CN101290446B - Tft-lcd阵列基板及其制造方法 - Google Patents

Tft-lcd阵列基板及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101290446B
CN101290446B CN2008101118749A CN200810111874A CN101290446B CN 101290446 B CN101290446 B CN 101290446B CN 2008101118749 A CN2008101118749 A CN 2008101118749A CN 200810111874 A CN200810111874 A CN 200810111874A CN 101290446 B CN101290446 B CN 101290446B
Authority
CN
China
Prior art keywords
pixel electrode
semiconductor layer
electrode
grid
tft
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2008101118749A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101290446A (zh
Inventor
王刚
孙增辉
刘传珍
邵喜斌
刘宏宇
王珂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN2008101118749A priority Critical patent/CN101290446B/zh
Publication of CN101290446A publication Critical patent/CN101290446A/zh
Priority to US12/466,745 priority patent/US8120727B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN101290446B publication Critical patent/CN101290446B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133528—Polarisers
    • G02F1/133536—Reflective polarizers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133528—Polarisers
    • G02F1/133548—Wire-grid polarisers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits

Abstract

本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括在基板上形成的栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管，像素电极上形成有将自然光转变为线偏振光使像素电极同时作为内置偏振片的栅格图形。阵列基板制造方法包括：在基板上形成栅电极和栅线图形；连续沉积栅绝缘层、半导体层和掺杂半导体层，在栅电极上方形成半导体层和掺杂半导体层图形；形成源电极、漏电极、数据线和像素电极图形，且像素电极上形成有将自然光转变为线偏振光使像素电极同时作为内置偏振片的栅格图形。本发明无需在对盒后的阵列基板上贴附吸收型偏振片，既降低了生产成本，又有利于减少TFT-LCD的厚度，而且能够提高液晶显示器件的能源利用效率。

Description

TFT-LCD阵列基板及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示器及其制造方法，尤其是一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板及其制造方法。
背景技术
随着平板显示技术的迅速发展，由于平板显示装置具有功耗低、轻薄等优势，逐步取代了传统的CRT显示器，快速进入了人们的日常生活中。薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)由于寿命长、功耗低和无辐射等特点而被广大消费者所接受，广泛应用到人们的生活和生产之中。但寻求生产成本低、功耗低、更轻薄的液晶显示器一直是人们追求的目标。
TFT-LCD的主要结构包括对盒在一起的阵列基板和彩膜基板，阵列基板和彩膜基板的外表面贴附有偏振片。实际使用表明，现有技术的TFT-LCD存在如下技术缺陷：
(1)由于现有技术采用的偏振片都是通过吸收多余的光实现将自然光转变为线偏振光，因而在起偏过程中有超过50％的光损耗，使能源的利用效率不足50％，该缺陷对发展节能型TFT-LCD形成一定影响；
(2)在TFT-LCD的生产成本中，偏振片占了很大比重，一方面是由于材料和制备成所述像素电极的厚度为150nm～250nm。
本，另一方面是由于技术门槛高，该缺陷对进一步降低TFT-LCD生产成本有较大制约；
(3)由于现有技术的偏振片贴附在阵列基板和彩膜基板的表面上，在一定程度上也影响了TFT-LCD的轻薄化。
发明内容
本发明的目的是提供一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，有效解决现有技术贴附偏振片结构存在光损耗和成本高等技术缺陷。
为了实现上述目的，本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板，包括在基板上形成的栅线和数据线，栅线和数据线限定的像素区域内设置有像素电极，栅线和数据线的交叉处形成薄膜晶体管，所述像素电极上形成有将自然光转变为线偏振光使像素电极同时作为内置的反射型偏振片的栅格图形。
所述薄膜晶体管可以包括：
栅电极，形成在基板上，与所述栅线连接；
栅绝缘层，形成在栅电极和栅线上且覆盖整个基板；
半导体层和掺杂半导体层，依次形成在栅绝缘层上且位于栅电极上方；
源电极和漏电极，形成在掺杂半导体层上，且形成TFT沟道，源电极与所述数据线连接；
