JP2015211213A - ペロブスカイト薄膜及び太陽電池の製造方法 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 70
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 31
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 claims description 15
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 10
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 10
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 10
- -1 methylamine ions Chemical class 0.000 claims description 9
- XDXWNHPWWKGTKO-UHFFFAOYSA-N 207739-72-8 Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC(=CC=C4C2=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC(=CC=C1C1=CC=C(C=C13)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC=C(OC)C=C1 XDXWNHPWWKGTKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 7
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Chemical compound C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 claims description 5
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C=CC1=CC=CC=C1 AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RXACYPFGPNTUNV-UHFFFAOYSA-N 9,9-dioctylfluorene Chemical compound C1=CC=C2C(CCCCCCCC)(CCCCCCCC)C3=CC=CC=C3C2=C1 RXACYPFGPNTUNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 4
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 4
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N Oxozirconium Chemical compound [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910021474 group 7 element Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011630 iodine Substances 0.000 claims description 3
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N mono-methylamine Natural products NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N monoethyl amine Natural products CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 239000006193 liquid solution Substances 0.000 abstract 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 67
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 3
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- QEZYDNSACGFLIC-UHFFFAOYSA-N CN.[I] Chemical compound CN.[I] QEZYDNSACGFLIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/20—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising organic-organic junctions, e.g. donor-acceptor junctions
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/50—Organic perovskites; Hybrid organic-inorganic perovskites [HOIP], e.g. CH3NH3PbI3
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
- H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
- H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
【課題】蒸着技術を利用しなくても効率よくペロブスカイト活性層を製造できると同時に、ペロブスカイト薄膜の性質を正確に制御できる長所を兼ね備えるペロブスカイト薄膜及び太陽電池の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】本発明のペロブスカイト薄膜の製造方法は、基板に第１溶液を回転塗布して膜を形成するステップと、第１溶液からなる膜に第２溶液を回転塗布してペロブスカイト薄膜を形成するステップとを備える。ペロブスカイト薄膜の一般式はABX3で示され、第１溶液の溶質は、少なくともAX、またはBX2のうちの一つが含まれ、第２溶液の溶質は、少なくともAX、またはBX2のうちの一つが含まれることを特徴とする。本発明はさらに、上記のペロブスカイト薄膜を活性層とする太陽電池の製造方法を提供する。【選択図】図１
Description
本発明はペロブスカイト薄膜及び太陽電池の製造方法に関し、特にペロブスカイト薄膜を活性層とする太陽電池の製造方法に関する。
近年、エネルギーの消費増大と石油価格の上昇が続いているとともに、最も一般的に使用される石油化学エネルギーも地球温暖化による自然災害を引き起こすため、地球環境に悪影響のない代替エネルギー源を見つけることが、現在重要な課題の一つとなっている。最近注目されているのは、水力、風力、太陽エネルギー、及び地熱エネルギーなどであり、とくに太陽エネルギーは、低汚染、低環境破壊及び高安全性などの利点を有することから、最も期待されている。
ペロブスカイト太陽電池では、ペロブスカイト（Perovskite）膜を太陽電池の活性層(Active Layer、また、光吸収層とも呼ばれる)としている。ペロブスカイト材料は、可視光に対する吸収が良好であり、且つ光吸収範囲が広く、少量の材料を使用するだけで高い短絡電流を生成できると同時に、電池素子も高い開放電圧を有するので、ペロブスカイト太陽電池は優れた電力変換効率（Power Conversion Efficiency，PCE）を有している。
従来の高効率のペロブスカイト太陽電池の製造技術としては、蒸着技術を利用してペロブスカイト活性層を形成させる方法がある。しかしながら、蒸着技術には高価な蒸発器を使用しなければならないと同時に、高真空環境下で作業を行う必要があるため、真空を得るためにも大量の時間とコストが掛かってしまい、さらに、製造されるペロブスカイト薄膜の特性を正確に制御することも困難である。
したがって、蒸着技術を利用しなくてもペロブスカイト活性層を製造できると同時に、ペロブスカイト薄膜の性質を正確に制御できるという長所を兼ね備えるペロブスカイト薄膜及び太陽電池の製造方法を如何にして提供するかが、重要な課題の一つとなっている。
上記の課題に鑑み、本発明は、蒸着技術を利用しなくてもペロブスカイト活性層を製造できると同時に、ペロブスカイト薄膜の性質を正確に制御できるという長所を兼ね備えるペロブスカイト薄膜及び太陽電池の製造方法を提供することを課題とする。
上記の目的を達するために、本発明は、基板に第１溶液を回転塗布して膜を形成するステップと、第１溶液からなる膜に第２溶液を回転塗布してペロブスカイト薄膜を形成するステップとを備え、ペロブスカイト薄膜の一般式はABX3で示され、第１溶液の溶質は少なくともAXまたはBX2のうちの一方が含まれ、第２溶液の溶質は少なくともAXまたはBX2のうちの他方が含まれることを特徴とする、ペロブスカイト薄膜の製造方法を提供する。
上記の目的を達するために、本発明は、導電基板を用意するステップと、導電基板に第１キャリア輸送層を形成するステップと、第１キャリア輸送層に第１溶液を回転塗布して膜を形成するステップと、第１溶液からなる膜に第２溶液を回転塗布してペロブスカイト薄膜を形成するステップと、ペロブスカイト薄膜に第２キャリア輸送層を形成するステップと、第２キャリア輸送層に電極層を形成するステップとを備え、ペロブスカイト薄膜の一般式はABX3で示され、第１溶液の溶質は少なくともAXまたはBX2のうちの一つが含まれ、第２溶液の溶質は少なくともAXまたはBX2のうちの一つが含まれることを特徴とする、ペロブスカイト薄膜を活性層とする太陽電池の製造方法を提供する。
一実施例において、Aは、アルカリ金属イオン、メチルアミンイオン、エチルアミンイオン、NH2CH=NH2イオン、またはアルキルアミンイオンのうちの少なくとも一つであり、Bは、IV族元素のゲルマニウム（Ge）、スズ（Sn）、鉛（Pb）、III族元素のインジウム（In）、またはV族元素のアンチモン（Sb）のうちの少なくとも一つであり、Xは、VII族元素のフッ素（F）、塩素（Cl）、臭素（Br）、ヨウ素（I）のうちの少なくとも一つであることを特徴とする。
一実施例において、第１溶液と第２溶液の溶剤は、ジメチルホルムアミド（DMF）、またはイソプロパノール（isopropanol）であることを特徴とする。
一実施例において、導電基板は、透明導電性ガラス、または不透明な導電基板であることを特徴とする。
一実施例において、第１キャリア輸送層は、正孔輸送層、または電子輸送層であり、第２のキャリア輸送層は、電子輸送層、または正孔輸送層であり、電極層は、陰極層、または陽極層であることを特徴とする。
一実施例において、正孔輸送層の材料は、ポリエチレンジオキシチオフェン：スチレンスルホン酸（PEDOT：PSS）、2,2',7,7'-Tetrakis[N,N-di(4-methoxyphenyl)amino]-9,9'-spirobifluorene（Spiro-OMeTAD）、五酸化バナジウム（V2O5）、酸化ニッケル（NiO）、三酸化タングステン（WO3）、または三酸化モリブデン（MoO3）であることを特徴とする。
一実施例において、電子輸送層の材料は、フッ化リチウム（LiF）、カルシウム（Ca）、6,6-フェニル-C61-酪酸メチル（6,6-phenyl-C61-butyric acid methyl ester，PC61BM）、6,6-フェニル-C71-酪酸メチル（6,6-phenyl-C71-butyric acid methyl ester，PC71BM）、インデン−C60ビス付加体（Indene-C60 bisadduct，ICBA）、炭酸セシウム（Cs2CO3）、二酸化チタン（TiO2）、poly[(9,9-bis(3'-(N,N-dimethylamino)propyl)-2,7-fluorene)-alt-2,7-(9,9-dioctyl- fluorene）］（PFN）、バソクプロイン（Bathocuproine，BCP）、酸化ジルコニウム（ZrO）、または酸化亜鉛（ZnO）であることを特徴とする。
一実施例において、電極層の材料は、カルシウム（Ca）、アルミニウム（Al）、銀（Ag）、金（Au）、またはそれらの組み合わせであることを特徴とする。
上記に述べるように、本発明に係るペロブスカイト薄膜及び太陽電池の製造方法は、第１溶液と第２溶液の二段階の回転塗布を利用してペロブスカイト薄膜（ABX３）を形成するものであり、第１溶液の溶質は、少なくともAX、またはBX2のうちの一つが含まれ、第２溶液の溶質は、少なくともAX、またはBX2のうちの一つが含まれる。この方法でペロブスカイト薄膜を製造することによって、高価な蒸発器を必要とせずに、時間とコストを節減することができる。更に、溶液と回転塗布過程における各パラメーターを調整して、AX及びBX2の計量、並びにペロブスカイト薄膜の形成速度を正確に制御することで、ペロブスカイト薄膜の品質を制御して、品質のより良いペロブスカイト薄膜を製造することができるため、ペロブスカイト薄膜を活性層とする太陽電池の電力変換効率を更に高められる。
関連する図面を参照しながら、本発明の好ましい実施例に係るペロブスカイト薄膜及び太陽電池の製造方法を以下の通りに説明し、このうち同じ部材は同じ符号を付して説明する。
まず、ペロブスカイト（Perovskite）材料は一種のセラミック酸化物であり、その一般式はABX3で示される。このうち、Aはアルカリ金属イオンまたはメチルアミンイオン、エチルアミンイオン、NH2CH=NH2イオン、アルキルアミンイオン、またあるいはその他の同等のサイズ（大小）を持つイオンのうちの少なくとも一つであり、Bは、IV族元素のゲルマニウム（Ge）、スズ（Sn）、鉛（Pb）、III族元素のインジウム（In）、またはV族元素のアンチモン（Sb）のうちの少なくとも一つであり、Xは、VII族元素のフッ素（F）、塩素（Cl）、臭素（Br）、ヨウ素（I）のうちの少なくとも一つである。
図１は本発明の実施例に係るペロブスカイト薄膜の製造方法を示す流れ図である。図１を参照されたい。まず、ステップＳ１０１のように、基板に第１溶液を回転塗布して膜を形成する。次に、ステップＳ１０２のように、第１溶液からなる膜に第２溶液を回転塗布してペロブスカイト薄膜を形成する。実際の操作において、「回転塗布」とは、スピンコーター（spin coater）を使用して回転塗布を行う方法である。ここにおいて、本発明は前記基板が透明であるかどうか、またはフレキシブル性を有するかどうかを制限しない。
本実施例において、第１溶液の溶質は少なくともAX、またはBX2が含まれ、第２溶液の溶質は少なくともAX、またはBX2が含まれる。詳しく言えば、第１溶液の溶質が少なくともAXを含む時、第２溶液の溶質は少なくともBX2を含む。逆に、第１溶液の溶質が少なくともBX2を含む時、第２溶液の溶質は少なくともAXを含む。第１溶液と第２溶液の溶剤は、例えば、ジメチルホルムアミド（DMF）、またはイソプロパノール（isopropanol）である。
例を挙げると、仮に、CH3NH3PbI3のペロブスカイト薄膜を製造しようとする場合、第１溶液の溶質はPbI2であり、溶剤はジメチルホルムアミドであり、その好ましい重量パーセント濃度は２０ｗｔ％である。そして、第２溶液の溶質はCH3NH2Iであり、溶剤はイソプロパノールであり、その好ましい重量パーセント濃度は２ｗｔ％である。実際の応用では、第１溶液と第２溶液の内容は互いに交換することができる。
上記の如く、本実施例のペロブスカイト（ABX３）薄膜は「二段階の回転塗布」という方法によって製造され、この二段階とは、第１溶液と第２溶液（または前駆体溶液と呼ばれる）をそれぞれ回転塗布することを指し、このうち、第１溶液の溶質は、少なくともAX、またはBX2のうちの一つが含まれ、第２溶液の溶質は、少なくともAX、またはBX2のうちの一つが含まれる。これにより、本実施例のペロブスカイト薄膜の製造は、蒸着技術の使用を回避することで、高価な蒸着設備を使用する必要がなく、環境を真空にするための待ち時間をも節約することができる。
なお、その他の実施方法として、一段階（one-step）の製造工程（即ち、AX溶液とBX2溶液を混ぜてペロブスカイト溶液を生成してから、このペロブスカイト溶液を基板に回転塗布して膜を形成する）を使用することでペロブスカイト薄膜を製造することも可能である。しかしながら、一段階の製造工程ではAX及びBX2の計量とペロブスカイト薄膜の形成速度を同時かつ正確に制御することができないので、膜の品質が好ましくない。これに対して、本実施例が採用する二段階（two-steps）の製造工程では第１溶液と第２溶液の性質（組成、濃度、回転塗布の速度、時間、または他のパラメータ）を個別に調整することによって、ペロブスカイト薄膜の品質を細かく正確に制御することができる。
図２Ａは本発明の実施例に係るペロブスカイト薄膜を活性層とする太陽電池の構造図である。図２Ｂは本発明の実施例に係るペロブスカイト薄膜を活性層とする太陽電池の製造方法を示す流れ図である。
まず、図２Ａを参照されたい。本実施例の太陽電池２は、上記の製造方法（図１に示す）を利用して製造されたペロブスカイト薄膜を活性層２３とする。実際、太陽光が太陽電池２に入射し、且つ活性層２３（active Layer、また、光吸収層とも呼ばれる）に吸収された後、太陽電池２の内部では電子正孔対（electron-hole pairs）が生成される。電子正孔対の数量、移動の速度、及び分離可能かどうかは、太陽電池の出力電流を決定する重要な要素の一つである。よって、活性層２３の材料性質、またはその薄膜品質は、太陽電池の電力変換効率（Power Conversion Efficiency，PCE）に大きな影響を与える。
次に、図２Ａと図２Ｂを合わせて参照されたい。以下の実施例では、太陽電池２を正規構造（Regular structure）として例を挙げて説明するが［反転構造（Inverted structure）については、後述する］、本発明はこれに限定されない。まず、ステップＳ２０１のように、導電基板２１を用意する。導電基板２１は透明、または不透明の導電基板であり、好ましくは透明導電ガラスである。例えば、インジウムドープスズ酸化物（Indium doped tin Oxide，ITO）ガラス、フッ素ドープ酸化スズ（Fluorine doped tin oxide，FTO）、またはその他の透明の導電基板であるが、これらに限定されない。
次に、回転塗布、またはその他の方式を利用して、ステップＳ２０２のように、導電基板２１に第１キャリア輸送層２２を形成する。本実施例では太陽電池が正規構造（Regular structure）である場合を例としているので、第１キャリア輸送層２２は正孔輸送層であり、その材料は例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン：スチレンスルホン酸（PEDOT：PSS）、2,2',7,7'-Tetrakis[N,N-di(4-methoxyphenyl)amino]-9,9'-spirobifluorene（Spiro-OMeTAD）、五酸化バナジウム（V2O5）、酸化ニッケル（NiO）、三酸化タングステン（WO3）、三酸化モリブデン（MoO3）、または、この構造において正孔輸送に適するその他の材料である。次に、ステップＳ２０３のように、第１キャリア輸送層２２に第１溶液を回転塗布して膜を形成する。本実施例においては、第１溶液の溶質がPbI2であり、且つ溶剤がジメチルホルムアミドであり、その重量パーセント濃度が２０ｗｔ％であるとし、毎分３０００回転（Revolutions Per Minute，RPM）の回転速度によって、３０秒間の回転塗布を行って膜を形成させる。次に、ステップＳ２０４のように、第１溶液からなる膜に第２溶液を回転塗布してCH3NH3PbI3のペロブスカイト薄膜を形成する。本実施例において、第２溶液の溶質がメチルアミンヨウ素（CH3NH2I）であり、且つ溶剤がイソプロパノールであり、その重量パーセント濃度が２ｗｔ％であるとし、毎分１５００回転（RPM）の回転速度によって、５０秒間の回転塗布を行う。これにより形成したペロブスカイト薄膜は、本実施例に係る太陽電池２の活性層２３として使用される。
次に、蒸着、回転塗布、またはその他の方式を利用して、ステップＳ２０５のように、ペロブスカイト薄膜（活性層２３）に第２キャリア輸送層２４を形成する。本実施例では、太陽電池が正規構造である場合を例としているので、第２キャリア輸送層２４は電子輸送層であり、その材料は、フッ化リチウム（LiF）、カルシウム（Ca）、6,6-フェニル-C61-酪酸メチル（6,6-phenyl-C61-butyric acid methyl ester，PC61BM）、6,6-フェニル-C71-酪酸メチル（6,6-phenyl-C71-butyric acid methyl ester，PC71BM）、インデン−C60ビス付加体（Indene-C60 bisadduct，ICBA）、炭酸セシウム（Cs2CO3）、二酸化チタン（TiO2）、poly[(9,9-bis(3'-(N,N-dimethylamino)propyl)-2,7-fluorene)-alt-2,7-(9,9-dioctyl- fluorene）］（PFN）、バソクプロイン（Bathocuproine，BCP）、酸化ジルコニウム（ZrO）、酸化亜鉛（ZnO）、または、この構造において、電子輸送に適するその他の材料である。
最後に、蒸着、またはその他の方式を利用して、ステップＳ２０６のように、第２キャリア輸送層２４に電極層２５を形成する。本実施例では、太陽電池が正規構造である場合を例としているので、電極層２５は陰極であり、その材料は、カルシウム（Ca）、アルミニウム（Al）、銀（Ag）、金（Au）、またはそれらの組み合わせである。
その他の実施態様において、太陽電池２は反転構造（Inverted structure）であることもできる。太陽電池２が反転構造である場合、第１キャリア輸送層２２は電子輸送層であり、その材料は、前記の如く、炭酸セシウム（Cs2CO3）、二酸化チタン（TiO2）、酸化亜鉛（ZnO）、poly[(9,9-bis(3'-(N,N-dimethylamino)propyl)-2,7-fluorene)-alt-2,7-(9,9-dioctyl- fluorene）（PFN）、酸化ジルコニウム（ZrO）、または、この構造において、電子輸送に適するその他の材料である。第２キャリア輸送層２４は正孔輸送層であり、その材料は、前記の如く、五酸化バナジウム（V2O5）、2,2',7,7'-Tetrakis[N,N-di(4-methoxyphenyl)amino]-9,9'-spirobifluorene（Spiro-OMeTAD）、酸化ニッケル（NiO）、三酸化タングステン（WO3）、三酸化モリブデン（MoO3）、または、この構造において、正孔輸送に適するその他の材料である。電極層２５は陽極であり、その材料は、銀（Ag）、または金（Au）である。
図３は本発明の第１実施例に係るペロブスカイト薄膜を活性層とする太陽電池（以下、「ペロブスカイト太陽電池」と称する。）の電流−電圧曲線図である。図２Ａを合わせて参照されたい。本実施例において、導電基板２１は前記のITO基板（インジウムドープスズ酸化物から成る基板）であり、第１キャリア輸送層２２は前記のPEDOT：PSS（ポリエチレンジオキシチオフェン：スチレンスルホン酸）であって、前記ITO基板上に形成される。このITO／PEDOT：PSS上に第１溶液（２０ｗｔ％のPbI2／ジメチルホルムアミド溶液）を回転塗布してPbI2膜を形成する。回転塗布の速度は３０００ｒｐｍであり、時間は３０秒である。次に、１００℃で３０秒焼成してから、上記のITO／PEDOT：PSS／PbI2上に第２溶液（２ｗｔ％のCH3NH3I／イソプロパノール溶液）を回転塗布する。回転塗布の速度は１５００ｒｐｍであり、時間は５０秒である。その後、２０分間乾燥すれば、ITO／PEDOT：PSS／Perovskite膜の積層体を得ることができる。前記Perovskite膜は即ち、活性層２３である。そして、このITO／PEDOT：PSS／Perovskite膜の上にPC71BM（第２キャリア輸送層２４）を回転塗布する。最後に、アルミニウム金属（電極層２５）を蒸着することで、効率が３．３１％のペロブスカイト太陽電池を得ることができる。また、上記と同じ方法を利用して、最適な回転塗布速度、CH3NH3Iの濃度、電子輸送層及び電極の材料を調整することによって、短絡電流密度が１９．９８ｍＡ／ｃｍ２、開放電圧が１．０５Ｖ、曲線因子が０．７７、電力変換効率が１６．１５％のペロブスカイト太陽電池を得ることができる。図３に示すものは、この素子について測定された電流−電圧曲線図である。
図４は本発明の第２実施例に係るペロブスカイト太陽電池の電流−電圧曲線図である。図２Ａを合わせて参照されたい。本実施例においても、導電基板２１はITO基板であり、第１キャリア輸送層２２はPEDOT：PSSであって、前記ITO基板上に形成される。この、ITO／PEDOT：PSS上に第１溶液（０．５Ｍ（モル濃度）のPbI2とPC61BMの混合溶液）を回転塗布する。回転塗布の速度は３０００ｒｐｍであり、時間は６０秒である。次に、１００℃で３０秒焼成してから、その上に第２溶液（２ｗｔ％のCH3NH3I／イソプロパノール溶液）を回転塗布する。その回転塗布の速度は１５００ｒｐｍ、時間は５０秒である。その後２０分間乾燥した後、PC61BMを回転塗布して、ITO／PEDOT：PSS／Perovskite／PC61BM膜の積層体を得ることができる。この場合のPerovskiteは即ち、活性層２３であり、PC61BMは即ち、第２キャリア輸送層２４である。最後に、アルミニウム金属（電極層２５）を蒸着することで、効率が４％のペロブスカイト太陽電池を得ることができる。また、上記と同じ方法を利用して、最適な回転塗布速度、CH3NH3Iの濃度、電子輸送層及び電極の材料を調整することによって、短絡電流密度が１８．３３ｍＡ／ｃｍ２、開放電圧が０．８８Ｖ、曲線因子が０．８１、電力変換効率が１３．１０％のペロブスカイト太陽電池を得ることができる。図４に示すものは、この素子について測定された電流−電圧曲線図である。
図５は本発明の第３実施例に係るペロブスカイト太陽電池の電流−電圧曲線図である。図２Ａを合わせて参照されたい。本実施例においても、導電基板２１はITO基板であり、第１キャリア輸送層２２はPEDOT：PSSであって、前記ITO基板上に形成される。このITO／PEDOT：PSS上に第１溶液（２０ｗｔ％のPbI2／ジメチルホルムアミド溶液）を回転塗布してPbI2膜を形成する。回転塗布の速度は３０００ｒｐｍであり、時間は３０秒である。次に、１００℃で３０秒焼成してから、このITO／PEDOT：PSS／PbI2上に、２ｗｔ％のCH3NH3Cl／イソプロパノール溶液、CH3NH3Br／イソプロパノール溶液、及びCH3NH3I／イソプロパノール溶液を回転塗布（上記の塗布順序は調整することができる）する。これらの回転塗布の速度は１５００ｒｐｍであり、時間は５０秒である。次に、２０分間乾燥すれば、ITO／PEDOT：PSS／CH3NH3ClxBryIz膜の積層体を得ることができる。この場合のCH3NH3ClxBryIz膜は即ち、活性層２３である。そして、このITO／PEDOT：PSS／Perovskite膜の上にPC61BM（第２キャリア輸送層２４）を回転塗布する。最後に、アルミニウム（Al）金属（電極層２５）を蒸着することで、効率が４％のペロブスカイト太陽電池を得ることができる。また、上記と同じ方法を利用して、最適な塗布速度、CH3NH3X（XはCl、Br、またはIである）の濃度、電子輸送層及び電極層の材料を調整することによって、短絡電流密度が２０．３５ｍＡ／ｃｍ２、開放電圧が０．９６Ｖ、曲線因子が０．６５、電力変換効率が１２．８６％のペロブスカイト太陽電池を得ることができる。図５に示すものは、この素子について測定された電流−電圧曲線図である。
上記の各実施例に係るペロブスカイト太陽電池は「二段階の回転塗布」という方法によって製造されたペロブスカイト薄膜をペロブスカイト太陽電池の活性層とすると同時に、第１溶液、第２溶液、及び回転塗布過程の各パラメーターを調整することによって、例えば、ペロブスカイトの膜厚、または表面粗さを調整して、ペロブスカイト薄膜の品質を正確に制御することができる。このため、上記の各実施例のペロブスカイト太陽電池は、活性層として好適なペロブスカイト材料を有するだけでなく、ペロブスカイト薄膜の品質をさらに高めたことで、太陽電池の電力変換効率をも向上させることができる。
下記の表１を参考されたい。従来のペロブスカイト太陽電池と比べて、本発明に係る上記のペロブスカイト薄膜を活性層とする太陽電池の電力変換効率は１１．５％から１６．１５％に増加し、曲線因子（Fill Factor，FF）は０．７４から０．７７に増加した。このうち、曲線因子の理想値は１であり、太陽電池の曲線因子が１に近づけば近づくほど、前記太陽電池の出力特性が理想により近いことを表す。
上記をまとめると、本発明に係るペロブスカイト薄膜及び太陽電池の製造方法は、第１溶液と第２溶液の二段階の回転塗布を利用してペロブスカイト薄膜（ABX３）を形成するものであり、第１溶液の溶質は、少なくともAX、またはBX2のうちの一つが含まれ、第２溶液の溶質は、少なくともAX、またはBX2のうちの一つが含まれる。この方法でペロブスカイト薄膜を製造することによって、高価な蒸発器を必要とせず、時間とコストを節減することができる。更に、溶液と回転塗布過程における各パラメーターを調整することで、AX及びBX2の計量、並びにペロブスカイト薄膜の形成速度を正確に制御することで、ペロブスカイト薄膜の品質を制御して、品質のより良いペロブスカイト薄膜を製造することができるため、ペロブスカイト薄膜を活性層とする太陽電池の電力変換効率を更に高められる。
上記実施例は例示的なものであって、本発明を限定するためのものではない。本発明の技術的思想および範囲から逸脱することなく行われる等価の修正または変更は、いずれも別紙の特許請求の範囲に含まれる。
本発明は以上の構成によって、蒸着技術を利用しなくてもペロブスカイト活性層を形成できると同時に、ペロブスカイト薄膜の性質を正確に制御できる長所を兼ね備えるペロブスカイト薄膜及び太陽電池の製造方法を提供し得る。
２：太陽電池
２１：導電基板
２２：第１キャリア輸送層
２３：活性層（ペロブスカイト薄膜）
２４：第２キャリア輸送層
２５：電極層
Ｓ１０１〜Ｓ１０２、Ｓ２０１〜Ｓ２０６：ステップ
２１：導電基板
２２：第１キャリア輸送層
２３：活性層（ペロブスカイト薄膜）
２４：第２キャリア輸送層
２５：電極層
Ｓ１０１〜Ｓ１０２、Ｓ２０１〜Ｓ２０６：ステップ
Claims (7)
- 基板に第１溶液を回転塗布して膜を形成するステップと、
前記第１溶液からなる膜に第２溶液を回転塗布してペロブスカイト薄膜を形成するステップとを備え、
前記ペロブスカイト薄膜の一般式はABX3で示され、
前記第１溶液の溶質は、少なくともAX、またはBX2のうちの一方が含まれ、前記第２溶液の溶質は、少なくともAX、またはBX2のうちの他方が含まれることを特徴とする、ペロブスカイト薄膜の製造方法。 - 前記Aは、アルカリ金属イオン、メチルアミンイオン、エチルアミンイオン、NH2CH=NH2イオン、またはアルキルアミンイオンのうちの少なくとも一つであり、
前記Bは、IV族元素のゲルマニウム（Ge）、スズ（Sn）、鉛（Pb）、III族元素のインジウム（In）、またはV族元素のアンチモン（Sb）のうちの少なくとも一つであり、
前記Xは、VII族元素のフッ素（F）、塩素（Cl）、臭素（Br）、ヨウ素（I）のうちの少なくとも一つであることを特徴とする、請求項１に記載のペロブスカイト薄膜の製造方法。 - 前記第１溶液と前記第２溶液の溶剤は、ジメチルホルムアミド（DMF）、またはイソプロパノール（isopropanol）であることを特徴とする、請求項１に記載のペロブスカイト薄膜の製造方法。
- 導電基板を用意するステップと、
前記導電基板に第１キャリア輸送層を形成するステップと、
前記第１キャリア輸送層に第１溶液を回転塗布して膜を形成するステップと、
前記第１溶液からなる膜に第２溶液を回転塗布してペロブスカイト薄膜を形成するステップと、
前記ペロブスカイト薄膜に第２キャリア輸送層を形成するステップと、
前記第２キャリア輸送層に電極層を形成するステップとを備え、
前記ペロブスカイト薄膜の一般式はABX3で示され、
前記第１溶液の溶質は、少なくともAX、またはBX2のうちの一つが含まれ、前記第２溶液の溶質は、少なくともAX、またはBX2のうちの一つが含まれることを特徴とする、ペロブスカイト薄膜を活性層とする太陽電池の製造方法。 - 前記第１キャリア輸送層は、正孔輸送層、または電子輸送層であり、前記第２キャリア輸送層は、電子輸送層、または正孔輸送層であり、前記電極層は陰極層、または陽極層であることを特徴とする、請求項４に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記正孔輸送層の材料は、ポリエチレンジオキシチオフェン：スチレンスルホン酸（PEDOT：PSS）、2,2',7,7'-Tetrakis[N,N-di(4-methoxyphenyl)amino]-9,9'-spirobifluorene（Spiro-OMeTAD）、五酸化バナジウム（V2O5）、酸化ニッケル（NiO）、三酸化タングステン（WO3）、または三酸化モリブデン（MoO3）であることを特徴とする、請求項４に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記電子輸送層の材料は、フッ化リチウム（LiF）、カルシウム（Ca）、6,6-フェニル-C61-酪酸メチル（6,6-phenyl-C61-butyric acid methyl ester，PC61BM）、6,6-フェニル-C71-酪酸メチル（6,6-phenyl-C71-butyric acid methyl ester，PC71BM）、インデン−C60ビス付加体（Indene-C60 bisadduct，ICBA）、炭酸セシウム（Cs2CO3）、二酸化チタン（TiO2）、poly[(9,9-bis(3'-(N,N-dimethylamino)propyl)-2,7-fluorene)-alt-2,7-(9,9-dioctyl-fluorene）］（PFN）、バソクプロイン（Bathocuproine，BCP）、酸化ジルコニウム（ZrO）、または酸化亜鉛（ZnO）であることを特徴とする、請求項４に記載の太陽電池の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW103115431A TWI474992B (zh) | 2014-04-29 | 2014-04-29 | 鈣鈦礦薄膜及太陽能電池的製備方法 |
| TW103115431 | 2014-04-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015211213A true JP2015211213A (ja) | 2015-11-24 |
| JP6294808B2 JP6294808B2 (ja) | 2018-03-14 |
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ID=52692448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014225154A Expired - Fee Related JP6294808B2 (ja) | 2014-04-29 | 2014-11-05 | ペロブスカイト薄膜及び太陽電池の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9231136B2 (ja) |
| EP (1) | EP2940751A3 (ja) |
| JP (1) | JP6294808B2 (ja) |
| TW (1) | TWI474992B (ja) |
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| US9985231B2 (en) * | 2015-02-25 | 2018-05-29 | Nutech Ventures, Inc. | Compositionally graded bulk heterojunction devices and methods of manufacturing the same |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9231136B2 (en) | 2016-01-05 |
| JP6294808B2 (ja) | 2018-03-14 |
| EP2940751A2 (en) | 2015-11-04 |
| TWI474992B (zh) | 2015-03-01 |
| US20150311364A1 (en) | 2015-10-29 |
| TW201540691A (zh) | 2015-11-01 |
| EP2940751A3 (en) | 2015-11-25 |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20170411 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |