CN107728397B - 显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示面板，包括基板、对向基板、液晶层、像素阵列、以及第一偏光图案。对向基板相对于基板设置。液晶层位于基板以及对向基板之间。像素阵列位于基板与液晶层之间。像素阵列包括多条扫描线、多条数据线、多个主动元件以及多个第一电极。主动元件与扫描线及数据线电性连接。第一电极位于基板上。每一第一电极包括多个狭缝。第一偏光图案于垂直基板方向上分别与第一电极重叠。第一偏光图案位于基板与对向基板之间。第一偏光图案的延伸方向与第一电极的狭缝的延伸方向不同。

Description

显示面板
技术领域
本发明是有关于一种显示面板，且特别是有关于一种包括偏光图案的显示面板。
背景技术
光是一种电磁波，包含了交互作用的电场与磁场。光的电场方向被称为“偏振方向(Polarized direction)”。若光前进的时候，其偏振方向一直在改变，称为“非偏振光(Nonpolarized light)”。若光前进的时候，其偏振方向固定不变，则称为“偏振光(Polarizedlight)”。
偏光片是一种只能让朝着某特定方向偏振的光通过的元件，其能吸收沿着特定方向偏振的光，使非偏振光转变为偏振光。在显示装置中(例如：液晶显示器)，会利用偏光片来控制光线的通过。然而，目前的偏光片都是贴在液晶面板基板的外侧，这种做法使液晶面板需要额外的一道工序，除了会增加液晶面板的生产时间外，还会产生额外的制造成本。因此，目前亟需一种能解决前述问题的方法。
发明内容
本发明提供一种显示面板，不需要额外的在基板外侧形成偏光片，能增加显示面板的产率并减少显示面板的制造成本。
本发明的一种显示面板，包括基板、对向基板、液晶层、像素阵列以及第一偏光图案。对向基板相对于基板设置。液晶层位于基板以及对向基板之间。像素阵列位于基板与液晶层之间。像素阵列包括多条扫描线、多条数据线、多个主动元件以及多个第一电极。数据线与扫描线交错设置。主动元件与扫描线及数据线电性连接。第一电极位于基板上。每一第一电极包括多个狭缝。第一偏光图案于垂直基板方向上分别与第一电极重叠。第一偏光图案位于基板与对向基板之间。第一偏光图案的延伸方向与第一电极的狭缝的延伸方向不同。
基于上述，在本发明的显示面板中，第一偏光图案位于基板与对向基板之间。因此，不需要额外的在基板及/或对向基板的外侧形成偏光片，除了能增加显示面板的产率之外，还能减少显示面板的制造成本。此外，本发明的第一偏光图案的延伸方向与像素阵列中的第一电极的狭缝的延伸方向不同，配合配向膜的配向，使显示面板可具较佳的偏光效果，提高液晶效率。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
图1A是依照本发明的一实施例的一种显示面板的上视示意图。
图1B是沿着图1A中剖线AA’的剖面示意图。
图1C是沿着图1A中剖线BB’的剖面示意图。
图2A是依照本发明的另一实施例的一种显示面板的上视示意图。
图2B是沿着图2A中剖线CC’的剖面示意图。
图2C是沿着图2A中剖线DD’的剖面示意图。
图3A是依照本发明的又一实施例的一种显示面板的上视示意图。
图3B是沿着图2A中剖线EE’的剖面示意图。
图3C是沿着图2A中剖线FF’的剖面示意图。
图4A是依照本发明的再一实施例的一种显示面板的上视示意图。
图4B是沿着图4A中剖线GG’的剖面示意图。
图5是依照本发明的更一实施例的一种显示面板的剖面示意图。
图6A是依照本发明的再又一实施例的一种显示面板的上视示意图。
图6B是沿着图6A中剖线HH’的剖面示意图。
其中，附图标记：
10、20、30、40、50、60：显示面板
100：基板
102、104、106、108、202、204：绝缘层
200：对向基板
110：第一辅助电极
120：第二电极
130：第一电极
210：第二辅助电极
P1、P2、P3、P4、P5：第一偏光图案
SL：扫描线
DL：数据线
TFT：主动元件
