TWI636566B

TWI636566B - 顯示面板

Info

Publication number: TWI636566B
Application number: TW106130949A
Authority: TW
Inventors: 羅諺樺; 黃馨諄; 郭文瑞; 謝馨儀
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2017-09-11
Filing date: 2017-09-11
Publication date: 2018-09-21
Also published as: CN107728397A; CN107728397B; US10809561B2; TW201913999A; US20190079346A1

Abstract

一種顯示面板包括基板、對向基板、液晶層、畫素陣列、以及第一偏光圖案。對向基板相對於基板設置。液晶層位於基板以及對向基板之間。畫素陣列位於基板與液晶層之間。畫素陣列包括多條掃描線、多條資料線、多個主動元件以及多個第一電極。主動元件與掃描線及資料線電性連接。第一電極位於基板上。每一第一電極包括多個狹縫。第一偏光圖案於垂直基板方向上分別與第一電極重疊。第一偏光圖案位於基板與對向基板之間。第一偏光圖案的延伸方向與第一電極之狹縫的延伸方向不同。

Description

顯示面板

本發明是有關於一種顯示面板，且特別是有關於一種包括偏光圖案的顯示面板。

光是一種電磁波，包含了交互作用的電場與磁場。光的電場方向被稱為「偏振方向（Polarized direction）」。若光前進的時候，其偏振方向一直在改變，稱為「非偏振光（Non polarized light）」。若光前進的時候，其偏振方向固定不變，則稱為「偏振光（Polarized light）」。

偏光片是一種只能讓朝著某特定方向偏振的光通過的元件，其能吸收沿著特定方向偏振的光，使非偏振光轉變為偏振光。在顯示裝置中（例如：液晶顯示器），會利用偏光片來控制光線的通過。然而，目前的偏光片都是貼在液晶面板基板的外側，這種做法使液晶面板需要額外的一道工序，除了會增加液晶面板的生產時間外，還會產生額外的製造成本。因此，目前亟需一種能解決前述問題的方法。

本發明提供一種顯示面板，不需要額外的在基板外側形成偏光片，能增加顯示面板的產率並減少顯示面板的製造成本。

本發明的一種顯示面板包括基板、對向基板、液晶層、畫素陣列以及第一偏光圖案。對向基板相對於基板設置。液晶層位於基板以及對向基板之間。畫素陣列位於基板與液晶層之間。畫素陣列包括多條掃描線、多條資料線、多個主動元件以及多個第一電極。資料線與掃描線交錯設置。主動元件與掃描線及資料線電性連接。第一電極位於基板上。每一第一電極包括多個狹縫。第一偏光圖案於垂直基板方向上分別與第一電極重疊。第一偏光圖案位於基板與對向基板之間。第一偏光圖案的延伸方向與第一電極之狹縫的延伸方向不同。

基於上述，在本發明的顯示面板中，第一偏光圖案位於基板與對向基板之間。因此，不需要額外的在基板及/或對向基板的外側形成偏光片，除了能增加顯示面板的產率之外，還能減少顯示面板的製造成本。此外，本發明的第一偏光圖案的延伸方向與畫素陣列中的第一電極的狹縫的延伸方向不同，配合配向膜之配向，使顯示面板可具較佳的偏光效果，提高液晶效率。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1A是依照本發明的一實施例的一種顯示面板的上視示意圖。圖1B是沿著圖1A中剖線AA’的剖面示意圖。圖1C是沿著圖1A中剖線BB’的剖面示意圖。需注意的是，圖1A~圖1C所畫出的第一偏光圖案P1的條狀圖案的數量以及尺寸僅僅是用來示意，並非用來限制本發明的條狀圖案的數量以及尺寸。

請同時參考圖1A~圖1C，顯示面板10包括基板100、對向基板200、液晶層LC、畫素陣列PA以及第一偏光圖案P1。

基板100之材質可為玻璃、石英、有機聚合物或是其他可適用的材料。對向基板200相對於基板100設置。液晶層LC位於基板100以及對向基板200之間。畫素陣列PA位於基板100與液晶層LC之間。

