JP2016157808A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016157808A JP2016157808A JP2015034331A JP2015034331A JP2016157808A JP 2016157808 A JP2016157808 A JP 2016157808A JP 2015034331 A JP2015034331 A JP 2015034331A JP 2015034331 A JP2015034331 A JP 2015034331A JP 2016157808 A JP2016157808 A JP 2016157808A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- layer
- electrode layer
- lower electrode
- disposed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/543—Solar cells from Group II-VI materials
Abstract
【課題】 光電変換装置の光電変換効率を向上させる。
【解決手段】 光電変換装置11は、基板1と、基板1上に配置された第1の下部電極層2aと、第1の下部電極層2aと第1間隔P1をあけて基板1上に配置された第2の下部電極層2bと、第1の下部電極層2a上から第2の下部電極層2b上にかけて配置された光電変換層Aと、光電変換層Aと第2間隙P2をあけて第2の下部電極層2b上に配置された分離光電変換層Cと、光電変換層A上に配置された上部電極層Bと、第2間隙P2内に配置された、上部電極層Bと第2の下部電極層2bとを電気的に接続する接続導体7と、第2の下部電極層2bの上面と分離光電変換層Cとの界面に配置された絶縁層20とを具備する。
【選択図】 図2
【解決手段】 光電変換装置11は、基板1と、基板1上に配置された第1の下部電極層2aと、第1の下部電極層2aと第1間隔P1をあけて基板1上に配置された第2の下部電極層2bと、第1の下部電極層2a上から第2の下部電極層2b上にかけて配置された光電変換層Aと、光電変換層Aと第2間隙P2をあけて第2の下部電極層2b上に配置された分離光電変換層Cと、光電変換層A上に配置された上部電極層Bと、第2間隙P2内に配置された、上部電極層Bと第2の下部電極層2bとを電気的に接続する接続導体7と、第2の下部電極層2bの上面と分離光電変換層Cとの界面に配置された絶縁層20とを具備する。
【選択図】 図2
Description
本発明は、複数の光電変換セルが電気的に接続された光電変換装置に関する。
太陽光発電などに使用される光電変換装置として、基板の上に複数の光電変換セルが設けられたものがある(例えば、特許文献1など)。
このような光電変換装置は、ガラスなどの基板の上に、金属電極などの下部電極層と、光吸収層およびバッファ層を含む光電変換層と、透明導電膜などの上部電極層とを、この順に積層した光電変換セルが、平面的に複数並設されて構成されている。複数の光電変換セルは、隣り合う一方の光電変換セルの透明導電膜と他方の下部電極層とが接続導体で接続されることで、電気的に直列接続されている。
光電変換装置には光電変換効率の向上が常に要求される。本発明の一つの目的は、光電変換装置の光電変換効率を向上させることにある。
本発明の一実施形態に係る光電変換装置は、基板と、該基板上に配置された第1の下部電極層と、該第1の下部電極層と第1間隔をあけて前記基板上に配置された第2の下部電極層と、前記第1の下部電極層上から前記第2の下部電極層上にかけて配置された光電変換層と、前記光電変換層と第2間隙をあけて前記第2の下部電極層上に配置された分離光電変換層と、前記光電変換層上に配置された上部電極層と、前記第2間隙内に配置された、前記上部電極層と前記第2の下部電極層とを電気的に接続する接続導体と、前記第2の下部電極層の上面と前記分離光電変換層との界面に配置された絶縁層とを具備する。
本発明によれば、光電変換効率を高めることが可能となる。
以下に本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
<光電変換装置の構成>
図1は、光電変換装置の一例を示す斜視図であり、図2はその断面図である。また、図3は図2の光電変換装置の要部拡大断面図である。光電変換装置11は、基板1上に複数の光電変換セル10が並べられて互いに電気的に接続されている。なお、図1〜図3においては図示の都合上、2つの光電変換セル10のみを示しているが、実際の光電変換装置
11においては、図面左右方向、あるいはさらにこれに垂直な方向に、多数の光電変換セル10が平面的に(二次元的に)配設されていてもよい。
図1は、光電変換装置の一例を示す斜視図であり、図2はその断面図である。また、図3は図2の光電変換装置の要部拡大断面図である。光電変換装置11は、基板1上に複数の光電変換セル10が並べられて互いに電気的に接続されている。なお、図1〜図3においては図示の都合上、2つの光電変換セル10のみを示しているが、実際の光電変換装置