G：栅极
SM：半导体层
D：漏极
S：源极
PA：像素阵列
LC：液晶层
D1、D2、D3、E1、E2、E3、E4、E5、E6：方向
T：狭缝
W：宽度
GP：间隙
C：接触窗
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
图1A是依照本发明的一实施例的一种显示面板的上视示意图。图1B是沿着图1A中剖线AA’的剖面示意图。图1C是沿着图1A中剖线BB’的剖面示意图。需注意的是，图1A～图1C所画出的第一偏光图案P1的条状图案的数量以及尺寸仅仅是用来示意，并非用来限制本发明的条状图案的数量以及尺寸。
请同时参考图1A～图1C，显示面板10包括基板100、对向基板200、液晶层LC、像素阵列PA以及第一偏光图案P1。
基板100的材质可为玻璃、石英、有机聚合物或是其他可适用的材料。对向基板200相对于基板100设置。液晶层LC位于基板100以及对向基板200之间。像素阵列PA位于基板100与液晶层LC之间。
在一实施例中，像素阵列PA包括多条扫描线SL、多条数据线DL、多个主动元件TFT、多个第一电极130以及多个第二电极120。
扫描线SL位于基板100上。数据线DL位于扫描线SL上方，且与扫描线SL交错设置。在一实施例中，扫描线SL与数据线DL之间夹有绝缘层102。在一实施例中，扫描线SL的延伸方向D2实质上垂直于数据线DL的延伸方向D3，然而本发明不以此为限。在其他实施例中，扫描线SL的延伸方向D2与数据线DL的延伸方向D3之间夹有锐角或钝角。
主动元件TFT包括栅极G、半导体层SM、源极S以及漏极D。栅极G与扫描线SL电性连接。半导体层SM位于栅极G上方，并与栅极G之间隔有绝缘层。源极S以及漏极D位于半导体层SM上。源极S与数据线DL电性连接。在本实施例中，主动元件TFT为底栅极薄膜晶体管，然而本发明不以此为限。在其他实施例中，主动元件TFT也可以是顶栅极薄膜晶体管或其他种类的开关元件。
在本实施例中，像素阵列PA还包括位于数据线DL上方的多个第一辅助电极110。第一辅助电极110和数据线DL彼此分隔。在一实施例中，第一辅助电极110与数据线DL之间夹有绝缘层104。在一实施例中，第一辅助电极110的延伸方向等于数据线DL的延伸方向D3，然而本发明不以此为限。在其他实施例中，第一辅助电极110的延伸方向与数据线DL的延伸方向D3之间夹有夹角。又虽然本实施例中的像素阵列PA包含了第一辅助电极110，然而并非代表本发明的像素阵列PA中一定要有第一辅助电极110。在一些实施例中，像素阵列PA也可以不具有第一辅助电极110以及绝缘层104。在一些实施例中，第一辅助电极110用以作为触控电极。
第一电极130与第二电极120位于基板100上。第二电极120位于第一电极130与基板100之间或是位于第一电极130与液晶层LC之间。在本实施例中，第二电极120位于第一电极130与基板100之间。第一电极130与第二电极120之间夹有绝缘层108。第二电极120与第一辅助电极110之间夹有绝缘层106。在本实施例中，第二电极120为像素电极，第二电极120通过接触窗C而电性连接至主动元件TFT的漏极D，然而本发明不以此为限。在其他实施例中，第一电极130与第一辅助电极110之间夹有绝缘层106，第一电极130与第二电极120之间夹有绝缘层108，亦即，第二电极120位在第一电极130上方，且第二电极120电性连接至主动元件TFT的漏极D。在本实施例中，第一电极130为共用电极，且第一电极130包括多个狭缝T，狭缝T重叠于第二电极120，然而本发明不以此为限。在其他实施例中，作为像素电极的第二电极120包括多个狭缝T。在本实施例中，狭缝T在像素区的延伸方向E1例如等于数据线DL的延伸方向D3，其中像素区例如对应于像素电极的位置，并与像素电极大致上重叠，然而本发明不以此为限。在其他实施例中，狭缝T在像素区的延伸方向与数据线DL的延伸方向D3之间夹有锐角或钝角。在一实施例中，狭缝T在靠近扫描线SL的位置处可以有不同于延伸方向E1的另一延伸方向，且藉由在狭缝T靠近扫描线SL的位置处设计另一延伸方向能进一步帮助液晶的配向。在一实施例中，一部分的第一电极130位于数据线DL的上方并与数据线DL重叠，且与数据线DL具有相同的延伸方向。
第一偏光图案P1于垂直基板100的方向D1上与第二电极120重叠以及与第一电极130部分重叠。第一偏光图案P1位于基板100与对向基板200之间。在本实施例中，第一偏光图案P1设置于基板100和液晶层LC之间，而液晶层LC和对向基板200之间设置有彩色滤光元件CF，对向基板200相对于彩色滤光元件CF的另一侧上具有偏光片PF以及光学补偿膜CM，其中光学补偿膜CM位于偏光片PF和对向基板200之间，然而本发明不以此为限。在其他实施例中，第一偏光图案P1设置于彩色滤光元件CF和液晶层LC之间或是彩色滤光元件CF和对向基板200之间，而偏光片PF和光学补偿膜CM位于基板100相对于像素阵列PA的另一侧上(例如基板100的外侧)，其中光学补偿膜CM位于偏光片PF和基板100之间。在一实施例中，偏光片PF位于无配置第一偏光图案P1的基板100或对向基板200上，且光学补偿膜CM位于偏光片PF和基板100或对向基板200之间。
在一实施例中，第一偏光图案P1与第一辅助电极110属于同一膜层，且彼此分隔。在一实施例中，第一偏光图案P1与第一辅助电极110之间例如隔有绝缘层，使第一偏光图案P1与第一辅助电极110之间不会短路。在一实施例中，第一偏光图案P1与第一辅助电极110例如是利用纳米压印制程同时形成，因此可以减少额外制作第一偏光图案P1的制程，降低生产成本。
在一实施例中，每一个第一偏光图案P1由多个平行条状图案所组成，每一条状图案的宽度W介于15至120纳米(nm)之间，且相邻的条状图案之间的间距GP介于15至120纳米(nm)之间。第一偏光图案P1包括多个独立且朝着延伸方向E2延伸的条状图案，且第一偏光图案P1的延伸方向E2与狭缝T的延伸方向E1不同。
在一实施例中，液晶层LC与基板100之间可以包括配向膜(未绘示)。配向膜具有配向方向，配向方向与偏光图案的延伸方向(例如是第一偏光图案P1的延伸方向E2)大致上平行或大致上垂直。
在一实施例中，液晶层LC包括正型液晶，且第一偏光图案P1的延伸方向E2与该些狭缝T的延伸方向E1的夹角为θ度，-15≦θ≦15，且θ≠0。在一实施例中，第一偏光图案P1的延伸方向E2与该些狭缝T的延伸方向E1的夹角为θ度，-15≦θ≦-2或2≦θ≦15，且在一些较佳的实施例中，-15≦θ≦-5或5≦θ≦15。在一实施例中，第一辅助电极110的延伸方向例如等于数据线DL的延伸方向D3，第一偏光图案P1的延伸方向E2与第一辅助电极110的延伸方向的夹角<45度。
在一实施例中，液晶层LC包括负型液晶，且第一偏光图案P1的延伸方向E2与狭缝T的延伸方向E1的夹角为θ度，且75≦θ≦105，且θ≠90。在一实施例中，第一偏光图案P1的延伸方向E2与该些狭缝T的延伸方向E1的夹角为θ度，75≦θ≦88或92≦θ≦105，且在一些较佳的实施例中，75≦θ≦85或95≦θ≦105。在一实施例中，第一辅助电极110的延伸方向例如等于扫描线SL的延伸方向D2，第一偏光图案P1的延伸方向E2与第一辅助电极110的延伸方向的夹角<45度。
在一实施例中，第一偏光图案P1与第一辅助电极110例如是利用纳米压印制程同时形成，在纳米压印制程中，由于是藉由物理性接触的方式来转印光罩图案，因此，容易产生压印后的离膜问题。在一些实施例中，第一偏光图案P1的延伸方向E2与第一辅助电极110的延伸方向的夹角<45度，离膜时的离膜方向能够尽可能同时接近第一偏光图案P1的延伸方向E2及/或第一辅助电极110的延伸方向，使纳米压印制程的整体良率可以提高。
基于上述，在本发明的显示面板10中，第一偏光图案P1与第一辅助电极110属于同一膜层。因此，不需要额外的在基板100的外侧形成偏光片，除了能增加显示面板10的产率之外，还能减少显示面板10的制造成本。此外，本发明的第一偏光图案P1的延伸方向E2与像素阵列PA中的第一电极130的狭缝T的延伸方向E1不同，配合配向膜的配向，使显示面板10可具较佳的偏光效果，提高液晶效率。
图2A是依照本发明的另一实施例的一种显示面板的上视示意图。图2B是沿着图2A中剖线CC’的剖面示意图。图2C是沿着图2A中剖线DD’的剖面示意图。需注意的是，图2A～图2C所画出的第一偏光图案P2的条状图案的数量以及尺寸仅仅是用来示意，并非用来限制本发明的条状图案的数量以及尺寸。在此必须说明的是，图2A～图2C的实施例沿用图1A～图1C的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
图2A～图2C的实施例与图1A～图1C的实施例的差异主要在于：图1A～图1C的第一偏光图案P1与第一辅助电极110属于同一膜层，图2A～图2C的第一偏光图案P2则与数据线DL属于同一膜层。
在本实施例中，显示面板20包括基板100、对向基板200、液晶层LC、像素阵列PA以及第一偏光图案P2。对向基板200相对于基板100设置。液晶层LC位于基板100以及对向基板200之间。像素阵列PA位于基板100与液晶层LC之间。像素阵列PA包括多条扫描线SL、多条数据线DL、多个主动元件TFT、多个第一电极130以及多个第二电极120。数据线DL与扫描线SL交错设置。主动元件TFT与扫描线SL及数据线DL电性连接，第二电极120与主动元件TFT电性连接。第一电极130位于基板100上。每一第一电极130包括多个狭缝T。第一偏光图案P2于垂直基板100的方向D1上与第二电极120重叠以及与第一电极130部分重叠。第一偏光图案P2位于基板100与对向基板200之间。第一偏光图案P2的延伸方向E3与狭缝T的延伸方向E1不同。
在本实施例中，第一偏光图案P2与数据线DL属于同一膜层，且彼此分隔，且第一偏光图案P2的延伸方向E3与数据线DL的延伸方向D3的夹角<45度。
在一实施例中，第一偏光图案P2与数据线DL例如是利用蚀刻微影制程或是纳米压印制程同时形成，可以减少额外制作第一偏光图案P2的制程。在纳米压印制程中，由于是藉由物理性接触的方式来转印光罩图案，因此，容易产生压印后的离膜问题。在一些实施例中，第一偏光图案P2的延伸方向E3与数据线DL的延伸方向D3的夹角<45度，离膜时的离膜方向能够尽可能同时接近第一偏光图案P2的延伸方向E3与数据线DL的延伸方向D3，使纳米压印制程的整体良率可以提高。
基于上述，在本发明的显示面板20中，第一偏光图案P2与数据线DL属于同一膜层。因此，不需要额外的在基板100的外侧形成偏光片，除了能增加显示面板20的产率之外，还能减少显示面板20的制造成本。此外，本发明的第一偏光图案P2的延伸方向E3与像素阵列PA中的第一电极130的狭缝T的延伸方向E1不同，配合配向膜的配向，使显示面板20可具较佳的偏光效果，提高液晶效率。
图3A是依照本发明的另一实施例的一种显示面板的上视示意图。图3B是沿着图3A中剖线EE’的剖面示意图。图3C是沿着图3A中剖线FF’的剖面示意图。需注意的是，图3A～图3C所画出的第一偏光图案P3的条状图案的数量以及尺寸仅仅是用来示意，并非用来限制本发明的条状图案的数量以及尺寸。
在此必须说明的是，图3A～图3B的实施例沿用图1A～图1C的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
图3A～图3C的实施例与图1A～图1C的实施例的差异主要在于：图1A～图1C的第一偏光图案P1与第一辅助电极110属于同一膜层，图3A～图3C的第一偏光图案P3则与扫描线SL属于同一膜层。
在本实施例中，显示面板30包括基板100、对向基板200、液晶层LC、像素阵列PA以及第一偏光图案P3。对向基板200相对于基板100设置。液晶层LC位于基板100以及对向基板200之间。像素阵列PA位于基板100与液晶层LC之间。像素阵列PA包括多条扫描线SL、多条数据线DL、多个主动元件TFT、多个第一电极130以及多个第二电极120。数据线DL与扫描线SL交错设置。主动元件TFT与扫描线SL及数据线DL电性连接，第二电极120与主动元件TFT电性连接。第一电极130位于基板100上。每一第一电极130包括多个狭缝T。第一偏光图案P3于垂直基板100的方向D1上与第二电极120重叠以及与第一电极130部分重叠。第一偏光图案P3位于基板100与对向基板200之间。第一偏光图案P3的延伸方向E4与狭缝T的延伸方向E1不同。
在一实施例中，液晶层LC包括负型液晶，且第一偏光图案P3的延伸方向E4与狭缝T的延伸方向E1的夹角为θ度，且75≦θ≦105，且θ≠90。在一实施例中，第一偏光图案P3的延伸方向E4与该些狭缝T的延伸方向E1的夹角为θ度，75≦θ≦88或92≦θ≦105，且在一些较佳的实施例中，75≦θ≦85或95≦θ≦105。
在本实施例中，第一偏光图案P3与扫描线SL属于同一膜层，且彼此分隔，且第一偏光图案P3的延伸方向E4与扫描线SL的延伸方向D2的夹角<45度。
在一实施例中，第一偏光图案P3与扫描线SL例如是利用蚀刻微影制程或是纳米压印制程同时形成，可以减少额外制作第一偏光图案P3的制程。在纳米压印制程中，由于是藉由物理性接触的方式来转印光罩图案，因此，容易产生压印后的离膜问题。在一些实施例中，第一偏光图案P3的延伸方向E4与扫描线SL的延伸方向D2的夹角<45度，离膜时的离膜方向能够尽可能同时接近第一偏光图案P3的延伸方向E4与扫描线SL的延伸方向D2，使纳米压印制程的整体良率可以提高。
基于上述，在本发明的显示面板30中，第一偏光图案P3与扫描线SL属于同一膜层。因此，不需要额外的在基板100的外侧形成偏光片，除了能增加显示面板30的产率之外，还能减少显示面板30的制造成本。此外，本发明的第一偏光图案P3的延伸方向E4与像素阵列PA中的第一电极130的狭缝T的延伸方向E1不同，配合配向膜的配向，使显示面板30可具较佳的偏光效果，提高液晶效率。
图4A是依照本发明的再一实施例的一种显示面板的剖面示意图。图4B是沿着图4A中剖线GG’的剖面示意图。需注意的是，图4A、图4B所画出的第一偏光图案P4的条状图案的数量以及尺寸仅仅是用来示意，并非用来限制本发明的条状图案的数量以及尺寸。
在此必须说明的是，图4A、图4B的实施例沿用图1A～图1C的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
图4A、图4B的实施例与图1A～图1C的实施例的差异主要在于：图1A～图1C的第一偏光图案P1是设置于液晶层与基板100之间，图4A、图4B的第一偏光图案P4则是设置于液晶层LC与对向基板200之间。
在本实施例中，显示面板40包括基板100、对向基板200、液晶层LC、像素阵列PA以及第一偏光图案P4。对向基板200相对于基板100设置。液晶层LC位于基板100以及对向基板200之间。像素阵列PA位于基板100与液晶层LC之间。像素阵列PA包括多条扫描线SL、多条数据线DL、多个主动元件TFT、多个第一电极130以及多个第二电极120。数据线DL与扫描线SL交错设置。主动元件TFT与扫描线SL及数据线DL电性连接，第二电极120与主动元件TFT电性连接。第一电极130位于基板100上。每一第一电极130包括多个狭缝T。
第一偏光图案P4于垂直基板100的方向D1上与第二电极120重叠以及与第一电极130部分重叠。第一偏光图案P4位于液晶层LC与对向基板200之间。第一偏光图案P4的延伸方向E5与狭缝T的延伸方向E1不同。第一偏光图案P4的延伸方向E5与狭缝T的延伸方向E1之间的夹角为θ度。θ的较佳角度如上述实施例所述。
多个第二辅助电极210位于对向基板200上。在一实施例中，第二辅助电极210的延伸方向与数据线DL的延伸方向D3相同，然而本发明不以此为限。在其他实施例中，第二辅助电极210的延伸方向与扫描线SL的延伸方向D2相同。在本实施例中，第一偏光图案P4与第二辅助电极210属于同一膜层，且第一偏光图案P4的延伸方向E5与第二辅助电极210的延伸方向的夹角<45度。
在一实施例中，像素阵列PA还包括位于扫描线SL上方的多个第一辅助电极110。第一辅助电极110和扫描线SL彼此分隔，且至少隔有绝缘层102。在一实施例中，第一辅助电极110的延伸方向等于扫描线SL的延伸方向D2。在一实施例中，第二辅助电极210与第一辅助电极110都能用以作为触控电极。在一实施例中，第一辅助电极110的延伸方向与第二辅助电极210的延伸方向实质上互相垂直。在一实施例中，第二辅助电极210能用以作为视角控制信号电极。
在一实施例中，第二辅助电极210位于彩色滤光元件CF与对向基板200之间，且第二辅助电极210与彩色滤光元件CF之间夹有绝缘层202，然而本发明不以此为限。在其他实施例中，彩色滤光元件CF位于第二辅助电极210与对向基板200之间。
在本实施例中，彩色滤光元件CF是设置于对向基板200上。然，本发明不限于此，根据其他实施例，彩色滤光元件CF也可以设置于基板100上，以构成彩色滤光层于像素阵列上(color filter on array,COA)的结构。
在本实施例中，基板100相对于像素阵列PA的另一侧上具有光学补偿膜CM。在一实施例中，光学补偿膜CM位于偏光片PF与基板100之间，然而本发明不以此为限。在其他实施例中，基板100上不具有偏光片PF，基板100与液晶层LC之间具有多个第二偏光图案。在一实施例中，第二偏光图案例如是与扫描线、数据线或是第一辅助电极属于同一膜层(例如是利用纳米压印制程而与扫描线、数据线或是第一辅助电极同时形成)。在一实施例中，第二偏光图案位于无配置第一偏光图案的基板100或对向基板200上，且于垂直基板100的方向D1上与第一偏光图案P4重叠。在一实施例中，第二偏光图案的延伸方向垂直于第一偏光图案P4的延伸方向。
基于上述，在本发明的显示面板40中，第一偏光图案P4与第二辅助电极210属于同一膜层。因此，不需要额外的在对向基板200的外侧形成偏光片，除了能增加显示面板40的产率之外，还能减少显示面板40的制造成本。此外，本发明的第一偏光图案P4的延伸方向与像素阵列中的第一电极的狭缝的延伸方向不同，配合配向膜的配向，使显示面板40可具较佳的偏光效果，提高液晶效率。
图5是依照本发明的再一实施例的一种显示面板的剖面示意图。需注意的是，图5所画出的第一偏光图案P4的条状图案的数量以及尺寸仅仅是用来示意，并非用来限制本发明的条状图案的数量以及尺寸。
在此必须说明的是，图5的实施例沿用图4A、图4B的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
图5的实施例与图4A、图4B的实施例的差异主要在于：图4B的第一偏光图案P4以及第二辅助电极210是设置于彩色滤光元件CF与对向基板200之间，图5的第一偏光图案P4以及第二辅助电极210则是设置于液晶层LC与彩色滤光元件CF之间。
在本实施例中，显示面板50包括基板100、对向基板200、液晶层LC、像素阵列PA以及第一偏光图案P4。对向基板200相对于基板100设置。液晶层LC位于基板100以及对向基板200之间。像素阵列PA位于基板100与液晶层LC之间。像素阵列PA包括多条扫描线、多条数据线DL、多个主动元件、多个第一电极130以及多个第二电极120。数据线DL与扫描线交错设置。主动元件与扫描线及数据线DL电性连接，第二电极120与主动元件电性连接。第一电极130位于基板100上。每一第一电极130包括多个狭缝。第一偏光图案P4于垂直基板100的方向D1上与第二电极120重叠以及与第一电极130部分重叠。第一偏光图案P4位于液晶层LC与对向基板200之间。第一偏光图案P4的延伸方向与狭缝的延伸方向不同。
基于上述，在本发明的显示面板50中，第一偏光图案P4与第二辅助电极210属于同一膜层。因此，不需要额外的在对向基板200的外侧形成偏光片，除了能增加显示面板50的产率之外，还能减少显示面板50的制造成本。此外，本发明的第一偏光图案P4的延伸方向与像素阵列中的第一电极130的狭缝的延伸方向不同，有助于液晶层LC中的液晶顺利的沿着预定方向转动。
图6A是依照本发明的再又一实施例的一种显示面板60的上视示意图。图6B是沿着图6A中剖线HH’的剖面示意图。需注意的是，图6A、图6B所画出的第一偏光图案P4及第二偏光图案P5的条状图案的数量以及尺寸仅仅是用来示意，并非用来限制本发明的条状图案的数量以及尺寸。
在此必须说明的是，图6A、图6B的实施例沿用图4A、图4B的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
图6A、图6B的实施例与图4A、图4B的实施例的差异主要在于：基板100与液晶层LC之间具有多个第二偏光图案P5。
在本实施例中，第二偏光图案P5是与第一辅助电极110属于同一膜层，然而本发明不以此为限。在其他实施例中，第二偏光图案P5例如是与扫描线SL或是数据线DL属于同一膜层。
在一实施例中，第二偏光图案P5于垂直基板100的方向D1上与第一偏光图案P4重叠，其中第二偏光图案P5的延伸方向E6相交于第一偏光图案P4的延伸方向E5。在一实施例中，第二偏光图案P5的延伸方向E6垂直于第一偏光图案P4的延伸方向E5。
在一实施例中，基板100或对向基板200的外侧还可以设置有光学补偿膜，然而本发明不以此为限。由于在本实施例中，基板100与液晶层LC之间具有第二偏光图案P5，且对向基板200与液晶层LC之间具有第一偏光图案P4，因此，基板100与对向基板200的外侧都不需要额外设置偏光片。
综上所述，本发明的显示面板中，第一偏光图案位于基板与对向基板之间。因此，不需要额外的在基板及/或对向基板的外侧形成偏光片，除了能增加显示面板的产率之外，还能减少显示面板的制造成本。此外，本发明的第一偏光图案的延伸方向与像素阵列中的第一电极的狭缝的延伸方向不同，配合配向膜的配向，使显示面板可具较佳的偏光效果，提高液晶效率。
虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。

Claims (20)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
一基板；
一对向基板，相对于该基板设置；
一液晶层，位于该基板以及该对向基板之间；
一像素阵列，位于该基板与该液晶层之间，该像素阵列包括：
多条扫描线；
多条数据线，与该些扫描线交错设置；
多个主动元件，与该些扫描线及该些数据线电性连接；
多个第一电极，位于该基板上，且每一该些第一电极包括多个狭缝；
多个第一偏光图案，于一垂直基板方向上分别与该些第一电极重叠，该些第一偏光图案位于该基板与该对向基板之间，且该些第一偏光图案的延伸方向与该些第一电极的该些狭缝的延伸方向不同，该些第一电极的该些狭缝在靠近该些扫描线的位置处有不同于该些第一电极的该些狭缝在像素区的延伸方向的另一延伸方向；以及
多个第二电极，位于该基板上，该些第一电极与该些第二电极之间夹有一绝缘层。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，更包括：
该些第二电极于该垂直基板方向上与该些第一偏光图案重叠，其中该些第二电极分别与该些主动元件电性连接。
3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于：
该液晶层包括正型液晶；且
该些第一偏光图案的该延伸方向与该些狭缝的该延伸方向之间的夹角为θ度，-15≦θ≦15，且θ≠0。
4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，该第一偏光图案设置于该基板和该液晶层之间；且该显示面板更包括：
一光学补偿膜于该对向基板上。
5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，
该些第一偏光图案与该些数据线属于同一膜层，且彼此分隔，且
该些第一偏光图案的该延伸方向与该些数据线的延伸方向之间的夹角<45度。
6.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，更包括：
多个第一辅助电极，位于该些数据线上方，该些第一辅助电极和该些数据线彼此分隔，其中
该些第一偏光图案与该些第一辅助电极属于同一膜层，且彼此分隔；且
该些第一偏光图案的该延伸方向与该些第一辅助电极的延伸方向之间的夹角<45度。
7.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，更包括：
一光学补偿膜，位于该基板相对于该像素阵列的另一侧上；且
其中该第一偏光图案设置于该对向基板和该液晶层之间。
8.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，更包括：
多个第二辅助电极，位于该对向基板上，且该些第二辅助电极的延伸方向与该些数据线的延伸方向相同，该些第一偏光图案与该些第二辅助电极属于同一膜层；且
其中该些第一偏光图案的该延伸方向与该些第二辅助电极的该延伸方向之间的夹角<45度。
9.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于：
该液晶层包括负型液晶；且
该些第一偏光图案的该延伸方向与该些狭缝的该延伸方向之间的夹角为θ度，且75≦θ≦105，且θ≠90。
10.如权利要求9所述的显示面板，其特征在于，该第一偏光图案设置于该基板和该液晶层之间；且该显示面板更包括：
一光学补偿膜，位于该对向基板上。
11.如权利要求10所述的显示面板，其特征在于：
该些第一偏光图案与该些扫描线属于同一膜层；且
该些第一偏光图案的该延伸方向与该些扫描线的延伸方向之间的夹角<45度。
12.如权利要求10所述的显示面板，其特征在于，更包括：
多个第一辅助电极，位于该些数据线上方，该些第一辅助电极和该些数据线彼此分隔，该些第一偏光图案与该些第一辅助电极属于同一膜层；且
其中该些第一偏光图案的该延伸方向与该些第一辅助电极的延伸方向之间的夹角<45度。
13.如权利要求9所述的显示面板，其特征在于，更包括：
一光学补偿膜，位于该基板相对于该像素阵列的另一侧上；且
其中该第一偏光图案设置于该对向基板和该液晶层之间。
14.如权利要求13所述的显示面板，其特征在于，更包括：
多个第二辅助电极，位于该对向基板上，该些第一偏光图案与该些第二辅助电极属于同一膜层；且
其中该些第一偏光图案的该延伸方向与该些第二辅助电极的延伸方向之间的夹角<45度。
15.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，更包括：
一偏光片，位于无配置该些第一偏光图案的该基板或该对向基板上；以及
一光学补偿膜位于该偏光片和该基板或该对向基板之间。
16.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，每一个该些第一偏光图案由多个平行条状图案所组成，每一该条状图案的宽度介于15至120纳米之间，且相邻的该条状图案之间的间距介于15至120纳米之间。
17.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，更包括：
多个第二偏光图案，位于无配置该些第一偏光图案的该基板或该对向基板上，且于该垂直基板方向上与该些第一偏光图案重叠，其中该些第二偏光图案的延伸方向垂直于该些第一偏光图案的该延伸方向。
18.如权利要求6或12所述的显示面板，其特征在于，该些第一辅助电极用以作为触控电极。
19.如权利要求8或14所述的显示面板，其特征在于，该些第二辅助电极用以作为触控电极或视角控制信号电极。
20.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，该些第二电极位于该些第一电极与该基板之间或是位于该些第一电极与该液晶层之间。
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