JP2021057095A - 磁気記録媒体、磁気記録再生装置および磁気記録媒体カートリッジ - Google Patents
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Abstract
【課題】さらなる高密度記録の実現が可能な磁気記録媒体を提供する。【解決手段】この磁気記録媒体は、テープ状の磁気記録媒体であって、ポリエステルを主たる成分として含む基体と、その基体上に設けられ、磁性粉を複数含み、データ信号の記録が可能な磁性層とを有する。磁性層の表面の算術平均粗さＲａは、２．５ｎｍ以下であり、空間波長５μｍまでのＰＳＤが２．５μｍ以下であり、磁性層の平均厚みは、９０ｎｍ以下であり、磁性粉の平均アスペクト比は、１．０以上３．０以下であり、垂直方向における保磁力は、３０００エルステッド以下であり、垂直方向における保磁力に対する長手方向における保磁力の割合は、０．８以下であり、データ信号の再生波形における孤立波形の半値幅は、２００ｎｍ以下である。【選択図】図１
Description
本開示は、磁気記録媒体、ならびにそれを用いた磁気記録再生装置および磁気記録媒体カートリッジに関する。
電子データの保存のために、磁性層を有するテープ状の磁気記録媒体が幅広く利用されている。磁気記録媒体の磁性層には、複数の記録トラックを含むデータバンドが設けられており、この記録トラックに対してデータが記録される。また、磁性層には、幅方向においてデータバンドと隣り合う位置にサーボバンドが設けられており、このサーボバンドにサーボ信号が記録される。磁気ヘッドがサーボバンドに記録されたサーボ信号を読み取ることにより、記録トラックに対する磁気ヘッドの位置合わせが行われる。
磁気記録媒体へのデータの記録方式としては、磁性層内の磁性粒子を水平方向に磁化させてデータを記録する水平磁気記録方式と、磁性層内の磁性粒子を垂直方向に磁化させてデータを記録する垂直磁気記録方式とが知られている。一般に、垂直磁気記録方式は、水平磁気記録方式と比較して高密度にデータを記録することができる。本出願人は、サーボ信号の磁化方向が垂直方向の成分を含む場合に、良好な対称性を有するサーボ信号の再生波形を得る技術を開示している（例えば特許文献１参照）。
近年、記録すべきデータ量の増加に伴い、さらなる高密度記録化が要請されている。したがって、さらなる高密度記録の実現が可能な磁気記録媒体が望まれる。
本開示の一実施形態としての磁気記録媒体は、テープ状の磁気記録媒体であって、ポリエステルを主たる成分として含む基体と、その基体上に設けられ、磁性粉を複数含み、データ信号の記録が可能な磁性層とを有する。ここで、磁性層の表面の算術平均粗さＲａは、２．５ｎｍ以下である。空間波長５μｍまでのＰＳＤ (Power Spectrum Density）は２．５μｍ以下である。磁性層の平均厚みは、９０ｎｍ以下である。磁性粉の平均アスペクト比は、１．０以上３．０以下である。垂直方向における保磁力は、３０００エルステッド以下である。垂直方向における保磁力に対する長手方向における保磁力の割合は、０．８以下である。データ信号の再生波形における孤立波形の半値幅は、２００ｎｍ以下である。
本開示の一実施形態としての磁気記録再生装置は、上述の磁気記録媒体を順次送り出すことのできる送り出し部と、その送り出し部から送り出された磁気記録媒体を巻き取ることのできる巻き取り部と、送り出し部から巻き取り部へ向けて走行する磁気記録媒体と接触しつつ、磁気記録媒体への情報書き込み、および磁気記録媒体からの情報読み出しを行うことのできる磁気ヘッドとを備える。
本開示の一実施形態としての磁気記録媒体カートリッジは、上述の磁気記録媒体と、その磁気記録媒体を収容する筐体とを備える。
本開示の一実施形態としての磁気記録媒体、磁気記録再生装置および磁気記録媒体カートリッジでは、上述の構成を有するようにしたので、データの高密度記録に有利である。
以下、本開示の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．一実施の形態
１−１．磁気記録媒体の構成
１−２．磁気記録媒体の製造方法
１−３．記録再生装置の構成
１−４．効果
２．変形例
１．一実施の形態
１−１．磁気記録媒体の構成
１−２．磁気記録媒体の製造方法
１−３．記録再生装置の構成
１−４．効果
２．変形例
＜１．一実施の形態＞
［１−１ 磁気記録媒体１０の構成］
図１は、本開示の一実施の形態に係る磁気記録媒体１０の断面構成例を表している。図１に示したように、磁気記録媒体１０は複数層が積層された積層構造を有する。具体的には、磁気記録媒体１０は、長尺のテープ状の基体１１と、基体１１の一方の主面１１Ａ上に設けられた下地層１２と、下地層１２の上に設けられた磁性層１３と、基体１１の他方の主面１１Ｂ上に設けられたバック層１４とを備える。磁性層１３の表面１３Ｓが、磁気ヘッドが当接しつつ走行することとなる表面となる。なお、下地層１２およびバック層１４は、必要に応じて備えられるものであり、無くてもよい。なお、磁気記録媒体１０の平均厚みは、例えば５．６μｍ以下であるとよい。
［１−１ 磁気記録媒体１０の構成］
図１は、本開示の一実施の形態に係る磁気記録媒体１０の断面構成例を表している。図１に示したように、磁気記録媒体１０は複数層が積層された積層構造を有する。具体的には、磁気記録媒体１０は、長尺のテープ状の基体１１と、基体１１の一方の主面１１Ａ上に設けられた下地層１２と、下地層１２の上に設けられた磁性層１３と、基体１１の他方の主面１１Ｂ上に設けられたバック層１４とを備える。磁性層１３の表面１３Ｓが、磁気ヘッドが当接しつつ走行することとなる表面となる。なお、下地層１２およびバック層１４は、必要に応じて備えられるものであり、無くてもよい。なお、磁気記録媒体１０の平均厚みは、例えば５．６μｍ以下であるとよい。
磁気記録媒体１０は長尺のテープ状をなし、記録動作および再生動作の際には、自らの長手方向に沿って走行することとなる。磁気記録媒体１０は、例えば記録用ヘッドとしてリング型ヘッドを備える記録再生装置に用いられるものであることが好ましい。
（基体１１）
基体１１は、下地層１２および磁性層１３を支持する非磁性支持体である。基体１１は、長尺のフィルム状をなしている。基体１１の平均厚みの上限値は、好ましくは４．２μｍ以下、より好ましくは４．０μｍ以下である。基体１１の平均厚みの上限値が４．２μｍ以下であると、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を一般的な磁気記録媒体よりも高めることができる。基体１１の平均厚みの下限値は、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは３．２μｍ以上である。基体１１の平均厚みの下限値が３μｍ以上であると、基体１１の強度低下を抑制することができる。
基体１１は、下地層１２および磁性層１３を支持する非磁性支持体である。基体１１は、長尺のフィルム状をなしている。基体１１の平均厚みの上限値は、好ましくは４．２μｍ以下、より好ましくは４．０μｍ以下である。基体１１の平均厚みの上限値が４．２μｍ以下であると、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を一般的な磁気記録媒体よりも高めることができる。基体１１の平均厚みの下限値は、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは３．２μｍ以上である。基体１１の平均厚みの下限値が３μｍ以上であると、基体１１の強度低下を抑制することができる。
基体１１の平均厚みは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。続いて、サンプルの基体１１以外の層、すなわち下地層１２、磁性層１３およびバック層１４をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。次に、測定装置としてミツトヨ（Mitutoyo）社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプルである基体１１の厚みを５点以上の位置で測定する。その後、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、基体１１の平均厚みを算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。
基体１１は、例えば、ポリエステル類を主たる成分として含んでいる。基体１１は、ポリエステル類に加えて、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、およびその他の高分子樹脂のうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。基体１１が上記材料のうちの２種以上を含む場合、それらの２種以上の材料は混合されていてもよいし、共重合されていてもよいし、積層されていてもよい。
基体１１に含まれるポリエステル類は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン−ｐ−オキシベンゾエート）およびポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの少なくとも１種を含む。
基体１１に含まれるポリオレフィン類は、例えば、ＰＥ（ポリエチレン）およびＰＰ（ポリプロピレン）のうちの少なくとも１種を含む。セルロース誘導体は、例えば、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、ＣＡＢ（セルロースアセテートブチレート）およびＣＡＰ（セルロースアセテートプロピオネート）のうちの少なくとも１種を含む。ビニル系樹脂は、例えば、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）およびＰＶＤＣ（ポリ塩化ビニリデン）のうちの少なくとも１種を含む。
基体１１に含まれるその他の高分子樹脂は、例えば、ＰＡ（ポリアミド、ナイロン）、芳香族ＰＡ（芳香族ポリアミド、アラミド）、ＰＩ（ポリイミド）、芳香族ＰＩ（芳香族ポリイミド）、ＰＡＩ（ポリアミドイミド）、芳香族ＰＡＩ（芳香族ポリアミドイミド）、ＰＢＯ（ポリベンゾオキサゾール、例えばザイロン（登録商標））、ポリエーテル、ＰＥＫ（ポリエーテルケトン）、ポリエーテルエステル、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）、ＰＳＦ（ポリスルフォン）、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＡＲ（ポリアリレート）およびＰＵ（ポリウレタン）のうちの少なくとも１種を含む。
（磁性層１３）
磁性層１３は、信号を記録するための記録層である。磁性層１３は、例えば、磁性粉、結着剤および潤滑剤を含む。磁性層１３が、必要に応じて、導電性粒子、研磨剤、防錆剤等の添加剤をさらに含んでいてもよい。
磁性層１３は、信号を記録するための記録層である。磁性層１３は、例えば、磁性粉、結着剤および潤滑剤を含む。磁性層１３が、必要に応じて、導電性粒子、研磨剤、防錆剤等の添加剤をさらに含んでいてもよい。
磁性層１３は、多数の孔部が設けられた表面１３Ｓを有している。これらの多数の孔部には、潤滑剤が蓄えられている。多数の孔部は、磁性層１３の表面に対して垂直方向に延設されていることが好ましい。磁性層１３の表面１３Ｓに対する潤滑剤の供給性を向上することができるからである。なお、多数の孔部の一部が垂直方向に延設されていてもよい。
磁性層１３の表面１３Ｓの算術平均粗さＲａは、２．５ｎｍ以下、好ましくは２．２ｎｍ以下、より好ましくは１．９ｎｍ以下である。算術平均粗さＲａが２．５ｎｍ以下であると、優れた電磁変換特性を得ることができる。磁性層１３の表面１３Ｓの算術平均粗さＲａの下限値は、好ましくは１．０ｎｍ以上、より好ましくは１．２ｎｍ以上、さらにより好ましくは１．４ｎｍ以上である。磁性層１３の表面１３Ｓの算術平均粗さＲａの下限値が１．０ｎｍ以上であると、摩擦の増大による走行性の低下を抑制することができる。
表面１３Ｓの算術平均粗さＲａは以下のようにして求められる。まず、磁性層１３の表面をＡＦＭ（Atomic Force Microscope）により観察し、４０μｍ×４０μｍのＡＦＭ像を得る。ＡＦＭとしてはDigital Instruments社製、Nano Scope IIIa D3100を用い、カンチレバーとしてはシリコン単結晶製のものを用い、タッピング周波数として２００Ｈｚ〜４００Ｈｚのチューニングにて測定を行う。カンチレバーは、例えばNano World社製の「SPMプローブ NCH ノーマルタイプ PointProbe L(カンチレバー長)=125um」を用いることができる。次に、ＡＦＭ像を512×512（＝262,144）個の測定点に分割し、各測定点にて高さＺ（ｉ）（ｉ：測定点番号、ｉ＝１〜262,144）を測定し、測定した各測定点の高さＺ（ｉ）を単純に平均（算術平均）して平均高さ（平均面）Ｚave（＝（Ｚ（１）＋Ｚ（２）＋・・・＋Ｚ（262,144））／262,144）を求める。続いて、各測定点での平均中心線からの偏差Ｚ”（ｉ）（＝｜Ｚ（ｉ）−Ｚave｜）を求め、算術平均粗さＲａ［ｎｍ］（＝（Ｚ”（１）＋Ｚ”（２）＋・・・＋Ｚ”（ 262,144））／262,144）を算出する。この際には、画像処理として、Flatten order2、ならびに、planefit order 3 XYによりフィルタリング処理を行ったものをデータとして用いる。
また、磁性層１３において、空間波長５μｍまでのＰＳＤ (Power Spectrum Density）が例えば２．５μｍ以下であることが望ましい。ＰＳＤを一定値以下に抑えることにより、記録再生を行う際の記録/再生ヘッドとテープのスペーシングを小さくすることができ、高記録密度に適した媒体とすることができる。ＰＳＤの測定は以下のように行う。
まず、磁気テープの表面を原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscope：ＡＦＭ）で観察し、２次元（２Ｄ）表面プロファイルデータを得る。
以下に、測定に好適なＡＦＭを示す。
Digital Instruments社製 Dimension 3100
カンチレバー：NanoWorld社 NCH-10T
以下に、ＡＦＭの測定条件について示す。
測定エリア：３０μｍ×３０μｍ
分解能：５１２×５１２
ＡＦＭのブローブのｓｃａｎ方向：磁気テープのＭＤ方向（長手方向）
測定ｍｏｄｅ：タッピングモード
ｓｃａｎ ｒａｔｉｏ：１Ｈｚ
次に、ＡＦＭにより得られる２Ｄ表面プロファイルデータに対して、下記のフィルタ処理を施す。
Ｆｌａｔｔｅｎ：３次
Ｐｌａｎｅｆｉｔ：ＭＤ方向のみ３次
次に、フィルタ処理後の２Ｄ表面プロファイルデータのＭＤ方向に高速フーリエ変換（Fast Fourier Transform：ＦＦＴ）を５１２ｌｉｎｅそれぞれで施し、５１２本のパワースペクトル密度（Power Spectrum Density：ＰＳＤ）を取得する。次に、取得したＭＤ方向の５１２本のＰＳＤを波長ごとに平均化し、ＭＤ方向の１本の平均化されたＰＳＤ（以下「ＰＳＤMD」または「ＰＳＤ（ｋ）MD」という。）を得る。なお、ＭＤ方向におけるＰＳＤの平均化には、以下の式（１）を用いる。
ＰＳＤ：パワースペクトル密度（ｎｍ3）
ｚ（ｎ）：ｎ番目の点での表面プロファイルデータ
（ｎｍ）
ｄ：分解能（ｎｍ） ＝Ｌ／Ｎ
Ｌ：Ｘ軸方向（もしくはＹ軸方向）における測定範囲（３０μｍ）
Ｎ：Ｘ軸方向におけるポイント数（５１２ポイント）
ｉ：虚数単位
ｅ：ネイピア数
Average：Ｙ軸方向（もしくはＸ軸方向）における平均化操作
ｎ：変数（０からＮ−１まで）
ｋ：波数（０からＮ−１まで）
なお、Ｘ軸方向がＭＤ方向（長手方向）に対応する。
ここまでで得られた各波長におけるＰＳＤの値のうち、波長５μｍ以下のＰＳＤ値を積算したものを採用する。
まず、磁気テープの表面を原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscope：ＡＦＭ）で観察し、２次元（２Ｄ）表面プロファイルデータを得る。
以下に、測定に好適なＡＦＭを示す。
Digital Instruments社製 Dimension 3100
カンチレバー：NanoWorld社 NCH-10T
以下に、ＡＦＭの測定条件について示す。
測定エリア：３０μｍ×３０μｍ
分解能：５１２×５１２
ＡＦＭのブローブのｓｃａｎ方向：磁気テープのＭＤ方向（長手方向）
測定ｍｏｄｅ：タッピングモード
ｓｃａｎ ｒａｔｉｏ：１Ｈｚ
次に、ＡＦＭにより得られる２Ｄ表面プロファイルデータに対して、下記のフィルタ処理を施す。
Ｆｌａｔｔｅｎ：３次
Ｐｌａｎｅｆｉｔ：ＭＤ方向のみ３次
次に、フィルタ処理後の２Ｄ表面プロファイルデータのＭＤ方向に高速フーリエ変換（Fast Fourier Transform：ＦＦＴ）を５１２ｌｉｎｅそれぞれで施し、５１２本のパワースペクトル密度（Power Spectrum Density：ＰＳＤ）を取得する。次に、取得したＭＤ方向の５１２本のＰＳＤを波長ごとに平均化し、ＭＤ方向の１本の平均化されたＰＳＤ（以下「ＰＳＤMD」または「ＰＳＤ（ｋ）MD」という。）を得る。なお、ＭＤ方向におけるＰＳＤの平均化には、以下の式（１）を用いる。
ｚ（ｎ）：ｎ番目の点での表面プロファイルデータ
（ｎｍ）
ｄ：分解能（ｎｍ） ＝Ｌ／Ｎ
Ｌ：Ｘ軸方向（もしくはＹ軸方向）における測定範囲（３０μｍ）
Ｎ：Ｘ軸方向におけるポイント数（５１２ポイント）
ｉ：虚数単位
ｅ：ネイピア数
Average：Ｙ軸方向（もしくはＸ軸方向）における平均化操作
ｎ：変数（０からＮ−１まで）
ｋ：波数（０からＮ−１まで）
なお、Ｘ軸方向がＭＤ方向（長手方向）に対応する。
ここまでで得られた各波長におけるＰＳＤの値のうち、波長５μｍ以下のＰＳＤ値を積算したものを採用する。
磁性層１３の平均厚みの上限値は、好ましくは９０ｎｍ以下、特に好ましくは８０ｎｍ以下、より好ましくは７０ｎｍ以下、さらにより好ましくは５０ｎｍ以下である。磁性層１３の平均厚みの上限値が９０ｎｍ以下であると、記録ヘッドとしてはリング型ヘッドを用いた場合に、磁性層１３の厚み方向に均一に磁化を記録できるため、電磁変換特性を向上することができる。また、磁性層１３の平均厚みの上限値が９０ｎｍ以下であると、データ信号の再生波形における孤立波形の半値幅を狭くして（例えば２００ｎｍ以下として）、データ信号の再生波形のピークを鋭くすることができる。これにより、データ信号の読み取り精度が向上するので、記録トラック数を増加させてデータの記録密度を向上させることができる。
磁性層１３の平均厚みの下限値は、好ましくは３５ｎｍ以上である。磁性層１３の平均厚みの上限値が３５ｎｍ以上であると、再生ヘッドとしてはＭＲ型ヘッドを用いた場合に、出力を確保できるため、電磁変換特性を向上することができる。
磁性層１３の平均厚みは以下のようにして求められる。まず、磁気記録媒体１０の磁性層１３の表面１３Ｓおよびバック層１４の表面１４Ｓにカーボン膜を蒸着法により形成したのち、磁性層１３の表面１３Ｓを覆うカーボン膜の上にタングステン薄膜を蒸着法によりさらに形成する。これらのカーボン膜およびタングステン膜は、後述の薄片化処理においてサンプルを保護するものである。
次に、磁気記録媒体１０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜及びタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気記録媒体１０の磁性層側表面及びバック層側表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法又はスパッタリング法により磁性層側表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気記録媒体１０の長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気記録媒体１０の長手方向及び厚み方向の両方に平行な断面が形成される。得られた薄片化サンプルの前記断面を、透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ）により、下記の条件で観察し、ＴＥＭ像を得る。なお、装置の種類に応じて、倍率及び加速電圧は適宜調整されてよい。
装置：ＴＥＭ（日立製作所製Ｈ９０００ＮＡＲ）
加速電圧：３００ｋＶ
倍率：１００，０００倍
装置：ＴＥＭ（日立製作所製Ｈ９０００ＮＡＲ）
加速電圧：３００ｋＶ
倍率：１００，０００倍
次に、得られたＴＥＭ像を用い、磁気記録媒体１０の長手方向の少なくとも１０点以上の位置で磁性層１３の厚みを測定する。得られた測定値を単純に平均（算術平均）した平均値を磁性層１３の平均厚みとする。なお、前記測定が行われる位置は、試験片から無作為に選ばれるものとする。
（磁性粉）
磁性粉は、例えば、ε酸化鉄を含有するナノ粒子（以下「ε酸化鉄粒子」という。）の粉末を含んでいる。ε酸化鉄粒子は微粒子でも高保磁力を得ることができる。ε酸化鉄粒子に含まれるε酸化鉄は、磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）に優先的に結晶配向していることが好ましい。
磁性粉は、例えば、ε酸化鉄を含有するナノ粒子（以下「ε酸化鉄粒子」という。）の粉末を含んでいる。ε酸化鉄粒子は微粒子でも高保磁力を得ることができる。ε酸化鉄粒子に含まれるε酸化鉄は、磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）に優先的に結晶配向していることが好ましい。
図２は、磁性層１３に含まれるε酸化鉄粒子２０の断面構造の一例を模式的に表す断面図である。図２に示したように、ε酸化鉄粒子２０は、球状もしくはほぼ球状を有しているか、または立方体状もしくはほぼ立方体状を有している。ε酸化鉄粒子２０が上記のような形状を有しているので、磁性粒子としてε酸化鉄粒子２０を用いた場合、磁性粒子として六角板状のバリウムフェライト粒子を用いた場合に比べて、磁気記録媒体１０の厚み方向における粒子同士の接触面積を低減し、粒子同士の凝集を抑制することができる。したがって、磁性粉の分散性を高め、より良好なＳＮＲ（Signal-to-Noise Ratio）を得ることができる。
ε酸化鉄粒子２０は、例えばコアシェル型構造を有する。具体的には、ε酸化鉄粒子２０は、図３に示したように、コア部２１と、このコア部２１の周囲に設けられた２層構造のシェル部２２とを備える。２層構造のシェル部２２は、コア部２１上に設けられた第１シェル部２２ａと、第１シェル部２２ａ上に設けられた第２シェル部２２ｂとを有する。
ε酸化鉄粒子２０におけるコア部２１は、ε酸化鉄を含んでいる。コア部２１に含まれるε酸化鉄は、ε−Ｆｅ2 Ｏ3 結晶を主相とするものが好ましく、単相のε−Ｆｅ2 Ｏ3からなるものがより好ましい。
第１シェル部２２ａは、コア部２１の周囲のうちの少なくとも一部を覆っている。具体的には、第１シェル部２２ａは、コア部２１の周囲を部分的に覆っていてもよいし、コア部２１の周囲全体を覆っていてもよい。コア部２１と第１シェル部２２ａの交換結合を十分なものとし、磁気特性を向上する観点からすると、コア部２１の表面全体を覆っていることが好ましい。
第１シェル部２２ａは、いわゆる軟磁性層であり、例えば、α−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｆｅ合金またはＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金等の軟磁性体を含む。α−Ｆｅは、コア部２１に含まれるε酸化鉄を還元することにより得られるものであってもよい。
第２シェル部２２ｂは、酸化防止層としての酸化被膜である。第２シェル部２２ｂは、α酸化鉄、酸化アルミニウムまたは酸化ケイ素を含む。α酸化鉄は、例えばＦｅ3 Ｏ4 、Ｆｅ2 Ｏ3 およびＦｅＯのうちの少なくとも１種の酸化鉄を含んでいる。第１シェル部２２ａがα−Ｆｅ（軟磁性体）を含む場合には、α酸化鉄は、第１シェル部２２ａに含まれるα−Ｆｅを酸化することにより得られるものであってもよい。
ε酸化鉄粒子２０が、上述のように第１シェル部２２ａを有することで、熱安定性を確保するためにコア部２１単体の保磁力Ｈｃを大きな値に保ちつつ、ε酸化鉄粒子（コアシェル粒子）２０全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できる。また、ε酸化鉄粒子２０が、上述のように第２シェル部２２ｂを有することで、磁気記録媒体１０の製造工程およびその工程前において、ε酸化鉄粒子２０が空気中に暴露されて粒子表面に錆び等が発生することによりε酸化鉄粒子２０の特性が低下するのを抑制することができる。したがって、第１シェル部２２ａを第２シェル部２２ｂにより覆うことで、磁気記録媒体１０の特性劣化を抑制することができる。
磁性粉の平均粒子サイズ（平均最大粒子サイズ）は、好ましくは２５ｎｍ以下、より好ましくは８ｎｍ以上２２ｎｍ以下、さらにより好ましくは１２ｎｍ以上２２ｎｍ以下である。磁気記録媒体１０では、記録波長の１／２のサイズの領域が実際の磁化領域となる。このため、磁性粉の平均粒子サイズを最短記録波長の半分以下に設定することで、良好なＳ／Ｎを得ることができる。したがって、磁性粉の平均粒子サイズが２２ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気記録媒体１０（例えば５０ｎｍ以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成された磁気記録媒体１０）において、良好な電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子サイズが８ｎｍ以上であると、磁性粉の分散性がより向上し、より優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。
磁性粉の平均アスペクト比は、好ましくは１．０以上３．０以下、より好ましくは１．０以上２．８以下、さらにより好ましくは１．０以上２．０以下である。磁性粉の平均アスペクト比が１以上３．０以下の範囲内であると、磁性粉の凝集を抑制することができると共に、磁性層１３の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際に、磁性粉に加わる抵抗を抑制することができる。したがって、磁性粉の垂直配向性を向上することができる。
上記の磁性粉の平均粒子サイズおよび平均アスペクト比は、以下のようにして求められる。まず、測定対象となる磁気記録媒体１０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。薄片化は磁気テープの長さ方向(長手方向)に沿うかたちで行う。すなわち、この薄片化によって、磁気記録媒体１０の長手方向および厚み方向の双方に平行な断面が形成される。得られた薄片サンプルについて、透過電子顕微鏡(日立ハイテクノロジーズ製 H-9500)を用いて、加速電圧：２００ｋＶ、総合倍率５００，０００倍で磁性層１３の厚み方向に対して磁性層１３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から５０個の粒子を無作為に選び出し、各粒子の長軸長ＤＬと短軸長ＤＳとを測定する。ここで、長軸長ＤＬとは、各粒子の輪郭に接するように、あらゆる角度から引いた２本の平行線間の距離のうち最大のもの（いわゆる最大フェレ径）を意味する。一方、短軸長ＤＳとは、粒子の長軸長ＤＬと直交する方向における粒子の長さのうち最大のものを意味する。
続いて、測定した５０個の粒子の長軸長ＤＬを単純に平均（算術平均）して平均長軸長ＤＬaveを求める。このようにして求めた平均長軸長ＤＬaveを磁性粉の平均粒子サイズとする。また、測定した５０個の粒子の短軸長ＤＳを単純に平均（算術平均）して平均短軸長ＤＳaveを求める。そして、平均長軸長ＤＬaveおよび平均短軸長ＤＳaveから粒子の平均アスペクト比（ＤＬave／ＤＳave）を求める。
磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは２３００ｎｍ3以下、より好ましくは２２００ｎｍ３以下、より好ましくは２１００ｎｍ３以下、より好ましくは１９５０ｎｍ3以下、より好ましくは１６００ｎｍ3以下、さらにより好ましくは１３００ｎｍ3以下である。磁性粉の平均粒子体積が２３００ｎｍ3以下であると、データ信号の再生波形における孤立波形の半値幅を狭くして（２００ｎｍ以下）、データ信号の再生波形のピークを鋭くすることができる。これにより、データ信号の読み取り精度が向上するため、記録トラック数を増加させてデータの記録密度を向上させることができる（詳細は後述）。なお、磁性粉の平均粒子体積は、小さければ小さいほど良いので、体積の下限値については特に限定されないが、例えば、下限値は、８００ｎｍ3以上とされる。
ε酸化鉄粒子２０が球状またはほぼ球状を有している場合には、磁性粉の平均粒子体積は以下のようにして求められる。まず、上記の磁性粉の平均粒子サイズの算出方法と同様にして、平均長軸長ＤＬaveを求める。次に、以下の式により、磁性粉の平均体積Ｖを求める。
Ｖ＝（π/６）×（ＤＬave）3
Ｖ＝（π/６）×（ＤＬave）3
（結着剤）
結着剤としては、ポリウレタン系樹脂、塩化ビニル系樹脂等に架橋反応を付与した構造の樹脂が好ましい。しかしながら結着剤はこれらに限定されるものではなく、磁気記録媒体１０に対して要求される物性等に応じて、その他の樹脂を適宜配合してもよい。配合する樹脂としては、通常、塗布型の磁気記録媒体１０において一般的に用いられる樹脂であれば、特に限定されない。
結着剤としては、ポリウレタン系樹脂、塩化ビニル系樹脂等に架橋反応を付与した構造の樹脂が好ましい。しかしながら結着剤はこれらに限定されるものではなく、磁気記録媒体１０に対して要求される物性等に応じて、その他の樹脂を適宜配合してもよい。配合する樹脂としては、通常、塗布型の磁気記録媒体１０において一般的に用いられる樹脂であれば、特に限定されない。
例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル−塩化ビニル共重合体、メタクリル酸エステル−エチレン共重合体、ポリ弗化ビニル、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体（セルロースアセテートブチレート、セルロースダイアセテート、セルローストリアセテート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロース）、スチレンブタジエン共重合体、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂、合成ゴム等が挙げられる。
また、熱硬化性樹脂、または反応型樹脂の例としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミン樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂等が挙げられる。
また、上述した各結着剤には、磁性粉の分散性を向上させる目的で、−ＳＯ3 Ｍ、−ＯＳＯ3 Ｍ、−ＣＯＯＭ、Ｐ＝Ｏ（ＯＭ）2 等の極性官能基が導入されていてもよい。ここで、上記化学式中のＭは、水素原子、またはリチウム、カリウム、ナトリウム等のアルカリ金属である。
さらに、極性官能基としては、−ＮＲ１Ｒ２、−ＮＲ１Ｒ２Ｒ３+Ｘ-の末端基を有する側鎖型のもの、＞ＮＲ１Ｒ２+Ｘ-の主鎖型のものが挙げられる。ここで、上記式中のＲ１、Ｒ２、Ｒ３は、水素原子、または炭化水素基であり、Ｘ-は弗素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン元素イオン、または無機もしくは有機イオンである。また、極性官能基としては、−ＯＨ、−ＳＨ、−ＣＮ、エポキシ基等も挙げられる。
（潤滑剤）
磁性層１３に含まれる潤滑剤は、例えば脂肪酸および脂肪酸エステルを含有している。潤滑剤に含有される脂肪酸は、例えば下記の一般式＜１＞により示される化合物および一般式＜２＞により示される化合物のうちの少なくとも一方を含むことが好ましい。また、潤滑剤に含有される脂肪酸エステルは、下記の一般式＜３＞により示される化合物および一般式＜４＞により示される化合物のうちの少なくとも一方を含むことが好ましい。潤滑剤が、一般式＜１＞により示される化合物および一般式＜３＞により示される化合物の２種を含むことにより、一般式＜２＞により示される化合物および一般式＜３＞により示される化合物の２種を含むことにより、一般式＜１＞により示される化合物および一般式＜４＞により示される化合物の２種を含むことにより、一般式＜２＞により示される化合物および一般式＜４＞により示される化合物の２種を含むことにより、一般式＜１＞により示される化合物、一般式＜２＞により示される化合物および一般式＜３＞により示される化合物の３種を含むことにより、一般式＜１＞により示される化合物、一般式＜２＞により示される化合物および一般式＜４＞により示される化合物の３種を含むことにより、一般式＜１＞により示される化合物、一般式＜３＞により示される化合物および一般式＜４＞により示される化合物の３種を含むことにより、一般式＜２＞により示される化合物、一般式＜３＞により示される化合物および一般式＜４＞により示される化合物の３種を含むことにより、または、一般式＜１＞により示される化合物、一般式＜２＞により示される化合物、一般式＜３＞により示される化合物および一般式＜４＞により示される化合物の４種を含むことにより、磁気記録媒体１０における繰り返しの記録又は再生による動摩擦係数の増加を抑制することができる。その結果、磁気記録媒体１０の走行性をさらに向上させることができる。
ＣＨ3（ＣＨ2）kＣＯＯＨ ・・・＜１＞
（但し、一般式＜１＞において、ｋは１４以上２２以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ3（ＣＨ2）nＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）mＣＯＯＨ ・・・＜２＞
（但し、一般式＜２＞において、ｎとｍとの和は１２以上２０以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ3（ＣＨ2）pＣＯＯ（ＣＨ2）qＣＨ3 ・・・＜３＞
（但し、一般式＜３＞において、ｐは１４以上２２以下、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数であり、且つ、ｑは２以上５以下の範囲、より好ましくは２以上４以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ3（ＣＨ2）pＣＯＯ−（ＣＨ2）qＣＨ（ＣＨ3）2 …＜４＞
（但し、前記一般式＜２＞において、ｐは１４以上２２以下の範囲から選ばれる整数であり、ｑは１以上３以下の範囲から選ばれる整数である。）
磁性層１３に含まれる潤滑剤は、例えば脂肪酸および脂肪酸エステルを含有している。潤滑剤に含有される脂肪酸は、例えば下記の一般式＜１＞により示される化合物および一般式＜２＞により示される化合物のうちの少なくとも一方を含むことが好ましい。また、潤滑剤に含有される脂肪酸エステルは、下記の一般式＜３＞により示される化合物および一般式＜４＞により示される化合物のうちの少なくとも一方を含むことが好ましい。潤滑剤が、一般式＜１＞により示される化合物および一般式＜３＞により示される化合物の２種を含むことにより、一般式＜２＞により示される化合物および一般式＜３＞により示される化合物の２種を含むことにより、一般式＜１＞により示される化合物および一般式＜４＞により示される化合物の２種を含むことにより、一般式＜２＞により示される化合物および一般式＜４＞により示される化合物の２種を含むことにより、一般式＜１＞により示される化合物、一般式＜２＞により示される化合物および一般式＜３＞により示される化合物の３種を含むことにより、一般式＜１＞により示される化合物、一般式＜２＞により示される化合物および一般式＜４＞により示される化合物の３種を含むことにより、一般式＜１＞により示される化合物、一般式＜３＞により示される化合物および一般式＜４＞により示される化合物の３種を含むことにより、一般式＜２＞により示される化合物、一般式＜３＞により示される化合物および一般式＜４＞により示される化合物の３種を含むことにより、または、一般式＜１＞により示される化合物、一般式＜２＞により示される化合物、一般式＜３＞により示される化合物および一般式＜４＞により示される化合物の４種を含むことにより、磁気記録媒体１０における繰り返しの記録又は再生による動摩擦係数の増加を抑制することができる。その結果、磁気記録媒体１０の走行性をさらに向上させることができる。
ＣＨ3（ＣＨ2）kＣＯＯＨ ・・・＜１＞
（但し、一般式＜１＞において、ｋは１４以上２２以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ3（ＣＨ2）nＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）mＣＯＯＨ ・・・＜２＞
（但し、一般式＜２＞において、ｎとｍとの和は１２以上２０以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ3（ＣＨ2）pＣＯＯ（ＣＨ2）qＣＨ3 ・・・＜３＞
（但し、一般式＜３＞において、ｐは１４以上２２以下、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数であり、且つ、ｑは２以上５以下の範囲、より好ましくは２以上４以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ3（ＣＨ2）pＣＯＯ−（ＣＨ2）qＣＨ（ＣＨ3）2 …＜４＞
（但し、前記一般式＜２＞において、ｐは１４以上２２以下の範囲から選ばれる整数であり、ｑは１以上３以下の範囲から選ばれる整数である。）
（添加剤）
磁性層１３は、非磁性補強粒子として、酸化アルミニウム（α、βまたはγアルミナ）、酸化クロム、酸化珪素、ダイヤモンド、ガーネット、エメリー、窒化ホウ素、チタンカーバイト、炭化珪素、炭化チタン、酸化チタン（ルチル型またはアナターゼ型の酸化チタン）等をさらに含んでいてもよい。
磁性層１３は、非磁性補強粒子として、酸化アルミニウム（α、βまたはγアルミナ）、酸化クロム、酸化珪素、ダイヤモンド、ガーネット、エメリー、窒化ホウ素、チタンカーバイト、炭化珪素、炭化チタン、酸化チタン（ルチル型またはアナターゼ型の酸化チタン）等をさらに含んでいてもよい。
（下地層１２）
下地層１２は、非磁性粉および結着剤を含む非磁性層である。下地層１２が、必要に応じて、潤滑剤、導電性粒子、硬化剤および防錆剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。また、下地層１２は、複数層が積層されてなる多層構造を有していてもよい。下地層１２の平均厚みは、好ましくは０．４μｍ以上１．４μｍ以下、より好ましくは０．６μｍ以上１．２μｍ以下である。
下地層１２は、非磁性粉および結着剤を含む非磁性層である。下地層１２が、必要に応じて、潤滑剤、導電性粒子、硬化剤および防錆剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。また、下地層１２は、複数層が積層されてなる多層構造を有していてもよい。下地層１２の平均厚みは、好ましくは０．４μｍ以上１．４μｍ以下、より好ましくは０．６μｍ以上１．２μｍ以下である。
なお、下地層１２の平均厚みは、例えば次のように求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。続いて、サンプルの磁気記録媒体１０について、下地層１２および磁性層１３を基体１１から剥がす。次に、測定装置としてミツトヨ（Mitutoyo）社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用い、基体１１から剥がした下地層１２と磁性層１３との積層体の厚みを、５点以上の位置で測定する。そののち、それらの測定値を単純平均（算術平均）し、下地層１２と磁性層１３との積層体の平均厚みを算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。最後に、その積層体の平均厚みから、上述のようにＴＥＭを用いて測定した磁性層１３の平均厚みを差し引くことにより、下地層１２の平均厚みを求める。
下地層１２は、細孔を有していてよく、すなわち、下地層１２は、多数の細孔が設けられていてもよい。下地層１２の細孔は、例えば磁性層１３に細孔（孔部１３Ａ）を形成することに伴い形成されてよく、特には、磁気記録媒体１０のバック層１４の表面１４Ｓに設けられた多数の突部を磁性層側表面に押し当てることによって形成されうる。すなわち、突部の形に対応する凹部が磁性層１３の表面１３Ｓに形成されることによって、磁性層１３および下地層１２に細孔がそれぞれ形成されうる。また、磁性層形成用塗料の乾燥工程で溶剤が揮発することに伴い細孔が形成されてもよい。また、磁性層１３を形成するために磁性層形成用塗料を下地層１２の表面に塗布した際に磁性層形成用塗料中の溶剤が下層を塗布乾燥させた際に形成された下地層１２の細孔を通り、下地層１２内に浸透しうる。そののち磁性層１３の乾燥工程において下地層１２内に浸透した溶剤が揮発する際に、下地層１２内に浸透した溶剤が下地層１２から磁性層１３の表面１３Ｓへ移動していくことによって細孔が形成されてもよい。このように形成された細孔は、例えば磁性層１３と下地層１２とを連通しているものでありうる。磁性層形成用塗料の固形分若しくは溶剤の種類及び／又は磁性層形成用塗料の乾燥条件を変更することによって、細孔の平均直径を調整することが出来る。磁性層１３および下地層１２の両方に細孔が形成されていることによって、良好な走行安定性のために特に適した量の潤滑剤が磁性層側表面に現れ、繰り返しの記録又は再生による動摩擦係数の増加をさらに抑制することができる。
繰り返し記録または再生後における動摩擦係数の低下を抑制する観点からすると、下地層１２の孔部と磁性層１３の孔部１３Ａとがつながっていることが好ましい。ここで、下地層１２の孔部と磁性層１３の孔部１３Ａとがつながっているとは、下地層１２の多数の孔部のうちの一部のものと、磁性層１３の多数の孔部のうちの一部のものとがつながっている状態を含むものとする。
磁性層１３の表面１３Ｓに対する潤滑剤の供給性を向上する観点からすると、多数の孔部は、磁性層１３の表面１３Ｓに対して垂直方向に延設されているものを含んでいることが好ましい。また、磁性層１３の表面１３Ｓに対する潤滑剤の供給性を向上する観点からすると、磁性層１３の表面１３Ｓに対して垂直方向に延設された下地層１２の孔部と、磁性層１３の表面１３Ｓに対して垂直方向に延設された磁性層１３の孔部とがつながっていることが好ましい。
（下地層１２の非磁性粉）
非磁性粉は、例えば無機粒子粉または有機粒子粉の少なくとも１種を含む。また、非磁性粉は、カーボンブラック等の炭素粉を含んでいてもよい。なお、１種の非磁性粉を単独で用いてもよいし、２種以上の非磁性粉を組み合わせて用いてもよい。無機粒子は、例えば、金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物または金属硫化物等を含む。非磁性粉の形状としては、例えば、針状、球状、立方体状、板状等の各種形状が挙げられるが、これに限定されるものではない。
非磁性粉は、例えば無機粒子粉または有機粒子粉の少なくとも１種を含む。また、非磁性粉は、カーボンブラック等の炭素粉を含んでいてもよい。なお、１種の非磁性粉を単独で用いてもよいし、２種以上の非磁性粉を組み合わせて用いてもよい。無機粒子は、例えば、金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物または金属硫化物等を含む。非磁性粉の形状としては、例えば、針状、球状、立方体状、板状等の各種形状が挙げられるが、これに限定されるものではない。
（下地層１２の結着剤）
下地層１２における結着剤は、上述の磁性層１３と同様である。
下地層１２における結着剤は、上述の磁性層１３と同様である。
（バック層１４）
バック層１４は、例えば結着剤および非磁性粉を含んでいる。バック層１４が、必要に応じて潤滑剤、硬化剤および帯電防止剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。バック層１４における結着剤および非磁性粉は、上述の下地層１２における結着剤および非磁性粉と同様である。
バック層１４は、例えば結着剤および非磁性粉を含んでいる。バック層１４が、必要に応じて潤滑剤、硬化剤および帯電防止剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。バック層１４における結着剤および非磁性粉は、上述の下地層１２における結着剤および非磁性粉と同様である。
バック層１４における非磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、より好ましくは１５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である。バック層１４の非磁性粉の平均粒子サイズは、上記の磁性層１３における磁性粉の平均粒子サイズと同様にして求められる。非磁性粉が、２以上の粒度分布を有するものを含んでいてもよい。
バック層１４の平均厚みの上限値は、好ましくは０．６μｍ以下であり、特に好ましくは０．５μｍ以下である。バック層１４の平均厚みの上限値が０．６μｍ以下であると、磁気記録媒体１０の平均厚みが５．６μｍ以下である場合でも、下地層１２や基体１１の厚みを厚く保つことができるので、磁気記録媒体１０の記録再生装置内での走行安定性を保つことができる。バック層１４の平均厚みの下限値は特に限定されるものではないが、例えば０．２μｍ以上であり、特に好ましくは０．３μｍ以上である。
バック層１４の平均厚みは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。次に、測定装置としてミツトヨ（Mitutoyo）社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプルである磁気記録媒体１０の厚みを５点以上で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、磁気記録媒体１０の平均厚みｔT［μｍ］を算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。続いて、サンプルの磁気記録媒体１０からバック層１４をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。そののち、再び上記のレーザーホロゲージを用い、磁気記録媒体１０からバック層１４を除去したサンプルの厚みを５点以上で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）してバック層１４を除去した磁気記録媒体１０の平均厚みｔB［μｍ］を算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。最後に、以下の式よりバック層１４の平均厚みｔb［μｍ］を求める。
ｔb［μｍ］＝ｔT［μｍ］−ｔB［μｍ］
ｔb［μｍ］＝ｔT［μｍ］−ｔB［μｍ］
バック層１４は、多数の突部が設けられた表面を有している。多数の突部は、磁気記録媒体１０をロール状に巻き取った状態において、磁性層１３の表面に多数の孔部を形成するためのものである。多数の孔部は、例えば、バック層１４の表面から突出された多数の非磁性粒子により構成されている。
ここでは、バック層１４の表面に設けられた多数の突部を、磁性層１３の表面に転写することにより磁性層１３の表面に多数の孔部を形成する場合について説明したが、多数の孔部の形成方法はこれに限定されるものではない。例えば、磁性層形成用塗料に含まれる溶剤の種類および磁性層形成用塗料の乾燥条件等を調整することで、磁性層１３の表面に多数の孔部を形成するようにしてもよい。
［磁気記録媒体の平均厚み］
磁気記録媒体１０の平均厚み（平均全厚）の上限値は、好ましくは５．６μｍ以下、より好ましくは５．０μｍ以下、特に好ましくは４．６μｍ以下、さらにより好ましくは４．４μｍ以下である。磁気記録媒体１０の平均厚みが５．６μｍ以下であると、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を一般的な磁気記録媒体よりも高めることができる。磁気記録媒体１０の平均厚みの下限値は特に限定されるものではないが、例えば３．５μｍ以上である。
磁気記録媒体１０の平均厚み（平均全厚）の上限値は、好ましくは５．６μｍ以下、より好ましくは５．０μｍ以下、特に好ましくは４．６μｍ以下、さらにより好ましくは４．４μｍ以下である。磁気記録媒体１０の平均厚みが５．６μｍ以下であると、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を一般的な磁気記録媒体よりも高めることができる。磁気記録媒体１０の平均厚みの下限値は特に限定されるものではないが、例えば３．５μｍ以上である。
磁気記録媒体１０の平均厚みｔＴは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプルの厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、平均値ｔＴ［μｍ］を算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。
（垂直方向における保磁力Ｈｃ１）
垂直方向における保磁力Ｈｃ１の上限値が、３０００Ｏｅ以下、より好ましくは２９００Ｏｅ以下、さらにより好ましくは２８５０Ｏｅ以下である。保磁力Ｈｃ１が大きいことは、熱擾乱および反磁界の影響を受けにくくなり好ましい。ただし、保磁力Ｈｃ１が３０００Ｏｅを超えると記録ヘッドでの飽和記録が困難となり、それによって記録できない部分が存在しノイズが増加し、結果として電磁変換特性（例えばＣ／Ｎ）が悪化してしまうおそれがある。
垂直方向における保磁力Ｈｃ１の上限値が、３０００Ｏｅ以下、より好ましくは２９００Ｏｅ以下、さらにより好ましくは２８５０Ｏｅ以下である。保磁力Ｈｃ１が大きいことは、熱擾乱および反磁界の影響を受けにくくなり好ましい。ただし、保磁力Ｈｃ１が３０００Ｏｅを超えると記録ヘッドでの飽和記録が困難となり、それによって記録できない部分が存在しノイズが増加し、結果として電磁変換特性（例えばＣ／Ｎ）が悪化してしまうおそれがある。
垂直方向における保磁力Ｈｃ１の下限値が、好ましくは２２００Ｏｅ以上、より好ましくは２４００Ｏｅ以上、さらにより好ましくは２６００Ｏｅ以上である。保磁力Ｈｃ１が２２００Ｏｅ以上であると、熱擾乱の影響および反磁界の影響による、高温環境下における電磁変換特性（例えばＣ／Ｎ）の低下を抑制することができる。
上記の保磁力Ｈｃ１は以下のようにして求められる。磁気記録媒体１０を３枚重ね合わせて両面テープで接着したのち、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜くことにより測定サンプルを作成する。この際に、磁気記録媒体の長手方向（走行方向）が認識できるように、磁性を持たない任意のインクでマーキングを行う。そして、振動試料型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて磁気記録媒体１０の長手方向（磁気記録媒体１０の走行方向）に対応する測定サンプル（磁気記録媒体１０全体）のＭ−Ｈループを測定する。次に、アセトンまたはエタノール等を用いて塗膜（下地層１２、磁性層１３およびバック層１４等）を払拭し、基体１１のみを残す。そして、得られた基体１１を両面テープで３枚重ね合わせて接着したのち、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜くことによりバックグラウンド補正用のサンプル（以下、単に補正用サンプルという。）を得る。そののち、ＶＳＭを用いて基体１１の垂直方向（磁気記録媒体１０の厚み方向）に対応する補正用サンプル（基体１１）のＭ−Ｈループを測定する。
測定サンプル（磁気記録媒体１０全体）のＭ−Ｈループおよび補正用サンプル（基体１１）のＭ−Ｈループの測定においては、例えば東英工業製の好感度振動試料型磁力計「ＶＳＭ−Ｐ７−１５型」が用いられる。測定条件は、測定モード：フルループ、最大磁界：１５ｋＯｅ、磁界ステップ：４０ｂｉｔ、Time constant of Locking amp：０．３ｓｅｃ、Waiting time：１ｓｅｃ、ＭＨ平均数：２０とする。
２つのＭ−Ｈループを得たのち、測定サンプル（磁気記録媒体１０全体）のＭ−Ｈループから補正用サンプル（基体１１）のＭ−Ｈループが差し引かれることで、バックグラウンド補正が行われ、バックグラウンド補正後のＭ−Ｈループが得られる。このバックグラウンド補正の計算には、「ＶＳＭＰ７−１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。
得られたバックグラウンド補正後のＭ−Ｈループから保磁力Ｈｃ１が求められる。なお、この計算には、「ＶＳＭ−Ｐ７−１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。なお、上記のＭ−Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ−Ｈループを磁気記録媒体１０の垂直方向に測定する際の"反磁界補正"は行わないものとする。
（長手方向における保磁力Ｈｃ２）
磁気記録媒体１０の長手方向における保磁力Ｈｃ２の上限値は、好ましくは２０００Ｏｅ以下、より好ましくは１９００Ｏｅ以下、さらにより好ましくは１８００Ｏｅ以下である。長手方向における保磁力Ｈｃ２が２０００Ｏｅ以下であると、記録ヘッドからの垂直方向の磁界により感度良く磁化が反応するため、良好な記録パターンを形成することができる。
磁気記録媒体１０の長手方向における保磁力Ｈｃ２の上限値は、好ましくは２０００Ｏｅ以下、より好ましくは１９００Ｏｅ以下、さらにより好ましくは１８００Ｏｅ以下である。長手方向における保磁力Ｈｃ２が２０００Ｏｅ以下であると、記録ヘッドからの垂直方向の磁界により感度良く磁化が反応するため、良好な記録パターンを形成することができる。
磁気記録媒体１０の長手方向に測定した保磁力Ｈｃ２の下限値は、好ましくは１０００Ｏｅ以上である。長手方向にける保磁力Ｈｃの下限値が１０００Ｏｅ以上であると、記録ヘッドからの漏れ磁束による減磁を抑制することができる。
上記の保磁力Ｈｃ２は、測定サンプル全体およびバックグラウンド補正用のサンプルのＭ−Ｈループを磁気記録媒体１０の長手方向（走行方向）に対応する方向に測定すること以外は、垂直方向における保磁力Ｈｃ１と同様にして求められる。
（Ｈｃ２／Ｈｃ１）
垂直方向における保磁力Ｈｃ１と、長手方向における保磁力Ｈｃ２の比Ｈｃ２／Ｈｃ１が、Ｈｃ２／Ｈｃ１≦０．８、好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．７５、より好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．７、さらにより好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．６５、特に好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．６の関係を満たす。保磁力Ｈｃ１、Ｈｃ２がＨｃ２／Ｈｃ１≦０．８の関係を満たすことで、磁性粉の垂直配向度を高めることができる。したがって、磁化遷移幅を低減し、かつ信号再生時に高出力の信号を得ることができるので、電磁変換特性（例えばＣ／Ｎ）を向上することができる。なお、上述したように、Ｈｃ２が小さいと、記録ヘッドからの垂直方向の磁界により感度良く磁化が反応するため、良好な記録パターンを形成することができる。
垂直方向における保磁力Ｈｃ１と、長手方向における保磁力Ｈｃ２の比Ｈｃ２／Ｈｃ１が、Ｈｃ２／Ｈｃ１≦０．８、好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．７５、より好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．７、さらにより好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．６５、特に好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．６の関係を満たす。保磁力Ｈｃ１、Ｈｃ２がＨｃ２／Ｈｃ１≦０．８の関係を満たすことで、磁性粉の垂直配向度を高めることができる。したがって、磁化遷移幅を低減し、かつ信号再生時に高出力の信号を得ることができるので、電磁変換特性（例えばＣ／Ｎ）を向上することができる。なお、上述したように、Ｈｃ２が小さいと、記録ヘッドからの垂直方向の磁界により感度良く磁化が反応するため、良好な記録パターンを形成することができる。
比Ｈｃ２／Ｈｃ１がＨｃ２／Ｈｃ１≦０．８である場合、磁性層１３の平均厚みが９０ｎｍ以下であることが特に有効である。磁性層１３の平均厚みが９０ｎｍを超えると、記録ヘッドとしてリング型ヘッドを用いた場合に、磁性層１３の下部領域（下地層１２側の領域）が長手方向に磁化されてしまい、磁性層１３を厚み方向に均一に磁化することができなくなるおそれがある。したがって、比Ｈｃ２／Ｈｃ１をＨｃ２／Ｈｃ１≦０．８としても（すなわち、磁性粉の垂直配向度を高めても）、電磁変換特性（例えばＣ／Ｎ）を向上することができなくなるおそれがある。
Ｈｃ２／Ｈｃ１の下限値は特に限定されるものではないが、例えば０．５≦Ｈｃ２／Ｈｃ１である。
なお、Ｈｃ２／Ｈｃ１は磁性粉の垂直配向度を表しており、Ｈｃ２／Ｈｃ１が小さいほど磁性粉の垂直配向度が高くなる。以下に、本実施形態において、磁性粉の垂直配向度を示す指標としてＨｃ２／Ｈｃ１を用いる理由について説明する。
従来、一般的には磁性粉の垂直配向度を示す指標（パラメータ）としては、角形比ＳＱ（＝（Ｍｒ／Ｍｓ）×１００、但し、Ｍｒ（ｅｍｕ）：残留磁化、Ｍｓ（ｅｍｕ）：飽和磁化）が用いられてきた。しかしながら、本発明者らの知見によれば、角形比ＳＱという指標は、以下の理由により磁性粉の垂直配向度を示す指標としては適当でない。
（１）角形比ＳＱは、磁性粉の保磁力Ｈｃの値により変動してしまう。例えば、図５に示すように、磁性粉の保磁力Ｈｃが大きくなると、見かけ上、角形比ＳＱも大きい値となる。
（２）角形比ＳＱは、過分散によるＭ−Ｈループの歪みの影響を受ける。
（１）角形比ＳＱは、磁性粉の保磁力Ｈｃの値により変動してしまう。例えば、図５に示すように、磁性粉の保磁力Ｈｃが大きくなると、見かけ上、角形比ＳＱも大きい値となる。
（２）角形比ＳＱは、過分散によるＭ−Ｈループの歪みの影響を受ける。
そこで、本実施形態においては、より適切に磁性粉の配向度を示す指標として、Ｈｃ２／Ｈｃ１を用いる。保磁力Ｈｃ１、Ｈｃ２は磁性粉の配向方向によって単純に変化するため、Ｈｃ２／Ｈｃ１が磁性粉の配向度を示す指標としてより適切である。
（角形比）
磁気記録媒体１０の垂直方向（厚み方向）における角形比Ｓ１は、例えば６５％以上であり、好ましくは７０％以上、より好ましくは７５％以上、さらにより好ましくは８０％以上、特に好ましくは８５％以上である。角形比Ｓ１が６５％以上であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、より優れたＳＮＲを得ることができる。
磁気記録媒体１０の垂直方向（厚み方向）における角形比Ｓ１は、例えば６５％以上であり、好ましくは７０％以上、より好ましくは７５％以上、さらにより好ましくは８０％以上、特に好ましくは８５％以上である。角形比Ｓ１が６５％以上であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、より優れたＳＮＲを得ることができる。
角形比Ｓ１は以下のようにして求められる。磁気記録媒体１０を３枚重ね合わせて両面テープで接着したのち、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜くことにより測定サンプルを作成する。この際に、磁気記録媒体の長手方向（走行方向）が認識できるように、磁性を持たない任意のインクでマーキングを行う。そして、振動試料型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて磁気記録媒体１０の長手方向（磁気記録媒体１０の走行方向）に対応する測定サンプル（磁気記録媒体１０全体）のＭ−Ｈループを測定する。次に、アセトンまたはエタノール等を用いて塗膜（下地層１２、磁性層１３およびバック層１４等）を払拭し、基体１１のみを残す。そして、得られた基体１１を両面テープで３枚重ね合わせて接着したのち、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜くことによりバックグラウンド補正用のサンプル（以下、単に補正用サンプルという。）を得る。そののち、ＶＳＭを用いて基体１１の長手方向（磁気記録媒体１０の走行方向）に対応する補正用サンプル（基体１１）のＭ−Ｈループを測定する。
測定サンプル（磁気記録媒体１０全体）のＭ−Ｈループおよび補正用サンプル（基体１１）のＭ−Ｈループの測定においては、例えば東英工業製の好感度振動試料型磁力計「ＶＳＭ−Ｐ７−１５型」が用いられる。測定条件は、測定モード：フルループ、最大磁界：１５ｋＯｅ、磁界ステップ：４０ｂｉｔ、Time constant of Locking amp：０．３ｓｅｃ、Waiting time：１ｓｅｃ、ＭＨ平均数：２０とする。
２つのＭ−Ｈループを得たのち、測定サンプル（磁気記録媒体１０全体）のＭ−Ｈループから補正用サンプル（基体１１）のＭ−Ｈループが差し引かれることで、バックグラウンド補正が行われ、バックグラウンド補正後のＭ−Ｈループが得られる。このバックグラウンド補正の計算には、「ＶＳＭＰ７−１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。
得られたバックグラウンド補正後のＭ−Ｈループの飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ）および残留磁化Ｍｒ（ｅｍｕ）を以下の式に代入して、角形比Ｓ１（％）を計算する。
角形比Ｓ１（％）＝（Ｍｒ／Ｍｓ）×１００
なお、上記のＭ−Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ−Ｈループを磁気記録媒体１０の垂直方向に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。
角形比Ｓ１（％）＝（Ｍｒ／Ｍｓ）×１００
なお、上記のＭ−Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ−Ｈループを磁気記録媒体１０の垂直方向に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。
磁気記録媒体１０の長手方向（走行方向）における角形比Ｓ２は、好ましくは３５％以下、より好ましくは３０％以下、さらにより好ましくは２５％以下、特に好ましくは２０％以下、最も好ましくは１５％以下である。角形比Ｓ２が３５％以下であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、より優れたＳＮＲを得ることができる。
角形比Ｓ２は、Ｍ−Ｈループを磁気記録媒体１０および基体１１の長手方向（走行方向）に測定すること以外は角形比Ｓ１と同様にして求められる。
（ＳＦＤ）
磁気記録媒体１０のＳＦＤ（Switching Field Distribution）曲線において、メインピーク高さＸと磁場ゼロ付近のサブピークの高さＹとのピーク比Ｘ／Ｙは、好ましくは３．０以上であり、より好ましくは５．０以上、さらにより好ましくは７．０以上、特に好ましくは１０．０以上、最も好ましくは２０．０以上である（図３参照）。ピーク比Ｘ／Ｙが３．０以上であると、実際の記録に寄与するε酸化鉄粒子２０の他にε酸化鉄特有の低保磁力成分（例えば軟磁性粒子や超常磁性粒子等）が磁性粉中に多く含まれることを抑制できる。したがって、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化することを抑制できるので、より優れたＳＮＲを得ることができる。ピーク比Ｘ／Ｙの上限値は特に限定されるものではないが、例えば１００以下である。
磁気記録媒体１０のＳＦＤ（Switching Field Distribution）曲線において、メインピーク高さＸと磁場ゼロ付近のサブピークの高さＹとのピーク比Ｘ／Ｙは、好ましくは３．０以上であり、より好ましくは５．０以上、さらにより好ましくは７．０以上、特に好ましくは１０．０以上、最も好ましくは２０．０以上である（図３参照）。ピーク比Ｘ／Ｙが３．０以上であると、実際の記録に寄与するε酸化鉄粒子２０の他にε酸化鉄特有の低保磁力成分（例えば軟磁性粒子や超常磁性粒子等）が磁性粉中に多く含まれることを抑制できる。したがって、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化することを抑制できるので、より優れたＳＮＲを得ることができる。ピーク比Ｘ／Ｙの上限値は特に限定されるものではないが、例えば１００以下である。
上記のピーク比Ｘ／Ｙは、以下のようにして求められる。まず、上記の保磁力Ｈｃの測定方法と同様にして、バックグラウンド補正後のＭ−Ｈループを得る。次に、得られたＭ−ＨループからＳＦＤカーブを算出する。ＳＦＤカーブの算出には測定機に付属のプログラムを用いてもよいし、その他のプログラムを用いてもよい。算出したＳＦＤカーブがＹ軸（ｄＭ／ｄＨ）を横切る点の絶対値を「Ｙ」とし、Ｍ−Ｈループで言うところの保磁力Ｈｃ近傍に見られるメインピークの高さを「Ｘ」として、ピーク比Ｘ／Ｙを算出する。なお、Ｍ−Ｈループの測定は、上記の保磁力Ｈｃの測定方法と同様に２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ−Ｈループを磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。また、使用するＶＳＭの感度に合わせて、測定するサンプルを複数枚重ねてＭ−Ｈループを測定してもよい。
（活性化体積Ｖact）
活性化体積Ｖactが、好ましくは８０００ｎｍ3以下、より好ましくは６０００ｎｍ3以下、さらにより好ましくは５０００ｎｍ3以下、特に好ましくは４０００ｎｍ3以下、最も好ましくは３０００ｎｍ3以下である。活性化体積Ｖactが８０００ｎｍ3以下であると、磁性粉の分散状態が良好になるため、ビット反転領域を急峻にすることができ、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化することを抑制できる。したがって、より優れたＳＮＲが得られる。
活性化体積Ｖactが、好ましくは８０００ｎｍ3以下、より好ましくは６０００ｎｍ3以下、さらにより好ましくは５０００ｎｍ3以下、特に好ましくは４０００ｎｍ3以下、最も好ましくは３０００ｎｍ3以下である。活性化体積Ｖactが８０００ｎｍ3以下であると、磁性粉の分散状態が良好になるため、ビット反転領域を急峻にすることができ、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化することを抑制できる。したがって、より優れたＳＮＲが得られる。
上記の活性化体積Ｖactは、Ｓｔｒｅｅｔ＆Ｗｏｏｌｌｅｙにより導出された下記の式により求められる。
Ｖact（ｎｍ3）＝ｋB×Ｔ×Χirr／（μ0×Ｍｓ×Ｓ）
（但し、ｋB：ボルツマン定数（１．３８×１０-23Ｊ／Ｋ）、Ｔ：温度（Ｋ）、Χirr：非可逆磁化率、μ0：真空の透磁率、Ｓ：磁気粘性係数、Ｍｓ：飽和磁化（ｅｍｕ／ｃｍ3））
Ｖact（ｎｍ3）＝ｋB×Ｔ×Χirr／（μ0×Ｍｓ×Ｓ）
（但し、ｋB：ボルツマン定数（１．３８×１０-23Ｊ／Ｋ）、Ｔ：温度（Ｋ）、Χirr：非可逆磁化率、μ0：真空の透磁率、Ｓ：磁気粘性係数、Ｍｓ：飽和磁化（ｅｍｕ／ｃｍ3））
上記式に代入される非可逆磁化率Χirr、飽和磁化Ｍｓおよび磁気粘性係数Ｓは、ＶＳＭを用いて以下のようにして求められる。ＶＳＭに用いる測定サンプルは、磁気記録媒体１０を両面テープで３枚重ね合わされたものをφ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜くことにより作製される。この際に、磁気記録媒体１０の長手方向（走行方向）が認識できるように、磁性を持たない任意のインクでマーキングを行う。なお、ＶＳＭによる測定方向は、磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）とする。また、ＶＳＭによる測定は、長尺状の磁気記録媒体１０から切り出された測定サンプルに対して２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ−Ｈループを磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。さらに、測定サンプル（磁気記録媒体１０の全体）のＭ−Ｈループ、補正用サンプル（基体１１）のＭ−Ｈループの測定においては、東英工業社製の高感度振動試料型磁力計「ＶＳＭ−Ｐ７−１５型」が用いられる。測定条件は、測定モード：フルループ、最大磁界：１５ｋＯｅ、磁界ステップ：４０ｂｉｔ、Time constant of Locking amp：０．３ｓｅｃ、Waiting time：１ｓｅｃ、ＭＨ平均数：２０とされる。
（非可逆磁化率Χirr）
非可逆磁化率Χirrは、残留磁化曲線（ＤＣＤ曲線）の傾きにおいて、残留保磁力Ｈｒ付近における傾きと定義される。まず、磁気記録媒体１０全体に−１１９３ｋＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）の磁界を印加し、磁界をゼロに戻し残留磁化状態とする。その後、反対方向に約１５．９ｋＡ／ｍ（２００Ｏｅ）の磁界を印加し再びゼロに戻し残留磁化量を測定する。その後も同様に、先ほどの印加磁界よりもさらに１５．９ｋＡ／ｍ大きい磁界を印加しゼロに戻す測定を繰り返し行い、印加磁界に対して残留磁化量をプロットしＤＣＤ曲線を測定する。得られたＤＣＤ曲線から、磁化量ゼロとなる点を残留保磁力Ｈｒとし、さらにＤＣＤ曲線を微分し、各磁界におけるＤＣＤ曲線の傾きを求める。このＤＣＤ曲線の傾きにおいて、残留保磁力Ｈｒ付近の傾きがΧirrとなる。
非可逆磁化率Χirrは、残留磁化曲線（ＤＣＤ曲線）の傾きにおいて、残留保磁力Ｈｒ付近における傾きと定義される。まず、磁気記録媒体１０全体に−１１９３ｋＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）の磁界を印加し、磁界をゼロに戻し残留磁化状態とする。その後、反対方向に約１５．９ｋＡ／ｍ（２００Ｏｅ）の磁界を印加し再びゼロに戻し残留磁化量を測定する。その後も同様に、先ほどの印加磁界よりもさらに１５．９ｋＡ／ｍ大きい磁界を印加しゼロに戻す測定を繰り返し行い、印加磁界に対して残留磁化量をプロットしＤＣＤ曲線を測定する。得られたＤＣＤ曲線から、磁化量ゼロとなる点を残留保磁力Ｈｒとし、さらにＤＣＤ曲線を微分し、各磁界におけるＤＣＤ曲線の傾きを求める。このＤＣＤ曲線の傾きにおいて、残留保磁力Ｈｒ付近の傾きがΧirrとなる。
（飽和磁化Ｍｓ）
まず、上記の保磁力Ｈｃの測定方法と同様にして、バックグラウンド補正後のＭ−Ｈループを得る。次に、得られたＭ−Ｈループの飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ）の値と、測定サンプル中の磁性層１３の体積（ｃｍ3）から、Ｍｓ（ｅｍｕ／ｃｍ3）を算出する。なお、磁性層１３の体積は測定サンプルの面積に磁性層１３の平均厚みを乗ずることにより求められる。磁性層１３の体積の算出に必要な磁性層１３の平均厚みの算出方法は、上述した通りである。
まず、上記の保磁力Ｈｃの測定方法と同様にして、バックグラウンド補正後のＭ−Ｈループを得る。次に、得られたＭ−Ｈループの飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ）の値と、測定サンプル中の磁性層１３の体積（ｃｍ3）から、Ｍｓ（ｅｍｕ／ｃｍ3）を算出する。なお、磁性層１３の体積は測定サンプルの面積に磁性層１３の平均厚みを乗ずることにより求められる。磁性層１３の体積の算出に必要な磁性層１３の平均厚みの算出方法は、上述した通りである。
（磁気粘性係数Ｓ）
まず、磁気記録媒体１０（測定サンプル）全体に−１１９３ｋＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）の磁界を印加し、磁界をゼロに戻し残留磁化状態とする。そののち、反対方向に、ＤＣＤ曲線より得られた残留保磁力Ｈｒの値と同等の磁界を印加する。磁界を印加した状態で１０００秒間、磁化量を一定の時間間隔で継続的に測定する。このようにして得られた、時間ｔと磁化量Ｍ（ｔ）との関係を以下の式に照らし合わせて磁気粘性係数Ｓを算出する。
Ｍ（ｔ）＝Ｍ０＋Ｓ×ｌｎ（ｔ）
（但し、Ｍ（ｔ）：時間ｔの磁化量、Ｍ０：初期の磁化量、Ｓ：磁気粘性係数、ｌｎ（ｔ）：時間の自然対数）
まず、磁気記録媒体１０（測定サンプル）全体に−１１９３ｋＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）の磁界を印加し、磁界をゼロに戻し残留磁化状態とする。そののち、反対方向に、ＤＣＤ曲線より得られた残留保磁力Ｈｒの値と同等の磁界を印加する。磁界を印加した状態で１０００秒間、磁化量を一定の時間間隔で継続的に測定する。このようにして得られた、時間ｔと磁化量Ｍ（ｔ）との関係を以下の式に照らし合わせて磁気粘性係数Ｓを算出する。
Ｍ（ｔ）＝Ｍ０＋Ｓ×ｌｎ（ｔ）
（但し、Ｍ（ｔ）：時間ｔの磁化量、Ｍ０：初期の磁化量、Ｓ：磁気粘性係数、ｌｎ（ｔ）：時間の自然対数）
（データバンドおよびサーボバンド）
図４は、磁気記録媒体１０を上方から見た模式図である。図４に示したように、磁性層１３は、磁気記録媒体１０の長手方向（Ｘ軸方向）に延在する複数のデータバンドＤＢ（図４ではデータバンドＤＢ０〜ＤＢ３を示す）と、磁気記録媒体１０の長手方向（Ｘ軸方向）に延在する延在する複数のサーボバンドＳＢ（図４ではサーボバンドＳＢ０〜ＳＢ４を示す）とを有している。複数のデータバンドＤＢには、それぞれデータ信号が書き込まれるようになっており、複数のサーボバンドＳＢには、磁気ヘッドのトラッキング制御をするためのサーボ信号がそれぞれ書き込まれるようになっている。また、各データバンドＤＢは、幅方向（Ｙ軸方向）において隣り合う複数のサーボバンドＳＢによって挟み込まれるように配置されている。
図４は、磁気記録媒体１０を上方から見た模式図である。図４に示したように、磁性層１３は、磁気記録媒体１０の長手方向（Ｘ軸方向）に延在する複数のデータバンドＤＢ（図４ではデータバンドＤＢ０〜ＤＢ３を示す）と、磁気記録媒体１０の長手方向（Ｘ軸方向）に延在する延在する複数のサーボバンドＳＢ（図４ではサーボバンドＳＢ０〜ＳＢ４を示す）とを有している。複数のデータバンドＤＢには、それぞれデータ信号が書き込まれるようになっており、複数のサーボバンドＳＢには、磁気ヘッドのトラッキング制御をするためのサーボ信号がそれぞれ書き込まれるようになっている。また、各データバンドＤＢは、幅方向（Ｙ軸方向）において隣り合う複数のサーボバンドＳＢによって挟み込まれるように配置されている。
磁性層１３の表面１３Ｓの面積Ｓに対するサーボバンドＳの総面積ＳSBの割合ＲS（＝（ＳSB／Ｓ）×１００）の上限値は、高記録容量を確保する観点から、好ましくは４．０％以下、より好ましくは３．０％以下、さらにより好ましくは２．０％以下である。一方、磁性層１３の表面の面積Ｓに対するサーボバンドＳＢの総面積ＳSBの割合ＲSの下限値は、５以上のサーボトラックを確保する観点から、好ましくは０．８％以上である。
磁性層１３の表面１３Ｓの面積Ｓに対するサーボバンドＳＢの総面積ＳSBの割合ＲSは、例えば、磁気記録媒体１０を、フェリコロイド現像液（株式会社シグマハイケミカル製、シグマ―カーＱ）を用いて現像し、その後、現像した磁気記録媒体１０を光学顕微鏡で観察することで測定することができる。光学顕微鏡の観察像から、サーボバンド幅ＷSBおよびサーボバンドＳＢの本数を測定する。次に、以下の式から割合ＲSを求める。
割合ＲS［％］＝（（（サーボバンド幅ＷSB）×（サーボバンド本数））／（磁気記録媒体１０の幅））×１００
割合ＲS［％］＝（（（サーボバンド幅ＷSB）×（サーボバンド本数））／（磁気記録媒体１０の幅））×１００
サーボバンドＳＢの数は、好ましくは５以上、より好ましくは５＋４ｎ（但し、ｎは正の整数である。）以上である。サーボバンドＳＢの数が５以上であると、磁気記録媒体１０の幅方向の寸法変化によるサーボ信号への影響を抑制し、オフトラックが少ない安定した記録再生特性を確保できる。
サーボバンド幅ＷSBの上限値は、高記録容量を確保する観点から、好ましくは９５μｍ以下、より好ましくは６０μｍ以下、さらにより好ましくは３０μｍ以下である。サーボバンド幅ＷSBの下限値は、記録ヘッド製造の観点から、好ましくは１０μｍ以上である。サーボバンド幅ＷSBの幅は以下のようにして求められる。まず、磁気記録媒体１０を、フェリコロイド現像液（株式会社シグマハイケミカル製、シグマ―カーＱ）を用いて現像する。次に、現像した磁気記録媒体１０を光学顕微鏡で観察することでサーボバンド幅ＷSBの幅を測定することができる。
図４に示したように、データバンドＤＢは、Ｘ軸方向に沿ってそれぞれ延在すると共にＹ軸方向において隣り合うように整列された複数の記録トラック５を形成可能である。データ信号は、この記録トラック５に沿って、記録トラック５内に記録される。なお、本技術において、データバンドＤＢに記録されるデータ信号における長手方向の１ビット長（磁化反転間距離）は、典型的には４８ｎｍ以下とされる。サーボバンドＳＢは、サーボ信号記録装置（不図示）によってサーボ信号が記録された所定パターンのサーボ信号記録パターン６を含んでいる。
図５は、データバンドＤＢにおける記録トラック５を示す拡大図である。図５に示したように、各記録トラック５は、Ｙ軸方向において所定の記録トラック幅Ｗｄを有している。記録トラック幅Ｗｄは、典型的には、３．０μｍ以下とされる。なお、このような記録トラック幅Ｗｄは、例えば、磁気記録媒体１０を、フェリコロイド現像液等の現像液を用いて現像したのち、現像した磁気記録媒体１０を光学顕微鏡で観察することで測定することができる。
１本のデータバンドＤＢに含まれる記録トラック５の本数は、例えば、１０００本から２０００本程度とされる。
図６は、サーボバンドＳＢにおけるサーボ信号記録パターン６を示す拡大図である。図６に示すように、サーボ信号記録パターン６は、幅方向（Ｙ軸方向）に対して所定のアジマス角αを持って傾斜する複数のストライプ７を含む。この複数のストライプ７は、幅方向（Ｙ軸方向）に対して時計回りに傾斜する第１のストライプ群８と、幅方向に対して反時計回りに傾斜する第２のストライプ群９とに分類される。なお、このようなストライプ７の形状などは、例えば、磁気記録媒体１０を、フェリコロイド現像液等の現像液を用いて現像し、その後、現像した磁気記録媒体１０を光学顕微鏡で観察することで測定することができる。
図６には、サーボ信号記録パターン６上をサーボリードヘッドによってトレースされるラインであるサーボトレースラインＴが破線により示されている。サーボトレースラインＴは、長手方向（Ｘ軸方向）に沿って設定され、また、幅方向に所定の間隔Ｐｓを開けて設定される。
１本のサーボバンドＳＢあたりのサーボトレースラインＴの本数は、例えば、３０本から６０本程度とされる。
隣接する２つのサーボトレースラインＴの間隔Ｐｓは、記録トラック幅Ｗｄの値と同じであり、例えば、２．０μｍ以下とされる。ここで、隣接する２つのサーボトレースラインＴの間隔Ｐｓは、記録トラック幅Ｗｄを決定付ける値とされている。つまり、サーボトレースラインＴの間隔Ｐｓが狭められると、記録トラック幅Ｗｄが小さくなり、１本のデータバンドＤＢに含まれる記録トラック５の本数が増える。結果として、データの記録容量が増えることになる（間隔Ｐｓが広くなる場合は、その逆）。したがって、記録容量の増加を図るには記録トラック幅Ｗｄを小さくする必要があるが、サーボトレースラインＴの間隔Ｐｓも狭められることになる結果、隣接するサーボトレースラインを正確にトレースすることが困難になる。そこで本実施形態では、後述するように、再生信号幅すなわちデータ信号の再生波形における孤立波形の半値幅を狭くすることで、記録トラック幅Ｗｄの狭小化にも対応可能としている。
磁気記録媒体１０の記録トラック５に記録されたデータ信号の再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は、例えば２００ｎｍ以下であり、１７５ｎｍ以下であることが好ましく、１７０ｎｍ以下であることがより好ましく、１６５ｎｍ以下であることがよりいっそう好ましい。
なお、孤立波形の半値幅ＰＷ５０は、例えば、以下のようにして求めることができる。まず、デジタル・ストレージ・オシロスコープを用いて、例えば、サンプリング：５００Ｍｓ／ｓ（２ｎｓｅｃ／ｐｏｉｎｔ）、サンプリング数：５００００ポイントの条件で、複数の孤立波形の平均化（同期加算平均）を行う。そして、得られた孤立再生波形から孤立波形の半値幅を算出する。なお、同期加算は、波形におけるピーク位置において位置合わせが行われる。
また、サーボ信号を読み取るサーボリードヘッドとして、ＴＭＲ素子（ＴＭＲ：Tunnel Magneto Resistive）を含むＴＭＲヘッドが用いられる。このＴＭＲヘッドにおけるサーボ信号の再生トラック幅（Ｙ軸方向：磁気記録媒体１０の幅方向）は、４８ｎｍである。また、ここで使用したＴＭＲヘッドにおける２つのシールド間のスペーシング（Ｘ軸方向：磁気記録媒体１０の搬送方向）は４０ｎｍとし、ＴＭＲヘッドにおけるバイアス電流は２ｍＡ未満とする。また、磁気記録媒体１０の搬送速度は２ｍ／ｓとする。
［１−２ 磁気記録媒体１０の製造方法］
次に、上述の構成を有する磁気記録媒体１０の製造方法について説明する。まず、非磁性粉、結着剤および潤滑剤等を溶剤に混練、分散させることにより、下地層形成用塗料を調製する。次に、磁性粉、結着剤および潤滑剤等を溶剤に混練、分散させることにより、磁性層形成用塗料を調製する。次に、結着剤および非磁性粉等を溶剤に混練、分散させることにより、バック層形成用塗料を調製する。磁性層形成用塗料、下地層形成用塗料およびバック層形成用塗料の調製には、例えば、以下の溶剤、分散装置および混練装置を用いることができる。
次に、上述の構成を有する磁気記録媒体１０の製造方法について説明する。まず、非磁性粉、結着剤および潤滑剤等を溶剤に混練、分散させることにより、下地層形成用塗料を調製する。次に、磁性粉、結着剤および潤滑剤等を溶剤に混練、分散させることにより、磁性層形成用塗料を調製する。次に、結着剤および非磁性粉等を溶剤に混練、分散させることにより、バック層形成用塗料を調製する。磁性層形成用塗料、下地層形成用塗料およびバック層形成用塗料の調製には、例えば、以下の溶剤、分散装置および混練装置を用いることができる。
上述の塗料調製に用いられる溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸プロピル、乳酸エチル、エチレングリコールアセテート等のエステル系溶媒、ジエチレングリコールジメチルエーテル、２−エトキシエタノール、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、メチレンクロライド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素系溶媒等が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、適宜混合して用いてもよい。
上述の塗料調製に用いられる混練装置としては、例えば、連続二軸混練機、多段階で希釈可能な連続二軸混練機、ニーダー、加圧ニーダー、ロールニーダー等の混練装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。また、上述の塗料調製に用いられる分散装置としては、例えば、ロールミル、ボールミル、横型サンドミル、縦型サンドミル、スパイクミル、ピンミル、タワーミル、パールミル（例えばアイリッヒ社製「ＤＣＰミル」等）、ホモジナイザー、超音波分散機等の分散装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。
次に、下地層形成用塗料を基体１１の一方の主面１１Ａに塗布して乾燥させることにより、下地層１２を形成する。続いて、この下地層１２上に磁性層形成用塗料を塗布して乾燥させることにより、磁性層１３を下地層１２上に形成する。なお、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉を基体１１の厚み方向に磁場配向させることが好ましい。また、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉を基体１１の走行方向（長手方向）に磁場配向させたのちに、基体１１の厚み方向に磁場配向させるようにしてもよい。このような磁場配向処理をすることで、磁性粉の垂直配向度（すなわち角形比Ｓ１）を向上することができる。磁性層１３の形成後、バック層形成用塗料を基体１１の他方の主面１１Ｂに塗布して乾燥させることにより、バック層１４を形成する。これにより、磁気記録媒体１０が得られる。
角形比Ｓ１、Ｓ２や比Ｈｃ２／Ｈｃ１は、例えば、磁性層形成用塗料の塗膜に印加される磁場の強度、磁性層形成用塗料中における固形分の濃度、磁性層形成用塗料の塗膜の乾燥条件（乾燥温度および乾燥時間）を調整することにより所望の値に設定される。塗膜に印加される磁場の強度は、磁性粉の保磁力の２倍以上であることが好ましい。角形比Ｓ１をさらに高めるためには（すなわち角形比Ｓ２をさらに低めるためには）、磁性層形成用塗料中における磁性粉の分散状態を向上させることが好ましい。また、角形比Ｓ１をさらに高めるためには、磁性粉を磁場配向させるための配向装置に磁性層形成用塗料が入る前の段階で、磁性粉を磁化させておくことも有効である。なお、上記の角形比Ｓ１、Ｓ２の調整方法は単独で使用されてもよいし、２以上組み合わされて使用されてもよい。
その後、得られた磁気記録媒体１０にカレンダー処理を行い、磁性層１３の表面１３Ｓを平滑化する。次に、カレンダー処理が施された磁気記録媒体１０をロール状に巻き取ったのち、この状態で磁気記録媒体１０に加熱処理を行うことにより、バック層１４の表面１４Ｓの多数の突部を磁性層１３の表面１３Ｓに転写する。これにより、磁性層１３の表面１３Ｓに多数の孔部が形成される。
加熱処理の温度は、５０℃以上８０℃以下であることが好ましい。加熱処理の温度が５０℃以上であると、良好な転写性を得ることができる。一方、加熱処理の温度が８０℃以下であると、細孔量が多くなりすぎ、磁性層１３の表面１３Ｓの潤滑剤が過多になってしまうおそれがある。ここで、加熱処理の温度は、磁気記録媒体１０を保持する雰囲気の温度である。
加熱処理の時間は、１５時間以上４０時間以下であることが好ましい。加熱処理の時間が１５時間以上であると、良好な転写性を得ることができる。一方、加熱処理の時間が４０時間以下であると、生産性の低下を抑制することができる。
また、加熱処理の際に磁気記録媒体１０に対して付与する圧力の範囲は１５０ｋｇ／ｃｍ以上４００ｋｇ／ｃｍ以下であるとよい。
最後に、磁気記録媒体１０を所定の幅（例えば１／２インチ幅）に裁断する。以上により、目的とする磁気記録媒体１０が得られる。
［１−３ 記録再生装置３０の構成］
次に、図７を参照して、上述の磁気記録媒体１０への情報の記録、および上述の磁気記録媒体１０からの情報の再生を行う記録再生装置３０の構成について説明する。
次に、図７を参照して、上述の磁気記録媒体１０への情報の記録、および上述の磁気記録媒体１０からの情報の再生を行う記録再生装置３０の構成について説明する。
記録再生装置３０は、磁気記録媒体１０の長手方向に加わるテンションを調整可能な構成を有している。また、記録再生装置３０は、磁気記録媒体カートリッジ１０Ａを装填可能な構成を有している。ここでは、説明を容易とするために、記録再生装置３０が１つの磁気記録媒体カートリッジ１０Ａを装填可能な構成を有している場合について説明する。但し、本開示では、記録再生装置３０が、複数の磁気記録媒体カートリッジ１０Ａを装填可能な構成を有していてもよい。先に述べたように、磁気記録媒体１０はテープ状であり、例えば長尺状の磁気記録テープであってもよい。磁気記録媒体１０は、例えば磁気記録媒体カートリッジ１０Ａの内部のリールに巻き付けられた状態で筐体に収容されていてよい。磁気記録媒体１０は、記録再生の際に長手方向に走行されるようになっている。また、磁気記録媒体１０は、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは７５ｎｍ以下、さらにより好ましくは６０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成されていてよく、例えば最短記録波長が上記範囲内にある記録再生装置３０に用いられうる。記録トラック幅は、例えば２μｍ以下でありうる。
記録再生装置３０は、例えばネットワーク４３を介してサーバ４１およびパーソナルコンピュータ（以下「ＰＣ」という。）４２等の情報処理装置に接続されており、これらの情報処理装置から供給されたデータを磁気記録媒体カートリッジ１０Ａに記録可能に構成されている。
記録再生装置３０は、図７に示したように、スピンドル３１と、リール３２と、駆動装置３３と、駆動装置３４と、複数のガイドローラ３５と、ヘッドユニット３６と、通信インターフェース（以下、Ｉ／Ｆと記す）３７と、制御装置３８とを備える。
スピンドル３１は、磁気記録媒体カートリッジ１０Ａを装着可能に構成されている。磁気記録媒体カートリッジ１０Ａは、ＬＴＯ（Linear Tape Open）規格に準拠しており、カートリッジケース１０Ｂに磁気記録媒体１０を巻装した単一のリール１０Ｃを回転可能に収容している。磁気記録媒体１０には、サーボ信号としてハの字状のサーボパターンが予め記録されている。リール３２は、磁気記録媒体カートリッジ１０Ａから引き出された磁気記録媒体１０の先端を固定可能に構成されている。
駆動装置３３は、スピンドル３１を回転駆動させる装置である。駆動装置３４は、リール３２を回転駆動させる装置である。磁気記録媒体１０に対してデータの記録または再生を行う際には、駆動装置３３と駆動装置３４とが、スピンドル３１とリール３２とをそれぞれ回転駆動させることによって、磁気記録媒体１０を走行させる。ガイドローラ３５は、磁気記録媒体１０の走行をガイドするためのローラである。
ヘッドユニット３６は、磁気記録媒体１０にデータ信号を記録するための複数の記録ヘッドと、磁気記録媒体１０に記録されているデータ信号を再生するための複数の再生ヘッドとを備えている。記録ヘッドとしては例えばリング型ヘッドを用いることができ、再生ヘッドとしては例えば磁気抵抗効果型磁気ヘッドを用いることができるが、記録ヘッドおよび再生ヘッドの種類はこれに限定されるものではない。
Ｉ／Ｆ３７は、サーバ４１およびＰＣ４２等の情報処理装置と通信するためのものであり、ネットワーク４３に対して接続される。
制御装置３８は、記録再生装置３０の全体を制御する。例えば、制御装置３８は、サーバ４１およびＰＣ４２等の情報処理装置の要求に応じて、情報処理装置から供給されるデータ信号をヘッドユニット３６により磁気記録媒体１０に記録する。また、制御装置３８は、サーバ４１およびＰＣ４２等の情報処理装置の要求に応じて、ヘッドユニット３６により、磁気記録媒体１０に記録されたデータ信号を再生し、情報処理装置に供給する。
図８は、サーボ信号記録装置１００の全体構成を表す正面図である。図９は、サーボ信号記録装置１００の要部の構成を拡大して表す模式図である。図８に示したように、サーボ信号記録装置１００は、磁気記録媒体１０の搬送方向において、上流から下流へ向かって順に、送り出しローラ５１と、前処理部５２と、サーボ信号記録ヘッド５３と、サーボ信号再生ヘッド５４と、巻き取りローラ５５とを備える。なお、図８では、磁気記録媒体１０のバック層１４を省略している。また、サーボ信号記録装置１００は、サーボ信号記録装置１００の各部を統括的に制御する制御部や、その制御部の処理に必要な各種のプログラムやデータが記憶された記録部、さらにはデータを表示させる表示部などを有していてもよい。
送り出しローラ５１は、ロール状の磁気テープである磁気記録媒体１０（サーボ信号記録パターン６記録前）を回転可能に支持することが可能とされている。送り出しローラ５１は、モータなどの駆動源の駆動に応じて回転され、回転に応じて磁気記録媒体１０を下流に向けて送り出すようになっている。
巻き取りローラ５５は、サーボ信号記録パターン６記録後の磁気記録媒体１０を回転可能に支持することが可能とされている。巻き取りローラ５５は、モータなどの駆動源の駆動に応じて送り出しローラ５１と同調して回転し、サーボ信号記録パターン６が記録された磁気記録媒体１０を回転に応じて巻き取っていくようになっている。送り出しローラ５１および巻き取りローラ５５は、搬送路において磁気記録媒体１０を一定の速度で移動させることが可能とされている。
前処理部５２は、例えば、サーボ信号記録ヘッド５３の上流であって磁気記録媒体１０の下方（磁性層１３の表面と反対側の位置）に配置される。ただし、前処理部５２は、磁気記録媒体１０の上方（磁性層１３の表面と対向する位置）に配置されてもよい。前処理部５２は、Ｙ軸方向、すなわち磁気記録媒体１０の幅方向に沿った回転軸を中心として回転可能な永久磁石５２Ａを含んでいる。永久磁石５２Ａの形状は、例えば、円柱形状や、多角柱形状とされるが、これらに限られない。
永久磁石５２Ａは、サーボ信号記録ヘッド５３によってサーボ信号記録パターン６が記録される前に、直流磁界によって磁性層１３の全体に対して磁場を印加して、磁性層１３全体を消磁するようになっている。これにより、永久磁石５２Ａは、サーボ信号記録パターン６の磁化方向とは反対方向の第２の方向に予め磁性層１３を磁化させることができる（図９中、白の矢印参照）。このように、２つの磁化方向をそれぞれ反対方向にさせることで、サーボ信号記録パターン６を読み取ったときのサーボ信号記録パターン６の再生波形を上下方向（±）で対称とすることができる（後述の図１１参照）。
サーボ信号記録ヘッド５３は、例えば、磁気記録媒体１０の上方（磁性層１３の表面と対向する位置）に配置される。なお、サーボ信号記録ヘッド５３は、磁気記録媒体１０の下方（磁性層１３の表面と反対）に配置されてもよい。サーボ信号記録ヘッド５３は、矩形波のパルス信号に応じて所定のタイミングで磁界を発生し、磁気記録媒体１０の磁性層１３（前処理後）の一部に対して磁場を印加するようになっている。
これにより、サーボ信号記録ヘッド５３は、第１の方向に磁性層１３の一部を磁化させて磁性層１３にサーボ信号記録パターン６を記録する（図９中、黒の矢印参照）。サーボ信号記録ヘッド５３は、サーボ信号記録ヘッド５３の下方を磁性層１３が通過するときに、５つのサーボバンドＳＢ０〜ＳＢ４に対してそれぞれサーボ信号記録パターン６を記録することが可能とされている。
サーボ信号記録パターン６の磁化方向である第１の方向は、磁性層１３の上面に垂直な垂直方向の成分を含む。すなわち、本実施形態では、垂直配向もしくは無配向の磁性粉が磁性層１３に含まれるので、磁性層１３に記録されるサーボ信号記録パターン６は、垂直方向の磁化成分を含む。
図１０は、磁気記録媒体１０の磁化の方向を示す図である。図１０に示したように、本明細書中においては、磁化の方向は、磁化の方向が磁気記録媒体１０の搬送方向を向くときの角度を基準（０°）とし、時計回りの方向を角度の増える方向とする。図１０では、サーボ信号記録パターン６の磁化方向が示されているが、前処理部５２による前処理後における磁化の磁化方向や、磁性層１３全体の磁化方向についても同様である。
サーボ信号記録パターン６の磁化方向（第１の方向）は、磁性層１３の角形比に応じて異なる。例えば、垂直配向のバリウムフェライト、無配向のバリウムフェライト、垂直配向の針状メタルは、典型的には、角形比がそれぞれ異なる。このような場合、サーボ信号記録部１３において同一条件により磁界が印加されたとしても、それぞれ、サーボ信号記録パターン６の磁化方向（第１の方向）が異なる。逆に言うと、角形比が同じであり、かつ、サーボ信号記録ヘッド５３の条件が同じであれば、磁気記録媒体１０の種類が異なっていても第１の方向は同じである。
サーボ信号記録パターン６の磁化方向（第１の方向）は、磁性層１３の角形比に応じて異なる。よって、サーボ信号記録パターン６の磁化方向に合わせるためには、前処理部５２における前処理の磁化方向（第２の方向）も異ならせる必要がある。
本実施形態では、永久磁石５２ＡがＹ軸方向に沿った回転軸の中心として回転可能とされている。これにより、磁気記録媒体１０の種類に応じて、前処理による磁化方向（第２の方向）を適切に調整することができる。
永久磁石５２Ａの角度については、磁気記録媒体１０の種類に応じて適切な角度範囲が存在する。なお、本明細書中においては、永久磁石５２Ａの角度は、永久磁石５２ＡのＮ極が磁気記録媒体１０の搬送方向を向くときの角度を基準（０°）とし、時計回りの方向が角度の増える方向とする。
ここで、サーボ信号記録ヘッド５３は、永久磁石５２Ａによって磁性層１３が第２の方向に磁化された磁性層１３に対して、サーボ信号記録パターン６を上書きする。しかし、サーボ信号記録パターン６の磁化方向である第１の方向は、磁性層１３の角形比が同じであれば、第２の方向に関係なく一定である。
サーボ信号再生ヘッド５４は、サーボ信号記録ヘッド５３の下流であって、磁気記録媒体１０の上方（磁性層１３と対向する位置）に配置される。サーボ信号再生ヘッド５４は、前処理部５２によって前処理され、かつ、サーボ信号記録ヘッド５３によってサーボ信号記録パターン６が記録された磁気記録媒体１０の磁性層１３から上記サーボ信号記録パターン６を読み取る。サーボ信号再生ヘッド５４によって読み取られたサーボ信号記録パターン６の再生波形は、表示部の画面上に表示される。
典型的には、サーボ信号再生ヘッド５４は、サーボ信号再生ヘッド５４の下方を磁性層１３が通過するときに、サーボバンドＳＢの表面から発生する磁束を検出する。このとき検出された磁束がサーボ信号記録パターン６の再生波形となる。
図１１は、磁化方向と、サーボ信号記録パターン６の再生波形との関係を示す図である。
図１１に示したように、本実施形態では、サーボ信号記録パターン６の磁化方向と、前処理による磁化方向とがそれぞれ反対方向とされているため、サーボ信号記録パターン６を読み取ったときのサーボ信号記録パターン６の再生波形を上下方向（±）で対称とすることができる。なお、前処理を行なわずにサーボ信号記録パターン６を記録した場合、サーボ信号記録パターン６が垂直方向の磁化成分を含むため再生波形が上下方向（±）で非対称となる。
さらに、本実施形態では、前処理を行なわずにサーボ信号記録パターン６を記録した場合に比べて、磁性層１３の表面の近傍に発生する磁束の量を増やすことができる。これにより、磁性層１３の厚みが薄いような場合にも高出力の再生波形を得ることができる。
ここで、サーボ信号記録パターン６の磁化方向（第１の方向）と、前処理による磁化方向（第２の方向）とは、厳密に反対方向である必要はなく、実質的に反対方向であればよい。これは、サーボ信号記録パターン６の再生波形の対称性と関係がある。
サーボ信号記録パターン６の磁化方向と、前処理による磁化方向とが正確に反対方向でなく、少しずれていた場合を想定する。例えば、サーボ信号記録パターン６の磁化方向が−１２０°であり、前処理による磁化方向が５０°であったとする（図１０参照）。このような場合でも、サーボ信号記録パターン６を適切に読み取ることができる程度にサーボ信号記録パターン６の再生波形が対称性を有していればよい。サーボ信号記録パターン６の再生波形が対称性を有していることは、すなわち、サーボ信号記録パターン６の磁化方向（第１の方向）と、前処理による磁化方向（第２の方向）とが反対方向を向いていることを示している。
サーボ信号記録パターン６の再生波形が対称性を有しているか、あるいは、再生波形が非対称であるかの判断について説明する。例えば、再生波形の最大電圧値Ｖmaxと、最低電圧値Ｖmin（絶対値）との差が、再生波形の振幅に対して、許容範囲（５％〜１０％程度）内であれば、再生波形が対称性を有していると判断される。
［１−４ 効果］
このように、本実施の形態の磁気記録媒体１０は、基体１１と下地層１２と磁性層１３とが順に積層されたテープ状の部材であり、以下の（１）から（９）の各構成要件を満たすようにしたものである。
（１）基体１１は、ポリエステルを主たる成分として含む。
（２）磁性層１３は、基体１１上に設けられ、磁性粉を複数含み、データ信号の記録が可能なものである。
（３）磁性層の表面の算術平均粗さＲａは、２．５ｎｍ以下である。
（４）空間波長５μｍまでのＰＳＤが２．５μｍ以下である。
（５）磁性層１３の平均厚みは、９０ｎｍ以下である。
（６）磁性層１３における磁性粉の平均アスペクト比は、１．０以上３．０以下である。
（７）垂直方向における保磁力Ｈｃ１は、３０００エルステッド以下である。
（８）垂直方向における保磁力Ｈｃ１に対する長手方向における保磁力Ｈｃ２の割合Ｈｃ２／Ｈｃ１は、０．８以下である。
（９）データ信号の再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は、２００ｎｍ以下である。
このように、本実施の形態の磁気記録媒体１０は、基体１１と下地層１２と磁性層１３とが順に積層されたテープ状の部材であり、以下の（１）から（９）の各構成要件を満たすようにしたものである。
（１）基体１１は、ポリエステルを主たる成分として含む。
（２）磁性層１３は、基体１１上に設けられ、磁性粉を複数含み、データ信号の記録が可能なものである。
（３）磁性層の表面の算術平均粗さＲａは、２．５ｎｍ以下である。
（４）空間波長５μｍまでのＰＳＤが２．５μｍ以下である。
（５）磁性層１３の平均厚みは、９０ｎｍ以下である。
（６）磁性層１３における磁性粉の平均アスペクト比は、１．０以上３．０以下である。
（７）垂直方向における保磁力Ｈｃ１は、３０００エルステッド以下である。
（８）垂直方向における保磁力Ｈｃ１に対する長手方向における保磁力Ｈｃ２の割合Ｈｃ２／Ｈｃ１は、０．８以下である。
（９）データ信号の再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は、２００ｎｍ以下である。
本実施の形態の磁気記録媒体１０は、このような構成を有することにより、磁化遷移幅を急峻としつつ、良好な電磁変換特性（例えばＣ／Ｎ）を確保することができる。したがって、高密度記録に有利な構成を実現することができる。
（本技術の基本的な考え方）
ここで、本技術の基本的な考え方について説明する。本技術においては、データ信号の再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０に着目している。よって、この孤立波形の半値幅ＰＷ５０について説明する。
ここで、本技術の基本的な考え方について説明する。本技術においては、データ信号の再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０に着目している。よって、この孤立波形の半値幅ＰＷ５０について説明する。
先に挙げた図１１に示したように、データ信号を読み取ったときの再生波形は、プラス側およびマイナス側に突出する。孤立波形は、基本的にいずれかの波形を指す。
図１２は、孤立波形における半値幅ＰＷ５０を説明するための図である。図１２において、縦軸は強度（任意単位）、横軸は走行方向に沿った長さである。図１２に示したように、半値幅ＰＷ５０は、データ信号の再生波形における最大値（１００％）の半分（５０％）の高さにおける波形の幅である。
この半値幅ＰＷ５０は、データ信号の再生波形におけるピークの鋭さを示す値である。つまり、半値幅ＰＷ５０が狭くなるほど、再生波形におけるピークの鋭さが増し、逆に、半値幅ＰＷ５０が広くなるほど、再生波形におけるピークの鋭さが鈍くなる。
図１３は、本技術の基本的な考え方を説明するための図であり、サーボ信号記録パターン６における２つのストライプ７を示す図である。
図１３に示したように、サーボ信号記録パターン６の第１のストライプ群８に含まれる複数のストライプ７のうち、任意のストライプ７を第１のストライプ７ａとする。また、サーボ信号記録パターン６の第２のストライプ群９に含まれる複数のストライプ７のうち、任意のストライプ７を第２のストライプ７ｂとする。また、複数のサーボトレースラインＴのうち任意のサーボトレースラインＴを第１のサーボトレースラインＴ１とする。また、第１のサーボトレースラインＴ１に隣接するサーボトレースラインＴを第２のサーボトレースラインＴ２とする。
また、第１のストライプ７ａと、第１のサーボトレースラインＴ１との交点をＰ１とする。なお、このＰ１について、第１のストライプ７ａ上において、任意の点をＰ１としてもよい。
また、第１のストライプ７ａと、第２のサーボトレースラインＴ２との交点をＰ２とする。なお、このＰ２について、Ｐ１に対して、幅方向（Ｙ軸方向）で間隔Ｐｓ分（つまり、記録トラック幅Ｗｄ分）、離れた位置にある第１のストライプ７ａ上の点をＰ２としてもよい。
また、Ｐ１およびＰ２における長手方向（Ｘ軸方向）での距離を距離Ｄとする。距離Ｄは、隣接するトラックとの長手方向のずれ量に相当する。また、第２のストライプ７ｂと、第１のサーボトレースラインＴ１との交点をＰ３とし、第２のストライプ７ｂと、第２のサーボトレースラインＴ２との交点をＰ４とする。
第１のサーボトレースラインＴ１がトレースされているとき、Ｐ１において再生波形が検出された時刻と、Ｐ３において再生波形が検出された時刻との差を判断する必要がある。この差を第１の期間とする。同様に、第２のトレースラインＴがトレースされているとき、Ｐ２において再生波形が検出された時刻と、Ｐ４において再生波形が検出された時刻との差を判断する必要がある。この差を第２の期間とする。
次に、第１の期間と、第２の期間との差を考える。ここで、サーボトレースラインＴの間隔Ｐｓおよび記録トラック幅Ｗｄがいずれも１．５６μｍであるとし、アジマス角αが１２度であるとする。この場合、距離Ｄは、１．５６×ｔａｎ１２°であるから０．３３μｍとなる。Ｐ１とＰ３との距離と、Ｐ２とＰ４との距離との差は、距離Ｄの２倍なので、０．６６μｍである。
このとき、磁気記録媒体１の走行速度が５ｍ／ｓであるとすると、０．６６／５００００００で、０．１３μｓとなる。これが、第１の期間と、第２の期間との差である。
つまり、第１のサーボトレースラインＴ１及び第２のサーボトレースラインＴ２を正確にトレースするためには、０．１３μｓの微小な差を正確に判断する必要があるこれができないと、隣の記録トラック５にデータ信号が記録されてしまうからである。
しかしながら、データ信号の再生波形（図１１）におけるピークの鋭さが鈍い場合、このような微小な差を正確に判断することはできない。特に、記録トラック５の本数を増やすために、記録トラック幅Ｗｄを小さくし、サーボトレースラインＴの間隔Ｐｓを小さくすると、距離Ｄがさらに狭まり、第１の期間と第２の期間との差がさらに小さくなる。
そこで、本技術においては、磁性層１３の垂直配向度を一定の値以上とすることで、データ信号の再生波形における孤立波形の半値幅を一定の値以下としている。これにより、データ信号の再生波形におけるピークが鋭くなる。
より具体的には、磁性層１３の磁性粉における垂直配向度の指標である比Ｈｃ２／Ｈｃ１を０．８以下とすることで、孤立波形の半値幅を２００ｎｍ以下とすることができる。これにより、上記のような微小な差（例えば、０．１３μｓ）を識別可能な程度に、データ信号の再生波形におけるピークを鋭くすることができる（後述の各実施例参照）。
さらに、本技術では、磁性層１３において、空間波長５μｍまでのＰＳＤを一定値以下、例えば２．５μｍ以下としている。ＰＳＤを一定値以下に抑えることにより、記録再生を行う際の記録/再生ヘッドとテープのスペーシングを小さくすることができ、高記録密度により適した媒体とすることができる。
（磁気記録媒体１０の伸縮性およびテンションコントロール）
次に、磁気記録媒体１０の伸縮性および記録再生装置３０による磁気記録媒体１０のテンションコントロールについて説明する。ＬＴＯ規格では、データの高密度記録化の要請により、記録トラック数が急激に増加している。このような場合、記録トラック幅が狭くなってしまい、磁気記録媒体１０の幅（Ｙ軸方向）のわずかな変動が問題となる場合がある。
次に、磁気記録媒体１０の伸縮性および記録再生装置３０による磁気記録媒体１０のテンションコントロールについて説明する。ＬＴＯ規格では、データの高密度記録化の要請により、記録トラック数が急激に増加している。このような場合、記録トラック幅が狭くなってしまい、磁気記録媒体１０の幅（Ｙ軸方向）のわずかな変動が問題となる場合がある。
例えば、記録再生装置３０によって、磁気記録媒体１０に所定のデータが記憶され、その後（例えば、一定期間保管後）、記録再生装置３０により、磁気記録媒体１０に記録されたデータが再生されるとする。このような場合、データ再生時の磁気記録媒体１０の幅が、磁気記録媒体１０のデータ記録時の幅に比べてわずかにでも変動してしまうと、オフトラック（ヘッドユニット３６におけるデータ再生ヘッドが誤った記録トラック５上に位置してしまうこと）が発生してしまう場合がある。このため、磁気記録媒体１０に記録されたデータが正確に再生できずにエラーが発生してしまう可能性がある。
磁気記録媒体１０の幅の変動の原因としては、例えば、温度の変動、湿度の変動等が挙げられる。一般的には、磁気記録媒体１０を伸縮しないように磁気記録媒体１０を設計することで、磁気記録媒体１０の幅の変動に対応するといった手法が用いられる。しかしながら、磁気記録媒体１０を全く伸縮しないようにすることは現実的には不可能である。
そこで、本実施形態では、磁気記録媒体１０を伸縮し難くするのではなく、逆に、ある程度磁気記録媒体１０を伸縮しやすくし、また、記録再生装置３０において磁気記録媒体１０のテンション（Ｘ軸方向：磁気記録媒体１０の搬送方向のテンション）をコントロールする（増減させる）といった手法が用いられる。
具体的には、記録再生装置３０は、データ信号の再生時において、必要に応じて（磁気記録媒体１０の幅が広がっている場合）、磁気記録媒体１０の長手方向（Ｘ軸方向）のテンションを高くすることで磁気記録媒体１０の幅（Ｙ軸方向）を小さくする。また、記録再生装置３０は、データ信号の再生時において、必要に応じて（磁気記録媒体１０の幅が狭まっている場合）、磁気記録媒体１０の長手方向のテンションを低くすることで磁気記録媒体１０の幅を大きくする。なお、記録再生装置３０は、データ信号の再生時だけでなく、データ信号の記録時においても磁気記録媒体１０の長手方向のテンションをコントロールしてもよい。
このような方法によれば、例えば、温度等により磁気記録媒体１０の幅が変動したしまったときに、必要に応じて磁気記録媒体１０の幅を調整することで、磁気記録媒体１０の幅を一定にすることが可能となる。従って、オフトラックを防止することができ、磁気記録媒体１０に記録されたデータを正確に再生することが可能であると考えられる。
＜２．変形例＞
（変形例１）
上記の一実施の形態では、２層構造のシェル部２２を有するε酸化鉄粒子２０（図２）を例示して説明したが、本技術の磁気記録媒体は、例えば図１４に示したように、単層構造のシェル部２３を有するε酸化鉄粒子２０Ａを含むようにしてもよい。ε酸化鉄粒子２０Ａにおけるシェル部２３は、例えば第１シェル部２２ａと同様の構成を有する。但し、特性劣化を抑制する観点においては、変形例１のε酸化鉄粒子２０Ａよりも上記の一実施の形態で説明した２層構造のシェル部２２を有するε酸化鉄粒子２０が好ましい。
（変形例１）
上記の一実施の形態では、２層構造のシェル部２２を有するε酸化鉄粒子２０（図２）を例示して説明したが、本技術の磁気記録媒体は、例えば図１４に示したように、単層構造のシェル部２３を有するε酸化鉄粒子２０Ａを含むようにしてもよい。ε酸化鉄粒子２０Ａにおけるシェル部２３は、例えば第１シェル部２２ａと同様の構成を有する。但し、特性劣化を抑制する観点においては、変形例１のε酸化鉄粒子２０Ａよりも上記の一実施の形態で説明した２層構造のシェル部２２を有するε酸化鉄粒子２０が好ましい。
（変形例２）
上記一実施の形態の磁気記録媒体１０では、コアシェル構造を有するε酸化鉄粒子２０を例示して説明したが、ε酸化鉄粒子が、コアシェル構造に代えて添加剤を含んでいてもよいし、コアシェル構造を有すると共に添加剤を含んでいてもよい。この場合、ε酸化鉄粒子のＦｅの一部が添加剤で置換される。ε酸化鉄粒子が添加剤を含むことによっても、ε酸化鉄粒子全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できるため、記録容易性を向上することができる。添加剤は、鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはＡｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）およびＩｎ（インジウム）のうちの少なくとも１種、さらにより好ましくはＡｌおよびＧａのうちの少なくとも１種である。
上記一実施の形態の磁気記録媒体１０では、コアシェル構造を有するε酸化鉄粒子２０を例示して説明したが、ε酸化鉄粒子が、コアシェル構造に代えて添加剤を含んでいてもよいし、コアシェル構造を有すると共に添加剤を含んでいてもよい。この場合、ε酸化鉄粒子のＦｅの一部が添加剤で置換される。ε酸化鉄粒子が添加剤を含むことによっても、ε酸化鉄粒子全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できるため、記録容易性を向上することができる。添加剤は、鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはＡｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）およびＩｎ（インジウム）のうちの少なくとも１種、さらにより好ましくはＡｌおよびＧａのうちの少なくとも１種である。
具体的には、添加剤を含むε酸化鉄は、ε−Ｆｅ2-xＭxＯ3結晶（但し、Ｍは鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはＡｌ、ＧａおよびＩｎのうちの少なくとも１種、さらにより好ましくはＡｌおよびＧａのうちの少なくとも１種である。ｘは、例えば０＜ｘ＜１である。）である。
（変形例３）
本開示の磁性粉は、ε酸化鉄粒子の粉末に代えて、六方晶フェライトを含有するナノ粒子（以下「六方晶フェライト粒子」という。）の粉末を含むようにしてもよい。六方晶フェライト粒子は、例えば、六角板状またはほぼ六角板状を有する。六方晶フェライトは、好ましくはＢａ（バリウム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｐｂ（鉛）およびＣａ（カルシウム）のうちの少なくとも１種、より好ましくはＢａおよびＳｒのうちの少なくとも１種を含む。六方晶フェライトは、具体的には例えばバリウムフェライトまたはストロンチウムフェライトであってもよい。バリウムフェライトは、Ｂａ以外にＳｒ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。ストロンチウムフェライトは、Ｓｒ以外にＢａ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。
本開示の磁性粉は、ε酸化鉄粒子の粉末に代えて、六方晶フェライトを含有するナノ粒子（以下「六方晶フェライト粒子」という。）の粉末を含むようにしてもよい。六方晶フェライト粒子は、例えば、六角板状またはほぼ六角板状を有する。六方晶フェライトは、好ましくはＢａ（バリウム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｐｂ（鉛）およびＣａ（カルシウム）のうちの少なくとも１種、より好ましくはＢａおよびＳｒのうちの少なくとも１種を含む。六方晶フェライトは、具体的には例えばバリウムフェライトまたはストロンチウムフェライトであってもよい。バリウムフェライトは、Ｂａ以外にＳｒ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。ストロンチウムフェライトは、Ｓｒ以外にＢａ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。
より具体的には、六方晶フェライトは、一般式ＭＦｅ12Ｏ19で表される平均組成を有する。但し、Ｍは、例えばＢａ、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種の金属、好ましくはＢａおよびＳｒのうちの少なくとも１種の金属である。Ｍが、Ｂａと、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。また、Ｍが、Ｓｒと、Ｂａ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。上記一般式においてＦｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。
磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは４０ｎｍ以下、さらにより好ましくは３０ｎｍ以下である。磁性粉の平均粒子サイズは、２５ｎｍ以下、２２ｎｍ以下、２１ｎｍ以下、もしくは２０ｎｍ以下であるとなおよい。また、磁性粉の平均粒子サイズは、例えば１０ｎｍ以上であり、好ましくは１２ｎｍ以上、より好ましくは１５ｎｍ以上であるとよい。したがって、六方晶フェライト粒子の粉末を含む磁性粉の平均粒子サイズは、例えば１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下、１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、１２ｎｍ以上３０ｎｍ以下、１２ｎｍ以上２５ｎｍ以下、または１５ｎｍ以上２２ｎｍ以下とすることができる。磁性粉の平均粒子サイズが上記上限値以下である場合（例えば５０ｎｍ以下、特には３０ｎｍ以下である場合）、高記録密度の磁気記録媒体１０において、良好な電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。磁性粉の平均粒子サイズが上記下限値以上である場合（例えば１０ｎｍ以上、好ましくは１２ｎｍ以上である場合）、磁性粉の分散性がより向上し、より優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。
磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均アスペクト比は、好ましくは１以上３．５以下、より好ましくは１以上３．１以下、又は２以上３．１以下、さらにより好ましくは２以上３以下でありうる。磁性粉の平均アスペクト比が上記数値範囲内にあることによって、磁性粉の凝集を抑制することができ、さらに、磁性層１３の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際に、磁性粉に加わる抵抗を抑制することができる。これは、磁性粉の垂直配向性の向上をもたらしうる。
なお、六方晶フェライト粒子の粉末を含む磁性粉の平均粒子サイズおよび平均アスペクト比は以下のようにして求められる。まず、測定対象となる磁気記録媒体１０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。薄片化は磁気テープの長さ方向(長手方向)に沿うかたちで行う。得られた薄片サンプルについて、透過電子顕微鏡(日立ハイテクノロジーズ製 H-9500)を用いて、加速電圧：２００ｋＶ、総合倍率５００，０００倍で記録層の厚み方向に対して記録層全体が含まれるように断面観察を行う。次に、撮影したＴＥＭ写真から観察面の方向に側面を向けている粒子を５０個選び出し、各粒子の最大板厚ＤＡを測定する。このようにして求めた最大板厚ＤＡを単純に平均（算術平均）して平均最大板厚ＤＡaveを求める。続いて、各磁性粉の板径ＤＢを測定する。ここで、板径ＤＢとは、磁性粉の輪郭に接するように、あらゆる角度から引いた２本の平行線間の距離のうち最大のもの（いわゆる最大フェレ径）を意味する。続いて、測定した板径ＤＢを単純平均（算術平均）して平均板径ＤＢaveを求める。そして、平均最大板厚ＤＡaveおよび平均板径ＤＢaveから粒子の平均アスペクト比（ＤＢave／ＤＡave）を求める。
磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは５９００ｎｍ3以下、より好ましくは５００ｎｍ3以上３４００ｎｍ3以下、さらにより好ましくは１０００ｎｍ3以上２５００ｎｍ3以下である。磁性粉の平均粒子体積が５９００ｎｍ3以下であると、磁性粉の平均粒子サイズを３０ｎｍ以下とする場合と同様の効果が得られる。一方、磁性粉の平均粒子体積が５００ｎｍ3以上であると、磁性粉の平均粒子サイズを１２ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。
なお、磁性粉の平均粒子体積は以下のようにして求められる。まず、上記の磁性粉の平均粒子サイズの算出方法により、平均最大板厚ＤＡaveおよび平均最大板径ＤＢaveを求める。次に、以下の式（２）により、ε酸化鉄粒子の平均体積Ｖを求める。
本技術の特に好ましい実施態様に従い、磁性粉は、バリウムフェライト磁性粉またはストロンチウムフェライト磁性粉であり、より好ましくはバリウムフェライト磁性粉でありうる。バリウムフェライト磁性粉は、バリウムフェライトを主相とする鉄酸化物の磁性粒子（以下「バリウムフェライト粒子」という。）を含む。バリウムフェライト磁性粉は、例えば高温多湿環境でも抗磁力が落ちないなど、データ記録の信頼性が高い。このような観点から、バリウムフェライト磁性粉は、磁性粉として好ましい。
バリウムフェライト磁性粉の平均粒子サイズは、５０ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、さらにより好ましくは１２ｎｍ以上２５ｎｍ以下である。
磁性層１３が磁性粉としてバリウムフェライト磁性粉を含む場合、磁性層１３の平均厚みｔｍ［ｎｍ］が、３５ｎｍ≦ｔｍ≦１００ｎｍであることが好ましく、特に好ましくは８０ｎｍ以下である。また、磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）に測定した保磁力Ｈｃが、好ましくは１６０ｋＡ／ｍ以上２８０ｋＡ／ｍ以下、より好ましくは１６５ｋＡ／ｍ以上２７５ｋＡ／ｍ以下、更により好ましくは１７０ｋＡ／ｍ以上２７０ｋＡ／ｍ以下である。
（変形例４）
磁性粉は、ε酸化鉄粒子の粉末に代えて、Ｃｏ含有スピネルフェライトを含有するナノ粒子（以下「コバルトフェライト粒子」という。）の粉末を含むようにしてもよい。コバルトフェライト粒子は、一軸異方性を有することが好ましい。コバルトフェライト粒子は、例えば、立方体状またはほぼ立方体状を有している。Ｃｏ含有スピネルフェライトが、Ｃｏ以外にＮｉ、Ｍｎ、Ａｌ、ＣｕおよびＺｎのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。
磁性粉は、ε酸化鉄粒子の粉末に代えて、Ｃｏ含有スピネルフェライトを含有するナノ粒子（以下「コバルトフェライト粒子」という。）の粉末を含むようにしてもよい。コバルトフェライト粒子は、一軸異方性を有することが好ましい。コバルトフェライト粒子は、例えば、立方体状またはほぼ立方体状を有している。Ｃｏ含有スピネルフェライトが、Ｃｏ以外にＮｉ、Ｍｎ、Ａｌ、ＣｕおよびＺｎのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。
Ｃｏ含有スピネルフェライトは、例えば以下の式で表される平均組成を有する。
Ｃｏx Ｍy Ｆｅ2 ＯZ
（但し、式（１）中、Ｍは、例えば、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、ＣｕおよびＺｎのうちの少なくとも１種の金属である。ｘは、０．４≦ｘ≦１．０の範囲内の値である。ｙは、０≦ｙ≦０．３の範囲内の値である。但し、ｘ、ｙは（ｘ＋ｙ）≦１．０の関係を満たす。ｚは３≦ｚ≦４の範囲内の値である。Ｆｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。）
Ｃｏx Ｍy Ｆｅ2 ＯZ
（但し、式（１）中、Ｍは、例えば、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、ＣｕおよびＺｎのうちの少なくとも１種の金属である。ｘは、０．４≦ｘ≦１．０の範囲内の値である。ｙは、０≦ｙ≦０．３の範囲内の値である。但し、ｘ、ｙは（ｘ＋ｙ）≦１．０の関係を満たす。ｚは３≦ｚ≦４の範囲内の値である。Ｆｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。）
磁性粉がコバルトフェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは２５ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上２３ｎｍ以下である。磁性粉の平均粒子サイズが２５ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気記録媒体１０において、良好な電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子サイズが１０ｎｍ以上であると、磁性粉の分散性がより向上し、より優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。磁性粉がコバルトフェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均アスペクト比は上述の一実施形態と同様である。また、磁性粉の平均粒子サイズおよび平均アスペクト比も上述の一実施形態の算出方法と同様にして求められる。
磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは１５０００ｎｍ3以下、より好ましくは１０００ｎｍ3以上１２０００ｎｍ3以下である。磁性粉の平均粒子体積が１５０００ｎｍ3以下であると、磁性粉の平均粒子サイズを２５ｎｍ以下とする場合と同様の効果が得られる。一方、磁性粉の平均粒子体積が１０００ｎｍ3以上であると、磁性粉の平均粒子サイズを１０ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。なお、磁性粉の平均粒子体積は、上述の一実施形態における磁性粉の平均粒子体積の算出方法（ε酸化鉄粒子が立方体状またはほぼ立方体状を有している場合の平均粒子体積の算出方法）と同様である。
コバルトフェライト磁性粉の保磁力Ｈｃは、好ましくは２５００Ｏｅ以上、より好ましくは２６００Ｏｅ以上３５００Ｏｅ以下である。
（変形例５）
磁気記録媒体１０は、例えば図７に示したように、基体１１の少なくとも一方の表面に設けられたバリア層１５をさらに備えるようにしてもよい。バリア層１５は、基体１１が有する環境に応じた寸法変化を抑制するための層である。例えば、その寸法変化を及ぼす原因の一例として、基体１１の吸湿性があるが、バリア層１５を設けることにより基体１１への水分の侵入速度を低減することができる。バリア層１５は、例えば、金属または金属酸化物を含む。ここでいう金属としては、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｂａ、Ｐｔ、ＡｕおよびＴａのうちの少なくとも１種を用いることができる。金属酸化物としては、例えば、上記金属を１種または２種以上含む金属酸化物を用いることができる。より具体的には例えば、Ａｌ2Ｏ3、ＣｕＯ、ＣｏＯ、ＳｉＯ2 、Ｃｒ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｔａ2 Ｏ5 およびＺｒＯ2 のうちの少なくとも１種を用いることができる。また、バリア層１５が、ダイヤモンド状炭素（Diamond-Like Carbon：ＤＬＣ）またはダイヤモンド等を含むようにしてもよい。
磁気記録媒体１０は、例えば図７に示したように、基体１１の少なくとも一方の表面に設けられたバリア層１５をさらに備えるようにしてもよい。バリア層１５は、基体１１が有する環境に応じた寸法変化を抑制するための層である。例えば、その寸法変化を及ぼす原因の一例として、基体１１の吸湿性があるが、バリア層１５を設けることにより基体１１への水分の侵入速度を低減することができる。バリア層１５は、例えば、金属または金属酸化物を含む。ここでいう金属としては、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｂａ、Ｐｔ、ＡｕおよびＴａのうちの少なくとも１種を用いることができる。金属酸化物としては、例えば、上記金属を１種または２種以上含む金属酸化物を用いることができる。より具体的には例えば、Ａｌ2Ｏ3、ＣｕＯ、ＣｏＯ、ＳｉＯ2 、Ｃｒ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｔａ2 Ｏ5 およびＺｒＯ2 のうちの少なくとも１種を用いることができる。また、バリア層１５が、ダイヤモンド状炭素（Diamond-Like Carbon：ＤＬＣ）またはダイヤモンド等を含むようにしてもよい。
バリア層１５の平均厚みは、好ましくは２０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。バリア層１５の平均厚みは、磁性層１３の平均厚みと同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、バリア層１５の厚みに応じて適宜調整される。
（変形例６）
上記の一実施の形態では、バック層１４の表面１４Ｓに設けられた多数の突部１４Ａを、磁性層１３の表面１３Ｓに転写することにより、磁性層１３の表面１３Ｓに多数の孔部１３Ａを形成する場合について説明したが、多数の孔部１３Ａの形成方法はこれに限定されるものではない。例えば、磁性層形成用塗料に含まれる溶剤の種類および磁性層形成用塗料の乾燥条件等を調整することで、磁性層１３の表面１３Ｓに多数の孔部１３Ａを形成するようにしてもよい。
上記の一実施の形態では、バック層１４の表面１４Ｓに設けられた多数の突部１４Ａを、磁性層１３の表面１３Ｓに転写することにより、磁性層１３の表面１３Ｓに多数の孔部１３Ａを形成する場合について説明したが、多数の孔部１３Ａの形成方法はこれに限定されるものではない。例えば、磁性層形成用塗料に含まれる溶剤の種類および磁性層形成用塗料の乾燥条件等を調整することで、磁性層１３の表面１３Ｓに多数の孔部１３Ａを形成するようにしてもよい。
（変形例７）
上述の一実施形態に係る磁気記録媒体１０をライブラリ装置に用いるようにしてもよい。この場合、ライブラリ装置は、上述の一実施形態における記録再生装置３０を複数備えるものであってもよい。
上述の一実施形態に係る磁気記録媒体１０をライブラリ装置に用いるようにしてもよい。この場合、ライブラリ装置は、上述の一実施形態における記録再生装置３０を複数備えるものであってもよい。
（変形例８）
本開示の磁気記録媒体は、上述したように、例えば図７に示した記録再生装置３０における磁気記録媒体カートリッジ１０Ａに、リール３２に巻き取られた状態で収容される。その場合、（当該磁気記録媒体の巻内側のサーボトラック幅）−（当該磁気記録媒体の巻外側のサーボトラック幅）＞０μｍであるとよい。本変形例では、（当該磁気記録媒体の巻内側のサーボトラック幅）−（当該磁気記録媒体の巻外側のサーボトラック幅）を、「巻内側及び巻外側のサーボトラック幅の差」ともいう。巻内側及び巻外側のサーボトラック幅の差は、好ましくは０．０１μｍ以上、より好ましくは０．０２μｍ以上、さらにより好ましくは０．０５μｍ以上である。巻内側及び巻外側のサーボトラック幅の差は、例えば、０．１０μｍ以上、０．１５μｍ以上、又は０．２０μｍ以上であってもよい。巻内側及び巻外側のサーボトラック幅の差が上記数値範囲内にあることによって、カートリッジ内のリールに巻き取られた磁気記録媒体（特には当該磁気記録媒体のうちリールにより近い部分）にしわが発生することを防ぐことができる。当該しわは、例えば巻ずれ又は走行時のトラックずれなどをもたらしうるところ、当該しわに起因するこれらの現象の発生も本技術により防ぐことができる。巻内側及び巻外側のサーボトラック幅の差は、例えば２．５μｍ以下であってよく、好ましくは１．８μｍ以下、より好ましくは１．５μｍ以下、１．０μｍ以下、０．８以下、又は０．５μｍ以下であってよい。巻内側及び巻外側のサーボトラック幅の差が上記上限値以下であることによって、テンション調整により磁気記録媒体の幅を一定に保つことを、より容易に行うことができる。当該差の測定方法及び当該差を算出するために用いられるサーボトラック幅のずれ量の測定方法について、以下説明する。
本開示の磁気記録媒体は、上述したように、例えば図７に示した記録再生装置３０における磁気記録媒体カートリッジ１０Ａに、リール３２に巻き取られた状態で収容される。その場合、（当該磁気記録媒体の巻内側のサーボトラック幅）−（当該磁気記録媒体の巻外側のサーボトラック幅）＞０μｍであるとよい。本変形例では、（当該磁気記録媒体の巻内側のサーボトラック幅）−（当該磁気記録媒体の巻外側のサーボトラック幅）を、「巻内側及び巻外側のサーボトラック幅の差」ともいう。巻内側及び巻外側のサーボトラック幅の差は、好ましくは０．０１μｍ以上、より好ましくは０．０２μｍ以上、さらにより好ましくは０．０５μｍ以上である。巻内側及び巻外側のサーボトラック幅の差は、例えば、０．１０μｍ以上、０．１５μｍ以上、又は０．２０μｍ以上であってもよい。巻内側及び巻外側のサーボトラック幅の差が上記数値範囲内にあることによって、カートリッジ内のリールに巻き取られた磁気記録媒体（特には当該磁気記録媒体のうちリールにより近い部分）にしわが発生することを防ぐことができる。当該しわは、例えば巻ずれ又は走行時のトラックずれなどをもたらしうるところ、当該しわに起因するこれらの現象の発生も本技術により防ぐことができる。巻内側及び巻外側のサーボトラック幅の差は、例えば２．５μｍ以下であってよく、好ましくは１．８μｍ以下、より好ましくは１．５μｍ以下、１．０μｍ以下、０．８以下、又は０．５μｍ以下であってよい。巻内側及び巻外側のサーボトラック幅の差が上記上限値以下であることによって、テンション調整により磁気記録媒体の幅を一定に保つことを、より容易に行うことができる。当該差の測定方法及び当該差を算出するために用いられるサーボトラック幅のずれ量の測定方法について、以下説明する。
（（巻内側のサーボトラック幅）−（巻外側のサーボトラック幅）
巻内側及び巻外側のサーボトラック幅の差は、０μｍ超であり、好ましくは０．０ｍ以上、より好ましくは０．０２μｍ以上、さらにより好ましくは０．０５μｍ以上である。巻内側及び巻外側のサーボトラック幅の差は、例えば、０．１０μｍ以上、０．μｍ以上、又は０．２０μｍ以上であってもよい。これにより、カートリッジ内のリールに巻き取られた磁気記録媒体にしわが発生することを防ぐことができる。巻内側及び巻外側のサーボトラック幅の差は、例えば２．５μｍ以下であってよく、好ましくは１．８μｍ以下、より好ましくは１．５μｍ以下、１．０μｍ以下、０．８以下、又は０．５μｍ以下であってよい。
巻内側及び巻外側のサーボトラック幅の差は、０μｍ超であり、好ましくは０．０ｍ以上、より好ましくは０．０２μｍ以上、さらにより好ましくは０．０５μｍ以上である。巻内側及び巻外側のサーボトラック幅の差は、例えば、０．１０μｍ以上、０．μｍ以上、又は０．２０μｍ以上であってもよい。これにより、カートリッジ内のリールに巻き取られた磁気記録媒体にしわが発生することを防ぐことができる。巻内側及び巻外側のサーボトラック幅の差は、例えば２．５μｍ以下であってよく、好ましくは１．８μｍ以下、より好ましくは１．５μｍ以下、１．０μｍ以下、０．８以下、又は０．５μｍ以下であってよい。
巻内側及び巻外側のサーボトラック幅の差を求めるために、磁気記録媒体の巻内側のサーボトラック幅のずれ量ＴｉｎＷ及び巻外側のサーボトラック幅のずれ量ＴｏｕｔＷがそれぞれ測定される。当該測定は、温度２３±３℃及び相対湿度５０％±５％の環境下で行われる。これらのずれ量はいずれも、標準サーボトラック幅に対して、サーボトラック幅がどれだけ大きいか又は小さいかを表す。これらのずれ量の測定方法は以下で別途説明する。本明細書内において、巻内側とは、磁気記録媒体の２つの端部のうち、磁気記録カートリッジ内のリール（磁気記録媒体が巻き取られるリール）に取り付けられる端部（以下「内側端部」ともいう）から５０ｍの位置を起点として、当該位置から、当該内側端部と反対側の端部（以下「外側端部」ともいう）の方向へ１０ｍ進んだ位置までの領域をいう。本明細書内において、巻外側とは、磁気記録媒体の２つの端部のうち、当該外側端部から５０ｍの位置を起点として、当該位置から当該内側端部の方向へ１０ｍ進んだ位置までの領域をいう。
図１５を参照して巻内側及び巻外側についてより具体的に説明する。図１５は、記録再生装置３０に搭載される磁気記録媒体カートリッジ１０Ａのリール３２に、磁気記録媒体１０の内側端部Ｅ１が取り付けられている様子を表している。内側端部Ｅ１から５０ｍ進んだ位置Ａと、その位置Ａから外側端部Ｅ２へ１０ｍ進んだ位置Ｂとの間の領域が、巻内側である。外側端部Ｅ２から５０ｍだけ内側端部Ｅ１へ進んだ位置Ｃと位置Ｃからさらに内側端部Ｅ１へ１０ｍ進んだ位置Ｄとの間の領域が巻外側である。巻内側のサーボトラック幅のずれ量ＴｉｎＷの測定は、磁気記録媒体カートリッジ１０Ａ内に収容されている磁気記録媒体１０を、記録再生装置３０へと巻き込むように走行させながら（いわゆる順方向に走行させながら）行われる。当該測定において、磁気記録媒体１０にかかるテンションは０．５５Ｎであり、且つ、走行速度は３〜６ｍ／ｓである。前記巻内側の１０ｍの領域にわたって測定されるサーボトラック幅のずれ量の平均値が、前記差を求めるための巻内側サーボトラック幅のずれ量ｉｎＷとして用いられる。当該平均値は、単純平均により算出される。
巻外側のサーボトラック幅のずれ量ＴｏｕｔＷの測定も、巻内側と同様に、順方向に走行させながら行われる。前記巻外側の１０ｍの領域にわたって測定されるサーボトラック幅のずれ量の平均値が、前記差を求めるための巻外側サーボトラック幅のずれ量ＴｏｕｔＷとして用いられる。当該平均値も、単純平均により算出される。
以上のとおりにして得られた巻内側のサーボトラック幅のずれ量ＴｉｎＷから、巻外側のサーボトラック幅のずれ量ＴｏｕｔＷを差し引くことで、差（ＴｉｎＷ−ＴｏｕｔＷ）が求められ、当該差が、（巻内側のサーボトラック幅）−（巻外側のサーボトラック幅）である。
（サーボトラック幅のずれ量）
サーボトラック幅のずれ量の測定方法を、図１６を参照しながら説明する。図１６（ａ）は、磁気記録媒体の磁性層に形成されるデータバンド及びサーボバンドの模式図である。図１６（ａ）に示したように、前記磁性層は４つのデータバンドｄ０〜ｄ３を有する。前記磁性層は、各データバンドを２つのサーボバンドで挟むように、合計で５つのサーボバンドＳ０〜Ｓ４を有する。図１６（ｂ）に示したように、各サーボバンドは、所定角度θ１で傾斜する５本のサーボ信号Ｓ５ａと、この信号と逆方向に同じ角度で傾斜する５本のサーボ信号Ｓ５ｂと、所定角度θ１で傾斜する４本のサーボ信号Ｓ４ａと、この信号と逆方向に同じ角度で傾斜する４本のサーボ信号Ｓ４ｂと、からなるフレーム単位を繰り返し有する。前記角度θ１は、例えば５°〜２５°であり、特には１１°〜２０°でありうる。
サーボトラック幅のずれ量の測定方法を、図１６を参照しながら説明する。図１６（ａ）は、磁気記録媒体の磁性層に形成されるデータバンド及びサーボバンドの模式図である。図１６（ａ）に示したように、前記磁性層は４つのデータバンドｄ０〜ｄ３を有する。前記磁性層は、各データバンドを２つのサーボバンドで挟むように、合計で５つのサーボバンドＳ０〜Ｓ４を有する。図１６（ｂ）に示したように、各サーボバンドは、所定角度θ１で傾斜する５本のサーボ信号Ｓ５ａと、この信号と逆方向に同じ角度で傾斜する５本のサーボ信号Ｓ５ｂと、所定角度θ１で傾斜する４本のサーボ信号Ｓ４ａと、この信号と逆方向に同じ角度で傾斜する４本のサーボ信号Ｓ４ｂと、からなるフレーム単位を繰り返し有する。前記角度θ１は、例えば５°〜２５°であり、特には１１°〜２０°でありうる。
前記測定方法において測定されるサーボトラック幅のずれ量は、図１６（ａ）の上から２つ目のデータバンドｄ１を挟む２つのサーボトラックＳ１及びＳ２の間のサーボトラック幅の、標準サーボトラック幅に対するずれ量である。ドライブ走行時に、データバンドｄ１を挟む２つのサーボトラックＳ１及びＳ２を再生した場合、デジタルオシロスコープ（Lecroy社WAVEPRO 960）によってサーボトラックごとに図１６（ｃ）に示されるような波形が得られる。サーボトラックＳ１の再生により得られた波形からタイミング信号間の時間が得られ、当該時間とテープ走行速度とから、サーボトラックＳ１におけるＡバーストの先頭磁気ストライプとＢバーストの先頭磁気ストライプとの間の距離が算出される。例えば、図１６（ｂ）に示されるとおり、ＡバーストＳ５ａ−１の先頭磁気ストライプ（５つの磁気ストライプのうち最も左の磁気ストライプ）とＢバーストＳ５ｂ−１の先頭磁気ストライプ（５つの磁気ストライプのうち最も左の磁気ストライプ）との間の距離Ｌ１が算出される。同様に、サーボトラックＳ２の再生により得られた波形からタイミング信号間の時間が得られ、当該時間とテープ走行速度とから、サーボトラックＳ２におけるＡバーストの先頭磁気ストライプとＢバーストの先頭磁気ストライプとの間の距離が算出される。例えば、図１６（ｂ）に示したように、ＡバーストＳ５ａ−２の先頭磁気ストライプとＢバーストＳ５ｂ−２先頭磁気ストライプとの間の距離Ｌ２が算出される。例えば、磁気記録テープが幅方向に広がった場合、例えばサーボトラックＳ１の再生により得られるタイミング信号間の時間が長くなり、その結果、算出される距離Ｌ１も大きくなりうる。磁気記録テープが幅方向において縮んだ場合は、反対に、算出される距離Ｌ１は小さくなりうる。そのため、距離Ｌ１及び距離Ｌ２とアジマス角を用いることで、サーボトラック幅のずれ量を求めることができる。サーボトラック幅のずれ量は、以下の式から求められる。
（サーボトラック幅のずれ量）＝｛（Ｌ１−Ｌ２）／２｝×ｔａｎ（９０°−θ１）
この式において、Ｌ１及びＬ２は、上記で述べた距離Ｌ１及びＬ２であり、θ１は、上記で述べた傾斜角度θ１であり、アジマス角とも言われる。θ１は、カートリッジより取り出した磁気記録媒体をフェリコロイド現像液で現像し、万能工具顕微鏡（TOPCON TUM-220ES）及びデータ処理装置（TOPCON CA-1B）を用いて求められる。
サーボトラック幅のずれ量は、標準サーボトラック幅に対する変化量である。標準サーボトラック幅は、磁気記録再生装置が有するサーボリードヘッド幅と同じ幅であってよく、例えば磁気記録媒体１０が準拠する規格など磁気記録媒体１０の種類に応じて決定されてよい。
（サーボトラック幅のずれ量）＝｛（Ｌ１−Ｌ２）／２｝×ｔａｎ（９０°−θ１）
この式において、Ｌ１及びＬ２は、上記で述べた距離Ｌ１及びＬ２であり、θ１は、上記で述べた傾斜角度θ１であり、アジマス角とも言われる。θ１は、カートリッジより取り出した磁気記録媒体をフェリコロイド現像液で現像し、万能工具顕微鏡（TOPCON TUM-220ES）及びデータ処理装置（TOPCON CA-1B）を用いて求められる。
サーボトラック幅のずれ量は、標準サーボトラック幅に対する変化量である。標準サーボトラック幅は、磁気記録再生装置が有するサーボリードヘッド幅と同じ幅であってよく、例えば磁気記録媒体１０が準拠する規格など磁気記録媒体１０の種類に応じて決定されてよい。
なお、サーボトラック幅は、例えば以下のとおりに調整することができる。磁気記録媒体１０に生じたひずみを緩和するために、磁気記録媒体１０の乾燥工程及び／又はカレンダー工程（加温領域）において巻き取り張力を低くすることが行われてもよい。また、裁断後のパンケーキ状態及び／又はカートリッジ状態においてひずみを緩和するために、５５℃以上の温度で長時間保管することが行われてもよい。このようにひずみを緩和することで、サーボトラック幅を調整することができる。
本変形例のように、（当該磁気記録媒体の巻内側のサーボトラック幅）−（当該磁気記録媒体の巻外側のサーボトラック幅）＞０を満たすことにより、カートリッジ内における巻内側におけるしわの発生を抑制することができる。
以下、実施例により本開示を具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
以下の実施例および比較例において、垂直方向における磁性粉の平均アスペクト比、磁性粉の平均粒子サイズ、磁性粉の平均粒子体積、下地層の平均厚み、磁気記録媒体の全体の平均厚み（テープ平均厚み）、磁性層の平均厚み、保磁力Ｈｃ１、保磁力Ｈｃ２、比Ｈｃ２／Ｈｃ１、磁性層の表面の算術平均粗さ（磁性層Ｒａ）、磁性層ＰＳＤ（≦0.5μｍ）、および孤立波形の半値幅ＰＷ５０、上述の一実施形態にて説明した測定方法により求められた値である。
［実施例１］
実施例１としての磁気記録媒体を以下のようにして得た。
実施例１としての磁気記録媒体を以下のようにして得た。
＜磁性層形成用塗料の調製工程＞
磁性層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第１組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第１組成物と、下記配合の第２組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルタ処理を行い、磁性層形成用塗料を調製した。
磁性層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第１組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第１組成物と、下記配合の第２組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルタ処理を行い、磁性層形成用塗料を調製した。
（第１組成物）
第１組成物における各構成要素および重量は以下の通りである。
・バリウムフェライト（ＢａＦｅ12Ｏ19）粒子の粉末（六角板状、平均アスペクト比２．８、平均粒子サイズ２０．３ｎｍ、平均粒子体積１９５０ｎｍ3）：１００質量部
・塩化ビニル系樹脂（シクロヘキサノン溶液３０質量％）：４０質量部（シクロヘキサノン溶液を含む）
（重合度３００、Ｍｎ＝１００００、極性基としてＯＳＯ3Ｋ＝０．０７ｍｍｏｌ／ｇ、２級ＯＨ＝０．３ｍｍｏｌ／ｇを含有する。）
・酸化アルミニウム粉末（α−Ａｌ2Ｏ3、平均粒径０．２μｍ）：５質量部
・カーボンブラック（東海カーボン社製、商品名：シーストＴＡ）：２質量部
第１組成物における各構成要素および重量は以下の通りである。
・バリウムフェライト（ＢａＦｅ12Ｏ19）粒子の粉末（六角板状、平均アスペクト比２．８、平均粒子サイズ２０．３ｎｍ、平均粒子体積１９５０ｎｍ3）：１００質量部
・塩化ビニル系樹脂（シクロヘキサノン溶液３０質量％）：４０質量部（シクロヘキサノン溶液を含む）
（重合度３００、Ｍｎ＝１００００、極性基としてＯＳＯ3Ｋ＝０．０７ｍｍｏｌ／ｇ、２級ＯＨ＝０．３ｍｍｏｌ／ｇを含有する。）
・酸化アルミニウム粉末（α−Ａｌ2Ｏ3、平均粒径０．２μｍ）：５質量部
・カーボンブラック（東海カーボン社製、商品名：シーストＴＡ）：２質量部
（第２組成物）
第２組成物における各構成要素および重量は以下の通りである。
・塩化ビニル系樹脂：２０質量部（シクロヘキサノン溶液を含む）
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
・脂肪酸エステルとしてｎ−ブチルステアレート：２質量部
・メチルエチルケトン：１２１．３質量部
・トルエン：１２１．３質量部
・シクロヘキサノン：６０．７質量部
第２組成物における各構成要素および重量は以下の通りである。
・塩化ビニル系樹脂：２０質量部（シクロヘキサノン溶液を含む）
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
・脂肪酸エステルとしてｎ−ブチルステアレート：２質量部
・メチルエチルケトン：１２１．３質量部
・トルエン：１２１．３質量部
・シクロヘキサノン：６０．７質量部
上述のようにして調製した磁性層形成用塗料に、硬化剤としてポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、日本ポリウレタン社製）：４質量部と、脂肪酸としてステアリン酸：２質量部とを添加した。
＜下地層形成用塗料の調製工程＞
下地層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第３組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第３組成物と、下記配合の第４組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルタ処理を行い、下地層形成用塗料を調製した。
下地層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第３組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第３組成物と、下記配合の第４組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルタ処理を行い、下地層形成用塗料を調製した。
（第３組成物）
第３組成物における各構成要素および重量は以下の通りである。
・針状酸化鉄粉末（α−Ｆｅ2Ｏ3、平均長軸長０．１５μｍ）：１００質量部
・塩化ビニル系樹脂（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）：５５．６質量部
・カーボンブラック（平均粒径２０ｎｍ）：１０質量部
第３組成物における各構成要素および重量は以下の通りである。
・針状酸化鉄粉末（α−Ｆｅ2Ｏ3、平均長軸長０．１５μｍ）：１００質量部
・塩化ビニル系樹脂（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）：５５．６質量部
・カーボンブラック（平均粒径２０ｎｍ）：１０質量部
（第４組成物）
第４組成物における各構成要素および重量は以下の通りである。
・ポリウレタン系樹脂ＵＲ８２００（東洋紡績製）：１８．５質量部
・脂肪酸エステルとしてｎ−ブチルステアレート：２質量部
・メチルエチルケトン：１０８．２質量部
・トルエン：１０８．２質量部
・シクロヘキサノン：１８．５質量部
第４組成物における各構成要素および重量は以下の通りである。
・ポリウレタン系樹脂ＵＲ８２００（東洋紡績製）：１８．５質量部
・脂肪酸エステルとしてｎ−ブチルステアレート：２質量部
・メチルエチルケトン：１０８．２質量部
・トルエン：１０８．２質量部
・シクロヘキサノン：１８．５質量部
上述のようにして調製した下地層形成用塗料に、硬化剤としてポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、日本ポリウレタン社製）：４質量部と、脂肪酸としてステアリン酸：２質量部とを添加した。
＜バック層形成用塗料の調製工程＞
バック層形成用塗料を以下のようにして調製した。下記原料を、ディスパーを備えた攪拌タンクで混合を行い、フィルタ処理を行うことで、バック層形成用塗料を調製した。
・小粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２０ｎｍ）：９０質量部
・大粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２７０ｎｍ）：１０質量部
・ポリエステルポリウレタン（日本ポリウレタン社製、商品名：Ｎ−２３０４）：１００質量部
・メチルエチルケトン：５００質量部
・トルエン：４００質量部
・シクロヘキサノン：１００質量部
バック層形成用塗料を以下のようにして調製した。下記原料を、ディスパーを備えた攪拌タンクで混合を行い、フィルタ処理を行うことで、バック層形成用塗料を調製した。
・小粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２０ｎｍ）：９０質量部
・大粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２７０ｎｍ）：１０質量部
・ポリエステルポリウレタン（日本ポリウレタン社製、商品名：Ｎ−２３０４）：１００質量部
・メチルエチルケトン：５００質量部
・トルエン：４００質量部
・シクロヘキサノン：１００質量部
＜塗布工程＞
上述のようにして調製した磁性層形成用塗料および下地層形成用塗料を用いて、非磁性支持体である、平均厚み４．０μｍの長尺のポリエステルフィルムの一方の主面上に平均厚み１．１μｍの下地層、および平均厚み８０ｎｍの磁性層を以下のようにして形成した。まず、ポリエステルフィルムの一方の主面上に下地層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、下地層を形成した。次に、下地層上に磁性層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、磁性層を形成した。なお、磁性層形成用塗料の乾燥の際に、ソレノイドコイルにより、磁性粉をフィルムの厚み方向に磁場配向させた。また、磁性層形成用塗料の乾燥条件（乾燥温度および乾燥時間）を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における保磁力Ｈｃ１および長手方向における保磁力Ｈｃ２を後出の表１に示す値に設定した。続いて、ポリエステルフィルムの他方の主面上にバック層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、平均厚み０．３μｍのバック層を形成した。
上述のようにして調製した磁性層形成用塗料および下地層形成用塗料を用いて、非磁性支持体である、平均厚み４．０μｍの長尺のポリエステルフィルムの一方の主面上に平均厚み１．１μｍの下地層、および平均厚み８０ｎｍの磁性層を以下のようにして形成した。まず、ポリエステルフィルムの一方の主面上に下地層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、下地層を形成した。次に、下地層上に磁性層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、磁性層を形成した。なお、磁性層形成用塗料の乾燥の際に、ソレノイドコイルにより、磁性粉をフィルムの厚み方向に磁場配向させた。また、磁性層形成用塗料の乾燥条件（乾燥温度および乾燥時間）を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における保磁力Ｈｃ１および長手方向における保磁力Ｈｃ２を後出の表１に示す値に設定した。続いて、ポリエステルフィルムの他方の主面上にバック層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、平均厚み０．３μｍのバック層を形成した。
＜カレンダー工程および転写工程＞
続いて、カレンダー処理を行い、磁性層の表面を平滑化した。次に、磁性層の表面が平滑化された磁気記録媒体をロール状に巻き取ったのち、その状態のまま磁気記録媒体に６０℃、１０時間の加熱処理を行った。そして、内周側に位置している端部が反対に外周側に位置するように、磁気記録媒体をロール状に巻き直したのち、その状態のまま磁気記録媒体に６０℃、１０時間の加熱処理を再度行った。これにより、バック層の表面の多数の突部が磁性層の表面に転写され、磁性層の表面に多数の孔部が形成された。
続いて、カレンダー処理を行い、磁性層の表面を平滑化した。次に、磁性層の表面が平滑化された磁気記録媒体をロール状に巻き取ったのち、その状態のまま磁気記録媒体に６０℃、１０時間の加熱処理を行った。そして、内周側に位置している端部が反対に外周側に位置するように、磁気記録媒体をロール状に巻き直したのち、その状態のまま磁気記録媒体に６０℃、１０時間の加熱処理を再度行った。これにより、バック層の表面の多数の突部が磁性層の表面に転写され、磁性層の表面に多数の孔部が形成された。
＜裁断工程＞
上述のようにして得られた磁気記録媒体を１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅に裁断した。これにより、目的とする長尺状の磁気記録媒体（平均厚み５．６μｍ）が得られた。
この磁気記録媒体は、後出の表２に示したように４層構造を有し、全体の平均厚み（テープ平均厚み）が５．６μｍ、サーボトラックの数が５、基体（ベースフィルム）の平均厚みが４．０μｍのものである。またＷは２．９μｍであり、Ｌは０．０５２μｍである。以上の構成をメディア構成１とする。また、Ｗは記録トラック幅を表し、Ｌは最短波長で記録されている部位の磁化反転間距離(ビット長)を表している。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．９ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．１μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１７５ｎｍであった。
上述のようにして得られた磁気記録媒体を１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅に裁断した。これにより、目的とする長尺状の磁気記録媒体（平均厚み５．６μｍ）が得られた。
この磁気記録媒体は、後出の表２に示したように４層構造を有し、全体の平均厚み（テープ平均厚み）が５．６μｍ、サーボトラックの数が５、基体（ベースフィルム）の平均厚みが４．０μｍのものである。またＷは２．９μｍであり、Ｌは０．０５２μｍである。以上の構成をメディア構成１とする。また、Ｗは記録トラック幅を表し、Ｌは最短波長で記録されている部位の磁化反転間距離(ビット長)を表している。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．９ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．１μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１７５ｎｍであった。
［実施例２］
磁性層形成用塗料の調製工程において、第１組成物におけるバリウムフェライト（ＢａＦｅ12Ｏ19）粒子について、粉末平均アスペクト比を２．６、平均粒子サイズを１８．６ｎｍ、平均粒子体積を１６００ｎｍ3とした。また、塗布工程において、磁性層の平均厚みを６０ｎｍとし、保磁力Ｈｃ１を２９２０Ｏｅとし、保磁力Ｈｃ２を１９２０Ｏｅとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして実施例２としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．８５ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．０μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１７０ｎｍであった。
磁性層形成用塗料の調製工程において、第１組成物におけるバリウムフェライト（ＢａＦｅ12Ｏ19）粒子について、粉末平均アスペクト比を２．６、平均粒子サイズを１８．６ｎｍ、平均粒子体積を１６００ｎｍ3とした。また、塗布工程において、磁性層の平均厚みを６０ｎｍとし、保磁力Ｈｃ１を２９２０Ｏｅとし、保磁力Ｈｃ２を１９２０Ｏｅとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして実施例２としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．８５ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．０μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１７０ｎｍであった。
［実施例３］
磁性層形成用塗料の調製工程において、第１組成物におけるバリウムフェライト（ＢａＦｅ12Ｏ19）粒子について、粉末平均アスペクト比を３．０、平均粒子サイズを２１．３ｎｍ、平均粒子体積を２１００ｎｍ3とした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして実施例２としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．９ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．１μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１７７ｎｍであった。
磁性層形成用塗料の調製工程において、第１組成物におけるバリウムフェライト（ＢａＦｅ12Ｏ19）粒子について、粉末平均アスペクト比を３．０、平均粒子サイズを２１．３ｎｍ、平均粒子体積を２１００ｎｍ3とした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして実施例２としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．９ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．１μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１７７ｎｍであった。
［実施例４］
塗布工程において、磁性層の平均厚みを９０ｎｍとした点を除き、他は上記実施例１と同様にして実施例４としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．９ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．１μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１７５ｎｍであった。
塗布工程において、磁性層の平均厚みを９０ｎｍとした点を除き、他は上記実施例１と同様にして実施例４としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．９ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．１μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１７５ｎｍであった。
［実施例５］
磁性層形成用塗料の調製工程において、第１組成物におけるバリウムフェライト（ＢａＦｅ12Ｏ19）粒子について、粉末平均アスペクト比を２．９、平均粒子サイズを２０．９ｎｍ、平均粒子体積を２０５０ｎｍ3とした。また、塗布工程において、保磁力Ｈｃ１を２９８０Ｏｅとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして実施例５としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．９ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．１μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１７７ｎｍであった。
磁性層形成用塗料の調製工程において、第１組成物におけるバリウムフェライト（ＢａＦｅ12Ｏ19）粒子について、粉末平均アスペクト比を２．９、平均粒子サイズを２０．９ｎｍ、平均粒子体積を２０５０ｎｍ3とした。また、塗布工程において、保磁力Ｈｃ１を２９８０Ｏｅとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして実施例５としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．９ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．１μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１７７ｎｍであった。
［実施例６］
磁性層形成用塗料の調製工程において、磁性粉としてε酸化鉄粒子の粉末（球状、平均アスペクト比１．３、平均粒子サイズ１５．７ｎｍ、粒子体積２０５０ｎｍ3）を用いた。また、塗布工程において、保磁力Ｈｃ１を２８５０Ｏｅとし、保磁力Ｈｃ２を２０２０Ｏｅとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして実施例６としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは２ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．１μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１７７ｎｍであった。
磁性層形成用塗料の調製工程において、磁性粉としてε酸化鉄粒子の粉末（球状、平均アスペクト比１．３、平均粒子サイズ１５．７ｎｍ、粒子体積２０５０ｎｍ3）を用いた。また、塗布工程において、保磁力Ｈｃ１を２８５０Ｏｅとし、保磁力Ｈｃ２を２０２０Ｏｅとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして実施例６としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは２ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．１μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１７７ｎｍであった。
［実施例７］
磁性層形成用塗料の調製工程において、磁性粉としてコバルトフェライトの粉末（立方体状、平均アスペクト比１．１、平均粒子サイズ１２．６ｎｍ、粒子体積２０３０ｎｍ3）を用いた。また、塗布工程において、保磁力Ｈｃ１を２８００Ｏｅとし、保磁力Ｈｃ２を２０２０Ｏｅとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして実施例７としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは２ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．１μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１７７ｎｍであった。
磁性層形成用塗料の調製工程において、磁性粉としてコバルトフェライトの粉末（立方体状、平均アスペクト比１．１、平均粒子サイズ１２．６ｎｍ、粒子体積２０３０ｎｍ3）を用いた。また、塗布工程において、保磁力Ｈｃ１を２８００Ｏｅとし、保磁力Ｈｃ２を２０２０Ｏｅとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして実施例７としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは２ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．１μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１７７ｎｍであった。
［実施例８］
磁性層形成用塗料の調製工程において、第１組成物におけるバリウムフェライト（ＢａＦｅ12Ｏ19）粒子について、粉末平均アスペクト比を２．３、平均粒子サイズを１７ｎｍ、平均粒子体積を１４００ｎｍ3とした。また、塗布工程において、磁性層の平均厚みを６０ｎｍとし、保磁力Ｈｃ１を２５５０Ｏｅとし、保磁力Ｈｃ２を１８２０Ｏｅとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして実施例８としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．８ｎｍ、磁性層ＰＳＤは１．９μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１７０ｎｍであった。
磁性層形成用塗料の調製工程において、第１組成物におけるバリウムフェライト（ＢａＦｅ12Ｏ19）粒子について、粉末平均アスペクト比を２．３、平均粒子サイズを１７ｎｍ、平均粒子体積を１４００ｎｍ3とした。また、塗布工程において、磁性層の平均厚みを６０ｎｍとし、保磁力Ｈｃ１を２５５０Ｏｅとし、保磁力Ｈｃ２を１８２０Ｏｅとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして実施例８としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．８ｎｍ、磁性層ＰＳＤは１．９μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１７０ｎｍであった。
［実施例９］
磁性層形成用塗料の調製工程において、第１組成物におけるバリウムフェライト（ＢａＦｅ12Ｏ19）粒子について、粉末平均アスペクト比を２．０、平均粒子サイズを１５ｎｍ、平均粒子体積を１１００ｎｍ3とした。また、塗布工程において、磁性層の平均厚みを６０ｎｍとし、保磁力Ｈｃ１を２５００Ｏｅとし、保磁力Ｈｃ２を１８４０Ｏｅとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして実施例９としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．７５ｎｍ、磁性層ＰＳＤは１．８μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１６０ｎｍであった。
磁性層形成用塗料の調製工程において、第１組成物におけるバリウムフェライト（ＢａＦｅ12Ｏ19）粒子について、粉末平均アスペクト比を２．０、平均粒子サイズを１５ｎｍ、平均粒子体積を１１００ｎｍ3とした。また、塗布工程において、磁性層の平均厚みを６０ｎｍとし、保磁力Ｈｃ１を２５００Ｏｅとし、保磁力Ｈｃ２を１８４０Ｏｅとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして実施例９としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．７５ｎｍ、磁性層ＰＳＤは１．８μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１６０ｎｍであった。
［実施例１０］
メディア構成を２とした（表２）ことを除き、他は上記実施例１と同様にして実施例９としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．９ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．１μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１７５ｎｍであった。
メディア構成を２とした（表２）ことを除き、他は上記実施例１と同様にして実施例９としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．９ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．１μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１７５ｎｍであった。
［実施例１１］
メディア構成を３とした（表２）。磁性層形成用塗料の調製工程において、第１組成物におけるバリウムフェライト（ＢａＦｅ12Ｏ19）粒子について、粉末平均アスペクト比を２．６、平均粒子サイズを１８．６ｎｍ、平均粒子体積を１６００ｎｍ3とした。また、塗布工程において、磁性層の平均厚みを６０ｎｍとし、保磁力Ｈｃ１を２９２０Ｏｅとし、保磁力Ｈｃ２を１９２０Ｏｅとした。さらに、テープ平均厚みを５．２μｍとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして実施例１１としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．８５ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．０μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１６８ｎｍであった。
メディア構成を３とした（表２）。磁性層形成用塗料の調製工程において、第１組成物におけるバリウムフェライト（ＢａＦｅ12Ｏ19）粒子について、粉末平均アスペクト比を２．６、平均粒子サイズを１８．６ｎｍ、平均粒子体積を１６００ｎｍ3とした。また、塗布工程において、磁性層の平均厚みを６０ｎｍとし、保磁力Ｈｃ１を２９２０Ｏｅとし、保磁力Ｈｃ２を１９２０Ｏｅとした。さらに、テープ平均厚みを５．２μｍとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして実施例１１としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．８５ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．０μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１６８ｎｍであった。
［実施例１２］
メディア構成を４とした（表２）。磁性層形成用塗料の調製工程において、第１組成物におけるバリウムフェライト（ＢａＦｅ12Ｏ19）粒子について、粉末平均アスペクト比を２．３、平均粒子サイズを１７ｎｍ、平均粒子体積を１４００ｎｍ3とした。また、塗布工程において、磁性層の平均厚みを６０ｎｍとし、保磁力Ｈｃ１を２５５０Ｏｅとし、保磁力Ｈｃ２を１８２０Ｏｅとした。さらに、テープ平均厚みを５．２μｍとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして実施例１２としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．８ｎｍ、磁性層ＰＳＤは１．９μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１６６ｎｍであった。
メディア構成を４とした（表２）。磁性層形成用塗料の調製工程において、第１組成物におけるバリウムフェライト（ＢａＦｅ12Ｏ19）粒子について、粉末平均アスペクト比を２．３、平均粒子サイズを１７ｎｍ、平均粒子体積を１４００ｎｍ3とした。また、塗布工程において、磁性層の平均厚みを６０ｎｍとし、保磁力Ｈｃ１を２５５０Ｏｅとし、保磁力Ｈｃ２を１８２０Ｏｅとした。さらに、テープ平均厚みを５．２μｍとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして実施例１２としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．８ｎｍ、磁性層ＰＳＤは１．９μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１６６ｎｍであった。
［実施例１３］
メディア構成を５とした（表２）。磁性層形成用塗料の調製工程において、第１組成物におけるバリウムフェライト（ＢａＦｅ12Ｏ19）粒子について、粉末平均アスペクト比を２．３、平均粒子サイズを１７ｎｍ、平均粒子体積を１４００ｎｍ3とした。また、塗布工程において、磁性層の平均厚みを６０ｎｍとし、保磁力Ｈｃ１を２５５０Ｏｅとし、保磁力Ｈｃ２を１８２０Ｏｅとした。さらに、テープ平均厚みを４．５μｍとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして実施例１２としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．８ｎｍ、磁性層ＰＳＤは１．９μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１６６ｎｍであった。
メディア構成を５とした（表２）。磁性層形成用塗料の調製工程において、第１組成物におけるバリウムフェライト（ＢａＦｅ12Ｏ19）粒子について、粉末平均アスペクト比を２．３、平均粒子サイズを１７ｎｍ、平均粒子体積を１４００ｎｍ3とした。また、塗布工程において、磁性層の平均厚みを６０ｎｍとし、保磁力Ｈｃ１を２５５０Ｏｅとし、保磁力Ｈｃ２を１８２０Ｏｅとした。さらに、テープ平均厚みを４．５μｍとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして実施例１２としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．８ｎｍ、磁性層ＰＳＤは１．９μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１６６ｎｍであった。
［実施例１４］
メディア構成を６とした（表２）。磁性層形成用塗料の調製工程において、第１組成物におけるバリウムフェライト（ＢａＦｅ12Ｏ19）粒子について、粉末平均アスペクト比を２．０、平均粒子サイズを１５ｎｍ、平均粒子体積を１１００ｎｍ3とした。また、塗布工程において、磁性層の平均厚みを６０ｎｍとし、保磁力Ｈｃ１を２５００Ｏｅとし、保磁力Ｈｃ２を１８４０Ｏｅとした。さらに、テープ平均厚みを４．５μｍとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして実施例１２としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．７５ｎｍ、磁性層ＰＳＤは１．８μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１５５ｎｍであった。
メディア構成を６とした（表２）。磁性層形成用塗料の調製工程において、第１組成物におけるバリウムフェライト（ＢａＦｅ12Ｏ19）粒子について、粉末平均アスペクト比を２．０、平均粒子サイズを１５ｎｍ、平均粒子体積を１１００ｎｍ3とした。また、塗布工程において、磁性層の平均厚みを６０ｎｍとし、保磁力Ｈｃ１を２５００Ｏｅとし、保磁力Ｈｃ２を１８４０Ｏｅとした。さらに、テープ平均厚みを４．５μｍとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして実施例１２としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．７５ｎｍ、磁性層ＰＳＤは１．８μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１５５ｎｍであった。
［実施例１５］
塗布工程において、磁性層の平均厚みを９０ｎｍとし、保磁力Ｈｃ１を２９９０Ｏｅとし、保磁力Ｈｃ２を１５００Ｏｅとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして実施例１５としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．８５ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．０μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１７５ｎｍであった。
塗布工程において、磁性層の平均厚みを９０ｎｍとし、保磁力Ｈｃ１を２９９０Ｏｅとし、保磁力Ｈｃ２を１５００Ｏｅとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして実施例１５としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．８５ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．０μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１７５ｎｍであった。
［実施例１６］
塗布工程において、保磁力Ｈｃ１を２６９０Ｏｅとし、保磁力Ｈｃ２を２１５０Ｏｅとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして実施例１５としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．８５ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．０μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１８０ｎｍであった。
塗布工程において、保磁力Ｈｃ１を２６９０Ｏｅとし、保磁力Ｈｃ２を２１５０Ｏｅとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして実施例１５としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．８５ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．０μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１８０ｎｍであった。
［実施例１７］
磁性層形成用塗料の調製工程において、磁性粉としてε酸化鉄粒子の粉末（球状、平均アスペクト比１．３、平均粒子サイズ１５．７ｎｍ、粒子体積２０５０ｎｍ3）を用いた。また、塗布工程において、磁性層の平均厚みを９０ｎｍとし、保磁力Ｈｃ１を２９００Ｏｅとし、保磁力Ｈｃ２を１９５０Ｏｅとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして実施例１７としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは２ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．１μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１７５ｎｍであった。
磁性層形成用塗料の調製工程において、磁性粉としてε酸化鉄粒子の粉末（球状、平均アスペクト比１．３、平均粒子サイズ１５．７ｎｍ、粒子体積２０５０ｎｍ3）を用いた。また、塗布工程において、磁性層の平均厚みを９０ｎｍとし、保磁力Ｈｃ１を２９００Ｏｅとし、保磁力Ｈｃ２を１９５０Ｏｅとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして実施例１７としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは２ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．１μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１７５ｎｍであった。
［実施例１８］
カレンダー処理の条件を変更することにより、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａを１．６ｎｍ、磁性層ＰＳＤを１．７μｍとした。なお、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１７５ｎｍであった。
カレンダー処理の条件を変更することにより、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａを１．６ｎｍ、磁性層ＰＳＤを１．７μｍとした。なお、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１７５ｎｍであった。
［実施例１９］
カレンダー処理の条件を変更することにより、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａを２．４ｎｍ、磁性層ＰＳＤを２．５μｍとした。なお、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１７５ｎｍであった。
カレンダー処理の条件を変更することにより、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａを２．４ｎｍ、磁性層ＰＳＤを２．５μｍとした。なお、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１７５ｎｍであった。
［比較例１］
磁性層形成用塗料の調製工程において、第１組成物におけるバリウムフェライト（ＢａＦｅ12Ｏ19）粒子について、粉末平均アスペクト比を３．５、平均粒子サイズを２３．６ｎｍ、平均粒子体積を２４５０ｎｍ3とした。また、塗布工程において、磁性層の平均厚みを８５ｎｍとし、保磁力Ｈｃ１を２８２０Ｏｅとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして比較例１としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．９ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．１μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は２０５ｎｍであった。
磁性層形成用塗料の調製工程において、第１組成物におけるバリウムフェライト（ＢａＦｅ12Ｏ19）粒子について、粉末平均アスペクト比を３．５、平均粒子サイズを２３．６ｎｍ、平均粒子体積を２４５０ｎｍ3とした。また、塗布工程において、磁性層の平均厚みを８５ｎｍとし、保磁力Ｈｃ１を２８２０Ｏｅとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして比較例１としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．９ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．１μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は２０５ｎｍであった。
［比較例２］
塗布工程において、磁性層の平均厚みを１００ｎｍとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして比較例２としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．９ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．１μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は２０２ｎｍであった。
塗布工程において、磁性層の平均厚みを１００ｎｍとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして比較例２としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．９ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．１μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は２０２ｎｍであった。
［比較例３］
塗布工程において、磁性層の平均厚みを８５ｎｍとし、保磁力Ｈｃ１を２５００Ｏｅとし、保磁力Ｈｃ２を２１００Ｏｅとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして比較例１としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．９ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．１μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１８０ｎｍであった。
塗布工程において、磁性層の平均厚みを８５ｎｍとし、保磁力Ｈｃ１を２５００Ｏｅとし、保磁力Ｈｃ２を２１００Ｏｅとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして比較例１としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．９ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．１μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１８０ｎｍであった。
［比較例４］
磁性層形成用塗料の調製工程において、第１組成物におけるバリウムフェライト（ＢａＦｅ12Ｏ19）粒子について、粉末平均アスペクト比を３．０、平均粒子サイズを２１．３ｎｍ、平均粒子体積を２０９０ｎｍ3とした。また、塗布工程において、保磁力Ｈｃ１を３１００Ｏｅとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして比較例１としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．９ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．１μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１９０ｎｍであった。
磁性層形成用塗料の調製工程において、第１組成物におけるバリウムフェライト（ＢａＦｅ12Ｏ19）粒子について、粉末平均アスペクト比を３．０、平均粒子サイズを２１．３ｎｍ、平均粒子体積を２０９０ｎｍ3とした。また、塗布工程において、保磁力Ｈｃ１を３１００Ｏｅとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして比較例１としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．９ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．１μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１９０ｎｍであった。
［比較例５］
磁性層形成用塗料の調製工程において、磁性粉としてε酸化鉄粒子の粉末（球状、平均アスペクト比１．３、平均粒子サイズ１５．７ｎｍ、粒子体積２０５０ｎｍ3）を用いた。また、塗布工程において、保磁力Ｈｃ１を２５５０Ｏｅとし、保磁力Ｈｃ２を２０８０Ｏｅとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして比較例５としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．９ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．１μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１８０ｎｍであった。
磁性層形成用塗料の調製工程において、磁性粉としてε酸化鉄粒子の粉末（球状、平均アスペクト比１．３、平均粒子サイズ１５．７ｎｍ、粒子体積２０５０ｎｍ3）を用いた。また、塗布工程において、保磁力Ｈｃ１を２５５０Ｏｅとし、保磁力Ｈｃ２を２０８０Ｏｅとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして比較例５としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．９ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．１μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１８０ｎｍであった。
［比較例６］
磁性層形成用塗料の調製工程において、磁性粉としてコバルトフェライトの粉末（立方体状、平均アスペクト比１．１、平均粒子サイズ１２．６ｎｍ、粒子体積２０３０ｎｍ3）を用いた。また、塗布工程において、保磁力Ｈｃ１を２４５０Ｏｅとし、保磁力Ｈｃ２を２０８０Ｏｅとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして比較例６としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．９ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．１μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１７９ｎｍであった。
磁性層形成用塗料の調製工程において、磁性粉としてコバルトフェライトの粉末（立方体状、平均アスペクト比１．１、平均粒子サイズ１２．６ｎｍ、粒子体積２０３０ｎｍ3）を用いた。また、塗布工程において、保磁力Ｈｃ１を２４５０Ｏｅとし、保磁力Ｈｃ２を２０８０Ｏｅとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして比較例６としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．９ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．１μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１７９ｎｍであった。
［比較例７］
磁性層の添加剤を調整することにより、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａを２．５５ｎｍ、磁性層ＰＳＤを３．２μｍとした。なお、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は２０５ｎｍであった。
磁性層の添加剤を調整することにより、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａを２．５５ｎｍ、磁性層ＰＳＤを３．２μｍとした。なお、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は２０５ｎｍであった。
［比較例８］
磁性層の添加剤を調整することにより、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａを１．６６ｎｍ、磁性層ＰＳＤを１．７μｍとした。なお、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１７３ｎｍであった。
磁性層の添加剤を調整することにより、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａを１．６６ｎｍ、磁性層ＰＳＤを１．７μｍとした。なお、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１７３ｎｍであった。
［評価］
上述のようにして得られた実施例１〜１９および比較例１〜８の磁気記録媒体について以下の評価を行った。
上述のようにして得られた実施例１〜１９および比較例１〜８の磁気記録媒体について以下の評価を行った。
（Ｃ／Ｎ）
まず、ループテスター（Microphysics社製）を用いて、磁気記録媒体の再生信号を取得した。以下に、再生信号の取得条件について示す。
ヘッド：ＧＭＲヘッド
速度：２ｍ／ｓ
再生信号：単一記録周波数（１０ＭＨｚ）
記録電流：最適記録電流
まず、ループテスター（Microphysics社製）を用いて、磁気記録媒体の再生信号を取得した。以下に、再生信号の取得条件について示す。
ヘッド：ＧＭＲヘッド
速度：２ｍ／ｓ
再生信号：単一記録周波数（１０ＭＨｚ）
記録電流：最適記録電流
次に、再生信号をスペクトラムアナライザ（spectrum analyze）により取り込み、１０ＭＨｚの再生出力値と、１０ＭＨｚ±１ＭＨｚのノイズの平均値を計測し、それらの差をＣ／Ｎとした。その結果を、比較例１のＣ／Ｎを０ｄＢとする相対値で表１に示した。なお、Ｃ／Ｎが１．５ｄＢ以上であると、短波長・狭トラック密度にも耐えうるメディアを実現できる。
表１は、実施例１〜１９および比較例１〜８における各磁気記録媒体の磁気特性および評価結果を示す。
表２は、実施例１〜１９および比較例１〜８の磁気記録媒体で採用したメディア構成を示す。
表１〜表２に示したように、実施例１〜１９では、磁性層の表面の算術平均粗さＲａが２．５ｎｍ以下であり、空間波長５μｍまでのＰＳＤが２．５μｍ以下であり、磁性層の平均厚みが９０ｎｍ以下であり、磁性粉の平均アスペクト比が１．０以上３．０以下であり、垂直方向における保磁力Ｈｃ１が３０００Ｏｅ以下であり、Ｈｃ２／Ｈｃ１が０．８以下であり、データ信号の再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０が２００ｎｍ以下である。このため、磁化遷移幅を急峻としつつ、良好な電磁変換特性（Ｃ／Ｎ）を確保することができる。したがって、高密度記録に有利な構成を実現することができる。
また、実施例１，２，４，８−１５，１７−１９では、半値幅ＰＷ５０が１７５ｎｍ以下であるので、優れた電磁変換特性（Ｃ／Ｎ）が得られた。
特に実施例２，８，９，１１-１４では半値幅ＰＷ５０が１７０ｎｍ以下であるので、より優れた電磁変換特性（Ｃ／Ｎ）が得られた。
比較例１では、磁性粉の平均アスペクト比が３．０を上回ったので、磁気テープのスタッキングが生じ、電磁変換特性が劣化した。
比較例２では、磁性層の平均厚みが大きく、短波長での電磁変換特性が劣化した。
比較例３では、垂直配向度が低く、電磁変換特性が劣化した。
比較例４では、垂直方向の保磁力Ｈｃ１が大きすぎるので、未飽和領域の発生が生じ、電磁変換特性が劣化した。
比較例５，６では、垂直配向度が低く、電磁変換特性が劣化した。
比較例７では、磁性層の表面粗さＲａが大きすぎ、電磁変換特性が劣化した。また、表面性の悪化により、磁性層表面と磁気ヘッドとの隙間が生じ、半値幅ＰＷ５０も劣化した。
比較例８では、電磁変換特性は向上したが、磁性層表面の摩擦力の上昇により、磁気記録媒体の走行が不能となった。
以上、実施の形態およびその変形例を挙げて本開示を具体的に説明したが、本開示は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
例えば、上述の実施形態およびその変形例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値等を用いてもよい。具体的には、本開示の磁気記録媒体は、基体、下地層、磁性層、バック層およびバリア層以外の構成要素を含んでいてもよい。また、化合物等の化学式は代表的なものであって、同じ化合物の一般名称であれば、記載された価数等に限定されない。
また、上述の実施形態およびその変形例の構成、方法、工程、形状、材料および数値等は、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
また、本明細書において段階的に記載された数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値または下限値は、他の段階の数値範囲の上限値または下限値に置き換えてもよい。本明細書に例示した材料は、特に断らない限り、１種を単独で用いることができるし、２種以上を組み合わせて用いることもできる。
以上説明したように、本開示の一実施形態としての磁気記録媒体によれば、さらなる高密度記録の実現が可能である。
なお、本開示の効果はこれに限定されるものではなく、本明細書に記載のいずれの効果であってもよい。また、本技術は以下のような構成を取り得るものである。
（１）
テープ状の磁気記録媒体であって、
ポリエステルを主たる成分として含む基体と、
前記基体上に設けられ、磁性粉を複数含み、データ信号の記録が可能な磁性層と
を有し、
前記磁性層の表面の算術平均粗さＲａは、２．５ｎｍ以下であり、
空間波長５μｍまでのＰＳＤ (Power Spectrum Density）が２．５μｍ以下であり、
前記磁性層の平均厚みは、９０ｎｍ以下であり、
前記磁性粉の平均アスペクト比は、１．０以上３．０以下であり、
垂直方向における保磁力は、３０００エルステッド以下であり、
垂直方向における保磁力に対する長手方向における保磁力の割合は、０．８以下であり、
前記データ信号の再生波形における孤立波形の半値幅は、２００ｎｍ以下である
磁気記録媒体。
（２）
前記データ信号の再生波形における孤立波形の半値幅が１７５ｎｍ以下である
上記（１）記載の磁気記録媒体。
（３）
前記データ信号の再生波形における孤立波形の半値幅が１７０ｎｍ以下である
上記（１）記載の磁気記録媒体。
（４）
前記データ信号の再生波形における孤立波形の半値幅が１６５ｎｍ以下である
上記（１）記載の磁気記録媒体。
（５）
複数の前記磁性粉の平均粒子径は８ｎｍ以上２２ｎｍ以下である
上記（１）から（４）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（６）
複数の前記磁性粉の平均粒子体積は２３００ｎｍ3以下である
上記（１）から（５）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（７）
前記磁性層は、複数のサーボ信号の記録がそれぞれ可能な複数のサーボバンドを有し、
前記磁性層の表面の面積に対する前記複数のサーボバンドの総面積の割合が４．０％以下である
上記（１）から（６）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（８）
前記複数のサーボバンドの数は、５以上である
上記（１）から（７）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（９）
前記サーボバンドの幅は、９５ｎｍ以下である
上記（１）から（８）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１０）
前記磁性層は、複数の記録トラックを形成可能であり、
前記記録トラックの幅は、３．０μｍ以下である
上記（１）から（９）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１１）
前記磁性層は、磁化反転間距離の最小値が４８ｎｍ以下となるように、データを記録可能に構成されている
上記（１）から（１０）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１２）
前記長手方向における保磁力が２０００Ｏｅ以下である
上記（１）から（１１）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１３）
５．６μｍ以下の平均厚みを有する
上記（１）から（１２）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１４）
前記基体は、４．２μｍ以下の平均厚みを有する
上記（１）から（１３）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１５）
前記磁性粉は、Ｂａ（バリウム）およびＳｒ（ストロンチウム）のうちの少なくとも１種を含有する六方晶フェライト、Ａｌ（アルミニウム）およびＧａ（ガリウム）のうちの少なくとも１種を含有するε酸化鉄、またはＣｏ（コバルト）含有スピネル型フェライトを含む
上記（１）から（１４）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１６）
前記磁性層の平均厚みは、８０ｎｍ以下である
上記（１）から（１５）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１７）
前記磁性層の平均厚みは、７０ｎｍ以下である
上記（１）から（１６）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１８）
前記垂直方向における保磁力をＨｃ１とし、長手方向における保磁力をＨｃ２とするとき、下記の条件式＜１＞を満たす
Ｈｃ２／Ｈｃ１≦０．７ ……＜１＞
上記（１）から（１７）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１９）
前記垂直方向における保磁力は、２９００Ｏｅ以上である
上記（１）から（１８）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（２０）
テープ状の磁気記録媒体を順次送り出すことのできる送り出し部と、
前記送り出し部から送り出された前記磁気記録媒体を巻き取ることのできる巻き取り部と、
前記送り出し部から前記巻き取り部へ向けて走行する前記磁気記録媒体と接触しつつ、前記磁気記録媒体への情報書き込み、および前記磁気記録媒体からの情報読み出しを行うことのできる磁気ヘッドと
を備え、
前記磁気記録媒体は、
ポリエステルを主たる成分として含む基体と、
前記基体上に設けられ、磁性粉を複数含み、データ信号の記録が可能な磁性層と
を有し、
前記磁性層の表面の算術平均粗さＲａは、２．５ｎｍ以下であり、
空間波長５μｍまでのＰＳＤ (Power Spectrum Density）が２．５μｍ以下であり、
前記磁性層の平均厚みは、９０ｎｍ以下であり、
前記磁性粉の平均アスペクト比は、１．０以上３．０以下であり、
垂直方向における保磁力は、３０００エルステッド以下であり、
垂直方向における保磁力に対する長手方向における保磁力の割合は、０．８以下であり、
前記データ信号の再生波形における孤立波形の半値幅は、２００ｎｍ以下である
磁気記録再生装置。
（２１）
テープ状の磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体を収容する筐体と
を備え、
前記磁気記録媒体は、
ポリエステルを主たる成分として含む基体と、
前記基体上に設けられ、磁性粉を複数含み、データ信号の記録が可能な磁性層と
を有し、
前記磁性層の表面の算術平均粗さＲａは、２．５ｎｍ以下であり、
空間波長５μｍまでのＰＳＤ (Power Spectrum Density）が２．５μｍ以下であり、
前記磁性層の平均厚みは、９０ｎｍ以下であり、
前記磁性粉の平均アスペクト比は、１．０以上３．０以下であり、
垂直方向における保磁力は、３０００エルステッド以下であり、
垂直方向における保磁力に対する長手方向における保磁力の割合は、０．８以下であり、
前記データ信号の再生波形における孤立波形の半値幅は、２００ｎｍ以下である
磁気記録媒体カートリッジ。
なお、本開示の効果はこれに限定されるものではなく、本明細書に記載のいずれの効果であってもよい。また、本技術は以下のような構成を取り得るものである。
（１）
テープ状の磁気記録媒体であって、
ポリエステルを主たる成分として含む基体と、
前記基体上に設けられ、磁性粉を複数含み、データ信号の記録が可能な磁性層と
を有し、
前記磁性層の表面の算術平均粗さＲａは、２．５ｎｍ以下であり、
空間波長５μｍまでのＰＳＤ (Power Spectrum Density）が２．５μｍ以下であり、
前記磁性層の平均厚みは、９０ｎｍ以下であり、
前記磁性粉の平均アスペクト比は、１．０以上３．０以下であり、
垂直方向における保磁力は、３０００エルステッド以下であり、
垂直方向における保磁力に対する長手方向における保磁力の割合は、０．８以下であり、
前記データ信号の再生波形における孤立波形の半値幅は、２００ｎｍ以下である
磁気記録媒体。
（２）
前記データ信号の再生波形における孤立波形の半値幅が１７５ｎｍ以下である
上記（１）記載の磁気記録媒体。
（３）
前記データ信号の再生波形における孤立波形の半値幅が１７０ｎｍ以下である
上記（１）記載の磁気記録媒体。
（４）
前記データ信号の再生波形における孤立波形の半値幅が１６５ｎｍ以下である
上記（１）記載の磁気記録媒体。
（５）
複数の前記磁性粉の平均粒子径は８ｎｍ以上２２ｎｍ以下である
上記（１）から（４）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（６）
複数の前記磁性粉の平均粒子体積は２３００ｎｍ3以下である
上記（１）から（５）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（７）
前記磁性層は、複数のサーボ信号の記録がそれぞれ可能な複数のサーボバンドを有し、
前記磁性層の表面の面積に対する前記複数のサーボバンドの総面積の割合が４．０％以下である
上記（１）から（６）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（８）
前記複数のサーボバンドの数は、５以上である
上記（１）から（７）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（９）
前記サーボバンドの幅は、９５ｎｍ以下である
上記（１）から（８）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１０）
前記磁性層は、複数の記録トラックを形成可能であり、
前記記録トラックの幅は、３．０μｍ以下である
上記（１）から（９）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１１）
前記磁性層は、磁化反転間距離の最小値が４８ｎｍ以下となるように、データを記録可能に構成されている
上記（１）から（１０）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１２）
前記長手方向における保磁力が２０００Ｏｅ以下である
上記（１）から（１１）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１３）
５．６μｍ以下の平均厚みを有する
上記（１）から（１２）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１４）
前記基体は、４．２μｍ以下の平均厚みを有する
上記（１）から（１３）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１５）
前記磁性粉は、Ｂａ（バリウム）およびＳｒ（ストロンチウム）のうちの少なくとも１種を含有する六方晶フェライト、Ａｌ（アルミニウム）およびＧａ（ガリウム）のうちの少なくとも１種を含有するε酸化鉄、またはＣｏ（コバルト）含有スピネル型フェライトを含む
上記（１）から（１４）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１６）
前記磁性層の平均厚みは、８０ｎｍ以下である
上記（１）から（１５）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１７）
前記磁性層の平均厚みは、７０ｎｍ以下である
上記（１）から（１６）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１８）
前記垂直方向における保磁力をＨｃ１とし、長手方向における保磁力をＨｃ２とするとき、下記の条件式＜１＞を満たす
Ｈｃ２／Ｈｃ１≦０．７ ……＜１＞
上記（１）から（１７）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１９）
前記垂直方向における保磁力は、２９００Ｏｅ以上である
上記（１）から（１８）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（２０）
テープ状の磁気記録媒体を順次送り出すことのできる送り出し部と、
前記送り出し部から送り出された前記磁気記録媒体を巻き取ることのできる巻き取り部と、
前記送り出し部から前記巻き取り部へ向けて走行する前記磁気記録媒体と接触しつつ、前記磁気記録媒体への情報書き込み、および前記磁気記録媒体からの情報読み出しを行うことのできる磁気ヘッドと
を備え、
前記磁気記録媒体は、
ポリエステルを主たる成分として含む基体と、
前記基体上に設けられ、磁性粉を複数含み、データ信号の記録が可能な磁性層と
を有し、
前記磁性層の表面の算術平均粗さＲａは、２．５ｎｍ以下であり、
空間波長５μｍまでのＰＳＤ (Power Spectrum Density）が２．５μｍ以下であり、
前記磁性層の平均厚みは、９０ｎｍ以下であり、
前記磁性粉の平均アスペクト比は、１．０以上３．０以下であり、
垂直方向における保磁力は、３０００エルステッド以下であり、
垂直方向における保磁力に対する長手方向における保磁力の割合は、０．８以下であり、
前記データ信号の再生波形における孤立波形の半値幅は、２００ｎｍ以下である
磁気記録再生装置。
（２１）
テープ状の磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体を収容する筐体と
を備え、
前記磁気記録媒体は、
ポリエステルを主たる成分として含む基体と、
前記基体上に設けられ、磁性粉を複数含み、データ信号の記録が可能な磁性層と
を有し、
前記磁性層の表面の算術平均粗さＲａは、２．５ｎｍ以下であり、
空間波長５μｍまでのＰＳＤ (Power Spectrum Density）が２．５μｍ以下であり、
前記磁性層の平均厚みは、９０ｎｍ以下であり、
前記磁性粉の平均アスペクト比は、１．０以上３．０以下であり、
垂直方向における保磁力は、３０００エルステッド以下であり、
垂直方向における保磁力に対する長手方向における保磁力の割合は、０．８以下であり、
前記データ信号の再生波形における孤立波形の半値幅は、２００ｎｍ以下である
磁気記録媒体カートリッジ。
５…記録トラック、６…サーボ信号記録パターン、７…ストライプ、８…第１のストライプ群、９…第２のストライプ群、 １０…磁気記録媒体、１１…基体、１１Ａ，１１Ｂ…主面、１２…下地層、１３…磁性層、１４…バック層、２０，２０Ａ…ε酸化鉄粒子、２１…コア部、２２…シェル部、２２ａ…第１シェル部、２２ｂ…第２シェル部、３０…記録再生装置、３１…スピンドル、３２…リール、３３，３４…駆動装置、３５…ガイドローラ、３６…ヘッドユニット、３７…通信インターフェース、３８…制御装置、４１…サーバ、４２…パーソナルコンピュータ、４３…ネットワーク、５１…送り出しローラ、５２…前処理部、５３…サーボ信号記録ヘッド、５４…サーボ信号再生ヘッド、５５…巻き取りローラ、１００…サーボ信号記録装置。
本開示の一実施形態としての磁気記録媒体は、テープ状の磁気記録媒体であって、ポリエステルを主たる成分として含む基体と、その基体上に設けられ、磁性粉を複数含み、データ信号の記録が可能な磁性層とを有する。ここで、磁性層の表面の算術平均粗さＲａは、２．５ｎｍ以下である。磁性層の空間波長５μｍまでのＰＳＤ (Power Spectrum Density）は２．５μｍ以下である。磁性層の平均厚みは、９０ｎｍ以下である。磁性粉の平均アスペクト比は、１．０以上３．０以下である。磁気記録媒体の垂直方向における保磁力は、３０００エルステッド以下である。磁気記録媒体の垂直方向における保磁力に対する長手方向における保磁力の割合は、０．８以下である。データ信号の再生波形における孤立波形の半値幅は、２００ｎｍ以下である。
ε酸化鉄粒子２０は、例えばコアシェル型構造を有する。具体的には、ε酸化鉄粒子２０は、図２に示したように、コア部２１と、このコア部２１の周囲に設けられた２層構造のシェル部２２とを備える。２層構造のシェル部２２は、コア部２１上に設けられた第１シェル部２２ａと、第１シェル部２２ａ上に設けられた第２シェル部２２ｂとを有する。
（潤滑剤）
磁性層１３に含まれる潤滑剤は、例えば脂肪酸および脂肪酸エステルを含有している。潤滑剤に含有される脂肪酸は、例えば下記の一般式＜１＞により示される化合物および一般式＜２＞により示される化合物のうちの少なくとも一方を含むことが好ましい。また、潤滑剤に含有される脂肪酸エステルは、下記の一般式＜３＞により示される化合物および一般式＜４＞により示される化合物のうちの少なくとも一方を含むことが好ましい。潤滑剤が、一般式＜１＞により示される化合物および一般式＜３＞により示される化合物の２種を含むことにより、一般式＜２＞により示される化合物および一般式＜３＞により示される化合物の２種を含むことにより、一般式＜１＞により示される化合物および一般式＜４＞により示される化合物の２種を含むことにより、一般式＜２＞により示される化合物および一般式＜４＞により示される化合物の２種を含むことにより、一般式＜１＞により示される化合物、一般式＜２＞により示される化合物および一般式＜３＞により示される化合物の３種を含むことにより、一般式＜１＞により示される化合物、一般式＜２＞により示される化合物および一般式＜４＞により示される化合物の３種を含むことにより、一般式＜１＞により示される化合物、一般式＜３＞により示される化合物および一般式＜４＞により示される化合物の３種を含むことにより、一般式＜２＞により示される化合物、一般式＜３＞により示される化合物および一般式＜４＞により示される化合物の３種を含むことにより、または、一般式＜１＞により示される化合物、一般式＜２＞により示される化合物、一般式＜３＞により示される化合物および一般式＜４＞により示される化合物の４種を含むことにより、磁気記録媒体１０における繰り返しの記録又は再生による動摩擦係数の増加を抑制することができる。その結果、磁気記録媒体１０の走行性をさらに向上させることができる。
ＣＨ3（ＣＨ2）kＣＯＯＨ ・・・＜１＞
（但し、一般式＜１＞において、ｋは１４以上２２以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ3（ＣＨ2）nＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）mＣＯＯＨ ・・・＜２＞
（但し、一般式＜２＞において、ｎとｍとの和は１２以上２０以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ3（ＣＨ2）pＣＯＯ（ＣＨ2）qＣＨ3 ・・・＜３＞
（但し、一般式＜３＞において、ｐは１４以上２２以下、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数であり、且つ、ｑは２以上５以下の範囲、より好ましくは２以上４以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ3（ＣＨ2）pＣＯＯ−（ＣＨ2）qＣＨ（ＣＨ3）2…＜４＞
（但し、前記一般式＜４＞において、ｐは１４以上２２以下の範囲から選ばれる整数であり、ｑは１以上３以下の範囲から選ばれる整数である。）
磁性層１３に含まれる潤滑剤は、例えば脂肪酸および脂肪酸エステルを含有している。潤滑剤に含有される脂肪酸は、例えば下記の一般式＜１＞により示される化合物および一般式＜２＞により示される化合物のうちの少なくとも一方を含むことが好ましい。また、潤滑剤に含有される脂肪酸エステルは、下記の一般式＜３＞により示される化合物および一般式＜４＞により示される化合物のうちの少なくとも一方を含むことが好ましい。潤滑剤が、一般式＜１＞により示される化合物および一般式＜３＞により示される化合物の２種を含むことにより、一般式＜２＞により示される化合物および一般式＜３＞により示される化合物の２種を含むことにより、一般式＜１＞により示される化合物および一般式＜４＞により示される化合物の２種を含むことにより、一般式＜２＞により示される化合物および一般式＜４＞により示される化合物の２種を含むことにより、一般式＜１＞により示される化合物、一般式＜２＞により示される化合物および一般式＜３＞により示される化合物の３種を含むことにより、一般式＜１＞により示される化合物、一般式＜２＞により示される化合物および一般式＜４＞により示される化合物の３種を含むことにより、一般式＜１＞により示される化合物、一般式＜３＞により示される化合物および一般式＜４＞により示される化合物の３種を含むことにより、一般式＜２＞により示される化合物、一般式＜３＞により示される化合物および一般式＜４＞により示される化合物の３種を含むことにより、または、一般式＜１＞により示される化合物、一般式＜２＞により示される化合物、一般式＜３＞により示される化合物および一般式＜４＞により示される化合物の４種を含むことにより、磁気記録媒体１０における繰り返しの記録又は再生による動摩擦係数の増加を抑制することができる。その結果、磁気記録媒体１０の走行性をさらに向上させることができる。
ＣＨ3（ＣＨ2）kＣＯＯＨ ・・・＜１＞
（但し、一般式＜１＞において、ｋは１４以上２２以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ3（ＣＨ2）nＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）mＣＯＯＨ ・・・＜２＞
（但し、一般式＜２＞において、ｎとｍとの和は１２以上２０以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ3（ＣＨ2）pＣＯＯ（ＣＨ2）qＣＨ3 ・・・＜３＞
（但し、一般式＜３＞において、ｐは１４以上２２以下、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数であり、且つ、ｑは２以上５以下の範囲、より好ましくは２以上４以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ3（ＣＨ2）pＣＯＯ−（ＣＨ2）qＣＨ（ＣＨ3）2…＜４＞
（但し、前記一般式＜４＞において、ｐは１４以上２２以下の範囲から選ばれる整数であり、ｑは１以上３以下の範囲から選ばれる整数である。）
下地層１２は、細孔を有していてよく、すなわち、下地層１２は、多数の細孔が設けられていてもよい。下地層１２の細孔は、例えば磁性層１３に細孔（孔部）を形成することに伴い形成されてよく、特には、磁気記録媒体１０のバック層１４の表面１４Ｓに設けられた多数の突部を磁性層側表面に押し当てることによって形成されうる。すなわち、突部の形に対応する凹部が磁性層１３の表面１３Ｓに形成されることによって、磁性層１３および下地層１２に細孔がそれぞれ形成されうる。また、磁性層形成用塗料の乾燥工程で溶剤が揮発することに伴い細孔が形成されてもよい。また、磁性層１３を形成するために磁性層形成用塗料を下地層１２の表面に塗布した際に磁性層形成用塗料中の溶剤が下層を塗布乾燥させた際に形成された下地層１２の細孔を通り、下地層１２内に浸透しうる。そののち磁性層１３の乾燥工程において下地層１２内に浸透した溶剤が揮発する際に、下地層１２内に浸透した溶剤が下地層１２から磁性層１３の表面１３Ｓへ移動していくことによって細孔が形成されてもよい。このように形成された細孔は、例えば磁性層１３と下地層１２とを連通しているものでありうる。磁性層形成用塗料の固形分若しくは溶剤の種類及び／又は磁性層形成用塗料の乾燥条件を変更することによって、細孔の平均直径を調整することが出来る。磁性層１３および下地層１２の両方に細孔が形成されていることによって、良好な走行安定性のために特に適した量の潤滑剤が磁性層側表面に現れ、繰り返しの記録又は再生による動摩擦係数の増加をさらに抑制することができる。
繰り返し記録または再生後における動摩擦係数の低下を抑制する観点からすると、下地層１２の孔部と磁性層１３の孔部とがつながっていることが好ましい。ここで、下地層１２の孔部と磁性層１３の孔部とがつながっているとは、下地層１２の多数の孔部のうちの一部のものと、磁性層１３の多数の孔部のうちの一部のものとがつながっている状態を含むものとする。
（変形例５）
磁気記録媒体１０は、基体１１の少なくとも一方の表面に設けられたバリア層をさらに備えるようにしてもよい。このバリア層は、基体１１が有する環境に応じた寸法変化を抑制するための層である。例えば、その寸法変化を及ぼす原因の一例として、基体１１の吸湿性があるが、バリア層を設けることにより基体１１への水分の侵入速度を低減することができる。バリア層は、例えば、金属または金属酸化物を含む。ここでいう金属としては、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｂａ、Ｐｔ、ＡｕおよびＴａのうちの少なくとも１種を用いることができる。金属酸化物としては、例えば、上記金属を１種または２種以上含む金属酸化物を用いることができる。より具体的には例えば、Ａｌ2Ｏ3、ＣｕＯ、ＣｏＯ、ＳｉＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5およびＺｒＯ2のうちの少なくとも１種を用いることができる。また、バリア層が、ダイヤモンド状炭素（Diamond-Like Carbon：ＤＬＣ）またはダイヤモンド等を含むようにしてもよい。
磁気記録媒体１０は、基体１１の少なくとも一方の表面に設けられたバリア層をさらに備えるようにしてもよい。このバリア層は、基体１１が有する環境に応じた寸法変化を抑制するための層である。例えば、その寸法変化を及ぼす原因の一例として、基体１１の吸湿性があるが、バリア層を設けることにより基体１１への水分の侵入速度を低減することができる。バリア層は、例えば、金属または金属酸化物を含む。ここでいう金属としては、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｂａ、Ｐｔ、ＡｕおよびＴａのうちの少なくとも１種を用いることができる。金属酸化物としては、例えば、上記金属を１種または２種以上含む金属酸化物を用いることができる。より具体的には例えば、Ａｌ2Ｏ3、ＣｕＯ、ＣｏＯ、ＳｉＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5およびＺｒＯ2のうちの少なくとも１種を用いることができる。また、バリア層が、ダイヤモンド状炭素（Diamond-Like Carbon：ＤＬＣ）またはダイヤモンド等を含むようにしてもよい。
（変形例６）
上記の一実施の形態では、バック層１４の表面１４Ｓに設けられた多数の突部１４Ａを、磁性層１３の表面１３Ｓに転写することにより、磁性層１３の表面１３Ｓに多数の孔部を形成する場合について説明したが、多数の孔部の形成方法はこれに限定されるものではない。例えば、磁性層形成用塗料に含まれる溶剤の種類および磁性層形成用塗料の乾燥条件等を調整することで、磁性層１３の表面１３Ｓに多数の孔部を形成するようにしてもよい。
上記の一実施の形態では、バック層１４の表面１４Ｓに設けられた多数の突部１４Ａを、磁性層１３の表面１３Ｓに転写することにより、磁性層１３の表面１３Ｓに多数の孔部を形成する場合について説明したが、多数の孔部の形成方法はこれに限定されるものではない。例えば、磁性層形成用塗料に含まれる溶剤の種類および磁性層形成用塗料の乾燥条件等を調整することで、磁性層１３の表面１３Ｓに多数の孔部を形成するようにしてもよい。
［実施例３］
磁性層形成用塗料の調製工程において、第１組成物におけるバリウムフェライト（ＢａＦｅ12Ｏ19）粒子について、粉末平均アスペクト比を３．０、平均粒子サイズを２１．３ｎｍ、平均粒子体積を２１００ｎｍ3とした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして実施例３としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．９ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．１μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１７７ｎｍであった。
磁性層形成用塗料の調製工程において、第１組成物におけるバリウムフェライト（ＢａＦｅ12Ｏ19）粒子について、粉末平均アスペクト比を３．０、平均粒子サイズを２１．３ｎｍ、平均粒子体積を２１００ｎｍ3とした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして実施例３としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．９ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．１μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１７７ｎｍであった。
［実施例１０］
メディア構成を２とした（表２）ことを除き、他は上記実施例１と同様にして実施例１０としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．９ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．１μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１７５ｎｍであった。
メディア構成を２とした（表２）ことを除き、他は上記実施例１と同様にして実施例１０としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．９ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．１μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１７５ｎｍであった。
［実施例１３］
メディア構成を５とした（表２）。磁性層形成用塗料の調製工程において、第１組成物におけるバリウムフェライト（ＢａＦｅ12Ｏ19）粒子について、粉末平均アスペクト比を２．３、平均粒子サイズを１７ｎｍ、平均粒子体積を１４００ｎｍ3とした。また、塗布工程において、磁性層の平均厚みを６０ｎｍとし、保磁力Ｈｃ１を２５５０Ｏｅとし、保磁力Ｈｃ２を１８２０Ｏｅとした。さらに、テープ平均厚みを４．５μｍとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして実施例１３としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．８ｎｍ、磁性層ＰＳＤは１．９μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１６６ｎｍであった。
メディア構成を５とした（表２）。磁性層形成用塗料の調製工程において、第１組成物におけるバリウムフェライト（ＢａＦｅ12Ｏ19）粒子について、粉末平均アスペクト比を２．３、平均粒子サイズを１７ｎｍ、平均粒子体積を１４００ｎｍ3とした。また、塗布工程において、磁性層の平均厚みを６０ｎｍとし、保磁力Ｈｃ１を２５５０Ｏｅとし、保磁力Ｈｃ２を１８２０Ｏｅとした。さらに、テープ平均厚みを４．５μｍとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして実施例１３としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．８ｎｍ、磁性層ＰＳＤは１．９μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１６６ｎｍであった。
［実施例１４］
メディア構成を６とした（表２）。磁性層形成用塗料の調製工程において、第１組成物におけるバリウムフェライト（ＢａＦｅ12Ｏ19）粒子について、粉末平均アスペクト比を２．０、平均粒子サイズを１５ｎｍ、平均粒子体積を１１００ｎｍ3とした。また、塗布工程において、磁性層の平均厚みを６０ｎｍとし、保磁力Ｈｃ１を２５００Ｏｅとし、保磁力Ｈｃ２を１８４０Ｏｅとした。さらに、テープ平均厚みを４．５μｍとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして実施例１４としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．７５ｎｍ、磁性層ＰＳＤは１．８μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１５５ｎｍであった。
メディア構成を６とした（表２）。磁性層形成用塗料の調製工程において、第１組成物におけるバリウムフェライト（ＢａＦｅ12Ｏ19）粒子について、粉末平均アスペクト比を２．０、平均粒子サイズを１５ｎｍ、平均粒子体積を１１００ｎｍ3とした。また、塗布工程において、磁性層の平均厚みを６０ｎｍとし、保磁力Ｈｃ１を２５００Ｏｅとし、保磁力Ｈｃ２を１８４０Ｏｅとした。さらに、テープ平均厚みを４．５μｍとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして実施例１４としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．７５ｎｍ、磁性層ＰＳＤは１．８μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１５５ｎｍであった。
［実施例１６］
塗布工程において、保磁力Ｈｃ１を２６９０Ｏｅとし、保磁力Ｈｃ２を２１５０Ｏｅとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして実施例１６としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．８５ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．０μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１８０ｎｍであった。
塗布工程において、保磁力Ｈｃ１を２６９０Ｏｅとし、保磁力Ｈｃ２を２１５０Ｏｅとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして実施例１６としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．８５ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．０μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１８０ｎｍであった。
［比較例３］
塗布工程において、磁性層の平均厚みを８５ｎｍとし、保磁力Ｈｃ１を２５００Ｏｅとし、保磁力Ｈｃ２を２１００Ｏｅとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして比較例３としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．９ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．１μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１８０ｎｍであった。
塗布工程において、磁性層の平均厚みを８５ｎｍとし、保磁力Ｈｃ１を２５００Ｏｅとし、保磁力Ｈｃ２を２１００Ｏｅとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして比較例３としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．９ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．１μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１８０ｎｍであった。
［比較例４］
磁性層形成用塗料の調製工程において、第１組成物におけるバリウムフェライト（ＢａＦｅ12Ｏ19）粒子について、粉末平均アスペクト比を３．０、平均粒子サイズを２１．３ｎｍ、平均粒子体積を２０９０ｎｍ3とした。また、塗布工程において、保磁力Ｈｃ１を３１００Ｏｅとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして比較例４としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．９ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．１μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１９０ｎｍであった。
磁性層形成用塗料の調製工程において、第１組成物におけるバリウムフェライト（ＢａＦｅ12Ｏ19）粒子について、粉末平均アスペクト比を３．０、平均粒子サイズを２１．３ｎｍ、平均粒子体積を２０９０ｎｍ3とした。また、塗布工程において、保磁力Ｈｃ１を３１００Ｏｅとした。上記の点を除き、他は上記実施例１と同様にして比較例４としての磁気記録媒体を得た。なお、得られた磁気記録媒体の磁性層Ｒａは１．９ｎｍ、磁性層ＰＳＤは２．１μｍ、再生波形における孤立波形の半値幅ＰＷ５０は１９０ｎｍであった。
以上説明したように、本開示の一実施形態としての磁気記録媒体によれば、さらなる高密度記録の実現が可能である。
なお、本開示の効果はこれに限定されるものではなく、本明細書に記載のいずれの効果であってもよい。また、本技術は以下のような構成を取り得るものである。
（１）
テープ状の磁気記録媒体であって、
ポリエステルを主たる成分として含む基体と、
前記基体上に設けられ、磁性粉を複数含み、データ信号の記録が可能な磁性層と
を有し、
前記磁性層の表面の算術平均粗さＲａは、２．５ｎｍ以下であり、
前記磁性層の空間波長５μｍまでのＰＳＤ (Power Spectrum Density）が２．５μｍ以下であり、
前記磁性層の平均厚みは、９０ｎｍ以下であり、
前記磁性粉の平均アスペクト比は、１．０以上３．０以下であり、
前記磁気記録媒体の垂直方向における保磁力は、３０００エルステッド以下であり、
前記磁気記録媒体の垂直方向における保磁力に対する長手方向における保磁力の割合は、０．８以下であり、
前記データ信号の再生波形における孤立波形の半値幅は、２００ｎｍ以下である
磁気記録媒体。
（２）
前記データ信号の再生波形における孤立波形の半値幅が１７５ｎｍ以下である
上記（１）記載の磁気記録媒体。
（３）
前記データ信号の再生波形における孤立波形の半値幅が１７０ｎｍ以下である
上記（１）記載の磁気記録媒体。
（４）
前記データ信号の再生波形における孤立波形の半値幅が１６５ｎｍ以下である
上記（１）記載の磁気記録媒体。
（５）
複数の前記磁性粉の平均粒子径は８ｎｍ以上２２ｎｍ以下である
上記（１）から（４）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（６）
複数の前記磁性粉の平均粒子体積は２３００ｎｍ3以下である
上記（１）から（５）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（７）
前記磁性層は、複数のサーボ信号の記録がそれぞれ可能な複数のサーボバンドを有し、
前記磁性層の表面の面積に対する前記複数のサーボバンドの総面積の割合が４．０％以下である
上記（１）から（６）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（８）
前記複数のサーボバンドの数は、５以上である
上記（１）から（７）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（９）
前記サーボバンドの幅は、９５ｎｍ以下である
上記（１）から（８）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１０）
前記磁性層は、複数の記録トラックを形成可能であり、
前記記録トラックの幅は、３．０μｍ以下である
上記（１）から（９）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１１）
前記磁性層は、磁化反転間距離の最小値が４８ｎｍ以下となるように、データを記録可能に構成されている
上記（１）から（１０）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１２）
前記長手方向における保磁力が２０００Ｏｅ以下である
上記（１）から（１１）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１３）
５．６μｍ以下の平均厚みを有する
上記（１）から（１２）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１４）
前記基体は、４．２μｍ以下の平均厚みを有する
上記（１）から（１３）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１５）
前記磁性粉は、Ｂａ（バリウム）およびＳｒ（ストロンチウム）のうちの少なくとも１種を含有する六方晶フェライト、Ａｌ（アルミニウム）およびＧａ（ガリウム）のうちの少なくとも１種を含有するε酸化鉄、またはＣｏ（コバルト）含有スピネル型フェライトを含む
上記（１）から（１４）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１６）
前記磁性層の平均厚みは、８０ｎｍ以下である
上記（１）から（１５）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１７）
前記磁性層の平均厚みは、７０ｎｍ以下である
上記（１）から（１６）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１８）
前記垂直方向における保磁力をＨｃ１とし、長手方向における保磁力をＨｃ２とするとき、下記の条件式＜１＞を満たす
Ｈｃ２／Ｈｃ１≦０．７ ……＜１＞
上記（１）から（１７）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１９）
前記垂直方向における保磁力は、２９００Ｏｅ以上である
上記（１）から（１８）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（２０）
テープ状の磁気記録媒体を順次送り出すことのできる送り出し部と、
前記送り出し部から送り出された前記磁気記録媒体を巻き取ることのできる巻き取り部と、
前記送り出し部から前記巻き取り部へ向けて走行する前記磁気記録媒体と接触しつつ、前記磁気記録媒体への情報書き込み、および前記磁気記録媒体からの情報読み出しを行うことのできる磁気ヘッドと
を備え、
前記磁気記録媒体は、
ポリエステルを主たる成分として含む基体と、
前記基体上に設けられ、磁性粉を複数含み、データ信号の記録が可能な磁性層と
を有し、
前記磁性層の表面の算術平均粗さＲａは、２．５ｎｍ以下であり、
前記磁性層の空間波長５μｍまでのＰＳＤ (Power Spectrum Density）が２．５μｍ以下であり、
前記磁性層の平均厚みは、９０ｎｍ以下であり、
前記磁性粉の平均アスペクト比は、１．０以上３．０以下であり、
前記磁気記録媒体の垂直方向における保磁力は、３０００エルステッド以下であり、
前記磁気記録媒体の垂直方向における保磁力に対する長手方向における保磁力の割合は、０．８以下であり、
前記データ信号の再生波形における孤立波形の半値幅は、２００ｎｍ以下である
磁気記録再生装置。
（２１）
テープ状の磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体を収容する筐体と
を備え、
前記磁気記録媒体は、
ポリエステルを主たる成分として含む基体と、
前記基体上に設けられ、磁性粉を複数含み、データ信号の記録が可能な磁性層と
を有し、
前記磁性層の表面の算術平均粗さＲａは、２．５ｎｍ以下であり、
前記磁性層の空間波長５μｍまでのＰＳＤ (Power Spectrum Density）が２．５μｍ以下であり、
前記磁性層の平均厚みは、９０ｎｍ以下であり、
前記磁性粉の平均アスペクト比は、１．０以上３．０以下であり、
前記磁気記録媒体の垂直方向における保磁力は、３０００エルステッド以下であり、
前記磁気記録媒体の垂直方向における保磁力に対する長手方向における保磁力の割合は、０．８以下であり、
前記データ信号の再生波形における孤立波形の半値幅は、２００ｎｍ以下である
磁気記録媒体カートリッジ。
なお、本開示の効果はこれに限定されるものではなく、本明細書に記載のいずれの効果であってもよい。また、本技術は以下のような構成を取り得るものである。
（１）
テープ状の磁気記録媒体であって、
ポリエステルを主たる成分として含む基体と、
前記基体上に設けられ、磁性粉を複数含み、データ信号の記録が可能な磁性層と
を有し、
前記磁性層の表面の算術平均粗さＲａは、２．５ｎｍ以下であり、
前記磁性層の空間波長５μｍまでのＰＳＤ (Power Spectrum Density）が２．５μｍ以下であり、
前記磁性層の平均厚みは、９０ｎｍ以下であり、
前記磁性粉の平均アスペクト比は、１．０以上３．０以下であり、
前記磁気記録媒体の垂直方向における保磁力は、３０００エルステッド以下であり、
前記磁気記録媒体の垂直方向における保磁力に対する長手方向における保磁力の割合は、０．８以下であり、
前記データ信号の再生波形における孤立波形の半値幅は、２００ｎｍ以下である
磁気記録媒体。
（２）
前記データ信号の再生波形における孤立波形の半値幅が１７５ｎｍ以下である
上記（１）記載の磁気記録媒体。
（３）
前記データ信号の再生波形における孤立波形の半値幅が１７０ｎｍ以下である
上記（１）記載の磁気記録媒体。
（４）
前記データ信号の再生波形における孤立波形の半値幅が１６５ｎｍ以下である
上記（１）記載の磁気記録媒体。
（５）
複数の前記磁性粉の平均粒子径は８ｎｍ以上２２ｎｍ以下である
上記（１）から（４）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（６）
複数の前記磁性粉の平均粒子体積は２３００ｎｍ3以下である
上記（１）から（５）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（７）
前記磁性層は、複数のサーボ信号の記録がそれぞれ可能な複数のサーボバンドを有し、
前記磁性層の表面の面積に対する前記複数のサーボバンドの総面積の割合が４．０％以下である
上記（１）から（６）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（８）
前記複数のサーボバンドの数は、５以上である
上記（１）から（７）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（９）
前記サーボバンドの幅は、９５ｎｍ以下である
上記（１）から（８）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１０）
前記磁性層は、複数の記録トラックを形成可能であり、
前記記録トラックの幅は、３．０μｍ以下である
上記（１）から（９）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１１）
前記磁性層は、磁化反転間距離の最小値が４８ｎｍ以下となるように、データを記録可能に構成されている
上記（１）から（１０）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１２）
前記長手方向における保磁力が２０００Ｏｅ以下である
上記（１）から（１１）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１３）
５．６μｍ以下の平均厚みを有する
上記（１）から（１２）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１４）
前記基体は、４．２μｍ以下の平均厚みを有する
上記（１）から（１３）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１５）
前記磁性粉は、Ｂａ（バリウム）およびＳｒ（ストロンチウム）のうちの少なくとも１種を含有する六方晶フェライト、Ａｌ（アルミニウム）およびＧａ（ガリウム）のうちの少なくとも１種を含有するε酸化鉄、またはＣｏ（コバルト）含有スピネル型フェライトを含む
上記（１）から（１４）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１６）
前記磁性層の平均厚みは、８０ｎｍ以下である
上記（１）から（１５）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１７）
前記磁性層の平均厚みは、７０ｎｍ以下である
上記（１）から（１６）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１８）
前記垂直方向における保磁力をＨｃ１とし、長手方向における保磁力をＨｃ２とするとき、下記の条件式＜１＞を満たす
Ｈｃ２／Ｈｃ１≦０．７ ……＜１＞
上記（１）から（１７）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１９）
前記垂直方向における保磁力は、２９００Ｏｅ以上である
上記（１）から（１８）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（２０）
テープ状の磁気記録媒体を順次送り出すことのできる送り出し部と、
前記送り出し部から送り出された前記磁気記録媒体を巻き取ることのできる巻き取り部と、
前記送り出し部から前記巻き取り部へ向けて走行する前記磁気記録媒体と接触しつつ、前記磁気記録媒体への情報書き込み、および前記磁気記録媒体からの情報読み出しを行うことのできる磁気ヘッドと
を備え、
前記磁気記録媒体は、
ポリエステルを主たる成分として含む基体と、
前記基体上に設けられ、磁性粉を複数含み、データ信号の記録が可能な磁性層と
を有し、
前記磁性層の表面の算術平均粗さＲａは、２．５ｎｍ以下であり、
前記磁性層の空間波長５μｍまでのＰＳＤ (Power Spectrum Density）が２．５μｍ以下であり、
前記磁性層の平均厚みは、９０ｎｍ以下であり、
前記磁性粉の平均アスペクト比は、１．０以上３．０以下であり、
前記磁気記録媒体の垂直方向における保磁力は、３０００エルステッド以下であり、
前記磁気記録媒体の垂直方向における保磁力に対する長手方向における保磁力の割合は、０．８以下であり、
前記データ信号の再生波形における孤立波形の半値幅は、２００ｎｍ以下である
磁気記録再生装置。
（２１）
テープ状の磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体を収容する筐体と
を備え、
前記磁気記録媒体は、
ポリエステルを主たる成分として含む基体と、
前記基体上に設けられ、磁性粉を複数含み、データ信号の記録が可能な磁性層と
を有し、
前記磁性層の表面の算術平均粗さＲａは、２．５ｎｍ以下であり、
前記磁性層の空間波長５μｍまでのＰＳＤ (Power Spectrum Density）が２．５μｍ以下であり、
前記磁性層の平均厚みは、９０ｎｍ以下であり、
前記磁性粉の平均アスペクト比は、１．０以上３．０以下であり、
前記磁気記録媒体の垂直方向における保磁力は、３０００エルステッド以下であり、
前記磁気記録媒体の垂直方向における保磁力に対する長手方向における保磁力の割合は、０．８以下であり、
前記データ信号の再生波形における孤立波形の半値幅は、２００ｎｍ以下である
磁気記録媒体カートリッジ。
Claims (21)
- テープ状の磁気記録媒体であって、
ポリエステルを主たる成分として含む基体と、
前記基体上に設けられ、磁性粉を複数含み、データ信号の記録が可能な磁性層と
を有し、
前記磁性層の表面の算術平均粗さＲａは、２．５ｎｍ以下であり、
空間波長５μｍまでのＰＳＤ (Power Spectrum Density）が２．５μｍ以下であり、
前記磁性層の平均厚みは、９０ｎｍ以下であり、
前記磁性粉の平均アスペクト比は、１．０以上３．０以下であり、
垂直方向における保磁力は、３０００エルステッド以下であり、
垂直方向における保磁力に対する長手方向における保磁力の割合は、０．８以下であり、
前記データ信号の再生波形における孤立波形の半値幅は、２００ｎｍ以下である
磁気記録媒体。 - 前記データ信号の再生波形における孤立波形の半値幅が１７５ｎｍ以下である
請求項１記載の磁気記録媒体。 - 前記データ信号の再生波形における孤立波形の半値幅が１７０ｎｍ以下である
請求項１記載の磁気記録媒体。 - 前記データ信号の再生波形における孤立波形の半値幅が１６５ｎｍ以下である
請求項１記載の磁気記録媒体。 - 複数の前記磁性粉の平均粒子径は８ｎｍ以上２２ｎｍ以下である
請求項１記載の磁気記録媒体。 - 複数の前記磁性粉の平均粒子体積は２３００ｎｍ3以下である
請求項１記載の磁気記録媒体。 - 前記磁性層は、複数のサーボ信号の記録がそれぞれ可能な複数のサーボバンドを有し、
前記磁性層の表面の面積に対する前記複数のサーボバンドの総面積の割合が４．０％以下である
請求項１記載の磁気記録媒体。 - 前記複数のサーボバンドの数は、５以上である
請求項７記載の磁気記録媒体。 - 前記サーボバンドの幅は、９５ｎｍ以下である
請求項７記載の磁気記録媒体。 - 前記磁性層は、複数の記録トラックを形成可能であり、
前記記録トラックの幅は、３．０μｍ以下である
請求項１に記載の磁気記録媒体。 - 前記磁性層は、磁化反転間距離の最小値が４８ｎｍ以下となるように、データを記録可能に構成されている
請求項１に記載の磁気記録媒体。 - 前記長手方向における保磁力が２０００Ｏｅ以下である
請求項１に記載の磁気記録媒体。 - ５．６μｍ以下の平均厚みを有する
請求項１に記載の磁気記録媒体。 - 前記基体は、４．２μｍ以下の平均厚みを有する
請求項１に記載の磁気記録媒体。 - 前記磁性粉は、Ｂａ（バリウム）およびＳｒ（ストロンチウム）のうちの少なくとも１種を含有する六方晶フェライト、Ａｌ（アルミニウム）およびＧａ（ガリウム）のうちの少なくとも１種を含有するε酸化鉄、またはＣｏ（コバルト）含有スピネル型フェライトを含む
請求項１に記載の磁気記録媒体。 - 前記磁性層の平均厚みは、８０ｎｍ以下である
請求項１に記載の磁気記録媒体。 - 前記磁性層の平均厚みは、７０ｎｍ以下である
請求項１に記載の磁気記録媒体。 - 前記垂直方向における保磁力をＨｃ１とし、長手方向における保磁力をＨｃ２とするとき、下記の条件式（１）を満たす
Ｈｃ２／Ｈｃ１≦０．７ ……（１）
請求項１に記載の磁気記録媒体。 - 前記垂直方向における保磁力は、２９００Ｏｅ以上である
請求項１に記載の磁気記録媒体。 - テープ状の磁気記録媒体を順次送り出すことのできる送り出し部と、
前記送り出し部から送り出された前記磁気記録媒体を巻き取ることのできる巻き取り部と、
前記送り出し部から前記巻き取り部へ向けて走行する前記磁気記録媒体と接触しつつ、前記磁気記録媒体への情報書き込み、および前記磁気記録媒体からの情報読み出しを行うことのできる磁気ヘッドと
を備え、
前記磁気記録媒体は、
ポリエステルを主たる成分として含む基体と、
前記基体上に設けられ、磁性粉を複数含み、データ信号の記録が可能な磁性層と
を有し、
前記磁性層の表面の算術平均粗さＲａは、２．５ｎｍ以下であり、
空間波長５μｍまでのＰＳＤ (Power Spectrum Density）が２．５μｍ以下であり、
前記磁性層の平均厚みは、９０ｎｍ以下であり、
前記磁性粉の平均アスペクト比は、１．０以上３．０以下であり、
垂直方向における保磁力は、３０００エルステッド以下であり、
垂直方向における保磁力に対する長手方向における保磁力の割合は、０．８以下であり、
前記データ信号の再生波形における孤立波形の半値幅は、２００ｎｍ以下である
磁気記録再生装置。 - テープ状の磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体を収容する筐体と
を備え、
前記磁気記録媒体は、
ポリエステルを主たる成分として含む基体と、
前記基体上に設けられ、磁性粉を複数含み、データ信号の記録が可能な磁性層と
を有し、
前記磁性層の表面の算術平均粗さＲａは、２．５ｎｍ以下であり、
空間波長５μｍまでのＰＳＤ (Power Spectrum Density）が２．５μｍ以下であり、
前記磁性層の平均厚みは、９０ｎｍ以下であり、
前記磁性粉の平均アスペクト比は、１．０以上３．０以下であり、
垂直方向における保磁力は、３０００エルステッド以下であり、
垂直方向における保磁力に対する長手方向における保磁力の割合は、０．８以下であり、
前記データ信号の再生波形における孤立波形の半値幅は、２００ｎｍ以下である
磁気記録媒体カートリッジ。
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