CN108336125B - 一种彩膜基板及其制备方法、显示面板、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及显示技术领域，公开了一种彩膜基板及其制备方法、显示面板、显示装置，该彩膜基板包括：形成于衬底上的辅助阴极层；形成于辅助阴极层上且与辅助阴极层对应的黑矩阵层，黑矩阵层上设有多个沿垂直于衬底的方向贯穿黑矩阵层的第一过孔；形成于黑矩阵层上的平坦层，平坦层上设有多个与第一过孔一一对应以暴露辅助阴极层的第二过孔；形成于平坦层上的多个隔垫物；形成于隔垫物上的透明导电层，透明导电层通过第二过孔与辅助阴极层连接。该彩膜基板中，辅助阴极层作为首层设置在衬底上，降低了辅助阴极层的制备工艺难度，有利于提高辅助阴极层的物理属性，有利于保证其它膜层的性能保持良好，简化了彩膜基板的整体制备过程，降低制备成本。

Description

一种彩膜基板及其制备方法、显示面板、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种彩膜基板及其制备方法、显示面板、显示装置。
背景技术
在大尺寸AMOLED显示面板开发过程中，采用顶发光技术方案能够提高显示面板的分辨率，因此该技术方案逐渐被深入研究，用于大尺寸显示的AMOLED显示面板由于阴极导电性及制作厚度的限制，需要制作辅助阴极用以降低整体阴极的电阻，避免压降现象的出现，提高显示面板的显示质量。其中，现有技术中辅助阴极一般制作在彩膜基板上，且彩膜基板上制作辅助阴极的制备工艺难度比较大，其中辅助阴极制作的困难在于以下几方面内容：1、辅助阴极制作在有机薄膜上不能采用较高的温度，否则会对有机膜层造成巨大影响；2、辅助阴极金属溅射沉积时基板上尽量不能有有机薄膜，否则会污染溅射沉积设备的腔室，造成损失；3、辅助阴极金属的图形化需要与Array曝光机的Mark进行对位，而CF盖板常规工艺是将BM作为首层来制作，但BM所能制作的分辨率大小有限，其制作的Mark在一定程度上在Array曝光机无法使用，便导致后续辅助阴极金属发生偏移风险。所以，辅助阴极制备比较麻烦、困难的问题亟需解决。
发明内容
本发明提供了一种彩膜基板及其制备方法、显示面板、显示装置，该彩膜基板中，辅助阴极层作为首层设置在衬底上，降低了辅助阴极层的制备工艺难度，且辅助金属可以采用高温沉积，有利于提高辅助阴极层的物理属性，还可以避免辅助阴极层制备过程中影响其它膜层，有利于保证其它膜层的性能保持良好，另外，简化了彩膜基板的整体制备过程，降低了制备成本。
为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：
一种彩膜基板，包括：衬底；
形成于所述衬底上的辅助阴极层；
形成于所述辅助阴极层上且与所述辅助阴极层对应的黑矩阵层，所述黑矩阵层上设有多个沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述黑矩阵层以暴露所述辅助阴极层的第一过孔；
形成于所述黑矩阵层上的平坦层，且所述平坦层上设有多个与所述第一过孔一一对应以暴露所述辅助阴极层的第二过孔；
形成于所述平坦层上且间隔设置的多个隔垫物，且所述隔垫物与所述黑矩阵层中区别于所述第一过孔的部位相对；
形成于所述隔垫物上的透明导电层，所述透明导电层通过所述第二过孔与所述辅助阴极层连接。
上述彩膜基板中，辅助阴极层作为首层设置在衬底上，黑矩阵层设置在辅助阴极层上且与辅助阴极层对应，其中黑矩阵层上设置有多个沿垂直于衬底的方向贯穿黑矩阵层的第一过孔，第一过孔在黑矩阵层中直至辅助阴极层，可以暴露出辅助阴极层，黑矩阵层上形成有平坦层，平坦层可以为有机膜层，且平坦层上设置有多个与第一过孔一一对应的第二过孔，第二过孔贯穿平坦层直至辅助阴极层，可以暴露出辅助阴极层，在平坦层上设置多个间隔设置的隔垫物，隔垫物与黑矩阵层中区别于第一过孔的部位对应，隔垫物设置在平坦层上，平坦层为有机膜层，隔垫物与平坦层连接，可以增加隔垫物在平坦层上的粘附性，避免隔垫物脱落；透明导电层形成在隔垫物上，且透明导电层通过第二过孔与辅助阴极层接触连接，辅助阴极层与透明导电层电连接，该从彩膜基板对盒之后透明阴极层与阴极电连接，即辅助阴极层与阴极电连接，可以实现降低阴极电阻、避免压降现象出现，有利于提高显示面板的显示效果；其中，上述彩膜基板的结构中，相对于现有技术，辅助阴极层作为衬底上的首层，在辅助阴极层制备完毕之后再制备其它膜层，不用在制备过程中为了考虑其它膜层的性能及制备条件而设置较多的特殊条件要求，降低了辅助阴极层的制备工艺难度，且辅助阴极层作为首层首先制备，可以采用高温沉积，有利于提高辅助阴极层的物理属性，除此之外，将辅助阴极层制备完毕之后再制备其它膜层，可以避免辅助阴极层制备过程中影响其它膜层，有利于保证其它膜层的性能保持良好，另外，由于本发明实施例的彩膜基板中的膜层结构设置，对于彩膜基板的整体制备过程而言，降低了彩膜基板整体制备过程的复杂程度，即简化了制备过程，降低了制备成本。
