JPH04184943A - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
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- JPH04184943A JPH04184943A JP31517190A JP31517190A JPH04184943A JP H04184943 A JPH04184943 A JP H04184943A JP 31517190 A JP31517190 A JP 31517190A JP 31517190 A JP31517190 A JP 31517190A JP H04184943 A JPH04184943 A JP H04184943A
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- Japan
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- integrated circuit
- aluminum
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は電装品等、混成集積回路の構造に関するもの
である。
である。
第４図は従来の混成集積回路装置の半完成品の上面図、
第５図は第４図の装置の側面図、第６図は第４図に示す
Ａ−Ａにおける拡大断面図である。
第５図は第４図の装置の側面図、第６図は第４図に示す
Ａ−Ａにおける拡大断面図である。
図において、 （１１はアルミ放熱板、（２）は高温ハ
ンダ。
ンダ。
（５）は銅ヒートシンク、（６）はパワートランジスタ
チップ、（７）は混成集積回路基板、（３）は両面をハ
ンダ付出来る様にメタライズ（４）シγこアルミナ（Ａ
４３２０ｇ ）のメタライズ基板で、アルミ放熱板（１
１と銅ヒートシンク（５）を絶縁するためのものである
。銅ヒートシンク（５）はパワートランジスタチップ（
６）から発生する熱を放熱するためのものである。混成
集積回路基板（力とパワートランジスタチップ（６）間
はアルミ線（８）によって接続される。
チップ、（７）は混成集積回路基板、（３）は両面をハ
ンダ付出来る様にメタライズ（４）シγこアルミナ（Ａ
４３２０ｇ ）のメタライズ基板で、アルミ放熱板（１
１と銅ヒートシンク（５）を絶縁するためのものである
。銅ヒートシンク（５）はパワートランジスタチップ（
６）から発生する熱を放熱するためのものである。混成
集積回路基板（力とパワートランジスタチップ（６）間
はアルミ線（８）によって接続される。
次に動作について説明する０パワートランジスタチツプ
（６）から発熱し１こ熱は、銅ヒートクンク（５）に吸
収され、更にメタライズ基板（３）を経由して。
（６）から発熱し１こ熱は、銅ヒートクンク（５）に吸
収され、更にメタライズ基板（３）を経由して。
アルミ放熱板＋１）に放熱される。これらは耐熱性を要
求されるため相互を高温ハンダ（２）によって接合され
る。
求されるため相互を高温ハンダ（２）によって接合され
る。
銅ヒートシンク（５）は、高温ハンダ（２）が良くなじ
む様にニッケルメッキ等を施す０又、メタライズ基板（
３）も同様にニッケルメッキ等を施す０アルミ放熱板（
１）も表面側のみ同じくニッケルメッキ等を施す。
む様にニッケルメッキ等を施す０又、メタライズ基板（
３）も同様にニッケルメッキ等を施す０アルミ放熱板（
１）も表面側のみ同じくニッケルメッキ等を施す。
従来の混成集積回路装置は以上のように構成されている
ので、パワートランジスタチップの熱を放熱する１こめ
に熱伝導率の高い銅ヒートクンクにハンダ付され１次に
アルミ放熱板と電気的に絶縁しなければならないためア
ルミナ材を用い１こメタライズ基板にハンダ付しなけれ
ばならない０又。
ので、パワートランジスタチップの熱を放熱する１こめ
に熱伝導率の高い銅ヒートクンクにハンダ付され１次に
アルミ放熱板と電気的に絶縁しなければならないためア
ルミナ材を用い１こメタライズ基板にハンダ付しなけれ
ばならない０又。
メタライズ基板は表面側のみにニッケルメッキ等を施さ
れたアルミ放熱板にハンダ付される。
れたアルミ放熱板にハンダ付される。
尚、各種材料の熱伝導率及び熱膨張率を比較すると次の
表のごとくである。
表のごとくである。
したがって、銅−アルミナ−アルミの組合せは熱の放散
に於いて、アルミナがそれを抑制し熱抵抗が大きくなり
、又、熱膨張率が銅とアルミに比べ、アルミナは非常に
小さいため、熱衝撃試験によって３素材を接合している
高温ハンダが、膨張収縮を吸収し切れず高温ハンダにク
ラックが入り。
に於いて、アルミナがそれを抑制し熱抵抗が大きくなり
、又、熱膨張率が銅とアルミに比べ、アルミナは非常に
小さいため、熱衝撃試験によって３素材を接合している
高温ハンダが、膨張収縮を吸収し切れず高温ハンダにク
ラックが入り。
熱抵抗が大きくなり、パワートランジスタチップの熱破
壊に至るという問題点があった。
壊に至るという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するγこめになさ
れたもので、熱抵抗を低減し、且つ、膨張収縮によるク
ラック発生を防止出来る構造を得ること、およびトータ
ルコストを低減できる混成集積回路装置を得ることを目
的とする。
れたもので、熱抵抗を低減し、且つ、膨張収縮によるク
ラック発生を防止出来る構造を得ること、およびトータ
ルコストを低減できる混成集積回路装置を得ることを目
的とする。
この発明に係る混成集積回路装置は、銅、アルミナ、ア
ルミの熱膨張率の差による熱応力を小さくすることによ
って、高温ハンダのクランクを防止するもので、上記３
素材を窒化アルミと鉄の２素材の組合せに置換するもの
である。
ルミの熱膨張率の差による熱応力を小さくすることによ
って、高温ハンダのクランクを防止するもので、上記３
素材を窒化アルミと鉄の２素材の組合せに置換するもの
である。
以下、この発明の一実施例を図について説明する０第１
図は混成集積回路装置の半完成品の上面図、第２図は第
五図の装置の側面図、第３図は第１図に示すＢ、Ｂにお
ける拡大断面図である。図において、 ＋２３． （４
）、 （６１〜（８）は第４図の従来例に示したものと
同等であるので説明を省略する。
図は混成集積回路装置の半完成品の上面図、第２図は第
五図の装置の側面図、第３図は第１図に示すＢ、Ｂにお
ける拡大断面図である。図において、 ＋２３． （４
）、 （６１〜（８）は第４図の従来例に示したものと
同等であるので説明を省略する。
（９）は窒化アルミ基板で、絶縁物でありパワートラン
ジスタチップ（５）と鉄をハンダ付出来る様に両面をメ
タライズされている。顛は鉄放熱板で表面をニッケルメ
ッキ等が施され、ハンダ付を容易にしている。
ジスタチップ（５）と鉄をハンダ付出来る様に両面をメ
タライズされている。顛は鉄放熱板で表面をニッケルメ
ッキ等が施され、ハンダ付を容易にしている。
次に動作について説明する。従来は第６図の従来例に示
したように、銅、アルミナ、アルミをハンダ付により組
合せた３層構造であったのに対し。
したように、銅、アルミナ、アルミをハンダ付により組
合せた３層構造であったのに対し。
１１３図においては、窒化アルミ基板（９）と、鉄放熱
板顛をハンダ付により組合せた２層構造であり。
板顛をハンダ付により組合せた２層構造であり。
パワートランジスタチップ（６）からの放熱経路が短く
なる。
なる。
また、窒化アルミと鉄の熱膨張率が近接しており、熱衝
撃による上記２素材の膨張、収縮の差が小さく接合した
高温ハンダ（２）へ影響を小さくしている。
撃による上記２素材の膨張、収縮の差が小さく接合した
高温ハンダ（２）へ影響を小さくしている。
以上の様にこの発明によれば、従来の銅、アルミナ１ア
ルミの３層構造を窒化アルミ、鉄の２層構造にしたので
、熱抵抗が小さくなり、熱衝撃による高温ハンダのクラ
ックを防止出来、また安価な装置が得られる効果がある
０
ルミの３層構造を窒化アルミ、鉄の２層構造にしたので
、熱抵抗が小さくなり、熱衝撃による高温ハンダのクラ
ックを防止出来、また安価な装置が得られる効果がある
０
第１図はこの発明の一実施例による混成、集積回路の半
完成品の上面図、第２図は第１図の装置の側面図、第３
図は第１図に示すＢ・Ｂにおける拡大断面図、！ｓ４図
は従来の混成集積回路装置の半完成品の上面図、第５図
は１８４図の装置の側面図。 第６図は第４図に示すＡ−Ａにおける拡大断面図を示す
。 図において、（１）はアルミ放熱板、（２）は高温ハン
ダ、（４）はメタライズ、（６）はパワートランジスタ
チップ、（７）は混成集積回路基板、（８）はアルミ線
、（９）は窒化アルミ基板、ａ・は鉄放熱板である。 なおｈ図中、同一符号は同一、まγこは相当部分を示す
。
完成品の上面図、第２図は第１図の装置の側面図、第３
図は第１図に示すＢ・Ｂにおける拡大断面図、！ｓ４図
は従来の混成集積回路装置の半完成品の上面図、第５図
は１８４図の装置の側面図。 第６図は第４図に示すＡ−Ａにおける拡大断面図を示す
。 図において、（１）はアルミ放熱板、（２）は高温ハン
ダ、（４）はメタライズ、（６）はパワートランジスタ
チップ、（７）は混成集積回路基板、（８）はアルミ線
、（９）は窒化アルミ基板、ａ・は鉄放熱板である。 なおｈ図中、同一符号は同一、まγこは相当部分を示す
。
Claims (1)
- 鉄放熱板と窒化アルミのメタライズ基板とパワートラン
ジスタチップを高温ハンダで接合した放熱構造を特徴と
する混成集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31517190A JPH04184943A (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31517190A JPH04184943A (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 混成集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04184943A true JPH04184943A (ja) | 1992-07-01 |
Family
ID=18062278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31517190A Pending JPH04184943A (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04184943A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016178152A (ja) * | 2015-03-19 | 2016-10-06 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-11-19 JP JP31517190A patent/JPH04184943A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016178152A (ja) * | 2015-03-19 | 2016-10-06 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
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