钝化层，形成在源电极和漏电极上，且在漏电极位置形成有使形成在所述钝化层上的所述像素电极与漏电极连接的钝化层过孔。
所述薄膜晶体管也可以包括：
栅电极，形成在基板上，与所述栅线连接；
栅绝缘层，形成在栅电极和栅线上且覆盖整个基板；
半导体层和掺杂半导体层，依次形成在栅绝缘层上且位于栅电极上方；
源电极和漏电极，形成在掺杂半导体层上，且形成TFT沟道，源电极与所述数据线连接，漏电极与同层的所述像素电极为连接的一体结构；
钝化层，形成在源电极和漏电极上。
在上述技术方案基础上，所述像素电极为电导率高、易于刻蚀的金属像素电极，优选地，所述金属像素电极为铝像素电极。
所述像素电极的厚度为150nm～250nm。
所述栅格图形为采用全息曝光方法或纳米压印方法在像素电极表面刻蚀 的由数个条形栅格组成的阵列。所述条形栅格的宽度为20nm～80nm，相邻条形栅格中心线之间的距离为40nm～160nm。优选地，所述条形栅格的宽度为50nm，相邻条形栅格中心线之间的距离为100nm。
为了实现上述目的，本发明还提供了一种TFT-LCD阵列基板制造方法，包括：
步骤1、在基板上沉积一层栅金属薄膜，通过掩膜工艺对栅金属薄膜进行刻蚀，在基板上形成栅电极和栅线图形；
步骤2、在完成栅电极和栅线图形的基板上连续沉积一层栅绝缘层、半导体层和掺杂半导体层，通过掩膜工艺对半导体层和掺杂半导体层进行刻蚀，在栅电极上方形成半导体层和掺杂半导体层图形；
步骤3、在完成半导体层和掺杂半导体层图形的基板上形成源电极、漏电极、数据线和像素电极图形，且所述像素电极上形成有将自然光转变为线偏振光使像素电极同时作为内置的反射型偏振片的栅格图形。
所述步骤3可以为：
在完成半导体层和掺杂半导体层图形的基板上沉积一层源漏金属薄膜，通过掩膜工艺对源漏金属薄膜进行刻蚀，形成源电极、漏电极和数据线图形，并完全刻蚀掉源电极和漏电极之间的掺杂半导体层，在源电极和漏电极之间形成TFT沟道图形；
在完成源电极、漏电极和数据线图形的基板上沉积一层钝化层，通过掩膜工艺对钝化层进行刻蚀，形成钝化层图形的同时在漏电极位置形成钝化层过孔；
在完成钝化层图形的基板上沉积一层金属薄膜，通过掩膜工艺对金属薄膜进行刻蚀，形成通过钝化层过孔与漏电极连接的像素电极，在像素电极上形成将自然光转变为线偏振光使像素电极同时作为内置的反射型偏振片的栅格图形。
所述步骤3也可以为：
在完成半导体层和掺杂半导体层图形的基板上沉积一层金属薄膜，通过掩膜工艺对金属薄膜进行刻蚀，形成源电极、漏电极、数据线和像素电极图形，且与漏电极为连接成一体结构的像素电极上形成有将自然光转变为线偏振光使像素电极同时作为内置的反射型偏振片的栅格图形；
在完成半导体层和掺杂半导体层图形的基板上沉积一层金属薄膜，通过掩膜工艺对金属薄膜进行刻蚀，形成源电极、漏电极、数据线和像素电极图形，且与漏电极为连接成一体结构的像素电极上形成有将自然光转变为线偏振光使像素电极同时作为内置的反射型偏振片的栅格图形；
本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，使具有栅格图形的像素电极在实现像素电极功能的同时，还可以利用反射原理实现对自然光的起偏实现偏振功能，形成本发明具有内置偏振片的TFT-LCD阵列基板结构。由于本发明像素电极作为内置偏振片，因此无需在对盒后的阵列基板上贴附吸收型偏振片，既降低了TFT-LCD的生产成本，又有利于减少TFT-LCD的厚度。与现有技术采用吸收型偏振片在起偏过程中有超过50％的光损耗相比，本发明内置偏振片属于反射型偏振片，使用中通过将多余的光反射掉实现起偏，被偏振片反射掉的光虽也是线偏振光，但经过散射等过程后可以实现消偏并可以被再利用，因此本发明有效解决了现有技术的光损耗问题，大幅度提高了能源利用效率。此外，由于本发明采用金属材料的像素电极取代了传统液晶显示器中的ITO透明电极，省去了传统的ITO溅射工艺，因此简化了器件的制作工艺，同时偏振片和像素电极的一体化结构省去了传统的过孔制作工艺，简化了阵列结构和制作工艺，实现了偏振片与阵列结构的集成，进一步降低了TFT-LCD的生产成本。
内容
本发明附图说明
图1为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例的平面图；
图2为图1中A-A向剖视图；
图3为本发明第一实施例形成栅电极和栅线图形后的示意图；
图4为本发明第一实施例形成有源层图形后的示意图；
图5为本发明第一实施例形成源漏电极和数据线图形后的示意图；
图6为本发明第一实施例形成钝化层过孔后的示意图；
图7a～图7d为本发明第一实施例形成栅格图形的示意图；
图8为本发明TFT-LCD阵列基板第二实施例的平面图；
图9为图8中B-B向剖视图；
图10为本发明第二实施例形成栅电极和栅线图形后的示意图；
图11为本发明第二实施例形成有源层图形后的示意图；
图12a～图12d为本发明第二实施例形成源电极、漏电极、数据线和栅格图形的示意图；
图13为本发明TFT-LCD阵列基板制造方法的流程图；
图14为本发明TFT-LCD阵列基板制造方法第一实施例的流程图；
图15为本发明第一实施例中形成栅格图形的流程图；
图16为本发明TFT-LCD阵列基板制造方法第二实施例的流程图；
图17为本发明第二实施例中形成栅格图形的流程图。
附图标记说明：
1-栅电极；     2-栅线；          3-栅绝缘层；
4-半导体层；   5-掺杂半导体层；  6-源电极；
7-漏电极；     8-数据线；        9-钝化层；
10-基板；      11-像素电极；     11a-金属薄膜；
11b-光刻胶；   11c-栅格图形。
具体实施方式
图1为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例的平面图，图2为图1中A-A向剖视图。如图1和图2所示，本实施例的TFT-LCD阵列基板包括垂直绝缘交叉设置的栅线2和数据线8，栅线2和数据线8限定了像素区域，像素区域内形成有像素电极11，栅线2和数据线8的交叉处形成有薄膜晶体管(以 下简称TFT)。具体地，TFT包括形成在基板10上的栅电极1，形成在栅电极1和栅线2上且覆盖整个基板10的栅绝缘层3，形成在栅绝缘层3上且位于栅电极1上方的半导体层4和掺杂半导体层5，形成在掺杂半导体层5上且形成TFT沟道的源电极6和漏电极7，形成在源电极6和漏电极7上的钝化层9，位于漏电极7位置的钝化层9还形成有钝化层过孔91，其中栅线2与栅电极1连接，数据线8与源电极6连接，像素电极11通过钝化层过孔91与漏电极7连接。进一步地，本实施例的像素电极11上形成有栅格图形12，该栅格图形12能够将自然光转变为线偏振光，使具有栅格图形的像素电极11在实现像素电极功能的同时，还可以利用反射原理实现对自然光的起偏实现偏振功能，形成本实施例具有内置偏振片的TFT-LCD阵列基板结构。