上述彩膜基板中，辅助阴极层作为首层设置在衬底上，降低了辅助阴极层的制备工艺难度，且辅助金属可以采用高温沉积，有利于提高辅助阴极层的物理属性，还可以避免辅助阴极层制备过程中影响其它膜层，有利于保证其它膜层的性能保持良好，另外，简化了彩膜基板的整体制备过程，降低了制备成本。
优选地，所述彩膜基板还包括与所述黑矩阵层同层设置的彩膜层。
优选地，所述辅助阴极层包括用于对位的图形标识和辅助阴极网格走线，所述辅助阴极网格走线与所述黑矩阵层对应，所述辅助阴极网格走线通过所述第二过孔与所述透明导电层连接。
优选地，所述第一过孔与所述辅助阴极网格走线中的交叉部位相对。
优选地，所述图形标识在所述衬底上的正投影位于所述衬底的角落。
本发明还提供了一种显示面板，包括上述技术方案中提供的任意一种彩膜基板。
本发明还提供了一种显示装置，包括上述技术方案中提供的任意一种显示面板。
另外，本发明还提供了一种彩膜基板的制备方法，包括：
在衬底上沉积金属形成金属层，并对金属层进行图形化形成辅助阴极层；
在所述辅助阴极层上形成与所述辅助阴极层对应的黑矩阵层，且在所述黑矩阵层中形成有多个沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述黑矩阵层的第一过孔以暴露所述辅助阴极层；
在所述黑矩阵层上形成平坦层，且所述平坦层上形成有多个与所述第一过孔一一对应的第二过孔以暴露所述辅助阴极层；
在所述平坦层上形成有间隔设置的多个隔垫物，且所述隔垫物与所述黑矩阵层中区别于所述第一过孔的部位相对；
在所述隔垫物上形成透明导电层，且所述透明导电层通过所述第二过孔与所述辅助阴极层连接。
优选地，在所述黑矩阵层形成之后且在所述平坦层形成之前，还包括：形成与所述黑矩阵层同层设置的彩膜层。
优选地，所述辅助阴极层包括用于对位的图形标识和辅助阴极网格走线，所述辅助阴极网格走线与所述黑矩阵层对应，所述辅助阴极网格走线通过所述第二过孔与所述透明导电层连接。
附图说明
图1-图5为本发明实施例提供的彩膜基板制备过程中局部膜层变化示意图；
图6为本发明实施例提供的彩膜基板的制备方法的流程示意图；
图标：1-衬底；2-辅助阴极层；3-黑矩阵层；4-平坦层；5-隔垫物；
6-透明导电层；31-第一过孔；41-第二过孔。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参考图5，其中图5为本发明实施例提供的彩膜基板的局部结构示意图，本发明实施例提供的一种彩膜基板，包括：衬底1；形成于衬底1上的辅助阴极层2；形成于辅助阴极层2上且与辅助阴极层2对应的黑矩阵层3，黑矩阵层3上设有多个沿垂直于衬底1的方向贯穿黑矩阵层3以暴露辅助阴极层2的第一过孔31；形成于黑矩阵层3上的平坦层4，且平坦层4上设有多个与第一过孔31一一对应以暴露辅助阴极层2的第二过孔41；形成于平坦层4上且间隔设置的多个隔垫物5，且隔垫物5与黑矩阵层3中区别于第一过孔31的部位相对；形成于隔垫物5上的透明导电层6，透明导电层6通过第二过孔41与辅助阴极层2连接。
如图1-图5所示，上述彩膜基板中，辅助阴极层2作为首层设置在衬底1上，黑矩阵层3设置在辅助阴极层2上且与辅助阴极层2对应，其中黑矩阵层3上设置有多个沿垂直于衬底1的方向贯穿黑矩阵层3的第一过孔31，第一过孔31在黑矩阵层3中直至辅助阴极层2，可以暴露出辅助阴极层2，黑矩阵层3上形成有平坦层4，平坦层4可以为有机膜层，且平坦层4上设置有多个与第一过孔31一一对应的第二过孔41，第二过孔41贯穿平坦层4直至辅助阴极层2，可以暴露出辅助阴极层2，在平坦层4上设置多个间隔设置的隔垫物5，隔垫物5与黑矩阵层3中区别于第一过孔31的部位对应，隔垫物5设置在平坦层4上，平坦层4为有机膜层，隔垫物5与平坦层4连接，可以增加隔垫物5在平坦层4上的粘附性，避免隔垫物5脱落；透明导电层6形成在隔垫物5上，且透明导电层6通过第二过孔41与辅助阴极层2接触连接，辅助阴极层2与透明导电层6电连接，该从彩膜基板对盒之后透明阴极层与阴极电连接，即辅助阴极层2与阴极电连接，可以实现降低阴极电阻、避免压降现象出现，有利于提高显示面板的显示效果；其中，上述彩膜基板的结构中，相对于现有技术，辅助阴极层2作为衬底1上的首层，在辅助阴极层2制备完毕之后再制备其它膜层，不用在制备过程中为了考虑其它膜层的性能及制备条件而设置较多的特殊条件要求，降低了辅助阴极层2的制备工艺难度，且辅助阴极层2作为首层首先制备，可以采用高温沉积，有利于提高辅助阴极层2的物理属性，除此之外，将辅助阴极层2制备完毕之后再制备其它膜层，可以避免辅助阴极层2制备过程中影响其它膜层，有利于保证其它膜层的性能保持良好，另外，由于本发明实施例的彩膜基板中的膜层结构设置，对于彩膜基板的整体制备过程而言，降低了彩膜基板整体制备过程的复杂程度，即简化了制备过程，降低了制备成本。
上述彩膜基板中，辅助阴极层2作为首层设置在衬底1上，降低了辅助阴极层2的制备工艺难度，且辅助金属可以采用高温沉积，有利于提高辅助阴极层2的物理属性，还可以避免辅助阴极层2制备过程中影响其它膜层，有利于保证其它膜层的性能保持良好，另外，简化了彩膜基板的整体制备过程，降低了制备成本。
具体地，上述彩膜基板中还包括与黑矩阵层3同层设置的彩膜层(图中未示出)。
具体地，辅助阴极层2包括用于对位的图形标识和辅助阴极网格走线，辅助阴极网格走线与黑矩阵层3对应，辅助阴极网格走线通过第二过孔41与透明导电层6连接。辅助阴极层2中设置用于对位的图形标识，可以用于后续膜层制备过程中对膜层进行图形化时曝光机与图形标识进行对位，避免后续制备的膜层发生偏移，辅助阴极层2中的辅助阴极网格走线与黑矩阵层3对应设置且通过第二过孔41与透明导电层6电连接，在本发明实施例中的彩膜基板对盒之后会与阴极电连接，降低阴极电阻，避免压降现象出现，提高形成的显示面板的显示质量。
具体地，黑矩阵层3中的第一过孔31与辅助阴极网格走线中的交叉部位相对。黑矩阵层3与辅助阴极网格走线相对设置，黑矩阵层3呈网格状，第一过孔31位于黑矩阵层3中的交叉部位，有利于保证黑矩阵层3的结构稳定。
上述辅助阴极层2中的图形标识在衬底1上的正投影位于衬底1的角落。将图形标识设置于在辅助阴极层2的一个角落，便于后续膜层制备过程中进行对位，且不会对辅助阴极层2造成影响。
具体地，上述彩膜基板中的隔垫物5可以为截面呈圆形的隔垫柱。隔垫物5可以设置成圆柱状的隔垫柱，便于制备，且还可以设置成圆台状的隔垫柱，且圆台状的隔垫柱朝向平坦层4的圆形表面的直径尺寸大于朝向透明阴极层的表面，可以使隔垫柱与平坦层4的接触面积较大，稳固的与平坦层4连接，增加隔垫柱的稳固性。需要说明的是，隔垫物5也可以设置成其他形状，本实施例不做局限。
本发明实施例还提供了一种显示面板，包括上述实施例中提供的任意一种彩膜基板。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述实施例中提供的任意一种显示面板。
结合图1-图5并参考图6所示，本发明实施例还提供了一种彩膜基板的制备方法，包括：
步骤S101，在衬底1上沉积金属形成金属层，并对金属层进行图形化形成辅助阴极层2；
步骤S102，在辅助阴极层2上形成与辅助阴极层2对应的黑矩阵层3，且在黑矩阵层3中形成有多个沿垂直于衬底1的方向贯穿黑矩阵层3的第一过孔31以暴露辅助阴极层2；
步骤S103，在黑矩阵层3上形成平坦层4，且平坦层4上形成有多个与第一过孔31一一对应的第二过孔41以暴露辅助阴极层2；
步骤S104，在平坦层4上形成有间隔设置的多个隔垫物5，且隔垫物5与黑矩阵层3中区别于第一过孔31的部位相对；
步骤S105，在隔垫物5上形成透明导电层6，且透明导电层6通过第二过孔41与辅助阴极层2连接。
上述彩膜基板的制备方法中，首先在衬底1上制备辅助阴极层2，不用考虑对其它面膜层的影响，降低了辅助阴极层2的制备工艺难度，且在沉积辅助阴极金属时可以采用高温沉积，有利于提高辅助阴极层2的物理属性，还可以避免辅助阴极层2制备过程中影响其它膜层，有利于保证其它膜层的性能保持良好，另外，简化了彩膜基板的整体制备过程，降低了制备成本。
具体地，上述彩膜基板的制备方法中，在黑矩阵层3形成之后且在平坦层4形成之前，还包括：形成与黑矩阵层3同层设置的彩膜层。
上述彩膜基板的制备方法中，辅助阴极层2包括用于对位的图形标识和辅助阴极网格走线，辅助阴极网格走线与黑矩阵层3对应，辅助阴极网格走线通过第二过孔41与透明导电层6连接。辅助阴极层2中设置用于对位的图形标识，可以用于后续膜层制备过程中对膜层进行图形化时曝光机与图形标识进行对位，避免后续制备的膜层发生偏移，辅助阴极层2中的辅助阴极网格走线与黑矩阵层3对应设置且通过第二过孔41与透明导电层6电连接，在本发明实施例中的彩膜基板对盒之后会与阴极电连接，降低阴极电阻，避免压降现象出现，提高形成的显示面板的显示质量。
显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种彩膜基板，其特征在于，包括：衬底；
形成于所述衬底上的辅助阴极层；
形成于所述辅助阴极层上且与所述辅助阴极层对应的黑矩阵层，所述黑矩阵层上设有多个沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述黑矩阵层以暴露所述辅助阴极层的第一过孔；
形成于所述黑矩阵层上的平坦层，且所述平坦层上设有多个与所述第一过孔一一对应以暴露所述辅助阴极层的第二过孔；
形成于所述平坦层上且间隔设置的多个隔垫物，且所述隔垫物与所述黑矩阵层中区别于所述第一过孔的部位相对；
形成于所述隔垫物上的透明导电层，所述透明导电层通过所述第二过孔与所述辅助阴极层连接；
所述平坦层为有机膜层。
2.根据权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，还包括与所述黑矩阵层同层设置的彩膜层。
3.根据权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述辅助阴极层包括用于对位的图形标识和辅助阴极网格走线，所述辅助阴极网格走线与所述黑矩阵层对应，所述辅助阴极网格走线通过所述第二过孔与所述透明导电层连接。
4.根据权利要求3所述的彩膜基板，其特征在于，所述第一过孔与所述辅助阴极网格走线中的交叉部位相对。
