JP2014527460A - 水素分離膜の保護層およびそのコーティング方法 - Google Patents

水素分離膜の保護層およびそのコーティング方法 Download PDF

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Abstract

【課題】本発明は、水素分離膜を用いる水素製造または精製工程において粒子状汚染物質から分離膜を保護するための方法に関する。【解決手段】分離膜の表面に、水素分子および水素原子を表面移動させることができる金属とセラミックをコートしてサーメットを形成した保護層は、ガス中に含まれている粒子(汚染物質または触媒)と分離膜間の接触を遮断する役割を果たす。これにより、水素分離膜の耐久性を向上させるうえ、分離膜の水素透過性能に対して影響を最小化することができる。【選択図】図2

Description

本発明は、水素分離膜の保護層およびそのコーティング方法に係り、さらに詳しくは、水素製造(精製)工程において反応器内に水素分離膜を設置する場合、粒子状汚染物質から水素分離膜を保護するために水素分離膜の表面に金属とセラミックをコートすることにより形成された分離膜保護層に関する。これにより、ガス中に含まれている汚染物質を遮断することにより、水素分離膜の耐久性を向上させるうえ、分離膜の水素透過性能に対する影響を最小限にすることができる。
水素混合ガスから水素を得るためには分離装置が必要であり、PSA(pressure swing adsorption)、深冷、分離膜、ゲッター(getter)を使用した様々な分離工程を用いて水素の精製が可能である。水素精製技術の中でも、パラジウム系分離膜を使用した工程を採用すると、エネルギー効率が高いという利点があって、当該分野に関する多くの研究が行われている。
水素分離膜の性能は、水素フラックスと選択度が重要な指標である。その性能向上のために国内および外国で多くの研究と努力がされている。特に、水素透過量は水素分離膜層の厚さによって決定されるため、微細気孔のない緻密質の超薄膜をコートするための研究が行われている。
パラジウム系合金が超薄膜化されるとき、熱に対する安全性、および工程中に入り込む微細粉塵の付着による水素分離膜の消失または組成変化への影響がさらに大きく現れる。すなわち、厚さ10μmのコーティング分離膜の表面に粒径1μmの粒子状汚染物質が付着する場合には、最大10%の組成変化を予想することができる一方、厚さ1μmのコーティング膜に粒径1μmの粒子状汚染物質が付着する場合には、最大50%の組成変化を予想することができる。よって、水素分離膜が薄膜化されるほど、汚染物による影響の度合いがさらに増加することは自明な現象である。
また、最近、反応器内に水素分離膜を備え、反応分離同時工程を採用しようとする多くの試みがある。特に、石炭またはナフサを用いる水素製造工程の開発を主な目的として、生成物の水素を除去することにより、平衡転換率を正方向に促進する役割を果たすようになる(反応式1)。このような反応器は、炭化水素を流動化ガスとして用い、層内物質として微細触媒を用いて炭化水素と触媒の接触を極大化すると共に熱伝達の効率を極大化する流動層反応器に関する研究が行われている(カナダ、MRT社)。このような反応器の構成では、「分離膜と粒子状の接触を抑制」することが絶対的な必要条件である。
[反応式1]
CH4+H2O CO+3H2、反応熱=206kJ/mol
水素分離膜の表面に多孔性セラミック物質、金属およびセラミック物質をコートすることによる分離膜保護層の研究開発に関連した従来の技術中、論文と先行特許を考察してみると、現在まで、超薄膜層の構成技術に対しては未完成段階であって、その表面に保護層を設けようとする試みの研究結果はないのが実情である。唯一、フォイル(foil)型の分離膜の外側にパラジウム−銀複合物質の緻密質フォイル被覆を接合して酸素に対する抵抗性増加および水素に対する脆性を向上させることができるという概念の特許(日本特開2004−176128)が発表されている。
したがって、水素分離膜を製造するための超薄膜コーティング技術の開発と、水素透過性能の減少なしで超薄膜の分離膜を保護する保護層の開発とが同時に行われるとき、水素に対する高い選択度および透過度を長時間にわたって保持することができるので、これら分野の技術開発は必ず必要である。
本発明の目的は、緻密質水素分離膜の表面に、水素分子および水素原子を表面移動(surface migration)させることができる金属とセラミックの混合体(Cermet)をコートすることにより、保護層を提供し、前記保護層のコーティング方法を提供することにある。
また、本発明は、水素製造または精製工程において、反応器内に水素分離膜を備えるとき、ガス中に含まれている粒子(汚染物質または触媒)と分離膜間の接触を遮断することにより、水素分離膜の耐久性を向上させようとする。これと同時に、保護層による分離膜の水素透過性能に及ぼす影響は最小化しなければならない。
本発明は、粒子状汚染物質から水素分離膜を保護するために、水素分離膜の表面に金属とセラミックの同時コーティングによってサーメット(Cermet)を形成し、分離膜保護層を備える。本発明は、水素分離膜の耐久性を向上し、且つ水素透過への影響を最小化するために、金属分離膜の上部に、水素分子及び/または水素原子を表面移動(surface migration)させることができる金属とセラミックの混合体(Cermet)をコートすることにより、分離膜の表面に粒子状汚染物質または触媒との接触を根本的に遮断して水素分離膜の安定性を与えつつ、水素分離膜の水素透過性能に対する影響を最小化する。
前記混合体の構成によりセラミックが有する、水素またはプロトンの伝導性が遅いという欠点を金属、特に貴金属の混合によって改善するとともに、金属の特性である自体拡散性により焼結(sintering)及び/または分離膜層への拡散が発生することがあるが、これをセラミックの混合構成によって抑制して保護層自体の耐久性を与える。
このような特徴を持つパラジウム系分離膜は、パラジウム単独、またはパラジウム−銅、パラジウム−銀、パラジウム−ニッケル、パラジウム−銅−ニッケル、パラジウム−金、パラジウム−ルテニウムの形態が主流をなす。これらをいかなる方法で薄膜状にコートし或いはフォイル状に加工するかに関心が集まっている。
本発明は、緻密質分離膜であって、パラジウム系合金(alloy)を薄膜にコートした分離膜をモデル分離膜として、その表面に金属とセラミックをコートすることにより、サーメットを形成させて保護層を備えることを例示し、説明する。
前記原理は、パラジウム合金系分離膜を含んで遷移金属系分離膜、または金属とセラミックの混合分離膜に対しても同一の原理で適用される。
前記遷移金属系分離膜、またはセラミックと金属の混合分離膜は、電子とプロトンの伝導速度はパラジウム系分離膜に比べて優れた性能であるが、水素の解離速度が低いため、分離膜の表面に貴金属コーティングが必要である。したがって、本発明に係る貴金属−セラミックサーメット保護層のコーティングによって2つの効果を同時に満足することができる。
本発明は、水素製造用反応器において、緻密質水素分離膜の表面に金属とセラミックをコートしてサーメットを形成した分離膜保護層を提供する。
本発明は、水素精製において、緻密質水素分離膜の表面に金属とセラミックをコートしてサーメットを形成させた分離膜保護層を提供する。
前記セラミック成分は、酸化物系、非酸化物系、窒化物系またはこれらの混合物を使用することができる。
前記分離膜保護層のコーティング、成長した金属およびセラミックの平均粒径は5nm〜2μmであり、その厚さは50nm〜3μmであってもよい。
前記分離膜保護層が持つ気孔率は5〜50%であってもよい。
前記分離膜保護層は微細多孔体であることを特徴とする。
前記微細多孔体はカラム型、粒子積層型、またはこれらの組み合わせから構成されてもよい(図4参照)。
前記緻密質水素分離膜はパラジウム系水素分離膜を使用することができる。この際、パラジウム系水素分離膜はその表面にパラジウム単独またはパラジウム系合金の中から選ばれる少なくとも1種でコートしてもよい。
前記パラジウム系合金は、パラジウム−銅、パラジウム−銀、パラジウム−ニッケル、パラジウム−銅−ニッケル、パラジウム−金、パラジウム−ルテニウム、またはパラジウム−ガドリニウムの中から選ばれる少なくとも1種を使用することができる。
前記緻密質水素分離膜は多孔性支持体にコートされたことを特徴とする。
前記パラジウム系水素分離膜は多孔性支持体にコートされたことを特徴とする。
前記緻密質水素分離膜はフォイル形状であることを特徴とする。
特に、前記サーメットはカラム形状を有することができ、前記カラム形状のサーメットの間には空隙が形成され、前記緻密質水素分離膜層の表面の一部が露出しうる。これにより、ガス中に含まれている粒子(汚染物質または触媒)と分離膜間の接触を遮断して水素分離膜の耐久性を向上させながらも、ガスと水素分離膜層の表面またはサーメットの表面との接触面積を増加させることができる。
本発明は、水素製造用反応器の水素分離膜の表面に金属とセラミックの同時コーティングによって形成された分離膜保護層を製造する方法を提供する。
本発明は、水素精製器の水素分離膜の表面に金属およびセラミックの同時コーティングによって形成された分離膜保護層を製造する方法を提供する。
前記保護層のコーティングは、金属とセラミックを交互に数回繰り返しコートして一定高さのカラム形状に成長させても本発明の目的を達成する。
前記保護層のコーティングは、金属とセラミックの混合体を、連続した面にコートし、その一部をエッチングして気孔を形成しても本発明の目的を達成する。
緻密質分離膜は、パラジウム系が常用的に広く用いられている。水素分離膜はフォイル形態、または多孔性支持体に薄膜コートした形態で常用されている。
アイダホテック社(米国)ではミリング/エッチングによるPd−Cu foil型分離膜とこれを用いるモジュールの開発を進行中であり、日本の三菱重工業ではアイダホテック社と共同にてフォイル型(foil type)の分離膜を用いるモジュールの開発を進行中である。また、米国と中国の多数の大学で、多孔性支持体へのパラジウムコーティングによる分離膜の開発を進行中である。
本研究陣も緻密質コーティング膜を開発するための多くの努力をし(韓国特許第0679341号、韓国特許第0622988号、韓国特許第0614974号、米国特許US7,524,361B2)、現在は、これを用いるシステムの開発方向へ研究を推進している(Kyung−Ran Hwang、Son−Ki Ihm、Jong−soo Park、「A catalytic membrane reactor for Water−Gas Shift Reaction」、Korean J.Chem.Eng.27(2010)、816〜821)。この過程で分離膜表面の保護層の必要性が提起され、これを本発明によって完成することができるようになった。
本発明は、緻密質水素分離膜の表面に保護層をコートして粒子状汚染物質または触媒との接触を遮断したため、水素分離膜を用いる様々な工程で、ガス中に含まれる粒子状による分離膜の物理化学的な変形または破壊を防止することができる。よって、高価分離膜の耐久性の向上による競争力が強化され、触媒層と分離膜が一体化されたコンパクトな工程で改質触媒自体による分離膜の汚染を遮断することができる。
改質触媒と水素分離膜を連携した既存の反応分離同時工程の概念図である。 本発明に係る水素分離膜の保護層の概念図である。 本発明に係る改質触媒と水素分離膜を連携した反応分離同時工程の構成概念図である。 本発明に係る水素分離膜の保護層のコーティング写真であって、パラジウム系水素分離膜の表面にCu−Al23保護層が形成された写真である。ここで、図4aは水素分離膜(表面)である。 本発明に係る水素分離膜の保護層のコーティング写真であって、パラジウム系水素分離膜の表面にCu−Al23保護層が形成された写真である。ここで、図4bは水素分離膜(断面)である。 本発明に係る水素分離膜の保護層のコーティング写真であって、パラジウム系水素分離膜の表面にCu−Al23保護層が形成された写真である。ここで、図4cは分離膜保護層のコーティング写真(表面)である。 本発明に係る水素分離膜の保護層のコーティング写真であって、パラジウム系水素分離膜の表面にCu−Al23保護層が形成された写真である。ここで、図4dは分離膜保護層のコーティング写真(断面)である。 本発明に係る分離膜保護層のコーティング後に400℃で圧力別に測定したパラジウム系水素分離膜の水素透過性能を示す。
以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基づいて説明する。下記各図面の構成要素に参照符号を付すにあたり、同一の構成要素に限っては他の図面上に表示されてもできる限り同一の符号を付し、本発明の要旨を不明瞭にする可能性のある公知の機能および構成についての詳細な説明は省略する。
現在まで、分離膜の大部分は高純度の水素精製装置に活用されている。この過程で高温部の分離膜の表面に他の物質が接触することは、分離膜の消失原因と評価されている。特に、最近、メタンを用いる水素製造工程(反応式1および図1参照)における水素分離膜の適用の際にメタン改質反応を550℃の低温で行うことができる。
図1をさらに詳しく説明すると、水素分離装置10内の空間を改質触媒層22と水素分離膜100に分離する。よって、前記水素製造/分離装置10の空間は、前記改質触媒層22の上側の原料側空間18と前記分離膜100の下側の分離側空間20に分けられる。また、前記水素分離膜100は前記改質触媒層22に近い側に水素分離膜層104が位置し、前記水素分離膜層104は分離膜支持体102の表面に固定またはコートされる。
前記原料側空間18には、一側の原料供給管12を介してメタン(CH4)とスチーム(H2O)が供給され、他側の残余排出管14を介しては分離膜を通過した水素(H2)の脱落により残った一酸化炭素(CO)と二酸化炭素(CO2)が排出される。前記分離側空間20には、水素排出管16と連通し、該水素排出管16を介して、分離された水素(H2)が排出される。
ところが、前記工程構成の際に、前記水素分離膜100と前記改質触媒層22ができる限り近い位置となるようにシステムを構成すると同時に、相互接触しないようにする空間維持が難しくなる。また、前記改質触媒層22は、前記水素分離装置10の振動によって微細パウダー状に粉砕され、これらは前記水素分離膜104の表面に沈積して分離膜の消失原因が生じるおそれがある。かかる問題点を解決するために、前記改質触媒層22と前記水素分離膜100の中間に多孔性プレートを取り付けて触媒層と水素分離膜との接触を防止することができるが、微細パウダーまたは粒子状物質と水素分離膜との接触までの完全な隔離には困難さが伴う。
したがって、本発明では、水素分離膜層204の表面に分離膜保護層210を形成させ、ガス中に含まれている汚染物質を遮断することにより、分離膜の耐久性を向上させるうえ、形成された分離膜保護層による水素透過への影響を最小化しようとする。
前記汚染物質は、触媒と連携されていない工程(精製)においてもガス自体への混入または分離膜上流側パイプの腐食により生成された微細粒子相が分離膜へ伝達される。よって、このような汚染源からの分離膜の保護方案が必要である。
本発明に係る分離膜保護層は、水素分子及び/または水素原子を表面拡散させることが可能な金属と、酸化物系セラミック(AlOx、SiOx、TiOx、ZrOx)または非酸化物系セラミック(AlN、TiN、ZrN、SiC)の1種以上とを同時にコートしてサーメットの形態で構成される。金属とセラミック物質の同時コーティング成長技法によって多孔層を形成することができる。前記分離膜保護層は前記水素分離膜層204の表面に50nm〜3μmの厚さでコートできる。この際、コートされた金属とセラミックのサーメットは、図2に示すように、混合粒状化されたサーメットカラム206に形成される。この際、前記サーメットカラム206の間には空隙が形成される。このような空隙により、前記緻密質水素分離膜層204の表面の一部が露出する。これにより、ガス中に含まれている粒子(汚染物質または触媒)と分離膜間の接触を遮断して水素分離膜の耐久性を向上させながらも、ガスと水素分離膜層の表面またはサーメットの表面との接触面積を増加させることができる。しかし、前記サーメットに真っ直ぐなカラム形状の成長が要求されるのではなく、球状が一部含まれても本発明の目的を達成することができる微細多孔層形態であれば十分である(図4d)。但し、接着力を考慮するとき、多数の粒子状のものをコートすることより、粒状化されたカラム形状が多いほど強い接着力を得ることができる。
特に、前記分離膜保護層は、コーティング粒子206が10nm〜2μmの平均粒径を有することが要求される。好ましくは、50nm〜1μmの平均粒径を有することが要求される。さらに好ましくは50nm〜300nmの平均粒径を有することが要求される。このような構成を持つとき、水素分離膜の表面にコーティング粒子が堅く付着すると同時に、水素の自由な表面移動が可能な表面積が広くなり、粒子状汚染物質と水素分離膜との接触を排除することができる(図3参照)。したがって、前記水素分離膜204と、前記水素分離膜に近接するように最小離隔または積層して設置される改質触媒層42を含んで反応分離同時工程による水素製造を行うことができる。
前記分離膜保護層は、金属膜の表面に金属とセラミックを同時に成長させることができる技術であればいずれの技術を使用しても構わない。また、セラミックと金属を微細多層に細分化し交互に数回コートしても、所期の目的を達成することができる。
本発明の一実施例では、スパッタを用いて(RF power)微細な金属(Pd)とアルミニウム酸化物層(AlOx)の同時コーティングを示した。実際コートされた形態は図4a〜図4dに示した。この際、図4aおよび図4bはそれぞれ保護層をコートする前の金属分離膜の表面と断面である。図4cおよび図4dはそれぞれ金属分離膜の表面に金属とセラミックのサーメットで保護層をコートしたときの表面と断面である。ここで、図4dは分離層の断面を観察するために、切断し易いシリコンウエハーに保護層をコートして観察した。コーティングの結果、コーティング層は600nm水準の薄膜であり、コーティング粒子の粒径は100nm水準であって、金属とセラミックの保護層間のコートされていない空間には数ナノ以下の極めて微細な気孔が生成される。よって、数ナノ以上の微細粉塵または改質触媒層42の触媒パウダーと水素分離膜層204との接触を完全に遮断する。しかも、気体状態である水素は移動と同時に、水素原子および分子を表面移動させることができる金属を保護層として使用したため、水素は保護層を表面移動して分離膜の水素透過性能には大きい影響を及ぼさない。
金属の表面に、水素分子および水素原子を表面移動させることができる金属とセラミックをコートするための多様な方法が使用できる。一例として、ゾルゲル(sol−gel)法も使用できる。しかし、これらは、金属分離膜のように表面粗さが非常に小さい平板の表面にコートする場合、割れ目(crack)または剥離が発生して完全な遮蔽は不可能である。本発明のように金属とセラミック粒子を1μm以下、好ましくは300nm以下、さらに好ましくは100nm以下の粒径に成長させるとき、コーティング粒子の接触面積が非常に小さく、金属とセラミックのサーメットの形態で存在するため、熱膨張による剥離も抑制することができて分離膜保護層としての役割を果たすことができる。すなわち、ゾルゲルやCVDのようにナノ粒子が多層構造にコートされるとき、これらは熱処理過程において3次元ネットワーク形態で焼結が行われ、大きい塊を形成して金属の表面からの剥離可能性が非常に高い。さらに、金属とセラミックの均一な混合体の構成も難しい。よって、本発明に係る分離膜保護層は金属とセラミックのサーメットの形態に成長させることが好ましい(図4c参照)。
以下、本発明の内容を実施例によってさらに具体的に説明する。しかし、これらの実施例は本発明をより詳細に説明するためのものであって、本発明の権利範囲を限定するものではない。
<実施例>
平均粒径2μmの微細ニッケルパウダーを用いて多孔性支持体を成形し、水素雰囲気下で熱処理(900℃、2時間)して強度を与えた。次いで、湿式研磨して表面粗さを100nm以下と調節した。その上部にパラジウムと銀を順次コート(DC sputter)し、水素雰囲気下で熱処理することにより、水素が透過できるコーティング膜(2.5μmの厚さ)を製造した(図4aおよび図4b)。
前記水素分離膜の表面にPdとα−Al23ターゲットが取り付けられたスパッタを用いて(RF power)30分間同時コーティングを行った。水素分離膜は、コーティングの前にH2/Arガス雰囲気下で10分間プラズマ前処理を施した。その後、コーティングチャンバーの圧力が10-6torrとなるまで真空を与えた後、コーティング(20mtorr)を行った。
コーティングの結果、図4cおよび図4dに示すように、微細なカラム形状に成長(コート)しており、その直径は図4cに示すように約100nmであった。保護層の断面は、分離層の断面をよく観察するために、切断し易いシリコンウエハーに保護層をコートして観察した。コーティングの結果、コーティング層は600nm水準の薄膜であった。分離膜保護層は分離膜の性能に影響を大きく及ぼしてはならない。本発明では、分離膜保護層として、水素分子および水素原子を表面移動させることができる金属をコートしたので、図5に示すように、分離膜に保護層を形成しても、分離膜の水素透過特性には大きく影響を及ぼさなかったことが分かる。分離膜の透過度を測定するために高圧単位モジュールを使用し、400℃で圧力別に測定した。分離膜の前後における差圧16barまで水素透過度を測定した結果、保護層がコートされた分離膜はコーティング前の分離膜とほぼ差(最大6%の差)がなかった。
上述したように、本発明の好適な実施例を参照して説明したが、該当技術分野における通常の知識を有する者であれば、下記特許請求の範囲に記載された本発明の思想および領域から外れない範疇内において、本発明に様々な修正および変更を加え得ることが理解できるであろう。
本発明の分離膜保護層は、水素分離膜を用いる様々な工程で、ガス中に含まれる粒子状による分離膜の物理化学的な変形および破壊を防止することができる。よって、高価な分離膜の耐久性の向上による競争力の強化を期待することができ、特に、分離膜と触媒が連携された工程は、改質触媒自体による分離膜の汚染を遮断することができる触媒層と分離膜とが一体化されたコンパクトな工程を提供することができるので、産業上利用可能性がある。
10、30 水素分離装置
12、32 原料供給管
14、34 残余排出管
16、36 水素排出管
18、38 原料側空間
20、40 分離側空間
22、42 改質触媒層
100、200 水素分離膜
102、202 分離膜支持体
104、204 分離膜層
200、210 分離膜保護層
206 サーメットカラム
208 空隙

Claims (7)

  1. 緻密質水素分離膜層の表面に、水素分子および水素原子を表面移動させることができる金属とセラミックのコーティングで形成されたサーメット(cermet)形態の分離膜保護層。
  2. 分離膜保護層の厚さは50nm〜3μmであり、保護層としてコーティングされた金属とセラミックの平均粒径は5nm〜2μmであることを特徴とする、請求項1に記載の分離膜保護層。
  3. 分離膜保護層が持つ気孔率が5〜50%であることを特徴とする、請求項1に記載の分離膜保護層。
  4. セラミック成分は、酸化物系、非酸化物系、窒化物系またはこれらの組み合わせを使用することを特徴とする、請求項1に記載の分離膜保護層。
  5. 前記サーメットはカラム(column)形状を有することを特徴とする、請求項1に記載の分離膜保護層。
  6. 前記サーメットの間には空隙が形成され、前記緻密質水素分離膜層の表面の一部が露出することを特徴とする、請求項1に記載の分離膜保護層。
  7. 緻密質水素分離膜層の表面に金属とセラミックをコーティングしてサーメットを形成させる段階を含む、水素分離膜の保護層の製造方法。
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