图3～图7d为本实施例TFT-LCD阵列基板的制造示意图，均为图1中A-A向剖视图。下面通过TFT-LCD阵列基板的制造工艺过程进一步说明本实施例的技术方案，在以下说明中，本发明所称的掩膜工艺包括光刻胶涂覆、掩模、曝光、刻蚀等工艺。
图3为本发明第一实施例形成栅电极和栅线图形后的示意图。采用溅射或电子束蒸发的方法，在基板10(如玻璃基板或石英基板)上沉积一层栅金属薄膜。通过掩膜工艺对栅金属薄膜进行刻蚀，在基板10上形成栅电极1和栅线图形，如图3所示。
图4为本发明第一实施例形成有源层图形后的示意图。在完成栅电极和栅线图形的基板上通过等离子体增强化学气相沉积(简称PECVD)方法连续沉积栅绝缘层3、半导体层4和掺杂半导体层(欧姆接触层)5，其中半导体层4和掺杂半导体层5组成有源层，半导体层4可以采用非晶硅层，掺杂半导体层5可以采用掺杂非晶硅层。上述各层沉积完成后，通过掩膜工艺对半导体层和掺杂半导体层进行刻蚀，在栅电极1上方形成半导体层4和掺杂半导体层5图形，如图4所示。
图5为本发明第一实施例形成源漏电极和数据线图形后的示意图。在形 成半导体层和掺杂半导体层图形后，通过溅射或电子束蒸发的方法，沉积一层源漏金属薄膜。通过掩膜工艺对源漏金属薄膜进行刻蚀，形成源电极6、漏电极7和数据线图形，并完全刻蚀掉源电极6和漏电极7之间的掺杂半导体层5，在源电极6和漏电极7之间形成TFT沟道图形，如图5所示。
图6为本发明第一实施例形成钝化层过孔后的示意图。在形成源电极、漏电极、数据线和TFT沟道图形后，通过PECVD方法沉积一层钝化层9。通过掩膜工艺对钝化层9进行刻蚀，形成钝化层图形的同时在漏电极7位置形成钝化层过孔91，如图6所示。
图7a～图7d为本发明第一实施例形成栅格图形的示意图。通过溅射或电子束蒸发的方法，沉积一层电导率高、易于刻蚀的厚度为150nm～250nm的金属薄膜11a，如图7a所示。金属薄膜11a优选是铝，厚度优选为200nm。在金属薄膜11a上涂覆一层光刻胶11b，如图7b所示。之后利用光学曝光的方法定义出像素电极图形，在像素电极图形对应的光刻胶11b上利用纳米压印方法定义出栅格图形11c，如图7c所示。利用湿法刻蚀或干法刻蚀手段同时制作出像素电极图形和栅格图形，且像素电极11通过钝化层过孔与漏电极7连接，如图7d所示。最后通过O2等离子体灰化(Ashing)等工艺去除像素电极表面上的光刻胶，形成本实施例具有内置偏振片的TFT-LCD阵列基板结构，如图1和图2所示。
图8为本发明TFT-LCD阵列基板第二实施例的平面图，图9为图8中B-B向剖视图。如图8和图9所示，本实施例的TFT-LCD阵列基板包括垂直绝缘交叉设置的栅线2和数据线8，栅线2和数据线8限定了像素区域，像素区域内形成有像素电极11，栅线2和数据线8的交叉处形成有TFT。具体地，TFT包括形成在基板10上的栅电极1，形成在栅电极1和栅线2上且覆盖整个基板10的栅绝缘层3，形成在栅绝缘层3上且位于栅电极1上方的半导体层4和掺杂半导体层5，形成在掺杂半导体层5上且形成TFT沟道的源电极6和漏电极7，源电极6和漏电极7与像素电极11为同一层，以及最后形成在 源电极6和漏电极7上的钝化层9，其中栅线2与栅电极1连接，数据线8与源电极6连接，像素电极11与漏电极7为连接的一体结构。进一步地，本实施例的像素电极11上形成有栅格图形12，该栅格图形12能够将自然光转变为线偏振光，使具有栅格图形的像素电极11在实现像素电极功能的同时，还可以利用反射原理实现对自然光的起偏实现偏振功能，形成本实施例具有内置偏振片的TFT-LCD阵列基板结构。
图10～图13d为本实施例TFT-LCD阵列基板的制造示意图，均为图8中B-B向剖视图。下面通过TFT-LCD阵列基板的制造工艺过程进一步说明本实施例的技术方案。
图10为本发明第二实施例形成栅电极和栅线图形后的示意图。采用溅射或电子束蒸发的方法，在基板10(如玻璃基板或石英基板)上沉积一层栅金属薄膜。通过掩膜工艺对栅金属薄膜进行刻蚀，在基板10上形成栅电极1和栅线图形，如图10所示。
图11为本发明第二实施例形成有源层图形后的示意图。在完成栅电极和栅线图形的基板上通过PECVD方法连续沉积栅绝缘层3、半导体层4和掺杂半导体层5，其中半导体层4和掺杂半导体层5组成有源层，半导体层4可以采用非晶硅层，掺杂半导体层5可以采用掺杂非晶硅层。上述各层沉积完成后，通过掩膜工艺对半导体层和掺杂半导体层进行刻蚀，在栅电极1上方形成半导体层4和掺杂半导体层5图形，如图11所示。
图12a～图12d为本发明第二实施例形成源电极、漏电极、数据线和栅格图形的示意图。在形成半导体层和掺杂半导体层图形后，通过溅射或电子束蒸发的方法，沉积一层电导率高、易于刻蚀的厚度为150nm～250nm的金属薄膜11a，如图12a所示，金属薄膜11a优选是铝，厚度优选为200nm。在金属薄膜11a上涂覆一层光刻胶11b，如图12b所示。之后利用光学曝光的方法定义出源电极、漏电极、数据线和像素电极图形，在像素电极图形对应的光刻胶11b上利用纳米压印方法定义出栅格图形11c，如图12c所示。利用 湿法刻蚀或干法刻蚀手段同时制作出源电极6、漏电极7、数据线、像素电极11和像素电极上的栅格图形，并完全刻蚀掉源电极6和漏电极7之间的掺杂半导体层5，在源电极6和漏电极7之间形成TFT沟道图形，且漏电极7与像素电极11为连接的一体结构，像素电极上形成有将自然光转变为线偏振光使像素电极同时作为内置偏振片的栅格图形。之后通过O2等离子体灰化(Ashing)等工艺去除源电极6、漏电极7、数据线和像素电极11上的光刻胶，如图12d所示。
最后，通过PECVD方法沉积一层钝化层9，通过掩膜工艺对钝化层9进行刻蚀，刻蚀掉像素电极图形上的钝化层，形成钝化层图形。像素电极形成的栅格图形能够将自然光转变为线偏振光，使具有栅格图形的像素电极在实现像素电极功能的同时，还可以利用反射原理实现对自然光的起偏实现偏振功能，形成本实施例具有内置偏振片的TFT-LCD阵列基板结构，如图8和图9所示。
