JP2015097208A - 有機エレクトロニクスパネルおよびその製造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 35
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 137
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 84
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 43
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 160
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 66
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 53
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 53
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 50
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 46
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 46
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 37
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 19
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 65
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 description 34
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 31
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 22
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 21
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 21
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 19
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000012945 sealing adhesive Substances 0.000 description 12
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 11
- -1 for example Substances 0.000 description 11
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 11
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 9
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 8
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 8
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 7
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 5
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- LCFVJGUPQDGYKZ-UHFFFAOYSA-N Bisphenol A diglycidyl ether Chemical compound C=1C=C(OCC2OC2)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1OCC1CO1 LCFVJGUPQDGYKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 4
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 4
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 4
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009820 dry lamination Methods 0.000 description 3
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- NBUKAOOFKZFCGD-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3-tetrafluoropropan-1-ol Chemical compound OCC(F)(F)C(F)F NBUKAOOFKZFCGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000006757 chemical reactions by type Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000011246 composite particle Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001872 inorganic gas Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920006290 polyethylene naphthalate film Polymers 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- FKASFBLJDCHBNZ-UHFFFAOYSA-N 1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=NN=CO1 FKASFBLJDCHBNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZHFLRRPGAVPNMB-UHFFFAOYSA-N 1-[3-(9h-carbazol-1-yl)phenyl]-9h-carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2NC2=C1C=CC=C2C1=CC(C2=C3NC=4C(C3=CC=C2)=CC=CC=4)=CC=C1 ZHFLRRPGAVPNMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IERDDDBDINUYCD-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[4-(9h-carbazol-1-yl)phenyl]phenyl]-9h-carbazole Chemical group C12=CC=CC=C2NC2=C1C=CC=C2C(C=C1)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1C1=C2NC3=CC=CC=C3C2=CC=C1 IERDDDBDINUYCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTQQIHUQLOZOJI-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydro-1,2-thiazole Chemical compound C1NSC=C1 YTQQIHUQLOZOJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUNFOTHAFHGRIM-UHFFFAOYSA-N 2,5-dinaphthalen-1-yl-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=C2C(C3=NN=C(O3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)=CC=CC2=C1 MUNFOTHAFHGRIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQYIVUDIIIJJDM-UHFFFAOYSA-N 2,5-dinaphthalen-1-yl-1,3,4-thiadiazole Chemical compound C1=CC=C2C(C3=NN=C(S3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)=CC=CC2=C1 PQYIVUDIIIJJDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SSABEFIRGJISFH-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-difluorophenyl)pyridine Chemical compound FC1=CC(F)=CC=C1C1=CC=CC=N1 SSABEFIRGJISFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWKLOMOIKCPLOY-UHFFFAOYSA-N 3,5-dinaphthalen-1-yl-1h-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC=C2C(C3=NN=C(N3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)=CC=CC2=C1 MWKLOMOIKCPLOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UAPNUNDZDVNTDQ-UHFFFAOYSA-N 4,5-diphenyl-1,2,3-triazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=C1C1=CC=CC=C1 UAPNUNDZDVNTDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YOPJQOLALJLPBS-UHFFFAOYSA-N 4,5-diphenyloxadiazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=C(C=2C=CC=CC=2)ON=N1 YOPJQOLALJLPBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N [60]pcbm Chemical compound C123C(C4=C5C6=C7C8=C9C%10=C%11C%12=C%13C%14=C%15C%16=C%17C%18=C(C=%19C=%20C%18=C%18C%16=C%13C%13=C%11C9=C9C7=C(C=%20C9=C%13%18)C(C7=%19)=C96)C6=C%11C%17=C%15C%13=C%15C%14=C%12C%12=C%10C%10=C85)=C9C7=C6C2=C%11C%13=C2C%15=C%12C%10=C4C23C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 1
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000005007 epoxy-phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002503 iridium Chemical class 0.000 description 1
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- COLNWNFTWHPORY-UHFFFAOYSA-M lithium;8-hydroxyquinoline-2-carboxylate Chemical compound [Li+].C1=C(C([O-])=O)N=C2C(O)=CC=CC2=C1 COLNWNFTWHPORY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001256 stainless steel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N thiadiazole Chemical compound C1=CSN=N1.C1=CSN=N1 VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- NVCBVYYESHBQKS-UHFFFAOYSA-L zinc;2-carboxyquinolin-8-olate Chemical compound [Zn+2].C1=C(C([O-])=O)N=C2C(O)=CC=CC2=C1.C1=C(C([O-])=O)N=C2C(O)=CC=CC2=C1 NVCBVYYESHBQKS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】支持基板1上に一対の電極2、4と、その間に少なくとも有機化合物からなる機能層を含む有機化合物層3を挟持した構成を有する有機エレクトロニクス素子が、これを覆う封止部材5によって、支持基板との間に、電極および有機化合物層を挟持して、密着封止された有機エレクトロニクスパネルであって、電極の引き出し部2aと、外部駆動回路に接続する電極リード7との接合部が、封止部材によって覆われた密着封止された領域内にあり、密着封止された領域から電極リードが取り出される。
【選択図】図1
Description
前記電極の引き出し部と、外部駆動回路に接続する電極リードとの接合部が、前記封止部材によって覆われた密着封止された領域内にあり、前記密着封止された領域から電極リードが取り出され、
前記有機エレクトロニクスパネルが、平面視における前記支持基板上で、前記一対の電極と、その間に少なくとも有機化合物からなる機能層が、一方向に向けて、(1)一方の電極のみの領域、(2)前記一方の電極と前記有機化合物からなる機能層が重なる領域、(3)前記一方の電極と前記有機化合物からなる機能層と他方の電極が重なる領域、(4)前記有機化合物からなる機能層と前記他方の電極が重なる領域、(5)前記他方の電極のみの領域、に順次配置されており、
かつ、前記電極の引き出し部と、外部駆動回路に接続する電極リードとの接合部が、前記(1)から(5)の領域の配置と同一方向であって、(1)及び(5)の外側に配置されている、
ことを特徴とする有機エレクトロニクスパネル。
前記電極の引き出し部と、外部駆動回路に接続する電極リードとの接合部が、導電性接着剤により接着され、かつ、前記封止部材が、前記接合部を覆って、有機エレクトロニクス素子を密着封止し、
前記有機エレクトロニクスパネルが、平面視における前記支持基板上で、前記一対の電極と、その間に少なくとも有機化合物からなる機能層が、一方向に向けて、(1)一方の電極のみの領域、(2)前記一方の電極と前記有機化合物からなる機能層が重なる領域、(3)前記一方の電極と前記有機化合物からなる機能層と他方の電極が重なる領域、(4)前記有機化合物からなる機能層と前記他方の電極が重なる領域、(5)前記他方の電極のみの領域、に順次配置されており、
かつ、前記電極の引き出し部と、外部駆動回路に接続する電極リードとの接合部が、前記(1)から(5)の領域の配置と同一方向であって、(1)及び(5)の外側に配置されている、
ことを特徴とする有機エレクトロニクスパネルの製造方法。
前記導電性接着剤の含水率が100ppm以下であり、且つ、前記電極リードの含水率が100ppm以下であることを特徴とする有機エレクトロニクスパネルの製造方法。
有機EL素子は、電極間に単数又は複数の有機化合物層を積層した構造であり、例えば、陽極層/正孔注入・輸送層/発光層/電子注入・輸送層/陰極層等、各種の有機化合物からなる機能層が必要に応じ積層された構成をもつ。最も単純には、陽極層/発光層/陰極層からなる構造を有する。
本発明で用いることのできる有機光電変換素子としては特に制限がなく、陽極と陰極と、両者に挟まれた光電変換層が少なくとも1層以上あり、光を照射すると電流を発生する素子であればよい。
本発明を適用した有機光電変換素子は、支持体の一方面上に、透明電極、光電変換層及び対電極が順次積層されている。
(ii)陽極/電子ブロック能を有する正孔輸送層/光電変換層/正孔ブロック能を有する電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
(iii)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/電子ブロック層/光電変換層/正孔ブロック層/電子輸送層/陰極
(iv)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/電子ブロック層/光電変換層/正孔ブロック層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
上記のように、有機光電変換素子は各層を重ね合わせて基板上に重層され構成される。有機光電変換素子においても、上記各機能層は、真空蒸着法、またスパッタ法等の乾式法、また塗布、印刷法等の湿式法等、種々の公知の方法により成膜することができる。
《有機ELパネル101(本発明)の作製》
〈ガスバリア性の可撓性フィルムの作製〉
可撓性フィルムとして、厚み100μmのポリエチレンナフタレートフィルム(帝人・デュポン社製フィルム、以下、PENと略記する)の全面に、特開2004−68143号に記載の構成からなる大気圧プラズマ放電処理装置を用いて、SiOxからなる無機物のガスバリア膜(厚み500nm)を形成し、酸素透過度0.001cm3/(m2・24h・atm)以下、水蒸気透過度0.001g/(m2・24h)以下のガスバリア性の可撓性フィルムを作製した。
準備したガスバリア性の可撓性フィルム上に厚さ120nmのITO(インジウムチンオキシド)をスパッタ法により成膜し、フォトリソグラフィー法によりパターニングを行い、第1電極層を形成した。なお、パターンは発光面積が50mm平方、取り出し電極部も含むパターンとした。
準備した第1電極層が形成されたガスバリア性の可撓性フィルムの第1電極層の上に、以下に示す正孔輸送層形成用塗布液を押出し塗布機で塗布した後、乾燥し正孔輸送層を形成した。正孔輸送層形成用塗布液は乾燥後の厚みが50nmになるように塗布した。
塗布工程は大気中、25℃相対湿度50%の環境で行った。
導電性高分子であるPEDOT/PSS(poly(3,4−ethylenedioxythiophene)−poly(styrenesulfonate))(Baytron P4083、H.C.Starck製)を純水で65%、メタノール5%で希釈した溶液を正孔輸送層形成用塗布液として準備した。
正孔輸送層形成用塗布液を塗布した後、製膜面に向け高さ100mm、吐出風速1m/s、幅手の風速分布5%、温度100℃で溶媒を除去した後、引き続き、加熱処理装置を用い温度150℃で裏面伝熱方式の熱処理を行い、正孔輸送層を形成した。
引き続き、正孔輸送層迄を形成したガスバリア性の可撓性フィルムの正孔輸送層の上に、以下に示す白色発光層形成用塗布液を押出し塗布機で塗布した後、乾燥し発光層を形成した。白色発光層形成用塗布液は乾燥後の厚みが40nmになるように塗布した。
ホスト材のH−Aを1.0gと、ドーパント材D−Aを100mg、ドーパント材D−Bを0.2mg、ドーパント材D−Cを0.2mg、100gのトルエンに溶解し白色発光層形成用塗布液として準備した。
塗布工程を窒素ガス濃度99%以上の雰囲気で、塗布温度を25℃とし、塗布速度1m/minで行った。
白色発光層形成用塗布液を塗布した後、製膜面に向け高さ100mm、吐出風速1m/s、幅手の風速分布5%、温度60℃で溶媒を除去した後、引き続き、温度130℃で加熱処理を行い、発光層を形成した。
引き続き、発光層迄を形成したのち、以下に示す電子輸送層形成用塗布液を押出し塗布機で塗布した後、乾燥し電子輸送層を形成した。電子輸送層形成用塗布液は乾燥後の厚みが30nmになるように塗布した。
塗布工程は窒素ガス濃度99%以上の雰囲気で、電子輸送層形成用塗布液の塗布温度を25℃とし、塗布速度1m/minで行った。
電子輸送層はE−Aを2,2,3,3−テトラフルオロ−1−プロパノール中に溶解し0.5質量%溶液とし電子輸送層形成用塗布液とした。
電子輸送層形成用塗布液を塗布した後、製膜面に向け高さ100mm、吐出風速1m/s、幅手の風速分布5%、温度60℃で溶媒を除去した後、引き続き、加熱処理部で温度200℃で加熱処理を行い、電子輸送層を形成した。
引き続き、形成された電子輸送層の上に電子注入層を形成した。まず、基板を減圧チャンバーに投入し、5×10−4Paまで減圧した。あらかじめ、真空チャンバーにタンタル製蒸着ボートに用意しておいたフッ化セシウムを加熱し、厚さ3nmの電子注入層を形成した。
引き続き、形成された電子注入層の上に第1電極の上に取り出し電極になる部分を除き、形成された電子注入層の上に5×10−4Paの真空下にて第2電極形成材料としてアルミニウムを使用し、取り出し電極を有するように蒸着法にて、発光面積が50mm平方になるようにマスクパターン成膜し、厚さ100nmの第2電極を積層した。
第2電極まで形成したガスバリア性の可撓性フィルムを、再び窒素雰囲気に移動した。
作製した有機EL素子に、ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社製異方性導電フィルムDP3232S9を用いて、フレキシブルプリント基板(ベースフィルム:ポリイミド12.5μm圧延銅箔18μm、カバーレイ:ポリイミド12.5μm、表面処理NiAuメッキ)を接続した。
電極リード(フレキシブルプリント基板)を接続した有機EL素子を、市販のロールラミネート装置を用いて封止部材を接着し、有機ELパネル101を製作した。
ジシアンジアミド(DICY)
エポキシアダクト系硬化促進剤
しかる後、図5(a)のような形態になるよう、封止基板を、取り出し電極がおよび電極リードの接合部を覆うようにして密着・配置して、圧着ロールを用いて厚着条件、圧着ロール温度120℃、圧力0.5MPa、装置速度0.3m/minで密着封止した(図5(a))。
101の作製と同様に有機EL素子を作製し、電極リードを接続させた。但し、図5(b)の形態になるように封止を行い、有機ELパネル102を作製した。基板また封止部材のサイズを小さくして電極リードと電極引き出し部との接続部が丁度覆われるサイズとした。
101の作製と同じように有機EL素子を作製し、電極リードを接続した。但し、図6のような形状をした、ガラス板(1mm厚)にサンドブラスト処理によって、中央部に0.5mmのくぼみを設けた封止部材(ガラス)を用いて、図5(c)の様に封止部材5と電極引き出し部2aとの間に電極リードを挟むように貼り付け封止を行った。接着剤は前記と同じ熱接着剤を用い同条件で圧着硬化させた。
以上で作成したこれらのパネルを、60℃90%RHに300時間保管し保管前の状態と比較を行った。
試料に1mA/cm2の電流を印加し発光させ、100倍のマイクロスコープ(株式会社モリテックス製MS−804、レンズMP−ZE25−200)でパネルの一部分を拡大し、撮影を行った。撮影画像を2mm四方に切り抜き、目視で観察を行い、黒点の状況を調べた。
B: 0時間から300時間まで、わずかに劣化が認められる
C: 0時間から300時間まで、劣化が認められるが実技上問題ないレベル
D: 0時間から300時間まで、大きく劣化が認められ実技上問題のあるレベル
(剥離テスト)
市販のプッシュプルゲージを用いて、電極リードの剥離試験を行った。有機ELパネルを固定し、図8に示す様に、電極リードを90度の角度まで剥離にて引き剥がし、プッシュプルゲージ10にてその際の静止剥離強度を測定した。0時間と300時間の比較を行った。60℃90%RHに300時間保管した後の剥離強度と保管前の剥離強度の比を%で表した。
作成直後に、株式会社エーディーシー製直流電圧・電流源/モニタR6243にて、3mA/cm2の電流を流してそれぞれ電圧を測定した。有機ELパネル101の電圧を100%として、相対値を表に示す。
