JP2016155714A - α−Ga2O3単結晶、α−Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子 - Google Patents
α−Ga2O3単結晶、α−Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016155714A JP2016155714A JP2015035140A JP2015035140A JP2016155714A JP 2016155714 A JP2016155714 A JP 2016155714A JP 2015035140 A JP2015035140 A JP 2015035140A JP 2015035140 A JP2015035140 A JP 2015035140A JP 2016155714 A JP2016155714 A JP 2016155714A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- less
- substrate
- raw material
- concentration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
Description
水素濃度は、5×1018cm−3以下であってもよい。
アルミニウム濃度は、4×1016cm−3以下であってもよい。
塩素濃度は、1×1018cm−3以下であってもよい。
波長300nm以上の光に対する吸収係数は、500cm−1以下であってもよい。
10cm2以上の面積を有し、200μm以上30mm以下の厚さを有してもよい。
4価の価数を有する元素をさらに含有してもよい。
前記4価の価数を有する元素は、Si、Hf、Ge、Sn、TiおよびZrからなる群から選択される少なくとも1種の元素であってもよい。
前記4価の価数を有する元素の濃度は、1×1015cm−3以上1×1019cm−3以下であってもよい。
ハライド気相成長法により製造されてもよい。
本発明によるα−Ga2O3を製造する方法は、ハライド気相成長法により基板上にα−Ga2O3を成長するステップを包含し、これにより上記課題を解決する。
前記α−Ga2O3は、単結晶であってもよい。
前記成長するステップは、250℃より高く650℃未満の温度範囲の成長温度で行ってもよい。
前記成長するステップは、350℃以上600℃以下の温度範囲の成長温度で行ってもよい。
前記成長するステップは、少なくとも、ガリウム原料と酸素原料とを用い、前記ガリウム原料は、少なくともGaのハロゲン化物を含み、前記酸素原料は、O2、H2OおよびN2Oからなる群から少なくとも1つ選択されてもよい。
前記Gaのハロゲン化物は、GaClおよび/またはGaCl3を含んでもよい。
前記成長するステップは、4価の価数を有する元素を含有する原料をさらに用いてもよい。
前記4価の価数を有する元素は、Si、Hf、Ge、Sn、TiおよびZrからなる群から選択される少なくとも1種の元素であってもよい。
前記成長するステップにおいて、ガリウム原料の分圧は、0.05kPa以上10kPa以下の範囲であり、酸素原料の分圧は、0.25kPa以上50kPa以下の範囲であってもよい。
前記成長するステップにおいて、前記α−Ga2O3の成長速度は、5μm/時間以上1mm/時間の範囲であってもよい。
前記基板は、サファイア基板であってもよい。
前記サファイア基板は、(0001)、(10−10)、(11−20)、(10−12)、および、これらの傾斜基板からなる群から選択されてもよい。
前記成長するステップに続いて、前記基板を除去するステップをさらに包含してもよい。
前記成長するステップに続いて、前記α−Ga2O3をスライスするステップをさらに包含してもよい。
本発明の半導体素子は、上述のα−Ga2O3単結晶を備え、これにより上記課題を解決する。
前記半導体素子は、発光素子、ダイオード、紫外線検出素子、および、トランジスタからなる群から選択されてもよい。
実施の形態1では、本発明のα−Ga2O3単結晶およびその製造方法について詳述する。
図2は、本発明のα−Ga2O3単結晶を製造するフローチャートを示す図である。
2GaCl(g)+(3/2)O2(g)→Ga2O3(s)+Cl2(g)
2GaCl(g)+3H2O(g)→Ga2O3(s)+2HCl(g)+2H2(g)
2GaCl3(g)+(3/2)O2(g)→Ga2O3(s)+3Cl2(g)
2GaCl3(g)+3H2O(g)→Ga2O3(s)+6HCl(g)
ステップS220:ステップS210の成長するステップに続いて、基板を除去する。
実施の形態2では、本発明のα−Ga2O3単結晶を用いた半導体素子について詳述する。
実施例1では、図1の気相成長装置100を用いた、本発明によるハライド気相成長法(HVPE)により(0001)面(c面)サファイア基板上にα−Ga2O3単結晶を製造した(図2のステップS210)。
比較例2では、成長温度を650℃にした以外は、実施例1と同様であった。実施例1と同様に、膜厚を測定し、成長速度を算出した。ω−2θスキャンX線回折測定により、このようにして得られた膜を同定した。結果を図7に示す。
比較例2では、成長温度を250℃にした以外は、実施例1と同様であった。実施例1と同様に、膜厚を測定し、成長速度を算出した。
実施例4では、基板にR(10−12)面サファイア基板を用いた以外は、実施例1と同様であった。実施例1と同様に、膜厚を測定し、成長速度を算出した。ω−2θスキャンX線回折測定およびX線極点図測定を行い、膜を同定した。
実施例5では、基板にM(10−10)面サファイア基板を用いた以外は、実施例1と同様であった。実施例1と同様に、膜厚を測定し、成長速度を算出した。ω−2θスキャンX線回折測定およびX線極点図測定を行い、膜を同定した。
実施例6では、基板にA(11−20)面サファイア基板を用いた以外は、実施例1と同様であった。実施例1と同様に、膜厚を測定し、成長速度を算出した。ω−2θスキャンX線回折測定およびX線極点図測定を行い、膜を同定した。
実施例7では、基板にc面10度オフサファイア基板を用いた以外は、実施例1と同様であった。実施例1と同様に、膜厚を測定し、成長速度を算出した。ω−2θスキャンX線回折測定およびX線極点図測定を行い、膜を同定した。
図7は、比較例2で得られた膜のω−2θスキャンX線回折パターンを示す図である。
実施例8では、図1の気相成長装置100を用いた、本発明によるハライド気相成長法(HVPE)により、α−Ga2O3単結晶自立基板を製造した。実施例8では、Gaのハロゲン化物(GaCl/GaCl3)の分圧およびO2の分圧を、それぞれ、0.5kPaおよび2.0kPaに維持し、成長時間を5時間(300分)にした以外は、実施例1と同様であった。
実施例9では、図1の気相成長装置100を用いた、本発明によるハライド気相成長法(HVPE)により、複数のα−Ga2O3単結晶自立基板を製造した。実施例9では、基板に実施例8で得た厚さ400μm、10cm2以上の面積を有するα−Ga2O3単結晶自立基板を用い、成長時間を30時間(1800分)にした以外は、実施例8と同様であった。
110 反応炉
120 ヒータ
130 ガリウム原料供給源
140 酸素原料供給源
150 ガス排出部
160 基板ホルダ
170 ガリウム金属
300 発光素子
310、410、510 α−Ga2O3単結晶
320 発光層
330 n電極
340 p電極
370 ワイヤボンディング
380 リード
401、540 サファイア基板
400 トランジスタ
420 ソース
430 ドレイン
440 チャネル
450 絶縁膜
460 ゲート電極
470a、470b n+領域
480a、480b 電極
500、500’ 紫外線検出素子
520 ショットキー電極
530 オーミック電極
Claims (26)
- カーボン濃度は、5×1018cm−3以下である、α−Ga2O3単結晶。
- 水素濃度は、5×1018cm−3以下である、請求項1に記載のα−Ga2O3単結晶。
- アルミニウム濃度は、4×1016cm−3以下である、請求項1または2のいずれかに記載のα−Ga2O3単結晶。
- 塩素濃度は、1×1018cm−3以下である、請求項1〜3のいずれかに記載のα−Ga2O3単結晶。
- 波長300nm以上の光に対する吸収係数は、500cm−1以下である、請求項1〜4のいずれかに記載のα−Ga2O3単結晶。
- 10cm2以上の面積を有し、200μm以上30mm以下の厚さを有する、請求項1〜5のいずれかに記載のα−Ga2O3単結晶。
- 4価の価数を有する元素をさらに含有する、請求項1〜6のいずれかに記載のα−Ga2O3単結晶。
- 前記4価の価数を有する元素は、Si、Hf、Ge、Sn、TiおよびZrからなる群から選択される少なくとも1種の元素である、請求項7に記載のα−Ga2O3単結晶。
- 前記4価の価数を有する元素の濃度は、1×1015cm−3以上1×1019cm−3以下である、請求項7または8のいずれかに記載のα−Ga2O3単結晶。
- ハライド気相成長法により製造される、請求項1〜9のいずれかに記載のα−Ga2O3単結晶。
- α−Ga2O3を製造する方法であって、
ハライド気相成長法により基板上にα−Ga2O3を成長するステップ
を包含する、方法。 - 前記α−Ga2O3は、単結晶である、請求項11に記載の方法。
- 前記成長するステップは、250℃より高く650℃未満の温度範囲の成長温度で行う、請求項11または12のいずれかに記載の方法。
- 前記成長するステップは、350℃以上600℃以下の温度範囲の成長温度で行う、請求項13に記載の方法。
- 前記成長するステップは、少なくとも、ガリウム原料と酸素原料とを用い、
前記ガリウム原料は、少なくともGaのハロゲン化物を含み、
前記酸素原料は、O2、H2OおよびN2Oからなる群から少なくとも1つ選択される、請求項11〜14のいずれかに記載の方法。 - 前記Gaのハロゲン化物は、GaClおよび/またはGaCl3を含む、請求項15に記載の方法。
- 前記成長するステップは、4価の価数を有する元素を含有する原料をさらに用いる、請求項15または16のいずれかに記載の方法。
- 前記4価の価数を有する元素は、Si、Hf、Ge、Sn、TiおよびZrからなる群から選択される少なくとも1種の元素である、請求項17に記載の方法。
- 前記成長するステップにおいて、ガリウム原料の分圧は、0.05kPa以上10kPa以下の範囲であり、酸素原料の分圧は、0.25kPa以上50kPa以下の範囲である、請求項15〜18のいずれかに記載の方法。
- 前記成長するステップにおいて、前記α−Ga2O3の成長速度は、5μm/時間以上1mm/時間の範囲である、請求項11〜19のいずれかに記載の方法。
- 前記基板は、サファイア基板である、請求項11〜20のいずれかに記載の方法。
- 前記サファイア基板は、(0001)、(10−10)、(11−20)、(10−12)、および、これらの傾斜基板からなる群から選択される、請求項21に記載の方法。
- 前記成長するステップに続いて、前記基板を除去するステップをさらに包含する、請求項11〜22のいずれかに記載の方法。
- 前記成長するステップに続いて、前記α−Ga2O3をスライスするステップをさらに包含する、請求項11〜23のいずれかに記載の方法。
- 請求項1〜10のいずれかに記載のα−Ga2O3単結晶を備えた半導体素子。
- 前記半導体素子は、発光素子、ダイオード、紫外線検出素子、および、トランジスタからなる群から選択される、請求項25に記載の半導体素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015035140A JP6422159B2 (ja) | 2015-02-25 | 2015-02-25 | α−Ga2O3単結晶、α−Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015035140A JP6422159B2 (ja) | 2015-02-25 | 2015-02-25 | α−Ga2O3単結晶、α−Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018192199A Division JP6618216B2 (ja) | 2018-10-11 | 2018-10-11 | α−Ga2O3単結晶、α−Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016155714A true JP2016155714A (ja) | 2016-09-01 |
JP6422159B2 JP6422159B2 (ja) | 2018-11-14 |
Family
ID=56825248
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015035140A Active JP6422159B2 (ja) | 2015-02-25 | 2015-02-25 | α−Ga2O3単結晶、α−Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6422159B2 (ja) |
Cited By (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017052855A (ja) * | 2015-09-08 | 2017-03-16 | 株式会社Flosfia | 深紫外光発生用ターゲット、深紫外光源および深紫外発光素子 |
JP2017054654A (ja) * | 2015-09-08 | 2017-03-16 | 株式会社Flosfia | 深紫外発光素子 |
JP2018129500A (ja) * | 2016-10-03 | 2018-08-16 | 株式会社Flosfia | 半導体装置 |
WO2019033974A1 (zh) * | 2017-08-14 | 2019-02-21 | 南京大学 | 一种多功能氢化物气相外延生长系统及应用 |
JP2019034882A (ja) * | 2017-08-21 | 2019-03-07 | 株式会社Flosfia | 結晶膜の製造方法 |
KR20190073978A (ko) * | 2017-12-19 | 2019-06-27 | 한국세라믹기술원 | HVPE 성장법을 이용한 α-Ga2O3 박막 제조 방법 |
JP2019163200A (ja) * | 2017-08-21 | 2019-09-26 | 株式会社Flosfia | 結晶膜の製造方法 |
US10460934B2 (en) | 2017-08-21 | 2019-10-29 | Flosfia Inc. | Crystalline film, semiconductor device including crystalline film, and method for producing crystalline film |
CN111613694A (zh) * | 2020-05-26 | 2020-09-01 | 西安邮电大学 | 一种多波段氧化镓基紫外光电探测器阵列的制备方法 |
WO2020194763A1 (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-01 | 日本碍子株式会社 | 半導体膜 |
WO2020217563A1 (ja) * | 2019-04-24 | 2020-10-29 | 日本碍子株式会社 | 半導体膜 |
JPWO2020261574A1 (ja) * | 2019-06-28 | 2020-12-30 | ||
JP2021024184A (ja) * | 2019-08-02 | 2021-02-22 | 信越化学工業株式会社 | 積層体、半導体膜、半導体装置、半導体システム及び積層体の製造方法 |
WO2021153609A1 (ja) | 2020-01-27 | 2021-08-05 | 株式会社Flosfia | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US20210335609A1 (en) * | 2020-04-24 | 2021-10-28 | Flosfia Inc. | Crystalline film and method for manufacturing the same |
CN114059173A (zh) * | 2022-01-17 | 2022-02-18 | 浙江大学杭州国际科创中心 | 一种制备氧化镓料棒的装置及方法 |
WO2022039017A1 (ja) * | 2020-08-20 | 2022-02-24 | 信越化学工業株式会社 | 成膜方法及び原料溶液 |
KR20220054668A (ko) | 2019-09-03 | 2022-05-03 | 가부시키가이샤 플로스피아 | 결정막, 결정막을 포함하는 반도체 장치, 및 결정막의 제조 방법 |
KR20220070311A (ko) | 2019-09-30 | 2022-05-30 | 가부시키가이샤 플로스피아 | 적층 구조체 및 반도체 장치 |
CN114561701A (zh) * | 2021-06-07 | 2022-05-31 | 浙江大学杭州国际科创中心 | 一种铸造法生长氧化镓单晶的方法及包含氧化镓单晶的半导体器件 |
CN114761627A (zh) * | 2020-11-25 | 2022-07-15 | 伊尔德兹技术大学 | 一种生长高质量异质外延单斜氧化镓晶体的方法 |
WO2022186112A1 (ja) * | 2021-03-02 | 2022-09-09 | 信越化学工業株式会社 | 製膜方法、製膜装置及び積層体 |
EP3960915A4 (en) * | 2019-04-24 | 2022-12-21 | NGK Insulators, Ltd. | SEMICONDUCTOR FILM |
CN115838971A (zh) * | 2023-02-14 | 2023-03-24 | 楚赟精工科技(上海)有限公司 | 氧化镓薄膜及其制备方法 |
WO2023047895A1 (ja) | 2021-09-22 | 2023-03-30 | 信越化学工業株式会社 | 成膜方法、成膜装置及び結晶性酸化物膜 |
US11804519B2 (en) | 2020-04-24 | 2023-10-31 | Flosfia Inc. | Crystalline multilayer structure, semiconductor device, and method of manufacturing crystalline structure |
JP7460975B2 (ja) | 2017-08-21 | 2024-04-03 | 株式会社Flosfia | 結晶膜の製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013028480A (ja) * | 2011-07-27 | 2013-02-07 | Kochi Univ Of Technology | ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α型酸化ガリウム薄膜およびその生成方法 |
JP2014234337A (ja) * | 2013-06-04 | 2014-12-15 | 株式会社Flosfia | 酸化物結晶薄膜の製造方法 |
JP2015070248A (ja) * | 2013-10-01 | 2015-04-13 | 株式会社Flosfia | 酸化物薄膜及びその製造方法 |
-
2015
- 2015-02-25 JP JP2015035140A patent/JP6422159B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013028480A (ja) * | 2011-07-27 | 2013-02-07 | Kochi Univ Of Technology | ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α型酸化ガリウム薄膜およびその生成方法 |
JP2014234337A (ja) * | 2013-06-04 | 2014-12-15 | 株式会社Flosfia | 酸化物結晶薄膜の製造方法 |
JP2015070248A (ja) * | 2013-10-01 | 2015-04-13 | 株式会社Flosfia | 酸化物薄膜及びその製造方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
YUICHI OSHIMA ET AL.: "Halide vapor phase epitaxy of twin-free α-Ga2O3 on sapphire(0001)substrates", APPLIED PHYSICS EXPRESS, vol. 8, JPN6018034614, 2015, pages 055501, ISSN: 0003871211 * |
Cited By (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017052855A (ja) * | 2015-09-08 | 2017-03-16 | 株式会社Flosfia | 深紫外光発生用ターゲット、深紫外光源および深紫外発光素子 |
JP2017054654A (ja) * | 2015-09-08 | 2017-03-16 | 株式会社Flosfia | 深紫外発光素子 |
JP2018129500A (ja) * | 2016-10-03 | 2018-08-16 | 株式会社Flosfia | 半導体装置 |
WO2019033974A1 (zh) * | 2017-08-14 | 2019-02-21 | 南京大学 | 一种多功能氢化物气相外延生长系统及应用 |
JP2019034882A (ja) * | 2017-08-21 | 2019-03-07 | 株式会社Flosfia | 結晶膜の製造方法 |
JP2019163200A (ja) * | 2017-08-21 | 2019-09-26 | 株式会社Flosfia | 結晶膜の製造方法 |
US10460934B2 (en) | 2017-08-21 | 2019-10-29 | Flosfia Inc. | Crystalline film, semiconductor device including crystalline film, and method for producing crystalline film |
JP7460975B2 (ja) | 2017-08-21 | 2024-04-03 | 株式会社Flosfia | 結晶膜の製造方法 |
JP7166522B2 (ja) | 2017-08-21 | 2022-11-08 | 株式会社Flosfia | 結晶膜の製造方法 |
JP7163540B2 (ja) | 2017-08-21 | 2022-11-01 | 株式会社Flosfia | 結晶膜の製造方法 |
KR20190073978A (ko) * | 2017-12-19 | 2019-06-27 | 한국세라믹기술원 | HVPE 성장법을 이용한 α-Ga2O3 박막 제조 방법 |
KR102072167B1 (ko) * | 2017-12-19 | 2020-01-31 | 한국세라믹기술원 | HVPE 성장법을 이용한 α-Ga2O3 박막 제조 방법 |
WO2020194763A1 (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-01 | 日本碍子株式会社 | 半導体膜 |
JP7176099B2 (ja) | 2019-03-28 | 2022-11-21 | 日本碍子株式会社 | 半導体膜 |
CN113614292A (zh) * | 2019-03-28 | 2021-11-05 | 日本碍子株式会社 | 半导体膜 |
US20210408242A1 (en) * | 2019-03-28 | 2021-12-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Semiconductor film |
JPWO2020194763A1 (ja) * | 2019-03-28 | 2021-11-18 | 日本碍子株式会社 | 半導体膜 |
JP6784870B1 (ja) * | 2019-04-24 | 2020-11-11 | 日本碍子株式会社 | 半導体膜 |
JP7410009B2 (ja) | 2019-04-24 | 2024-01-09 | 日本碍子株式会社 | 半導体膜 |
WO2020217563A1 (ja) * | 2019-04-24 | 2020-10-29 | 日本碍子株式会社 | 半導体膜 |
JP2021038136A (ja) * | 2019-04-24 | 2021-03-11 | 日本碍子株式会社 | 半導体膜 |
CN113677833A (zh) * | 2019-04-24 | 2021-11-19 | 日本碍子株式会社 | 半导体膜 |
