JPH0982857A - マルチチップパッケージ構造 - Google Patents

マルチチップパッケージ構造

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JPH0982857A JP23802895A JP23802895A JPH0982857A JP H0982857 A JPH0982857 A JP H0982857A JP 23802895 A JP23802895 A JP 23802895A JP 23802895 A JP23802895 A JP 23802895A JP H0982857 A JPH0982857 A JP H0982857A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 プリント配線基板と薄膜多層配線層で構成さ
れる複合基板上に搭載された、集積回路素子から発生す
る熱を効率的に放散することで、動作時の最大温度を許
容温度以下に抑えて高い信頼性を得る。 【構成】 低誘電率絶縁体と導体から成る薄膜多層配線
層5の表面に形成されたダイパッド8を介して高集積回
路素子1がフェースアップで搭載され、集積回路素子上
の電極とOLBパッド9とはボンディングワイヤ7方式
によって接続されている。高集積回路素子から発生する
熱は、実装エリア内の薄膜多層配線層からプリント配線
基板4裏面まで達する第1の放熱ヴィア2と、第2の放
熱ヴィア3を通じ、プリント配線基板裏面に接合された
外部入出力ピン6cによって厚みを制御された放熱板1
1を介して効率的に放散を行う第1流路と、プリント配
線基板内に複数枚挿入した放熱プレート12を介してプ
リント配線基板全体へ効率的に熱放散を行う第2流路が
備えられ、これらいずれも高熱伝導性に優れるCu材料
が用いられている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明が属する技術の分野】本発明はプリント配線基板
上に薄膜多層配線層を施したマルチチップパッケージに
関し、特に高速集積回路素子・高発熱集積回路素子が搭
載可能な構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図4は、高速集積回路素子・高発熱集積
回路素子が搭載可能な構造とされている従来のマルチチ
ップパッケージにプリント配線基板技術を用いた場合の
構造の一例を示す断面図である。
【0003】図に於いて、プリント配線基板4は熱の放
熱率が低く熱的制限を受ける為、高集積回路素子1はフ
ェースダウンで搭載し、電気的な接続方法にはTAB
(Tape Autometed Bonding).
BGA(Boll GridAray)方式等を採用
し、放熱は高集積回路素子1の裏面にヒートシンク13
などを直接接合して熱放散する方法がとられている。
【0004】この場合、高密度集積回路素子1の面積よ
りヒートシンク13の面積が大きくなる為、TABリー
ド15等への負荷低減の為、プリント配線基板4から貫
通するヒートシンク固定用ネジ14を有している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のマルチ
チップパッケージ構造では、プリント配線基板からの放
熱率が低いためフェースアップ実装ができないという難
点がある。この事は、比較的実装が容易で安価なボンデ
ィングワイヤ方式を採用できないのでコストアップとな
る。
【0006】また、高集積回路素子裏面に直接ヒートシ
ンク等を接合して放熱する形態の為、高集積回路素子と
放熱器の接合面に、例えば、高熱伝導材を用いて接合し
た場合、接着強度が強く熱膨張係数の不整合により、配
線基板やTABリード線などに亀裂や破断など発生する
ため、低熱伝導性の接着剤を用いることによる放熱性能
が低下するという問題があった。
【0007】本発明の目的は、これらの問題、すなわち
従来の構造では実装が容易で安価なフェースアップ実装
によるボンディングワイヤ方式が採用できないこと、及
びフェースダウン実装における高集積回路素子とヒート
シンク等の接合部の不整合等の問題を除去し、電気的特
性および放熱性能にも優れ、なおかつ基板.実装コスト
を低価格に抑えたマルチチップパッケージの提供するこ
とにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係わるマルチチップパッケージの第1の構
造は、プリント配線基板と、該基板下面に接続する外部
入出力ピンと、プリント配線基板表面に低誘電率の絶縁
体と導体からなる薄膜多層配線層を有し、該薄膜多層配
線層上には高集積回路素子を含む複数の受動部品が搭載
されるマルチチップパッケージにおいて、薄膜多層配線
層には、高集積回路素子搭載面からプリント配線基板表
面に達する高熱伝導性の第1の放熱ヴィアが備えられ、
該第1の放熱ヴィアは、プリント配線基板表裏に貫通す
る第1の放熱ヴィアより伝熱面積が大きな高熱伝導性の
第2の放熱ヴィアと、電気的および熱的に接合している
ことを特徴とする。
【0009】また、本発明のマルチチップパッケージの
第2の構造は、ストッパー付き外部入出力ピンによっ
て、プリント配線基板とマザーボードの間に隙間を設
け、前記プリント配線基板裏面に、片面に凹凸を有し、
かつ第2の放熱ヴィアと熱的に結合されている高熱伝導
性の放熱板が接合されていることを特徴とする。
【0010】さらに、本発明に係わるマルチチップパッ
ケージの第3の構造は、プリント配線基板内装に高熱伝
導性の放熱プレートを複数枚設け、該放熱プレートが第
1の放熱ヴィアおよび第2の放熱ヴィアと電気的および
熱的に接合していること、また放熱版が接合されている
場合には放熱プレートが第1の放熱ヴィア、第2の放熱
ヴィアに加えて放熱板とも電気的および熱的に接合して
いることを特徴とする。
【0011】本発明によれば、高発熱集積回路素子から
発生する熱を、薄膜多層配線層およびプリント配線基板
に設けられた高熱伝導性の放熱ヴィア.放熱板.放熱プ
レートを介して効率的に放熱することにより、フェース
アップ実装による低価格化が可能となる。
【0012】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施例について図
面を参照して説明する。
【0013】
【実施例1】図1は、本発明の第1の実施例を示す図で
あって、マルチチップパッケージに搭載される高集積回
路素子部分を拡大した断面図である。
【0014】図1に示すように、低誘電率絶縁体と導体
から成る薄膜多層配線層5の表面には高集積回路素子1
がダイパッド8を介してフェースアップ方式で搭載さ
れ、高集積回路素子1上の電極とOLBパッド9とはボ
ンディングワイヤ7方式によって接続されている。さら
に、高集積回路素子1搭載エリアのダイパッド8からプ
リント配線基板4の表面に達する高熱伝導性の第1の放
熱ヴィア2と、この第1の放熱ヴィア2と熱的に結合が
とれると共に伝熱面積が第1の放熱ヴィア2より大きく
プリント配線基板4の表裏に貫通する第2の放熱ヴィア
が設けられている。
【0015】この構成におけるマルチチップパッケージ
では、ダイパッド8と第1放熱ヴィア2は共に熱伝導性
の優れたCu導体材料が使用され、形成方法は従来公知
のフォトリソ技術による電解メッキ法で微細配線パター
ンと共に形成し、ダイパッドおよび放熱ヴィアはグラン
ド電位として電気的および熱的に接続されている。
【0016】ここで、ダイパッド8の下に形成された第
1の放熱ヴィア2は数10ミクロン径の導体柱を数10
0ミクロン格子上に配置し、その総面積はダイパッド8
の面積比2%以上を占め、合計放熱ヴィア数は10の3
乗オーダとなり、高集積回路素子1より発生する熱を均
一に放散することが可能となる。
【0017】また、この第1の放熱ヴィア2の位置する
格子間には微細なCu導体配線が同時形成され、この事
より配線効率が上がるため基板厚みを薄く抑えることが
できる。
【0018】一方、プリント基板4の表裏に貫通する第
2の放熱ヴィア3は数100ミクロン径の熱伝導性に優
れたCu材料を用いた導体柱が数ミリ格子上に挿入さ
れ、その総面積はダイパッド8の面積比4%以上を占
め、合計放熱ヴィア数は10の2乗オーダとなり、第1
の放熱ヴィア2より伝熱面積が広いため効率的に熱放散
することが可能となる。また、第1の放熱ヴィアと第2
の放熱ヴィアの接合面は、プリント配線技術による銅箔
プレートがグランド電位として形成され、電気的および
熱的に効率的に接続されている。
【0019】
【実施例2】図2は、本発明の第2の実施例を示す図で
あって、マルチチップパッケージに搭載される高集積回
路素子部分を拡大した断面図である。
【0020】図2に示すように、高集積回路素子1より
発生する熱の流路として、上述した第1の放熱ヴィア2
と第2の放熱ヴィア3が備えられ、さらにプリント配線
基板4の裏面に接合した放熱板12が設けられている。
【0021】また、プリント配線基板4の裏面には外部
入出力ピン6b、6cが接合し、入出力ピン6cには、
マザーボードとプリント配線基板4の隙間を任意に制御
するためにストッパーが設けられている。
【0022】この構成におけるマルチチップパッケージ
では、本発明の第1の実施例に比べて高集積回路素子1
の消費電力が大きくなった時により有効となる。
【0023】高集積回路素子1より発生した熱は上述し
た第1、第2の放熱ヴィアを通じ、効率的にプリント配
線基板裏面に到達する。
【0024】そこで、プリント配線基板裏面に第2の放
熱ヴィアと熱的結合が取れるように、高熱伝導性のCu
導体材料を用いた放熱板12を導伝性接着剤を介して接
合する。
【0025】ここで、放熱板は厚みに比例して熱抵抗が
変動するので、搭載した高集積回路素子の最大発熱温度
が許容温度以下となるよう、プリント配線基板裏面に接
合されたストッパー付き外部入出力ピン6cによって、
プリント配線基板とマザーボードの間に隙間を設け、任
意の放熱板厚みを決定する。また、放熱板の片面には凹
凸を設けることにより、外部入出力ピン隙間から流入す
る冷却空気による伝熱効果が期待できる。
【0026】
【実施例3】図3は、本発明の第3の実施例を示す図で
あって、マルチチップパッケージに搭載される高集積回
路素子部分を拡大した断面図である。
【0027】図に示すように、高集積回路素子1より発
生する熱の流路として、上述した第1.第2の放熱ヴィ
アおよびプリント配線板裏面に放熱板が備えられ、さら
に、プリント基板には複数の放熱用プレート10が内装
されている。
【0028】この構成におけるマルチチップパッケージ
では、本発明の第2の実施例に比べて高集積回路素子1
の消費電力がさらに大きくなった時、有効となる。
【0029】高集積回路素子より発生した熱は上述した
第1、第2の放熱ヴィアおよびプリント配線基板裏面に
接合した放熱板に、ある広がりをもって到達する。
【0030】そこで、高集積回路素子から発生した熱
が、上述した第1.第2の放熱ヴィアを通じプリント配
線基板裏面に接合した放熱板に放散する熱流路を、例え
ば第1流路と呼ぶと、第1.第2の放熱ヴィアを通じプ
リント配線基板内に熱伝導性に優れたCu材料を用いて
電解めっき法により複数形成された放熱プレートに放散
する熱流路を第2流路と呼ぶことができる。
【0031】ここで、プリント基板内装の放熱プレート
は高集積回路素子発熱源からある広がりを持って基板に
到達する。実際に放熱プレートがない場合には、プリン
ト基板自体の熱伝導率が低くこのことが抵抗となるた
め、第1.第2放熱ヴィアと放熱板部分での熱放散しか
期待できないが、高熱伝導性の放熱プレートを複数挿入
することにより、熱流面積が実効的に広がることになる
ので、実施例2より数段熱抵抗を小さくすることができ
る。従って、放熱板がない場合(実施例1)においても
放熱プレートを用いることでその効果を確認することが
可能である。
【0032】なお、プリント配線基板上の薄膜多層配線
層の材料は特に限定されないが、低誘電率BCB(Be
nzocyclobuten)絶縁体と微細Cu導体配
線層を形成するとより基板厚みを抑えることができる。
【0033】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によるマル
チチップパッケージは、フェースアップで搭載された高
集積回路素子から発生する熱を、実装エリア内にプリン
ト配線基板裏面まで貫通する放熱ヴィアと、プリント配
線基板裏面に接合された放熱板と、プリント配線基板内
に複数枚挿入された放熱プレート等いずれも高熱伝導性
に優れるCu材料を用いて備えることにより、効率的に
放散が行われるため、動作時の集積回路素子の最大発熱
温度を許容温度以下に抑え高い信頼性を得ることが可能
となる。尚、今回の実施例によると、本発明によるマル
チチップパッケージに搭載できる集積回路素子の総発熱
量は10数ワットまで可能であることが示された。した
がって、プリント配線基板技術と薄膜多層配線技術を組
み合わせた複合技術による高速処理用高集積回路素子等
を搭載した高密度実装化が可能となる。
【0034】また、微細化が可能なことから基板厚みが
抑えられ、なおかつフェースアップ実装によるボンディ
ングワイヤー方式が採用できることなどから、従来より
高性能で低価格なマルチチップが提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のマルチチップパッケージ構造の第1の
実施例を示す断面図である。
【図2】本発明のマルチチップパッケージ構造の第2の
実施例を示す断面図である。
【図3】本発明のマルチチップパッケージ構造の第3の
実施例を示す断面図である。
【図4】従来のマルチチップパッケージ構造を示す断面
図である。
【符号の説明】
1 高集積回路素子 2 第1放熱ヴィア 3 第2放熱ヴィア 4 プリント配線基板 5 薄膜多層回路配線層 6a 入出力ピンa 6b 入出力ピンb 6c ストッパー付き入出力ピンc 7 ワイヤー 8 ダイパッド 9 OLBパッド 10 貫通スルーホール 11 放熱板 12 放熱プレート 13 ヒートシンク 14 ヒートシンク固定用ネジ 15 TABリード

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】プリント配線基板と、該基板下面に接続す
    る外部入出力ピンと、前記プリント配線基板表面に低誘
    電率の絶縁体と導体からなる薄膜多層配線層を有し、該
    薄膜多層配線層上には高集積回路素子を含む複数の受動
    部品が搭載されるマルチチップパッケージにおいて、前
    記薄膜多層配線層には、前記高集積回路素子搭載面から
    前記プリント配線基板表面に達する高熱伝導性の第1の
    放熱ヴィアが備えられ、該第1の放熱ヴィアは、前記プ
    リント配線基板表裏に貫通する第1の放熱ヴィアより伝
    熱面積が大きな高熱伝導性の第2の放熱ヴィアと、電気
    的および熱的に接合していることを特徴とするマルチチ
    ップパッケージ構造。
  2. 【請求項2】ストッパー付き外部入出力ピンによって、
    プリント配線基板とマザーボードの間に隙間を設け、前
    記プリント配線基板裏面に、片面に凹凸を有し、かつ第
    2の放熱ヴィアと熱的に結合されている高熱伝導性の放
    熱板が接合されていることを特徴とする請求項1記載の
    マルチチップパッケージ構造。
  3. 【請求項3】プリント配線基板内装に高熱伝導性の放熱
    プレートを複数枚設け、該放熱プレートが第1の放熱ヴ
    ィアおよび第2の放熱ヴィアと電気的および熱的に接合
    していることを特徴とする請求項1記載のマルチチップ
    パッケージ構造。
  4. 【請求項4】プリント配線基板内装に高熱伝導性の放熱
    プレートを複数枚設け、該放熱プレートが第1の放熱ヴ
    ィア、第2の放熱ヴィアおよび放熱板と電気的および熱
    的に接合していることを特徴とする請求項2記載のマル
    チチップパッケージ構造。
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