JP2000323627A - フィルムキャリア型半導体装置 - Google Patents
フィルムキャリア型半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い放熱性を確保することができるフィルム
キャリア型半導体装置を提供する。 【解決手段】 フィルムキャリア型半導体装置には、最
上層の導体層１１ａにビアホール１７が形成された多層
配線基板１１と、この多層配線基板１１にフィルムキャ
リアテープ９を使用して実装された半導体集積回路チッ
プ３と、この半導体集積回路チップ３の裏面が貼り付け
られたヒートスプレッダ１４と、前記ビアホール１７に
埋設された導体金属層１８と前記半導体集積回路チップ
３の表面との間で熱を伝導させる放熱部材１９と、が設
けられている。
キャリア型半導体装置を提供する。 【解決手段】 フィルムキャリア型半導体装置には、最
上層の導体層１１ａにビアホール１７が形成された多層
配線基板１１と、この多層配線基板１１にフィルムキャ
リアテープ９を使用して実装された半導体集積回路チッ
プ３と、この半導体集積回路チップ３の裏面が貼り付け
られたヒートスプレッダ１４と、前記ビアホール１７に
埋設された導体金属層１８と前記半導体集積回路チップ
３の表面との間で熱を伝導させる放熱部材１９と、が設
けられている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はボール・グリッド・
アレイ（ＢＧＡ）型半導体装置等のフィルムキャリア型
半導体装置に関し、特に、放熱性の向上を図ったフィル
ムキャリア型半導体装置に関する。
アレイ（ＢＧＡ）型半導体装置等のフィルムキャリア型
半導体装置に関し、特に、放熱性の向上を図ったフィル
ムキャリア型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近時、種々の分野において、各種半導体
デバイスを搭載し高集積化が図られている。このような
分野では、例えば、フィルムキャリアテープを使用した
ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）型半導体装置が使
用されている。図４は従来のフィルムキャリア型半導体
装置を示す断面図である。
デバイスを搭載し高集積化が図られている。このような
分野では、例えば、フィルムキャリアテープを使用した
ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）型半導体装置が使
用されている。図４は従来のフィルムキャリア型半導体
装置を示す断面図である。
【０００３】従来のフィルムキャリア型半導体装置にお
いては、ポリイミド等からなる絶縁ベースフィルム１０
１上に複数個のインナリード１０２が形成されており、
このインナリード１０２に大規模集積回路（ＬＳＩ）チ
ップ１０３の表面に設けられた電極が接続されている。
絶縁ベースフィルム１０１のＬＳＩチップ１０３に整合
する位置には、デバイスホール１０４が形成されてい
る。また、絶縁ベースフィルム１０１の表面及び裏面上
には、金属導電層１０５ａ及び１０５ｂが形成されてお
り、その周囲には、エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂か
らなるソルダレジスト膜１０６が形成されている。
いては、ポリイミド等からなる絶縁ベースフィルム１０
１上に複数個のインナリード１０２が形成されており、
このインナリード１０２に大規模集積回路（ＬＳＩ）チ
ップ１０３の表面に設けられた電極が接続されている。
絶縁ベースフィルム１０１のＬＳＩチップ１０３に整合
する位置には、デバイスホール１０４が形成されてい
る。また、絶縁ベースフィルム１０１の表面及び裏面上
には、金属導電層１０５ａ及び１０５ｂが形成されてお
り、その周囲には、エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂か
らなるソルダレジスト膜１０６が形成されている。
【０００４】インナリード１０２と同じ表面側に設けら
れた金属導電層１０５ａには、所定形状の配線パターン
が形成されており、その端部に外部端子形成用ランド部
が設けられている。この外部端子形成用ランド部まで、
接地されないインナリードが引き回されている。他方の
金属導電層１０５ｂには、外部端子形成用アウタリード
・ランド（ＯＬＢ）部が形成されている。そして、絶縁
ベースフィルム１０１あには、所定の外部端子形成用ラ
ンド部と所定の外部端子形成用ＯＬＢ部とを結ぶ複数の
スルーホール１０７が形成されており、その内部には、
導電層が埋め込まれている。更に、絶縁ベースフィルム
１０１のデバイスホール１０４近傍には、微細ビアホー
ル１０８が形成されている。微細ビアホール１０８に
は、導電層が埋め込まれており、接地されるインナリー
ド１０２が金属導電層１０５ｂの接地電位にある領域に
接続されている。このようにして、ＴＡＢ（tape autom
atedbonding）テープ（２金属層構造のテ−プＢＧＡ
（Ｔ−ＢＧＡ用フィルムキャリアテープ）１０９が構成
されている。
れた金属導電層１０５ａには、所定形状の配線パターン
が形成されており、その端部に外部端子形成用ランド部
が設けられている。この外部端子形成用ランド部まで、
接地されないインナリードが引き回されている。他方の
金属導電層１０５ｂには、外部端子形成用アウタリード
・ランド（ＯＬＢ）部が形成されている。そして、絶縁
ベースフィルム１０１あには、所定の外部端子形成用ラ
ンド部と所定の外部端子形成用ＯＬＢ部とを結ぶ複数の
スルーホール１０７が形成されており、その内部には、
導電層が埋め込まれている。更に、絶縁ベースフィルム
１０１のデバイスホール１０４近傍には、微細ビアホー
ル１０８が形成されている。微細ビアホール１０８に
は、導電層が埋め込まれており、接地されるインナリー
ド１０２が金属導電層１０５ｂの接地電位にある領域に
接続されている。このようにして、ＴＡＢ（tape autom
atedbonding）テープ（２金属層構造のテ−プＢＧＡ
（Ｔ−ＢＧＡ用フィルムキャリアテープ）１０９が構成
されている。
【０００５】更に、外部端子形成用ＯＬＢ部上には、ス
ルーホール１０７内まで延びる半田バンプ１１０が設け
られている。そして、半田バンプ１１０が多層配線基板
１１１に外部端子として接続されている。また、ＬＳＩ
チップ１０３とフィルムキャリアテープ１０９とは、デ
バイスホール１０４でポッティング樹脂１１２により相
互に固定されている。
ルーホール１０７内まで延びる半田バンプ１１０が設け
られている。そして、半田バンプ１１０が多層配線基板
１１１に外部端子として接続されている。また、ＬＳＩ
チップ１０３とフィルムキャリアテープ１０９とは、デ
バイスホール１０４でポッティング樹脂１１２により相
互に固定されている。
【０００６】また、ＬＳＩチップ１０３の裏面は、放熱
性樹脂１１３を介してヒートスプレッダ１１４に固定さ
れている。フィルムキャリアテープ１０９の金属導電層
１０５ａ側のソルダレジスト膜１０６上には、スティフ
ナ１１５が接着剤１１６により固定されている。スティ
フナ１１５は、放熱性樹脂１１３を介してヒートスプレ
ッダ１１４に固定されている。ヒートスプレッダ１１４
は、Ｃｕ若しくはＡｌ等の金属材料又はアルミナ、Ａｌ
Ｎ若しくはＳｉＣ等のセラミック材料からなる放熱性が
高い平板である。
性樹脂１１３を介してヒートスプレッダ１１４に固定さ
れている。フィルムキャリアテープ１０９の金属導電層
１０５ａ側のソルダレジスト膜１０６上には、スティフ
ナ１１５が接着剤１１６により固定されている。スティ
フナ１１５は、放熱性樹脂１１３を介してヒートスプレ
ッダ１１４に固定されている。ヒートスプレッダ１１４
は、Ｃｕ若しくはＡｌ等の金属材料又はアルミナ、Ａｌ
Ｎ若しくはＳｉＣ等のセラミック材料からなる放熱性が
高い平板である。
【０００７】このように構成された従来のフィルムキャ
リア型半導体装置においては、動作によりＬＳＩチップ
１０３から発生した熱は、放熱性樹脂１１３を介してヒ
ートスプレッダ１１４に伝達され、そこから外部へと放
熱される。
リア型半導体装置においては、動作によりＬＳＩチップ
１０３から発生した熱は、放熱性樹脂１１３を介してヒ
ートスプレッダ１１４に伝達され、そこから外部へと放
熱される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＬＳＩ
チップとして高速（動作周波数：１５０ＭＨｚ以上）・
高発熱性チップ（出力：７Ｗ以上）のものを搭載した場
合には、放熱が不十分となり、動作時のジャンクション
温度が高温になりすぎる。このため、ＬＳＩチップの信
頼性が低下したり、その動作不良が発生する。
チップとして高速（動作周波数：１５０ＭＨｚ以上）・
高発熱性チップ（出力：７Ｗ以上）のものを搭載した場
合には、放熱が不十分となり、動作時のジャンクション
温度が高温になりすぎる。このため、ＬＳＩチップの信
頼性が低下したり、その動作不良が発生する。
【０００９】このため、放熱効率を向上させる必要があ
るが、特に、ノート型のパーソナルコンピュータ、ノー
ト型のエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷ
Ｓ）等においては、装置の筐体に高さの制限があるの
で、半導体用パッケージ上に放熱用のヒートシンクを取
り付けることができない。このため、これらには、高速
・高発熱性チップを搭載することができず、装置全体の
高速化に支障があるという問題点がある。また、これら
のノート型機器においては、積極的にＬＳＩチップから
の放熱特性を向上させることが可能な空気の流れを形成
することが設計上困難な場合が多い。従って、従来のパ
ッケージの半導体装置では、ノート型のパーソナルコン
ピュータ及びＥＷＳの超薄型化・超高性能化に対応する
ことができないという問題点がある。