本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板，使具有栅格图形的像素电极在实现像素电极功能的同时，还可以利用反射原理实现对自然光的起偏实现偏振功能，形成本发明具有内置偏振片的TFT-LCD阵列基板结构。由于本发明像素电极作为内置偏振片，因此无需在对盒后的阵列基板上贴附吸收型偏振片，既降低了TFT-LCD的生产成本，又有利于减少TFT-LCD的厚度。与现有技术采用吸收型偏振片在起偏过程中有超过50％的光损耗相比，本发明内置偏振片属于反射型偏振片，使用中通过将多余的光反射掉实现起偏，被偏振片反射掉的光虽也是线偏振光，但经过散射等过程后可以实现消偏并可以被再利用，因此本发明有效解决了现有技术的光损耗问题，大幅度提高了能源利用效率。此外，由于本发明采用金属材料的像素电极取代了传统液晶显示器中的ITO透明电极，省去了传统的ITO溅射工艺，因此简化了器件的制作工艺，同时偏振片和像素电极的一体化结构省去了传统的过孔制作工艺，简化了阵列结构和制作工艺，实现了偏振片与阵列结构的集成，进一步降低了TFT-LCD 的生产成本。
在本发明上述二个实施例的技术方案中，像素电极为电导率高、易于刻蚀的金属材料薄膜，厚度为150nm～250nm，其中易于刻蚀包括易于湿法刻蚀或易于干法刻蚀，优选地，像素电极采用铝(Al)薄膜，厚度为200nm。像素电极上的栅格图形为周期性栅格结构，优选地，栅格图形为采用全息曝光方法或纳米压印方法在像素电极表面刻蚀出的由数个条形栅格组成的阵列，在作为像素电极的同时还作为内置偏振片。在实际使用中，条形栅格的宽度可为20nm～80nm，相邻条形栅格中心线之间的距离可为40nm～160nm，优选地，条形栅格的宽度为50nm，相邻条形栅格中心线之间的距离为100nm。另外，数个条形栅格的长度方向可以与阵列基板上取向膜的取向方向平行或垂直，或与取向膜的取向方向成任意角度。
在本发明上述二个实施例的技术方案中，仅说明了采用纳米压印(Nano-Imprint)方法定义出栅格图形的技术方案，实际使用中，像素电极形成栅格图形还可以采用全息曝光方法，具体地，首先在金属薄膜上涂覆一层光刻胶(全息曝光胶)，利用激光干涉原理进行全息曝光，定义出所需的图形，之后对曝光后的图形进行显影和烘干定形，利用反应离子刻蚀(Reactive Ion Etching，RIE)或感应耦合等离子高密度刻蚀(InductiveCoupled Plasma，ICP)对金属薄膜进行刻蚀，制作出像素电极图形和栅格图形，最后利用O2等离子体灰化等工艺去除光刻胶。
图13为本发明TFT-LCD阵列基板制造方法的流程图，具体为：
步骤1、在基板上沉积一层栅金属薄膜，通过掩膜工艺对栅金属薄膜进行刻蚀，在基板上形成栅电极和栅线图形；
步骤2、在完成栅电极和栅线图形的基板上连续沉积一层栅绝缘层、半导体层和掺杂半导体层，通过掩膜工艺对半导体层和掺杂半导体层进行刻蚀，在栅电极上方形成半导体层和掺杂半导体层图形；
步骤3、在完成半导体层和掺杂半导体层图形的基板上形成源电极、漏 电极、数据线和像素电极图形，且所述像素电极上形成有将自然光转变为线偏振光使像素电极同时作为内置偏振片的栅格图形。
本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板制造方法，能够形成具有栅格图形的像素电极，在实现像素电极功能的同时还可以利用反射原理实现对自然光的起偏实现偏振功能，形成具有内置偏振片的TFT-LCD阵列基板结构。由于本发明像素电极作为内置偏振片，因此无需在对盒后的阵列基板上贴附吸收型偏振片，既降低了TFT-LCD的生产成本，又有利于减少TFT-LCD的厚度。与现有技术采用吸收型偏振片在起偏过程中有超过50％的光损耗相比，本发明内置偏振片属于反射型偏振片，使用中通过将多余的光反射掉实现起偏，被偏振片反射掉的光虽也是线偏振光，但经过散射等过程后可以实现消偏并可以被再利用，因此本发明有效解决了现有技术的光损耗问题，大幅度提高了能源利用效率。
图14为本发明TFT-LCD阵列基板制造方法第一实施例的流程图，具体为：
步骤11、在基板上沉积一层栅金属薄膜，通过掩膜工艺对栅金属薄膜进行刻蚀，在基板上形成栅电极和栅线图形；
步骤12、在完成栅电极和栅线图形的基板上连续沉积一层栅绝缘层、半导体层和掺杂半导体层，通过掩膜工艺对半导体层和掺杂半导体层进行刻蚀，在栅电极上方形成半导体层和掺杂半导体层图形；
步骤13、在完成半导体层和掺杂半导体层图形的基板上沉积一层源漏金属薄膜，通过掩膜工艺对源漏金属薄膜进行刻蚀，形成源电极、漏电极和数据线图形，并完全刻蚀掉源电极和漏电极之间的掺杂半导体层，在源电极和漏电极之间形成TFT沟道图形；
步骤14、在完成源电极、漏电极和数据线图形的基板上沉积一层钝化层，通过掩膜工艺对钝化层进行刻蚀，形成钝化层图形的同时在漏电极位置形成钝化层过孔；
步骤15、在完成钝化层图形的基板上沉积一层金属薄膜，通过掩膜工艺 对金属薄膜进行刻蚀，在形成通过钝化层过孔与漏电极连接的像素电极的同时，在像素电极上形成将自然光转变为线偏振光使像素电极同时作为内置偏振片的栅格图形。
具体地，采用溅射或电子束蒸发的方法，在基板(如玻璃基板或石英基板)上沉积一层栅金属薄膜，通过掩膜工艺对栅金属薄膜进行刻蚀，在基板上形成栅电极和栅线图形。在完成栅电极和栅线图形的基板上通过等离子体增强化学气相沉积(简称PECVD)方法连续沉积栅绝缘层、半导体层和掺杂半导体层(欧姆接触层)，其中半导体层和掺杂半导体层组成有源层，半导体层可以采用非晶硅层，掺杂半导体层可以采用掺杂非晶硅层，上述各层沉积完成后，通过掩膜工艺对半导体层和掺杂半导体层进行刻蚀，在栅电极上方形成半导体层和掺杂半导体层图形。在形成半导体层和掺杂半导体层图形后，通过溅射或电子束蒸发的方法，沉积一层源漏金属薄膜，通过掩膜工艺对源漏金属薄膜进行刻蚀，形成源电极、漏电极和数据线图形，并完全刻蚀掉源电极和漏电极之间的掺杂半导体层，在源电极和漏电极之间形成TFT沟道图形。在形成源电极、漏电极、数据线和TFT沟道图形后，通过PECVD方法沉积一层钝化层，通过掩膜工艺对钝化层进行刻蚀，形成钝化层图形的同时在漏电极位置形成钝化层过孔。在完成钝化层图形的基板上沉积一层金属薄膜，通过掩膜工艺对金属薄膜进行刻蚀，在形成通过钝化层过孔与漏电极连接的像素电极的同时，在像素电极上形成将自然光转变为线偏振光使像素电极同时作为内置偏振片的栅格图形。
