CN205264704U - 显示基板及显示装置 - Google Patents
显示基板及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN205264704U CN205264704U CN201620006730.7U CN201620006730U CN205264704U CN 205264704 U CN205264704 U CN 205264704U CN 201620006730 U CN201620006730 U CN 201620006730U CN 205264704 U CN205264704 U CN 205264704U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- touch
- base plate
- lead
- control electrode
- display base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
本实用新型是关于一种显示基板及显示装置，属于显示技术领域。显示基板包括：栅极线、闸集成电路、数据集成电路、数据线、栅极引入线和触控电极引入线；栅极引入线连接栅极线和闸集成电路，栅极引入线从闸集成电路一侧沿数据线方向延伸至与栅极线相连接处；触控电极引入线与数据集成电路相连，触控电极引入线从数据集成电路一侧沿数据线方向延伸至栅极引入线与栅极线相连接处下方。本实用新型通过设置不相交的栅极引入线和触控电极引入线，避免了信号间干扰，提高了显示和触控效果，且所设置的栅极引入线和触控电极引入线均未贯穿整个显示基板，节省了空间，使得显示装置的边框更窄。
Description
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断进步，LCD(LiquidCrystalDisplay，液晶显示器)、OLED(OrganicLight-EmittingDiode，有机发光二极管)等显示器已广泛地应用于笔记本电脑、智能手机、电视机的显示设备中。InCellTouch实现了一站式生产，是触控加显示的最终解决方案，将触控面板和LCD真正地结合在一起，具有集成化、轻薄、低成本、低功耗、高画质、多点触控等优势，已成为显示领域未来的发展方向。
当前市场上所销售的InCellTouch产品，具有两套独立的扫描寻址线路，一套扫描寻址线路包括触控发射线和触控感应线，用以实现触控功能，一套扫描选址线路包括栅极线和数据线，用以实现显示功能。独立设置的两套寻址线路，使得显示装置的边框较大，且当用于实现显示功能的栅极线和数据线与用于实现触控功能的触控发射线和触控感应线相交时，显示信号和触控信号将彼此互相干扰，导致触控和显示效果均不佳。
实用新型内容
为了解决现有技术的问题，本实用新型实施例提供了一种显示基板、制备方法及显示装置。所述技术方案如下：
第一方面，提供了一种显示基板，所述显示基板包括：栅极线、闸集成电路、数据集成电路及数据线；
所述显示基板还包括栅极引入线和触控电极引入线，每根所述触控电极引入线对应于一根所述栅极引入线，所述栅极引入线设置于靠近所述闸集成电路的一侧，所述触控电极引入线设置于靠近所述数据集成电路的一侧；
所述栅极引入线连接所述栅极线和所述闸集成电路，所述栅极引入线从所述闸集成电路一侧沿所述数据线方向延伸至与所述栅极线相连接处；
所述触控电极引入线与所述数据集成电路相连，所述触控电极引入线从所述数据集成电路一侧沿所述数据线方向延伸至所述栅极引入线与所述栅极线相连接处下方。
可选地，所述显示基板还包括第一过孔；
所述栅极引入线与所述栅极线通过所述第一过孔相连。
可选地，所述显示基板还包括触控电极，所述触控电极被分割为多个触控子电极。
可选地，所述显示基板还包括第二过孔；
所述触控电极引入线通过所述第二过孔与所述触控子电极相连。
可选地，所述栅极引入线设置于所述数据线的一侧；或，
所述栅极引入线设置于相邻两条所述数据线之间。
可选地，所述触控电极引入线设置于所述数据线一侧；或，
所述触控电极引入线设置于相邻两条所述数据线之间。
可选地，所述栅极引入线和所述触控电极引入线均与所述数据线同层设置。
可选地，所述闸集成电路与所述数据集成电路相对设置。
可选地，所述闸集成电路与所述数据集成电路分别设置于所述数据线的两端。
第二方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述第一方面所述的显示基板。
第三方面，提供了一种显示基板的制备方法，所述方法用于制备上述第一方面所述的显示基板，所述方法包括：
在衬底基板上形成栅极金属层图形；
在所述衬底基板上形成源漏极金属层图形；
其中，所述栅极金属层包括所述栅极线，所述源漏极金属层包括所述数据线、所述栅极引入线和所述触控电极引入线。
可选地，所述显示基板为底栅结构，所述显示基板包括：
依次形成于所述衬底基板上的栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、源漏极金属层、钝化层、像素驱动层图形、平坦层、触控电极层；
其中，所述触控电极层包括多个触控子电极，所述栅极绝缘层具有第一过孔，所述栅极线与所述栅极引入线之间通过所述第一过孔连接，所述触控电极引入线上方具有第二过孔，所述触控子电极与所述触控电极引入线一一对应，且通过所述第二过孔连接。
可选地，所述显示基板为顶栅结构，所述显示基板包括：
依次形成于所述衬底基板上的像素驱动层、钝化层、源漏极金属层、有源层、栅极绝缘层、栅极金属层、平坦层、触控电极层；
其中，所述触控电极层包括多个触控子电极，所述栅极绝缘层具有第一过孔，所述栅极线与所述栅极引入线之间通过所述第一过孔连接，所述触控电极引入线上方具有第二过孔，所述触控子电极与所述触控电极引入线一一对应，且通过所述第二过孔连接。
可选地，所述在衬底基板上形成源漏极金属层图形，包括：
在所述衬底基板上沉积源漏极金属薄膜；
在所述源漏极金属薄膜上涂覆一层光刻胶；
采用掩膜版对涂覆光刻胶的衬底基板表面进行曝光处理；
对曝光处理后衬底基板表面进行显影处理；
对显影处理后的衬底基板表面进行刻蚀处理，得到源漏极金属层图形。
本实用新型实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
通过设置不相交的栅极引入线和触控电极引入线，避免了信号间干扰，提高了显示和触控效果，且所设置的栅极引入线和触控电极引入线均未贯穿整个显示基板，节省了空间，使得显示装置的边框更窄。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型一个实施例提供的一种显示基板的结构示意图；
图2是本实用新型另一个实施例提供的一种显示基板的结构示意图；
图3是本实用新型另一个实施例提供的一种显示基板的结构示意图；
图4是本实用新型另一个实施例提供的一种底栅结构的显示基板的制备方法的流程图；
图5是本实用新型另一个实施例提供的一种显示基板的膜层结构示意图；
图6是本实用新型另一个实施例提供的一种顶栅结构的显示基板的制备方法的流程图；
图7是本实用新型另一个实施例提供的一种显示基板的膜层结构示意图；
其中，附图标记为：1、栅极线；2、闸集成电路；3、数据集成电路；4、数据线；5、栅极引入线；6、触控电极引入线；7、第一过孔；8、第二过孔；9、触控子电极；10、第三过孔；40、衬底基板；41、栅极；42、栅极绝缘层；43、有源层；45、钝化层；46、像素驱动层；47、平坦层；48、触控电极层；49、源极；50、漏极。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型实施方式作进一步地详细描述。
本实用新型实施例提供了一种显示基板，该显示基板基于电容式IncellTouch像素设计，采用分时驱动，将显示阶段和触控阶段分开，避免了信号干扰。参见图1，该显示基板包括栅极线1、闸集成电路(即GateIC)2、数据集成电路(即DataIC)3及数据线4。其中，栅极线1与数据线4垂直，栅极线1可以为多条，数据线4也可以为多条。参见图2，闸集成电路2与数据集成电路3相对设置，且闸集成电路2与数据集成电路3设置于数据线4的两端。采用该种设置方式，触控电极被分割为M行、N列，得到M*N个触控子电极9。
为了能够将显示和触控阶段分开，以避免信号干扰，参见图1，该显示基板还包括栅极引入线5和触控电极引入线6。栅极引入线5和触控电极引入线6同层设置，且每根触控电极引入线6对应于一根栅极电极引入线5，栅极引入线5设置于靠近闸集成电路2的一侧，触控电极引入线6设置于靠近数据集成电路3的一侧。在本实施例中，栅极引入线5可以设置于数据线4的一侧，还可以设置于相邻两条数据线4之间。与栅极引入线5具有相同的设计，触控电极引入线6可以设置于数据线4的一侧，还可以设置于相邻两条数据线4之间。该种设计方式在显示领域称为DualGate(双栅)设计，通过采用双栅设计可以减少显示基板中数据线的条数，可以有效减少数据线IC接头的数量，实现降低成本的效果。
在本实施例中，栅极引入线5为将栅极线1引入闸集成电路2的走线，每根栅极引入线5控制一根栅极线1的开启和关闭，当栅极线1开启时，显示基板处于亮屏状态，可实现显示功能；当栅极线1关闭时，显示基板处于暗屏状态。
参见图3，栅极引入线5连接栅极线1与闸集成电路2，栅极引入线5从闸集成电路2一侧沿数据线4方向延伸至与栅极线1相连接处。
