JP2016178152A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本実施の形態に係るパワー半導体装置を示す模式図である。図2は、本実施の形態に係るパワー半導体装置の要部を示す断面概略図である。図1及び図2に示すように、本実施の形態に係るパワー半導体装置10は、絶縁層11及び一対の電極12を備えた絶縁基板13を具備する。一対の電極12は、絶縁層11を挟んで配置されている。
上述のパワー半導体装置10において、図2に示すように、半導体チップ16の下面縁部とブロック状電極14の表面とにわたって弧を描いてハンダ15からなる第1フィレット24が形成されている。さらに、ブロック状電極14の側面部と電極12の表面とにわたって弧を描いて余剰なハンダ15からなる第2フィレット25が形成されている。
ブロック状電極14は、上述の通り、半導体チップ16とほぼ同じ平面形状でわずかに大きいことが、第1フィレットを均一に形成し、応力集中を抑制し易くするため、好ましい。
次に、本実施の形態に係るパワー半導体装置10の製造方法について説明する。図6は、本実施の形態に係るパワー半導体装置の製造方法の各工程を示す模式図である。まず、絶縁基板13の電極12の表面上にブロック状電極14を配置し、型枠又は機械治具を用いて、ブロック状電極14の位置決めを行う。次に、図6Aに示すように、超音波圧接機61により、電極12及びブロック状電極14を超音波接合する。
11 絶縁層
12 電極
13 絶縁基板
14 ブロック状電極
15、20 ハンダ
16、16a、16b 半導体チップ
17 保護膜
18 接続ピン
19 配線基板
21、22 外部電極
23 封止樹脂
24 第1フィレット
25 第2フィレット
Claims (20)
- 絶縁層及び電極を備えた絶縁基板と、
前記絶縁基板の前記電極の表面に接合されたブロック状電極と、
前記ブロック状電極の表面に液体の状態で表面張力を発現する接着部材を介して接着された半導体チップと、
前記半導体チップに一端部が接合された接続ピンと、
前記接続ピンの他端部に接合された配線基板と、
前記絶縁基板、前記ブロック状電極、前記半導体チップ、前記接続ピン及び前記配線基板を封止する封止樹脂と、
を具備することを特徴とする半導体装置。 - 前記ブロック状電極は、前記半導体チップとほぼ同じ平面形状でわずかに大きいことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記接着部材がハンダであることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の半導体装置。
- 前記半導体チップ及び前記ブロック状電極の接合部分に前記接着部材からなる第1のフィレットが形成されていることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記ブロック状電極及び前記絶縁基板の前記電極の接合部分に前記接着部材からなる第2のフィレットが形成されていることを特徴とする請求項4記載の半導体装置。
- 前記半導体チップは、前記接着部材が液体の状態であるときの表面張力を利用して前記ブロック状電極の表面上で位置決めしたことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記ブロック状電極の表面にニッケルメッキ又は錫メッキが施されていることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記ブロック状電極を超音波接合により前記絶縁基板の前記電極と接合したことを特徴とする請求項1から請求項7のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記ブロック状電極を固層拡散接合により前記絶縁基板の前記電極と接合したことを特徴とする請求項1から請求項7のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記半導体装置がパワー半導体装置であることを特徴とする請求項1から請求項9のいずれかに記載の半導体装置。
- 絶縁層及び電極を備えた絶縁基板の前記電極の表面にブロック状電極を接合する工程と、
前記ブロック状電極の表面に液体の状態で表面張力を発現する接着部材を介して半導体チップを接着する工程と、
前記半導体チップと配線基板との間を接続ピンで接続する工程と、
前記絶縁基板、前記ブロック状電極、前記半導体チップ、前記接続ピン及び前記配線基板を封止樹脂で封止して半導体装置を得る工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ブロック状電極は、前記半導体チップとほぼ同じ平面形状でわずかに大きいことを特徴とする請求項11記載の半導体装置の製造方法。
- 前記接着部材がハンダであることを特徴とする請求項11又は請求項12記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体チップを前記ブロック状電極に接合する工程において、前記半導体チップ及び前記ブロック状電極の接合部分に前記接着部材からなる第1のフィレットを形成することを特徴とする請求項11から請求項13のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ブロック状電極及び前記絶縁基板の前記電極の接合部分に前記接着部材からなる第2のフィレットを形成することを特徴とする請求項14記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体チップは、前記接着部材が液体の状態であるときの表面張力を利用して前記ブロック状電極の表面上で位置決めし、その後前記接着部材を凝固させることで前記ブロック状電極の表面に接着することを特徴とする請求項11から請求項15のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ブロック状電極の表面にニッケルメッキ又は錫メッキが施されていることを特徴とする請求項11から請求項16のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ブロック状電極を超音波接合により前記絶縁基板の前記電極と接合することを特徴とする請求項11から請求項17のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ブロック状電極を固層拡散接合により前記絶縁基板の前記電極と接合することを特徴とする請求項11から請求項17のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体装置がパワー半導体装置であることを特徴とする請求項11から請求項19のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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