選択トランジスタを作動させるステップを含む、請求項75から79のいずれか1項に記載の方法。
- 前記光検知素子を光にあてる前に、前記一定電圧が前記光検知素子の前記ソース端子に供給される、請求項75から80のいずれか1項に記載の方法。
- 前記光検知素子を光にあてることに引き続いて、前記一定電圧が前記光検知素子の前記ソース端子に供給される、請求項75から80のいずれか1項に記載の方法。
- 請求項71から74のいずれか1項に記載の前記画像センサ・デバイスの前記センサのアレイを光のパターンにあてるステップと、
前記センサのアレイ内のそれぞれのセンサの光検知素子に対して、
前記それぞれのセンサの前記光検知素子の前記ソース端子にそれぞれの電圧を供給するステップと、
前記光検知素子のドレイン電流を測定するステップと、
を含む、方法。 - 前記センサのアレイ内の前記光検知素子の前記ソース端子は、それぞれの電圧を同時に受け取る、請求項83に記載の方法。
- 前記センサのアレイ内の前記光検知素子の前記ソース端子は、それぞれの電圧を順次に受け取る、請求項83に記載の方法。
- 前記センサのアレイ内の光検知素子の前記ソース端子は、同じ電圧を受け取る、請求項83から85のいずれか1項に記載の方法。
- 前記センサのアレイ内の前記光検知素子の前記ドレイン電流は、バッチで測定される、請求項83から86のいずれか1項に記載の方法。
- 前記センサのアレイ内の前記光検知素子の前記ドレイン電流は、同時に測定される、請求項83から87のいずれか1項に記載の方法。
- 前記センサのアレイ内の前記光検知素子の前記ドレイン電流は、順次に測定される、請求項83から87のいずれか1項に記載の方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018129536A (ja) * | 2013-06-20 | 2018-08-16 | ストレイティオ, インコーポレイテッドStratio, Inc. | Cmos画像センサ用のゲート制御型電荷変調デバイス |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10553633B2 (en) * | 2014-05-30 | 2020-02-04 | Klaus Y.J. Hsu | Phototransistor with body-strapped base |
EP3147607B1 (de) | 2015-09-22 | 2020-04-22 | emz-Hanauer GmbH & Co. KGaA | Einlegeboden-baugruppe für ein kühl- oder gefriergerät |
WO2019173945A1 (zh) * | 2018-03-12 | 2019-09-19 | 中国科学院半导体研究所 | 直接带隙发光的硅基材料及制备方法、芯片上发光器件 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5068782A (ja) * | 1973-01-22 | 1975-06-09 | ||
JPS50116290A (ja) * | 1974-02-27 | 1975-09-11 | ||
JPS5224479A (en) * | 1975-08-19 | 1977-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid detector |
JPS60252253A (ja) * | 1984-05-28 | 1985-12-12 | Fujitsu Ltd | Fetセンサ |
JPS617663A (ja) * | 1984-06-18 | 1986-01-14 | ゼロツクス コーポレーシヨン | デイプレツシヨン型薄膜半導体光検知器 |
JPS6230385A (ja) * | 1985-07-31 | 1987-02-09 | Fujitsu Ltd | 光伝導型検知素子 |
JPH0878653A (ja) * | 1994-06-29 | 1996-03-22 | Sharp Corp | 増幅型光電変換素子、それを用いた増幅型固体撮像装置、及び増幅型光電変換素子の製造方法 |
JP2001094106A (ja) * | 1999-08-16 | 2001-04-06 | Lucent Technol Inc | シリコン−ゲルマニウム・トランジスタおよび関連方法 |
JP2005530217A (ja) * | 2002-06-21 | 2005-10-06 | ノキア コーポレイション | 光センサを備えた表示回路 |
US7595243B1 (en) * | 2004-03-17 | 2009-09-29 | National Semiconductor Corporation | Fabrication of semiconductor structure having N-channel channel-junction field-effect transistor |
JP2011134784A (ja) * | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Brookman Technology Inc | 絶縁ゲート型半導体素子及び絶縁ゲート型半導体集積回路 |
US20120138919A1 (en) * | 2010-12-03 | 2012-06-07 | E Ink Holdings Inc. | Photo sensing unit and photo sensor thereof |
Family Cites Families (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3648125A (en) * | 1971-02-02 | 1972-03-07 | Fairchild Camera Instr Co | Method of fabricating integrated circuits with oxidized isolation and the resulting structure |
JPS60120558A (ja) * | 1983-12-02 | 1985-06-28 | ダルサ インコーポレーテッド | 集積可能な光検出器素子 |
JPS5912031A (ja) | 1982-07-13 | 1984-01-21 | Fujitsu Ltd | 紙葉斜行補正方式 |
US4882609A (en) * | 1984-11-19 | 1989-11-21 | Max-Planck Gesellschaft Zur Forderung Der Wissenschafter E.V. | Semiconductor devices with at least one monoatomic layer of doping atoms |
JP2564133B2 (ja) * | 1987-04-17 | 1996-12-18 | オリンパス光学工業株式会社 | 固体撮像装置 |
JP3246038B2 (ja) * | 1993-02-08 | 2002-01-15 | カシオ計算機株式会社 | フォトセンサ及びフォトセンサの駆動方法 |
US5341008A (en) * | 1993-09-21 | 1994-08-23 | Texas Instruments Incorporated | Bulk charge modulated device photocell with lateral charge drain |
JPH07202250A (ja) * | 1993-12-31 | 1995-08-04 | Casio Comput Co Ltd | 光電変換装置 |
JPH09321276A (ja) * | 1996-05-28 | 1997-12-12 | Fujitsu Ltd | 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ |
JP3531087B2 (ja) * | 1996-08-08 | 2004-05-24 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US5800494A (en) * | 1996-08-20 | 1998-09-01 | Fidus Medical Technology Corporation | Microwave ablation catheters having antennas with distal fire capabilities |
US6291314B1 (en) | 1998-06-23 | 2001-09-18 | Silicon Genesis Corporation | Controlled cleavage process and device for patterned films using a release layer |
US20040224482A1 (en) | 2001-12-20 | 2004-11-11 | Kub Francis J. | Method for transferring thin film layer material to a flexible substrate using a hydrogen ion splitting technique |
FR2834123B1 (fr) | 2001-12-21 | 2005-02-04 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de report de couches minces semi-conductrices et procede d'obtention d'une plaquette donneuse pour un tel procede de report |
JP4541666B2 (ja) * | 2002-06-20 | 2010-09-08 | 三星電子株式会社 | イメージセンサ及びその製造方法 |
CN1879397A (zh) * | 2003-10-13 | 2006-12-13 | 卓越设备技术公司 | 包含与硅衬底和硅电路集成的绝缘锗光电探测器的图像传感器 |
US8241996B2 (en) | 2005-02-28 | 2012-08-14 | Silicon Genesis Corporation | Substrate stiffness method and resulting devices for layer transfer process |
US7276392B2 (en) * | 2005-07-01 | 2007-10-02 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Floating body germanium phototransistor with photo absorption threshold bias region |
US20060234474A1 (en) | 2005-04-15 | 2006-10-19 | The Regents Of The University Of California | Method of transferring a thin crystalline semiconductor layer |
US7221006B2 (en) * | 2005-04-20 | 2007-05-22 | Freescale Semiconductor, Inc. | GeSOI transistor with low junction current and low junction capacitance and method for making the same |
JP2007123851A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Sharp Corp | 光吸収しきい値バイアス領域を有するフローティングボディゲルマニウムフォトトランジスタ |
CA2680043A1 (en) * | 2007-03-05 | 2008-09-12 | Arokia Nathan | Sensor pixels, arrays and array systems and methods therefor |
KR20080083475A (ko) * | 2007-03-12 | 2008-09-18 | 삼성전자주식회사 | 픽셀의 누설전류를 방지할 수 있는 영상 촬상 장치 및 그방법 |
US8093597B2 (en) * | 2007-06-25 | 2012-01-10 | International Rectifier Corporation | In situ dopant implantation and growth of a III-nitride semiconductor body |
EP2277194A1 (en) | 2008-05-08 | 2011-01-26 | Basf Se | Layered structures comprising silicon carbide layers, a process for their manufacture and their use |