11においては、図面左右方向、あるいはさらにこれに垂直な方向に、多数の光電変換セル10が平面的に(二次元的に)配設されていてもよい。
図1〜図3において、基板1上に複数の下部電極層2が第1間隙P1をあけて平面配置されている。隣接する下部電極層2のうち、一方の下部電極層2a(以下、第1の下部電極層2aともいう)上から他方の下部電極層2b(以下、第2の下部電極層2bともいう)上にかけて、光電変換層Aが設けられている。また、第2の下部電極層2b上において、上記光電変換層Aと第2間隙P2をあけて分離光電変換層Cが設けられている。つまり、分離光電変換層Cは、第1の下部電極層2a上から第2の下部電極層2b上にかけて連続して形成した光電変換層を、後述する接続導体7が設けられる第2間隙P2を形成するために、第2の下部電極層2b上で分断することによって光電変換層Aから分離された部位である。また、光電変換層A上には上部電極層Bが設けられている。そして、第2の下部電極層2b上の第2間隙P2内において、接続導体7が第2の下部電極層2bと上部電極層Bとを電気的に接続するように設けられている。これら、下部電極層2(第1の下部電極層2aおよび第2の下部電極層2b)、光電変換層A、分離光電変換層C、上部電極層Bおよび接続導体7を少なくとも含むことによって、1つの光電変換セル10が構成される。そして、隣接する光電変換セル10同士が第2の下部電極層2bによって電気的に接続されており、このような構成によって、隣接する光電変換セル10同士が直列接続された光電変換装置11となる。
なお、本実施形態における光電変換装置11は、光電変換層Aに対して上部電極層B側から光が入射されるものを想定しているが、これに限定されず、基板1側から光が入射されるものであってもよい。
基板1は、光電変換セル10を支持するためのものである。基板1に用いられる材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、樹脂および金属等が挙げられる。基板1としては、例えば、厚さ1〜3mm程度の青板ガラス(ソーダライムガラス)を用いることができる。
下部電極層2(第1の下部電極層2aおよび第2の下部電極層2b)は、基板1上に設けられた、Mo、Al、TiまたはAu等の導電体である。下部電極層2は、スパッタリング法または蒸着法などの公知の薄膜形成手法を用いて、0.2μm〜1μm程度の厚みに形成される。第1間隙P1の幅、つまり第1の下部電極層2aおよび第2の下部電極層2bの間隔は、例えば、20〜200μmとされ得る。
光電変換層Aおよび分離光電変換層Cは、光を吸収してキャリア(電子および正孔)を発生させる機能をする半導体層である。光電変換層Aおよび分離光電変換層Cは、例えば1μm〜3μm程度の厚みである。光電変換層Aおよび分離光電変換層Cは、複数の半導体層が積層されたものであってもよい。図1〜図3は、光電変換層Aおよび分離光電変換層Cが、光を吸収して光電変換可能な光吸収層3と、光吸収層3に接合された、光吸収層3とは異なる導電型のバッファ層4との積層体から成る例を示している。
光吸収層3としては、II−VI族化合物、I−III−VI族化合物およびI−II−IV−VI族
化合物等の化合物半導体等が挙げられる。
化合物等の化合物半導体等が挙げられる。
II−VI族化合物とは、12族元素(II−B族元素ともいう)と16族元素(VI−B族元素ともいう)との化合物半導体である。II−VI族化合物としては、例えば、CdTe等が挙げられる。
I−III−VI族化合物とは、11族元素(I−B族元素ともいう)と13族元素(III−
B族元素ともいう)と16族元素との化合物である。I−III−VI族化合物としては、例
えば、CuInSe2(二セレン化銅インジウム、CISともいう)、Cu(In,Ga)Se2(二セレン化銅インジウム・ガリウム、CIGSともいう)、Cu(In,Ga)(Se,S)2(二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム、CIGSSともいう)が挙げられる。あるいは、光吸収層3は、薄膜の二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム層を表面層として有する二セレン化銅インジウム・ガリウム等の多元化合物半導体薄膜にて構成されていてもよい。
B族元素ともいう)と16族元素との化合物である。I−III−VI族化合物としては、例
えば、CuInSe2(二セレン化銅インジウム、CISともいう)、Cu(In,Ga)Se2(二セレン化銅インジウム・ガリウム、CIGSともいう)、Cu(In,Ga)(Se,S)2(二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム、CIGSSともいう)が挙げられる。あるいは、光吸収層3は、薄膜の二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム層を表面層として有する二セレン化銅インジウム・ガリウム等の多元化合物半導体薄膜にて構成されていてもよい。
