JP6258884B2 - 光電変換装置 - Google Patents
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Description
いるが、実際の光電変換装置11においては、図面左右方向、あるいはさらにこれに垂直な方向に、多数の光電変換セル10が平面的に(二次元的に)配設されていてもよい。
部電極層2と光電変換層Aとの密着性および絶縁層6の耐熱性をより高めるという観点からは、Al2O3、SiO2、ZrO2、MgO、Nb2O5およびTiO2の質量合計が絶縁層6の全質量の70%以上となるようにするのが好ましい。
なお、図示していないが、基板1と下部電極2の間、並びに基板1と絶縁層6の間に光散乱や導電を目的とした透明導電膜や、屈折率が基板1と下部電極2の間、もしくは基板1と絶縁層6の間の反射を抑制するようにした絶縁膜を形成してもよい。このとき、絶縁層6を形成しているために、光電変換層Aを形成するプロセスで透明導電膜や絶縁膜が変質してしまうのを保護することができるようになり、材料選択の自由度が増す。
導体層である。光電変換層Aは、例えば1μm〜3μm程度の厚みである。光電変換層Aは、複数の半導体層が積層されたものであってもよい。図1および図2は、光電変換層Aが、光を吸収して光電変換可能な光吸収層3と、光吸収層3に接合された、光吸収層3とは異なる導電型のバッファ層4との積層体から成る例を示している。
化合物等の化合物半導体等が挙げられる。
えば、CuInSe2(二セレン化銅インジウム、CISともいう)、Cu(In,Ga)Se2(二セレン化銅インジウム・ガリウム、CIGSともいう)、Cu(In,Ga)(Se,S)2(二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム、CIGSSともいう)が挙げられる。あるいは、光吸収層3は、薄膜の二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム層を表面層として有する二セレン化銅インジウム・ガリウム等の多元化合物半導体薄膜にて構成されていてもよい。
低くするために、Al、B、Ga、In、SnおよびF等のうちの何れかの元素が含まれても良い。このような元素が含まれた金属酸化物半導体の具体例としては、例えば、AZO(Aluminum Zinc Oxide)、BZO(Boron Zinc Oxide)、GZO(Gallium Zinc Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、ITO(Indium Tin Oxide)、FTO(Fluorine tin Oxide)等がある。透明導電膜5は、スパッタリング法、蒸着法またはCVD法等で形成される。
B:上部電極層
2、2a、2b、2c:下部電極層
3:光吸収層
4:バッファ層
5:上部電極層
6:絶縁層
11:光電変換装置
12:貫通孔
Claims (5)
- ガラスを主として含む基板と、
該基板上に設けられた、前記基板を露出させる複数の貫通孔を有する下部電極層と、
前記貫通孔内における前記基板上に設けられた絶縁層と、
前記下部電極層および前記絶縁層上に設けられた光電変換層と、
該光電変換層上に設けられた上部電極層と
を具備しており、
前記下部電極層を平面視したときに、前記下部電極層の前記光電変換層が設けられている部位の全面にわたって前記絶縁層が点在している、光電変換装置。 - 前記絶縁層の電気抵抗率が1Ω・m以上である、請求項1に記載の光電変換装置。
- 前記下部電極層を平面視したときの単位面積あたりの前記絶縁層の占有面積率は10%以上95%以下である、請求項1または2に記載の光電変換装置。
- 前記絶縁層はAl2O3、SiO2、ZrO2、MgO、Nb2O5、およびTiO2の少なくとも一種を含む、請求項1乃至3のいずれかに記載の光電変換装置。
- 前記絶縁層はポリイミド樹脂を含む、請求項1乃至3のいずれかに記載の光電変換装置。
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