JP2015130214A - 磁気記録媒体 - Google Patents
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 260
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 51
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 34
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 claims description 11
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 4
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 311
- 239000010408 film Substances 0.000 description 68
- 238000000034 method Methods 0.000 description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 description 26
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 23
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 20
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 20
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 19
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 19
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 16
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 12
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 9
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 7
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 229910010169 TiCr Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000013074 reference sample Substances 0.000 description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 4
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 4
- 229910000929 Ru alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N chloromethane Chemical compound ClC NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019586 CoZrTa Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(II) oxide Inorganic materials [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 229920005570 flexible polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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Abstract
Description
長手方向および短手方向を持つ表面を有し、
表面における算術平均粗さRaと、比率PSDMD,short/PSDTD,shortと、比率PSDMD,long/PSDTD,longとが、以下の関係式を満たす磁気記録媒体である。
Ra≦3.0nm
PSDMD,short/PSDTD,short≦0.65
1.3≦PSDMD,long/PSDTD,long≦2.3
(但し、PSDMD,short:表面の長手方向における0.15μm以上0.4μm以下の範囲内のPSD値の平均値、PSDTD,short:表面の短手方向における0.15μm以上0.4μm以下の範囲内のPSD値の平均値、PSDMD,long:表面の長手方向における0.4μm以上5.0μm以下の範囲内のPSD値の平均値、PSDTD,long:表面の短手方向における0.4μm以上5.0μm以下の範囲内のPSD値の平均値である。)
1 第1の実施形態(単層構造のシード層を備える垂直磁気記録媒体の例)
1.1 概要
1.2 垂直磁気記録媒体の構成
1.3 スパッタ装置の構成
1.4 垂直磁気記録媒体の製造方法