I−II−IV−VI族化合物とは、11族元素と12族元素と14族元素(IV−B族元素ともいう)と16族元素との化合物である。I−II−IV−VI族化合物としては、例えば、Cu2ZnSnS4(CZTSともいう)、Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSeともいう)、およびCu2ZnSnSe4(CZTSeともいう)が挙げられる。
光吸収層3は、スパッタリング法、蒸着法などのいわゆる真空プロセスによって形成可能であるほか、いわゆる塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスによって形成することもできる。塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスは、光吸収層3の構成元素の錯体溶液を下部電極層2の上に塗布し、その後、乾燥・熱処理を行うプロセスである。
バッファ層4は、光吸収層3にヘテロ接合された、光吸収層3とは異なる導電型(ここでは光吸収層3がp型でバッファ層4がn型の例を示す)を有する半導体層であり、5〜200nmの厚みを有している。バッファ層4としては、例えば、CdS、ZnS、In2S3等の金属硫化物が用いられる。なお、バッファ層4は、このような金属硫化物に加えて、金属酸化物および金属水酸化物の少なくとも一方を含む混晶であってもよい。バッファ層4は、例えば溶液析出法(CBD法)、ALD法、MOCVD法などで形成される。
上部電極層Bは光電変換層Aの光電変換で生じたキャリアを取り出す電極として機能する。図1〜図3の例では上部電極層Bが透明導電膜5と集電電極8とから成る例を示しているがこれに限定されず、透明導電膜だけであってもよく、あるいは集電電極だけであってもよい。
透明導電膜5は、バッファ層4と同じ導電型を有する半導体層であり、0.05〜3.0μm程度の厚みの導電膜である。透明導電膜5の電気抵抗率は1Ω・cm以下であり、シート抵抗は50Ω/□以下であってもよい。
透明導電膜5は、ZnOやIn2O3、SnO2等の金属酸化物を含み、電気抵抗率を低くするために、Al、B、Ga、In、SnおよびF等のうちの何れかの元素が含まれても良い。このような元素が含まれた金属酸化物半導体の具体例としては、例えば、AZO(Aluminum Zinc Oxide)、BZO(Boron Zinc Oxide)、GZO(Gallium Zinc Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、ITO(Indium Tin Oxide)、FTO(Fluorine tin Oxide)等がある。透明導電膜5は、スパッタリング法、蒸着法またはCVD法等で形成される。
また、透明導電膜5は、ZnOやIn2O3、SnO2等の金属酸化物を含む、電気抵抗率が異なる2層以上の層で形成されても良い。このようにすることで、透明導電膜5のバッファ層4側で抵抗を大きくし、リークを抑制する機能を付与することもできる。
集電電極8は、上部電極層Bの電気抵抗率を低くして光電変換層Aで生じた電荷をさらに良好に取り出すためのものである。集電電極8は、例えば、図1に示すように、光電変換セル10の一端から接続導体7にかけて線状に形成されている。これにより、光電変換
層Aで生じた電流が透明導電膜5を介して集電電極8に集電され、接続導体7を介して隣接する光電変換セル10に良好に通電される。
層Aで生じた電流が透明導電膜5を介して集電電極8に集電され、接続導体7を介して隣接する光電変換セル10に良好に通電される。
集電電極8は、光電変換層Aへの光透過率を高めるとともに良好な導電性を有するという観点から、50〜400μmの幅を有していてもよい。また、集電電極8は、枝分かれした複数の分岐部を有していてもよい。
集電電極8は、例えば、Ag等の金属粉を樹脂バインダー等に分散させた金属ペーストがパターン状に印刷され、これが硬化されることによって形成される。
接続導体7は、第2間隙P2内に設けられており、上部電極層Bと第2下部電極層2bとを電気的に接続する導体である。接続導体7は、金属や導電ペースト等が用いられ得る。図1および図2においては、集電電極8を延伸して接続導体7が形成されているが、これに限定されない。例えば、透明導電膜5が延伸したものであってもよい。
絶縁層20は、第2の下部電極層2bの上面と分離光電変換層Cとの界面に設けられている。このような構成によって、光電変換効率をさらに高めることができる。つまり、従来の光電変換装置では、隣接する光電変換セル10のうち一方の光電変換セル10の光電変換層Aで生じた電流が、上部電極層B、接続導体7および第2の下部電極層2bを介して隣接する他方の光電変換セル10に伝送される。しかし、非発電領域である分離光電変換装置Cも光照射によって励起されて導電率が高くなるため、第2の下部電極層2bと分離光電変換層Cとの界面で電流値が低減しやすくなる。これに対し、上記のように絶縁層20を有することによって、第2の下部電極層2bを流れる電流値の低減を少なくすることができる。その結果、光電変換効率が高くなる。
絶縁層20は電気抵抗率が1Ω・m以上のものが用いられ得る。このような絶縁層20としては、Al2O3、SiO2、ZrO2、MgO、Nb2O5およびTiO2の等の金属酸化物またはポリイミド樹脂等の耐熱性樹脂が挙げられる。
絶縁層20がAl2O3、SiO2、ZrO2、MgO、Nb2O5およびTiO2の少なくとも一種を含む場合、第2の下部電極層2bと分離光電変換層Cとの密着性を高めることができる。この場合、絶縁層20におけるAl2O3、SiO2、ZrO2、MgO、Nb2O5およびTiO2の含有量は、Al2O3、SiO2、ZrO2、MgO、Nb2O5およびTiO2の質量合計が絶縁層20の全質量の50%以上となるようにするのが好ましい。第2の下部電極層2bと分離光電変換層Cとの密着性および絶縁層20の耐熱性をより高めるという観点からは、Al2O3、SiO2、ZrO2、MgO、Nb2O5およびTiO2の質量合計が絶縁層20の全質量の70%以上となるようにするのが好ましい。
また、絶縁層20がポリイミド樹脂を含む場合、絶縁層20の柔軟性が向上し、絶縁層20のクラックなどによる絶縁不良を低減させることが可能となる。更に、絶縁層20が応力緩和層として作用し、分離光電変換層Cのクラックや剥離を軽減する役割もする。また、絶縁層20を形成する際、インクジェット塗布法等で容易に行なうことができ、生産性も向上する。なお、絶縁層20がポリイミド樹脂を含む場合、ポリイミド樹脂の質量合計が絶縁層20の全質量の50%以上となるようにするのが好ましい。絶縁層20の柔軟性および耐熱性をより高めるという観点からは、ポリイミド樹脂の質量合計が絶縁層20の全質量の70%以上となるようにするのが好ましい。
絶縁層20は、第2の下部電極層2bの上面と分離光電変換層Cとの界面全面を覆っていてもよく、部分的に覆っていてもよい。特に第2の下部電極層2bを流れる電流値の低
減をより少なくするという観点からは、絶縁層20が第2の下部電極層2bの上面と分離光電変換層Cとの界面全面を覆っていてもよい。
減をより少なくするという観点からは、絶縁層20が第2の下部電極層2bの上面と分離光電変換層Cとの界面全面を覆っていてもよい。
なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更が施されることは何等差し支えない。
1:基板
2:下部電極層
2a:第1の下部電極層
2b:第2の下部電極層
7:接続導体
10:光電変換セル
11:光電変換装置
20:絶縁層
A:光電変換層
B:上部電極層
C:分離光電変換層
2:下部電極層
2a:第1の下部電極層
2b:第2の下部電極層
7:接続導体
10:光電変換セル
11:光電変換装置
20:絶縁層
A:光電変換層
B:上部電極層
C:分離光電変換層
Claims (4)
- 基板と、
該基板上に配置された第1の下部電極層と、
該第1の下部電極層と第1間隔をあけて前記基板上に配置された第2の下部電極層と、
前記第1の下部電極層上から前記第2の下部電極層上にかけて配置された光電変換層と、前記光電変換層と第2間隙をあけて前記第2の下部電極層上に配置された分離光電変換層と、
前記光電変換層上に配置された上部電極層と、
前記第2間隙内に配置された、前記上部電極層と前記第2の下部電極層とを電気的に接続する接続導体と、
前記第2の下部電極層の上面と前記分離光電変換層との界面に配置された絶縁層と
を具備する光電変換装置。 - 前記絶縁層の電気抵抗率が1Ω・m以上である、請求項1に記載の光電変換装置。
- 前記絶縁層はAl2O3、SiO2、ZrO2、MgO、Nb2O5およびTiO2の少なくとも一種を含む、請求項1または2に記載の光電変換装置。
- 前記絶縁層はポリイミド樹脂を含む、請求項1または2に記載の光電変換装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015034331A JP2016157808A (ja) | 2015-02-24 | 2015-02-24 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015034331A JP2016157808A (ja) | 2015-02-24 | 2015-02-24 | 光電変換装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016157808A true JP2016157808A (ja) | 2016-09-01 |
Family
ID=56826581
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015034331A Pending JP2016157808A (ja) | 2015-02-24 | 2015-02-24 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2016157808A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023120614A1 (ja) * | 2021-12-24 | 2023-06-29 | 出光興産株式会社 | 光電変換素子、太陽電池モジュール、パドル及び光電変換素子の製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0918045A (ja) * | 1995-07-03 | 1997-01-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池とその製造方法 |