US8084739B2 (en) * | 2008-07-16 | 2011-12-27 | Infrared Newco., Inc. | Imaging apparatus and methods |
US7875918B2 (en) * | 2009-04-24 | 2011-01-25 | Omnivision Technologies, Inc. | Multilayer image sensor pixel structure for reducing crosstalk |
US8871109B2 (en) | 2009-04-28 | 2014-10-28 | Gtat Corporation | Method for preparing a donor surface for reuse |
JP5458690B2 (ja) * | 2009-06-22 | 2014-04-02 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびカメラ |
JP2011210901A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Seiko Instruments Inc | デプレッション型mosトランジスタ |
US20130154049A1 (en) | 2011-06-22 | 2013-06-20 | George IMTHURN | Integrated Circuits on Ceramic Wafers Using Layer Transfer Technology |
JP2013084786A (ja) * | 2011-10-11 | 2013-05-09 | Sony Corp | 固体撮像素子、及び、電子機器 |
CN102881703B (zh) * | 2012-09-29 | 2016-04-06 | 中国科学院上海高等研究院 | 图像传感器及其制备方法 |
DE102013110695A1 (de) * | 2012-10-02 | 2014-04-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Bildsensor, Verfahren zum Betreiben desselben und Bildverarbeitungssystem mit demselben |
US8896083B2 (en) * | 2013-03-15 | 2014-11-25 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Depletion-mode field-effect transistor-based phototransitor |
KR102246766B1 (ko) * | 2013-06-20 | 2021-04-29 | 스트라티오 인코포레이티드 | Cmos 센서용 게이트-제어 전하 변조 디바이스 |
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Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5068782A (ja) * | 1973-01-22 | 1975-06-09 | ||
JPS50116290A (ja) * | 1974-02-27 | 1975-09-11 | ||
JPS5224479A (en) * | 1975-08-19 | 1977-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid detector |
JPS60252253A (ja) * | 1984-05-28 | 1985-12-12 | Fujitsu Ltd | Fetセンサ |
JPS617663A (ja) * | 1984-06-18 | 1986-01-14 | ゼロツクス コーポレーシヨン | デイプレツシヨン型薄膜半導体光検知器 |
JPS6230385A (ja) * | 1985-07-31 | 1987-02-09 | Fujitsu Ltd | 光伝導型検知素子 |
JPH0878653A (ja) * | 1994-06-29 | 1996-03-22 | Sharp Corp | 増幅型光電変換素子、それを用いた増幅型固体撮像装置、及び増幅型光電変換素子の製造方法 |
JP2001094106A (ja) * | 1999-08-16 | 2001-04-06 | Lucent Technol Inc | シリコン−ゲルマニウム・トランジスタおよび関連方法 |
JP2005530217A (ja) * | 2002-06-21 | 2005-10-06 | ノキア コーポレイション | 光センサを備えた表示回路 |
US7595243B1 (en) * | 2004-03-17 | 2009-09-29 | National Semiconductor Corporation | Fabrication of semiconductor structure having N-channel channel-junction field-effect transistor |
JP2011134784A (ja) * | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Brookman Technology Inc | 絶縁ゲート型半導体素子及び絶縁ゲート型半導体集積回路 |
US20120138919A1 (en) * | 2010-12-03 | 2012-06-07 | E Ink Holdings Inc. | Photo sensing unit and photo sensor thereof |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018129536A (ja) * | 2013-06-20 | 2018-08-16 | ストレイティオ, インコーポレイテッドStratio, Inc. | Cmos画像センサ用のゲート制御型電荷変調デバイス |
JP2020109851A (ja) * | 2013-06-20 | 2020-07-16 | ストレイティオ, インコーポレイテッドStratio, Inc. | Cmos画像センサ用のゲート制御型電荷変調デバイス |
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