参见图3，触控电极引入线6与数据集成电路3相连。触控电极引入线6从数据集成电路3一侧沿数据线4方向延伸至栅极引入线5与栅极线1相连接处下方，使得触控电极引入线6与栅极引入线5之间相互绝缘，例如间隔预设距离，该预设距离可以为1厘米、0.5厘米等，本实施例不对该预设距离作具体的限定。触控电极引入线6设置于栅极引入线1下方的空间有利于实现窄边框。
参见图1，显示基板还包括第一过孔7。在本实施例中，栅极线1与栅极引入线5通过该第一过孔7相连，并通过栅极引入线5连接到闸集成电路2的内部，从而实现栅极线1开关功能，完成显示基板的正常显示。
参见图1，显示基板还包括第二过孔8，触控电极引入线6通过第二过孔8与触控子电极相连。触控子电极通过触控电极引入线6连接到数据集成电路3内部，实现触控功能。
上述图1仅示出了显示基板中的一个结构单元，实际应用中显示基板包括多个如图1所示的结构单元，对于其他结构单元的连接关系与上述图1中所述的结构单元相同，本实施例不再一一进行说明。
参见图3，随着显示基板中栅极线1从上到下排列，用于连接栅极线1与栅极引入线5的第一过孔7的位置可呈台阶式逐级下降，还可呈台阶式逐级上升。实际上第二过孔7与第一过孔6具有相同模式，可呈台阶式逐级下降，还可呈台阶式逐级上升。
本实用新型实施例提供的阵列基板，通过设置不相交的栅极引入线和触控电极引入线，避免了信号间干扰，提高了显示和触控效果，且所设置的栅极引入线和触控电极引入线均未贯穿整个显示基板，节省了空间，使得显示装置的边框更窄。
上述所有可选技术方案，可以采用任意结合形成本实用新型的可选实施例，在此不再一一赘述。
本实用新型实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括显示基板，该显示基板如上述图1至图3所示的任一显示基板。在实际应用中，该显示装置可以为智能手机、平板电脑、智能电视、台式电脑、数码相框机导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本实用新型实施例提供的显示装置，通过设置不相交的栅极引入线和触控电极引入线，避免了信号间干扰，提高了显示和触控效果，且所设置的栅极引入线和触控电极引入线均未贯穿整个显示基板，节省了空间，使得显示装置的边框更窄。
在显示领域，显示基板有底栅结构和顶栅结构，不同结构的显示基板的制备方法是不同的。针对这两种不同结构的显示基板在制备时，下面将分别进行介绍。
本实用新型实施例提供的一种底栅结构的显示基板的制备方法，参见图4，具体所形成的膜层结构可参见图5，图5所示的剖面图为沿图1中AA’切割得到的，本实用新型实施例提供的方法流程包括：
步骤401、在衬底基板上形成栅极金属层。
4011、使用标准方法清洗衬底基板。
4012、采用sputter(溅射)设备在衬底基板40上沉积栅极金属层薄膜。
其中，栅极金属层薄膜可以为由Al、Cr、W、Ti、Ta、Mo、Cu等金属或Al、Cr、W、Ti、Ta、Mo、Cu等至少两种金属构成的金属薄膜，还可以为由多个金属层薄膜构成的复合层薄膜，且该栅极金属层薄膜的厚度范围为200～1000nm。
4013、采用构图工艺在衬底基板40上形成栅极金属层。
通过光刻工艺在衬底基板40上定义出栅极金属层的图形，对该衬底基板进行湿刻，剥离光刻胶，在衬底基板40上形成栅极金属层，该栅极金属层包括栅极线1、栅极41。
步骤402、在完成步骤401的衬底基板上形成栅极绝缘层42。
采用PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，等离子体增强化学气相沉积法)设备在栅极金属层图形41上沉积一层栅极绝缘薄膜，该薄膜可以为SiO2、Si3N4、SiOxNy等构成的单层薄膜或多层薄膜，且该薄膜的厚度为5nm～300nm，通过构图工艺形成包括第一过孔7的栅极绝缘层42。
步骤403、在完成步骤402的衬底基板上形成有源层43。
采用sputter设备在步骤402得到的衬底基板40上沉积一层氧化物有源层，该有源层可以为IGZO、ZnO、ZnON、ITZO等单元或多元氧化物半导体材料，该有源层的厚度为5nm～250nm。通过光刻工艺在基板上定义出有源层的图形，对衬底基板进行湿刻，剥离光刻胶，在衬底基板40上形成有源层43。
步骤404、在完成步骤403的衬底基板上形成源漏极金属层。
其中，源漏极金属层包括数据线(图中未示出)、栅极引入线5、触控电极引入线6、源极49和漏极50。源漏极金属层的制作过程如下：
4041、在衬底基板上沉积源漏极金属薄膜。
4042、在源漏极金属薄膜上涂覆一层光刻胶。
4043、采用掩膜版对涂覆光刻胶的衬底基板表面进行曝光处理。
4044、对曝光处理后衬底基板表面进行显影处理。
4045、对显影处理后的衬底基板表面进行刻蚀处理，得到源漏极金属层，其中栅极引入线5通过第一过孔7和栅极线1相连接。
步骤405、在完成步骤404的衬底基板上形成钝化层45。