在一實施例中，畫素陣列PA包括多條掃描線SL、多條資料線DL、多個主動元件TFT、多個第一電極130以及多個第二電極120。

掃描線SL位於基板100上。資料線DL位於掃描線SL上方，且與掃描線SL交錯設置。在一實施例中，掃描線SL與資料線DL之間夾有絕緣層102。在一實施例中，掃描線SL的延伸方向D2實質上垂直於資料線DL的延伸方向D3，然而本發明不以此為限。在其他實施例中，掃描線SL的延伸方向D2與資料線DL的延伸方向D3之間夾有銳角或鈍角。

主動元件TFT包括閘極G、半導體層SM、源極S以及汲極D。閘極G與掃描線SL電性連接。半導體層SM位於閘極G上方，並與閘極G之間隔有絕緣層。源極S以及汲極D位於半導體層SM上。源極S與資料線DL電性連接。在本實施例中，主動元件TFT為底閘極薄膜電晶體，然而本發明不以此為限。在其他實施例中，主動元件TFT也可以是頂閘極薄膜電晶體或其他種類的開關元件。

在本實施例中，畫素陣列PA還包括位於資料線DL上方的多個第一輔助電極110。第一輔助電極110和資料線DL彼此分隔。在一實施例中，第一輔助電極110與資料線DL之間夾有絕緣層104。在一實施例中，第一輔助電極110的延伸方向等於資料線DL的延伸方向D3，然而本發明不以此為限。在其他實施例中，第一輔助電極110的延伸方向與資料線DL的延伸方向D3之間夾有夾角。又雖然本實施例中的畫素陣列PA包含了第一輔助電極110，然而並非代表本發明的畫素陣列PA中一定要有第一輔助電極110。在一些實施例中，畫素陣列PA也可以不具有第一輔助電極110以及絕緣層104。在一些實施例中，第一輔助電極110用以作為觸控電極。

第一電極130與第二電極120位於基板100上。第二電極120位於第一電極130與基板100之間或是位於第一電極130與液晶層LC之間。在本實施例中，第二電極120位於第一電極130與基板100之間。第一電極130與第二電極120之間夾有絕緣層108。第二電極120與第一輔助電極110之間夾有絕緣層106。在本實施例中，第二電極120為畫素電極，第二電極120透過接觸窗C而電性連接至主動元件TFT的汲極D，然而本發明不以此為限。在其他實施例中，第一電極130與第一輔助電極110之間夾有絕緣層106，第一電極130與第二電極120之間夾有絕緣層108，亦即，第二電極120位在第一電極130上方，且第二電極120電性連接至主動元件TFT的汲極D。在本實施例中，第一電極130為共用電極，且第一電極130包括多個狹縫T，狹縫T重疊於第二電極120，然而本發明不以此為限。在其他實施例中，作為畫素電極的第二電極120包括多個狹縫T。在本實施例中，狹縫T在畫素區的延伸方向E1例如等於資料線DL的延伸方向D3，其中畫素區例如對應於畫素電極的位置，並與畫素電極大致上重疊，然而本發明不以此為限。在其他實施例中，狹縫T在畫素區的延伸方向與資料線DL的延伸方向D3之間夾有銳角或鈍角。在一實施例中，狹縫T在靠近掃描線SL的位置處可以有不同於延伸方向E1的另一延伸方向，且藉由在狹縫T靠近掃描線SL的位置處設計另一延伸方向能進一步幫助液晶的配向。在一實施例中，一部分的第一電極130位於資料線DL的上方並與資料線DL重疊，且與資料線DL具有相同的延伸方向。

第一偏光圖案P1於垂直基板100的方向D1上與第二電極120重疊以及與第一電極130部分重疊。第一偏光圖案P1位於基板100與對向基板200之間。在本實施例中，第一偏光圖案P1設置於基板100和液晶層LC之間，而液晶層LC和對向基板200之間設置有彩色濾光元件CF，對向基板200相對於彩色濾光元件CF的另一側上具有偏光片PF以及光學補償膜CM，其中光學補償膜CM位於偏光片PF和對向基板200之間，然而本發明不以此為限。在其他實施例中，第一偏光圖案P1設置於彩色濾光元件CF和液晶層LC之間或是彩色濾光元件CF和對向基板200之間，而偏光片PF和光學補償膜CM位於基板100相對於畫素陣列PA的另一側上（例如基板100的外側），其中光學補償膜CM位於偏光片PF和基板100之間。在一實施例中，偏光片PF位於無配置第一偏光圖案P1的基板100或對向基板200上，且光學補償膜CM位於偏光片PF和基板100或對向基板200之間。

在一實施例中，第一偏光圖案P1與第一輔助電極110屬於同一膜層，且彼此分隔。在一實施例中，第一偏光圖案P1與第一輔助電極110之間例如隔有絕緣層，使第一偏光圖案P1與第一輔助電極110之間不會短路。在一實施例中，第一偏光圖案P1與第一輔助電極110例如是利用奈米壓印製程同時形成，因此可以減少額外製作第一偏光圖案P1的製程，降低生產成本。

在一實施例中，每一個第一偏光圖案P1由複數平行條狀圖案所組成，每一條狀圖案的寬度W介於15至120奈米(nm)之間，且相鄰的條狀圖案之間的間距GP介於15至120奈米(nm)之間。第一偏光圖案P1包括多個獨立且朝著延伸方向E2延伸的條狀圖案，且第一偏光圖案P1的延伸方向E2與狹縫T的延伸方向E1不同。

在一實施例中，液晶層LC與基板100之間可以包括配向膜(未繪示)。配向膜具有配向方向，配向方向與偏光圖案的延伸方向（例如是第一偏光圖案P1的延伸方向E2）大致上平行或大致上垂直。

在一實施例中，液晶層LC包括正型液晶，且第一偏光圖案P1的延伸方向E2與該些狹縫T的延伸方向E1的夾角為θ度，-15≦θ≦15，且θ≠0。在一實施例中，第一偏光圖案P1的延伸方向E2與該些狹縫T的延伸方向E1的夾角為θ度，-15≦θ≦-2或2≦θ≦15，且在一些較佳的實施例中，-15≦θ≦-5或5≦θ≦15。在一實施例中，第一輔助電極110的延伸方向例如等於資料線DL的延伸方向D3，第一偏光圖案P1的延伸方向E2與第一輔助電極110的延伸方向的夾角＜45度。

在一實施例中，液晶層LC包括負型液晶，且第一偏光圖案P1的延伸方向E2與狹縫T的延伸方向E1的夾角為θ度，且75≦θ≦105，且θ≠90。在一實施例中，第一偏光圖案P1的延伸方向E2與該些狹縫T的延伸方向E1的夾角為θ度，75≦θ≦88或92≦θ≦105，且在一些較佳的實施例中，75≦θ≦85或95≦θ≦105。在一實施例中，第一輔助電極110的延伸方向例如等於掃描線SL的延伸方向D2，第一偏光圖案P1的延伸方向E2與第一輔助電極110的延伸方向的夾角＜45度。

在一實施例中，第一偏光圖案P1與第一輔助電極110例如是利用奈米壓印製程同時形成，在奈米壓印製程中，由於是藉由物理性接觸的方式來轉印光罩圖案，因此，容易產生壓印後的離膜問題。在一些實施例中，第一偏光圖案P1的延伸方向E2與第一輔助電極110的延伸方向的夾角＜45度，離膜時的離膜方向能夠盡可能同時接近第一偏光圖案P1的延伸方向E2及/或第一輔助電極110的延伸方向，使奈米壓印製程的整體良率可以提高。

基於上述，在本發明的顯示面板10中，第一偏光圖案P1與第一輔助電極110屬於同一膜層。因此，不需要額外的在基板100的外側形成偏光片，除了能增加顯示面板10的產率之外，還能減少顯示面板10的製造成本。此外，本發明的第一偏光圖案P1的延伸方向E2與畫素陣列PA中的第一電極130的狹縫T的延伸方向E1不同，配合配向膜之配向，使顯示面板10可具較佳的偏光效果，提高液晶效率。

圖2A是依照本發明的另一實施例的一種顯示面板的上視示意圖。圖2B是沿著圖2A中剖線CC’的剖面示意圖。圖2C是沿著圖2A中剖線DD’的剖面示意圖。需注意的是，圖2A~圖2C所畫出的第一偏光圖案P2的條狀圖案的數量以及尺寸僅僅是用來示意，並非用來限制本發明的條狀圖案的數量以及尺寸。在此必須說明的是，圖2A~圖2C的實施例沿用圖1A～圖1C的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