5.根据权利要求3所述的彩膜基板，其特征在于，所述图形标识在所述衬底上的正投影位于所述衬底的角落。
6.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的彩膜基板。
7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求6所述的显示面板。
8.一种彩膜基板的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上沉积金属形成金属层，并对金属层进行图形化形成辅助阴极层；
在所述辅助阴极层上形成与所述辅助阴极层对应的黑矩阵层，且在所述黑矩阵层中形成有多个沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述黑矩阵层的第一过孔以暴露所述辅助阴极层；
在所述黑矩阵层上形成平坦层，且所述平坦层上形成有多个与所述第一过孔一一对应的第二过孔以暴露所述辅助阴极层；
在所述平坦层上形成有间隔设置的多个隔垫物，且所述隔垫物与所述黑矩阵层中区别于所述第一过孔的部位相对；
在所述隔垫物上形成透明导电层，且所述透明导电层通过所述第二过孔与所述辅助阴极层连接。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在所述黑矩阵层形成之后且在所述平坦层形成之前，还包括：形成与所述黑矩阵层同层设置的彩膜层。
10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述辅助阴极层包括用于对位的图形标识和辅助阴极网格走线，所述辅助阴极网格走线与所述黑矩阵层对应，所述辅助阴极网格走线通过所述第二过孔与所述透明导电层连接。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108336125B (zh) * 2018-04-20 2023-10-17 京东方科技集团股份有限公司 一种彩膜基板及其制备方法、显示面板、显示装置
CN110289366B (zh) * 2019-05-06 2021-10-12 京东方科技集团股份有限公司 盖板结构及其制作方法、显示面板、显示装置
CN115377319A (zh) * 2021-04-09 2022-11-22 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060064425A (ko) * 2004-12-08 2006-06-13 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법
JP2012108561A (ja) * 2010-02-15 2012-06-07 Casio Comput Co Ltd 表示装置及びカメラ
CN102576711A (zh) * 2010-09-21 2012-07-11 松下电器产业株式会社 薄膜晶体管阵列装置、薄膜晶体管阵列装置的制造方法
CN103700688A (zh) * 2013-12-23 2014-04-02 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板及其制作方法、显示装置
CN103872040A (zh) * 2012-12-14 2014-06-18 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
CN104280930A (zh) * 2014-10-11 2015-01-14 深圳市华星光电技术有限公司 彩膜基板的制作方法、彩膜基板及液晶显示面板
WO2015192542A1 (zh) * 2014-06-20 2015-12-23 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板及其制作方法、显示面板和显示装置
WO2015196613A1 (zh) * 2014-06-26 2015-12-30 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板及其制造方法、显示面板
CN105467667A (zh) * 2016-01-28 2016-04-06 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板及其制备方法、显示面板和显示装置
CN106066551A (zh) * 2016-08-12 2016-11-02 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN107706210A (zh) * 2017-08-18 2018-02-16 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板、oled显示面板的制造方法及显示装置
CN107706226A (zh) * 2017-10-18 2018-02-16 京东方科技集团股份有限公司 对向基板、其制作方法、有机发光显示面板及显示装置
CN107845662A (zh) * 2017-10-27 2018-03-27 京东方科技集团股份有限公司 一种彩膜基板及其制作方法和显示装置
CN208014705U (zh) * 2018-04-20 2018-10-26 京东方科技集团股份有限公司 一种彩膜基板、显示面板及显示装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6812637B2 (en) * 2003-03-13 2004-11-02 Eastman Kodak Company OLED display with auxiliary electrode
CN103365014B (zh) * 2013-07-11 2015-12-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板制作方法、显示面板及显示装置
CN103943659B (zh) * 2014-03-31 2017-02-08 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法和显示装置
CN104409455B (zh) * 2014-11-17 2017-06-23 京东方科技集团股份有限公司 一种基板及其制造方法、显示装置
CN107342370B (zh) 2017-07-06 2019-05-07 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN108336125B (zh) 2018-04-20 2023-10-17 京东方科技集团股份有限公司 一种彩膜基板及其制备方法、显示面板、显示装置

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060064425A (ko) * 2004-12-08 2006-06-13 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법
JP2012108561A (ja) * 2010-02-15 2012-06-07 Casio Comput Co Ltd 表示装置及びカメラ
CN102576711A (zh) * 2010-09-21 2012-07-11 松下电器产业株式会社 薄膜晶体管阵列装置、薄膜晶体管阵列装置的制造方法
CN103872040A (zh) * 2012-12-14 2014-06-18 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
CN103700688A (zh) * 2013-12-23 2014-04-02 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板及其制作方法、显示装置
WO2015192542A1 (zh) * 2014-06-20 2015-12-23 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板及其制作方法、显示面板和显示装置
WO2015196613A1 (zh) * 2014-06-26 2015-12-30 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板及其制造方法、显示面板
CN104280930A (zh) * 2014-10-11 2015-01-14 深圳市华星光电技术有限公司 彩膜基板的制作方法、彩膜基板及液晶显示面板
CN105467667A (zh) * 2016-01-28 2016-04-06 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板及其制备方法、显示面板和显示装置
CN106066551A (zh) * 2016-08-12 2016-11-02 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN107706210A (zh) * 2017-08-18 2018-02-16 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板、oled显示面板的制造方法及显示装置
CN107706226A (zh) * 2017-10-18 2018-02-16 京东方科技集团股份有限公司 对向基板、其制作方法、有机发光显示面板及显示装置
CN107845662A (zh) * 2017-10-27 2018-03-27 京东方科技集团股份有限公司 一种彩膜基板及其制作方法和显示装置
CN208014705U (zh) * 2018-04-20 2018-10-26 京东方科技集团股份有限公司 一种彩膜基板、显示面板及显示装置

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