图15为本发明第一实施例中形成栅格图形的流程图，本实施例步骤15具体为：
步骤151、在完成钝化层图形的基板上沉积一层电导率高、易于刻蚀的厚度为150nm～250nm的金属薄膜；
步骤152、在金属薄膜上涂覆一层光刻胶；
步骤153、利用光学曝光的方法定义出像素电极图形，在像素电极图形 对应的光刻胶上利用纳米压印方法定义出栅格图形；
步骤154、利用湿法刻蚀或干法刻蚀手段同时制作出像素电极图形和栅格图形，且像素电极通过钝化层过孔与漏电极连接，在像素电极上形成将自然光转变为线偏振光使像素电极同时作为内置偏振片的栅格图形；
步骤155、通过灰化工艺去除剩余的光刻胶。
具体地，通过溅射或电子束蒸发的方法，在完成钝化层图形的基板上沉积一层电导率高、易于刻蚀的厚度为150nm～250nm的金属薄膜，金属薄膜优选是铝，厚度优选为200nm。在金属薄膜上涂覆一层光刻胶，之后利用光学曝光的方法定义出像素电极图形，在像素电极图形对应的光刻胶上利用纳米压印方法定义出栅格图形，之后利用湿法刻蚀或干法刻蚀手段同时制作出像素电极图形和栅格图形，且像素电极通过钝化层过孔与漏电极连接，最后通过O2等离子体灰化等工艺去除像素电极表面上的光刻胶，形成本实施例具有内置偏振片的TFT-LCD阵列基板结构。在实际使用中，栅格图形为在像素电极表面刻蚀的由数个条形栅格组成的阵列，条形栅格的宽度可为20nm～80nm，相邻条形栅格中心线之间的距离可为40nm～160nm，优选地，条形栅格的宽度为50nm，相邻条形栅格中心线之间的距离为100nm。另外，数个条形栅格的长度方向可以与阵列基板上取向膜的取向方向平行或垂直，或与取向膜的取向方向成任意角度。
图16为本发明TFT-LCD阵列基板制造方法第二实施例的流程图，具体为：
步骤21、在基板上沉积一层栅金属薄膜，通过掩膜工艺对栅金属薄膜进行刻蚀，在基板上形成栅电极和栅线图形；
步骤22、在完成栅电极和栅线图形的基板上连续沉积一层栅绝缘层、半导体层和掺杂半导体层，通过掩膜工艺对半导体层和掺杂半导体层进行刻蚀，在栅电极上方形成半导体层和掺杂半导体层图形；
步骤23、在完成半导体层和掺杂半导体层图形的基板上沉积一层金属薄膜，通过掩膜工艺对金属薄膜进行刻蚀，形成源电极、漏电极、数据线和像 素电极图形，且与漏电极为连接成一体结构的像素电极上形成有将自然光转变为线偏振光使像素电极同时作为内置偏振片的栅格图形；
步骤24、在完成源电极、漏电极、数据线和像素电极图形的基板上沉积一层钝化层，通过掩膜工艺对钝化层进行刻蚀，刻蚀掉像素电极图形上的钝化层。
具体地，采用溅射或电子束蒸发的方法，在基板(如玻璃基板或石英基板)上沉积一层栅金属薄膜，通过掩膜工艺对栅金属薄膜进行刻蚀，在基板上形成栅电极和栅线图形。在完成栅电极和栅线图形的基板上通过等离子体增强化学气相沉积(简称PECVD)方法连续沉积栅绝缘层、半导体层和掺杂半导体层(欧姆接触层)，其中半导体层和掺杂半导体层组成有源层，半导体层可以采用非晶硅层，掺杂半导体层可以采用掺杂非晶硅层，上述各层沉积完成后，通过掩膜工艺对半导体层和掺杂半导体层进行刻蚀，在栅电极上方形成半导体层和掺杂半导体层图形。在形成半导体层和掺杂半导体层图形后，通过溅射或电子束蒸发的方法，沉积一层电导率高、易于刻蚀的厚度为150nm～250nm的金属薄膜，通过掩膜工艺对金属薄膜进行刻蚀，形成源电极、漏电极、数据线和像素电极图形，且像素电极与漏电极为连接的一体结构，像素电极上形成有将自然光转变为线偏振光使像素电极同时作为内置偏振片的栅格图形。最后，通过PECVD方法沉积一层钝化层，通过掩膜工艺对钝化层进行刻蚀，刻蚀掉像素电极图形上的钝化层，形成钝化层图形。
图17为本发明第二实施例中形成栅格图形的流程图，本实施例步骤24具体为：
步骤241、在完成半导体层和掺杂半导体层图形的基板上沉积一层电导率高、易于刻蚀的厚度为150nm～250nm的金属薄膜；
步骤242、在金属薄膜上涂覆一层光刻胶；
步骤243、利用光学曝光的方法定义出源电极、漏电极、数据线和像素电极图形，在像素电极图形对应的光刻胶上利用纳米压印方法定义出栅格图 形；
步骤244、利用湿法刻蚀或干法刻蚀手段同时制作出源电极、漏电极、数据线、像素电极和栅格图形，并完全刻蚀掉源电极和漏电极之间的掺杂半导体层，在源电极和漏电极之间形成TFT沟道图形，且与漏电极为连接的一体结构的像素电极上形成有将自然光转变为线偏振光使像素电极同时作为内置偏振片的栅格图形；
步骤245、通过灰化工艺去除剩余的光刻胶。
具体地，在形成半导体层和掺杂半导体层图形后，通过溅射或电子束蒸发的方法，沉积一层电导率高、易于刻蚀的厚度为150nm～250nm的金属薄膜，金属薄膜优选是铝，厚度优选为200nm。在金属薄膜上涂覆一层光刻胶。之后利用光学曝光的方法定义出源电极、漏电极、数据线和像素电极图形，在像素电极图形对应的光刻胶上利用纳米压印方法定义出栅格图形。利用湿法刻蚀或干法刻蚀手段同时制作出源电极、漏电极、数据线、像素电极和像素电极上的栅格图形，并完全刻蚀掉源电极和漏电极之间的掺杂半导体层，在源电极和漏电极之间形成TFT沟道图形，且漏电极与像素电极为连接的一体结构，像素电极上形成有将自然光转变为线偏振光使像素电极同时作为内置偏振片的栅格图形。之后通过O2等离子体灰化等工艺去除源电极、漏电极、数据线和像素电极上的光刻胶。在实际使用中，栅格图形为在像素电极表面刻蚀的由数个条形栅格组成的阵列，条形栅格的宽度可为20nm～80nm，相邻条形栅格中心线之间的距离可为40nm～160nm，优选地，条形栅格的宽度为50nm，相邻条形栅格中心线之间的距离为100nm。另外，数个条形栅格的长度方向可以与阵列基板上取向膜的取向方向平行或垂直，或与取向膜的取向方向成任意角度。
由于本发明上述实施例中的像素电极采用金属材料，省去了传统的ITO溅射工艺，因此简化了器件的制作工艺。另外，偏振片和像素电极的一体化结构省去了传统的过孔制作工艺，简化了阵列结构和制作工艺，实现了偏振 片与阵列结构的集成，进一步降低了TFT-LCD的生产成本。
在本发明上述二个实施例的技术方案中，仅说明了采用纳米压印(Nano-Imprint)方法定义出栅格图形的技术方案，实际使用中，像素电极形成栅格图形还可以采用全息曝光方法，具体地，首先在金属薄膜上涂覆一层光刻胶(全息曝光胶)，利用激光干涉原理进行全息曝光，定义出所需的图形，之后对曝光后的图形进行显影和烘干定形，利用反应离子刻蚀(Reactive Ion Etching，RIE)或感应耦合等离子高密度刻蚀(InductiveCoupled Plasma，ICP)对金属薄膜进行刻蚀，制作出像素电极图形和栅格图形，最后利用O2等离子体灰化等工艺去除光刻胶。
需要说明的是，本发明上述技术方案中采用的金属栅格偏振片(WireGrid Polarizer，WGP)技术具有结构简单、集成性好、偏振率效率高、可靠性高和不会产生入射光强饱和等特点，而且随着纳米压印技术的发展和逐步成熟，WGP器件的大规模量产也变得可能。有关研究表明，在200nm厚的铝(Al)薄膜材料上制作出间距100nm、条形栅格宽度50nm的金属栅格偏振片，其消光比达到了2000，透过率高达85％以上。而理论计算结果表明，在该参数时的消光比甚至可高达40000，并且在合适的尺寸下，其工作波长可以覆盖整个可见光区域，甚至远达近红外波段。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种TFT-LCD阵列基板，包括在基板上形成的栅线和数据线，栅线和数据线限定的像素区域内设置有像素电极，栅线和数据线的交叉处形成薄膜晶体管，其特征在于，所述像素电极上形成有将自然光转变为线偏振光使像素电极同时作为内置的反射型偏振片的栅格图形；
所述薄膜晶体管包括：
栅电极，形成在基板上，与所述栅线连接；
栅绝缘层，形成在栅电极和栅线上且覆盖整个基板；
半导体层和掺杂半导体层，依次形成在栅绝缘层上且位于栅电极上方；
源电极和漏电极，形成在掺杂半导体层上，且形成TFT沟道，源电极与所述数据线连接，漏电极与同层的所述像素电极为连接的一体结构；
钝化层，形成在源电极和漏电极上。
2.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述像素电极为电导率高、易于刻蚀的金属像素电极。
3.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述金属像素电极为铝像素电极。
4.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述像素电极的厚度为150nm～250nm。
5.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述栅格图形为采用全息曝光方法或纳米压印方法在像素电极表面刻蚀的由数个条形栅格组成的阵列；所述数个条形栅格的长度方向与阵列基板上取向膜的取向方向平行或者垂直，或者与取向膜的取向方向成任意角度。
6.根据权利要求5所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述条形栅格的宽度为20nm～80nm，相邻条形栅格中心线之间的距离为40nm～160nm。
7.根据权利要求6所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述像素电极的厚度为200nm，所述条形栅格的宽度为50nm，相邻条形栅格中心线之间 的距离为100nm。
8.一种TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，包括：
步骤1、在基板上沉积一层栅金属薄膜，通过掩膜工艺对栅金属薄膜进行刻蚀，在基板上形成栅电极和栅线图形；
步骤2、在完成栅电极和栅线图形的基板上连续沉积一层栅绝缘层、半导体层和掺杂半导体层，通过掩膜工艺对半导体层和掺杂半导体层进行刻蚀，在栅电极上方形成半导体层和掺杂半导体层图形；
步骤3、在完成半导体层和掺杂半导体层图形的基板上形成源电极、漏电极、数据线和像素电极图形，且所述像素电极上形成有将自然光转变为线偏振光使像素电极同时作为内置的反射型偏振片的栅格图形；
所述步骤3具体为：
在完成半导体层和掺杂半导体层图形的基板上沉积一层金属薄膜，通过掩膜工艺对金属薄膜进行刻蚀，形成源电极、漏电极、数据线和像素电极图形，且与漏电极为连接成一体结构的像素电极上形成有将自然光转变为线偏振光使像素电极同时作为内置的反射型偏振片的栅格图形；
在完成源电极、漏电极、数据线和像素电极图形的基板上沉积一层钝化层，通过掩膜工艺对钝化层进行刻蚀，刻蚀掉像素电极图形上的钝化层。
9.根据权利要求8所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，在完成半导体层和掺杂半导体层图形的基板上沉积一层金属薄膜，通过掩膜工艺对金属薄膜进行刻蚀，形成源电极、漏电极、数据线和像素电极图形，且与漏电极为连接成一体结构的像素电极上形成有将自然光转变为线偏振光使像素电极同时作为内置的反射型偏振片的栅格图形具体为：
在完成半导体层和掺杂半导体层图形的基板上沉积一层电导率高、易于刻蚀的厚度为150nm～250nm的金属薄膜；
在金属薄膜上涂覆一层光刻胶；
利用光学曝光的方法定义出源电极、漏电极、数据线和像素电极图形，在像素电极图形对应的光刻胶上利用纳米压印方法定义出栅格图形； 
利用湿法刻蚀或干法刻蚀手段同时制作出源电极、漏电极、数据线、像素电极和栅格图形，并完全刻蚀掉源电极和漏电极之间的掺杂半导体层，在源电极和漏电极之间形成TFT沟道图形，且与漏电极为连接的一体结构的像素电极上形成有将自然光转变为线偏振光使像素电极同时作为内置的反射型偏振片的栅格图形；
通过灰化工艺去除剩余的光刻胶。
10.根据权利要求8所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，在完成半导体层和掺杂半导体层图形的基板上沉积一层金属薄膜，通过掩膜工艺对金属薄膜进行刻蚀，形成源电极、漏电极、数据线和像素电极图形，且与漏电极为连接成一体结构的像素电极上形成有将自然光转变为线偏振光使像素电极同时作为内置的反射型偏振片的栅格图形具体为：
在完成半导体层和掺杂半导体层图形的基板上沉积一层电导率高、易于刻蚀的厚度为150nm～250nm的金属薄膜；
在金属薄膜上涂覆一层光刻胶；
利用激光干涉原理进行全息曝光，定义出源电极、漏电极、数据线、像素电极图形和栅格图形，之后对曝光后的图形进行显影和烘干定形；
利用反应离子刻蚀或感应耦合等离子高密度刻蚀对金属薄膜进行刻蚀，同时制作出源电极、漏电极、数据线、像素电极和栅格图形，并完全刻蚀掉源电极和漏电极之间的掺杂半导体层，在源电极和漏电极之间形成TFT沟道图形，且与漏电极为连接的一体结构的像素电极上形成有将自然光转变为线偏振光使像素电极同时作为内置的反射型偏振片的栅格图形；
通过灰化工艺去除剩余的光刻胶。 
CN2008101118749A 2008-05-16 2008-05-16 Tft-lcd阵列基板及其制造方法 Active CN101290446B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2008101118749A CN101290446B (zh) 2008-05-16 2008-05-16 Tft-lcd阵列基板及其制造方法
US12/466,745 US8120727B2 (en) 2008-05-16 2009-05-15 Array substrate of TFT-LCD and a method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2008101118749A CN101290446B (zh) 2008-05-16 2008-05-16 Tft-lcd阵列基板及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101290446A CN101290446A (zh) 2008-10-22
CN101290446B true CN101290446B (zh) 2011-10-05

Family

ID=40034767

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008101118749A Active CN101290446B (zh) 2008-05-16 2008-05-16 Tft-lcd阵列基板及其制造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8120727B2 (zh)
CN (1) CN101290446B (zh)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101826532B (zh) * 2009-03-06 2012-05-30 北京京东方光电科技有限公司 Tft-lcd阵列基板及其制造方法
CN101989012A (zh) * 2009-08-03 2011-03-23 江苏丽恒电子有限公司 硅基液晶成像器
KR100974777B1 (ko) * 2009-12-11 2010-08-06 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
CN103064210A (zh) * 2011-10-21 2013-04-24 比亚迪股份有限公司 一种液晶显示器及制作方法
KR20140030382A (ko) 2012-08-27 2014-03-12 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN103268046B (zh) * 2012-12-24 2016-01-06 上海中航光电子有限公司 薄膜晶体管液晶显示器、阵列基板及其制作方法
CN103474396B (zh) * 2013-09-24 2015-09-02 深圳市华星光电技术有限公司 Tft-lcd阵列基板的制造方法
CN104330915B (zh) 2014-11-07 2017-06-06 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置
CN104409455B (zh) * 2014-11-17 2017-06-23 京东方科技集团股份有限公司 一种基板及其制造方法、显示装置
KR102305200B1 (ko) 2014-12-05 2021-09-27 삼성디스플레이 주식회사 와이어 그리드 편광자, 이를 포함하는 표시 장치 및 이의 제조방법
CN104503165B (zh) * 2014-12-30 2017-05-24 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置
CN104538412A (zh) * 2015-01-26 2015-04-22 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN104617114B (zh) * 2015-02-15 2018-02-13 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法和显示装置
KR102304991B1 (ko) 2015-04-21 2021-09-28 삼성디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그의 제조방법, 박막트랜지스터 어레이 기판을 구비한 표시장치
KR102329294B1 (ko) * 2015-04-30 2021-11-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
CN104991377B (zh) 2015-08-03 2018-01-30 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、液晶显示面板及显示装置
CN205787504U (zh) * 2016-05-31 2016-12-07 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示装置
KR20170143054A (ko) * 2016-06-17 2017-12-29 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN106154655A (zh) * 2016-08-26 2016-11-23 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制造方法、显示装置及驱动方法
TWI636566B (zh) * 2017-09-11 2018-09-21 友達光電股份有限公司 顯示面板
US10989840B2 (en) * 2017-11-01 2021-04-27 Applied Materials, Inc. Non-absorptive trans-reflective nanostructured RGB filters
CN108206139B (zh) * 2018-01-02 2021-09-10 京东方科技集团股份有限公司 氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板
CN108511600A (zh) * 2018-02-28 2018-09-07 云南中烟工业有限责任公司 一种声致雾化芯片的制备方法
CN108319069A (zh) * 2018-03-30 2018-07-24 惠州市华星光电技术有限公司 镜面显示装置
CN109659313B (zh) * 2018-11-12 2021-04-02 惠科股份有限公司 一种阵列基板、阵列基板的制作方法和显示面板
TWI721776B (zh) * 2020-02-06 2021-03-11 友達光電股份有限公司 主動元件基板及其製造方法
CN114879422A (zh) * 2022-05-25 2022-08-09 广州华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板以及显示装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7480017B2 (en) * 2004-09-17 2009-01-20 Radiant Images, Inc. Microdisplay
KR20070037864A (ko) * 2005-10-04 2007-04-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시패널과 그의 제조방법
KR101270200B1 (ko) * 2006-10-30 2013-05-31 삼성디스플레이 주식회사 와이어 그리드 편광 패턴의 제조 방법 및 이에 의해 제조된액정 표시 장치
JP4640446B2 (ja) * 2008-05-26 2011-03-02 ソニー株式会社 液晶装置、カラーフィルタ基板及びアレイ基板

Also Published As

Publication number Publication date
US8120727B2 (en) 2012-02-21
US20090283768A1 (en) 2009-11-19
CN101290446A (zh) 2008-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101290446B (zh) Tft-lcd阵列基板及其制造方法
CN105572780B (zh) 线栅偏振器件及其制作方法、显示装置
US7948570B2 (en) Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof
US8735976B2 (en) TFT-LCD array substrate
US20120287506A1 (en) Color filter substrate capable of polarizing and manufacturing method thereof
CN101432655B (zh) 液晶显示器和液晶显示器的制造方法
US20120182490A1 (en) Array substrate and method for manufacturing the same
WO2021012566A1 (zh) 显示面板
CN107393932B (zh) 金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
CN109445214A (zh) 阵列基板及制作方法和液晶显示面板
CN103560114B (zh) 一种tft阵列基板及其制造方法、显示装置
CN109411485A (zh) 阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置
CN103700663B (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
WO2014015617A1 (zh) 阵列基板及显示装置
CN101452163B (zh) Tft-lcd阵列基板结构及其制造方法
CN109427819B (zh) 阵列基板及其制作方法、显示装置
WO2013155843A1 (zh) 阵列基板及其制造方法和液晶显示面板
CN112838052A (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
CN103135301B (zh) 一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板
CN103700668A (zh) 一种阵列基板及其制备方法和显示装置
CN102931139A (zh) 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN202888179U (zh) 阵列基板及显示装置
KR101037089B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조 방법
CN101540298B (zh) Tft-lcd阵列基板及其制造方法
KR100827856B1 (ko) 반투과형 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치의어레이기판 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant