JP2015111114A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の集積回路と、第2の集積回路と、を有し、上記第1の集積回路は、データが記憶される記憶回路と、上記データに従って互いの導通状態が上記記憶回路により制御されることで、上記第2の集積回路の動作を試験するための信号を生成する複数の回路と、を有し、上記第2の集積回路は、上記信号に従って動作が試験された後に、上記記憶回路を緩衝記憶装置として用いる半導体装置。
【選択図】図1
Description
図1に、本発明の一態様にかかる半導体装置の構成を、一例として示す。図1に示す半導体装置10は、集積回路11と、集積回路12とを有する。集積回路11は、複数のトランジスタを有している。そのため、集積回路11は、半導体集積回路であってもよく、一例としては、順序回路や組み合わせ回路などの各種の論理回路を有する回路であってもよい。また、集積回路12は、複数の回路13と、記憶回路14とを有する。
次いで、図1に示した半導体装置10の、より具体的な構成の一例を図2に示す。
次いで、図2に示した半導体装置10の具体的な構成例を、図3及び図4に示す。図3は、集積回路11の動作状態の試験が行われるときの、半導体装置10の構成例を示しており、図4は、通常の動作時の、半導体装置10の構成例を示している。
次いで、記憶回路14が有するセルアレイ14aの、具体的な構成の一例について説明する。
次いで、セルアレイ14aを有する記憶回路14の、具体的な構成の一例について説明する。
次いで、図6に示した記憶回路14の動作の一例について、図7に示すタイミングチャートを用いて説明する。
次いで、記憶回路14が有するセルアレイ14aの、図5とは異なる具体的な構成例について説明する。
次いで、記憶回路14が有するセルアレイ14aの、図5及び図8とは異なる具体的な構成例について説明する。
次いで、図1及び図2に示した半導体装置10が有する、集積回路12の具体的な構成の一例について説明する。
次いで、集積回路が有する回路13の構成例について説明する。
本発明の一態様にかかる半導体装置10の、具体的な構成例について説明する。図13に、半導体装置10の構成をブロック図で一例として示す。
本発明の一態様に係る半導体装置では、図5または図8に示すトランジスタ41のオフ電流が小さいと、データの保持期間を長くすることができる。そのため、トランジスタ41として、酸化物半導体膜にチャネル形成領域を有するトランジスタを用いることが望ましい。
本発明の一態様に係る半導体装置は、表示機器、パーソナルコンピュータ、記録媒体を備えた画像再生装置(代表的にはDVD:Digital Versatile Disc等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを有する装置)に用いることができる。その他に、本発明の一態様に係る半導体装置を用いることができる電子機器として、携帯電話、携帯型を含むゲーム機、携帯情報端末、電子書籍、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー等)、複写機、ファクシミリ、プリンタ、プリンタ複合機、現金自動預け入れ払い機(ATM)、自動販売機などが挙げられる。これら電子機器の具体例を図14に示す。
10n 半導体装置
11 集積回路
12 集積回路
13 回路
13a 回路
14 記憶回路
14a セルアレイ
14b セルアレイ
15 記憶回路
16 プロセッサ
17a セット
17b セット
17c セット
18a タグフィールド
18b タグフィールド
18c タグフィールド
19a データフィールド
19b データフィールド
19c データフィールド
20 比較回路
21 選択回路
22 機能
23 機能
24 比較回路
40 回路
41 トランジスタ
42 トランジスタ
43 トランジスタ
44 組
45 配線
46 スイッチ
47 ラッチ
48 容量素子
50 駆動回路
51 駆動回路
52 駆動回路
53 回路
54 回路
55 スイッチ
56 回路
57 回路
58 回路
60 回路
61 トランジスタ
62 配線
63 回路
64 回路
70−1 列
70−2 列
70−3 列
81 絶縁膜
82a 酸化物半導体膜
82b 酸化物半導体膜
82c 酸化物半導体膜
83 導電膜
84 導電膜
85 絶縁膜
86 導電膜
110 回路
124 配線
132 配線
133 配線
134 配線
135 配線
136 配線
137 配線
138 配線
160 LUT
161 フリップフロップ
162 記憶装置
162a 記憶装置
162b 記憶装置
163 入力端子
164 出力端子
165 出力端子
166 AND回路
168 マルチプレクサ
601 制御装置
602 演算装置
603 メインメモリ
604 入力装置
605 出力装置
606 IF
607 緩衝記憶装置
5001 筐体
5002 筐体
5003 表示部
5004 表示部
5005 マイクロホン
5006 スピーカー
5007 操作キー
5008 スタイラス
5101 車体
5102 車輪
5103 ダッシュボード
5104 ライト
5301 筐体
5302 冷蔵室用扉
5303 冷凍室用扉
5401 筐体
5402 表示部
5403 キーボード
5404 ポインティングデバイス
5601 筐体
5602 筐体
5603 表示部
5604 表示部
5605 接続部
5606 操作キー
5801 筐体
5802 筐体
5803 表示部
5804 操作キー
5805 レンズ
5806 接続部
Claims (5)
- 第1の回路と、第2の回路と、を有し、
前記第1の回路は、データが記憶される第3の回路と、前記データに従って互いの導通状態が前記第3の回路により制御されることで、前記第2の回路の動作を試験するための信号を生成する複数の第4の回路と、を有し、
前記第3の回路は、前記信号に従って動作が試験された後に、前記第2の回路の緩衝記憶装置として機能する半導体装置。 - 第1の回路と、第2の回路と、を有し、
前記第1の回路は、データが記憶される第3の回路と、前記データに従って互いの導通状態が前記第3の回路により制御されることで、前記第2の回路の動作を試験するための信号を生成する複数の第4の回路と、を有し、
前記第2の回路は、前記信号に従って動作が試験されているときには、単独でセット連想方式の緩衝記憶装置として機能し、前記信号に従って動作が試験された後は、前記第3の回路と共にセット連想方式の緩衝記憶装置として機能する第5の回路を有する、半導体装置。 - 請求項1または請求項2において、前記第3の回路は、第1トランジスタと、前記第1トランジスタを介して入力される前記データに従って、オンまたはオフが選択される第2トランジスタとを、少なくともそれぞれ含む複数の組を有する半導体装置。
- 請求項3において、
前記第1トランジスタは、酸化物半導体膜にチャネル形成領域を有するトランジスタである半導体装置。 - 請求項4において、
前記酸化物半導体膜は、In、Ga、及びZnを含む半導体装置。
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