JP4729755B2 - 複合膜、その製造方法及び水素分離膜 - Google Patents
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Description
また、水素透過性金属はナノサイズに小さくすることにより、その水素脆性が緩和されることが報告されている(非特許文献2、3参照)。
本発明においては、さらには、この内層部構造について、多孔質材の細孔隙を小さくし、微細化することで、充填されるパラジウム等の金属の量を少なくでき、さらには該細孔隙をナノサイズのオーダー、例えば1〜100nmなどに微細化することで金属に水素透過性金属を用いても該細孔隙への充填サイズも該細孔隙サイズに制約されて微細化されてナノサイズのオーダーとなるためその水素脆性を緩和させることが可能になる。
また、多孔質材をこのような微細孔隙のものとするには、多孔質材を微粒子由来のものとし、例えば微粒子を集成して微粒子間の空隙を小さくさせるなどとするのがよく、実際にはパラジウム等の金属の種核の存在する個所において優先的に金属の析出が起こるという無電解メッキの特徴を利用するなどして、多孔質基材表面に金属種核を付与した微粒子層を被覆し、さらにその上に多孔質保護層を被覆した後、無電解メッキを施すなどして、多孔質基材、金属担持微粒子と該微粒子間の空隙に充填され該空隙を閉塞する該金属とからなる金属緻密充填材及び多孔質保護材を順に成層してなる複合膜とすることができる。
(1)多孔質基材、担体微粒子含有被着物の焼成物に金属種核を担持させてなるか或いは金属種核を担持させた担体微粒子を含有する被着物を焼成してなる担持多孔質材、及び多孔質保護材を順に成層した後、担持多孔質材の担持金属種核を種核としてパラジウムもしくはパラジウム合金の無電解メッキを施し、金属緻密充填層を形成することを特徴とする水素分離膜の製造方法。
(2)多孔質材及び多孔質保護材が多孔質基材より小さい平均細孔径を有する前記(1)記載の水素分離膜の製造方法。
(3)多孔質材及び多孔質保護材が微粒子由来のものである前記(1)又は(2)記載の水素分離膜の製造方法。
(4)多孔質材及び多孔質保護材が多孔質セラミックスからなる前記(1)ないし(3)のいずれかに記載の水素分離膜の製造方法。
(5)多孔質セラミックスがセラミックス微粒子含有被着物の焼成物である前記(4)記載の水素分離膜の製造方法。
(6)多孔質基材が多孔質セラミックス又は多孔質金属からなる前記(1)ないし(5)のいずれかに記載の水素分離膜の製造方法。
(7)多孔質セラミックスが酸化物、窒化物及び炭化物の中から選ばれた少なくとも1種である前記(4)ないし(6)のいずれかに記載の水素分離膜の製造方法。
(8)多孔質セラミックスがアルミナ、ジルコニア、チタニア、ニオビア、セリア、シリカ、コージェライト、ムライト、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化ニッケル、酸化コバルト、酸化鉄、酸化クロム、酸化マンガン、酸化亜鉛、酸化タングステン及び酸化モリブデンの中から選ばれた少なくとも1種からなる前記(7)記載の水素分離膜の製造方法。
(9)多孔質基材がステンレス鋼、α−アルミナ、コージェライト、ムライト、窒化ケイ素及び炭化ケイ素の中から選ばれた少なくとも1種からなる管又は基板である前記(1)ないし(8)のいずれかに記載の水素分離膜の製造方法。
(10)多孔質材及び多孔質保護材が、γ−アルミナ、コージェライト、ムライト、窒化ケイ素及び炭化ケイ素の中から選ばれた少なくとも1種からなる前記(1)ないし(9)のいずれかに記載の水素分離膜の製造方法。
(11) 金属緻密充填層が、担体微粒子を含むスラリー、ペースト又はゾルを多孔質基材に被着させた被着物を適宜乾燥し焼成して得られた通気性担体多孔質材に金属種核を担持させるか、あるいは担体微粒子に金属種核を担持させてなる担持微粒子を含むスラリー、ペースト又はゾルを多孔質基材に被着させた被着物を適宜乾燥し焼成させるかして得られた担持多孔質材に、パラジウムもしくはパラジウム合金を無電解メッキにより析出させ充填させてなるものである前記(1)ないし(10)のいずれかに記載の水素分離膜の製造方法。
(12)多孔質基材が、平均細孔径0.05〜20μmのものである前記(1)ないし(11)のいずれかに記載の水素分離膜の製造方法。
(13)多孔質材が、平均細孔径1〜100nmのものである前記(1)ないし(12)のいずれかに記載の水素分離膜の製造方法。
(14)担体微粒子がセラミックスからなる前記(1)記載の水素分離膜の製造方法。
(15)無電解メッキを施す際に、メッキ液の進入・送入を真空吸引及び/又は加圧送給操作により補助する前記(1)ないし(14)のいずれかに記載の水素分離膜の製造方法。
この多孔質セラミックスについては、酸化物、窒化物及び炭化物の中から選ばれた少なくとも1種、例えばアルミナ、ジルコニア、チタニア、ニオビア、セリア、シリカ、コージェライト、ムライト、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化ニッケル、酸化コバルト、酸化鉄、酸化クロム、酸化マンガン、酸化亜鉛、酸化タングステン及び酸化モリブデンの中から選ばれた少なくとも1種などが挙げられ、中でもアルミナ、シリカ、ジルコニア、コージェライト、ムライト、窒化ケイ素、炭化ケイ素が好ましく、その他、多孔質ガラス、ゼオライトなどが挙げられる。
多孔質金属については、その構造上からは、金属不織布、金属粉焼結多孔体、金属穿孔体などが、その物性上からは耐熱性や耐食性を有する金属や合金、例えばニッケルやステンレス鋼などがそれぞれ挙げられる。
また、多孔質基材の形態としては管状、板状のものが挙げられる。
多孔質基材として、特に好ましくはステンレス鋼、α−アルミナ、コージェライト、ムライト、窒化ケイ素及び炭化ケイ素の中から選ばれた少なくとも1種からなる管又は基板が用いられる。
この多孔質材には多孔質基材より小さい平均細孔径、中でも1〜100nmの範囲の平均細孔径を有するものを用いるのが好ましく、また、耐熱性の観点からは好ましくは多孔質セラミックスや多孔質金属からなるもの、中でも多孔質セラミックスからなるものを用いるのが好ましく、また、微粒子由来のものを用いるのが好ましい。
この多孔質セラミックスについては、酸化物、窒化物及び炭化物の中から選ばれた少なくとも1種、例えばアルミナ、ジルコニア、チタニア、ニオビア、セリア、シリカ、コージェライト、ムライト、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化ニッケル、酸化コバルト、酸化鉄、酸化クロム、酸化マンガン、酸化亜鉛、酸化タングステン及び酸化モリブデンの中から選ばれた少なくとも1種などが挙げられ、中でもアルミナ、シリカ、ジルコニア、コージェライト、ムライト、窒化ケイ素、炭化ケイ素が好ましく、その他、多孔質ガラス、ゼオライトなどが挙げられる。
この微粒子由来の多孔質材は、微粒子としてセラミックスや金属、中でもセラミックスからなるものを用いるのが好ましく、微粒子含有被着物の焼成物、例えば微粒子、適宜用いられるバインダーを溶媒に分散させたスラリーやペーストやゾルを多孔質基材に浸漬や塗布等の被着手法で被着し、得られた被着物を適宜乾燥し、通気性を保持しうる適当な高温で焼成してなるものや、溶射法によるものなどが挙げられる。
多孔質セラミックスには、その他、シリコンアルコキシド溶液を加水分解して得られるスラリーを多孔質基材に被着し、得られた被着物を適宜乾燥し、焼成してなるものも用いられる。
このように、多孔質セラミックスは、セラミックス微粒子由来のものが好ましく、このようなものとしては、セラミックス微粒子含有被着物の焼成物、例えばセラミックス微粒子、適宜用いられるバインダーを溶媒に分散させたスラリーやペーストやゾルを多孔質基材に浸漬や塗布等の被着手法で被着し、得られた被着物を適宜乾燥し、焼成してなるものが挙げられる。
多孔質金属については、その構造上からは、金属不織布、金属粉焼結多孔体、金属穿孔体などが、その物性上からは耐熱性や耐食性を有する金属や合金、例えばニッケルやステンレス鋼などがそれぞれ挙げられる。
多孔質材として、好ましくはステンレス鋼、γ−アルミナ、コージェライト、ムライト、窒化ケイ素及び炭化ケイ素の中から選ばれた少なくとも1種からなるものが用いられる。
遷移金属としては、好ましくは周期律表の4族、5族、8族、9族、10族及び11族の金属の中から選ばれた少なくとも1種、中でも銀、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、金、白金、イリジウム、オスミウム、銅、ニッケル、コバルト、鉄、バナジウム及びチタンの中から選ばれた少なくとも1種が用いられる。
合金としては、例えばパラジウムと、銀、銅、ニッケル等の金属とから成るものなどが挙げられる。
遷移金属としては、好ましくは周期律表の4族、5族、8族、9族、10族及び11族の金属の中から選ばれた少なくとも1種、中でも銀、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、金、白金、イリジウム、オスミウム、銅、ニッケル、コバルト、鉄、バナジウム及びチタンの中から選ばれた少なくとも1種が用いられる。
合金としては、例えばパラジウムと、銀、銅、ニッケル等の金属とから成るものなどが挙げられる。
この多孔質セラミックスについては、酸化物、窒化物及び炭化物の中から選ばれた少なくとも1種、例えばアルミナ、ジルコニア、チタニア、ニオビア、セリア、シリカ、コージェライト、ムライト、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化ニッケル、酸化コバルト、酸化鉄、酸化クロム、酸化マンガン、酸化亜鉛、酸化タングステン及び酸化モリブデンの中から選ばれた少なくとも1種などが挙げられ、中でもアルミナ、シリカ、ジルコニア、コージェライト、ムライト、窒化ケイ素、炭化ケイ素が好ましく、その他、多孔質ガラス、ゼオライトなどが挙げられる。
この微粒子由来の多孔質材は、微粒子としてセラミックスや金属、中でもセラミックスからなるものを用いるのが好ましく、微粒子含有被着物の焼成物、例えば微粒子、適宜用いられるバインダーを溶媒に分散させたスラリーやペーストやゾルを多孔質基材上に設けた多孔質材に浸漬や塗布等の被着手法で被着し、得られた被着物を適宜乾燥し、通気性を保持しうる適当な高温で焼成してなるものや、溶射法によるものなどが挙げられる。
多孔質セラミックスには、その他、シリコンアルコキシド溶液を加水分解して得られるスラリーを多孔質基材上に設けた多孔質材に被着し、得られた被着物を適宜乾燥し、焼成してなるものも用いられる。
このように、多孔質セラミックスは、セラミックス微粒子由来のものが好ましく、このようなものとしては、セラミックス微粒子含有被着物の焼成物、例えばセラミックス微粒子、適宜用いられるバインダーを溶媒に分散させたスラリーやペーストやゾルを多孔質基材上に設けた多孔質材に浸漬や塗布等の被着手法で被着し、得られた被着物を適宜乾燥し、焼成してなるものが挙げられる。
多孔質金属については、その構造上からは、金属不織布、金属粉焼結多孔体、金属穿孔体などが、その物性上からは耐熱性や耐食性を有する金属や合金、例えばニッケルやステンレス鋼などがそれぞれ挙げられる。
多孔質保護材として、好ましくはステンレス鋼、γ−アルミナ、コージェライト、ムライト、窒化ケイ素及び炭化ケイ素の中から選ばれた少なくとも1種からなるものが用いられる。
前記各層の厚さは、通常、多孔質基材層では1〜10mm、金属緻密充填層では0.5〜20μm、多孔質保護層では0.5〜20μm、好ましくは、多孔質基材層では2〜5mm、金属緻密充填層では1〜5μm、多孔質保護層では1〜5μmの範囲とするのがよい。
多孔質の層において、平均細孔径については、通常、多孔質基材層では0.05〜10μm、多孔質保護層では1〜100nmの範囲、好ましくは、多孔質基材層では1〜5μm、多孔質保護層では1〜10nmの範囲とするのがよく、また、多孔度については、通常、多孔質基材層では0.2〜0.7cm3/g、多孔質保護層では0.3〜0.7cm3/gの範囲、好ましくは、多孔質基材層では0.4〜0.6cm3/g、多孔質保護層では0.4〜0.6cm3/gの範囲とするのがよい。
この製造法として好ましいのは、多孔質基材、担体微粒子含有被着物の焼成物に金属種核を担持させてなるか或いは金属種核を担持させた担体微粒子を含有する被着物を焼成してなる担持多孔質材、及び多孔質保護材を順に成層した後、担持多孔質材の担持金属種核を種核として無電解メッキを施し、金属緻密充填層を形成する方法であって、担体微粒子はセラミックスからなるのが好ましく、金属種核は無電解メッキの可能な金属(以下、メッキ金属ともいう)からなるのが好ましい。
さらにこの好適方法を詳しく説明すると、先ずメッキ金属が種核として担持された担持多孔質材で被覆された多孔質基材を次のようにして調製する。
すなわち、担体微粒子を含むスラリー、ペースト又はゾルを多孔質基材に被着させた被着物を適宜乾燥し焼成して得られた通気性担体多孔質材に金属種核を担持させるか、あるいは担体微粒子に金属種核を担持させてなる担持微粒子を含むスラリー、ペースト又はゾルを多孔質基材に被着させた被着物を適宜乾燥し焼成させる。
具体的には、例えば(1)担体微粒子を水に分散させてなるゾルに、メッキ金属の化合物、例えばパラジウム化合物等を加え、該微粒子表面にメッキ金属、例えばパラジウム等を吸着させ、これを多孔質基材に被着させた被着物を適宜乾燥し焼成させて多孔質基材を被覆する方法、(2)多孔質基材を、担体微粒子を水に分散させてなるゾルに浸漬し、焼成被覆後、ディップコーティング等によりメッキ金属種核、例えばパラジウム種核等を付与する方法などが用いられる。
このような調製方法において、多孔質基材に均一に被覆するには、管状の基材の場合は、微粒子の分散ゾルに浸して垂直に引き上げるディップコーティング法によるのがよく、また、板状の基材では、回転させた基材にゾルを垂らして被覆するスピンコーティング法によるのがよい。いずれもコーティング後、乾燥し、焼成することで被覆層が形成される。乾燥は、恒温恒湿の雰囲気で、焼成は400〜700℃、好ましくは500〜600℃の範囲の高温で行うのがよい。
このような多孔質基材の被覆は、好ましくは管状や板状の多孔質基材の一方の面、例えば外面或いは内面や、片面等に施すのがよい。
多孔質基材には、平均細孔径0.05〜20μmの範囲のものを用いるのが好ましい。
また、担体微粒子には、平均粒径1〜100nmの範囲のものを用いるのが好ましい。
この成層時の被覆処理は、微粒子、好ましくはセラミックス微粒子を水に分散したゾルをコーティングし、乾燥、焼成することにより行うのが好ましい。
セラミックス微粒子としては、例えばアルミナ、シリカ、チタニア、ジルコニア、セリア、窒化ケイ素などが挙げられる。
多孔質保護材には、平均細孔径1〜20nmの範囲のものを用いるのが好ましい。
無電解メッキ処理には、メッキ液として、金属イオン、錯形成剤、還元剤、溶剤を含むものを用いるのが好ましい。この金属イオンは、適当な金属塩、例えば酢酸塩、塩化物、硝酸塩、硫酸塩等のメッキ液成分として供され、該金属イオンに相応する金属としては、前記したように、無電解メッキの可能な金属、例えば遷移金属等が挙げられ、遷移金属として好ましくは周期律表の4族、5族、8族、9族、10族及び11族の金属の中から選ばれた少なくとも1種、中でも銀、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、金、白金、イリジウム、オスミウム、銅、ニッケル、コバルト、鉄、バナジウム及びチタンの中から選ばれた少なくとも1種が挙げられる。
錯形成剤は、金属イオンを安定に溶存させるものであればよく、その例として好ましくはアンモニアとキレート剤との組合せ、中でもアンモニアとEDTAとの組合せが挙げられ、キレート剤としては、EDTAの他、NTA(ニトリロトリ酢酸)や、クエン酸、酒石酸等の脂肪族オキシ酸などが挙げられる。
還元剤としては、ヒドラジン、グルコース、アルデヒド類、水素化ホウ素ナトリウム、塩化スズなどが挙げられる。
溶剤としては、錯形成剤の種類等にもよるが、水、アセトニトリル、ベンゼン、クロロホルムなどの有機溶媒などが挙げられる。
メッキ液組成について、例えば金属イオン、キレート剤、アンモニア及び還元剤を含有する場合、各濃度は、0.001〜0.02M、0.01〜0.5M、5〜10M及び0.05〜0.005Mの範囲でそれぞれ選ぶのがよい。
また、還元剤としては、塩化スズやヒドラジン等が好ましい。
真空吸引操作における真空度は、10mmHg以下とするのがよいが、空隙がナノメーターサイズと極めて微小の場合には1mmHg以下とするのが望ましい。
そして、本発明方法によれば、基材の上に被覆した担持多孔質材の細孔隙にパラジウム等の金属を充填するに当り、無電解メッキの可能な金属、例えばパラジウム等を充填する層にのみ該金属の種核を播種しておき、該中間層を多孔質保護層で被覆して、無電解メッキを施すので種核の分布する中間に優先的に該金属をメッキすることができ、また、保護層により、機械的な損傷が防止され、また、多孔質材の細孔隙への充填のため、該金属の使用量を節減することができる。
このような好適な複合膜であって、金属緻密充填材の金属として水素選択透過性金属を用いたものは、水素分離膜として有用である。
本発明方法としては、α−アルミナ等のセラミックスからなる多孔質基材に、該セラミックスより粒径の小さい、γ−アルミナ等のセラミックスからなる担体微粒子に無電解メッキの可能な金属を種核として担持してなる金属担持微粒子由来の多孔質材、及び多孔質基材におけるセラミックスより粒径の小さい、γ−アルミナ等のセラミックスからなる多孔質保護材を順に成層し、無電解メッキを施して種核の付与された金属担持多孔質材の細孔に金属を充填することを特徴とする複合膜の製造方法が特に好ましく、中でも無電解メッキの際に細孔内にメッキ液が浸入しやすくするように真空吸引を施し、無電解メッキの可能な金属としてパラジウム又はパラジウム合金を用いるのがよい。
なお、%は質量基準による。
ガラス管に、γ−アルミナ微粒子を6%濃度で水に分散させたゾルを30ml入れ、このゾルに、α−アルミナ製多孔質管[内径1.6mm、外径2.0mm、多孔質部分(平均細孔径0.15μm、多孔度0.43cm3/g)10cmを残して両端をガラスエナメルで被覆]の両端をキャップして防水した膜基材を、該多孔質管内部を真空吸引しながら10秒間浸漬し、毎秒1cmの速さで垂直に引き上げ、風乾して該多孔質管にγ−アルミナ微粒子を被着させた。以上の操作は室温で行った。
次いで、この膜基材を環状電気炉にて室温から毎分1℃ずつ600℃まで昇温し、次いで600℃で3時間焼成した。
このようなディップコーティングと焼成の一連の操作を3回繰り返した。このようにして、表面がγ−アルミナ微粒子で被覆された多孔質管を得た。
この管を水で洗浄し110℃で乾燥した。
この一連の操作を5回繰り返し、γ−アルミナ表面層にパラジウムの種核を析出させた多孔質管を得た。その断面の電子顕微鏡写真を図3に示す。
次いで、多孔質管を環状電気炉にて室温から毎分1℃ずつ600℃まで昇温し、次いで600℃で3時間焼成した。室温に戻す際に水素を毎分20ml流し還元雰囲気とした。この水素雰囲気下での処理により、パラジウム種核は金属パラジウムに還元された。
このようにして得られた管構造体について、室温〜300℃において4気圧に加圧された窒素の透過度を調べたところ、0.1ml/min以下と極めて小さく、これにより該構造体は窒素をほとんど透過させない金属パラジウムで緻密に充填されていることが確認された。
この管構造体の断面の電子顕微鏡写真を図4に示す。また、この管の断面におけるパラジウムとアルミナの元素分布状態を図5に分析図として示す。
この管を、パラジウムの充填された層に達するまで切削し、透過型電子顕微鏡写真で観察した。その切削面の透過型電子顕微鏡写真を図6に示す。
図6において、黒い点状部はパラジウムであり、これより、パラジウムがナノサイズのレベルに微細化されていることが分かる。
このようにして得られた管構造体について、室温〜300℃において4気圧に加圧された窒素の透過度を調べたところ、0.1ml/min以下と極めて小さく、これにより該構造体は窒素をほとんど透過させない金属パラジウムで緻密に充填されていることが確認された。
実施例1で作製した管による気体透過試験を行った。一端を閉じた管をガス導入口と排出口を持つシリンダーに固定し、環状電気炉内に設置する。管の外側より水素ないし窒素を加圧下で送る。水素ないし窒素の圧力を変えて、膜を透過した気体を石けん膜流量計により測定する。水素の透過速度と窒素の透過速度をy軸、膜内外のガス圧の差をx軸としてプロットした結果を図7にグラフ(−○−)で示す。
実施例1で作製した管に代えて比較例1で作製した管を用いた以外は応用例1と同様にして気体透過試験を行った。水素の透過速度と窒素の透過速度をy軸、膜内外のガス圧の差をx軸としてプロットした結果を図7にグラフ(−●−)で示す。
Claims (15)
- 多孔質基材、担体微粒子含有被着物の焼成物に金属種核を担持させてなるか或いは金属種核を担持させた担体微粒子を含有する被着物を焼成してなる担持多孔質材、及び多孔質保護材を順に成層した後、担持多孔質材の担持金属種核を種核として、パラジウムもしくはパラジウム合金の無電解メッキを施し、金属緻密充填層を形成することを特徴とする水素分離膜の製造方法。
- 多孔質材及び多孔質保護材が多孔質基材より小さい平均細孔径を有する請求項1記載の水素分離膜の製造方法。
- 多孔質材及び多孔質保護材が微粒子由来のものである請求項1又は2記載の水素分離膜の製造方法。
- 多孔質材及び多孔質保護材が多孔質セラミックスからなる請求項1ないし3のいずれかに記載の水素分離膜の製造方法。
- 多孔質セラミックスがセラミックス微粒子含有被着物の焼成物である請求項4記載の水素分離膜の製造方法。
- 多孔質基材が多孔質セラミックス又は多孔質金属からなる請求項1ないし5のいずれかに記載の水素分離膜の製造方法。
- 多孔質セラミックスが酸化物、窒化物及び炭化物の中から選ばれた少なくとも1種である請求項4ないし6のいずれかに記載の水素分離膜の製造方法。
- 多孔質セラミックスがアルミナ、ジルコニア、チタニア、ニオビア、セリア、シリカ、コージェライト、ムライト、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化ニッケル、酸化コバルト、酸化鉄、酸化クロム、酸化マンガン、酸化亜鉛、酸化タングステン及び酸化モリブデンの中から選ばれた少なくとも1種からなる請求項7記載の水素分離膜の製造方法。
- 多孔質基材がステンレス鋼、α−アルミナ、コージェライト、ムライト、窒化ケイ素及び炭化ケイ素の中から選ばれた少なくとも1種からなる管又は基板である請求項1ないし8のいずれかに記載の水素分離膜の製造方法。
- 多孔質材及び多孔質保護材が、γ−アルミナ、コージェライト、ムライト、窒化ケイ素及び炭化ケイ素の中から選ばれた少なくとも1種からなる請求項1ないし9のいずれかに記載の水素分離膜の製造方法。
- 金属緻密充填層が、担体微粒子を含むスラリー、ペースト又はゾルを多孔質基材に被着させた被着物を適宜乾燥し焼成して得られた通気性担体多孔質材に金属種核を担持させるか、あるいは担体微粒子に金属種核を担持させてなる担持微粒子を含むスラリー、ペースト又はゾルを多孔質基材に被着させた被着物を適宜乾燥し焼成させるかして得られた担持多孔質材に、パラジウムもしくはパラジウム合金を無電解メッキにより析出させ充填させてなるものである請求項1ないし10のいずれかに記載の水素分離膜の製造方法。
- 多孔質基材が、平均細孔径0.05〜20μmのものである請求項1ないし11のいずれかに記載の水素分離膜の製造方法。
- 多孔質材が、平均細孔径1〜100nmのものである請求項1ないし12のいずれかに記載の水素分離膜の製造方法。
- 担体微粒子がセラミックスからなる請求項1記載の水素分離膜の製造方法。
- 無電解メッキを施す際に、メッキ液の進入・送入を真空吸引及び/又は加圧送給操作により補助する請求項1ないし14のいずれかに記載の水素分離膜の製造方法。
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Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5273496B2 (ja) * | 2006-12-28 | 2013-08-28 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 水素分離用金属細管及びその製造方法 |
JP4998881B2 (ja) * | 2007-07-17 | 2012-08-15 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 高耐久性水素分離膜及びその製造方法 |
US7682431B1 (en) * | 2008-11-12 | 2010-03-23 | Lam Research Corporation | Plating solutions for electroless deposition of ruthenium |
JP5173931B2 (ja) * | 2009-05-20 | 2013-04-03 | 大日本印刷株式会社 | 水素選択透過膜およびその製造方法 |
KR101336768B1 (ko) * | 2011-07-22 | 2013-12-16 | 한국에너지기술연구원 | 수소 분리막 보호층 및 이의 코팅방법 |
EP2596851B1 (en) | 2011-11-24 | 2017-08-16 | Samsung Electronics Co., Ltd | Separation membrane, and apparatus including the separation membrane |
US9073007B2 (en) | 2012-02-15 | 2015-07-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Separation membrane, hydrogen separation membrane including the separation membrane, and hydrogen purifier including the hydrogen separation membrane |
US8900345B2 (en) | 2012-03-19 | 2014-12-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Separation membrane, hydrogen separation membrane including the separation membrane, and device including the hydrogen separation membrane |
JP6474953B2 (ja) * | 2013-07-10 | 2019-02-27 | 日本特殊陶業株式会社 | 水素分離体及び水素分離体を用いた水素製造装置 |
JP6208067B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2017-10-04 | 公益財団法人地球環境産業技術研究機構 | 多孔質基材の内部に薄膜化した金属充填層を有する複合体の製造方法および複合体 |
KR101763609B1 (ko) * | 2014-08-13 | 2017-08-02 | 한국과학기술연구원 | 폴리벤지이미다졸계 고분자 막을 지지체로 하는 팔라듐 도금 분리막 및 그 제조 방법 |
CN106145517A (zh) * | 2016-06-28 | 2016-11-23 | 董超超 | 一种多级接触氧化污水处理设备 |
CN106145264A (zh) * | 2016-06-28 | 2016-11-23 | 董超超 | 一种水处理复合过滤膜 |
CN106145414A (zh) * | 2016-06-28 | 2016-11-23 | 董超超 | 一种用于处理油污的过滤处理装置 |
EP3551322A2 (en) | 2016-12-08 | 2019-10-16 | Technische Universiteit Eindhoven | Advanced double skin membranes for membrane reactors |
JP7561466B2 (ja) | 2021-04-25 | 2024-10-04 | 南京瀚深材料科技股▲分▼有限公司 | ハイスループット炭化ケイ素セラミックろ過膜及びその調製方法 |
KR102662451B1 (ko) * | 2023-11-10 | 2024-05-03 | (주)파인텍 | 딥 코팅 방법에 의한 알루미나 튜브형 세라믹 분리막 제조방법 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06277472A (ja) * | 1993-03-31 | 1994-10-04 | Ngk Insulators Ltd | ガス分離体及びその製造方法 |
JPH0929079A (ja) * | 1995-07-17 | 1997-02-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 水素分離膜の製造方法 |
JPH1157433A (ja) * | 1997-08-27 | 1999-03-02 | Tonen Corp | 水素分離材料 |
JPH11114388A (ja) * | 1997-10-13 | 1999-04-27 | Tonen Corp | 水素分離材料 |
JP2003190748A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-08 | Ngk Insulators Ltd | ガス分離体の製造方法 |
JP2005013853A (ja) * | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Ngk Insulators Ltd | 水素分離体及びその製造方法 |
-
2005
- 2005-09-05 JP JP2005256411A patent/JP4729755B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06277472A (ja) * | 1993-03-31 | 1994-10-04 | Ngk Insulators Ltd | ガス分離体及びその製造方法 |
JPH0929079A (ja) * | 1995-07-17 | 1997-02-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 水素分離膜の製造方法 |
JPH1157433A (ja) * | 1997-08-27 | 1999-03-02 | Tonen Corp | 水素分離材料 |
JPH11114388A (ja) * | 1997-10-13 | 1999-04-27 | Tonen Corp | 水素分離材料 |
JP2003190748A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-08 | Ngk Insulators Ltd | ガス分離体の製造方法 |
JP2005013853A (ja) * | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Ngk Insulators Ltd | 水素分離体及びその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015016419A (ja) * | 2013-07-10 | 2015-01-29 | 日本特殊陶業株式会社 | 水素分離体及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006095521A (ja) | 2006-04-13 |
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