采用PECVD设备在步骤404中得到的衬底基板上形成钝化材料薄膜层，通过光刻工艺定义出包括第三过孔10的图形，经过干刻，剥离光刻胶，在衬底基板上形成钝化层45。
步骤406、在完成步骤405的衬底基板上形成像素驱动层46。
在步骤405得到的衬底基板上形成一层ITO(IndiumTinOxide，氧化铟锡)薄膜，通过构图工艺得到像素驱动层46，像素驱动层46通过第三过孔10与漏极50相连接。
步骤407、在完成步骤406的衬底基板上形成平坦层47。
采用PECVD设备在衬底基板40上沉积无机材料薄膜层，光刻定义出包括第二过孔8的图形，经过干刻，剥离光刻胶，得到平坦层47，其中第二过孔8依次穿过平坦层47和钝化层45到达触控电极引入线6。
步骤408、在完成步骤407的衬底基板上形成触控电极层48。
在步骤407得到的衬底基板上形成一层ITO(IndiumTinOxide，氧化铟锡)薄膜，通过构图工艺得到触控电极层48，触控电极层48包括多个触控子电极9，且触控子电极9通过过孔8和触控电极引入线6相连接。
经过上述制备方法所制备的显示基板中，栅极金属层包括栅极线，源漏极金属层包括数据线、栅极引入线和触控电极引入线，触控电极层图形包括多个触控子电极，栅极绝缘层具有第一过孔，栅极线与栅极引入线之间通过第一过孔连接，触控电极引入线上方具有第二过孔，触控子电极与触控电极引入线一一对应，且通过第二过孔连接。。
本实用新型实施例提供的方法，通过设置不相交的栅极引入线和触控电极引入线，避免了信号间干扰，提高了显示和触控效果，且所设置的栅极引入线和触控电极引入线均未贯穿整个显示基板，节省了空间，使得显示装置的边框更窄。
本实用新型实施例提供的一种顶栅结构的显示基板的制备方法，参见图6，具体所形成的膜层结构可参见图7，图7所示的剖面图为与图5的切割位置基本相同，本实用新型实施例提供的方法流程包括：
步骤701、在衬底基板40上形成像素驱动层46。
在衬底基板40上形成一层ITO薄膜，通过构图工艺得到像素驱动层46。
步骤702、在完成步骤701的衬底基板上形成钝化层45。
采用PECVD设备在步骤701中得到的衬底基板上形成钝化材料薄膜层，通过光刻工艺定义出包括第三过孔10的图形，经过干刻，剥离光刻胶，在衬底基板上形成钝化层45。
步骤703、在完成步骤702的衬底基板上形成源漏极金属层。
其中，源漏极金属层包括源极49、漏极50、栅极引入线5和触控电极引入线6。源漏极金属层的制作过程如下：
7031、在衬底基板上沉积源漏极金属薄膜。
7032、在源漏极金属薄膜上涂覆一层光刻胶。
7033、采用掩膜版对涂覆光刻胶的衬底基板表面进行曝光处理。
7034、对曝光处理后衬底基板表面进行显影处理。
7035、对显影处理后的衬底基板表面进行刻蚀处理，得到源漏极金属层，其中，漏极50通过第三过孔10与像素驱动层46相连接。
步骤704、在完成步骤703的衬底基板上形成有源层43。
采用sputter设备在步骤703得到的衬底基板40上沉积一层氧化物有源层，该有源层可以为IGZO、ZnO、ZnON、ITZO等单元或多元氧化物半导体材料，该有源层的厚度为5nm～250nm。通过光刻工艺在基板上定义出有源层的图形，对衬底基板进行湿刻，剥离光刻胶，在衬底基板40上形成有源层43。
步骤705、在完成步骤704的衬底基板上形成栅极绝缘层42。
采用PECVD设备在有源层43上方沉积一层栅极绝缘材料薄膜，该薄膜可以为SiO2、Si3N4、SiOxNy等构成的单层薄膜或多层薄膜，且该薄膜的厚度为5nm～300nm，通过构图工艺形成包括第一过孔7的栅极绝缘层42。
步骤706、在完成步骤705的衬底基板上形成栅极金属层。
通过光刻工艺在衬底基板40上定义出栅极金属层的图形，对该衬底基板进行湿刻，剥离光刻胶，在衬底基板40上形成栅极金属层，该栅极金属层包括栅极线1、栅极41。
步骤707、在完成步骤706的衬底基板上形成平坦层47。
采用PECVD设备在衬底基板上沉积无机材料钝化层，光刻定义出包括第二过孔8的图形，经过干刻，剥离光刻胶，得到平坦层47，其中第二过孔8依次穿过平坦层47和栅极绝缘层42到达触控电极引入线6。
步骤708、在完成步骤707的衬底基板上形成触控电极层48。
在步骤707得到的衬底基板上形成一层ITO(IndiumTinOxide，氧化铟锡)薄膜，通过构图工艺得到触控电极层48，触控电极层48包括多个触控子电极9，且触控子电极9通过第二过孔8和触控电极引入线6相连接。
经过上述制备方法所制备的显示基板中，栅极金属层包括栅极线，源漏极金属层包括源极、漏极、栅极引入线和触控电极引入线，触控电极层包括多个触控子电极，栅极绝缘层具有第一过孔，栅极线与栅极引入线之间通过第一过孔连接，触控电极引入线上方具有第二过孔，触控子电极与触控电极引入线一一对应，且通过第二过孔连接。
本实用新型实施例提供的方法，通过设置不相交的栅极引入线和触控电极引入线，避免了信号间干扰，提高了显示和触控效果，且所设置的栅极引入线和触控电极引入线均未贯穿整个显示基板，节省了空间，使得显示装置的边框更窄。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成，也可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括：栅极线、闸集成电路、数据集成电路及数据线；
所述显示基板还包括栅极引入线和触控电极引入线，每根所述触控电极引入线对应于一根所述栅极引入线，所述栅极引入线设置于靠近所述闸集成电路的一侧，所述触控电极引入线设置于靠近所述数据集成电路的一侧；
所述栅极引入线连接所述栅极线和所述闸集成电路，所述栅极引入线从所述闸集成电路一侧沿所述数据线方向延伸至与所述栅极线相连接处；
所述触控电极引入线与所述数据集成电路相连，所述触控电极引入线从所述数据集成电路一侧沿所述数据线方向延伸至所述栅极引入线与所述栅极线相连接处下方。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括第一过孔；
所述栅极引入线与所述栅极线通过所述第一过孔相连接。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括触控电极，所述触控电极被分割为多个触控子电极。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括第二过孔；
所述触控电极引入线通过所述第二过孔与所述触控子电极相连接。
5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述栅极引入线设置于所述数据线的一侧；或，
所述栅极引入线设置于相邻两条所述数据线之间。
6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述触控电极引入线设置于所述数据线一侧；或，
所述触控电极引入线设置于相邻两条所述数据线之间。
7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述栅极引入线和所述触控电极引入线均与所述数据线同层设置。
8.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述闸集成电路与所述数据集成电路相对设置。
9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述闸集成电路与所述数据集成电路分别设置于所述数据线的两端。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括上述权利要求1至9任一项权利要求所述的显示基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201620006730.7U CN205264704U (zh) | 2016-01-04 | 2016-01-04 | 显示基板及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201620006730.7U CN205264704U (zh) | 2016-01-04 | 2016-01-04 | 显示基板及显示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN205264704U true CN205264704U (zh) | 2016-05-25 |
Family
ID=56006214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201620006730.7U Active CN205264704U (zh) | 2016-01-04 | 2016-01-04 | 显示基板及显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN205264704U (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105575977A (zh) * | 2016-01-04 | 2016-05-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、制备方法及显示装置 |
| CN110634793A (zh) * | 2019-09-26 | 2019-12-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 |
| CN111243500A (zh) * | 2018-11-29 | 2020-06-05 | 上海和辉光电有限公司 | 显示面板 |
-
2016
- 2016-01-04 CN CN201620006730.7U patent/CN205264704U/zh active Active
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105575977A (zh) * | 2016-01-04 | 2016-05-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、制备方法及显示装置 |
| WO2017118123A1 (en) * | 2016-01-04 | 2017-07-13 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate, fabrication method for forming the same, and display device containing the same |
| CN105575977B (zh) * | 2016-01-04 | 2018-11-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、制备方法及显示装置 |
| CN111243500A (zh) * | 2018-11-29 | 2020-06-05 | 上海和辉光电有限公司 | 显示面板 |
| CN110634793A (zh) * | 2019-09-26 | 2019-12-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105094486B (zh) | 内嵌式自电容触控显示面板及其制作方法 | |
| CN203883006U (zh) | 一种阵列基板及显示装置 | |
| CN203941365U (zh) | 阵列基板、显示面板及显示装置 | |
| CN102955312B (zh) | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
| CN204422935U (zh) | 一种阵列基板和显示装置 | |
| CN104409455B (zh) | 一种基板及其制造方法、显示装置 | |
| CN103904086A (zh) | 一种薄膜晶体管阵列基板 | |
| CN101241278A (zh) | 边缘场开关模式lcd | |
| CN103309108A (zh) | 阵列基板及其制造方法、显示装置 | |
| CN103474437B (zh) | 一种阵列基板及其制备方法与显示装置 | |
| CN204028530U (zh) | 一种阵列基板和显示装置 | |
| CN102929060B (zh) | 阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
| CN102881688A (zh) | 一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法 | |
| CN102655155A (zh) | 阵列基板及其制造方法和显示装置 | |
| CN105093750A (zh) | Tft阵列基板结构及其制作方法 | |
| CN102709241A (zh) | 一种薄膜晶体管阵列基板及制作方法和显示装置 | |
| CN204101855U (zh) | 阵列基板、显示面板及显示装置 | |
| CN103838048B (zh) | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
| CN205264704U (zh) | 显示基板及显示装置 | |
| CN103700628A (zh) | 阵列基板制作方法、阵列基板及显示装置 | |
| CN103021940A (zh) | 阵列基板及其制造方法、显示装置 | |
| CN104867878A (zh) | 一种ltps阵列基板及其制作方法 | |
| CN105575977A (zh) | 显示基板、制备方法及显示装置 | |
| CN103278971A (zh) | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 | |
| CN204028524U (zh) | 显示基板及显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |