JP2014049484A - 光電変換装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 光電変換装置の光電変換効率を向上させる。
【解決手段】 光電変換装置11は、基板1と、基板1上に互いに間隙P1を介して並べられた第1の下部電極層2aおよび第2の下部電極層2bと、第1の下部電極層2a上から間隙P1を経て第2の下部電極層2b上にかけて設けられた半導体層3とを具備しており、第1の下部電極層2aおよび第2の下部電極層2bは、低抵抗層21と、低抵抗層21の上面および間隙P1側の側面を連続して覆う、MoおよびWのうちの少なくとも1種を主として含む被覆層22とを具備しており、低抵抗層21は被覆層22よりも電気抵抗率が低い。
【選択図】 図1
【解決手段】 光電変換装置11は、基板1と、基板1上に互いに間隙P1を介して並べられた第1の下部電極層2aおよび第2の下部電極層2bと、第1の下部電極層2a上から間隙P1を経て第2の下部電極層2b上にかけて設けられた半導体層3とを具備しており、第1の下部電極層2aおよび第2の下部電極層2bは、低抵抗層21と、低抵抗層21の上面および間隙P1側の側面を連続して覆う、MoおよびWのうちの少なくとも1種を主として含む被覆層22とを具備しており、低抵抗層21は被覆層22よりも電気抵抗率が低い。
【選択図】 図1
Description
本発明は、複数の光電変換セルが電気的に接続された光電変換装置に関する。
太陽光発電などに使用される光電変換装置として、基板の上に複数の光電変換セルが設けられたものがある(例えば、特許文献1など)。
このような光電変換装置は、ガラスなどの基板の上に、モリブデンやタングステンなどの下部電極層と、光電変換層としての半導体層と、上部電極層としての透明導電膜とを、この順に積層した光電変換セルが、平面的に複数並設されて構成されている。複数の光電変換セルは、隣り合う一方の光電変換セルの透明導電膜と他方の光電変換セルの下部電極層とが接続導体で接続されることで、電気的に直列接続されている。
光電変換装置には光電変換効率の向上が常に要求される。上記光電変換装置において、光電変換効率を高める1つの方法として、下部電極層の電気抵抗を小さくして、光電変換によって生じた電流の損失を低減することが考えられる。しかし、下部電極層として、銀等の電気抵抗率の小さい材料を用いた場合、下部電極層が化学反応によって変質し、半導体層と下部電極層との密着性が低下しやすくなる。その結果、光電変換装置の光電変換効率を十分に高めることが困難である。
本発明の一つの目的は、光電変換装置の光電変換効率を向上させることにある。
本発明の一実施形態に係る光電変換装置は、基板と、該基板上に互いに間隙を介して並べられた第1の下部電極層および第2の下部電極層と、前記第1の下部電極層上から前記間隙を経て前記第2の下部電極層上にかけて設けられた半導体層とを具備している。また、前記第1の下部電極層および前記第2の下部電極層は、低抵抗層と、該低抵抗層の上面および前記間隙側の側面を連続して覆う、MoおよびWのうちの少なくとも1種を主として含む被覆層とを具備しており、前記低抵抗層は前記被覆層よりも電気抵抗率が低い。
本発明によれば、光電変換装置の光電変換効率を高めることが可能となる。
以下、本発明の一実施形態に係る光電変換装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。なお、図面においては同様な構成および機能を有する部分については同一符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。また、図面は模式的に示されたものであり、各図における各種構造のサイズおよび位置関係等は正確に図示されたものではない。
<(1)光電変換装置の構成>
図1は、本発明の一実施形態に係る光電変換装置11の一例を示す斜視図である。図2は、図1の光電変換装置11のXZ断面図である。なお、図1から図11には、光電変換セル10の配列方向(図1の図面視左右方向)をX軸方向とする右手系のXYZ座標系が付されている。
