CN108987586A - 一种钙钛矿太阳能电池组件及其制备方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 118
- JTCFNJXQEFODHE-UHFFFAOYSA-N [Ca].[Ti] Chemical compound [Ca].[Ti] JTCFNJXQEFODHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 46
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 45
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 41
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 86
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 37
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 31
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 28
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 24
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 22
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims description 22
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 14
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 claims description 13
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 12
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 12
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 11
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 11
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 10
- -1 astatine anion Chemical class 0.000 claims description 9
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 9
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 9
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 claims description 9
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 150000001408 amides Chemical group 0.000 claims description 8
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 8
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 claims description 8
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 8
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 8
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 claims description 8
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 claims description 8
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002585 base Substances 0.000 claims description 7
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 7
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052789 astatine Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 6
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 6
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011133 lead Substances 0.000 claims description 6
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 6
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 5
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical group [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000003739 carbamimidoyl group Chemical group C(N)(=N)* 0.000 claims description 5
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 5
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical group [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 4
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 4
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 4
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052699 polonium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- HZEBHPIOVYHPMT-UHFFFAOYSA-N polonium atom Chemical compound [Po] HZEBHPIOVYHPMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 4
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 claims description 4
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 claims description 4
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 4
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 3
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 claims description 3
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- KZDTZHQLABJVLE-UHFFFAOYSA-N 1,8-diiodooctane Chemical compound ICCCCCCCCI KZDTZHQLABJVLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000954 Polyglycolide Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 2
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 claims description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 2
- RYXHOMYVWAEKHL-UHFFFAOYSA-N astatine atom Chemical compound [At] RYXHOMYVWAEKHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920000747 poly(lactic acid) Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 claims description 2
- 239000004633 polyglycolic acid Substances 0.000 claims description 2
- 239000004626 polylactic acid Substances 0.000 claims description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 2
- 235000019157 thiamine Nutrition 0.000 claims description 2
- 150000003544 thiamines Chemical class 0.000 claims description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 1H-pyrrole Natural products C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 claims 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 claims 1
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims 1
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011435 rock Substances 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 7
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 2
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- PZYDAVFRVJXFHS-UHFFFAOYSA-N n-cyclohexyl-2-pyrrolidone Chemical compound O=C1CCCN1C1CCCCC1 PZYDAVFRVJXFHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- DKLWRIQKXIBVIS-UHFFFAOYSA-N 1,1-diiodooctane Chemical compound CCCCCCCC(I)I DKLWRIQKXIBVIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 description 1
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- RQQRAHKHDFPBMC-UHFFFAOYSA-L lead(ii) iodide Chemical compound I[Pb]I RQQRAHKHDFPBMC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000002341 toxic gas Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
- H10K39/10—Organic photovoltaic [PV] modules; Arrays of single organic PV cells
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/81—Electrodes
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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Abstract
本发明涉及一种钙钛矿太阳能电池组件，包括若干相互分隔的钙钛矿太阳能电池单体以及将各个分隔的钙钛矿太阳能电池单体连接起来的结构化区域，钙钛矿太阳能电池单体包括第一电极2、钙钛矿层3以及第二电极4，钙钛矿层3设置在第一电极2与第二电极4之间。本发明还涉及一种钙钛矿太阳能电池组件的制备方法，包括：（1）第一电极2的制备；（2）制备形成钙钛矿层3所需的第一类钙钛矿前驱体材料BX2的薄膜；（3）把形成钙钛矿层3所需的第二类钙钛矿前驱体材料AX沉积到步骤（2）形成的BX2的薄膜的表面；（4）第二电极4的制备；（5）第二电极4制备后的局部刻蚀。本发明提供一种利用两步法制备钙钛矿太阳能电池组件的方法，实现大面积太阳能电池组件的制备。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域，特别涉及一种钙钛矿太阳能电池组件及其制备方法。
背景技术
现有的制造钙钛矿太阳能电池的技术方案普遍地只适合于制备小面积的电池，用于科学研究而无法大规模生产。少数有关钙钛矿太阳能电池组件的专利则只针对钙钛矿一次涂布成型的成膜工艺。目前，钙钛矿太阳能电池的钙钛矿成膜主要有两种方法：一步法（一次成型）和两步法。一步法成型的工艺因为减少了一个步骤，相对更简单，但是与其相兼容的工艺方法有限，仅限于几种溶液涂布的方法，大面积涂布的薄膜的缺陷较多，同时由于该涂布过程不仅仅是溶剂挥发、溶质沉积的简单过程，还伴随着两种反应物在溶液里反应、结晶形成钙钛矿晶体的过程。因此，一步法的缺点是很难控制反应过程，容易在形成的钙钛矿晶体中产生缺陷。在两步法的方案中，结晶过程得到有效控制，成膜质量更佳。
此外，现有的钙钛矿太阳能电池组件，钙钛矿光伏活性层被夹在透明导电电极和金属电极之间，这样的组件技术方案使得光线只能从透明基底一侧入射。这样限制了基底的选择范围，更限制了对光能的有效利用。
因此，现有技术有待进一步改善。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种钙钛矿太阳能电池组件及其制备方法，首次提供了一种利用两步法制备钙钛矿太阳能电池组件的方法。同时通过调整透明导电电极的部署，可以实现光线从正反两个方向的入射，提高光能利用率，也可以允许在选择基底材料时选择不透明但隔水性更佳的基底材料，提高组件稳定性。
本发明是这样实现的，提供一种钙钛矿太阳能电池组件，包括若干相互分隔的钙钛矿太阳能电池单体以及将各个分隔的钙钛矿太阳能电池单体连接起来的结构化区域，所述钙钛矿太阳能电池单体包括第一电极、钙钛矿层以及第二电极，所述钙钛矿层设置在第一电极与第二电极之间；所述第一电极和第二电极分别可以是透明导电电极和普通金属电极，其中至少有一个是透明导电电极；所述钙钛矿层材料的分子结构为ABX3，所述钙钛矿层由两类钙钛矿前驱体材料先后成膜并相互反应形成，所述的两类钙钛矿前驱体材料分别为BX2和AX，其中，A为铯、铷、胺基、脒基或者碱族中的至少一种阳离子，B为铅、锡、钨、铜、锌、镓、锗、砷、硒、铑、钯、银、镉、铟、锑、锇、铱、铂、金、汞、铊、铋或者钋中的至少一种二价金属阳离子，X为碘、溴、氯、砹中的至少一种阴离子，并且BX2中的X与AX中的X不一定相同。
本发明的一种钙钛矿太阳能电池组件通过调整透明导电电极的部署，可以实现光线从正反两个方向的入射，提高光能利用率，也可以允许在选择基底材料时选择不透明但隔水性更佳的基底材料，提高组件稳定性。
本发明是这样实现的，提供一种前述的钙钛矿太阳能电池组件的制备方法，包括以下步骤：
（1）所述第一电极的制备，和/或制备后的局部刻蚀；
（2）制备形成所述钙钛矿层所需的第一类钙钛矿前驱体材料BX2的薄膜，和/或制备前的局部刻蚀；
（3）把形成所述钙钛矿层所需的第二类钙钛矿前驱体材料AX沉积到步骤（2）形成的BX2的薄膜的表面，和/或制备后的局部刻蚀；
（4）所述第二电极的制备，和/或制备前的局部刻蚀；
（5）所述第二电极制备后的局部刻蚀。
本发明一种前述的钙钛矿太阳能电池组件的制备方法首次提供了一种利用两步法制备钙钛矿太阳能电池组件的方法，将钙钛矿太阳能电池组件中的吸光层分成第一类钙钛矿前驱体材料BX2的薄膜和第二类钙钛矿前驱体材料AX的薄膜分别进行制备，有效控制钙钛矿薄膜的反应过程，提高钙钛矿薄膜的成品质量，增加了钙钛矿太阳能电池的生产可重复性，增加了光能的利用率和稳定性，实现大面积太阳能电池组件的制备。
与现有技术相比，本发明的钙钛矿太阳能电池组件及其制备方法，具有以下特点：
1. 组件制备成本和发电成本比现有晶硅、铜铟镓硒等太阳能电池更低，可以实现光伏发电平价上网；
2. 制备工艺不涉及高温高压以及有毒气体的利用和排放，绿色环保。
附图说明
图1为钙钛矿太阳能电池组件的剖视结构图；
附图1中标记：1为基底，2为第一电极，3为钙钛矿层，4为第二电极，5为结构化区域。
图2为用该方法制备的钙钛矿太阳能电池组件（六结串联）的电流-电压特性曲线。
具体实施方式
为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参照图1所示，本发明钙钛矿太阳能电池组件的较佳实施例，包括若干相互分隔的钙钛矿太阳能电池单体以及将各个分隔的钙钛矿太阳能电池单体连接起来的结构化区域5，该处所指的连接包括相互串联或并联或者串联并联同时有。所述钙钛矿太阳能电池单体以及结构化区域5均设置在基底1上。所述钙钛矿太阳能电池单体包括第一电极2、钙钛矿层3以及第二电极4，所述钙钛矿层3设置在第一电极2与第二电极4之间；所述第一电极2和第二电极4分别可以是透明导电电极和普通金属电极，其中至少有一个是透明导电电极。
所述透明导电电极的材料包括金属-介质材料-金属的组合（metal-dielectric-metal, MDM）、摻氟氧化锡（fluorine doped tin oxide, FTO）、摻铟氧化锡（indium dopedtin oxide, ITO）、石墨烯、氧化石墨烯（reduced graphene oxide, rGO）、摻铝氧化锌（aluminum doped zinc oxide, AZO）、摻氟氧化锌（fluorine doped zinc oxide, FZO）、摻锌氧化锡（zinc doped tin oxide, ZTO）、碳纳米管(carbon nanotubes, CNTs)、金属、金属网格、金属纳米线（metallic nanowires, NWs）、聚乙撑二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸盐)及其高导电性衍生物（PEDOT:PSS）中的至少任意一种。
所述普通金属电极的材料包括金、银、铜、铂、铱、镍、铝、钙、镁、钛、钨、铁、钴、锌、锡、铬、锰、铟以及铅中的至少任意一种。
所述钙钛矿层3材料的分子结构为ABX3，所述钙钛矿层3由两类钙钛矿前驱体材料先后成膜并相互反应形成，所述的两类钙钛矿前驱体材料分别为BX2和AX，其中，A为铯、铷、胺基、脒基或者碱族中的至少一种阳离子，B为铅、锡、钨、铜、锌、镓、锗、砷、硒、铑、钯、银、镉、铟、锑、锇、铱、铂、金、汞、铊、铋或者钋中的至少一种二价金属阳离子，X为碘、溴、氯、砹中的至少一种阴离子，并且BX2中的X与AX中的X不一定相同。
本发明的钙钛矿太阳能电池组件的制备方法，包括以下步骤：
（1）所述第一电极2的制备，和/或制备后的局部刻蚀；
（2）制备形成所述钙钛矿层3所需的第一类钙钛矿前驱体材料BX2的薄膜，和/或制备前的局部刻蚀；
（3）把形成所述钙钛矿层所需的第二类钙钛矿前驱体材料AX沉积到步骤（2）形成的BX2的薄膜的表面，和/或制备后的局部刻蚀；
（4）所述第二电极4的制备，和/或制备前的局部刻蚀；
（5）所述第二电极4制备后的局部刻蚀。
第一电极2的制备的方案一，所述步骤（1）中的第一电极2的制备包括以下步骤：
（11）在清洗干净的柔性或刚性基底1上，利用真空热蒸发、磁控溅射、脉冲激光沉积、原子层沉积、溶液涂布和/或溶液法生长的方法中至少一种制备第一电极2。
真空热蒸发包括电子束沉积。溶液涂布和溶液法生长方法包括水浴生长、电化学沉积、刮刀涂布、狭缝涂布、浸润涂布、线棒涂布、喷墨打印、喷镀、丝网印刷。
第一电极2的制备的方案二，所述步骤（1）中的第一电极2的制备包括以下步骤：
（12）在清洗干净的柔性或刚性基底1上覆盖所需的掩模板；
（13）透过掩模板，利用真空热蒸发、磁控溅射、脉冲激光沉积、原子层沉积中的一种或多种制备第一电极2。
第一电极2的制备的方案三，所述步骤（1）中的第一电极2的制备包括以下步骤：
（14）在清洗干净的柔性或刚性基底1上，利用真空热蒸发、磁控溅射、脉冲激光沉积、原子层沉积、溶液涂布和/或溶液法生长的方法中的至少一种制备第一电极2的第一层，即全覆盖层；
（15）利用压力粘接、掩膜沉积、溶液涂布或者线材轧制方法中的一种或多种，按照预先确定的图案将金属网格或金属纳米线涂布在步骤（14）制成的全覆盖层之上，形成第一电极2的第二层，即网格层。
所述步骤（1）中的制备后的局部刻蚀是指利用激光刻蚀和/或机械刻蚀对第一电极2的局部进行刻蚀，满足结构化连接的需求的方法。
所述步骤（2）中的形成钙钛矿层3所需的第一类钙钛矿前驱体材料BX2的薄膜的制备包括以下步骤：
（21）在完成步骤（1）制备的第一电极2之上，利用真空热蒸发、磁控溅射、脉冲激光沉积、原子层沉积、溶液涂布和/或溶液法生长的方法中的至少一种制备形成钙钛矿层3所需的第一类钙钛矿前驱体材料BX2的薄膜。
所述步骤（2）中的制备前的局部刻蚀是指在进行所述步骤（21）之前对基底1上包括步骤（1）制备的第一电极2在内的基底1上不包括基底1的所有结构进行局部刻蚀，满足结构化连接的需求。
当以真空热蒸发、磁控溅射、脉冲激光沉积或原子层沉积方法制备BX2薄膜层层时，所述BX2的材料是二价金属卤化物；当以所述溶液涂布和溶液法生长的方法制备前驱体层时，所使用的前驱体溶液成分包括：二价金属卤化物BX2以及有机溶剂；其中，所述BX2的浓度为0.2 mol/L ~2mol/L。
所述有机溶剂包括主溶剂及溶剂添加剂，所述主溶剂为酰胺类溶剂、砜类/亚砜类溶剂、酯类溶剂、烃类、卤代烃类溶剂、醇类溶剂、酮类溶剂、醚类溶剂、芳香烃溶剂中的任意一种，或者为N,N-二甲基甲酰胺（DMF）、二甲基亚砜（DMSO）、N-甲基吡咯烷酮（NMP）、γ-丁内酯（GBL）中的任意一种，所述溶剂添加剂为酰胺类溶剂、砜类/亚砜类溶剂、酯类溶剂、烃类、卤代烃类溶剂、醇类溶剂、酮类溶剂、醚类溶剂、芳香烃、DMSO、NMP、1,8-二碘辛烷（DIO）、N-环己基-2-吡咯烷酮（CHP）、氯苯（CB）、甲苯中的至少一种；所述BX2的摩尔浓度为0.2~2mol/L，所述溶剂添加剂与BX2的摩尔比为0~1。
形成所述钙钛矿层3所需的第二类钙钛矿前驱体材料AX沉积到步骤（2）形成的BX2的薄膜的表面的制备的方案一，所述步骤（3）中的AX的沉积包括以下步骤：
（31）在完成步骤（2）制备的BX2薄膜层之上，利用真空热蒸发、磁控溅射、脉冲激光沉积、原子层沉积、溶液涂布方法中的至少一种沉积第二类钙钛矿前驱体材料AX的薄膜。所述第二类钙钛矿前驱体材料AX的薄膜包括材料AX和有机聚合物添加剂，其中，A为铯、铷、胺基、脒基或者碱族中的至少一种阳离子，X为碘、溴、氯、砹中的至少一种阴离子，有机聚合物添加剂为支链或杂链聚合物，绝缘且可溶于所用的主溶剂，具体为聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚乳酸、聚乙烯醇、聚丙烯酸、聚氨酯、聚乙烯亚胺、聚丙烯硫胺、聚苯乙烯磺酸、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇缩丁醛树脂、氟类聚合物中的至少一种，其分子量范围为1000-100000，所述有机聚合物添加剂占AX摩尔量的0.05%~0.5%。
形成所述钙钛矿层3所需的第二类钙钛矿前驱体材料AX沉积到步骤（2）形成的BX2的薄膜的表面的制备的方案二，所述步骤（3）中的AX的薄膜沉积还包括以下步骤：
（32）在沉积所述AX后，对基底1进行以下处理：加热（加热温度35 ~500摄氏度）、溶剂熏蒸和涂布副溶剂，所述处理方式可以是其中的一项或多项，若是多项，可以同时进行，也可以交替进行。
所述溶剂熏蒸处理所使用的溶剂包括酰胺类溶剂、砜类/亚砜类溶剂、酯类溶剂、烃类、卤代烃类溶剂、醇类溶剂、酮类溶剂、醚类溶剂、芳香烃溶剂中的任意一种，或者为N,N-二甲基甲酰胺（DMF）、二甲基亚砜（DMSO）、N-甲基吡咯烷酮（NMP）、γ-丁内酯（GBL）中的任意一种。
所述涂布副溶剂处理所使用的副溶剂包括酰胺类溶剂、砜类/亚砜类溶剂、酯类溶剂、烃类、卤代烃类溶剂、醇类溶剂、酮类溶剂、醚类溶剂、芳香烃溶剂中的任意一种，或者为N,N-二甲基甲酰胺（DMF）、二甲基亚砜（DMSO）、N-甲基吡咯烷酮（NMP）、γ-丁内酯（GBL）中的任意一种。
钙钛矿前驱液各组分材料种类及含量具体如表1所示。
表1 前驱液各组分材料种类及含量
所述步骤（3）中的制备后的局部刻蚀是指在沉积了AX且AX与BX2反应形成钙钛矿层的基底1之上，利用激光刻蚀和/或机械刻蚀对包括钙钛矿层3在内的一层或多层的局部进行刻蚀，满足结构化连接的需求。
第二电极4的制备的方案一，所述步骤（4）中的第二电极4的制备包括以下步骤：
（41）在完成步骤（3）后形成的钙钛矿层3之上，利用真空热蒸发、磁控溅射、脉冲激光沉积、原子层沉积、溶液涂布的方法中的至少一种制备第二电极4。
溶液涂布的方法包括旋涂、刮刀涂布、狭缝涂布、浸润涂布、线棒涂布、喷墨打印、喷镀、丝网印刷。
第二电极4的制备的方案二，所述步骤（4）中的第二电极4的制备包括以下步骤：
（42）在完成步骤（3）后形成的钙钛矿层3之上覆盖所需的掩模板；
（43）透过掩模板，利用真空热蒸发、磁控溅射、脉冲激光沉积、原子层沉积方法中的至少一种制备第二电极4。
第二电极4的制备的方案三，所述步骤（4）中的第二电极4的制备包括以下步骤：
（44）在完成步骤（3）后形成的钙钛矿层3之上，利用真空热蒸发、磁控溅射、脉冲激光沉积、原子层沉积、溶液涂布和/或溶液法生长的方法中的至少一种制备第二电极4的第一层，即全覆盖层；
（45）利用压力粘接、掩膜沉积或者溶液涂布方法中的至少一种按照预先确定的图案将金属网格或金属纳米线涂布在步骤（44）制成第二电极4的全覆盖层之上，形成第二电极4的第二层，即网格层。
所述步骤（4）中的制备前的局部刻蚀是指利用激光刻蚀和/或机械刻蚀对基底1上包括钙钛矿层3在内的一层或多层的局部进行刻蚀，满足结构化连接的需求。
所述步骤（5）中的第二电极4制备后的局部刻蚀包括以下步骤：
（51）在完成步骤（4）制备的第二电极4之上，利用激光刻蚀和/或机械刻蚀对基底1上包括第二电极4在内的一层或多层的局部进行刻蚀，实现结构化连接的目的。
请参照图2所示，为用该方法制备的钙钛矿太阳能电池组件（六结串联）的电流-电压特性曲线。在该曲线中显示该短路电流密度为18.3mA/cm2、开路电压为6.4V、FF为77%、光电转化效率达到15%。
下面结合具体实施例做进一步说明。
制备钙钛矿太阳能电池组件的实施例1：
（1）在清洗干净的玻璃基底1上，利用磁控溅射制备摻锌氧化锡作为第一电极2，制备时，磁控溅射腔体气压维持在10-5mbar，以锌和氧化锡为靶材，进行射频溅射，得到厚度为200nm的摻锌氧化锡。
（2）利用激光刻蚀对摻锌氧化锡的局部进行刻蚀，把摻锌氧化锡划分为面积相等的独立区域。
（3）在完成步骤（2）制备的摻锌氧化锡之上，利用真空热蒸发制备前驱体层PbI2。蒸发腔室气压控制在10-6mbar，在蒸发舟内加入PbI2粉末，均匀蒸发，通过晶振片监测厚度，制得厚度为300nm的PbI2层。
（4）在完成步骤（3）制备的PbI2层之上，利用真空热蒸发的方法沉积MAI。蒸发腔室气压控制在10-6mbar，在蒸发舟内加入MAI粉末，均匀蒸发，通过晶振片监测厚度，蒸发的MAI与PbI2实时反应，最终形成厚度为500nm的钙钛矿层3。
(5)利用激光刻蚀对由PbI2和MAI反应形成的钙钛矿层3的局部进行刻蚀，刻蚀过后恰好暴露位于钙钛矿层3下方的摻锌氧化锡层。
（6）利用真空热蒸发制备300nm的金属银电极作为第二电极4。制备时，热蒸发腔体气压维持在10-6mbar，以0.3nm/秒的速度蒸发，得到厚度为300nm的银。
（7）在完成步骤（6）制备的银电极之上，利用激光刻蚀对银电极的局部进行刻蚀，完全刻穿银电极，并且不伤害摻锌氧化锡层。
制备钙钛矿太阳能电池组件的实施例2：
（1）在清洗干净的PET基底1上，利用刮刀涂布制备高导电率PEDOT:PSS作为第一电极2，制备时，刮刀与基底1间隙为50微米，刮刀移动速度为1500毫米/分钟，得到厚度为100nm的摻锌氧化锡。
（2）利用机械刻蚀对PEDOT:PSS的局部进行刻蚀，把PEDOT:PSS划分为面积相等的独立区域。
（3）在完成步骤（2）制备的PEDOT:PSS之上，利用溶液提拉涂布制备前驱体层PbI2，提拉涂布的溶液溶剂为二甲基亚砜，PbI2摩尔浓度为1.2mol/L，另外溶液里还添加聚氨酯，聚氨酯含量是PbI2的1%，提拉速度为300mm/分钟，制得厚度为400nm的PbI2层。
（4）在完成步骤（3）制备的PbI2之上，利用刮刀涂布的方法沉积FAI。制备时，刮刀与基底1间隙为200微米，刮刀移动速度为300毫米/分钟，光活化层在涂布过程中与PbI2反应，得到厚度为800nm的钙钛矿层3。
(5)利用激光刻蚀对由PbI2和MAI反应形成的钙钛矿层3的局部进行刻蚀，刻蚀过后恰好暴露位于钙钛矿层3下方的PEDOT:PSS层。
（6）利用磁控溅射制备金作为第二电极4，制备时，磁控溅射腔体气压维持在10- 5mbar，以金为靶材，进行射频溅射，得到厚度为100nm的金电极。
（7）在完成步骤（6）制备的金电极之上，利用激光刻蚀对金电极的局部进行刻蚀，完全刻穿金电极，并且不伤害PEDOT:PSS层。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (21)
1.一种钙钛矿太阳能电池组件，其特征在于，包括若干相互分隔的钙钛矿太阳能电池单体以及将各个分隔的钙钛矿太阳能电池单体连接起来的结构化区域，所述钙钛矿太阳能电池单体包括第一电极、钙钛矿层以及第二电极，所述钙钛矿层设置在第一电极与第二电极之间；所述第一电极和第二电极分别可以是透明导电电极和普通金属电极，其中至少有一个是透明导电电极；所述钙钛矿层材料的分子结构为ABX3，所述钙钛矿层由两类钙钛矿前驱体材料先后成膜并相互反应形成，所述的两类钙钛矿前驱体材料分别为BX2和AX，其中，A为铯、铷、胺基、脒基或者碱族中的至少一种阳离子，B为铅、锡、钨、铜、锌、镓、锗、砷、硒、铑、钯、银、镉、铟、锑、锇、铱、铂、金、汞、铊、铋或者钋中的至少一种二价金属阳离子，X为碘、溴、氯、砹中的至少一种阴离子，并且BX2中的X与AX中的X不一定相同。
2.如权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池组件，其特征在于，所述透明导电电极的材料包括金属-介质材料-金属的组合、摻氟氧化锡、摻铟氧化锡、石墨烯、氧化石墨烯、摻铝氧化锌、摻氟氧化锌、摻锌氧化锡、碳纳米管、金属、金属网格、金属纳米线、聚乙撑二氧噻吩-聚及其高导电性衍生物中的至少任意一种；
所述普通金属电极的材料包括金、银、铜、铂、铱、镍、铝、钙、镁、钛、钨、铁、钴、锌、锡、铬、锰、铟以及铅中的至少任意一种。
3.一种如权利要求1或2所述的钙钛矿太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）所述第一电极的制备，和/或制备后的局部刻蚀；
（2）制备形成所述钙钛矿层所需的第一类钙钛矿前驱体材料BX2的薄膜，和/或制备前的局部刻蚀；
（3）把形成所述钙钛矿层所需的第二类钙钛矿前驱体材料AX沉积到步骤（2）形成的BX2的薄膜的表面，和/或制备后的局部刻蚀；
（4）所述第二电极的制备，和/或制备前的局部刻蚀；
（5）所述第二电极制备后的局部刻蚀。
4.如权利要求3所述的钙钛矿太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中的第一电极的制备包括以下步骤：
（11）在清洗干净的柔性或刚性基底上，利用真空热蒸发、磁控溅射、脉冲激光沉积、原子层沉积、溶液涂布和/或溶液法生长的方法中至少一种制备第一电极。
5.如权利要求3所述的钙钛矿太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中的第一电极的制备包括以下步骤：
（12）在清洗干净的柔性或刚性基底上覆盖所需的掩模板；
（13）透过掩模板，利用真空热蒸发、磁控溅射、脉冲激光沉积、原子层沉积中的一种或多种制备第一电极。
6.如权利要求3所述的钙钛矿太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中的第一电极的制备包括以下步骤：
（14）在清洗干净的柔性或刚性基底上，利用真空热蒸发、磁控溅射、脉冲激光沉积、原子层沉积、溶液涂布和/或溶液法生长的方法中的至少一种制备第一电极的第一层，即全覆盖层；
（15）利用压力粘接、掩膜沉积、溶液涂布或者线材轧制方法中的一种或多种，按照预先确定的图案将金属网格或金属纳米线涂布在步骤（14）制成的全覆盖层之上，形成第一电极的第二层，即网格层。
7.如权利要求3至6中任意一项所述的钙钛矿太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中的制备后的局部刻蚀是指利用激光刻蚀和/或机械刻蚀对第一电极的局部进行刻蚀，满足结构化连接的需求的方法。
8.如权利要求3所述的钙钛矿太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中的制备形成所述钙钛矿层所需的第一类钙钛矿前驱体材料BX2的薄膜包括以下步骤：
（21）在完成步骤（1）制备的第一电极之上，利用真空热蒸发、磁控溅射、脉冲激光沉积、原子层沉积、溶液涂布和/或溶液法生长的方法中的至少一种制备形成钙钛矿层所需的第一类钙钛矿前驱体材料BX2的薄膜。
9.如权利要求8所述的钙钛矿太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中的制备前的局部刻蚀是指在进行所述步骤（21）之前对基底上包括步骤（1）制备的第一电极在内的基底上不包括基底的所有结构进行局部刻蚀，满足结构化连接的需求。
10.如权利要求8所述的钙钛矿太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，当以真空热蒸发、磁控溅射、脉冲激光沉积或原子层沉积方法制备BX2薄膜层时，所述BX2是二价金属卤化物；当以所述溶液涂布和溶液法生长的方法制备前驱体层时，所使用的前驱体溶液成分包括：二价金属卤化物BX2以及有机溶剂；
其中，B为铅、锡、钨、铜、锌、镓、锗、砷、硒、铑、钯、银、镉、铟、锑、锇、铱、铂、金、汞、铊、铋或者钋中的至少一种二价金属阳离子，X为碘、溴、氯、砹中的至少一种阴离子，所述BX2的浓度为0.2mol/L~2mol/L；
所述有机溶剂包括主溶剂及溶剂添加剂，所述主溶剂为酰胺类溶剂、砜类/亚砜类溶剂、酯类溶剂、烃类、卤代烃类溶剂、醇类溶剂、酮类溶剂、醚类溶剂、芳香烃溶剂中的任意一种，或者为N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、N-甲基吡咯烷酮、γ-丁内酯中的任意一种，所述溶剂添加剂为酰胺类溶剂、砜类/亚砜类溶剂、酯类溶剂、烃类、卤代烃类溶剂、醇类溶剂、酮类溶剂、醚类溶剂、芳香烃、二甲基亚砜、N-甲基吡咯烷酮、1,8-二碘辛烷、N-环己基-2-吡咯烷酮、氯苯、甲苯中的至少一种；所述BX2在主溶剂中的摩尔浓度为0.2mol/L ~2mol/L，所述溶剂添加剂与BX2的摩尔比为0~1。
11.如权利要求3所述的钙钛矿太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中的把形成所述钙钛矿层所需的第二类钙钛矿前驱体材料AX沉积到步骤（2）形成的BX2的薄膜的表面包括以下步骤：
（31）在完成步骤（2）制备的BX2薄膜层之上，利用真空热蒸发、磁控溅射、脉冲激光沉积、原子层沉积、溶液涂布方法中的至少一种沉积第二类钙钛矿前驱体材料AX的薄膜。
12.如权利要求11所述的钙钛矿太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，所述第二类钙钛矿前驱体材料AX的薄膜包括材料AX和有机聚合物添加剂，其中，
A为铯、铷、胺基、脒基或者碱族中的至少一种阳离子，X为碘、溴、氯、砹中的至少一种阴离子，有机聚合物添加剂为支链或杂链聚合物，绝缘且可溶于所用的主溶剂，具体为聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚乳酸、聚乙烯醇、聚丙烯酸、聚氨酯、聚乙烯亚胺、聚丙烯硫胺、聚苯乙烯磺酸、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇缩丁醛树脂、氟类聚合物中的至少一种，其分子量范围为1000-100000，所述有机聚合物添加剂占AX摩尔量的0.05%~0.5%。
13.如权利要求11所述的钙钛矿太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中的第二类钙钛矿前驱体材料AX的薄膜沉积还包括以下步骤：
（32）在沉积第二类钙钛矿前驱体材料AX的过程中和/或沉积完成后，对基底进行以下处理：加热、溶剂熏蒸和涂布副溶剂，所述处理方式可以是其中的一项或多项，若是多项，可以同时进行，也可以交替进行。
14.如权利要求13所述的钙钛矿太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，所述溶剂熏蒸处理所使用的溶剂包括酰胺类溶剂、砜类/亚砜类溶剂、酯类溶剂、烃类、卤代烃类溶剂、醇类溶剂、酮类溶剂、醚类溶剂、芳香烃溶剂中的任意一种，或者为N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、N-甲基吡咯烷酮、γ-丁内酯中的任意一种。
15.如权利要求13所述的钙钛矿太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，所述涂布副溶剂处理所使用的副溶剂包括酰胺类溶剂、砜类/亚砜类溶剂、酯类溶剂、烃类、卤代烃类溶剂、醇类溶剂、酮类溶剂、醚类溶剂、芳香烃溶剂中的任意一种，或者为N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、N-甲基吡咯烷酮、γ-丁内酯中的任意一种。
16.如权利要求11至15中任意一项所述的钙钛矿太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中的制备后的局部刻蚀是指在沉积了AX且AX与BX2反应形成钙钛矿层的基底之上，利用激光刻蚀和/或机械刻蚀对包括钙钛矿层在内的一层或多层的局部进行刻蚀，满足结构化连接的需求。
17.如权利要求3所述的钙钛矿太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，所述步骤（4）中的第二电极的制备包括以下步骤：
（41）在完成步骤（3）后形成的钙钛矿层之上，利用真空热蒸发、磁控溅射、脉冲激光沉积、原子层沉积、溶液涂布的方法中的至少一种制备第二电极。
18.如权利要求3所述的钙钛矿太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，所述步骤（4）中的第二电极的制备包括以下步骤：
（42）在完成步骤（3）后形成的钙钛矿层之上覆盖所需的掩模板；
（43）透过掩模板，利用真空热蒸发、磁控溅射、脉冲激光沉积、原子层沉积方法中的至少一种制备第二电极。
19.如权利要求3所述的钙钛矿太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，所述步骤（4）中的第二电极的制备包括以下步骤：
（44）在完成步骤（3）后形成的钙钛矿层之上，利用真空热蒸发、磁控溅射、脉冲激光沉积、原子层沉积、溶液涂布和/或溶液法生长的方法中的至少一种制备第二电极的第一层，即全覆盖层；
（45）利用压力粘接、掩膜沉积或者溶液涂布方法中的至少一种按照预先确定的图案将金属网格或金属纳米线涂布在步骤（44）制成第二电极的全覆盖层之上，形成第二电极的第二层，即网格层。
20.如权利要求17至19中任意一项所述的钙钛矿太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，所述步骤（4）中的制备前的局部刻蚀是指利用激光刻蚀和/或机械刻蚀对基底上包括钙钛矿层在内的一层或多层的局部进行刻蚀，满足结构化连接的需求。
21.如权利要求3所述的钙钛矿太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，所述步骤（5）中的第二电极制备后的局部刻蚀包括以下步骤：
（51）在完成步骤（4）制备的第二电极之上，利用激光刻蚀和/或机械刻蚀对基底上包括第二电极在内的一层或多层的局部进行刻蚀，实现结构化连接的目的。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710406369.6A CN108987586A (zh) | 2017-06-02 | 2017-06-02 | 一种钙钛矿太阳能电池组件及其制备方法 |
| PCT/CN2018/087356 WO2018219155A1 (zh) | 2017-06-02 | 2018-05-17 | 一种钙钛矿太阳能电池组件及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710406369.6A CN108987586A (zh) | 2017-06-02 | 2017-06-02 | 一种钙钛矿太阳能电池组件及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108987586A true CN108987586A (zh) | 2018-12-11 |
Family
ID=64456338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710406369.6A Pending CN108987586A (zh) | 2017-06-02 | 2017-06-02 | 一种钙钛矿太阳能电池组件及其制备方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108987586A (zh) |
| WO (1) | WO2018219155A1 (zh) |
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- 2017-06-02 CN CN201710406369.6A patent/CN108987586A/zh active Pending
-
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|---|---|
| WO2018219155A1 (zh) | 2018-12-06 |
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|---|---|---|---|
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|
| TA01 | Transfer of patent application right |