TWI575287B - 顯示面板及顯示模組 - Google Patents

Description

顯示面板及顯示模組

本發明是有關於一種面板及模組，且特別是有關於一種顯示面板及顯示模組。

量子點（Quantum Dot）是在把內部電子在三個空間方向上束縛住的半導體奈米結構。這種約束可以歸結於靜電勢（由外部的電極，摻雜，應變，雜質產生）、兩種不同半導體材料的介面（例如：在自組量子點中）、半導體的表面（例如：半導體奈米晶體）、或者上述三者的結合。量子點具有分離的量子化的能譜。因此，量子點具備特別的光學特性。舉例而言，量子點的放光波長範圍較傳統有機染料窄。為提升顯示模組的色彩飽和度（color saturation），有人將量子點整合在顯示模組的顯示面板中或整合在顯示模組的背光模組中。然而，量子點的合成不易且製造困難，進而使得採用量子點的顯示模組及顯示面板成本居高不下。

本發明提供一種顯示面板及顯示模組，易製造且成本低。

本發明的顯示面板包括第一基板、多個畫素單元、多個光轉換圖案、第二基板以及液晶層。畫素單元配置於第一基板上。多個光轉換圖案配置於第一基板上且分別與畫素單元重疊。光轉換圖案的材質包括如式一的鈣鈦礦材料。ABX ₃（式一），其中A代表有機官能基或無機元素，B代表無機元素，而X代表鹵素元素。第二基板設置於第一基板的對向。液晶層配置於第二基板與光轉換圖案之間。

本發明的顯示模組包括上述顯示面板以及光源。光源適於發出具有第一波長的第一光束。顯示面板配置於第一光束的傳遞路徑上。光轉換圖案接收第一光束而將第一光束轉換為具有第二波長的第二光束。

在本發明的一實施例中，上述的畫素單元包括薄膜電晶體以及畫素電極。薄膜電晶體配置於第一基板上且具有汲極。光轉換圖案覆蓋薄膜電晶體。畫素電極配置於光轉換圖案上且和薄膜電晶體的汲極電性連接。

在本發明的一實施例中，上述的顯示面板更包括濾光層。濾光層覆蓋光轉換圖案且位於液晶層與光轉換圖案之間。

在本發明的一實施例中，上述的濾光層夾設於畫素電極與光轉換圖案之間。

在本發明的一實施例中，上述的顯示面板更包括配置於第一基板上的第一偏光片以及配置於第二基板上的第二偏光片。第一偏光片為線柵偏光片。

在本發明的一實施例中，上述的第一基板位於液晶層與第一偏光片之間。

在本發明的一實施例中，上述的第一偏光片位於液晶層與第一基板之間。

在本發明的一實施例中，當A為有機官能時，A包括RNH ₃或NH ₃RNH ₃，R代表烷烴基或芳香烴基；當A為無機元素時，A包括M ⁺，M代表週期表之ⅠA或ⅡA族元素；B包括D ²⁺，D代表週期表之ⅠB、ⅡB、ⅧB或ⅣA族元素。

在本發明的一實施例中，上述的A包括把鈉（Na ⁺）、鉀（K ⁺）、銫（Cs ⁺）或鋇（Ba ⁺）。上述的B包括銅（Cu ²⁺） 鎳（Ni ²⁺）、鈷（Co ²⁺）、鐵（Fe ²⁺）、錳（Mn ²⁺）、鉻（Cr ²⁺）、鎘（Cd ²⁺） 錫（Sn ²⁺）或鉛（Pb ²⁺）。上述的X包括氯（Cl）、溴（Br）或碘（I）。

在本發明的一實施例中，上述的第一光束為紫外光，而第二光束為可見光。

在本發明的一實施例中，上述的多個光轉換圖案包括多個第一光轉換圖案、多個第二光轉換圖案以及多個第三光轉換圖案。第一光轉換圖案將紫外光轉換為紅光。第二光轉換圖案將紫外光轉換為綠光。第三光轉換圖案將紫外光轉換為藍光。

在本發明的一實施例中，上述的光源發出的第一光束為紫外光，而濾光層為紫外光吸收層。

基於上述，本發明一實施例的顯示模組及其顯示面板採用易於合成的ABX ₃做為光轉換圖案的材料，因此顯示模組及其顯示面板具有易製造及低成本的優勢。此外，由於所述光轉換圖案是配置在較靠近光源的第一基板上而非配置在較遠離光源的第二基板上，因此光源發出的第一光束在進入液晶層之前會先被光轉換圖案轉換為不易損傷液晶層的可見光。藉此，顯示模組及其顯示面板的信賴性可提升。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1為本發明一實施例之顯示模組的剖面示意圖。請參照圖1，顯示模組1000包括顯示面板100以及光源200。光源200適於發出具有第一波長的第一光束L _UV。顯示面板100配置於第一光束L _UV的傳遞路徑上。在本實施例中，光源200可選擇性地發出紫外光（Ultraviolet；UV）。換言之，光源200所發出之第一光束L _UV的第一波長範圍可落在10奈米（nm）～400奈米。然而，本發明不限此，在其他實施例中，也可根據顯示模組1000所欲顯示的色彩以及光轉換圖案130R、130G、130B的材料特性，選用其他適當種類的光源。

請參照圖1，顯示面板100包括第一基板110、配置於第一基板110上的多個畫素單元120、配置於第一基板110上且分別與多個畫素單元120重疊的多個光轉換圖案130R、130G、130B、設置於第一基板110對向的第二基板140以及配置於第二基板140與光轉換圖案130R、130G、130B之間的液晶層150。在本實施例中，第一基板110為透光基板。舉例而言，第一基板110的材質例如為玻璃。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，第一基板110也可使用其他適當材料，例如：石英、有機聚合物等。

每一畫素單元120包括薄膜電晶體T以及與薄膜電晶體T電性連接的畫素電極122。薄膜電晶體T具有閘極G、相對於閘極G的半導體圖案CH以及分別與半導體圖案CH兩側電性連接的源極S與汲極D。畫素電極122與汲極D電性連接。閘極G與半導體圖案CH之間設有閘絕緣層GI。顯示面板100更包括多條資料線（未繪示）以及多條掃描線（未繪示）。資料線（未繪示）與掃描線（未繪示）交錯，以定義出第一基板110上的多個子畫素區。多個畫素單元120分別設置在所述多個子畫素區內。如圖1所示，在本實施例中，閘極G可選擇性地位於半導體圖案CH與第一基板110之間。換言之，本實施例的薄膜電晶體T可為底部閘極型薄膜電晶體（bottom gate TFT）。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，薄膜電晶體T也可為頂部閘極型薄膜電晶體（top gate TFT）或其他適當型式的薄膜電晶體。在本實施例中，畫素電極122例如是透明導電層，其材質可選用金屬氧化物，例如：銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層，但本發明不以此為限。

請參照圖1，在本實施例中，顯示面板100可選擇性地包括絕緣層160。絕緣層160覆蓋薄膜電晶體T的一部份，且具有暴露出或未覆蓋薄膜電晶體T之部分汲極D的貫孔160a。絕緣層160的材料可為無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料或上述之組合。

多個光轉換圖案130R、130G、130B配置於第一基板110上且分別與多個畫素單元120重疊。更精確地說，每一光轉換圖案130R、130G、130B與對應的一個畫素電極122在第一基板110之承載面110a的法線方向d上相重疊。在本實施例中，光轉換圖案130R、130G、130B可配置在絕緣層160上。每一光轉換圖案130R、130G、130B分別覆蓋對應的薄膜電晶體T且具有暴露出或未覆蓋部分汲極D的貫孔130a。每一光轉換圖案130R、130G、130B的貫孔130a與對應之絕緣層160的一個貫孔160a相連通。每一畫素電極122配置於對應的一個光轉換圖案130R、130G、130B上且分別填入貫孔130a、160a，以和對應之薄膜電晶體T的汲極D電性連接。

光轉換圖案130R、130G、130B的材質包括以下式一表示的鈣鈦礦材料。以下式一表示的鈣鈦礦材料本身除了具有半導體特性外更可具有量子井結構，量子井結構有助於提升光轉換圖案130R、130G、130B的發光效率。鈣鈦礦材料結構之通式為ABX ₃（式一），其係使用鈣鈦礦（CaTiO ₃）金屬化合物之晶體結構而命名，其中A代表有機官能基或無機元素，B代表無機元素，X代表鹵素元素（即VIIA族元素，例如：Cl、Br、I等）。以CaTiO ₃結構為例，Ca 離子佔據立方體晶格結構的中心，Ti 離子佔據立方體晶格結構的頂點，而部份的O 離子位於立方體晶格結構各稜邊上。在這種晶體結構中，當Ca 離子半徑R _A，Ti 離子半徑R _B以及O 離子半徑R _X滿足下式二時，ABX ₃化合物可稱鈣鈦礦結構。R _A+R _X=√2（R _B+R _X）•t（式二），其中t介於0.77～1.1。在本實施例中，當A為有機官能時，A包括RNH ₃或NH ₃RNH ₃，其中R代表烷烴基或芳香烴基；B包括D ²⁺，D代表週期表之ⅠB、ⅡB、ⅧB或ⅣA族元素。舉例而言，ABX ₃可為CH ₃NH ₃PbX ₃，但本發明不以此為限。另一方面，當A為無機元素時，A包括M ⁺，其中M代表週期表之ⅠA或ⅡA族元素；B包括D ²⁺，其中D代表週期表之ⅠB、ⅡB、ⅧB或ⅣA族元素。舉例而言，A（即M ⁺）例如為Na ⁺, K ⁺, Cs ⁺, Ba ⁺等，而B（即D ²⁺）例如為Cu ²⁺, Ni ²⁺, Co ²⁺, Fe ²⁺, Mn ²⁺, Cr ²⁺, Cd ²⁺, Sn ²⁺, Pb ²⁺等，但本發明不以此為限。

請參照圖1，光轉換圖案130R、130G、130B接收光源200發出的第一光束L _UV後，可將具有第一波長的第一光束L _UV轉換為具有第二波長的第二光束L _R、L _G、L _B。舉例而言，在本實施例中，光源200所發出的第一光束L _UV例如為紫外光。光轉換圖案130R、130G、130B在接收第一光束L _UV後，可將第一光束L _UV分別轉換為可見光範圍的第二光束L _R、L _G、L _B。更進一步地說，在本實施例中，光轉換圖案130R、130G、130B包括多個第一光轉換圖案130R、多個第二光轉換圖案130G以及多個第三光轉換圖案130B。第一光轉換圖案130R可將第一光束L _UV轉換為紅色的第二光束L _R。第二光轉換圖案130G將第一光束L _UV轉換為綠色的第二光束L _G。第三光轉換圖案130B可將第一光束L _UV轉換為藍色的第二光束L _B。藉此，顯示模組1000能夠顯示彩色畫面。

在本實施例中，用以發出紅光的第一光轉換圖案130R可由CH ₃NH ₃Br與PbI ₂混合而製備，其中CH ₃NH ₃Br與PbI ₂的莫耳分子比例如為1.7/1，但本發明不以此為限；用以發出綠光的第二光轉換圖案130G可由CH ₃NH ₃Br與PbBr ₂混合而製備，其中CH ₃NH ₃Br與PbBr ₂的莫耳分子比例如為1.3/1，但本發明不以此為限；用以發出藍光的第三光轉換圖案130B可由CH ₃NH ₃BCl與PbBr ₂混合而製備，其中CH ₃NH ₃BCl與PbBr ₂的莫耳分子比例如為3/1，但本發明不以此為限。需說明的是，上述用以製備第一、二、三光轉換圖案130R、130G、130B的方式是用以舉例說明本發明而非用以限制本發明，在其他實施例中，第一、二、三光轉換圖案130R、130G、130B也可用其他適當方式製備。

需說明的是，上述光源200發出之第一光束L _UV的波長、光轉換圖案130R、130G、130B接收第一光束L _UV後所轉換出的第二光束L _R、L _G、L _B的波長以及光轉換圖案130R、130G、130B的製備材料是用以舉例說明本發明而非用以限制本發明。光源200發出之第一光束L _UV的波長、光轉換圖案130R、130G、130B接收第一光束L _UV後所轉換出的第二光束L _R、L _G、L _B的波長以及光轉換圖案130R、130G、130B之製備材料的選擇，均可適實際的需求做其他不同的選擇。

值得一提的是，由於鈣鈦礦材料ABX ₃為非貴金屬系且易於合成，故採用ABX ₃做為光轉換圖案130R、130G、130B之材料的顯示模組1000及其顯示面板100具有易製造及低成本的優勢。此外，如圖1所示，在本實施例中，由於光轉換圖案130R、130G、130B是配置在較靠近光源200的第一基板110上而非配置在較遠離光源200的第二基板140上，因此光源200發出的第一光束L _UV在進入液晶層150之前會先被光轉換圖案130R、130G、130B轉換為不易損傷液晶層150的可見光。藉此，顯示模組1000及其顯示面板100更具有信賴性佳的優點。

請參照圖1，在本實施例中，顯示面板100可更進一步地包括濾光層170。濾光層170覆蓋光轉換圖案130R、130G、130B且位於液晶層150與光轉換圖案130R、130G、130B之間。舉例而言，濾光層170可選擇性地夾設於畫素電極122與光轉換圖案130R、130G、130B之間。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，濾光層170也可設置於其他適當位置，例如：畫素電極122與液晶層150之間。濾光層170的材質可為氧化矽（SiO ₂）、氧化鈦（TiO ₂）或其他適當材料。值得注意的是，濾光層170能夠吸收未被光轉換圖案130R、130G、130B轉換而通過光轉換圖案130R、130G、130B的部份第一光束L _UV。舉例而言，光源發出的第一光束L _UV為紫外光，而濾光層170為紫外光吸收層。濾光層170能夠吸收未被光轉換圖案130R、130G、130B轉換而通過光轉換圖案130R、130G、130B的部份紫外光。換言之，濾光層170能夠阻擋可能對液晶層150造成傷害的第一光束L _UV進入液晶層150，進而提升顯示模組1000及其顯示面板100的信賴性（reliability）。

請參照圖1，顯示面板100更包括配置於第一基板110上的第一偏光片PL1以及配置於第二基板140上的第二偏光片PL2。第一偏光片PL1較第二偏光片PL2靠近光源200。在本實施例中，第一偏光片PL2可選用線柵偏光片（wire grid polarizer，WGP）。第一偏光片PL1選用線柵偏光片的好處是，相較於一般的偏光片，為線柵偏光片的第一偏光片PL1不易吸收可能為紫外光的第一光束L _UV，進而提升顯示模組1000的光使用效率。此外，在本實施例中，第一基板110可位於液晶層150與第一偏光片PL1之間，而第二基板140可位於液晶層150與第二偏光片PL2之間。換言之，在本實施例中，第一、二偏光片PL1、PL2可為晶胞外的線柵偏光片（out-cell Wire Grid Polarizer）。然而，本發明不限於此，第一、二偏光片PL1、PL2也可設置在其他適當位置，以下利用圖2舉例說明之。

圖2為本發明另一實施例之顯示模組的剖面示意圖。圖2的顯示模組1000A與圖1的顯示模組1000類似，因此相同或相對應的元件以相同或相對應的標號表示。圖2之顯示模組1000A與圖1之顯示模組1000的主要差異在於：顯示模組1000A的第一、二偏光片PL1A、PL2A是設置晶胞內（in cell），而不像顯示模組1000的第一、二偏光片PL1、PL2是設置晶胞外（out cell）。以下主要就此差異處做說明，兩者相同處還請參照前述說明。

顯示模組1000A包括顯示面板100A以及光源200。光源200適於發出具有第一波長的第一光束L _UV。顯示面板100A配置於第一光束L _UV的傳遞路徑上。顯示面板100A包括第一基板110、配置於第一基板110上的多個畫素單元120、配置於第一基板110上且與畫素單元120重疊的多個光轉換圖案130R、130G、130B、設置於第一基板110對向的第二基板140以及配置於第二基板140與光轉換圖案130R、130G、130B之間的液晶層150。多個光轉換圖案130R、130G、130B配置於第一基板110上且分別與多個畫素單元120重疊。光轉換圖案130R、130G、130B的材質包括以下式一表示的鈣鈦礦材料。鈣鈦礦材料結構之通式為ABX ₃（式一），其中A代表有機官能基或無機元素，B代表無機元素，X代表鹵素元素（即VIIA族元素）。光轉換圖案130R、130G、130B接收光源200發出的第一光束L _UV後，可將具有第一波長的第一光束L _UV轉換為具有第二波長的第二光束L _R、L _G、L _B，進而讓顯示模組1000A能夠顯示彩色畫面。

顯示面板100A更包括配置於第一基板110上的第一偏光片PL1A以及配置於第二基板140上的第二偏光片PL2A。第一偏光片PL1A較第二偏光片PL2A靠近光源200。在本實施例中，第一偏光片PL1A可選用線柵偏光片（wire grid polarizer，WGP）。第二偏光片PL2A也可選擇性地採用線柵偏光片，但本發明不以此為限。第一偏光片PL1A選用線柵偏光片的好處是，相較於一般的偏光片，為線柵偏光片的第一偏光片PL1A不易過度吸收可能為紫外光的第一光束L _UV，進而提升顯示模組1000A的光使用效率。與圖1之實施例不同的是，在圖2的實施例中，第一偏光片PL1A位於液晶層150與第一基板110之間。第二偏光片PL2A位於液晶層150與第二基板140之間。換言之，在本實施例中，第一、二偏光片PL1、PL2可為晶胞內的線柵偏光片（in-cell Wire Grid Polarizer ）。圖2之顯示模組1000A及其顯示面板100A具有與圖1之顯示模組1000及其顯示面板100類似的功效及優點，於此便不再重述。

綜上所述，本發明一實施例的顯示模組及其顯示面板採用易於合成的鈣鈦礦材料ABX ₃做為光轉換圖案的材料，因此顯示模組及其顯示面板具有易製造及低成本的優勢。此外，由於所述光轉換圖案是配置在較靠近光源的第一基板上而非配置在較遠離光源的第二基板上，因此光源發出的第一光束在進入液晶層之前會先被光轉換圖案轉換為不易損傷液晶層的可見光。藉此，顯示模組及其顯示面板的信賴性可提升。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100、100A‧‧‧顯示面板
110‧‧‧第一基板
110a‧‧‧承載面
120‧‧‧畫素單元
122‧‧‧畫素電極
130R、130G、130B‧‧‧光轉換圖案
130a、160a‧‧‧貫孔
140‧‧‧第二基板
150‧‧‧液晶層
160‧‧‧絕緣層
170‧‧‧濾光層
200‧‧‧光源
1000、1000A‧‧‧顯示模組
CH‧‧‧半導體圖案
D‧‧‧汲極
d‧‧‧方向
G‧‧‧閘極
GI‧‧‧閘絕緣層
L_UV‧‧‧第一光束
L_R、L_G、L_B‧‧‧第二光束
PL1、PL1A‧‧‧第一偏光片
PL2、PL2A‧‧‧第二偏光片
S‧‧‧源極
T‧‧‧薄膜電晶體

圖1為本發明一實施例之顯示模組的剖面示意圖。 圖2為本發明另一實施例之顯示模組的剖面示意圖。

100‧‧‧顯示面板

110‧‧‧第一基板

110a‧‧‧承載面

120‧‧‧畫素單元

122‧‧‧畫素電極

130R、130G、130B‧‧‧光轉換圖案

130a、160a‧‧‧貫孔

140‧‧‧第二基板

150‧‧‧液晶層

160‧‧‧絕緣層

170‧‧‧濾光層

200‧‧‧光源

1000‧‧‧顯示模組

CH‧‧‧半導體圖案

D‧‧‧汲極

d‧‧‧方向

G‧‧‧閘極

GI‧‧‧閘絕緣層

L_UV‧‧‧第一光束

L_R、L_G、L_B‧‧‧第二光束

PL1‧‧‧第一偏光片

PL2‧‧‧第二偏光片

S‧‧‧源極

T‧‧‧薄膜電晶體

Claims (20)

1. 一種顯示面板，包括： 一第一基板； 多個畫素單元，配置於該第一基板上； 多個光轉換圖案，配置於該第一基板上且分別與該些畫素單元重疊，其中，該些光轉換圖案的材質包括如式一的鈣鈦礦材料，ABX ₃（式一），A代表有機官能基或無機元素，B代表無機元素，而X代表鹵素元素； 一第二基板，設置於該第一基板的對向；以及 一液晶層，配置於該第二基板與該些光轉換圖案之間。
2. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該些畫素單元包括： 多個薄膜電晶體，配置於該第一基板上且分別具有一汲極，該些光轉換圖案分別覆蓋該些薄膜電晶體；以及 多個畫素電極，分別配置於該些光轉換圖案上且分別和該些薄膜電晶體的該些汲極電性連接。
3. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，更包括： 一濾光層，覆蓋該些光轉換圖案且位於該液晶層與該些光轉換圖案之間。
4. 如申請專利範圍第3項所述的顯示面板，其中該些畫素單元包括： 多個薄膜電晶體，配置於該第一基板上且分別具有一汲極，該些光轉換圖案分別覆蓋該些薄膜電晶體；以及 多個畫素電極，分別配置於該些光轉換圖案上且分別和該些薄膜電晶體的該些汲極電性連接，其中該濾光層夾設於該些畫素電極與該些光轉換圖案之間。
5. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，更包括： 一第一偏光片，配置於該第一基板上；以及 一第二偏光片，配置於該第二基板上，其中該第一偏光片為一線柵偏光片。
6. 如申請專利範圍第5項所述的顯示面板，其中該第一基板位於該液晶層與該第一偏光片之間。
7. 如申請專利範圍第5項所述的顯示面板，其中該第一偏光片位於該液晶層與該第一基板之間。
8. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中當A為有機官能時，A包括RNH ₃或NH ₃RNH ₃，R代表烷烴基或芳香烴基；當A為無機元素時，A包括M ⁺，M代表週期表之ⅠA或ⅡA族元素；B包括D ²⁺，D代表週期表之ⅠB、ⅡB、ⅧB或ⅣA族元素。
9. 如申請專利範圍第8項所述的顯示面板，其中A包括把鈉（Na ⁺）、鉀（K ⁺）、銫（Cs ⁺）或鋇（Ba ⁺），B包括銅（Cu ²⁺） 鎳（Ni ²⁺）、鈷（Co ²⁺）、鐵（Fe ²⁺）、錳（Mn ²⁺）、鉻（Cr ²⁺）、鎘（Cd ²⁺） 錫（Sn ²⁺）或鉛（Pb ²⁺），以及X包括氯（Cl）、溴（Br）或碘（I）。
10. 一種顯示模組，包括： 一顯示面板，包括： 一第一基板； 多個畫素單元，配置於該第一基板上； 多個光轉換圖案，配置於該第一基板上且分別與該些畫素單元重疊，其中，該些光轉換圖案的材質包括如式一的鈣鈦礦材料，ABX ₃（式一），A代表有機官能基或無機元素，B代表無機元素，而X代表鹵素元素； 一第二基板，設置於該第一基板的對向；以及 一液晶層，配置於該第二基板與該些光轉換圖案之間； 一光源，適於發出具有一第一波長的一第一光束，該顯示面板配置於該第一光束的傳遞路徑上，該些光轉換圖案接收該第一光束而將該第一光束轉換為具有一第二波長的一第二光束。
11. 如申請專利範圍第10項所述的顯示模組，其中該第一光束為一紫外光，而該第二光束為一可見光。
12. 如申請專利範圍第11項所述的顯示模組，其中該些光轉換圖案包括多個第一光轉換圖案、多個第二光轉換圖案以及多個第三光轉換圖案，該些第一光轉換圖案將該紫外光轉換為一紅光，該些第二光轉換圖案將該紫外光轉換為一綠光，而該些第三光轉換圖案將該紫外光轉換為一藍光。
13. 如申請專利範圍第10項所述的顯示模組，其中該些畫素單元包括： 多個薄膜電晶體，配置於該第一基板上且分別具有一汲極，該些光轉換圖案分別覆蓋該些薄膜電晶體；以及 多個畫素電極，分別配置於該些光轉換圖案上且分別和該些薄膜電晶體的該些汲極電性連接。
14. 如申請專利範圍第10項所述的顯示模組，其中該顯示面板更包括： 一濾光層，覆蓋該些光轉換圖案且位於該液晶層與該些光轉換圖案之間。
15. 如申請專利範圍第14項所述的顯示模組，其中該些畫素單元包括： 多個薄膜電晶體，配置於該第一基板上且分別具有一汲極，該些光轉換圖案分別覆蓋該些薄膜電晶體；以及 多個畫素電極，分別配置於該些光轉換圖案上且分別薄膜電晶體的該些汲極電性連接，其中，該濾光層夾設於該些畫素電極與該些光轉換圖案之間。
16. 如申請專利範圍第14項所述的顯示模組，其中該光源發出的該第一光束為一紫外光，而該濾光層為一紫外光吸收層。
17. 如申請專利範圍第10項所述的顯示模組，其中該顯示面板，更包括： 一第一偏光片，配置於該第一基板上；以及 一第二偏光片，配置於該第二基板上，該第一偏光片較該第二偏光片靠近該光源，其中該第一偏光片為一線柵偏光片。
18. 如申請專利範圍第17項所述的顯示模組，其中該第一基板位於該液晶層與該第一偏光片之間。
19. 如申請專利範圍第17項所述的顯示模組，其中該第一偏光片位於該液晶層與該第一基板之間。
20. 如申請專利範圍第10項所述的顯示模組，其中當A為有機官能時，A包括RNH ₃或NH ₃RNH ₃，R代表烷烴基或芳香烴基；當A為無機元素時，A包括M ⁺，M代表週期表之ⅠA或ⅡA族元素；B包括D ²⁺，D代表週期表之ⅠB、ⅡB、ⅧB或ⅣA族元素。