JP2014150235A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】高品質および低コストの半導体を製造する半導体製造方法を提供する。
【解決手段】第1表面111を有する第1基板110を提供する。第1軟化点(first softening point)を有する結合部および底部を有する第1金属バンプを提供し、底部が結合部と第1基板110との間に位置するよう、第1金属バンプを第1表面111に設ける。第2表面121を有する第2基板120を提供する。第2金属バンプ122を第2表面121に設ける。加熱を実行して、第1金属バンプを軟化状態にする。第1表面111と第2表面121とを対向させ、第2金属バンプ122が第1金属バンプの軟化後の結合部112b’に嵌入され、軟化後の結合部112b’が受圧によって第2金属バンプ122を覆う頂面122cと側壁122dに延在し、第1金属バンプの軟化後の底部112a’を第2金属バンプ122と第1基板110との間に位置させる。
【選択図】図1C
【解決手段】第1表面111を有する第1基板110を提供する。第1軟化点(first softening point)を有する結合部および底部を有する第1金属バンプを提供し、底部が結合部と第1基板110との間に位置するよう、第1金属バンプを第1表面111に設ける。第2表面121を有する第2基板120を提供する。第2金属バンプ122を第2表面121に設ける。加熱を実行して、第1金属バンプを軟化状態にする。第1表面111と第2表面121とを対向させ、第2金属バンプ122が第1金属バンプの軟化後の結合部112b’に嵌入され、軟化後の結合部112b’が受圧によって第2金属バンプ122を覆う頂面122cと側壁122dに延在し、第1金属バンプの軟化後の底部112a’を第2金属バンプ122と第1基板110との間に位置させる。
【選択図】図1C
Description
本発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。
現在、半導体における前段の実装技術のマイクロエレクトロメカニカル・システム(Micro Electro Mechanical Systems、 MEMS)実装技術は、ワイヤボンディング(wire bonding)技術とガラスセメント技術から金属と金属とを実装する技術へと進展および変化している。
然しながら、前述した従来の技術では、後のプロセスにおいて、半田付け用フラックス又は高温プロセスが不可能となることから、コストが低い表面実装技術(Surface Mount Technology、 SMT)で後の実装を行なうことができず、実装コストの全般を低減することができなかった。
本発明は、このような従来の問題に鑑みてなされたものである。上記課題を解決するため、本発明は、高品質および低コストの半導体を製造する半導体製造方法を提供することを目的とする。
本発明による半導体装置の製造方法は、まず、第1表面を有する第1基板を提供する。そして、第1軟化点(first softening point)を有する金属からなる結合部、および、底部を有する第1金属バンプを提供し、底部が前記結合部と第1基板との間に位置するよう、第1金属バンプを第1表面に設ける。次に、第2表面を有する第2基板を提供する。続いて、頂面および側壁を有し、第1軟化点より大きい第2軟化点(second softening point)を有する金属からなる第2金属バンプを提供し、第2金属バンプを第2表面に設ける。続いて、加熱を実行して、第1金属バンプを軟化状態にする。最後に、第1表面と第2表面とを対向させ、第2金属バンプが第1金属バンプの軟化状態の結合部に嵌入され、軟化状態の結合部が受圧によって第2金属バンプを覆う頂面と側壁に延在し、第1金属バンプの底部を第2金属バンプと第1基板との間に位置させる。ここで、第1軟化点および第2軟化点は金属が軟化する臨界温度をいう。
本発明による半導体装置の製造方法は、加熱ステップによって第1金属バンプを軟化状態にした上で、第1基板と第2基板とを圧接して、第2金属バンプを結合部に嵌入する。結合部が受圧によって第2金属バンプを覆う頂面および側壁に延在して、金属間化合物(Intermetallic Compound、IMC) を形成する。これにより、第1基板が半田付け用フラックスを必要とせずに、第2基板と電気的に接続することができ、後段プロセスでは半田付け用フラックス清洗ステップが不要となる。また、圧接温度より高温の熱プロセスや環境テストに耐えられ、高品質および低コストを実現することができる。
以下に図面を参照して本発明の実施形態について、詳細に説明する。なお、本発明は、以下に説明する実施形態に限定されるものではない。
(第1実施形態)
まず、本発明の第1実施形態による半導体装置の製造方法について説明する。本発明の第1実施形態による半導体装置の製造方法を図1Aから図1Dに示す。図1Aに示すように、第1表面111と前記第1表面111に形成された少なくとも1つの第1金属バンプ112が設けられている第1基板110を提供する。この好ましい実施形態では、第1基板110は、第1表面111に形成された少なくとも1つの金属層113と接合層114をさらに有する。第1金属バンプ112は第1バンプの金属層113を覆い、第1金属バンプ112は底部112aと結合部112bを有し、結合部112bは第1軟化点(first softening point)を有する金属から形成される。底部112aは結合部112bと第1基板110の間に位置し、接合層114は第1金属バンプ112の底部112aと第1基板110の間に位置する。よって第1金属バンプ112の使用量が低減される。第1金属バンプ112の材質は金より選択され、接合層114の材質は銅より選択される。
(第1実施形態)
まず、本発明の第1実施形態による半導体装置の製造方法について説明する。本発明の第1実施形態による半導体装置の製造方法を図1Aから図1Dに示す。図1Aに示すように、第1表面111と前記第1表面111に形成された少なくとも1つの第1金属バンプ112が設けられている第1基板110を提供する。この好ましい実施形態では、第1基板110は、第1表面111に形成された少なくとも1つの金属層113と接合層114をさらに有する。第1金属バンプ112は第1バンプの金属層113を覆い、第1金属バンプ112は底部112aと結合部112bを有し、結合部112bは第1軟化点(first softening point)を有する金属から形成される。底部112aは結合部112bと第1基板110の間に位置し、接合層114は第1金属バンプ112の底部112aと第1基板110の間に位置する。よって第1金属バンプ112の使用量が低減される。第1金属バンプ112の材質は金より選択され、接合層114の材質は銅より選択される。
続いて、図1Bに示すように、第2表面121と第2表面121に形成された少なくとも1つの第2金属バンプ122が設けられている第2基板120を提供する。本実施形態では、第2基板120の第2表面121に形成された少なくとも1つの第2バンプの金属層123をさらに備える。第2金属バンプ122は第2バンプの金属層123を覆い、台座層122aおよびハウジング層122bからなる。ハウジング層122bは台座層122aを覆う。台座層122aの材質は銅より選択され、ハウジング層122bの材質は錫又は錫と銀の合金より選択される。第2金属バンプ122は第2軟化点(second softening point)を有する金属から形成され、第1金属バンプ112の結合部112bを形成する金属の第1軟化点は第2金属バンプ122を形成する金属の第2軟化点より小さい。第2金属バンプ122は頂面122cと側壁122dを有する。
次は、図1Cに示すように、加熱ステップを実行して、第1金属バンプ112、底部112a、および結合部112bを軟化状態にする。
最後に、図1Dに示すように、第1基板110と第2基板120とを圧接する。第1表面111と第2表面121とを対向させ、第2金属バンプ122を軟化後の第1金属バンプ112’の軟化後の結合部112b’に嵌入させる。軟化後の結合部112b’が受圧によって第2金属バンプ122を覆う頂面122cと側壁122dに延在して、半導体装置100を形成すると、軟化後の第1金属バンプ112’の軟化後の底部112a’は第2金属バンプ122と第1基板110との間に位置する。接合層114は軟化後の第1金属バンプ112’の軟化後の底部112a’と第1基板110との間に位置する。
本実施形態は、加熱と圧接のステップにより第2金属バンプ122を、第1金属バンプ112に嵌入する。第1金属バンプ112の結合部112bを形成する金属の第1軟化点が第2金属バンプ122を形成する金属の第2軟化点より小さいことから、加熱と圧接のステップを実行すると、第2金属バンプ122は軟化後の第1金属バンプ112’の軟化後の結合部112b’に嵌入可能となり、軟化後の結合部112b’は受圧により第2金属バンプ122を覆う頂面122cと側壁122dに延在する。よって、第1基板110と第2基板120とが電気的に接続される。軟化後の第1金属バンプ112’の軟化後の底部112a’は第2金属バンプ122と第1基板110との間に位置し、半田付け用フラックスが不要であり、後段のプロセスで圧接温度より高温の熱プロセスや環境テストに耐えられ、半田付け用フラックス洗浄ステップが不要であることで、高品質および低コストを実現することができる。
図1Dは、本発明の半導体装置100を示す。半導体装置100は、少なくとも第1基板110、第2基板120、軟化後の第1金属バンプ112’、および第2金属バンプ122から構成される。第1基板110は第1表面111を有する。軟化後の第1金属バンプ112’は、少なくとも1つの第1バンプの金属層113、及び接合層114を有する。軟化後の第1金属バンプ112’および第1バンプの金属層113は第1表面111に形成され、軟化後の第1金属バンプ112’は第1バンプの金属層113を覆う。軟化後の第1金属バンプ112’は軟化後の底部112a’と軟化後の結合部112b’を有する。軟化後の結合部112b’は第1軟化点を有し、軟化後の底部112a’は軟化後の結合部112b’と第1基板110との間に位置する。接合層114は軟化後の第1金属バンプ112’の軟化後の底部112a’と第1基板110との間に位置する。本実施形態では、軟化後の第1金属バンプ112’の材質は金であり、接合層114の材質は銅である。接合層114は軟化後の第1金属バンプ112’の使用量を低減するためのものである。
第2基板120は、第2表面121、少なくとも1つの第2金属バンプ122、及び少なくとも1つの第2バンプの金属層123を備える。第2表面121は第1表面111に対向し、第2金属バンプ122、および、第2バンプ金属層123は、第2表面121に形成されている。第2金属バンプ122は第2バンプ金属層123を覆う。第2金属バンプ122は、頂面122cおよび側壁122dを有し、第2軟化点を有する金属から形成される。軟化後の第1金属バンプ112’の軟化後の結合部112b’を形成する金属の第1軟化点は、第2金属バンプ122を形成する金属の第2軟化点より小さい。
本実施形態では、第2金属バンプ122は台座層122aとハウジング層122bからなり、ハウジング層122bは台座層122aを覆う。台座層122aの材質は銅であり、ハウジング層122bの材質は錫又は錫と銀の合金である。このうち、第2金属バンプ122は軟化後の第1金属バンプ112’の軟化後の結合部112b’ に嵌入される。軟化後の結合部112b’が受圧により第2金属バンプ122を覆う頂面122cと側壁122dに延在する。第1金属バンプ112’の軟化後の底部112a’は第2金属バンプ122と第1基板110との間に位置する。軟化後の結合部112b’が受圧により第2金属バンプ122を覆う頂面122cと側壁122dに延在することで、半導体装置100は、半田付け用フラックスが不要となる状態で、第1基板110と第2基板120とが電気的接続する。よって、後の半田付け用フラックス洗浄のステップが省略され、軟化後の第1金属バンプ112’の材質が金である場合、酸化防止の効果を有する。
(第2実施形態)
次は、本発明の第2実施形態による半導体装置を図2に基づいて説明する。図2は、本発明の第2実施形態の半導体装置を示す模式図である。上述の第1実施形態との相違点は、第1基板110が軟化後の第1金属バンプ112’の軟化後の底部112a’と接合層114の間に位置する間隔層115をさらに有することにある。間隔層115の材質はニッケルであり、接合層114と軟化後の第1金属バンプ112’とが過度に結合するのを抑制する。
次は、本発明の第2実施形態による半導体装置を図2に基づいて説明する。図2は、本発明の第2実施形態の半導体装置を示す模式図である。上述の第1実施形態との相違点は、第1基板110が軟化後の第1金属バンプ112’の軟化後の底部112a’と接合層114の間に位置する間隔層115をさらに有することにある。間隔層115の材質はニッケルであり、接合層114と軟化後の第1金属バンプ112’とが過度に結合するのを抑制する。
(第3実施形態)
本発明の第3実施形態による半導体装置を図3に基づいて説明する。図3は本発明の第3実施形態の半導体装置を示す模式図である。上述の第1実施形態との相違点は、第1基板110が軟化後の第1金属バンプ112’と第1バンプの金属層113しか備えないことである。また、他の実施形態では、第2基板120の第2金属バンプ122は台座層122a(図示せず)しか備えない。
本発明の第3実施形態による半導体装置を図3に基づいて説明する。図3は本発明の第3実施形態の半導体装置を示す模式図である。上述の第1実施形態との相違点は、第1基板110が軟化後の第1金属バンプ112’と第1バンプの金属層113しか備えないことである。また、他の実施形態では、第2基板120の第2金属バンプ122は台座層122a(図示せず)しか備えない。
(第4実施形態)
本発明の第4実施形態による半導体装置を図4に基づいて説明する。図4は本発明の第4実施形態による半導体装置を示す模式図である。上述の第3実施形態との相違点は第2金属バンプ122の頂面122cが弧状であることにある。
本発明の第4実施形態による半導体装置を図4に基づいて説明する。図4は本発明の第4実施形態による半導体装置を示す模式図である。上述の第3実施形態との相違点は第2金属バンプ122の頂面122cが弧状であることにある。
以上、本発明はこのような実施形態に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の形態で実施することができる。
100・・・半導体装置、
110・・・第1基板、
111・・・第1表面、
112・・・第1金属バンプ、
112a・・・底部、
112b・・・結合部、
112’・・・軟化後の第1金属バンプ、
112a’・・・軟化後の底部、
112b’・・・軟化後の結合部、
113・・・第1バンプの金属層、
114・・・接合層、
115・・・間隔層、
120・・・第2基板、
121・・・第2表面、
122・・・第2金属バンプ、
122a・・・台座層、
122b・・・ハウジング層、
122c・・・頂面、
122d・・・側壁、
123・・・第2バンプの金属層。
110・・・第1基板、
111・・・第1表面、
112・・・第1金属バンプ、
112a・・・底部、
112b・・・結合部、
112’・・・軟化後の第1金属バンプ、
112a’・・・軟化後の底部、
112b’・・・軟化後の結合部、
113・・・第1バンプの金属層、
114・・・接合層、
115・・・間隔層、
120・・・第2基板、
121・・・第2表面、
122・・・第2金属バンプ、
122a・・・台座層、
122b・・・ハウジング層、
122c・・・頂面、
122d・・・側壁、
123・・・第2バンプの金属層。
本発明による半導体装置の製造方法は、まず、第1表面を有する第1基板を提供する。そして、第1軟化点(first softening point)を有する金属からなる結合部、および、底部を有し、前記底部と前記結合部とが同一材料により一体に形成されており、第1金属バンプを提供し、底部が前記結合部と第1基板との間に位置するよう、第1金属バンプを第1表面に設ける。次に、第2表面を有する第2基板を提供する。続いて、頂面および側壁を有し、第1軟化点より大きい第2軟化点(second softening point)を有する金属からなる第2金属バンプを提供し、第2金属バンプを第2表面に設ける。続いて、加熱を実行して、第1金属バンプを軟化状態にする。最後に、第1表面と第2表面とを対向させ、第2金属バンプが第1金属バンプの軟化状態の結合部に嵌入され、軟化状態の結合部が受圧によって第2金属バンプを覆う頂面と側壁に延在し、軟化後の前記底部が前記第2金属バンプにより貫通されず、第1金属バンプの底部を第2金属バンプと第1基板との間に位置させる。ここで、第1軟化点および第2軟化点は金属が軟化する臨界温度をいう。
Claims (10)
- 第1表面を有する第1基板を提供するステップと、
第1軟化点を有する金属からなる結合部、および、底部を有する第1金属バンプを提供し、前記底部が前記結合部と前記第1基板との間に位置するよう、前記第1金属バンプを前記第1表面に設けるステップと、
第2表面を有する第2基板を提供するステップと、
頂面および側壁を有し、前記第1軟化点より大きい第2軟化点を有する金属からなる第2金属バンプを提供し、前記第2金属バンプを前記第2表面に設けるステップと、
加熱を実行して、前記第1金属バンプを軟化状態にするステップと、
前記第1表面と前記第2表面とを対向させ、前記第2金属バンプが前記第1金属バンプの軟化状態の前記結合部に嵌入され、軟化状態の前記結合部が受圧によって前記第2金属バンプを覆う前記頂面と前記側壁に延在し、前記第1金属バンプの前記底部を前記第2金属バンプと前記第1基板との間に位置させるステップと、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1基板は、軟化過程を経て得られた前記第1金属バンプの前記底部と前記第1基板との間に接合層が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1基板は、軟化過程を経て得られた前記第1金属バンプの前記底部と前記接合層との間に間隔層が設けられていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2金属バンプは、台座層および前記台座層を覆うハウジング層からなることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 第1表面を有する第1基板と、
第1軟化点を有する金属からなる結合部、および、底部を有し、前記第1表面に形成され、前記底部が前記結合部と前記第1基板との間に位置し、軟化過程を経て得られた第1金属バンプと、
前記第1表面に対向する第2表面を有する第2基板と、
前記第2表面に形成され、頂面および側壁を有し、前記第1軟化点より大きい第2軟化点を有する金属からなる第2金属バンプと、を備え、
前記第2金属バンプは前記軟化後の第1金属バンプの前記軟化後の結合部に嵌入され、前記軟化後の結合部が受圧によって前記第2金属バンプを覆う前記頂面および前記側壁に延在し、前記軟化後の第1金属バンプの前記軟化後の底部が前記第2金属バンプと前記第1基板との間に位置することを特徴とする半導体装置。 - 前記第2金属バンプは、台座層および前記台座層を覆うハウジング層からなることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 前記第1基板は、軟化過程を経て得られた前記第1金属バンプの前記底部と前記第1基板との間に接合層が設けられていることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 前記第1基板は、軟化過程を経て得られた前記第1金属バンプの前記底部と前記接合層との間に間隔層が設けられていることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。
- 第1表面を有する第1基板を提供するステップと、
結合部および底部を有する第1金属バンプを提供し、前記底部が前記結合部と前記第1基板との間に位置するよう、前記第1金属バンプを前記第1表面に設けるステップと、
第2表面を有する第2基板を提供するステップと、
頂面および側壁を有する第2金属バンプを提供し、前記第2金属バンプを前記第2表面に設けるステップと、
加熱を実行して、前記第1金属バンプを軟化状態にするステップと、
前記第1表面と前記第2表面とを圧接し、前記第2金属バンプが前記第1金属バンプの軟化状態の前記結合部に嵌入され、軟化状態の前記結合部が受圧によって前記第2金属バンプを覆う前記頂面と前記側壁に延在し、前記第1金属バンプの前記底部を前記第2金属バンプと前記第1基板との間に位置させるステップと、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 第1表面を有する第1基板と、
結合部および底部を有し、前記第1表面に形成され、前記底部が前記結合部と前記第1基板との間に位置し、軟化過程を経て得られた第1金属バンプと、
前記第1表面に対向する第2表面を有する第2基板と、
前記第2表面に形成され、頂面および側壁を有する第2金属バンプと、を備え、
前記第2金属バンプは前記軟化後の第1金属バンプの前記軟化後の結合部に嵌入され、前記軟化後の結合部が受圧によって前記第2金属バンプを覆う前記頂面および前記側壁に延在し、前記軟化後の第1金属バンプの前記軟化後の底部が前記第2金属バンプと前記第1基板との間に位置することを特徴とする半導体装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022209978A1 (ja) * | 2021-03-30 | 2022-10-06 | 三井金属鉱業株式会社 | 多層基板の製造方法及び配線基板 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI542271B (zh) * | 2015-02-11 | 2016-07-11 | 旭德科技股份有限公司 | 封裝基板及其製作方法 |
JP6278498B1 (ja) * | 2017-05-19 | 2018-02-14 | 日本新工芯技株式会社 | リング状部材の製造方法及びリング状部材 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0410446A (ja) * | 1990-04-26 | 1992-01-14 | Nec Corp | バンプ電極結合の形成方法 |
JPH07169790A (ja) * | 1993-12-15 | 1995-07-04 | Fujitsu Ltd | フリップチップ接合方法 |
JPH07249632A (ja) * | 1994-03-09 | 1995-09-26 | Nec Corp | 電子部品の接続構造およびその製造方法 |
JPH10270498A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-09 | Toshiba Corp | 電子装置の製造方法 |
JPH11233561A (ja) * | 1998-02-12 | 1999-08-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体チップ部品の実装構造 |
JP2004119773A (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2009105119A (ja) * | 2007-10-22 | 2009-05-14 | Spansion Llc | 半導体装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5861678A (en) * | 1997-12-23 | 1999-01-19 | Micron Technology, Inc. | Method and system for attaching semiconductor dice to substrates |
US6543674B2 (en) * | 2001-02-06 | 2003-04-08 | Fujitsu Limited | Multilayer interconnection and method |
US6583517B1 (en) * | 2002-04-09 | 2003-06-24 | International Business Machines Corporation | Method and structure for joining two substrates with a low melt solder joint |
JP4104490B2 (ja) * | 2003-05-21 | 2008-06-18 | オリンパス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4171492B2 (ja) * | 2005-04-22 | 2008-10-22 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US7884483B2 (en) * | 2005-06-14 | 2011-02-08 | Cufer Asset Ltd. L.L.C. | Chip connector |
US7215032B2 (en) * | 2005-06-14 | 2007-05-08 | Cubic Wafer, Inc. | Triaxial through-chip connection |
JP2007043010A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の実装方法 |
KR20090096184A (ko) * | 2008-03-07 | 2009-09-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 패키지 |
KR101054294B1 (ko) * | 2008-04-14 | 2011-08-08 | 홍익대학교 산학협력단 | 접착제로 국부적으로 둘러싸인 범프/패드 접속부를 갖는플립칩 패키지와 그 제조방법 |
KR20120122637A (ko) * | 2011-04-29 | 2012-11-07 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 기판, 플립칩 패키지 및 그 제조방법 |
US8779588B2 (en) * | 2011-11-29 | 2014-07-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Bump structures for multi-chip packaging |
-
2013
- 2013-02-01 TW TW102104103A patent/TW201432826A/zh unknown
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0410446A (ja) * | 1990-04-26 | 1992-01-14 | Nec Corp | バンプ電極結合の形成方法 |
JPH07169790A (ja) * | 1993-12-15 | 1995-07-04 | Fujitsu Ltd | フリップチップ接合方法 |
JPH07249632A (ja) * | 1994-03-09 | 1995-09-26 | Nec Corp | 電子部品の接続構造およびその製造方法 |
JPH10270498A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-09 | Toshiba Corp | 電子装置の製造方法 |
JPH11233561A (ja) * | 1998-02-12 | 1999-08-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体チップ部品の実装構造 |
JP2004119773A (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2009105119A (ja) * | 2007-10-22 | 2009-05-14 | Spansion Llc | 半導体装置及びその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022209978A1 (ja) * | 2021-03-30 | 2022-10-06 | 三井金属鉱業株式会社 | 多層基板の製造方法及び配線基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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CN103972114A (zh) | 2014-08-06 |
TW201432826A (zh) | 2014-08-16 |
KR101469589B1 (ko) | 2014-12-05 |
KR20140099159A (ko) | 2014-08-11 |
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