JP2012049234A (ja) * | 2010-08-25 | 2012-03-08 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜太陽電池及びその製造方法 |
US20140137931A1 (en) * | 2012-11-22 | 2014-05-22 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Solar cell and method of manufacturing the same |
-
2015
- 2015-02-24 JP JP2015034331A patent/JP2016157808A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0918045A (ja) * | 1995-07-03 | 1997-01-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池とその製造方法 |
JP2012049234A (ja) * | 2010-08-25 | 2012-03-08 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜太陽電池及びその製造方法 |
US20140137931A1 (en) * | 2012-11-22 | 2014-05-22 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Solar cell and method of manufacturing the same |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023120614A1 (ja) * | 2021-12-24 | 2023-06-29 | 出光興産株式会社 | 光電変換素子、太陽電池モジュール、パドル及び光電変換素子の製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2013510426A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
US10134932B2 (en) | Solar cell and method of fabricating the same | |
JP2011077149A (ja) | 太陽電池モジュール | |
WO2016152857A1 (ja) | 光電変換装置 | |
JP6258884B2 (ja) | 光電変換装置 | |
JP2016157808A (ja) | 光電変換装置 | |
JP2016157805A (ja) | 光電変換装置 | |
JP2013074117A (ja) | 光電変換モジュール | |
JP2016103582A (ja) | 光電変換装置 | |
JP5813139B2 (ja) | 光電変換装置 | |
JP2016122743A (ja) | 光電変換装置 | |
JP2016171186A (ja) | 光電変換装置 | |
JP6346058B2 (ja) | 光電変換装置 | |
WO2016171157A1 (ja) | 光電変換装置 | |
JP2016184652A (ja) | 光電変換装置 | |
JP2016111310A (ja) | 光電変換装置 | |
JP2016219627A (ja) | 光電変換装置 | |
JP2013175498A (ja) | 光電変換モジュール | |
JP2014007236A (ja) | 集積化太陽電池およびその製造方法 | |
JP5988373B2 (ja) | 光電変換装置および光電変換装置の製造方法 | |
JP2013149650A (ja) | 光電変換装置 | |
JP2014049484A (ja) | 光電変換装置 | |
JP2014127508A (ja) | 光電変換装置および光電変換装置の製造方法 | |
JP2013229487A (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
WO2013111498A1 (ja) | 光電変換装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160902 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170502 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170428 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20171107 |