るが、特に、ノート型のパーソナルコンピュータ、ノー
ト型のエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷ
Ｓ）等においては、装置の筐体に高さの制限があるの
で、半導体用パッケージ上に放熱用のヒートシンクを取
り付けることができない。このため、これらには、高速
・高発熱性チップを搭載することができず、装置全体の
高速化に支障があるという問題点がある。また、これら
のノート型機器においては、積極的にＬＳＩチップから
の放熱特性を向上させることが可能な空気の流れを形成
することが設計上困難な場合が多い。従って、従来のパ
ッケージの半導体装置では、ノート型のパーソナルコン
ピュータ及びＥＷＳの超薄型化・超高性能化に対応する
ことができないという問題点がある。
【００１０】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、高い放熱性を確保することができるフィル
ムキャリア型半導体装置を提供することを目的とする。
のであって、高い放熱性を確保することができるフィル
ムキャリア型半導体装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に係るフィルムキ
ャリア型半導体装置は、最上層の導体層にビアホールが
形成された多層配線基板と、この多層配線基板にフィル
ムキャリアテープを使用して実装された半導体集積回路
チップと、この半導体集積回路チップの裏面が貼り付け
られたヒートスプレッダと、前記ビアホールに埋設され
た導電体膜と前記半導体集積回路チップの表面との間で
熱を伝導させる放熱部材と、を有することを特徴とす
る。
ャリア型半導体装置は、最上層の導体層にビアホールが
形成された多層配線基板と、この多層配線基板にフィル
ムキャリアテープを使用して実装された半導体集積回路
チップと、この半導体集積回路チップの裏面が貼り付け
られたヒートスプレッダと、前記ビアホールに埋設され
た導電体膜と前記半導体集積回路チップの表面との間で
熱を伝導させる放熱部材と、を有することを特徴とす
る。
【００１２】本発明においては、前記フィルムキャリア
テープ、前記ヒートスプレッダ及び前記半導体集積回路
チップに貼り付けられた金属製補強部材を有することが
できる。
テープ、前記ヒートスプレッダ及び前記半導体集積回路
チップに貼り付けられた金属製補強部材を有することが
できる。
【００１３】本発明に係る他のフィルムキャリア型半導
体装置は、多層配線基板と、この多層配線基板にフィル
ムキャリアテープを使用して実装された半導体集積回路
チップと、この半導体集積回路チップの裏面が貼り付け
られたヒートスプレッダと、前記フィルムキャリアテー
プ、前記ヒートスプレッダ及び前記半導体集積回路チッ
プに貼り付けられた金属製補強部材と、を有することを
特徴とする。
体装置は、多層配線基板と、この多層配線基板にフィル
ムキャリアテープを使用して実装された半導体集積回路
チップと、この半導体集積回路チップの裏面が貼り付け
られたヒートスプレッダと、前記フィルムキャリアテー
プ、前記ヒートスプレッダ及び前記半導体集積回路チッ
プに貼り付けられた金属製補強部材と、を有することを
特徴とする。
【００１４】また、前記半導体集積回路チップは、エポ
キシ系樹脂及びシリコーン系樹脂からなる群から選択さ
れた１種の樹脂に金属粉末及びセラミック粉末からなる
群から選択された１種の粉末が添加された接着剤又は半
田を含有する接着剤により前記ヒートスプレッダに接着
されていてもよい。
キシ系樹脂及びシリコーン系樹脂からなる群から選択さ
れた１種の樹脂に金属粉末及びセラミック粉末からなる
群から選択された１種の粉末が添加された接着剤又は半
田を含有する接着剤により前記ヒートスプレッダに接着
されていてもよい。
【００１５】更に、前記金属製補強部材は、エポキシ系
樹脂及びシリコーン系樹脂からなる群から選択された１
種の樹脂に金属粉末及びセラミック粉末からなる群から
選択された１種の粉末が添加された接着剤又は半田を含
有する接着剤により前記半導体集積回路チップに接着さ
れていてもよい。
樹脂及びシリコーン系樹脂からなる群から選択された１
種の樹脂に金属粉末及びセラミック粉末からなる群から
選択された１種の粉末が添加された接着剤又は半田を含
有する接着剤により前記半導体集積回路チップに接着さ
れていてもよい。
【００１６】更にまた、前記ヒートスプレッダは、金属
材料及びセラミック材料からなる群から選択された少な
くとも１種の材料を含有することができる。
材料及びセラミック材料からなる群から選択された少な
くとも１種の材料を含有することができる。
【００１７】本発明においては、半導体集積回路チップ
から発生した熱は、半導体集積回路チップの裏面からヒ
ートスプレッダに伝達されてそこから放熱されるだけで
なく、放熱性部材又は金属製補強部材により半導体集積
回路チップの表面又は側面からも多層配線基板又はヒー