圖2A~圖2C的實施例與圖1A~圖1C的實施例的差異主要在於：圖1A~圖1C的第一偏光圖案P1與第一輔助電極110屬於同一膜層，圖2A~圖2C的第一偏光圖案P2則與資料線DL屬於同一膜層。

在本實施例中，顯示面板20包括基板100、對向基板200、液晶層LC、畫素陣列PA以及第一偏光圖案P2。對向基板200相對於基板100設置。液晶層LC位於基板100以及對向基板200之間。畫素陣列PA位於基板100與液晶層LC之間。畫素陣列PA包括多條掃描線SL、多條資料線DL、多個主動元件TFT、多個第一電極130以及多個第二電極120。資料線DL與掃描線SL交錯設置。主動元件TFT與掃描線SL及資料線DL電性連接，第二電極120與主動元件TFT電性連接。第一電極130位於基板100上。每一第一電極130包括多個狹縫T。第一偏光圖案P2於垂直基板100的方向D1上與第二電極120重疊以及與第一電極130部分重疊。第一偏光圖案P2位於基板100與對向基板200之間。第一偏光圖案P2的延伸方向E3與狹縫T的延伸方向E1不同。

在本實施例中，第一偏光圖案P2與資料線DL屬於同一膜層，且彼此分隔，且第一偏光圖案P2的延伸方向E3與資料線DL的延伸方向D3的夾角＜45度。

在一實施例中，第一偏光圖案P2與資料線DL例如是利用蝕刻微影製程或是奈米壓印製程同時形成，可以減少額外製作第一偏光圖案P2的製程。在奈米壓印製程中，由於是藉由物理性接觸的方式來轉印光罩圖案，因此，容易產生壓印後的離膜問題。在一些實施例中，第一偏光圖案P2的延伸方向E3與資料線DL的延伸方向D3的夾角＜45度，離膜時的離膜方向能夠盡可能同時接近第一偏光圖案P2的延伸方向E3與資料線DL的延伸方向D3，使奈米壓印製程的整體良率可以提高。

基於上述，在本發明的顯示面板20中，第一偏光圖案P2與資料線DL屬於同一膜層。因此，不需要額外的在基板100的外側形成偏光片，除了能增加顯示面板20的產率之外，還能減少顯示面板20的製造成本。此外，本發明的第一偏光圖案P2的延伸方向E3與畫素陣列PA中的第一電極130的狹縫T的延伸方向E1不同，配合配向膜之配向，使顯示面板20可具較佳的偏光效果，提高液晶效率。

圖3A是依照本發明的另一實施例的一種顯示面板的上視示意圖。圖3B是沿著圖3A中剖線EE’的剖面示意圖。圖3C是沿著圖3A中剖線FF’的剖面示意圖。需注意的是，圖3A~圖3C所畫出的第一偏光圖案P3的條狀圖案的數量以及尺寸僅僅是用來示意，並非用來限制本發明的條狀圖案的數量以及尺寸。

在此必須說明的是，圖3A~圖3B的實施例沿用圖1A～圖1C的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

圖3A~圖3C的實施例與圖1A~圖1C的實施例的差異主要在於：圖1A~圖1C的第一偏光圖案P1與第一輔助電極110屬於同一膜層，圖3A~圖3C的第一偏光圖案P3則與掃描線SL屬於同一膜層。

在本實施例中，顯示面板30包括基板100、對向基板200、液晶層LC、畫素陣列PA以及第一偏光圖案P3。對向基板200相對於基板100設置。液晶層LC位於基板100以及對向基板200之間。畫素陣列PA位於基板100與液晶層LC之間。畫素陣列PA包括多條掃描線SL、多條資料線DL、多個主動元件TFT、多個第一電極130以及多個第二電極120。資料線DL與掃描線SL交錯設置。主動元件TFT與掃描線SL及資料線DL電性連接，第二電極120與主動元件TFT電性連接。第一電極130位於基板100上。每一第一電極130包括多個狹縫T。第一偏光圖案P3於垂直基板100的方向D1上與第二電極120重疊以及與第一電極130部分重疊。第一偏光圖案P3位於基板100與對向基板200之間。第一偏光圖案P3的延伸方向E4與狹縫T的延伸方向E1不同。

在一實施例中，液晶層LC包括負型液晶，且第一偏光圖案P3的延伸方向E4與狹縫T的延伸方向E1的夾角為θ度，且75≦θ≦105，且θ≠90。在一實施例中，第一偏光圖案P3的延伸方向E4與該些狹縫T的延伸方向E1的夾角為θ度，75≦θ≦88或92≦θ≦105，且在一些較佳的實施例中，75≦θ≦85或95≦θ≦105。

在本實施例中，第一偏光圖案P3與掃描線SL屬於同一膜層，且彼此分隔，且第一偏光圖案P3的延伸方向E4與掃描線SL的延伸方向D2的夾角＜45度。

在一實施例中，第一偏光圖案P3與掃描線SL例如是利用蝕刻微影製程或是奈米壓印製程同時形成，可以減少額外製作第一偏光圖案P3的製程。在奈米壓印製程中，由於是藉由物理性接觸的方式來轉印光罩圖案，因此，容易產生壓印後的離膜問題。在一些實施例中，第一偏光圖案P3的延伸方向E4與掃描線SL的延伸方向D2的夾角＜45度，離膜時的離膜方向能夠盡可能同時接近第一偏光圖案P3的延伸方向E4與掃描線SL的延伸方向D2，使奈米壓印製程的整體良率可以提高。

基於上述，在本發明的顯示面板30中，第一偏光圖案P3與掃描線SL屬於同一膜層。因此，不需要額外的在基板100的外側形成偏光片，除了能增加顯示面板30的產率之外，還能減少顯示面板30的製造成本。此外，本發明的第一偏光圖案P3的延伸方向E4與畫素陣列PA中的第一電極130的狹縫T的延伸方向E1不同，配合配向膜之配向，使顯示面板30可具較佳的偏光效果，提高液晶效率。

圖4A是依照本發明的再一實施例的一種顯示面板的剖面示意圖。圖4B是沿著圖4A中剖線GG’的剖面示意圖。需注意的是，圖4A、圖4B所畫出的第一偏光圖案P4的條狀圖案的數量以及尺寸僅僅是用來示意，並非用來限制本發明的條狀圖案的數量以及尺寸。

在此必須說明的是，圖4A、圖4B的實施例沿用圖1A～圖1C的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

圖4A、圖4B的實施例與圖1A~圖1C的實施例的差異主要在於：圖1A~圖1C的第一偏光圖案P1是設置於液晶層與基板100之間，圖4A、圖4B的第一偏光圖案P4則是設置於液晶層LC與對向基板200之間。

在本實施例中，顯示面板40包括基板100、對向基板200、液晶層LC、畫素陣列PA以及第一偏光圖案P4。對向基板200相對於基板100設置。液晶層LC位於基板100以及對向基板200之間。畫素陣列PA位於基板100與液晶層LC之間。畫素陣列PA包括多條掃描線SL、多條資料線DL、多個主動元件TFT多個第一電極130以及多個第二電極120。資料線DL與掃描線SL交錯設置。主動元件TFT與掃描線SL及資料線DL電性連接，第二電極120與主動元件TFT電性連接。第一電極130位於基板100上。每一第一電極130包括多個狹縫T。

第一偏光圖案P4於垂直基板100的方向D1上與第二電極120重疊以及與第一電極130部分重疊。第一偏光圖案P4位於液晶層LC與對向基板200之間。第一偏光圖案P4的延伸方向E5與狹縫T的延伸方向E1不同。第一偏光圖案P4的延伸方向E5與狹縫T的延伸方向E1之間的夾角為θ度。θ的較佳角度如上述實施例所述。

多個第二輔助電極210位於對向基板200上。在一實施例中，第二輔助電極210的延伸方向與資料線DL的延伸方向D3相同，然而本發明不以此為限。在其他實施例中，第二輔助電極210的延伸方向與掃描線SL的延伸方向D2相同。在本實施例中，第一偏光圖案P4與第二輔助電極210屬於同一膜層，且第一偏光圖案P4的延伸方向E5與第二輔助電極210的延伸方向的夾角＜45度。

在一實施例中，畫素陣列PA還包括位於掃描線SL上方的多個第一輔助電極110。第一輔助電極110和掃描線SL彼此分隔，且至少隔有絕緣層102。在一實施例中，第一輔助電極110的延伸方向等於掃描線SL的延伸方向D2。在一實施例中，第二輔助電極210與第一輔助電極110都能用以作為觸控電極。在一實施例中，第一輔助電極110的延伸方向與第二輔助電極210的延伸方向實質上互相垂直。在一實施例中，第二輔助電極210能用以作為視角控制訊號電極。

在一實施例中，第二輔助電極210位於彩色濾光元件CF與對向基板200之間，且第二輔助電極210與彩色濾光元件CF之間夾有絕緣層202，然而本發明不以此為限。在其他實施例中，彩色濾光元件CF位於第二輔助電極210與對向基板200之間。

在本實施例中，彩色濾光元件CF是設置於對向基板200上。然，本發明不限於此，根據其他實施例，彩色濾光元件CF也可以設置於基板100上，以構成彩色濾光層於畫素陣列上(color filter on array, COA)之結構。

在本實施例中，基板100相對於畫素陣列PA的另一側上具有光學補償膜CM。在一實施例中，光學補償膜CM位於偏光片PF與基板100之間，然而本發明不以此為限。在其他實施例中，基板100上不具有偏光片PF，基板100與液晶層LC之間具有多個第二偏光圖案。在一實施例中，第二偏光圖案例如是與掃描線、資料線或是第一輔助電極屬於同一膜層（例如是利用奈米壓印製程而與掃描線、資料線或是第一輔助電極同時形成）。在一實施例中，第二偏光圖案位於無配置第一偏光圖案的基板100或對向基板200上，且於垂直基板100的方向D1上與第一偏光圖案P4重疊。在一實施例中，第二偏光圖案的延伸方向垂直於第一偏光圖案P4的延伸方向。

基於上述，在本發明的顯示面板40中，第一偏光圖案P4與第二輔助電極210屬於同一膜層。因此，不需要額外的在對向基板200的外側形成偏光片，除了能增加顯示面板40的產率之外，還能減少顯示面板40的製造成本。此外，本發明的第一偏光圖案P4的延伸方向與畫素陣列中的第一電極的狹縫的延伸方向不同，配合配向膜之配向，使顯示面板40可具較佳的偏光效果，提高液晶效率。

圖5是依照本發明的再一實施例的一種顯示面板的剖面示意圖。需注意的是，圖5所畫出的第一偏光圖案P4的條狀圖案的數量以及尺寸僅僅是用來示意，並非用來限制本發明的條狀圖案的數量以及尺寸。

在此必須說明的是，圖5的實施例沿用圖4A、圖4B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

圖5的實施例與圖4A、圖4B的實施例的差異主要在於：圖4B的第一偏光圖案P4以及第二輔助電極210是設置於彩色濾光元件CF與對向基板200之間，圖5的第一偏光圖案P4以及第二輔助電極210則是設置於液晶層LC與彩色濾光元件CF之間。

在本實施例中，顯示面板50包括基板100、對向基板200、液晶層LC、畫素陣列PA以及第一偏光圖案P4。對向基板200相對於基板100設置。液晶層LC位於基板100以及對向基板200之間。畫素陣列PA位於基板100與液晶層LC之間。畫素陣列PA包括多條掃描線、多條資料線DL、多個主動元件、多個第一電極130以及多個第二電極120。資料線DL與掃描線交錯設置。主動元件與掃描線及資料線DL電性連接，第二電極120與主動元件電性連接。第一電極130位於基板100上。每一第一電極130包括多個狹縫。第一偏光圖案P4於垂直基板100的方向D1上與第二電極120重疊以及與第一電極130部分重疊。第一偏光圖案P4位於液晶層LC與對向基板200之間。第一偏光圖案P4的延伸方向與狹縫的延伸方向不同。

基於上述，在本發明的顯示面板50中，第一偏光圖案P4與第二輔助電極210屬於同一膜層。因此，不需要額外的在對向基板200的外側形成偏光片，除了能增加顯示面板50的產率之外，還能減少顯示面板50的製造成本。此外，本發明的第一偏光圖案P4的延伸方向與畫素陣列中的第一電極130的狹縫的延伸方向不同，有助於液晶層LC中的液晶順利的沿著預定方向轉動。

圖6A是依照本發明的再又一實施例的一種顯示面板60的上視示意圖。圖6B是沿著圖6A中剖線HH’的剖面示意圖。需注意的是，圖6A、圖6B所畫出的第一偏光圖案P4及第二偏光圖案P5的條狀圖案的數量以及尺寸僅僅是用來示意，並非用來限制本發明的條狀圖案的數量以及尺寸。

在此必須說明的是，圖6A、圖6B的實施例沿用圖4A、圖4B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

圖6A、圖6B的實施例與圖4A、圖4B的實施例的差異主要在於：基板100與液晶層LC之間具有多個第二偏光圖案P5。在本實施例中，第二偏光圖案P5是與第一輔助電極110屬於同一膜層，然而本發明不以此為限。在其他實施例中，第二偏光圖案P5例如是與掃描線SL或是資料線DL屬於同一膜層。

在一實施例中，第二偏光圖案P5於垂直基板100的方向D1上與第一偏光圖案P4重疊，其中第二偏光圖案P5的延伸方向E6相交於第一偏光圖案P4的延伸方向E5。在一實施例中，第二偏光圖案P5的延伸方向E6垂直於第一偏光圖案P4的延伸方向E5。

在一實施例中，基板100或對向基板200的外側還可以設置有光學補償膜，然而本發明不以此為限。由於在本實施例中，基板100與液晶層LC之間具有第二偏光圖案P5，且對向基板200與液晶層LC之間具有第一偏光圖案P4，因此，基板100與對向基板200的外側都不需要額外設置偏光片。

綜上所述，本發明的顯示面板中，第一偏光圖案位於基板與對向基板之間。因此，不需要額外的在基板及/或對向基板的外側形成偏光片，除了能增加顯示面板的產率之外，還能減少顯示面板的製造成本。此外，本發明的第一偏光圖案的延伸方向與畫素陣列中的第一電極的狹縫的延伸方向不同，配合配向膜之配向，使顯示面板可具較佳的偏光效果，提高液晶效率。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10、20、30、40、50、60‧‧‧顯示面板
100‧‧‧基板
102、104、106、108、202、204‧‧‧絕緣層
200‧‧‧對向基板
110‧‧‧第一輔助電極
120‧‧‧第二電極
130‧‧‧第一電極
210‧‧‧第二輔助電極
P1、P2、P3、P4、P5‧‧‧第一偏光圖案
SL‧‧‧掃描線
DL‧‧‧資料線
TFT‧‧‧主動元件
G‧‧‧閘極
SM‧‧‧半導體層
D‧‧‧汲極
S‧‧‧源極
PA‧‧‧畫素陣列
LC‧‧‧液晶層
D1、D2、D3、E1、E2、E3、E4、E5、E6‧‧‧方向
T‧‧‧狹縫
W‧‧‧寬度
GP‧‧‧間隙
C‧‧‧接觸窗

圖1A是依照本發明的一實施例的一種顯示面板的上視示意圖。圖1B是沿著圖1A中剖線AA’的剖面示意圖。圖1C是沿著圖1A中剖線BB’的剖面示意圖。圖2A是依照本發明的另一實施例的一種顯示面板的上視示意圖。圖2B是沿著圖2A中剖線CC’的剖面示意圖。圖2C是沿著圖2A中剖線DD’的剖面示意圖。圖3A是依照本發明的又一實施例的一種顯示面板的上視示意圖。圖3B是沿著圖2A中剖線EE’的剖面示意圖。圖3C是沿著圖2A中剖線FF’的剖面示意圖。圖4A是依照本發明的再一實施例的一種顯示面板的上視示意圖。圖4B是沿著圖4A中剖線GG’的剖面示意圖。圖5是依照本發明的更一實施例的一種顯示面板的剖面示意圖。圖6A是依照本發明的再又一實施例的一種顯示面板的上視示意圖。圖6B是沿著圖6A中剖線HH’的剖面示意圖。

Claims

一種顯示面板，包括：一基板；一對向基板，相對於該基板設置；一液晶層，位於該基板以及該對向基板之間；一畫素陣列，位於該基板與該液晶層之間，該畫素陣列包括：多條掃描線；多條資料線，與該些掃描線交錯設置；多個主動元件，與該些掃描線及該些資料線電性連接；多個第一電極，位於該基板上，且每一該些第一電極包括多個狹縫；以及多個第一偏光圖案，於一垂直基板方向上分別與該些第一電極重疊，該些第一偏光圖案位於該基板與該對向基板之間，且該些第一偏光圖案的延伸方向與該些第一電極之該些狹縫的延伸方向不同。
如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，更包括：多個第二電極，於該垂直基板方向上與該些第一偏光圖案重疊，其中該些第二電極分別與該些主動元件電性連接。
如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中：該液晶層包括正型液晶；且該些第一偏光圖案的該延伸方向與該些狹縫的該延伸方向之間的夾角為θ度，-15≦θ≦15，且θ≠0。
如申請專利範圍第3項所述的顯示面板，其中該第一偏光圖案設置於該基板和該液晶層之間；且該顯示面板更包括: 一光學補償膜於該對向基板上。
如申請專利範圍第4項所述的顯示面板，其中該些第一偏光圖案與該些資料線屬於同一膜層，且彼此分隔，且該些第一偏光圖案的該延伸方向與該些資料線的延伸方向之間的夾角＜45度。
如申請專利範圍第4項所述的顯示面板，更包括：多個第一輔助電極，位於該些資料線上方，該些第一輔助電極和該些資料線彼此分隔，其中該些第一偏光圖案與該些第一輔助電極屬於同一膜層，且彼此分隔；且該些第一偏光圖案的該延伸方向與該些第一輔助電極的延伸方向之間的夾角＜45度。
如申請專利範圍第3項所述的顯示面板，更包括：一光學補償膜，位於該基板相對於該畫素陣列的另一側上；且其中該第一偏光圖案設置於該對向基板和該液晶層之間。
如申請專利範圍第7項所述的顯示面板，更包括：多個第二輔助電極，位於該對向基板上，且該些第二輔助電極的延伸方向與該些資料線的延伸方向相同，該些第一偏光圖案與該些第二輔助電極屬於同一膜層；且其中該些第一偏光圖案的該延伸方向與該些第二輔助電極的該延伸方向之間的夾角＜45度。
如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中：該液晶層包括負型液晶；且該些第一偏光圖案的該延伸方向與該些狹縫的該延伸方向之間的夾角為θ度，且75≦θ≦105，且θ≠90。
如申請專利範圍第9項所述的顯示面板，其中該第一偏光圖案設置於該基板和該液晶層之間；且該顯示面板更包括: 一光學補償膜，位於該對向基板上。
如申請專利範圍第10項所述的顯示面板，其中該些第一偏光圖案與該些掃描線屬於同一膜層；且該些第一偏光圖案的該延伸方向與該些掃描線的延伸方向之間的夾角＜45度。
如申請專利範圍第10項所述的顯示面板，更包括：多個第一輔助電極，位於該些資料線上方，該些第一輔助電極和該些資料線彼此分隔，該些第一偏光圖案與該些第一輔助電極屬於同一膜層；且其中該些第一偏光圖案的該延伸方向與該些第一輔助電極的延伸方向之間的夾角＜45度。
如申請專利範圍第9項所述的顯示面板，更包括：一光學補償膜，位於該基板相對於該畫素陣列的另一側上；且其中該第一偏光圖案設置於該對向基板和該液晶層之間。
如申請專利範圍第13項所述的顯示面板，更包括：多個第二輔助電極，位於該對向基板上，該些第一偏光圖案與該些第二輔助電極屬於同一膜層；且其中該些第一偏光圖案的該延伸方向與該些第二輔助電極的延伸方向之間的夾角＜45度。
如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，更包括：一偏光片，位於無配置該些第一偏光圖案的該基板或該對向基板上；以及一光學補償膜位於該偏光片和該基板或該對向基板之間。
如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中每一個該些第一偏光圖案由複數平行條狀圖案所組成，每一該條狀圖案的寬度介於15至120奈米之間，且相鄰的該條狀圖案之間的間距介於15至120奈米之間。
如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，更包括：多個第二偏光圖案，位於無配置該些第一偏光圖案的該基板或該對向基板上，且於該垂直基板方向上與該些第一偏光圖案重疊，其中該些第二偏光圖案的延伸方向垂直於該些第一偏光圖案的該延伸方向。
如申請專利範圍第6項或第12項所述的顯示面板，其中該些第一輔助電極用以作為觸控電極。
如申請專利範圍第8項或第14項所述的顯示面板，其中該些第二輔助電極用以作為觸控電極或視角控制訊號電極。
如申請專利範圍第2項所述的顯示面板，其中該些第二電極位於該些第一電極與該基板之間或是位於該些第一電極與該液晶層之間。