JP2015153950A - 光電変換装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
を高め、光電変換装置の製造歩留まりを高めることができる。
図1は光電変換装置11の斜視図であり、図2はこの光電変換装置11の断面図である。光電変換装置11は、基板1と、金属電極層2と、金属カルコゲナイドを含む第1の半導体層3と、第2の半導体層4とを具備している。
CISともいう)、Cu(In,Ga)Se2(二セレン化銅インジウム・ガリウム、CIGSともいう)、Cu(In,Ga)(Se,S)2(二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム、CIGSSともいう)等が挙げられる。あるいは、第1の半導体層3は、薄膜の二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム層を表面層として有する二セレン化銅インジウム・ガリウム等でもよい。
Inを水酸化物および硫化物として含む化合物をいう。(Zn,In)(Se,OH)は、ZnおよびInをセレン化物および水酸化物として含む化合物をいう。(Zn,Mg)Oは、ZnおよびMgを酸化物として含む化合物をいう。
、GZO(Gallium Zinc Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、ITO(Indium Tin Oxide)、FTO(Fluorine tin Oxide)等がある。
次に、光電変換装置11の製造方法について説明する。図3〜図9は、光電変換装置11の製造途中の様子を示す断面図である。なお、図3〜図9で示される断面図は、図2で示される断面に対応する部分の製造途中の様子を示す。
1は、例えば、YAGレーザー等によるレーザー光を走査しつつ形成対象位置に照射することで溝加工を行なう、スクライブ加工によって形成することができる。図3は、第1溝部P1を形成した後の状態を示す図である。
2:金属電極層
3:第1の半導体層
3a:硫化物皮膜
3b:原料皮膜
4:第2の半導体層
4a:バッファ層
4b:上部電極層
10:光電変換セル
11:光電変換装置
Claims (4)
- 主面上に金属電極層を有する基板を用意する工程と、
前記金属電極層上に第1金属元素の硫化物を含む硫化物皮膜を形成する工程と、
該硫化物皮膜上に前記第1金属元素を第1有機錯体として含む原料溶液を用いて原料皮膜を形成する工程と、
前記硫化物皮膜および前記原料皮膜を、第1カルコゲン元素を含む雰囲気下で加熱することによって前記第1金属元素および前記第1カルコゲン元素が結合した金属カルコゲナイドを含む第1の半導体層にする工程と、
該第1の半導体層上に該第1の半導体層とは異なる導電型の第2の半導体層を形成する工程と
を具備する光電変換装置の製造方法。 - 前記第1有機錯体として前記第1金属元素とは異なる第2金属元素をさらに含むものを用い、前記金属カルコゲナイドにさらに前記第2金属元素を含める、請求項1に記載の光電変換装置。
- 前記原料溶液にさらに第1金属元素とは異なる第2金属元素を第2有機錯体として含め、前記金属カルコゲナイドにさらに前記第2金属元素を含める、請求項1に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記第1金属元素として13族元素を用いるとともに前記第2有機元素として11族元素を用いる、請求項2または3に記載の光電変換装置の製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US11114531B2 (en) | 2017-04-24 | 2021-09-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator |
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2014
- 2014-02-17 JP JP2014027794A patent/JP2015153950A/ja not_active Ceased
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