トスプレッダに伝達される。従って、放熱性が著しく向
上し、熱抵抗の上昇が抑制される。
から発生した熱は、半導体集積回路チップの裏面からヒ
ートスプレッダに伝達されてそこから放熱されるだけで
なく、放熱性部材又は金属製補強部材により半導体集積
回路チップの表面又は側面からも多層配線基板又はヒー
トスプレッダに伝達される。従って、放熱性が著しく向
上し、熱抵抗の上昇が抑制される。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例に係るフィ
ルムキャリア型半導体装置について、添付の図面を参照
して具体的に説明する。図１は本発明の第１の実施例に
係るフィルムキャリア型半導体装置の構成を示す断面図
である。
ルムキャリア型半導体装置について、添付の図面を参照
して具体的に説明する。図１は本発明の第１の実施例に
係るフィルムキャリア型半導体装置の構成を示す断面図
である。
【００１９】第１の実施例においては、ポリイミド等か
らなる絶縁ベースフィルム１上に複数個のインナリード
２が形成されており、このインナリード２に半導体大規
模集積回路（ＬＳＩ）チップ３の表面に設けられた電極
が接続されている。絶縁ベースフィルム１のＬＳＩチッ
プ３に整合する位置には、デバイスホール４が形成され
ている。また、絶縁ベースフィルム１の表面及び裏面上
には、金属導電層５ａ及び５ｂが形成されており、その
周囲には、エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂からなるソ
ルダレジスト膜６が形成されている。
らなる絶縁ベースフィルム１上に複数個のインナリード
２が形成されており、このインナリード２に半導体大規
模集積回路（ＬＳＩ）チップ３の表面に設けられた電極
が接続されている。絶縁ベースフィルム１のＬＳＩチッ
プ３に整合する位置には、デバイスホール４が形成され
ている。また、絶縁ベースフィルム１の表面及び裏面上
には、金属導電層５ａ及び５ｂが形成されており、その
周囲には、エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂からなるソ
ルダレジスト膜６が形成されている。
【００２０】インナリード２と同じ表面側に設けられた
金属導電層５ａには、所定形状の配線パターンが形成さ
れており、その端部に外部端子形成用ランド部が設けら
れている。この外部端子形成用ランド部まで、接地され
ないインナリードが引き回されている。他方の金属導電
層５ｂには、外部端子形成用アウタリード・ランド（Ｏ
ＬＢ）部が形成されている。そして、絶縁ベースフィル
ム１には、所定の外部端子形成用ランド部と所定の外部
端子形成用ＯＬＢ部とを結ぶ複数のスルーホール７が形
成されており、その内部には、導電層が埋め込まれてい
る。更に、絶縁ベースフィルム１のデバイスホール４近
傍には、微細ビアホール８が形成されている。微細ビア
ホール８には、導電層が埋め込まれており、接地される
インナリード２が金属導電層５ｂの接地電位にある領域
に接続されている。このようにして、ＴＡＢ（tape aut
omated bonding）テープ（２金属層構造のテ−プＢＧＡ
（Ｔ−ＢＧＡ用フィルムキャリアテープ）９が構成され
ている。
金属導電層５ａには、所定形状の配線パターンが形成さ
れており、その端部に外部端子形成用ランド部が設けら
れている。この外部端子形成用ランド部まで、接地され
ないインナリードが引き回されている。他方の金属導電
層５ｂには、外部端子形成用アウタリード・ランド（Ｏ
ＬＢ）部が形成されている。そして、絶縁ベースフィル
ム１には、所定の外部端子形成用ランド部と所定の外部
端子形成用ＯＬＢ部とを結ぶ複数のスルーホール７が形
成されており、その内部には、導電層が埋め込まれてい
る。更に、絶縁ベースフィルム１のデバイスホール４近
傍には、微細ビアホール８が形成されている。微細ビア
ホール８には、導電層が埋め込まれており、接地される
インナリード２が金属導電層５ｂの接地電位にある領域
に接続されている。このようにして、ＴＡＢ（tape aut
omated bonding）テープ（２金属層構造のテ−プＢＧＡ
（Ｔ−ＢＧＡ用フィルムキャリアテープ）９が構成され
ている。
【００２１】更に、外部端子形成用ＯＬＢ部上には、ス
ルーホール７内まで延びる半田バンプ１０が設けられて
いる。そして、半田バンプ１０が多層配線基板１１に外
部端子として接続されている。また、ＬＳＩチップ３と
フィルムキャリアテープ９とは、デバイスホール４でエ
ポキシ系樹脂等のポッティング樹脂１２により相互に固
定されている。
ルーホール７内まで延びる半田バンプ１０が設けられて
いる。そして、半田バンプ１０が多層配線基板１１に外
部端子として接続されている。また、ＬＳＩチップ３と
フィルムキャリアテープ９とは、デバイスホール４でエ
ポキシ系樹脂等のポッティング樹脂１２により相互に固
定されている。
【００２２】多層配線基板１１の最上層に位置する導体
層１１ａのデバイスホール４と整合する領域には、ビア
ホール１７が形成されており、このビアホール１７内に
導体金属層１８が埋設されている。そして、断面がＴ字
型の放熱用部材１９が、その狭い方の端面がＬＳＩチッ
プ３に密接するようにして配設されている。Ｔ字型の放
熱用部材１９の広い方の端面には、高放熱性ゴム状シー
ト２０がコーティングされており、導体金属層１８上に
密接している。放熱用部材１９は、例えばセラミック、
Ｃｕ、Ｆｅ又はＡｌ等から構成されている。
層１１ａのデバイスホール４と整合する領域には、ビア
ホール１７が形成されており、このビアホール１７内に
導体金属層１８が埋設されている。そして、断面がＴ字
型の放熱用部材１９が、その狭い方の端面がＬＳＩチッ
プ３に密接するようにして配設されている。Ｔ字型の放
熱用部材１９の広い方の端面には、高放熱性ゴム状シー
ト２０がコーティングされており、導体金属層１８上に
密接している。放熱用部材１９は、例えばセラミック、
Ｃｕ、Ｆｅ又はＡｌ等から構成されている。
【００２３】また、ＬＳＩチップ３の裏面は、放熱性樹
脂１３を介してヒートスプレッダ１４に固定されてい
る。放熱性樹脂１３及び高放熱性ゴム状シート２０は、
例えば主成分としてのエポキシ系樹脂又はシリコーン系
樹脂にＡｇ、Ｐｄ、Ｃｕ若しくはＡｌ等の金属材料、ア
ルミナ、ＡｌＮ、ムライト若しくはＢＮ等のセラミック
材料の粉末が添加されたものが使用可能である。また、
半田等の熱伝導率が優れた金属性シート状の放熱接着剤
を使用することも可能である。フィルムキャリアテープ
９の金属導電層５ａ側のソルダレジスト膜６上には、ス
ティフナ（金属製補強部材）１５が接着剤１６により固
定されている。スティフナ１５は、放熱性樹脂１３を介
してヒートスプレッダ１４に固定されている。ヒートス
プレッダ１４は、Ｃｕ若しくはＡｌ等の金属材料又はア
ルミナ、ＡｌＮ若しくはＳｉＣ等のセラミック材料から
なる放熱性が高い平板である。
脂１３を介してヒートスプレッダ１４に固定されてい
る。放熱性樹脂１３及び高放熱性ゴム状シート２０は、
例えば主成分としてのエポキシ系樹脂又はシリコーン系
樹脂にＡｇ、Ｐｄ、Ｃｕ若しくはＡｌ等の金属材料、ア
ルミナ、ＡｌＮ、ムライト若しくはＢＮ等のセラミック
材料の粉末が添加されたものが使用可能である。また、
半田等の熱伝導率が優れた金属性シート状の放熱接着剤
を使用することも可能である。フィルムキャリアテープ
９の金属導電層５ａ側のソルダレジスト膜６上には、ス
ティフナ（金属製補強部材）１５が接着剤１６により固
定されている。スティフナ１５は、放熱性樹脂１３を介
してヒートスプレッダ１４に固定されている。ヒートス
プレッダ１４は、Ｃｕ若しくはＡｌ等の金属材料又はア
ルミナ、ＡｌＮ若しくはＳｉＣ等のセラミック材料から
なる放熱性が高い平板である。
【００２４】このように構成された第１の実施例におい
ては、スティフナ１５により、半田バンプ１０の平面性
が確保される。また、動作によりＬＳＩチップ３から発
生した熱は、放熱性樹脂１３を介してヒートスプレッダ
１４に伝達され、そこから外部へと放熱されるだけでな
く、放熱用部材１９、高放熱性ゴム状シート２０及び導
体金属層１８を介して多層配線基板１１から外部へと放
熱される。また、フィルムキャリアテープ９の熱は、接
着剤１６、スティフナ１５及び放熱性樹脂１３を介して
ヒートスプレッダ１４から放熱される。このように、Ｌ
ＳＩチップ３から発生した熱は、多くの経路を介して外
部へと放出されるので、内部の温度上昇が抑制される。
これにより、熱抵抗の上昇が抑制される。従って、ノー
ト型のパーソナルコンピュータ及びエンジニアリング・
ワークステーション等において、薄型化しながら性能を
向上させることが可能となる。
ては、スティフナ１５により、半田バンプ１０の平面性
が確保される。また、動作によりＬＳＩチップ３から発
生した熱は、放熱性樹脂１３を介してヒートスプレッダ
１４に伝達され、そこから外部へと放熱されるだけでな
く、放熱用部材１９、高放熱性ゴム状シート２０及び導
体金属層１８を介して多層配線基板１１から外部へと放
熱される。また、フィルムキャリアテープ９の熱は、接
着剤１６、スティフナ１５及び放熱性樹脂１３を介して
ヒートスプレッダ１４から放熱される。このように、Ｌ
ＳＩチップ３から発生した熱は、多くの経路を介して外
部へと放出されるので、内部の温度上昇が抑制される。
これにより、熱抵抗の上昇が抑制される。従って、ノー
ト型のパーソナルコンピュータ及びエンジニアリング・
ワークステーション等において、薄型化しながら性能を
向上させることが可能となる。
【００２５】次に、本発明の第２の実施例について説明
する。第２の実施例には、ＬＳＩチップの表面からでは
なく側面から放熱が行われる構造が採用されている。図
２は本発明の第２の実施例に係るフィルムキャリア型半
導体装置の構成を示す断面図である。なお、図２に示す
第２の実施例において、図１に示す第１の実施例と同一
の構成要素には、同一の符号をふしてその詳細な説明は
省略する。
する。第２の実施例には、ＬＳＩチップの表面からでは
なく側面から放熱が行われる構造が採用されている。図
２は本発明の第２の実施例に係るフィルムキャリア型半
導体装置の構成を示す断面図である。なお、図２に示す
第２の実施例において、図１に示す第１の実施例と同一
の構成要素には、同一の符号をふしてその詳細な説明は
省略する。
【００２６】第２の実施例においては、スティフナ１５
ａの側面とＬＳＩチップ３の側面との間隔が、約１００
乃至２００μｍとされている。そして、スティフナ１５
ａとＬＳＩチップ３とが高放熱性接着剤２１により接着
されている。高放熱性接着剤２１の原料としては、例え
ば放熱性樹脂１３と同じ原料又は半田等を主成分とする
熱伝導率が高い金属原料を使用することができる。
ａの側面とＬＳＩチップ３の側面との間隔が、約１００
乃至２００μｍとされている。そして、スティフナ１５
ａとＬＳＩチップ３とが高放熱性接着剤２１により接着
されている。高放熱性接着剤２１の原料としては、例え
ば放熱性樹脂１３と同じ原料又は半田等を主成分とする
熱伝導率が高い金属原料を使用することができる。
【００２７】このように構成された第２の実施例におい
ては、動作によりＬＳＩチップ３から発生した熱は、放
熱性樹脂１３を介してヒートスプレッダ１４に伝達され
ると共に、高放熱性接着剤２１及びスティフナ１５ａ及
び放熱性樹脂１３を介してヒートスプレッダ１４に伝達
され、そこから外部へと放熱される。従って、第２の実
施例においても、熱抵抗の上昇が抑制される。
ては、動作によりＬＳＩチップ３から発生した熱は、放
熱性樹脂１３を介してヒートスプレッダ１４に伝達され
ると共に、高放熱性接着剤２１及びスティフナ１５ａ及
び放熱性樹脂１３を介してヒートスプレッダ１４に伝達
され、そこから外部へと放熱される。従って、第２の実
施例においても、熱抵抗の上昇が抑制される。
【００２８】次に、第３の実施例について説明する。第
３の実施例は、第１及び第２の実施例が組み合わされた
構造を有している。図３は本発明の第３の実施例に係る
フィルムキャリア型半導体装置の構成を示す断面図であ
る。なお、図３に示す第３の実施例において、図１又は
２に示す第１又は第２の実施例と同一の構成要素には、
同一の符号をふしてその詳細な説明は省略する。
３の実施例は、第１及び第２の実施例が組み合わされた
構造を有している。図３は本発明の第３の実施例に係る
フィルムキャリア型半導体装置の構成を示す断面図であ
る。なお、図３に示す第３の実施例において、図１又は
２に示す第１又は第２の実施例と同一の構成要素には、
同一の符号をふしてその詳細な説明は省略する。
【００２９】第３の実施例には、第１の実施例において
設けられている高放熱性ゴム状シート２０及び導体金属
層１８並びに第２の実施例において設けられているステ
ィフナ１５ａ及び高放熱性接着剤２１が設けられてい
る。
設けられている高放熱性ゴム状シート２０及び導体金属
層１８並びに第２の実施例において設けられているステ
ィフナ１５ａ及び高放熱性接着剤２１が設けられてい
る。
【００３０】このように構成された第３の実施例におい
ては、動作によりＬＳＩチップ３から発生した熱は、放
熱性樹脂１３を介してヒートスプレッダ１４に伝達され
ると共に、高放熱性接着剤２１及びスティフナ１５ａ及
び放熱性樹脂１３を介してヒートスプレッダ１４に伝達
され、そこから外部へと放熱される。動作によりＬＳＩ
チップ３から発生した熱は、更に、放熱用部材１９、高
放熱性ゴム状シート２０及び導体金属層１８を介して多
層配線基板１１からも外部へと放熱される。従って、熱
抵抗の上昇がより一層抑制される。
ては、動作によりＬＳＩチップ３から発生した熱は、放
熱性樹脂１３を介してヒートスプレッダ１４に伝達され
ると共に、高放熱性接着剤２１及びスティフナ１５ａ及
び放熱性樹脂１３を介してヒートスプレッダ１４に伝達
され、そこから外部へと放熱される。動作によりＬＳＩ
チップ３から発生した熱は、更に、放熱用部材１９、高
放熱性ゴム状シート２０及び導体金属層１８を介して多
層配線基板１１からも外部へと放熱される。従って、熱
抵抗の上昇がより一層抑制される。
【００３１】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
半導体集積回路チップの裏面からヒートスプレッダに伝
達されてそこから放熱されるだけでなく、放熱性部材又
は金属製補強部材により半導体集積回路チップの表面又
は側面からも多層配線基板又はヒートスプレッダに伝達
させることができる。これにより、放熱性を著しく向上
させ、熱抵抗の上昇を抑制することができる。この結
果、半導体集積回路チップを高速化・高機能化しても、
ノート型のパーソナルコンピュータ及びエンジニアリン
グ・ワークステーションをより薄型化することができ
る。
半導体集積回路チップの裏面からヒートスプレッダに伝
達されてそこから放熱されるだけでなく、放熱性部材又
は金属製補強部材により半導体集積回路チップの表面又
は側面からも多層配線基板又はヒートスプレッダに伝達
させることができる。これにより、放熱性を著しく向上
させ、熱抵抗の上昇を抑制することができる。この結
果、半導体集積回路チップを高速化・高機能化しても、
ノート型のパーソナルコンピュータ及びエンジニアリン
グ・ワークステーションをより薄型化することができ
る。
【図１】本発明の第１の実施例に係るフィルムキャリア
型半導体装置の構成を示す断面図である。
型半導体装置の構成を示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例に係るフィルムキャリア
型半導体装置の構成を示す断面図である。
型半導体装置の構成を示す断面図である。
【図３】本発明の第３の実施例に係るフィルムキャリア
型半導体装置の構成を示す断面図である。
型半導体装置の構成を示す断面図である。
【図４】従来のフィルムキャリア型半導体装置を示す断
面図である。
面図である。
１、１０１；絶縁ベースフィルム ２、１０２；インナリード ３、１０３；ＬＳＩチップ ４、１０４；デバイスホール ５ａ、５ｂ、１０５ａ、１０５ｂ；金属導電層 ６、１０６；ソルダレジスト膜 ７、１０７；スルーホール ８、１０８；微細ビアホール ９、１０９；フィルムキャリアテープ １０、１１０；半田バンプ １１、１１１；多層配線基板 １１ａ；導体層 １２、１１２；ポッティング樹脂 １３、１１３；放熱性樹脂 １４、１１４；ヒートスプレッダ １５、１５ａ、１１５；スティフナ １６、１１６；接着剤 １７；ビアホール １８；導体金属層 １９；放熱用部材 ２０；高放熱性ゴム状シート ２１；高放熱性接着剤
Claims (8)
- 【請求項１】 最上層の導体層にビアホールが形成され
た多層配線基板と、この多層配線基板にフィルムキャリ
アテープを使用して実装された半導体集積回路チップ
と、この半導体集積回路チップの裏面が貼り付けられた
ヒートスプレッダと、前記ビアホールに埋設された導電
体膜と前記半導体集積回路チップの表面との間で熱を伝
導させる放熱部材と、を有することを特徴とするフィル
ムキャリア型半導体装置。 - 【請求項２】 前記フィルムキャリアテープ、前記ヒー
トスプレッダ及び前記半導体集積回路チップに貼り付け
られた金属製補強部材を有することを特徴とする請求項
１に記載のフィルムキャリア型半導体装置。 - 【請求項３】 多層配線基板と、この多層配線基板にフ
ィルムキャリアテープを使用して実装された半導体集積
回路チップと、この半導体集積回路チップの裏面が貼り
付けられたヒートスプレッダと、前記フィルムキャリア
テープ、前記ヒートスプレッダ及び前記半導体集積回路
チップに貼り付けられた金属製補強部材と、を有するこ
とを特徴とするフィルムキャリア型半導体装置。 - 【請求項４】 前記半導体集積回路チップは、エポキシ
系樹脂及びシリコーン系樹脂からなる群から選択された
１種の樹脂に金属粉末及びセラミック粉末からなる群か
ら選択された１種の粉末が添加された接着剤により前記
ヒートスプレッダに接着されていることを特徴とする請
求項１乃至３のいずれか１項に記載のフィルムキャリア
型半導体装置。 - 【請求項５】 前記半導体集積回路チップは、半田を含
有する接着剤により前記ヒートスプレッダに接着されて
いることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に
記載のフィルムキャリア型半導体装置。 - 【請求項６】 前記金属製補強部材は、エポキシ系樹脂
及びシリコーン系樹脂からなる群から選択された１種の
樹脂に金属粉末及びセラミック粉末からなる群から選択
された１種の粉末が添加された接着剤により前記半導体
集積回路チップに接着されていることを特徴とする請求
項２乃至５のいずれか１項に記載のフィルムキャリア型
半導体装置。 - 【請求項７】 前記金属製補強部材は、半田を含有する
接着剤により前記半導体集積回路チップに接着されてい
ることを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記
載のフィルムキャリア型半導体装置。 - 【請求項８】 前記ヒートスプレッダは、金属材料及び
セラミック材料からなる群から選択された少なくとも１
種の材料を含有することを特徴とする請求項１乃至７の
いずれか１項に記載のフィルムキャリア型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12727599A JP3344362B2 (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | フィルムキャリア型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12727599A JP3344362B2 (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | フィルムキャリア型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000323627A true JP2000323627A (ja) | 2000-11-24 |
| JP3344362B2 JP3344362B2 (ja) | 2002-11-11 |
Family
ID=14955964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12727599A Expired - Fee Related JP3344362B2 (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | フィルムキャリア型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3344362B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1335426A2 (en) * | 2002-02-07 | 2003-08-13 | Motorola, Inc. | Packaged semiconductor device and method of formation |
| JP2008277570A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| US7601561B2 (en) | 2006-03-20 | 2009-10-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Heat-radiating tape carrier package and method for manufacturing the same |
| JP2012175070A (ja) * | 2011-02-24 | 2012-09-10 | Panasonic Corp | 半導体パッケージ |
| JP2013143526A (ja) * | 2012-01-12 | 2013-07-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法、電子装置 |
-
1999
- 1999-05-07 JP JP12727599A patent/JP3344362B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1335426A2 (en) * | 2002-02-07 | 2003-08-13 | Motorola, Inc. | Packaged semiconductor device and method of formation |
| JP2003243565A (ja) * | 2002-02-07 | 2003-08-29 | Motorola Inc | パッケージ化半導体装置およびその製作方法 |
| EP1335426A3 (en) * | 2002-02-07 | 2008-07-30 | Freescale Semiconductor, Inc. | Packaged semiconductor device and method of formation |
| JP4653383B2 (ja) * | 2002-02-07 | 2011-03-16 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | パッケージ化半導体装置およびその製作方法 |
| US7601561B2 (en) | 2006-03-20 | 2009-10-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Heat-radiating tape carrier package and method for manufacturing the same |
| JP2008277570A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2012175070A (ja) * | 2011-02-24 | 2012-09-10 | Panasonic Corp | 半導体パッケージ |
| JP2013143526A (ja) * | 2012-01-12 | 2013-07-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法、電子装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3344362B2 (ja) | 2002-11-11 |
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|---|---|---|---|
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