株式会社エーディーシー製直流電圧・電流源/モニタR6243にて、3mA/cm2の電流を流してその際の電圧を測定した。0時間の値と300時間の値を測定した。
有機ELパネル101と同様に有機ELパネル201〜208を作成した。ただし、実施例1において導電性接着剤の接着・硬化温度、また接着剤を表2のように変更して作成を行った。
次に、有機ELパネル207と同様に有機ELパネル301〜307を作成した。ただし、導電性接着剤を真空乾燥(真空乾燥の時間を変化)、電極リードを窒素雰囲気下で加熱乾燥(時間変化)し、表の条件に調整したのち行った。
《有機光電変換パネルSP−401(本発明)の作成》
〈ガスバリア性の可撓性フィルムの作製〉
可撓性フィルムとして、厚み100μmのポリエチレンナフタレートフィルム(帝人・デュポン社製フィルム、以下、PENと略記する)の全面に、特開2004−68143号に記載の構成からなる大気圧プラズマ放電処理装置を用いて、連続して可撓性フィルム上に、SiOxからなる無機物のガスバリア膜(厚み500nm)を形成し、酸素透過度0.001cm3/(m2・24h・atm)以下、水蒸気透過度0.001g/(m2・24h)以下のガスバリア性の可撓性フィルムを作製した。
準備したガスバリア性の可撓性フィルム上に厚さ120nmのITO(インジウムチンオキシド)をスパッタ法により成膜し、フォトリソグラフィー法によりパターニングを行い、第1電極層を形成した。なお、パターンは発光面積が50mm平方になるようなパターンとした。
正孔輸送層形成用塗布液を塗布する前に、ガスバリア性の可撓性フィルムの洗浄表面改質処理を、波長184.9nmの低圧水銀ランプを使用し、照射強度15mW/cm2、距離10mmで実施した。帯電除去処理は、微弱X線による除電器を使用し行った。
これ以降は、基板をグローブボックス中に持ち込み、窒素雰囲気下で作業した。まず、窒素雰囲気下で上記基板を140℃で3分間加熱処理した。
E−Bを10mg量りとり、TFPO(2,2,3,3−テトラフルオロ−1−プロパノール):ブタノール=1:1の混合溶媒0.5mlに溶解させた液を調製し、膜厚20nmになるように塗布を行い、乾燥して電子輸送層を成膜した。
塗布工程は窒素ガス濃度99%以上の雰囲気で、電子輸送層形成用塗布液の塗布温度を25℃とし、塗布速度1m/minで行った。
電子輸送層形成用塗布液を塗布した後、製膜面に向け高さ100mm、吐出風速1m/s、幅手の風速分布5%、温度60℃で溶媒を除去した後、引き続き、加熱処理部において温度180℃で加熱処理を行い、電子輸送層を形成した。
引き続き、形成された電子注入層の上に第1電極の上に取り出し電極になる部分を除き、形成された電子注入層の上に5×10−4Paの真空下にて第2電極形成材料としてアルミニウムを使用し、取り出し電極を有するように蒸着法にて、発光面積が50mm平方になるようにマスクパターン成膜し、厚さ100nmの第2電極を積層した。
第2電極まで形成したガスバリア性の可撓性フィルムを、再び窒素雰囲気に移動した。
作製した有機光電変換素子に、ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社製異方性導電フィルムDP3232S9を用いて、電極リード(圧延銅箔18μm付きポリイミドフィルム(12.5μm))を接続した。
電極リードを接続した有機EL素子を、市販のロールラミネート装置を用いて封止部材を接着し、有機光電変換パネルSP−401を製作した。
ジシアンジアミド(DICY)
エポキシアダクト系硬化促進剤
しかる後、図5(a)のような形態になるよう、封止基板を、取り出し電極がおよび電極リードの接合部を覆うようにして密着・配置して、圧着ロールを用いて厚着条件、圧着ロール温度120℃、圧力0.5MPa、装置速度0.3m/minで密着封止した(図5(a))。
SP−401の作製と同様に有機光電変換素子を作製し、電極リードを接続させた。但し、図5(b)の形態になるように封止を行い、有機光電変換パネルSP−402を作製した。基板また封止部材のサイズを小さくして電極リードと電極引き出し部との接続部が丁度覆われるサイズとした。
SP−401の作製と同じように有機光電変換素子を作製し、電極リードを接続した。但し、図6のような形状をした、ガラス板(1mm厚)にサンドブラスト処理によって、中央部に0.5mmのくぼみを設けた封止部材(ガラス)を用いて、図5(c)の様に封止部材5と電極引き出し部2aとの間に電極リードを挟むように貼り付け封止を行った。接着剤は前記と同じ熱接着剤を用い同条件で圧着硬化させた。
以上で作成したこれらのパネルを、60℃90%RHに300時間保管し保管前の状態と比較を行った。
作製した有機光電変換パネルについて、ソーラーシミュレーター(AM1.5Gフィルタ)の100mW/cm2の強度の光を照射し、IV特性を測定し、下記式1に従って受光部それぞれについて保持率(%)を算出した。
保持率(%)=60℃90%RH経時保存後の短絡電流密度/経時保存前の短絡電流密度×100
(剥離テスト)
市販のプッシュプルゲージを用いて、電極リードの剥離試験を行った。有機光電変換パネルを固定し、図8に示す様に、電極リードを90度の角度まで剥離にて引き剥がし、プッシュプルゲージ10にて電極リードを90度の角度まで剥離にて引き剥がし、その際の静止剥離強度を測定した。0時間(経時保存前)と300時間の比較を行った。60℃90%RHに300時間保管した後の剥離強度と保管前の剥離強度の比を%で表した。
1′ 支持基板
2 陽極
3 有機化合物層
4 陰極
5 封止部材
6 封止用接着剤
7 電極リード
8 導電性接着剤
Claims (11)
- 支持基板上に一対の電極と、その間に少なくとも有機化合物からなる機能層を含む有機化合物層を挟持した構成を有する有機エレクトロニクス素子が、これを覆う封止部材によって、前記支持基板との間に、電極および有機化合物層を挟持して、密着封止された有機エレクトロニクスパネルであって、
前記電極の引き出し部と、外部駆動回路に接続する電極リードとの接合部が、前記封止部材によって覆われた密着封止された領域内にあり、前記密着封止された領域から電極リードが取り出され、
前記有機エレクトロニクスパネルが、平面視における前記支持基板上で、前記一対の電極と、その間に少なくとも有機化合物からなる機能層が、一方向に向けて、(1)一方の電極のみの領域、(2)前記一方の電極と前記有機化合物からなる機能層が重なる領域、(3)前記一方の電極と前記有機化合物からなる機能層と他方の電極が重なる領域、(4)前記有機化合物からなる機能層と前記他方の電極が重なる領域、(5)前記他方の電極のみの領域、に順次配置されており、
かつ、前記電極の引き出し部と、外部駆動回路に接続する電極リードとの接合部が、前記(1)から(5)の領域の配置と同一方向であって、(1)及び(5)の外側に配置されている、
ことを特徴とする有機エレクトロニクスパネル。 - 前記機能層が発光層であり、有機エレクトロニクス素子が有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロニクスパネル。
- 前記機能層が光電変換層であり、有機エレクトロニクス素子が有機光電変換素子であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロニクスパネル。
- 前記支持基板が可撓性の樹脂基板であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機エレクトロニクスパネル。
- 支持基板上に一対の電極と、その間に少なくとも有機化合物からなる機能層を含む有機化合物層を挟持した構成を有する有機エレクトロニクス素子を、封止部材によって前記支持基板との間に、電極および有機化合物層を挟持して、密着封止する有機エレクトロニクスパネルの製造方法であって、
前記電極の引き出し部と、外部駆動回路に接続する電極リードとの接合部が、導電性接着剤により接着され、かつ、前記封止部材が、前記接合部を覆って、有機エレクトロニクス素子を密着封止し、
前記有機エレクトロニクスパネルが、平面視における前記支持基板上で、前記一対の電極と、その間に少なくとも有機化合物からなる機能層が、一方向に向けて、(1)一方の電極のみの領域、(2)前記一方の電極と前記有機化合物からなる機能層が重なる領域、(3)前記一方の電極と前記有機化合物からなる機能層と他方の電極が重なる領域、(4)前記有機化合物からなる機能層と前記他方の電極が重なる領域、(5)前記他方の電極のみの領域、に順次配置されており、
かつ、前記電極の引き出し部と、外部駆動回路に接続する電極リードとの接合部が、前記(1)から(5)の領域の配置と同一方向であって、(1)及び(5)の外側に配置されている、
ことを特徴とする有機エレクトロニクスパネルの製造方法。 - 前記機能層が発光層であり、有機エレクトロニクス素子が有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項5に記載の有機エレクトロニクスパネルの製造方法。
- 前記機能層が光電変換層であり、有機エレクトロニクス素子が有機光電変換素子であることを特徴とする請求項5に記載の有機エレクトロニクスパネルの製造方法。
- 前記支持基板が可撓性の樹脂基板であることを特徴とする請求項5〜7のいずれか1項に記載の有機エレクトロニクスパネルの製造方法。
- 請求項5に記載の有機エレクトロニクスパネルの製造方法であって、前記導電性接着剤の接着時の温度が140℃以下であることを特徴とする有機エレクトロニクスパネルの製造方法。
- 請求項5に記載の有機エレクトロニクスパネルの製造方法であって、前記導電性接着剤の接着時に接合部の両側から加熱することを特徴とする有機エレクトロニクスパネルの製造方法。
- 請求項5に記載の有機エレクトロニクスパネルの製造方法であって、
前記導電性接着剤の含水率が100ppm以下であり、且つ、前記電極リードの含水率が100ppm以下であることを特徴とする有機エレクトロニクスパネルの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014250697A JP5943057B2 (ja) | 2009-06-25 | 2014-12-11 | 有機エレクトロニクスパネルおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009150885 | 2009-06-25 | ||
JP2009150885 | 2009-06-25 | ||
JP2009279223 | 2009-12-09 | ||
JP2009279223 | 2009-12-09 | ||
JP2014250697A JP5943057B2 (ja) | 2009-06-25 | 2014-12-11 | 有機エレクトロニクスパネルおよびその製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011519736A Division JPWO2010150648A1 (ja) | 2009-06-25 | 2010-06-08 | 有機エレクトロニクスパネルおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015097208A true JP2015097208A (ja) | 2015-05-21 |
JP5943057B2 JP5943057B2 (ja) | 2016-06-29 |
Family
ID=43386419
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011519736A Pending JPWO2010150648A1 (ja) | 2009-06-25 | 2010-06-08 | 有機エレクトロニクスパネルおよびその製造方法 |
JP2014250697A Expired - Fee Related JP5943057B2 (ja) | 2009-06-25 | 2014-12-11 | 有機エレクトロニクスパネルおよびその製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011519736A Pending JPWO2010150648A1 (ja) | 2009-06-25 | 2010-06-08 | 有機エレクトロニクスパネルおよびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JPWO2010150648A1 (ja) |
WO (1) | WO2010150648A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108605393A (zh) * | 2016-02-10 | 2018-09-28 | 柯尼卡美能达株式会社 | 有机电致发光发光装置 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5842088B2 (ja) * | 2011-02-21 | 2016-01-13 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 有機elデバイス及び有機elデバイスの製造方法 |
JP5310962B1 (ja) * | 2011-09-05 | 2013-10-09 | コニカミノルタ株式会社 | 有機el照明装置およびその製造方法 |
JP5999831B2 (ja) * | 2012-02-16 | 2016-09-28 | 凸版印刷株式会社 | 有機薄膜太陽電池素子 |
WO2014022580A1 (en) * | 2012-08-01 | 2014-02-06 | The Regent Of The University Of Michigan | Organic optoelectronics with electrode buffer layers |
JP2014112515A (ja) * | 2012-11-06 | 2014-06-19 | Nitto Denko Corp | 有機el素子 |
WO2014162446A1 (ja) * | 2013-04-01 | 2014-10-09 | パイオニア株式会社 | 接合構造および発光装置 |
WO2014162447A1 (ja) * | 2013-04-01 | 2014-10-09 | パイオニア株式会社 | 接合構造および発光装置 |
WO2014199673A1 (ja) | 2013-06-11 | 2014-12-18 | シャープ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2015154049A (ja) * | 2014-02-19 | 2015-08-24 | 三菱化学株式会社 | 薄膜太陽電池モジュール |
JP2016100314A (ja) * | 2014-11-26 | 2016-05-30 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
JP6501180B2 (ja) * | 2015-01-27 | 2019-04-17 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置及びフレキシブル配線基板 |
JP6504438B2 (ja) * | 2015-01-27 | 2019-04-24 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置及びフレキシブル配線基板 |
JP6228624B2 (ja) * | 2016-03-31 | 2017-11-08 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスデバイス |
WO2018060258A1 (de) * | 2016-09-27 | 2018-04-05 | Inuru Gmbh | Kontaktierung von optoelektronischen bauelementen |
JP7411426B2 (ja) | 2020-01-27 | 2024-01-11 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0883919A (ja) * | 1994-09-13 | 1996-03-26 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
JPH11307249A (ja) * | 1998-04-20 | 1999-11-05 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | 有機el素子とその製造方法 |
JP2001176633A (ja) * | 1999-12-17 | 2001-06-29 | Hitachi Chem Co Ltd | 異方性導電膜接続用熱圧着装置 |
JP2002175877A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-06-21 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器 |
JP2002373777A (ja) * | 2001-06-18 | 2002-12-26 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
JP2007258053A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 |
JP2008010211A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Matsushita Electric Works Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス発光装置及び有機エレクトロルミネッセンス照明装置 |
WO2008120513A1 (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-09 | Citizen Holdings Co., Ltd. | 積層基板の電極端子接続構造 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11204256A (ja) * | 1998-01-07 | 1999-07-30 | Fuji Electric Co Ltd | 有機薄膜発光素子、その製造方法および製造装置 |
JP4752087B2 (ja) * | 2000-03-22 | 2011-08-17 | カシオ計算機株式会社 | 電界発光素子 |
JP2002352953A (ja) * | 2001-05-29 | 2002-12-06 | Alps Electric Co Ltd | El発光装置 |
JP2004096047A (ja) * | 2002-09-04 | 2004-03-25 | Seiko Epson Corp | 基板の接続方法、基板の接続構造、熱圧着装置、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器 |
JP2006310729A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-11-09 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機薄膜太陽電池 |
JP4305425B2 (ja) * | 2005-07-20 | 2009-07-29 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイスおよび電子機器 |
JP5276772B2 (ja) * | 2005-09-22 | 2013-08-28 | 東北パイオニア株式会社 | 自発光ユニット |
JP2007220402A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子の封止方法、有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2008218306A (ja) * | 2007-03-07 | 2008-09-18 | Pioneer Electronic Corp | 光デバイス |
JP2009081122A (ja) * | 2007-09-06 | 2009-04-16 | Fujifilm Corp | ガスバリアフィルムで封止された有機el素子の製造方法およびガスバリアフィルムで封止された有機el素子 |
-
2010
- 2010-06-08 WO PCT/JP2010/059661 patent/WO2010150648A1/ja active Application Filing
- 2010-06-08 JP JP2011519736A patent/JPWO2010150648A1/ja active Pending
-
2014
- 2014-12-11 JP JP2014250697A patent/JP5943057B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0883919A (ja) * | 1994-09-13 | 1996-03-26 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
JPH11307249A (ja) * | 1998-04-20 | 1999-11-05 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | 有機el素子とその製造方法 |
JP2001176633A (ja) * | 1999-12-17 | 2001-06-29 | Hitachi Chem Co Ltd | 異方性導電膜接続用熱圧着装置 |
JP2002175877A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-06-21 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器 |
JP2002373777A (ja) * | 2001-06-18 | 2002-12-26 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
JP2007258053A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 |
JP2008010211A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Matsushita Electric Works Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス発光装置及び有機エレクトロルミネッセンス照明装置 |
WO2008120513A1 (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-09 | Citizen Holdings Co., Ltd. | 積層基板の電極端子接続構造 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108605393A (zh) * | 2016-02-10 | 2018-09-28 | 柯尼卡美能达株式会社 | 有机电致发光发光装置 |
JPWO2017138179A1 (ja) * | 2016-02-10 | 2018-12-06 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス発光装置 |
CN108605393B (zh) * | 2016-02-10 | 2021-10-08 | 默克专利有限公司 | 有机电致发光发光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5943057B2 (ja) | 2016-06-29 |
WO2010150648A1 (ja) | 2010-12-29 |
JPWO2010150648A1 (ja) | 2012-12-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150914 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160509 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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