図1は、本発明の一実施形態に係る光電変換装置11の一例を示す斜視図である。図2は、図1の光電変換装置11のXZ断面図である。なお、図1から図11には、光電変換セル10の配列方向(図1の図面視左右方向)をX軸方向とする右手系のXYZ座標系が付されている。
光電変換装置11は、基板1の上に複数の光電変換セル10が並設された構成を有している。図1では、図示の都合上、2つの光電変換セル10のみが示されているが、実際の光電変換装置11には、図面のX軸方向、或いは更に図面のY軸方向に、多数の光電変換セル10が平面的に(二次元的に)配列されている。
下部電極層2は、複数個が間隙P1を介して平面配置されている。隣接する下部電極層2のうち、一方の下部電極層2a(以下、第1の下部電極層2aともいう)上から他方の下部電極層2b(以下、第2の下部電極層2bともいう)上にかけて、光電変換層(本実施例では光電変換層は第1の半導体層3および第2の半導体層4を備えている)、および上部電極層5が設けられている。そして、第2の下部電極層2b上において、接続導体7が第2の下部電極層2bと上部電極層5とを電気的に接続するように設けられている。これら、下部電極層2(第1の下部電極層2aおよび第2の下部電極層2b)、光電変換層、上部電極層5および接続導体7を少なくとも含むことによって、1つの光電変換セル10が構成される。そして、隣接する光電変換セル10同士が第2の下部電極層2bによって電気的に接続されており、このような構成によって、隣接する光電変換セル10同士が直列接続された光電変換装置11となる。
基板1は、光電変換セル10を支持するためのものである。基板1に用いられる材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、樹脂および金属等が挙げられる。基板1としては、例えば、厚さ1〜3mm程度の青板ガラス(ソーダライムガラス)を用いることができる。
下部電極層2(第1の下部電極層2aおよび第2の下部電極層2b)は、低抵抗層21と、この低抵抗層21の上面および間隙P1側の側面を連続して覆う、モリブデン(Mo)およびタングステン(W)のうちの少なくとも1種を主として含む被覆層22とを具備している。そして、この低抵抗層21は被覆層22よりも電気抵抗率が低い。なお、MoおよびWのうちの少なくとも1種を主として含むとは、被覆層22中におけるMoまたはWの濃度、あるいはMoおよびWを両方含む場合はその両方の合計の濃度が70原子%以上であることをいう。
このような構成により、低抵抗層21で電気伝導度を高めることができるとともに、被覆層22が第1の半導体層3との密着性を良好に維持することができる。その結果、光電
変換装置11の光電変換効率を高めることができる。
変換装置11の光電変換効率を高めることができる。
低抵抗層21としては、電気抵抗率が、例えば、被覆層22の電気抵抗率より低いものを用いることができる。このような低抵抗層21の材料としては、銀(Ag)や銅(Cu)、金(Au)、アルミニウム(Al)等の金属、これらの金属の合金、あるいは、これらの金属の少なくとも1種と他の金属との合金であってもよい。低抵抗層21は、例えばスパッタリング法または蒸着法などの公知の薄膜形成手法を用いて、例えば0.05〜1μm程度の厚みに形成される。安価で加工性が良いという観点から、低抵抗層21はAlを主として含んでいてもよい。また、裏面電極からのCu拡散による特性改善という観点から、低抵抗層21はCuを主として含んでいてもよい。なお、Alを主として含むとは、Alの濃度が70原子%以上であることをいう。
被覆層22は、MoおよびWのうちの少なくも1種を主として含んでいる。これにより、第1の半導体層3との良好な密着性を有するとともに、第1の半導体層3との良好なオーミックコンタクトを形成することができる。低抵抗層21は、例えばスパッタリング法または蒸着法などの公知の薄膜形成手法を用いて、例えば0.05〜1μm程度の厚みに形成される。
また、被覆層22は、低抵抗層21の上面を覆う部位の厚さD1よりも、間隙P1側の側面を覆う部位の厚さD2の方が厚くてもよい。例えば、厚さD2は厚さD1の1.5〜20倍程度である。これにより、間隙P1において第1の電極層2aと第2の電極層2bとの間でのリーク電流の発生を低減することができる。つまり、被覆層22の厚さD1を薄くすることで、第1の半導体層3からの電流を低抵抗層21へ良好に流すことができる。また、被覆層22の厚さD2を厚くすることで、低抵抗層21同士の間隔をある程度離した状態にしてリーク電流の発生を抑制しながら、間隙P1の間隔を狭めて光電変換に寄与する部位の面積を高めることができる。なお、被覆層22の、低抵抗層21の上面を覆う部位の厚さD1とは、図3の光電変換セル10の部分拡大断面図に示すように、低抵抗層21の上面を覆っている部位のZ軸方向における厚さである。また、被覆層22の間隙P1側の側面を覆う部位の厚さD2とは、図3に示すように、低抵抗層21の間隙P1側の側面を覆っている部位のX軸方向における厚さである。
また、低抵抗層21は、その上面よりも間隙P1側の側面の方が、表面粗さ(Ra)が大きくてもよい。例えば、側面のRaは上面のRaの1〜100倍程度である。これにより、被覆層22との密着面積が上面に比べて小さい側面においても、被覆層22と低抵抗層21との密着性力を高めることができる。なお、低抵抗層21の上面の表面粗さ(Ra)は、光電変換装置11のXZ断面を撮影し、低抵抗層21の上面の輪郭をコンピューターで画像処理して、基準長さ0.5μmにおける表面粗さ(Ra)を求めることによって測定できる。また、低抵抗層21の側面の表面粗さ(Ra)は、光電変換装置11のXY断面を撮影し、低抵抗層21の間隙P1に沿った側面の輪郭をコンピューターで画像処理して、基準長さ0.5μmにおける表面粗さ(Ra)を求めることによって測定できる。
第1の半導体層3は第1導電型の半導体層である。本実施形態では、第1の半導体層3は、例えば1μm〜3μm程度の厚みを有するp型半導体層を想定しているが、これに限定されない。第1の半導体層3の材料としては特に限定されず、金属カルコゲナイドや非晶質シリコン等が用いられ得る。10μm以下の薄膜でも比較的高い光電変換効率を有するという観点で、例えば、I−III−VI族化合物、I−II−IV−VI族化合物およびII−VI
族化合物等の金属カルコゲナイドが第1の半導体層3の材料として用いられてもよい。
族化合物等の金属カルコゲナイドが第1の半導体層3の材料として用いられてもよい。
I−III−VI族化合物とは、I−B族元素(11族元素ともいう)とIII−B族元素(13族元素ともいう)とVI-B族元素(16族元素ともいう)との化合物である。I−III−VI族化合物としては、例えば、CuInSe2(二セレン化銅インジウム、CISともいう)、Cu(In,Ga)Se2(二セレン化銅インジウム・ガリウム、CIGSともいう)、Cu(In,Ga)(Se,S)2(二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム、CIGSSともいう)等が挙げられる。あるいは、第1の半導体層3は、薄膜の二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム層を表面層として有する二セレン化銅インジウム・ガリウム等の多元化合物半導体薄膜にて構成されていてもよい。I−III−VI族化合物は光吸収係数が比較的高く、第1の半導体層3が薄くても良好な光電変換効率が得られる。
I−II−IV−VI族化合物とは、I−B族元素とII−B族元素(12族元素ともいう)とIV−B族元素(14族元素ともいう)とVI−B族元素との化合物半導体である。I−II−IV−VI族化合物としては、例えば、Cu2ZnSnS4(CZTSともいう)、Cu2ZnSnS4−xSex(CZTSSeともいう。なお、xは0より大きく4より小さい数である。)、およびCu2ZnSnSe4(CZTSeともいう)等が挙げられる。
II−VI族化合物とは、II−B族元素とVI−B族元素との化合物半導体である。II−VI族化合物としてはCdTe等が挙げられる。
第2の半導体層4は、第1の半導体層3とは異なる第2導電型を有する半導体層である。第1の半導体層3および第2の半導体層4が電気的に接続されることにより、電荷を良好に取り出すことが可能な光電変換層が形成される。例えば、第1の半導体層3がp型であれば、第2の半導体層4はn型である。第1の半導体層3がn型で、第2の半導体層4がp型であってもよい。なお、第1の半導体層3と第2の半導体層4との間に高抵抗のバッファ層が介在していてもよい。また、光吸収層としての第1の半導体層3と、第2の半導体層4とは逆の構成であってもよく、下部電極層2上に第2の半導体層4および第1の半導体層3が順に積層されていてもよい。
第2の半導体層4は、第1の半導体層3とは異なる材料が第1の半導体層3上に積層されたものであってもよく、あるいは第1の半導体層3の表面部が他の元素のドーピングによって改質されたものであってもよい。
第2の半導体層4としては、CdS、ZnS、ZnO、In2S3、In2Se3、In(OH,S)、(Zn,In)(Se,OH)、および(Zn,Mg)O等が挙げられる。この場合、第2の半導体層4は、例えばケミカルバスデポジション(CBD)法やスパッタリング法等で10〜200nmの厚みで形成される。なお、In(OH,S)とは、InとOHとSとを主に含む化合物をいう。(Zn,In)(Se,OH)は、ZnとInとSeとOHとを主に含む化合物をいう。(Zn,Mg)Oは、ZnとMgとOとを主に含む化合物をいう。
図1、図2のように、第2の半導体層4上にさらに上部電極層5が設けられていてもよい。上部電極層5は、第2の半導体層4よりも抵抗率の低い層であり、第1の半導体層3および第2の半導体層4で生じた電荷を良好に取り出すことが可能となる。光電変換効率をより高めるという観点からは、上部電極層5の抵抗率が1Ω・cm未満でシート抵抗が50Ω/□以下であってもよい。
上部電極層5は、例えばITO、ZnO等の0.05〜3μmの透明導電膜である。透光性および導電性を高めるため、上部電極層5は第2の半導体層4と同じ導電型の半導体で構成されてもよい。上部電極層5は、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長(CVD)法等で形成され得る。
また、図1〜3に示すように、上部電極層5上にさらに集電電極8が形成されていても
よい。集電電極8は、第1の半導体層3および第2の半導体層4で生じた電荷をさらに良好に取り出すためのものである。集電電極8は、例えば、図1〜3に示すように、光電変換セル10の一端から接続導体7にかけて線状に形成されている。これにより、第1の半導体層3および第4の半導体層4で生じた電流が上部電極層5を介して集電電極8に集電され、接続導体7を介して隣接する光電変換セル10に良好に導電される。
よい。集電電極8は、第1の半導体層3および第2の半導体層4で生じた電荷をさらに良好に取り出すためのものである。集電電極8は、例えば、図1〜3に示すように、光電変換セル10の一端から接続導体7にかけて線状に形成されている。これにより、第1の半導体層3および第4の半導体層4で生じた電流が上部電極層5を介して集電電極8に集電され、接続導体7を介して隣接する光電変換セル10に良好に導電される。
集電電極8は、第1の半導体層3への光透過率を高めるとともに良好な導電性を有するという観点から、50〜400μmの幅を有していてもよい。また、集電電極8は、枝分かれした複数の分岐部を有していてもよい。
集電電極8は、例えば、Ag等の金属粉を樹脂バインダー等に分散させた金属ペーストがパターン状に印刷され、これが硬化されることによって形成される。
図1、図2において、接続導体7は、第1の半導体層3、第2の半導体層4および第2の電極層5を貫通する溝内に設けられた導体である。接続導体7は、金属や導電ペースト等が用いられ得る。図1、図2においては、集電電極8を延伸して接続導体7が形成されているが、これに限定されない。例えば、上部電極層5が延伸したものであってもよい。
<光電変換装置の製造方法>
次に、光電変換装置11の製造プロセスについて説明する。図4〜図11は、光電変換装置11の製造途中の様子を示す断面図である。なお、図4〜図11で示される断面図は、図2で示される断面に対応する部分の製造途中の様子を示す。
次に、光電変換装置11の製造プロセスについて説明する。図4〜図11は、光電変換装置11の製造途中の様子を示す断面図である。なお、図4〜図11で示される断面図は、図2で示される断面に対応する部分の製造途中の様子を示す。
まず、図4で示されるように、洗浄された基板1の略全面に、スパッタリング法などを用いて、Agなどからなる低抵抗層21を成膜する。図4は低抵抗層21を形成した後の状態を示す図である。
低抵抗層21を形成した後、低抵抗層21の一部を除去して間隙P0を形成する。間隙P0は、レーザースクライブ加工やブラスト加工等によって形成することができる。図5は、間隙P0を形成した後の状態を示す図である。
間隙P0を形成した後、低抵抗層21上および間隙P0内の略全面に、スパッタリング法などを用いて、Moなどからなる被覆層22を成膜する。図6は被覆層22を形成した後の状態を示す図である。
被覆層22を形成した後、間隙P0内における被覆層22の一部を、レーザースクライブ加工等によって除去して、例えば10〜300μmの間隔を有する間隙P1を形成する。これにより、間隙P1を介して並べられた第1の下部電極層2aおよび第2の下部電極層2bが形成されたことになる。図7は、間隙P1を形成した後の状態を示す図である。
間隙P1を形成した後、第1の下部電極層2a上、第2の下部電極層2b2上および間隙P1内に第1の半導体層3をスパッタリング法や塗布法等によって形成する。図8は、第1の半導体層3を形成した後の状態を示す図である。
第1の半導体層3を形成した後、第1の半導体層3の上に、第2の半導体層4および上部電極層5を、CBD法やスパッタリング法等で順次形成する。図9は、第2の半導体層4および上部電極層5を形成した後の状態を示す図である。
第2の半導体層4および上部電極層5を形成した後、第2の下部電極層2b上の間隙P1からずれた位置における第1の半導体層3〜上部電極層5を、例えばメカニカルスクラ
イブ加工等によって除去し、第1の半導体層3中に第2の下部電極層2bが露出した接続導体用溝P2を形成する。図10は接続導体用溝P2を形成した後の状態を示す図である。
イブ加工等によって除去し、第1の半導体層3中に第2の下部電極層2bが露出した接続導体用溝P2を形成する。図10は接続導体用溝P2を形成した後の状態を示す図である。
接続導体用溝P2を形成した後、上部電極層5上および接続導体用溝P2内に、例えば、Agなどの金属粉を樹脂バインダーなどに分散させた導電ペーストをパターン状に印刷し、これを加熱硬化することで、集電電極8および接続導体7を形成する。図11は、集電電極8および接続導体7を形成した後の状態を示す図である。
最後に接続導体用溝部P2からずれた位置で、第1の半導体層3〜集電電極8をメカニカルスクライブ加工により除去することで、複数の光電変換セル10に分割し、図1および図2で示された光電変換装置11を得ることができる。
なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更が施されることは何等差し支えない。
1:基板
2:下部電極層
2a:第1の下部電極層
2b:第2の下部電極層
3:第1の半導体層
4:第2の半導体層
10:光電変換セル
11:光電変換装置
21:低抵抗層
22:被覆層
P1:間隙
2:下部電極層
2a:第1の下部電極層
2b:第2の下部電極層
3:第1の半導体層
4:第2の半導体層
10:光電変換セル
11:光電変換装置
21:低抵抗層
22:被覆層
P1:間隙
Claims (4)
- 基板と、該基板上に互いに間隙を介して並べられた第1の下部電極層および第2の下部電極層と、前記第1の下部電極層上から前記間隙を経て前記第2の下部電極層上にかけて設けられた半導体層とを具備しており、
前記第1の下部電極層および前記第2の下部電極層は、低抵抗層と、該低抵抗層の上面および前記間隙側の側面を連続して覆う、MoおよびWのうちの少なくとも1種を主として含む被覆層とを具備しており、前記低抵抗層は前記被覆層よりも電気抵抗率が低い、光電変換装置。 - 前記被覆層は前記上面を覆う部位よりも前記側面を覆う部位の方が厚い、請求項1に記載の光電変換装置。
- 前記低抵抗層は前記上面よりも前記側面の方が表面粗さが大きい、請求項1または2に記載の光電変換装置。
- 前記低抵抗層はAlやCuを主として含む、請求項1乃至3のいずれかに記載の光電変換装置。
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