1.5 効果
2 第2の実施形態(2層構造のシード層を備える垂直磁気記録媒体の例)
2.1 垂直磁気記録媒体の構成
2.2 効果
3.第3の実施形態(2層構造の下地層を備える垂直磁気記録媒体の例)
3.1 垂直磁気記録媒体の構成
3.2 効果
3.3 変形例
4.第4の実施形態(単層構造の軟磁性裏打ち層をさらに備える垂直磁気記録媒体の例)
4.1 垂直磁気記録媒体の構成
4.2 効果
4.3 変形例
5.第5の実施形態(多層構造の軟磁性裏打ち層をさらに備える垂直磁気記録媒体の例)
5.1 垂直磁気記録媒体の構成
5.2 効果
5.3 変形例
[1.1 概要]
本発明者らは、記録再生特性と信頼性(耐久性)とを両立すべく鋭意検討を行った。まず、磁気記録媒体の表面における算術平均粗さRaについて検討した結果、算術平均粗さRaがRa≦3.0nmを満たさないと、良好な記録再生特性が得られなくなることを見出すに至った。
以上により、発明者らは、本実施形態に係る磁気記録媒体を完成するに至った。
図1は、本技術の第1の実施形態に係る磁気記録媒体の構成の一例を模式的に示す断面図である。磁気記録媒体は、いわゆる単層垂直磁気記録媒体であり、基体11と、基体11の表面に設けられた積層膜とを備える。積層膜は、基体11の表面に設けられたシード層12と、シード層12の表面に設けられた下地層13と、下地層13の表面に設けられた磁気記録層14と、磁気記録層14の表面に設けられた保護層15と、保護層15の表面に設けられたトップコート層16とを備える。積層膜は、スパッタリング法により成膜されていることが好ましい。なお、本明細書では、軟磁性裏打ち層を持たない記録媒体を「単層垂直磁気記録媒体」と称し、軟磁性裏打ち層を有する記録媒体を「二層垂直磁気記録媒体」と称する。
磁気記録媒体は、長手方向(MD方向)および短手方向(TD方向)を持つ表面を有している。媒体表面における算術平均粗さRaと、比率PSDMD,short/PSDTD,short(=RPSD,short)と、比率PSDMD,long/PSDTD,long(=RPSD,long)とが、以下の関係式を満たしている。
Ra≦3.0nm
PSDMD,short/PSDTD,short≦0.65
1.3≦PSDMD,long/PSDTD,long≦2.3
(但し、PSDMD,short:媒体表面のMD方向における0.15μm以上0.4μm以下の範囲内のPSD値の平均値、PSDTD,short:媒体表面のTD方向における0.15μm以上0.4μm以下の範囲内のPSD値の平均値、PSDMD,long:媒体表面のMD方向における0.4μm以上5.0μm以下の範囲内のPSD値の平均値、PSDTD,long:媒体表面のTD方向における0.4μm以上5.0μm以下の範囲内のPSD値の平均値である。)
支持体となる基体11は、例えば、長尺状のフィルムであり、長手方向(MD方向)および短手方向(TD方向)を持つ表面を有している。基体11は、例えば、微細凹凸を持った凹凸面を有している。この場合、積層膜の表面は、基体11の凹凸面に倣った凹凸面であることが好ましい。上記関係式を満たす媒体表面の形成が容易であるからである。基体11としては、可撓性を有する非磁性基体を用いることが好ましい。非磁性基体の材料としては、例えば、通常の磁気記録媒体に用いられる可撓性の高分子樹脂材料を用いることができる。このような高分子材料の具体例としては、ポリエステル類、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、ポリイミド類、ポリアミド類またはポリカーボネートなどが挙げられる。
シード層12は、基体11と下地層13との間に設けられている。シード層12は、TiおよびCrを含む合金を含み、この合金はアモルファス状態を有していることが好ましい。具体的には、シード層12は、TiおよびCrを含む合金を含み、アモルファス状態を有していることが好ましい。また、この合金には、O(酸素)がさらに含まれていてもよい。この酸素は、例えば、スパッタリング法などの成膜法でシード層12を成膜する際に、シード層12内に微量に含まれる不純物酸素である。ここで、「シード層」とは、下地層13に類似した結晶構造を有し、結晶成長を目的として設けられる中間層ではなく、当該シード層12の平坦性およびアモルファス状態によって下地層13の垂直配向性を向上する中間層のことを意味する。「合金」とは、TiおよびCrを含む固溶体、共晶体、および金属間化合物などの少なくとも一種を意味する。「アモルファス状態」とは、電子線回折法により、ハローが観測され、結晶構造を特定できないことを意味する。
下地層13は、磁気記録層14と同様の結晶構造を有していることが好ましい。磁気記録層14がCo系合金を含んでいる場合には、下地層13は、Co系合金と同様の六方細密充填(hcp)構造を有する材料を含み、その構造のc軸が膜面に対して垂直方向(すなわち膜厚方向)に配向していることが好ましい。磁気記録層14の配向性を高め、かつ、下地層13と磁気記録層14との格子定数のマッチングを比較的良好にできるからである。六方細密充填(hcp)構造を有する材料としては、Ruを含む材料を用いることが好ましく、具体的にはRu単体またはRu合金が好ましい。Ru合金としては、例えば、Ru−SiO2、Ru−TiO2またはRu−ZrO2などのRu合金酸化物が挙げられる。
磁気記録層14は、記録密度を向上する観点から、Co系合金を含むグラニュラ磁性層であることが好ましい。このグラニュラ磁性層は、Co系合金を含む強磁性結晶粒子と、この強磁性結晶粒子を取り巻く非磁性粒界(非磁性体)とから構成されている。より具体的には、このグラニュラ磁性層は、Co系合金を含むカラム(柱状結晶)と、このカラムを取り囲み、それぞれのカラムを磁気的に分離する非磁性粒界(例えばSiO2などの酸化物)とから構成されている。この構造では、それぞれのカラムが磁気的に分離した構造を有する磁気記録層14を構成することができる。
(CoxPtyCr100-x-y)100-z−(SiO2)z
(但し、式中において、x、y、zはそれぞれ、69≦X≦72、12≦y≦16、9≦Z≦12の範囲内の値である。)
保護層15は、例えば、炭素材料または二酸化ケイ素(SiO2)を含み、保護層15の膜強度の観点からすると、炭素材料を含んでいることが好ましい。炭素材料としては、例えば、グラファイト、ダイヤモンド状炭素(Diamond-Like Carbon:DLC)またはダイヤモンドなどが挙げられる。
トップコート層16は、例えば潤滑剤を含んでいる。潤滑剤としては、例えば、シリコーン系潤滑剤、炭化水素系潤滑剤またはフッ素化炭化水素系潤滑剤などを用いることができる。
図2は、本技術の第1の実施形態に係る磁気記録媒体の製造に用いられるスパッタ装置の構成の一例を示す概略図である。このスパッタ装置は、シード層12、下地層13および磁気記録層14の成膜に用いられる連続巻取式スパッタ装置であり、図2に示すように、成膜室21と、金属キャン(回転体)であるドラム22と、カソード23a〜23cと、供給リール24と、巻き取りリール25と、複数のガイドロール27、28とを備える。スパッタ装置は、例えばDC(直流)マグネトロンスパッタリング方式の装置であるが、スパッタリング方式はこの方式に限定されるものではない。
(1)ドラム22の温度が、好ましくは10℃以下、より好ましくは−20℃以下である。ここで、ドラム22の温度は、測温抵抗体、リニア抵抗、サーミスタなどを利用した回転体用の温度センサーをドラム22上にセットして測定したものである。
(2)ドラム22の周面のうち基体11が接触する領域の角度範囲θは、好ましくは220°以上360°未満、より好ましくは270°以上360°未満である。ここで、角度範囲は、図2に示すように、円柱状のドラム22の中心軸に対するドラム22の周面の円周方向の角度範囲を意味する。
(3)基体11の幅1mm長さ当たりの張力が、好ましくは4g/mm以上、より好ましくは4g/mm以上20g/mm以下である。ここで、張力は、基準とするガイドロール27、28の両側にかかる荷重をストレインゲージトランスデューサー(張力センサー)により計測したものである。
(4)シート層12、下地層13および磁気記録層14のダイナミックレートのうち最大のものが、好ましくは70nm・m/min以下である。ここで、ダイナミックレートとは、成膜膜厚と送り速度の積である。
本技術の第1の実施形態に係る磁気記録媒体は、例えば、以下のようにして製造することができる。
以上により、図1に示した磁気記録媒体が得られる。
第1の実施形態に係る磁気記録媒体では、媒体表面における算術平均粗さRaと、比率PSDMD,short/PSDTD,shortと、比率PSDMD,long/PSDTD,longとが、以下の関係式を満たしている。これにより、記録再生特性と信頼性とを両立できる。
Ra≦3.0nm
PSDMD,short/PSDTD,short≦0.65
1.3≦PSDMD,long/PSDTD,long≦2.3
(1)基体11と下地層13との間に、アモルファス状態を有し、TiおよびCrを含む合金を含んでいるシード層12が設けられている。これにより、基体11に吸着したO2ガスやH2Oなどが下地層13に対して及ぼす影響を抑制するとともに、基体11の表面に金属性の平滑面を形成できる。
(2)シード層12に含まれるTiおよびCrの総量に対するTiの割合を、30原子%以上100原子%以下としている。これにより、Crの体心立方格子(bcc)構造の(100)面の配向を抑制できる。
上記(1)および(2)の構成および作用を有することで、下地層13および磁気記録層14の配向性を改善し、優れた磁気特性を達成することができる。したがって、高出力化および低ノイズ化といった媒体性能の向上を実現できる。
(3)シード層12に含まれるTi、CrおよびOの総量に対するOの割合を、15原子%以下としていることが好ましい。これにより、TiO2結晶が生成することを抑制し、シード層12の表面に形成される下地層13の結晶核形成に対する影響を抑制できる。
上記(3)の構成および作用をさらに有することで、シード層12が不純物酸素を含んでいる場合であっても、下地層13および磁気記録層14の配向性を改善し、優れた磁気特性を達成することができる。
[2.1 磁気記録媒体の構成]
図3は、本技術の第2の実施形態に係る磁気記録媒体の構成の一例を模式的に示す断面図である。この第2の実施形態に係る磁気記録媒体は、図3に示すように、2層構造のシード層17を備える点において、第1の実施形態に係る磁気記録媒体とは異なっている。なお、第2の実施形態において第1の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
磁気記録媒体が2層構造のシード層17を備えることで、下地層13および磁気記録層14の配向性をさらに改善し、磁気特性をさらに向上させることが可能となる。
[3.1 磁気記録媒体の構成]
図4は、本技術の第3の実施形態に係る磁気記録媒体の構成の一例を模式的に示す断面図である。この第3の実施形態に係る磁気記録媒体は、図4に示すように、2層構造の下地層18を備える点において、第2の実施形態に係る磁気記録媒体とは異なっている。なお、第3の実施形態において第2の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
磁気記録媒体が2層構造の下地層18を備えることで、磁気記録層14の配向性およびグラニュラ構造性をさらに改善し、磁気特性をさらに向上させることが可能となる。
第3の実施形態に係る磁気記録媒体において、2層構造のシード層17に代えて単層構造のシード層を備えるようにしてもよい。単層構造のシード層としては、第1の実施形態におけるシード層12を用いることができる。
[4.1 磁気記録媒体の構成]
図5は、本技術の第4の実施形態に係る磁気記録媒体の構成の一例を模式的に示す断面図である。この第4の実施形態に係る磁気記録媒体は、いわゆる二層垂直磁気記録媒体であり、図5に示すように、基体11とシード層17との間に、シード層19および軟磁性裏打ち層(Soft magnetic underlayer、以下「SUL」という。)31を備える点において、第3の実施形態に係る磁気記録媒体とは異なっている。シード層19は基体11の側に設けられ、SUL31はシード層17の側に設けられる。この第4の実施形態に係る磁気記録媒体は、単磁極型(Single Pole Type:SPT)の記録ヘッドとトンネル磁気抵抗効果(Tunnel Magnetoresistive:TMR)型の再生ヘッドを用いる記録再生装置に用いて好適なものである。なお、第4の実施形態において第3の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
第4の実施形態に係る磁気記録媒体では、垂直磁性層である磁気記録層14の下にSUL31を設けることで、磁気記録層14の表層に発生する磁極の発生を減磁界を抑えるとともに、ヘッド磁束をSUL31中に誘導することにより、鋭いヘッド磁界の発生を助ける役割を果たす。また、基体11とSUL31との間にシード層19を設けているので、SUL31に含まれる軟磁性材料の粗大化を抑制することができる。すなわち、下地層18における結晶配向の乱れを抑制することができる。したがって、第1の実施形態よりも高い面記録密度を有する磁気記録媒体において、良好な記録再生特性を実現することができる。
第4の実施形態に係る磁気記録媒体において、2層構造のシード層17に代えて単層構造のシード層を備えるようにしてもよい。単層構造のシード層としては、第1の実施形態におけるシード層12を用いることができる。また、2層構造の下地層18に代えて単層構造の下地層を備えるようにしてもよい。単層構造の下地層としては、第1の実施形態における下地層13を用いることができる。
[5.1 磁気記録媒体の構成]
図6は、本技術の第5の実施形態に係る磁気記録媒体の構成の一例を模式的に示す断面図である。この第5の実施形態に係る磁気記録媒体は、図6に示すように、Antiparallel Coupled SUL(以下「APC−SUL」という。)33を備える点において、第4の実施形態に係る磁気記録媒体とは異なっている。なお、第5の実施形態において第4の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
第5の実施形態に係る磁気記録媒体では、APC−SUL33を用いているので、上層部である軟磁性層33aと下層部である軟磁性層33cとが反平行に交換結合し、残留磁化状態で上下層トータルの磁化量はゼロなる。これにより、APC−SUL33中の磁区が動いた場合に発生する、スパイク状のノイズの発生を抑えることができる。したがって、記録再生特性を更に向上することができる。
第5の実施形態に係る磁気記録媒体において、第4の実施形態の変形例に係る磁気記録媒体と同様に、単層構造のシード層および/または下地層を備えるようにしてもよい。
まず、高分子フィルムとして、算術平均粗さRaおよび比率RPSD,short(=PSDMD,short/PSDTD,short)、RPSD,long(=PSDMD,long/PSDTD,long)が以下の関係式を満たす微細凹凸を表面に有するものを準備した。
Ra≦3.0nm
RPSD,short≦0.65
1.3≦RPSD,long≦2.3
まず、以下の成膜条件にて、非磁性基体としての高分子フィルム上に第1のTiCrシード層を5nm成膜した。
スパッタリング方式:DCマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット:Ti50Cr50ターゲット
到達真空度:5×10-5Pa
ガス種:Ar
ガス圧:0.5Pa
まず、以下の成膜条件にて、TiCrシード層上に第1の軟磁性層としてCoZrNb層を20nm成膜した。
スパッタリング方式:DCマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット:CoZrNbターゲット
ガス種:Ar
ガス圧:0.1Pa
次に、以下の成膜条件にて、CoZrNb層上にRu中間層を、表2に示すように0.8nm〜1.1nmの範囲で成膜した。
スパッタリング方式:DCマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット:Ruターゲット
ガス種:Ar
ガス圧:0.3Pa
次に、以下の成膜条件にて、Ru中間層上に第2の軟磁性層としてCoZrNb層を20nm成膜した。
スパッタリング方式:DCマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット:CoZrNbターゲット
ガス種:Ar
ガス圧:0.1Pa
次に、以下の成膜条件にて、CoZrNb層上に第2のTiCrシード層を2.5nm成膜した。
スパッタリング方式:DCマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット:Ti50Cr50ターゲット
到達真空度:5×10-5Pa
ガス種:Ar
ガス圧:0.5Pa
次に、以下の成膜条件にて、第2のTiCrシード層上にNiWシード層を10nm成膜した。
スパッタリング方式:DCマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット:NiWターゲット
到達真空度:5×10-5Pa
ガス種:Ar
ガス圧:0.5Pa
次に、以下の成膜条件にて、NiWシード層上に第1のRu下地層を10nm成膜した。
スパッタリング方式:DCマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット:Ruターゲット
ガス種:Ar
ガス圧:0.5Pa
次に、以下の成膜条件にて、第1のRu下地層上に第2のRu下地層を20nm成膜した。
スパッタリング方式:DCマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット:Ruターゲット
ガス種:Ar
ガス圧:1.5Pa
次に、以下の成膜条件にて、第2のRu下地層上に(CoCrPt)−(SiO2)磁気記録層を20nm成膜した。
スパッタリング方式:DCマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット:(Co70Cr15Pt10)90−(SiO2)10ターゲット
ガス種:Ar
ガス圧:1.5Pa
次に、以下の成膜条件にて、(CoCrPt)−(SiO2)磁気記録層上に、CAP層としてのCoPtCrB層を8nm成膜した。
スパッタリング方式:DCマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット:CoPtCrBターゲット
ガス種:Ar
ガス圧:1.5Pa
次に、以下の成膜条件にて、CoPtCrB層上に、カーボンからなる保護層を5nm成膜した。
スパッタリング方式:DCマグネトロンスパッタリング方式
ターゲット:カーボンターゲット
ガス種:Ar
ガス圧:1.0Pa
次に、潤滑剤を保護層上に塗布し、保護層上にトップコート層を成膜した。
以上により、垂直磁気記録媒体である磁気テープを得た。
高分子フィルムとして算術平均粗さRaおよび比率RPSD,short、RPSD,longが以下の関係式を満たす微細凹凸を表面に有するものを準備する以外は実施例1と同様にして、磁気テープを得た。
Ra≦3.0nm
RPSD,short≦0.65
RPSD,long<1.3
高分子フィルムとして算術平均粗さRaおよび比率RPSD,short、RPSD,longが以下の関係式を満たす微細凹凸を表面に有するものを準備する以外は実施例1と同様にして、磁気テープを得た。
Ra≦3.0nm
0.65<RPSD,short
RPSD,long<1.3
高分子フィルムとして算術平均粗さRaおよび比率RPSD,short、RPSD,longが以下の関係式を満たす微細凹凸を表面に有するものを準備する以外は実施例1と同様にして、磁気テープを得た。
3.0nm<Ra
RPSD,short≦0.65
1.3≦RPSD,long≦2.3
まず、磁気テープの表面を原子間力顕微鏡(Atomic Force Microscope:AFM)で観察し、2次元(2D)表面プロファイルデータを得た。
測定した。
以下に、測定に用いたAFMを示す。
Digital Instruments社製 Dimension 3100
カンチレバー:NanoWorld社 NCH-10T
以下に、AFMの測定条件について示す。
測定エリア:30μm×30μm
分解能:512×512
AFMのブローブのscan方向:磁気テープのMD方向(長手方向)
測定mode:タッピングモード
scan ratio:1Hz
Flatten:3次
Planefit:MD方向のみ3次
z(n):n番目の点での表面プロファイルデータ(surface profile data at point “n”)(nm)
d:分解能(resolution)(nm) =L/N
L:測定範囲(measurement length for X (or Y) direction)(30μm)
N:ポイント数(sampling point number for X (or Y) direction)(512points)
i:虚数単位(imaginary unit)
e:ネイピア数(Napier’s constant)
Average:平均化操作(averaging operation for Y (or X) direction)
n:変数(0 to N-1)
k:波数(0 to N-1)
なお、X directionはMD direction(長手方向)に対応し、Y directionはTD direction(短手方向)に対応する。
比率RPSD,long=PSDMD,long/PSDTD,long (2)
比率RPSD,short=PSDMD,short/PSDTD,short (3)
まず、上述の“比率RPSD,short、RPSD,longの評価”と同様にして、フィルタ処理後の2次元表面プロファイルデータを得た。次に、以下の式(4)〜(6)を用いて算術平均粗さRaを求めた。その結果を図10に示す。
N:ポイント数(512)
Z(m,n):測定位置(m,n)でのフィルター処理後の2Dプロファイルデータ
H(m,n):測定位置(m,n)での差分
| |:絶対値
m:長手方向の測定点を表す変数(0〜511)
n:幅方向の測定点を表す変数(0〜511)
なお、Z(m,n)、H(m,n)、A、Raの単位は“nm”である。
まず、ループテスター(Microphysics社製)を用いて、磁気テープの再生信号を取得した。以下に、再生信号の取得条件について示す。
head:GMR head
speed:2m/s
signal:単一記録周波数(10MHz)
記録電流:最適記録電流
まず、30cmの磁気テープ一端をテンションゲージに取り付け、他端に60gfの重りを取り付け、抱き角2度でArTiCバーに装着した。次に、テンションゲージを往復運動することで、磁気テープをArTiCバー上で往復させ、10往復後のテンションゲージの数値(摩擦力)を測定した。次に、リファレンスメディアとしての比較例5の摩擦力FAに対する各サンプルの摩擦力FBの割合RF(=(FB/FA)×100[%])を求めた。その結果を表1に示す。
実施例1〜7では、Ra≦3.0nm、PSDMD,short/PSDTD,short≦0.65、1.3≦PSDMD,long/PSDTD,long≦2.3であるため、摩擦力が基準サンプルである比較例5より小さく、かつ、記録再生特性が基準サンプルである比較例5より向上している。
比較例1〜4、8、10では、PSDMD,long/PSDTD,long<1.3であるため、摩擦力が基準サンプルである比較例5より大きくなっている。
比較例6、7では、0.65<PSDMD,short/PSDTD,shortであるため、記録再生特性が基準サンプルである比較例5より悪化している。
比較例9では、3.0nm<Raであるため、記録再生特性が基準サンプルである比較例5より悪化している。
(1)
長手方向および短手方向を持つ表面を有し、
上記表面における算術平均粗さRaと、比率PSDMD,short/PSDTD,shortと、比率PSDMD,long/PSDTD,longとが、以下の関係式を満たす磁気記録媒体。
Ra≦3.0nm
PSDMD,short/PSDTD,short≦0.65
1.3≦PSDMD,long/PSDTD,long≦2.3
(但し、PSDMD,short:上記表面の長手方向における0.15μm以上0.4μm以下の範囲内のPSD値の平均値、PSDTD,short:上記表面の短手方向における0.15μm以上0.4μm以下の範囲内のPSD値の平均値、PSDMD,long:上記表面の長手方向における0.4μm以上5.0μm以下の範囲内のPSD値の平均値、PSDTD,long:上記表面の短手方向における0.4μm以上5.0μm以下の範囲内のPSD値の平均値である。)
(2)
高分子樹脂を含む基体と、
上記基体上に積層された、上記表面を有する積層膜と
を含んでいる(1)に記載の磁気記録媒体。
(3)
上記基体は、凹凸面を有し、
上記積層膜の表面は、上記基体の凹凸面に倣った凹凸面である(2)に記載の磁気記録媒体。
(4)
上記積層膜は、スパッタリング法により成膜されている(2)または(3)に記載の磁気記録媒体。
(5)
上記積層膜は、シード層と、下地層と、記録層とを備え、
上記シード層は、上記基体と上記下地層との間に設けられている(2)から(4)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
(6)
上記シード層は、アモルファス状態を有している(5)に記載の磁気記録媒体。
(7)
上記シード層は、TiおよびCrを含み、
上記シード層に含まれるTiおよびCrの総量に対するTiの割合は、30原子%以上100原子%以下である(5)または(6)に記載の磁気記録媒体。
(8)
上記シード層は、Ti、CrおよびOを含み、
上記シード層に含まれるTiおよびCrの総量に対するTiの割合は、30原子%以上100原子%以下であり、
上記シード層に含まれるTi、CrおよびOの総量に対するOの割合は、15原子%以下である(5)または(6)に記載の磁気記録媒体。
(9)
上記シード層により上記基体の表面の凹凸が緩和されている(5)から(8)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
(10)
上記下地層は、Ruを含んでいる(5)から(9)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
(11)
上記下地層は、第1の下地層と第2の下地層とを備え、
上記第1の下地層が上記記録層の側に設けられ、Ruを含んでいる(5)から(9)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
(12)
上記記録層は、Co、PtおよびCrを含む粒子が酸化物で分離されたグラニュラ構造を有する(5)から(11)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
(13)
上記記録層は、以下の式に示す平均組成を有している(5)から(12)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
(CoxPtyCr100-x-y)100-z−(SiO2)z
(但し、式(1)中において、x、y、zはそれぞれ、69≦x≦72、12≦y≦16、9≦z≦12の範囲内の値である。)
(14)
上記シード層と上記下地層との間に設けられた別のシード層をさらに備える(5)から(13)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
(15)
上記シード層と上記下地層との間に設けられた軟磁性層をさらに備える(5)から(14)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
(16)
上記軟磁性層は、第1の軟磁性層と、中間層と、第2の軟磁性層とを備え、
上記中間層は、上記第1の軟磁性層と上記第2の軟磁性層との間に設けられている(15)に記載の磁気記録媒体。
(17)
上記軟磁性層と上記下地層との間に別のシード層をさらに備える(15)または(16)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
(18)
上記記録層上に設けられた、Co、CrおよびPtを含む層をさらに備える(5)から(17)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
(19)
上記シード層、上記下地層および上記記録層は、Roll to Roll法により連続成膜されている(5)から(18)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
12、17 シード層
13、18 下地層
14 磁気記録層
15 保護膜
16 トップコート層
21 成膜室
22 ドラム
23a、23b、23c カソード
24 供給リール
25 巻き取りリール
31 SUL
32 CAP層
33 APC−SUL
33a、33c 軟磁性層
33b 中間層
Claims (19)
- 長手方向および短手方向を持つ表面を有し、
上記表面における算術平均粗さRaと、比率PSDMD,short/PSDTD,shortと、比率PSDMD,long/PSDTD,longとが、以下の関係式を満たす磁気記録媒体。
Ra≦3.0nm
PSDMD,short/PSDTD,short≦0.65
1.3≦PSDMD,long/PSDTD,long≦2.3
(但し、PSDMD,short:上記表面の長手方向における0.15μm以上0.4μm以下の範囲内のPSD値の平均値、PSDTD,short:上記表面の短手方向における0.15μm以上0.4μm以下の範囲内のPSD値の平均値、PSDMD,long:上記表面の長手方向における0.4μm以上5.0μm以下の範囲内のPSD値の平均値、PSDTD,long:上記表面の短手方向における0.4μm以上5.0μm以下の範囲内のPSD値の平均値である。) - 高分子樹脂を含む基体と、
上記基体上に積層された、上記表面を有する積層膜と
を備える請求項1に記載の磁気記録媒体。 - 上記基体は、凹凸面を有し、
上記積層膜の表面は、上記基体の凹凸面に倣った凹凸面である請求項2に記載の磁気記録媒体。 - 上記積層膜は、スパッタリング法により成膜されている請求項2に記載の磁気記録媒体。
- 上記積層膜は、シード層と、下地層と、記録層とを備え、
上記シード層は、上記基体と上記下地層との間に設けられている請求項2に記載の磁気記録媒体。 - 上記シード層は、アモルファス状態を有している請求項5に記載の磁気記録媒体。
- 上記シード層は、TiおよびCrを含み、
上記シード層に含まれるTiおよびCrの総量に対するTiの割合は、30原子%以上100原子%以下である請求項5に記載の磁気記録媒体。 - 上記シード層は、Ti、CrおよびOを含み、
上記シード層に含まれるTiおよびCrの総量に対するTiの割合は、30原子%以上100原子%以下であり、
上記シード層に含まれるTi、CrおよびOの総量に対するOの割合は、15原子%以下である請求項5に記載の磁気記録媒体。 - 上記シード層により上記基体の表面の凹凸が緩和されている請求項5に記載の磁気記録媒体。
- 上記下地層は、Ruを含んでいる請求項5に記載の磁気記録媒体。
- 上記下地層は、第1の下地層と第2の下地層とを備え、
上記第1の下地層が上記記録層の側に設けられ、Ruを含んでいる請求項5に記載の磁気記録媒体。 - 上記記録層は、Co、PtおよびCrを含む粒子が酸化物で分離されたグラニュラ構造を有する請求項5に記載の磁気記録媒体。
- 上記記録層は、以下の式に示す平均組成を有している請求項5に記載の磁気記録媒体。
(CoxPtyCr100-x-y)100-z−(SiO2)z
(但し、式中において、x、y、zはそれぞれ、69≦x≦72、12≦y≦16、9≦z≦12の範囲内の値である。) - 上記シード層と上記下地層との間に設けられた別のシード層をさらに備える請求項5に記載の磁気記録媒体。
- 上記シード層と上記下地層との間に設けられた軟磁性層をさらに備える請求項5に記載の磁気記録媒体。
- 上記軟磁性層は、第1の軟磁性層と、中間層と、第2の軟磁性層とを備え、
上記中間層は、上記第1の軟磁性層と上記第2の軟磁性層との間に設けられている請求項15に記載の磁気記録媒体。 - 上記軟磁性層と上記下地層との間に別のシード層をさらに備える請求項15に記載の磁気記録媒体。
- 上記記録層上に設けられた、Co、CrおよびPtを含む層をさらに備える請求項5に記載の磁気記録媒体。
- 上記シード層、上記下地層および上記記録層は、Roll to Roll法により連続成膜されている請求項5に記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2014001233A JP6083389B2 (ja) | 2014-01-07 | 2014-01-07 | 磁気記録媒体 |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2014001233A JP6083389B2 (ja) | 2014-01-07 | 2014-01-07 | 磁気記録媒体 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
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JP2015130214A5 JP2015130214A5 (ja) | 2016-03-10 |
JP6083389B2 JP6083389B2 (ja) | 2017-02-22 |
Family
ID=53495700
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2014001233A Active JP6083389B2 (ja) | 2014-01-07 | 2014-01-07 | 磁気記録媒体 |
Country Status (3)
Country | Link |
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US (1) | US9542967B2 (ja) |
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JP7166042B2 (ja) | 2019-02-27 | 2022-11-07 | 富士フイルム株式会社 | 磁気記録媒体および磁気記録再生装置 |
JP2020140746A (ja) * | 2019-02-27 | 2020-09-03 | 富士フイルム株式会社 | 磁気記録媒体および磁気記録再生装置 |
WO2021065019A1 (ja) * | 2019-10-01 | 2021-04-08 | ソニー株式会社 | 磁気記録媒体、磁気記録再生装置および磁気記録媒体カートリッジ |
JP2021057095A (ja) * | 2019-10-01 | 2021-04-08 | ソニー株式会社 | 磁気記録媒体、磁気記録再生装置および磁気記録媒体カートリッジ |
US11830532B2 (en) | 2019-10-01 | 2023-11-28 | Sony Group Corporation | Magnetic recording medium including magnetic layer having magnetic powder, magnetic recording/reproducing device, and magnetic recording medium cartridge |
WO2023188674A1 (ja) * | 2022-03-30 | 2023-10-05 | ソニーグループ株式会社 | 磁気記録媒体およびカートリッジ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6083389B2 (ja) | 2017-02-22 |
US20150194174A1 (en) | 2015-07-09 |
CN104766613B (zh) | 2019-03-19 |
CN104766613A (zh) | 2015-07-08 |
US9542967B2 (en) | 2017-01-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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