EP3960915A4 (en) * | 2019-04-24 | 2022-12-21 | NGK Insulators, Ltd. | SEMICONDUCTOR FILM |
US11942520B2 (en) | 2019-04-24 | 2024-03-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Semiconductor film |
JPWO2020261574A1 (ja) * | 2019-06-28 | 2020-12-30 | ||
WO2020261574A1 (ja) * | 2019-06-28 | 2020-12-30 | 日本碍子株式会社 | 半導体膜 |
JP7265624B2 (ja) | 2019-06-28 | 2023-04-26 | 日本碍子株式会社 | 半導体膜 |
JP2021024184A (ja) * | 2019-08-02 | 2021-02-22 | 信越化学工業株式会社 | 積層体、半導体膜、半導体装置、半導体システム及び積層体の製造方法 |
JP7053539B2 (ja) | 2019-08-02 | 2022-04-12 | 信越化学工業株式会社 | 積層体、半導体膜、半導体装置、半導体システム及び積層体の製造方法 |
KR20220054668A (ko) | 2019-09-03 | 2022-05-03 | 가부시키가이샤 플로스피아 | 결정막, 결정막을 포함하는 반도체 장치, 및 결정막의 제조 방법 |
KR20220070311A (ko) | 2019-09-30 | 2022-05-30 | 가부시키가이샤 플로스피아 | 적층 구조체 및 반도체 장치 |
KR20220127301A (ko) | 2020-01-27 | 2022-09-19 | 가부시키가이샤 플로스피아 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
WO2021153609A1 (ja) | 2020-01-27 | 2021-08-05 | 株式会社Flosfia | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US11694894B2 (en) | 2020-04-24 | 2023-07-04 | Flosfia Inc. | Crystalline film containing a crystalline metal oxide and method for manufacturing the same under partial pressure |
US20210335609A1 (en) * | 2020-04-24 | 2021-10-28 | Flosfia Inc. | Crystalline film and method for manufacturing the same |
US11804519B2 (en) | 2020-04-24 | 2023-10-31 | Flosfia Inc. | Crystalline multilayer structure, semiconductor device, and method of manufacturing crystalline structure |
CN111613694A (zh) * | 2020-05-26 | 2020-09-01 | 西安邮电大学 | 一种多波段氧化镓基紫外光电探测器阵列的制备方法 |
WO2022039017A1 (ja) * | 2020-08-20 | 2022-02-24 | 信越化学工業株式会社 | 成膜方法及び原料溶液 |
CN114761627B (zh) * | 2020-11-25 | 2024-01-26 | 伊尔德兹技术大学 | 一种生长高质量异质外延单斜氧化镓晶体的方法 |
CN114761627A (zh) * | 2020-11-25 | 2022-07-15 | 伊尔德兹技术大学 | 一种生长高质量异质外延单斜氧化镓晶体的方法 |
WO2022186112A1 (ja) * | 2021-03-02 | 2022-09-09 | 信越化学工業株式会社 | 製膜方法、製膜装置及び積層体 |
CN114561701B (zh) * | 2021-06-07 | 2022-08-19 | 浙江大学杭州国际科创中心 | 一种铸造法生长氧化镓单晶的方法及包含氧化镓单晶的半导体器件 |
CN114561701A (zh) * | 2021-06-07 | 2022-05-31 | 浙江大学杭州国际科创中心 | 一种铸造法生长氧化镓单晶的方法及包含氧化镓单晶的半导体器件 |
WO2023047895A1 (ja) | 2021-09-22 | 2023-03-30 | 信越化学工業株式会社 | 成膜方法、成膜装置及び結晶性酸化物膜 |
CN114059173B (zh) * | 2022-01-17 | 2022-04-01 | 浙江大学杭州国际科创中心 | 一种制备氧化镓料棒的装置及方法 |
CN114059173A (zh) * | 2022-01-17 | 2022-02-18 | 浙江大学杭州国际科创中心 | 一种制备氧化镓料棒的装置及方法 |
CN115838971B (zh) * | 2023-02-14 | 2023-06-13 | 楚赟精工科技(上海)有限公司 | 氧化镓薄膜及其制备方法 |
CN115838971A (zh) * | 2023-02-14 | 2023-03-24 | 楚赟精工科技(上海)有限公司 | 氧化镓薄膜及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6422159B2 (ja) | 2018-11-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6422159B2 (ja) | α−Ga2O3単結晶、α−Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子 | |
JP6436538B2 (ja) | ε−Ga2O3単結晶、ε−Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子 | |
JP5018423B2 (ja) | Iii族窒化物半導体結晶基板および半導体デバイス | |
JP6835113B2 (ja) | 窒化ガリウム基板、および、窒化物半導体結晶の製造方法 | |
JP5307975B2 (ja) | 窒化物系半導体自立基板及び窒化物系半導体発光デバイス用エピタキシャル基板 | |
JP5234968B2 (ja) | n型導電性窒化アルミニウム半導体結晶及びその製造方法 | |
CN109056058A (zh) | 一种制备GaN衬底材料的方法 | |
JP4631681B2 (ja) | 窒化物系半導体基板及び半導体装置 | |
TWI520377B (zh) | GaN基板及發光裝置 | |
JP4714192B2 (ja) | 窒化ガリウム結晶の成長方法、窒化ガリウム結晶基板、エピウエハの製造方法およびエピウエハ | |
US20160254391A1 (en) | N-type aluminum nitride single-crystal substrate and vertical nitride semiconductor device | |
JP2009126723A (ja) | Iii族窒化物半導体結晶の成長方法、iii族窒化物半導体結晶基板の製造方法およびiii族窒化物半導体結晶基板 | |
JP6618216B2 (ja) | α−Ga2O3単結晶、α−Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子 | |
CN112309832B (zh) | 可转移氧化镓单晶薄膜的制备方法 | |
CN108987257B (zh) | 利用卤化物气相外延法在Si衬底上生长Ga2O3薄膜的方法 | |
JP6842128B2 (ja) | α−Ga2O3単結晶の製造装置 | |
JP6515318B2 (ja) | 結晶性積層構造体の製造方法および半導体装置 | |
JPH0513342A (ja) | 半導体ダイヤモンド | |
JP2014043388A (ja) | 第13族窒化物結晶の製造方法 | |
JP2005343704A (ja) | AlxGayIn1−x−yN結晶の製造方法 | |
WO2020203541A1 (ja) | GaN基板ウエハおよびGaN基板ウエハの製造方法 | |
JP4513421B2 (ja) | AlxGayIn1−x−yN結晶の製造方法 | |
JP5110117B2 (ja) | 窒化ガリウム結晶の成長方法、窒化ガリウム結晶基板、エピウエハの製造方法およびエピウエハ | |
WO2020241760A1 (ja) | GaN基板ウエハおよびその製造方法 | |
JP2018206951A (ja) | Iii族窒化物半導体デバイス、およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180115 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180814 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180904 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180905 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180925 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181012 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6422159 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |