CN104409455B - 一种基板及其制造方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供明一种基板及其制造方法、显示装置，涉及显示器制造领域，该基板包括：衬底基板，多条平行设置的栅线,覆盖栅线的第一绝缘层，位于第一绝缘层上与栅线垂直交叉的多条数据线，覆盖数据线的第二绝缘层，以及数据线和栅线围设形成的子像素区域的像素电极；覆盖像素电极的偏光膜；以及，设置在第二绝缘层上与栅线平行的第一辅助栅线，每一条第一辅助栅线上至少两个位置与栅线上相对的至少两个位置通过贯穿第一绝缘层和第二绝缘层的过孔电连接，第一辅助栅线与偏光膜为通过对同一层透明导电材料的同一次构图工艺形成。本发明实施例可以减小显示装置中的信号延迟，用于显示器的制造。

Description

一种基板及其制造方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示器制造领域，尤其涉及一种基板及其制造方法、显示装置。
背景技术
液晶显示器(英文：Liquid Crystal Display，简称：LCD)具有重量轻、厚度薄、低功耗等优点，广泛应用于电视、手机、显示器等电子产品中。液晶显示器是由水平和垂直两个方向的像素矩阵构成的，液晶显示器进行显示时，驱动电路输出驱动信号，逐行对各像素单元进行扫描。液晶显示器的驱动电路主要包括栅极驱动电路和数据驱动电路，源驱动电路将输入的显示数据及时钟信号定时顺序锁存，转换成源极驱动信号输入到液晶面板的数据线；栅极驱动电路将输入的时钟信号经过移位寄存器转换成栅极驱动信号，逐行施加到液晶面板的栅线中，像素矩阵中的各像素单元则在栅极驱动电路和源极驱动电路的控制下显示灰阶。
目前显示设备正在向着尺寸更大和厚度更薄的方向发展，但是显示装置尺寸越大或者分辨率越高就要求数据线和栅线越长，进而导致显示装置的栅线和数据线的电阻越大，而栅极驱动电路需将栅极驱动信号通过栅线输入像素单元，源极驱动电路也需将转换后的源极驱动信号通过数据线输入像素单元，因此栅线或数据线中的电阻越来越大将导致栅极驱动信号或源极驱动信号的延迟越来越大，进而导致显示灰阶不正常。
发明内容
本发明的实施例提供一种基板及其制造方法、显示装置，用于减小栅线或数据线的电阻，进而减小显示装置中栅线电阻或数据线电阻带来的信号延迟，本发明的实施例采用如下技术方案：
第一方面，提供一种基板，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上多条平行设置的栅线，覆盖所述栅线的第一绝缘层，位于所述第一绝缘层上与所述栅线垂直交叉的多条数据线，覆盖所述数据线的第二绝缘层，以及位于所述数据线和所述栅线围设形成的子像素区域的像素电极；
所述基板还包括：
覆盖所述像素电极的偏光膜，所述偏光膜的投影与所述子像素区域的像素电极相对；
以及，设置在所述第二绝缘层上与所述栅线平行的第一辅助栅线，所述第一辅助栅线的投影与所述栅线相对，每一条所述第一辅助栅线上至少两个位置与所述栅线上相对的至少两个位置通过贯穿所述第一绝缘层和第二绝缘层的过孔电连接，其中，所述第一辅助栅线与所述偏光膜为通过对同一层透明导电材料的同一次构图工艺形成；
或者，
设置在所述第二绝缘层上与所述数据线平行的第一辅助数据线，所述第一辅助数据线的投影与所述数据线相对，每一条所述第一辅助数据线上至少两个位置与所述数据线上相对的至少两个位置通过贯穿第二绝缘层的过孔电连接，其中，所述第一辅助数据线与所述偏光膜为通过对同一层透明导电材料的同一次构图工艺形成。
可选的，所述基板包括：所述偏光膜和所述第一辅助栅线时；
在每相邻的两条数据线之间，每一条所述栅线和对应的第一辅助栅线之间设置有一个贯穿所述第一绝缘层和第二绝缘层的过孔。
可选的，所述基板包括：所述偏光膜和所述第一辅助数据线时；
在每相邻的两条栅线之间，每一条所述数据线和对应的第一辅助数据线之间设置有一个贯穿所述第二绝缘层的过孔。
可选的，所述基板包括：所述第一辅助栅线和所述偏光膜时，所述基板还包括：第二辅助数据线；
所述第二辅助数据线设置在所述第二绝缘层上，所述第二辅助数据线与所述数据线平行，所述第二辅助数据线的投影与所述数据线相对，所述第二辅助数据线被所述第一辅助栅线隔断成多个辅助数据线段，每个所述辅助数据线段上至少两个位置与所述数据线上相对的至少两个位置通过贯穿第二绝缘层的过孔电连接；其中，所述第一辅助栅线和所述偏光膜与所述第二辅助数据线为通过对同一层透明导电材料的同一次构图工艺形成。
可选的，所述基板包括：所述第一辅助数据线和所述偏光膜时，所述基板还包括：第二辅助栅线；
所述第二辅助栅线设置在所述第二绝缘层上，所述第二辅助栅线与所述栅线平行，所述第二辅助栅线的投影与所述栅线相对，所述第二辅助栅线被所述第一辅助数据线隔断成多个辅助栅线段，每个所述辅助栅线段上至少两个位置与所述栅线上相对的至少两个位置通过贯穿所述第一绝缘层和第二绝缘层的过孔电连接；其中，所述第一辅助数据线和所述偏光膜与所述第二辅助栅线为通过对同一层透明导电材料的同一次构图工艺形成。
可选的，所述透明导电材料为线栅起偏材料。
第二方面，提供一种显示装置，包括上述任一项所述的基板。
第三方面，提供一种基板制造方法，包括：
在衬底基板制作多条平行设置的栅线；
制作覆盖所述栅线的第一绝缘层；
制作位于所述第一绝缘层上与所述栅线垂直交叉的多条数据线；
制作覆盖所述数据线的第二绝缘层；
通过第一构图工艺在每一条所述栅线对应的位置形成至少两个贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的过孔；或者，通过第一构图工艺在每一条所述数据线对应的位置形成至少两个贯穿所述第二绝缘层的过孔；
在所述栅线与所述数据线围设形成的子像素区域形成像素电极；
形成覆盖所述像素电极和所述第二绝缘层的透明导电材料层；
对所述透明导电材料层进行第二构图工艺形成偏光膜和第一辅助栅线，每一条所述栅线与对应的第一辅助栅线通过贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的过孔电连接；
或者，对所述透明导电材料层进行第二构图工艺形成偏光膜和第一辅助数据线，每一条所述数据线与对应的第一辅助数据线通过所述第二绝缘层上的至少两个过孔电连接。
可选的，所述方法还包括：在每相邻的两条栅线之间，通过所述第一构图工艺在每一条所述数据线对应的位置上形成至少两个贯穿所述第二绝缘层的过孔；
对所述透明导电材料层进行所述第二构图工艺形成第二辅数据线，所述第二辅助数据线被所述第一辅助栅线隔断成多个辅助栅线段，每个所述辅助数据线段上至少两个位置与所述数据线上相对的至少两个位置通过贯穿所述第二绝缘层的过孔电连接。
可选的，所述方法还包括：在每相邻的两条数据线之间，通过所述第一构图工艺在每一条所述栅线对应的位置上形成至少两个贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的过孔；
对所述透明导电材料层进行所述第二构图工艺形成第二辅助栅线，所述第二辅助栅线被所述第一辅助数据线隔断成多个辅助栅线段，每个所述辅助栅线段上至少两个位置与所述栅线上相对的至少两个位置通过贯穿所述第一绝缘层和第二绝缘层的过孔电连接。
可选的，所述透明导电材料为线栅起偏材料。
本发明实施例提供的基板及其制造方法、显示装置，在第二绝缘层上设置第一辅助栅线，并将第一辅助栅线与栅线通过至少两个贯穿第一绝缘层和第二绝缘层的过孔并联，从而减小了栅线的电阻，或者在第二绝缘层上设置第一辅助数据线，并将第一辅助数据线与数据线通过至少两个贯穿第二绝缘层的过孔并联，从而减小了数据线的电阻，进而减小了显示装置中栅线电阻或数据线电阻带来的信号延迟。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明的实施例提供的一种基板示意性结构图；
图2为本发明的实施例提供的图1所示基板A-A’截面的剖面图；
图3为本发明的实施例提供的另一种基板示意性结构图；
图4为本发明的实施例提供的图3所示基板B-B’截面的剖面图；
图5为本发明的实施例提供的图3所示基板C-C’截面的剖面图；
图6为本发明的实施例提供的又一种基板示意性结构图；
图7为本发明的实施例提供的再一种基板示意性结构图；
图8为本发明的实施例提供的一种基板的制造方法步骤流程图；
图9为本发明的实施例提供的另一种基板的制造方法步骤流程图。
附图标记：
衬底基板-101；第一绝缘层--102；栅线--103；数据线--104；第二绝缘层--105；像素电极--106；偏光膜--107；第一辅助栅线--108；贯穿第一绝缘层及第二绝缘层的过孔--109；第一辅助数据线--110；贯穿第二绝缘层的过孔--111；第二辅助数据线--112；辅助数据线段--112-1；第二辅助栅线-113；辅助栅线段-113-1。
具体实施方式
下面结合附图对本发明实施例提供的基板及其制造方法、显示装置进行详细描述，其中用相同的附图标记指示本文中的相同元件。在下面的描述中，为便于解释，给出了大量具体细节，以便提供对一个或多个实施例的全面理解。然而，很明显，也可以不用这些具体细节来实现所述实施例。在其它例子中，以方框图形式示出公知结构和设备，以便于描述一个或多个实施例。
本发明实施例中的“上”、“下”以制造阵列基板时的先后顺序为准，例如，在上的图案是指相对在后形成的图案，在下的图案是指相对在先形成的图案。
本发明一实施例提供一种基板，参照图1、2所示，其中图1为该基板的俯视图，图2为沿图1所示俯视图的A-A’截面的剖面图；具体的该基板包括：衬底基板101，位于所述衬底基板101上多条平行设置的栅线103，覆盖所述栅线103的第一绝缘层102，位于所述第一绝缘层102上与所述栅线103垂直交叉的多条数据线104，覆盖所述数据线的第二绝缘层105；以及位于所述数据线104和所述栅线103围设形成的子像素区域的像素电极106；所述基板还包括：
覆盖所述像素电极的偏光膜107，所述偏光膜107的投影与所述子像素区域的像素电极106相对；
以及，设置在所述第二绝缘层105上与所述栅线103平行的第一辅助栅线108，所述第一辅助栅线108的投影与所述栅线103相对，每一条所述第一辅助栅线108上至少两个位置与所述栅线103上相对的至少两个位置通过贯穿所述第一绝缘层和第二绝缘层的过孔109电连接，其中，所述第一辅助栅线108与所述偏光膜107为通过对同一层透明导电材料的同一次构图工艺形成。
本发明实施例提供的基板，在第二绝缘层上设置第一辅助栅线，并将第一辅助栅线与栅线通过贯穿第一绝缘层和第二绝缘层的过孔并联，从而减小了栅线的电阻，进而减小了显示装置中栅线电阻带来的信号的延迟。
可选的，所述透明导电材料为线栅起偏材料，例如：可以为WGP(英文：Wire GridPolarizer，中文：线栅起偏器)。当采用WGP时，本发明实施例中的偏光膜由直接沉积在像素电极上的WGP形成，其中偏光膜的厚度可以通过沉积工艺控制，而传统显示装置的偏光片由多层高分子材料复合而成，再通过粘着剂将偏光片固定于基板上，相比于现有技术，由于偏光膜的厚度可以通过沉积工艺控制，所以本发明实施例更容易控制显示装置的模组厚度，进而更容易实现显示装置的模组厚度的降低；而且上述的第一辅助栅线与偏光膜为对同一层材料通过同一次构图工艺形成，相比于现有技术中偏光片的制造工艺，本发明实施例不用增加额外的工艺流程。
本发明一实施例提供一种基板，参照图3、4、5所示，其中图3为该基板的俯视图，图4为沿图3所示俯视图的B-B’截面的剖面图，图5为沿图3所示俯视图的C-C’截面的剖面图；具体的该基板包括：衬底基板101，位于所述衬底基板101上多条平行设置的栅线103，覆盖所述栅线103的第一绝缘层102，位于所述第一绝缘层102上与所述栅线103垂直交叉的多条数据线104，覆盖所述数据线的第二绝缘层105；以及位于所述数据线104和所述栅线103围设形成的子像素区域的像素电极106；所述基板还包括：
覆盖所述像素电极的偏光膜107，所述偏光膜107的投影与所述子像素区域的像素电极106相对；
以及设置在所述第二绝缘层105上与所述数据线104平行的第一辅助数据线110，所述第一辅助数据线110的投影与所述数据线104相对，每一条所述第一辅助数据线110上至少两个位置与所述数据线104上相对的至少两个位置通过贯穿所述第二绝缘层的过孔111电连接，其中，所述第一辅助数据线与所述偏光膜为通过对同一层透明导电材料的同一次构图工艺形成。
本发明实施例提供的基板，在第二绝缘层上设置第一辅助数据线，并将第一辅助数据线与数据线通过贯穿第二绝缘层的过孔并联，所以可以从而减小了数据线的电阻，进而减小了显示装置中数据线电阻带来的信号的延迟。
可选的，所述透明导电材料为线栅起偏材料，例如：可以为WGP。当采用WGP时，本发明实施例中的偏光膜由直接沉积在像素电极上的WGP形成，其中偏光膜的厚度可以通过沉积工艺控制，而传统显示装置的偏光片由多层高分子材料复合而成，再通过粘着剂将偏光片固定于基板上，相比于现有技术，由于偏光膜的厚度可以通过沉积工艺控制，所以本发明实施例更容易控制显示装置的模组厚度，进而更容易实现显示装置的模组厚度的降低；而且上述的第一辅助数据线与偏光膜为对同一层材料通过同一次构图工艺形成，相比于现有技术中偏光片的制造工艺，本发明实施例不用增加额外的工艺流程。
可选的，参照图1所示，所述基板包括：所述偏光膜107和所述第一辅助栅线108时；
在每相邻的两条数据线104之间，每一条所述栅线103和对应的第一辅助栅线108之间设置有一个贯穿所述第一绝缘层102和第二绝缘层105的过孔109。
上述实施例中在每相邻的两条数据线之间，每一条所述栅线和对应的第一辅助栅线之间设置有一个贯穿第一绝缘层和第二绝缘层的过孔，使得在每相邻的两条数据线之间的位置，每一条栅线和对应的第一辅助栅线通过贯穿第一绝缘层和第二绝缘层的过孔并联，由于栅极驱动电路通过栅线向每一级像素单元中开关晶体管的栅极提供栅极驱动信号，因此上述连接方式可以使栅极驱动电路的信号源到每一级开关晶体管的栅极之间的栅线和第一辅助栅线并联，所以上述实施例可以进一步减小每一个像素单元中开关晶体管的栅极到栅极驱动信号的信号源之间的电阻，进而减小显示装置中栅线电阻带来的信号延迟。
可选的，参照图3所示，所述基板包括：所述偏光膜107和所述第一辅助数据线110时；
在每相邻的两条栅线103之间，每一条所述数据线104和对应的第一辅助数据线110之间设置有一个贯穿第二绝缘层105的过孔111。
上述实施例中在每相邻的两条栅线之间，每一条所述数据线和对应的第一辅助数据线之间上设置有一个贯穿所述第二绝缘层的过孔，使得在每相邻的两条栅线之间的位置，每一条数据线和对应的第一辅助数据线通过贯穿第二绝缘层的过孔并联，由于源极驱动电路通过数据线向每一级像素单元中开关晶体管的源极提供源极驱动信号，因此上述连接方式可以使得源极驱动电路的信号源到每一级开关晶体管的源极之间的数据线和第一辅助数据线并联，所以上述实施例可以进一步减小每一个像素单元中开关晶体管的源极到源极驱动信号的信号源之间的电阻，进而减小显示装置中数据线电阻带来的信号延迟。
进一步的，参照图6所示，所述基板包括：所述第一辅助栅线108和所述偏光膜107时，所述基板还包括：第二辅助数据线112；
所述第二辅助数据线112设置在所述第二绝缘层105上，所述第二辅助数据线112与所述数据线104平行，所述第二辅助数据线112的投影与所述数据线104相对，所述第二辅助数据线112被所述第一辅助栅线108隔断成多个辅助数据线段112-1，每个所述辅助数据线段112-1上至少两个位置与所述数据线上相对的至少两个位置通过贯穿所述第二绝缘层的过孔109电连接；其中，所述第一辅助栅线112和所述偏光膜107与所述第二辅助数据线112为通过对同一层透明导电材料的同一次构图工艺形成。
上述实施例中，第一辅助栅线和第二辅助数据线为通过对同一层透明导电材料的同一次构图工艺形成，第一辅助栅线将第二辅助数据线隔断成多个辅助数据线段，而每一个辅助数据线段上至少两个位置与所述数据线上相对的至少两个位置通过贯穿第二绝缘层的过孔电连接，使得每一个辅助数据线段都和对应的数据线并联，从而减小了数据线的电阻，进而减小了显示装置中数据线电阻带来的信号延迟；进一步的，上述辅助数据线段只有在两个过孔之间的部分才可以和对应的数据线并联，所以一种优选的方式是，辅助数据线段的两端各有一个过孔，辅助数据线段通过两端的过孔与对应的数据线并联则可以最大程度的减小数据线的电阻，进而最大程度的减小显示装置中数据线电阻带来的信号延迟。此外第一辅助栅线将第二辅助数据线隔断成多个辅助数据线段，避免了第一辅助栅线和第二辅助数据线电连接而引起的栅线和数据线的电连接，从而保证了包含上述基板的显示器能够正常工作。
进一步的，参照图7所示，所述基板包括：所述第一辅助数据线110和所述偏光膜107时，所述基板还包括：第二辅助栅线113；
所述第二辅助栅线113设置在所述第二绝缘层105上，所述第二辅助栅线113与所述栅线103平行，所述第二辅助栅线113的投影与所述栅线103相对，所述第二辅助栅线113被所述第一辅助数据线隔断成多个辅助栅线段113-1，每个所述辅助栅线段113-1上至少两个位置与所述栅线103上相对的至少两个位置通过贯穿所述第一绝缘层和第二绝缘层的过孔109电连接；其中，所述第一辅助数据线110和所述偏光膜107与所述第二辅助栅线113为通过对同一层透明导电材料的同一次构图工艺形成。
上述实施例中，第一辅助数据线和第二辅助栅线为通过对同一层透明导电材料的同一次构图工艺形成，第一辅助数据线将第二辅助栅线隔断成多个辅助栅线段，而每个辅栅线段上至少两个位置与栅线上相对的至少两个位置通过贯穿所述第一绝缘层和第二绝缘层的过孔电连接，使得每一个辅助栅线段都和对应的栅线并联，从而减小了栅线的电阻，进而减小了显示装置中栅线电阻带来的信号延迟；进一步的，上述辅助栅线段只有在两个过孔之间的部分才可以和对应的栅线并联，所以一种优选的方式是，辅助栅线段的两端各有一个过孔，辅助栅线段通过两端的过孔与对应的栅线并联则可以最大程度的减小栅线的电阻，进而最大程度的减小显示装置中栅线电阻带来的信号延迟。此外第一辅助数据线将第二辅助栅线隔断成多个辅助栅线段，避免了第一辅助数据线和第二辅助栅线电连接而引起的栅线和数据线的电连接，从而保证了包含上述基板的显示器能够正常工作。
本发明的实施例提供一种基板制造方法，用于制造图1、2所示的基板，参照图8所示，该基板制造方法包括如下步骤：
S801、在衬底基板制作多条平行设置的栅线。
S802、制作覆盖所述栅线的第一绝缘层。
S803、制作位于所述第一绝缘层上与所述栅线垂直交叉的多条数据线。
S804、制作覆盖所述数据线的第二绝缘层。
上述步骤S801中制作栅线、步骤S802中制作第一绝缘层、步骤S803中制作数据线及S804中制作第二绝缘层的方式与现有技术中制作栅线、第一绝缘层、数据线及第二绝缘层的方式相同，在此本文不做限定。其中，上述的第一绝缘层和第二绝缘层均为单独的层。“层”的含义可以是指利用某一种材料在基板上利用沉积等工艺制作出的一层薄膜；例如上述的第一绝缘层可以是在衬底基板上沉积SiNx(氮化硅)所制得的。具体的，上述的绝缘层可以根据实际需要，先在衬底基板上沉积SiNx制作绝缘薄膜，再通过构图工艺在绝缘薄膜上去除部分，制得绝缘层。
S805、通过第一构图工艺在每一条所述栅线对应的位置形成至少两个贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的过孔。
上述步骤S805中，除了通过第一构图工艺形成贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的过孔外，还应通过第一构图工艺在第二绝缘层上形成像素电极与像素单元中晶体管的漏极连接的过孔。
S806、在所述栅线与所述数据线围设形成的子像素区域形成像素电极。
S807、形成覆盖所述像素电极和所述第二绝缘层的透明导电材料层。
S808、对所述透明导电材料层进行第二构图工艺形成偏光膜和第一辅助栅线，每一条所述栅线与对应的第一辅助栅线通过贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的过孔电连接。
需要说明的是，上述步骤中，对各个层的具体形貌及电路连接参照图1、2对应的装置实施例。此外，该基板的制造方法中用到的构图工艺通常包括清洗、成膜、光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等工序；对于金属层通常采用物理气相沉积方式(例如：磁控溅射法)成膜，通过湿法刻蚀形成图形，而对于非金属层通常采用化学气相沉积方式成膜，通过干法刻蚀形成图形。当然步骤S808中，除了可采用上述构图工艺形成偏光膜、第一辅助栅线外还可以通过纳米压印、光衍射干刻、电子束直写等构图工艺形成，本文在此不作限定。
本发明实施例提供的基板的制造方法，通过在第二绝缘层上设置第一辅助栅线，并将第一辅助栅线与栅线通过至少两个贯穿第一绝缘层和第二绝缘层的过孔并联，从而减小了栅线的电阻，进而减小显示装置中栅线电阻到来的信号延迟。
可选的，上述透明导电材料为线栅起偏材料，例如：可以为WGP。当采用WGP时，本发明实施例中的偏光膜由直接沉积在像素电极上的WGP形成，其中偏光膜的厚度可以通过沉积工艺控制，而传统显示装置的偏光片由多层高分子材料复合而成，再通过粘着剂将偏光片固定于基板上，相比于现有技术，由于偏光膜的厚度可以通过沉积工艺控制，所以本发明实施例更容易控制显示装置的模组厚度，进而更容易实现显示装置的模组厚度的降低；而且上述的第一辅助数据线与偏光膜为对同一层材料通过同一次构图工艺形成，相比于现有技术中偏光片的制造工艺，本发明实施例不用增加额外的工艺流程。
可选的，图8对应实施例中基板制造方法还包括：
在步骤S805中，还包括：在每相邻的两条栅线之间，通过所述第一构图工艺在每一条所述数据线对应的位置上形成至少两个贯穿所述第二绝缘层的过孔。
在步骤S808中，还包括：对所述透明导电材料层进行所述第二构图工艺形成第二辅数据线，所述第二辅助数据线被所述第一辅助栅线隔断成多个辅助数据线段，每个所述辅助数据线段上至少两个位置与所述数据线上相对的至少两个位置通过贯穿所述第二绝缘层的过孔电连接。
上述实施例中步骤S808形成的第二辅助数据线通过步骤S805形成的贯穿第二绝缘层的过孔与数据线电连接，使得每一个第二辅助数据线段都和对应的数据线并联，从而减小了数据线的电阻，进而减小显示装置中数据线电阻带来的信号延迟。
本发明一实施例提供一种基板制造方法，用于制造图3、4、5所示的基板，参照图9所示，该基板制造方法包括如下步骤：
S901、在衬底基板制作多条平行设置的栅线。
S902、制作覆盖所述栅线的第一绝缘层。
S903、制作位于所述第一绝缘层上与所述栅线垂直交叉的多条数据线。
S904、制作覆盖所述数据线的第二绝缘层。
上述步骤S901中制作栅线、步骤S902中制作第一绝缘层、步骤S903中制作数据线及S904中制作第二绝缘层的方式与现有技术中制作栅线、第一绝缘层、数据线及第二绝缘层的方式相同，在此本文不做限定；其中，上述的第一绝缘层和第二绝缘层均为单独的层。“层”的含义可以是指利用某一种材料在基板上利用沉积等工艺制作出的一层薄膜；例如上述的第一绝缘层可以是在衬底基板上沉积SiNx(氮化硅)所制得的。具体的，又如，上述的绝缘层可以根据实际需要，先在衬底基板上沉积SiNx制作绝缘薄膜，再通过构图工艺在绝缘薄膜上去除部分，制得绝缘层。
S905、通过第一构图工艺在每一条所述数据线对应的位置对应的第二绝缘层上形成至少两个过孔；
上述步骤S905中，除了通过第一构图工艺在每一条所述数据线对应的位置对应的第二绝缘层上形成至少两个过孔外，还应通过第一构图工艺在第二绝缘层上形成像素电极与像素单元中晶体管的漏极连接的过孔。
S906、在所述栅线与所述数据线围设形成的子像素区域形成像素电极。
S907、形成覆盖所述像素电极和所述第二绝缘层的透明导电材料层。
S908、对所述透明导电材料层进行第二构图工艺形成偏光膜和第一辅助数据线，每一条所述数据线与对应的第一辅助数据线通过所述第二绝缘层上的至少两个过孔电连接。
需要说明的是，上述步骤中，对各个层的具体形貌及电路连接参照图3、4、5对应的装置实施例。此外，该基板的制造方法中用到的构图工艺通常包括清洗、成膜、光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等工序；对于金属层通常采用物理气相沉积方式(例如：磁控溅射法)成膜，通过湿法刻蚀形成图形，而对于非金属层通常采用化学气相沉积方式成膜，通过干法刻蚀形成图形。当然在步骤S908中，除了可采用上述构图工艺形成偏光膜、第一辅助数据线外还可以通过纳米压印、光衍射干刻、电子束直写等构图工艺形成，本文在此不作限定。
本发明实施例提供的基板的制造方法，通过在第二绝缘层上设置第一辅助数据线，并将第一辅助数据线与数据线通过至少两个贯穿第二绝缘层的过孔并联，从而减小了数据线的电阻，进而减小显示装置中数据线电阻到来的信号延迟。
可选的，上述透明导电材料为线栅起偏材料，例如：可以为WGP。当透明导电材料为WGP时，本发明实施例中的偏光膜由直接沉积在像素电极上的WGP形成，其中偏光膜的厚度可以通过沉积工艺控制，而传统显示装置的偏光片由多层高分子材料复合而成，再通过粘着剂将偏光片固定于基板上，相比于现有技术，由于偏光膜的厚度可以通过沉积工艺控制，所以本发明实施例更容易控制显示装置的模组厚度，进而更容易实现显示装置的模组厚度的降低；而且上述的第一辅助数据线与偏光膜为对同一层材料通过同一次构图工艺形成，相比于现有技术中偏光片的制造工艺，本发明实施例不用增加额外的工艺流程。
可选的，图9对应实施例中基板制造方法还包括：
在步骤905中，还包括：在每相邻的两条数据线之间，通过所述第一构图工艺在每一条所述栅线对应的位置上形成至少两个贯穿所述第一绝缘层和第二绝缘层的过孔。
在步骤S908中，还包括：对所述透明导电材料层进行所述第二构图工艺形成第二辅助栅线，所述第二辅助栅线被所述第一辅助数据线隔断成多个辅助栅线段，每个所述辅助栅线段上至少两个位置与所述栅线上相对的至少两个位置通过贯穿所述第一绝缘层和第二绝缘层的过孔电连接。
上述实施例中步骤S908形成的第二辅助栅线通过步骤S905形成的贯穿第一绝缘层和第二绝缘层的过孔与栅线电连接，从而减小了栅线的电阻，进而减小显示装置中栅线电阻带来的信号延迟。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括：本发明实施例提供的任一种基板，所述基板可以由本发明实施例提供的制作方法获得。所述显示装置可以为液晶显示器、液晶电视、数码相机、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (11)

1.一种基板，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上多条平行设置的栅线，覆盖所述栅线的第一绝缘层，位于所述第一绝缘层上与所述栅线垂直交叉的多条数据线，覆盖所述数据线的第二绝缘层，以及位于所述数据线和所述栅线围设形成的子像素区域的像素电极；
其特征在于，所述基板还包括：
覆盖所述像素电极的偏光膜，所述偏光膜的投影与所述子像素区域的像素电极相对；
以及，设置在所述第二绝缘层上与所述栅线平行的第一辅助栅线，所述第一辅助栅线的投影与所述栅线相对，每一条所述第一辅助栅线上至少两个位置与所述栅线上相对的至少两个位置通过贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的过孔电连接，其中，所述第一辅助栅线与所述偏光膜为通过对同一层透明导电材料的同一次构图工艺形成；
或者，
设置在所述第二绝缘层上与所述数据线平行的第一辅助数据线，所述第一辅助数据线的投影与所述数据线相对，每一条所述第一辅助数据线上至少两个位置与所述数据线上相对的至少两个位置通过贯穿所述第二绝缘层的过孔电连接，其中，所述第一辅助数据线与所述偏光膜为通过对同一层透明导电材料的同一次构图工艺形成。
2.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述基板包括：所述偏光膜和所述第一辅助栅线时；
在每相邻的两条数据线之间，每一条所述栅线和对应的第一辅助栅线之间设置有一个贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的过孔。
3.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述基板包括：所述偏光膜和所述第一辅助数据线时；
在每相邻的两条栅线之间，每一条所述数据线和对应的第一辅助数据线之间设置有一个贯穿所述第二绝缘层的过孔。
4.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述基板包括：所述第一辅助栅线和所述偏光膜时，所述基板还包括：第二辅助数据线；
所述第二辅助数据线设置在所述第二绝缘层上，所述第二辅助数据线与所述数据线平行，所述第二辅助数据线的投影与所述数据线相对，所述第二辅助数据线被所述第一辅助栅线隔断成多个辅助数据线段，每个所述辅助数据线段上至少两个位置与所述数据线上相对的至少两个位置通过贯穿所述第二绝缘层的过孔电连接；其中，所述第一辅助栅线和所述偏光膜与所述第二辅助数据线为通过对同一层透明导电材料的同一次构图工艺形成。
5.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述基板包括：所述第一辅助数据线和所述偏光膜时，所述基板还包括：第二辅助栅线；
所述第二辅助栅线设置在所述第二绝缘层上，所述第二辅助栅线与所述栅线平行，所述第二辅助栅线的投影与所述栅线相对，所述第二辅助栅线被所述第一辅助数据线隔断成多个辅助栅线段，每个所述辅助栅线段上至少两个位置与所述栅线上相对的至少两个位置通过贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的过孔电连接；其中，所述第一辅助数据线和所述偏光膜与所述第二辅助栅线为通过对同一层透明导电材料的同一次构图工艺形成。
6.根据权利要求1-5任一所述的基板，其特征在于，所述透明导电材料为线栅起偏材料。
7.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的基板。
8.一种基板制造方法，其特征在于，包括：
在衬底基板制作多条平行设置的栅线；
制作覆盖所述栅线的第一绝缘层；
制作位于所述第一绝缘层上与所述栅线垂直交叉的多条数据线；
制作覆盖所述数据线的第二绝缘层；
通过第一构图工艺在每一条所述栅线对应的位置形成至少两个贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的过孔；或者，通过第一构图工艺在每一条所述数据线对应的位置形成至少两个贯穿所述第二绝缘层的过孔；
在所述栅线与所述数据线围设形成的子像素区域形成像素电极；
形成覆盖所述像素电极和所述第二绝缘层的透明导电材料层；
对所述透明导电材料层进行第二构图工艺形成偏光膜和第一辅助栅线，每一条所述栅线与对应的第一辅助栅线通过贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的过孔电连接；
或者，对所述透明导电材料层进行第二构图工艺形成偏光膜和第一辅助数据线，每一条所述数据线与对应的第一辅助数据线通过所述第二绝缘层上的至少两个过孔电连接。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在每相邻的两条栅线之间，通过所述第一构图工艺在每一条所述数据线对应的位置上形成至少两个贯穿所述第二绝缘层的过孔；
对所述透明导电材料层进行所述第二构图工艺形成第二辅数据线，所述第二辅助数据线被所述第一辅助栅线隔断成多个辅助数据线段，每个所述辅助数据线段上至少两个位置与所述数据线上相对的至少两个位置通过贯穿所述第二绝缘层的过孔电连接。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在每相邻的两条数据线之间，通过所述第一构图工艺在每一条所述栅线对应的位置上形成至少两个贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的过孔；
对所述透明导电材料层进行所述第二构图工艺形成第二辅助栅线，所述第二辅助栅线被所述第一辅助数据线隔断成多个辅助栅线段，每个所述辅助栅线段上至少两个位置与所述栅线上相对的至少两个位置通过贯穿所述第一绝缘层和第二绝缘层的过孔电连接。
11.根据权利要求8-10任一项所述的方法，其特征在于，所述透明导电材料为线栅起偏材料。
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