JP2016072303A - 光電変換装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 光電変換装置11は、下部電極層2と、下部電極層2上に設けられた第1の導電型を有する光吸収層3と、光吸収層3上に設けられた第2の導電型を有するバッファ層4と、バッファ層4の上面を部分的に覆うように設けられた絶縁層6と、バッファ層4および絶縁層6上に設けられた上部電極層5とを具備する。
【選択図】 図2
Description
図1は、本発明の第1実施形態に係る光電変換装置を示す斜視図であり、図2はその断面図である。また、図3はバッファ層および絶縁層の構成を見やすくするため、光電変換装置の絶縁層よりも上側の部分を除いた平面図である。光電変換装置11は、基板1上に複数の光電変換セル10が並べられて互いに電気的に接続されている。なお、図1においては図示の都合上、2つの光電変換セル10のみを示しているが、実際の光電変換装置11においては、図面左右方向、あるいはさらにこれに垂直な方向に、多数の光電変換セル10が平面的に(二次元的に)配設されていてもよい。
えば、CuInSe2(二セレン化銅インジウム、CISともいう)、Cu(In,Ga)Se2(二セレン化銅インジウム・ガリウム、CIGSともいう)、Cu(In,Ga)(Se,S)2(二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム、CIGSSともいう)が挙げられる。あるいは、光吸収層3は、薄膜の二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム層を表面層として有する二セレン化銅インジウム・ガリウム等の多元化合物半導体薄膜にて構成されていてもよい。
図4は、第2実施形態の光電変換装置21の絶縁層26よりも上側の部分(上部電極層や集電電極)を除いた平面図である。図4において、図1〜3と同じ構成のものには同じ符号を付しており、詳細な説明は省略する。
て生じたキャリアの再結合を低減して光電変換効率を向上させることができる。さらに、第2実施形態の光電変換装置21の構成であれば、上部電極層5をスパッタリング法等で形成する際の衝撃を低減でき、リーク電流をより低減できる。
図5は、第3実施形態の光電変換装置31の絶縁層36よりも上側の部分(上部電極層や集電電極)を除いた平面図である。図5において、図1〜3と同じ構成のものには同じ符号を付しており、詳細な説明は省略する。
図6は、第4実施形態の光電変換装置41の絶縁層46よりも上側の部分(上部電極層や集電電極)を除いた平面図である。図6において、図1〜3と同じ構成のものには同じ符号を付しており、詳細な説明は省略する。
3:光吸収層
4:バッファ層
5:上部電極層
6、26、36、46:絶縁層
11、21、31、41:光電変換装置
Claims (7)
- 下部電極層と、
該下部電極層上に設けられた第1の導電型を有する光吸収層と、
該光吸収層上に設けられた第2の導電型を有するバッファ層と、
該バッファ層の上面を部分的に覆うように設けられた絶縁層と、
前記バッファ層および前記絶縁層上に設けられた上部電極層と
を具備する光電変換装置。 - 前記絶縁層の電気抵抗率が1Ω・m以上である、請求項1に記載の光電変換装置
- 前記バッファ層の上面における単位面積あたりの前記絶縁層の被覆面積率は10%以上75%以下である、請求項1または2に記載の光電変換装置。
- 前記絶縁層はAl2O3、SiO2、ZrO2およびTiO2の少なくとも一種を含む、請求項1乃至3のいずれかに記載の光電変換装置。
- 前記絶縁層は、前記バッファ層上に点在している、請求項1乃至4のいずれかに記載の光電変換装置。
- 前記絶縁層は、前記バッファ層上に複数の帯状体が互いに間隔をあけて設けられている、請求項1乃至4のいずれかに記載の光電変換装置。
- 前記絶縁層は、前記バッファ層の上面を露出させる複数の貫通孔を有している、請求項1乃至4のいずれかに記載の光電変換装置。
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JPS6184076A (ja) * | 1984-09-24 | 1986-04-28 | エナージー・コンバーシヨン・デバイセス・インコーポレーテツド | 光起電力装置 |
JP2004047860A (ja) * | 2002-07-15 | 2004-02-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
JP2013077692A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
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2014
- 2014-09-26 JP JP2014197277A patent/JP6346058B2/ja active Active
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