JP3344362B2 - フィルムキャリア型半導体装置 - Google Patents
フィルムキャリア型半導体装置Info
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- semiconductor integrated
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はボール・グリッド・
アレイ（ＢＧＡ）型半導体装置等のフィルムキャリア型
半導体装置に関し、特に、放熱性の向上を図ったフィル
ムキャリア型半導体装置に関する。
アレイ（ＢＧＡ）型半導体装置等のフィルムキャリア型
半導体装置に関し、特に、放熱性の向上を図ったフィル
ムキャリア型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近時、種々の分野において、各種半導体
デバイスを搭載し高集積化が図られている。このような
分野では、例えば、フィルムキャリアテープを使用した
ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）型半導体装置が使
用されている。図４は従来のフィルムキャリア型半導体
装置を示す断面図である。
デバイスを搭載し高集積化が図られている。このような
分野では、例えば、フィルムキャリアテープを使用した
ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）型半導体装置が使
用されている。図４は従来のフィルムキャリア型半導体
装置を示す断面図である。
【０００３】従来のフィルムキャリア型半導体装置にお
いては、ポリイミド等からなる絶縁ベースフィルム１０
１上に複数個のインナリード１０２が形成されており、
このインナリード１０２に大規模集積回路（ＬＳＩ）チ
ップ１０３の表面に設けられた電極が接続されている。
絶縁ベースフィルム１０１のＬＳＩチップ１０３に整合
する位置には、デバイスホール１０４が形成されてい
る。また、絶縁ベースフィルム１０１の表面及び裏面上
には、金属導電層１０５ａ及び１０５ｂが形成されてお
り、その周囲には、エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂か
らなるソルダレジスト膜１０６が形成されている。
いては、ポリイミド等からなる絶縁ベースフィルム１０
１上に複数個のインナリード１０２が形成されており、
このインナリード１０２に大規模集積回路（ＬＳＩ）チ
ップ１０３の表面に設けられた電極が接続されている。
絶縁ベースフィルム１０１のＬＳＩチップ１０３に整合
する位置には、デバイスホール１０４が形成されてい
る。また、絶縁ベースフィルム１０１の表面及び裏面上
には、金属導電層１０５ａ及び１０５ｂが形成されてお
り、その周囲には、エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂か
らなるソルダレジスト膜１０６が形成されている。
【０００４】インナリード１０２と同じ表面側に設けら
れた金属導電層１０５ａには、所定形状の配線パターン
が形成されており、その端部に外部端子形成用ランド部
が設けられている。この外部端子形成用ランド部まで、
接地されないインナリードが引き回されている。他方の
金属導電層１０５ｂには、外部端子形成用アウタリード
・ランド（ＯＬＢ）部が形成されている。そして、絶縁
ベースフィルム１０１には、所定の外部端子形成用ラン
ド部と所定の外部端子形成用ＯＬＢ部とを結ぶ複数のス
ルーホール１０７が形成されており、その内部には、導
電層が埋め込まれている。更に、絶縁ベースフィルム１
０１のデバイスホール１０４近傍には、微細ビアホール
１０８が形成されている。微細ビアホール１０８には、
導電層が埋め込まれており、接地されるインナリード１
０２が金属導電層１０５ｂの接地電位にある領域に接続
されている。このようにして、２金属層構造のテ−プＢ
ＧＡ（Ｔ−ＢＧＡ）用のＴＡＢ（tape automated bondi
ng）テープであるフィルムキャリアテープ１０９が構成
されている。
れた金属導電層１０５ａには、所定形状の配線パターン
が形成されており、その端部に外部端子形成用ランド部
が設けられている。この外部端子形成用ランド部まで、
接地されないインナリードが引き回されている。他方の
金属導電層１０５ｂには、外部端子形成用アウタリード
・ランド（ＯＬＢ）部が形成されている。そして、絶縁
ベースフィルム１０１には、所定の外部端子形成用ラン
ド部と所定の外部端子形成用ＯＬＢ部とを結ぶ複数のス
ルーホール１０７が形成されており、その内部には、導
電層が埋め込まれている。更に、絶縁ベースフィルム１
０１のデバイスホール１０４近傍には、微細ビアホール
１０８が形成されている。微細ビアホール１０８には、
導電層が埋め込まれており、接地されるインナリード１
０２が金属導電層１０５ｂの接地電位にある領域に接続
されている。このようにして、２金属層構造のテ−プＢ
ＧＡ（Ｔ−ＢＧＡ）用のＴＡＢ（tape automated bondi
ng）テープであるフィルムキャリアテープ１０９が構成
されている。
【０００５】更に、外部端子形成用ＯＬＢ部上には、ス
ルーホール１０７内まで延びる半田バンプ１１０が設け
られている。そして、半田バンプ１１０が多層配線基板
１１１に外部端子として接続されている。また、ＬＳＩ
チップ１０３とフィルムキャリアテープ１０９とは、デ
バイスホール１０４でポッティング樹脂１１２により相
互に固定されている。
ルーホール１０７内まで延びる半田バンプ１１０が設け
られている。そして、半田バンプ１１０が多層配線基板
１１１に外部端子として接続されている。また、ＬＳＩ
チップ１０３とフィルムキャリアテープ１０９とは、デ
バイスホール１０４でポッティング樹脂１１２により相
互に固定されている。
【０００６】また、ＬＳＩチップ１０３の裏面は、放熱
性樹脂１１３を介してヒートスプレッダ１１４に固定さ
れている。フィルムキャリアテープ１０９の金属導電層
１０５ａ側のソルダレジスト膜１０６上には、スティフ
ナ１１５が接着剤１１６により固定されている。スティ
フナ１１５は、放熱性樹脂１１３を介してヒートスプレ
ッダ１１４に固定されている。ヒートスプレッダ１１４
は、Ｃｕ若しくはＡｌ等の金属材料又はアルミナ、Ａｌ
Ｎ若しくはＳｉＣ等のセラミック材料からなる放熱性が
高い平板である。
性樹脂１１３を介してヒートスプレッダ１１４に固定さ
れている。フィルムキャリアテープ１０９の金属導電層
１０５ａ側のソルダレジスト膜１０６上には、スティフ
ナ１１５が接着剤１１６により固定されている。スティ
フナ１１５は、放熱性樹脂１１３を介してヒートスプレ
ッダ１１４に固定されている。ヒートスプレッダ１１４
は、Ｃｕ若しくはＡｌ等の金属材料又はアルミナ、Ａｌ
Ｎ若しくはＳｉＣ等のセラミック材料からなる放熱性が
高い平板である。
【０００７】このように構成された従来のフィルムキャ
リア型半導体装置においては、動作によりＬＳＩチップ
１０３から発生した熱は、放熱性樹脂１１３を介してヒ
ートスプレッダ１１４に伝達され、そこから外部へと放
熱される。
リア型半導体装置においては、動作によりＬＳＩチップ
１０３から発生した熱は、放熱性樹脂１１３を介してヒ
ートスプレッダ１１４に伝達され、そこから外部へと放
熱される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＬＳＩ
チップとして高速（動作周波数：１５０ＭＨｚ以上）・
高発熱性チップ（出力：７Ｗ以上）のものを搭載した場
合には、放熱が不十分となり、動作時のジャンクション
温度が高温になりすぎる。このため、ＬＳＩチップの信
頼性が低下したり、その動作不良が発生する。
チップとして高速（動作周波数：１５０ＭＨｚ以上）・
高発熱性チップ（出力：７Ｗ以上）のものを搭載した場
合には、放熱が不十分となり、動作時のジャンクション
温度が高温になりすぎる。このため、ＬＳＩチップの信
頼性が低下したり、その動作不良が発生する。
【０００９】このため、放熱効率を向上させる必要があ
るが、特に、ノート型のパーソナルコンピュータ、ノー
ト型のエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷ
Ｓ）等においては、装置の筐体に高さの制限があるの
で、半導体用パッケージ上に放熱用のヒートシンクを取
り付けることができない。このため、これらには、高速
・高発熱性チップを搭載することができず、装置全体の
高速化に支障があるという問題点がある。また、これら
のノート型機器においては、積極的にＬＳＩチップから
の放熱特性を向上させることが可能な空気の流れを形成
することが設計上困難な場合が多い。従って、従来のパ
ッケージの半導体装置では、ノート型のパーソナルコン
ピュータ及びＥＷＳの超薄型化・超高性能化に対応する
ことができないという問題点がある。
るが、特に、ノート型のパーソナルコンピュータ、ノー
ト型のエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷ
Ｓ）等においては、装置の筐体に高さの制限があるの
で、半導体用パッケージ上に放熱用のヒートシンクを取
り付けることができない。このため、これらには、高速
・高発熱性チップを搭載することができず、装置全体の
高速化に支障があるという問題点がある。また、これら
のノート型機器においては、積極的にＬＳＩチップから
の放熱特性を向上させることが可能な空気の流れを形成
することが設計上困難な場合が多い。従って、従来のパ
ッケージの半導体装置では、ノート型のパーソナルコン
ピュータ及びＥＷＳの超薄型化・超高性能化に対応する
ことができないという問題点がある。
【００１０】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、高い放熱性を確保することができるフィル
ムキャリア型半導体装置を提供することを目的とする。
のであって、高い放熱性を確保することができるフィル
ムキャリア型半導体装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に係るフィルムキ
ャリア型半導体装置は、最上層の導体層にビアホールが
形成された多層配線基板と、この多層配線基板にフィル
ムキャリアテープを使用して実装された半導体集積回路
チップと、この半導体集積回路チップの裏面が貼り付け
られたヒートスプレッダと、前記ビアホールに埋設され
た導電体膜と前記半導体集積回路チップの表面との間で
熱を伝導させる放熱部材と、前記フィルムキャリアテー
プ、前記ヒートスプレッダ及び前記半導体集積回路チッ
プに貼り付けられた金属製補強部材と、を有し、前記金
属製補強部材は、エポキシ系樹脂及びシリコーン系樹脂
からなる群から選択された１種の樹脂に金属粉末及びセ
ラミック粉末からなる群から選択された１種の粉末が添
加された接着剤により前記半導体集積回路チップに接着
されていることを特徴とする。
ャリア型半導体装置は、最上層の導体層にビアホールが
形成された多層配線基板と、この多層配線基板にフィル
ムキャリアテープを使用して実装された半導体集積回路
チップと、この半導体集積回路チップの裏面が貼り付け
られたヒートスプレッダと、前記ビアホールに埋設され
た導電体膜と前記半導体集積回路チップの表面との間で
熱を伝導させる放熱部材と、前記フィルムキャリアテー
プ、前記ヒートスプレッダ及び前記半導体集積回路チッ
プに貼り付けられた金属製補強部材と、を有し、前記金
属製補強部材は、エポキシ系樹脂及びシリコーン系樹脂
からなる群から選択された１種の樹脂に金属粉末及びセ
ラミック粉末からなる群から選択された１種の粉末が添
加された接着剤により前記半導体集積回路チップに接着
されていることを特徴とする。
【００１２】本発明に係る他のフィルムキャリア型半導
体装置は、最上層の導体層にビアホールが形成された多
層配線基板と、この多層配線基板にフィルムキャリアテ
ープを使用して実装された半導体集積回路チップと、こ
の半導体集積回路チップの裏面が貼り付けられたヒート
スプレッダと、前記ビアホールに埋設された導電体膜と
前記半導体集積回路チップの表面との間で熱を伝導させ
る放熱部材と、前記フィルムキャリアテープ、前記ヒー
トスプレッダ及び前記半導体集積回路チップに貼り付け
られた金属製補強部材と、を有し、前記金属製補強部材
は、半田を含有する接着剤により前記半導体集積回路チ
ップに接着されていることを特徴とする。
体装置は、最上層の導体層にビアホールが形成された多
層配線基板と、この多層配線基板にフィルムキャリアテ
ープを使用して実装された半導体集積回路チップと、こ
の半導体集積回路チップの裏面が貼り付けられたヒート
スプレッダと、前記ビアホールに埋設された導電体膜と
前記半導体集積回路チップの表面との間で熱を伝導させ
る放熱部材と、前記フィルムキャリアテープ、前記ヒー
トスプレッダ及び前記半導体集積回路チップに貼り付け
られた金属製補強部材と、を有し、前記金属製補強部材
は、半田を含有する接着剤により前記半導体集積回路チ
ップに接着されていることを特徴とする。
【００１３】本発明に係る更に他のフィルムキャリア型
半導体装置は、多層配線基板と、この多層配線基板にフ
ィルムキャリアテープを使用して実装された半導体集積
回路チップと、この半導体集積回路チップの裏面が貼り
付けられたヒートスプレッダと、前記フィルムキャリア
テープ、前記ヒートスプレッダ及び前記半導体集積回路
チップに貼り付けられた金属製補強部材と、を有し、前
記金属製補強部材は、エポキシ系樹脂及びシリコーン系
樹脂からなる群から選択された１種の樹脂に金属粉末及
びセラミック粉末からなる群から選択された１種の粉末
が添加された接着剤により前記半導体集積回路チップに
接着されていることを特徴とする。
半導体装置は、多層配線基板と、この多層配線基板にフ
ィルムキャリアテープを使用して実装された半導体集積
回路チップと、この半導体集積回路チップの裏面が貼り
付けられたヒートスプレッダと、前記フィルムキャリア
テープ、前記ヒートスプレッダ及び前記半導体集積回路
チップに貼り付けられた金属製補強部材と、を有し、前
記金属製補強部材は、エポキシ系樹脂及びシリコーン系
樹脂からなる群から選択された１種の樹脂に金属粉末及
びセラミック粉末からなる群から選択された１種の粉末
が添加された接着剤により前記半導体集積回路チップに
接着されていることを特徴とする。
【００１４】本発明に係る更に他のフィルムキャリア型
半導体装置は、多層配線基板と、この多層配線基板にフ
ィルムキャリアテープを使用して実装された半導体集積
回路チップと、この半導体集積回路チップの裏面が貼り
付けられたヒートスプレッダと、前記フィルムキャリア
テープ、前記ヒートスプレッダ及び前記半導体集積回路
チップに貼り付けられた金属製補強部材と、を有し、前
記金属製補強部材は、半田を含有する接着剤により前記
半導体集積回路チップに接着されていることを特徴とす
る。
半導体装置は、多層配線基板と、この多層配線基板にフ
ィルムキャリアテープを使用して実装された半導体集積
回路チップと、この半導体集積回路チップの裏面が貼り
付けられたヒートスプレッダと、前記フィルムキャリア
テープ、前記ヒートスプレッダ及び前記半導体集積回路
チップに貼り付けられた金属製補強部材と、を有し、前
記金属製補強部材は、半田を含有する接着剤により前記
半導体集積回路チップに接着されていることを特徴とす
る。
【００１５】また、前記半導体集積回路チップは、エポ
キシ系樹脂及びシリコーン系樹脂からなる群から選択さ
れた１種の樹脂に金属粉末及びセラミック粉末からなる
群から選択された１種の粉末が添加された接着剤又は半
田を含有する接着剤により前記ヒートスプレッダに接着
されていてもよい。
キシ系樹脂及びシリコーン系樹脂からなる群から選択さ
れた１種の樹脂に金属粉末及びセラミック粉末からなる
群から選択された１種の粉末が添加された接着剤又は半
田を含有する接着剤により前記ヒートスプレッダに接着
されていてもよい。
【００１６】更にまた、前記ヒートスプレッダは、金属
材料及びセラミック材料からなる群から選択された少な
くとも１種の材料を含有することができる。
材料及びセラミック材料からなる群から選択された少な
くとも１種の材料を含有することができる。
【００１７】本発明においては、半導体集積回路チップ
から発生した熱は、半導体集積回路チップの裏面からヒ
ートスプレッダに伝達されてそこから放熱されるだけで
なく、放熱性部材又は金属製補強部材により半導体集積
回路チップの側面又は側面及び表面からも多層配線基板
又はヒートスプレッダに伝達される。従って、放熱性が
著しく向上し、熱抵抗の上昇が抑制される。
から発生した熱は、半導体集積回路チップの裏面からヒ
ートスプレッダに伝達されてそこから放熱されるだけで
なく、放熱性部材又は金属製補強部材により半導体集積
回路チップの側面又は側面及び表面からも多層配線基板
又はヒートスプレッダに伝達される。従って、放熱性が
著しく向上し、熱抵抗の上昇が抑制される。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例及び参考例
に係るフィルムキャリア型半導体装置について、添付の
図面を参照して具体的に説明する。図１は本発明の参考
例に係るフィルムキャリア型半導体装置の構成を示す断
面図である。
に係るフィルムキャリア型半導体装置について、添付の
図面を参照して具体的に説明する。図１は本発明の参考
例に係るフィルムキャリア型半導体装置の構成を示す断
面図である。
【００１９】本参考例においては、ポリイミド等からな
る絶縁ベースフィルム１上に複数個のインナリード２が
形成されており、このインナリード２に半導体大規模集
積回路（ＬＳＩ）チップ３の表面に設けられた電極が接
続されている。絶縁ベースフィルム１のＬＳＩチップ３
に整合する位置には、デバイスホール４が形成されてい
る。また、絶縁ベースフィルム１の表面及び裏面上に
は、金属導電層５ａ及び５ｂが形成されており、その周
囲には、エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂からなるソル
ダレジスト膜６が形成されている。
る絶縁ベースフィルム１上に複数個のインナリード２が
形成されており、このインナリード２に半導体大規模集
積回路（ＬＳＩ）チップ３の表面に設けられた電極が接
続されている。絶縁ベースフィルム１のＬＳＩチップ３
に整合する位置には、デバイスホール４が形成されてい
る。また、絶縁ベースフィルム１の表面及び裏面上に
は、金属導電層５ａ及び５ｂが形成されており、その周
囲には、エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂からなるソル
ダレジスト膜６が形成されている。
【００２０】インナリード２と同じ表面側に設けられた
金属導電層５ａには、所定形状の配線パターンが形成さ
れており、その端部に外部端子形成用ランド部が設けら
れている。この外部端子形成用ランド部まで、接地され
ないインナリードが引き回されている。他方の金属導電
層５ｂには、外部端子形成用アウタリード・ランド（Ｏ
ＬＢ）部が形成されている。そして、絶縁ベースフィル
ム１には、所定の外部端子形成用ランド部と所定の外部
端子形成用ＯＬＢ部とを結ぶ複数のスルーホール７が形
成されており、その内部には、導電層が埋め込まれてい
る。更に、絶縁ベースフィルム１のデバイスホール４近
傍には、微細ビアホール８が形成されている。微細ビア
ホール８には、導電層が埋め込まれており、接地される
インナリード２が金属導電層５ｂの接地電位にある領域
に接続されている。このようにして、２金属層構造のテ
−プＢＧＡ（Ｔ−ＢＧＡ）用のＴＡＢテープであるフィ
ルムキャリアテープ９が構成されている。
金属導電層５ａには、所定形状の配線パターンが形成さ
れており、その端部に外部端子形成用ランド部が設けら
れている。この外部端子形成用ランド部まで、接地され
ないインナリードが引き回されている。他方の金属導電
層５ｂには、外部端子形成用アウタリード・ランド（Ｏ
ＬＢ）部が形成されている。そして、絶縁ベースフィル
ム１には、所定の外部端子形成用ランド部と所定の外部
端子形成用ＯＬＢ部とを結ぶ複数のスルーホール７が形
成されており、その内部には、導電層が埋め込まれてい
る。更に、絶縁ベースフィルム１のデバイスホール４近
傍には、微細ビアホール８が形成されている。微細ビア
ホール８には、導電層が埋め込まれており、接地される
インナリード２が金属導電層５ｂの接地電位にある領域
に接続されている。このようにして、２金属層構造のテ
−プＢＧＡ（Ｔ−ＢＧＡ）用のＴＡＢテープであるフィ
ルムキャリアテープ９が構成されている。
【００２１】更に、外部端子形成用ＯＬＢ部上には、ス
ルーホール７内まで延びる半田バンプ１０が設けられて
いる。そして、半田バンプ１０が多層配線基板１１に外
部端子として接続されている。また、ＬＳＩチップ３と
フィルムキャリアテープ９とは、デバイスホール４でエ
ポキシ系樹脂等のポッティング樹脂１２により相互に固
定されている。
ルーホール７内まで延びる半田バンプ１０が設けられて
いる。そして、半田バンプ１０が多層配線基板１１に外
部端子として接続されている。また、ＬＳＩチップ３と
フィルムキャリアテープ９とは、デバイスホール４でエ
ポキシ系樹脂等のポッティング樹脂１２により相互に固
定されている。
【００２２】多層配線基板１１の最上層に位置する導体
層１１ａのデバイスホール４と整合する領域には、ビア
ホール１７が形成されており、このビアホール１７内に
導体金属層１８が埋設されている。そして、断面がＴ字
型の放熱用部材１９が、その狭い方の端面がＬＳＩチッ
プ３に密接するようにして配設されている。Ｔ字型の放
熱用部材１９の広い方の端面には、高放熱性ゴム状シー
ト２０がコーティングされており、導体金属層１８上に
密接している。放熱用部材１９は、例えばセラミック、
Ｃｕ、Ｆｅ又はＡｌ等から構成されている。
層１１ａのデバイスホール４と整合する領域には、ビア
ホール１７が形成されており、このビアホール１７内に
導体金属層１８が埋設されている。そして、断面がＴ字
型の放熱用部材１９が、その狭い方の端面がＬＳＩチッ
プ３に密接するようにして配設されている。Ｔ字型の放
熱用部材１９の広い方の端面には、高放熱性ゴム状シー
ト２０がコーティングされており、導体金属層１８上に
密接している。放熱用部材１９は、例えばセラミック、
Ｃｕ、Ｆｅ又はＡｌ等から構成されている。
【００２３】また、ＬＳＩチップ３の裏面は、放熱性樹
脂１３を介してヒートスプレッダ１４に固定されてい
る。放熱性樹脂１３及び高放熱性ゴム状シート２０は、
例えば主成分としてのエポキシ系樹脂又はシリコーン系
樹脂にＡｇ、Ｐｄ、Ｃｕ若しくはＡｌ等の金属材料、ア
ルミナ、ＡｌＮ、ムライト若しくはＢＮ等のセラミック
材料の粉末が添加されたものが使用可能である。また、
半田等の熱伝導率が優れた金属性シート状の放熱接着剤
を使用することも可能である。フィルムキャリアテープ
９の金属導電層５ａ側のソルダレジスト膜６上には、ス
ティフナ（金属製補強部材）１５が接着剤１６により固
定されている。スティフナ１５は、放熱性樹脂１３を介
してヒートスプレッダ１４に固定されている。ヒートス
プレッダ１４は、Ｃｕ若しくはＡｌ等の金属材料又はア
ルミナ、ＡｌＮ若しくはＳｉＣ等のセラミック材料から
なる放熱性が高い平板である。
脂１３を介してヒートスプレッダ１４に固定されてい
る。放熱性樹脂１３及び高放熱性ゴム状シート２０は、
例えば主成分としてのエポキシ系樹脂又はシリコーン系
樹脂にＡｇ、Ｐｄ、Ｃｕ若しくはＡｌ等の金属材料、ア
ルミナ、ＡｌＮ、ムライト若しくはＢＮ等のセラミック
材料の粉末が添加されたものが使用可能である。また、
半田等の熱伝導率が優れた金属性シート状の放熱接着剤
を使用することも可能である。フィルムキャリアテープ
９の金属導電層５ａ側のソルダレジスト膜６上には、ス
ティフナ（金属製補強部材）１５が接着剤１６により固
定されている。スティフナ１５は、放熱性樹脂１３を介
してヒートスプレッダ１４に固定されている。ヒートス
プレッダ１４は、Ｃｕ若しくはＡｌ等の金属材料又はア
ルミナ、ＡｌＮ若しくはＳｉＣ等のセラミック材料から
なる放熱性が高い平板である。
【００２４】このように構成された本参考例において
は、スティフナ１５により、半田バンプ１０の平面性が
確保される。また、動作によりＬＳＩチップ３から発生
した熱は、放熱性樹脂１３を介してヒートスプレッダ１
４に伝達され、そこから外部へと放熱されるだけでな
く、放熱用部材１９、高放熱性ゴム状シート２０及び導
体金属層１８を介して多層配線基板１１から外部へと放
熱される。また、フィルムキャリアテープ９の熱は、接
着剤１６、スティフナ１５及び放熱性樹脂１３を介して
ヒートスプレッダ１４から放熱される。このように、Ｌ
ＳＩチップ３から発生した熱は、多くの経路を介して外
部へと放出されるので、内部の温度上昇が抑制される。
これにより、熱抵抗の上昇が抑制される。従って、ノー
ト型のパーソナルコンピュータ及びエンジニアリング・
ワークステーション等において、薄型化しながら性能を
向上させることが可能となる。
は、スティフナ１５により、半田バンプ１０の平面性が
確保される。また、動作によりＬＳＩチップ３から発生
した熱は、放熱性樹脂１３を介してヒートスプレッダ１
４に伝達され、そこから外部へと放熱されるだけでな
く、放熱用部材１９、高放熱性ゴム状シート２０及び導
体金属層１８を介して多層配線基板１１から外部へと放
熱される。また、フィルムキャリアテープ９の熱は、接
着剤１６、スティフナ１５及び放熱性樹脂１３を介して
ヒートスプレッダ１４から放熱される。このように、Ｌ
ＳＩチップ３から発生した熱は、多くの経路を介して外
部へと放出されるので、内部の温度上昇が抑制される。
これにより、熱抵抗の上昇が抑制される。従って、ノー
ト型のパーソナルコンピュータ及びエンジニアリング・
ワークステーション等において、薄型化しながら性能を
向上させることが可能となる。
【００２５】次に、本発明の第１の実施例について説明
する。第１の実施例には、ＬＳＩチップの表面からでは
なく側面から放熱が行われる構造が採用されている。図
２は本発明の第１の実施例に係るフィルムキャリア型半
導体装置の構成を示す断面図である。なお、図２に示す
第１の実施例において、図１に示す参考例と同一の構成
要素には、同一の符号を付してその詳細な説明は省略す
る。
する。第１の実施例には、ＬＳＩチップの表面からでは
なく側面から放熱が行われる構造が採用されている。図
２は本発明の第１の実施例に係るフィルムキャリア型半
導体装置の構成を示す断面図である。なお、図２に示す
第１の実施例において、図１に示す参考例と同一の構成
要素には、同一の符号を付してその詳細な説明は省略す
る。
【００２６】第１の実施例においては、スティフナ１５
ａの側面とＬＳＩチップ３の側面との間隔が、約１００
乃至２００μｍとされている。そして、スティフナ１５
ａとＬＳＩチップ３とが高放熱性接着剤２１により接着
されている。高放熱性接着剤２１の原料としては、例え
ば放熱性樹脂１３と同じ原料又は半田等を主成分とする
熱伝導率が高い金属原料を使用することができる。
ａの側面とＬＳＩチップ３の側面との間隔が、約１００
乃至２００μｍとされている。そして、スティフナ１５
ａとＬＳＩチップ３とが高放熱性接着剤２１により接着
されている。高放熱性接着剤２１の原料としては、例え
ば放熱性樹脂１３と同じ原料又は半田等を主成分とする
熱伝導率が高い金属原料を使用することができる。
【００２７】このように構成された第１の実施例におい
ては、動作によりＬＳＩチップ３から発生した熱は、放
熱性樹脂１３を介してヒートスプレッダ１４に伝達され
ると共に、高放熱性接着剤２１及びスティフナ１５ａ及
び放熱性樹脂１３を介してヒートスプレッダ１４に伝達
され、そこから外部へと放熱される。従って、第１の実
施例においては、熱抵抗の上昇が抑制される。
ては、動作によりＬＳＩチップ３から発生した熱は、放
熱性樹脂１３を介してヒートスプレッダ１４に伝達され
ると共に、高放熱性接着剤２１及びスティフナ１５ａ及
び放熱性樹脂１３を介してヒートスプレッダ１４に伝達
され、そこから外部へと放熱される。従って、第１の実
施例においては、熱抵抗の上昇が抑制される。
【００２８】次に、第２の実施例について説明する。第
２の実施例は、前述の参考例及び第１の実施例が組み合
わされた構造を有している。図３は本発明の第２の実施
例に係るフィルムキャリア型半導体装置の構成を示す断
面図である。なお、図３に示す第２の実施例において、
図１又は２に示す参考例又は第１の実施例と同一の構成
要素には、同一の符号を付してその詳細な説明は省略す
る。
２の実施例は、前述の参考例及び第１の実施例が組み合
わされた構造を有している。図３は本発明の第２の実施
例に係るフィルムキャリア型半導体装置の構成を示す断
面図である。なお、図３に示す第２の実施例において、
図１又は２に示す参考例又は第１の実施例と同一の構成
要素には、同一の符号を付してその詳細な説明は省略す
る。
【００２９】第２の実施例には、前述の参考例において
設けられている高放熱性ゴム状シート２０及び導体金属
層１８並びに第１の実施例において設けられているステ
ィフナ１５ａ及び高放熱性接着剤２１が設けられてい
る。
設けられている高放熱性ゴム状シート２０及び導体金属
層１８並びに第１の実施例において設けられているステ
ィフナ１５ａ及び高放熱性接着剤２１が設けられてい
る。
【００３０】このように構成された第２の実施例におい
ては、動作によりＬＳＩチップ３から発生した熱は、放
熱性樹脂１３を介してヒートスプレッダ１４に伝達され
ると共に、高放熱性接着剤２１及びスティフナ１５ａ及
び放熱性樹脂１３を介してヒートスプレッダ１４に伝達
され、そこから外部へと放熱される。動作によりＬＳＩ
チップ３から発生した熱は、更に、放熱用部材１９、高
放熱性ゴム状シート２０及び導体金属層１８を介して多
層配線基板１１からも外部へと放熱される。従って、熱
抵抗の上昇がより一層抑制される。
ては、動作によりＬＳＩチップ３から発生した熱は、放
熱性樹脂１３を介してヒートスプレッダ１４に伝達され
ると共に、高放熱性接着剤２１及びスティフナ１５ａ及
び放熱性樹脂１３を介してヒートスプレッダ１４に伝達
され、そこから外部へと放熱される。動作によりＬＳＩ
チップ３から発生した熱は、更に、放熱用部材１９、高
放熱性ゴム状シート２０及び導体金属層１８を介して多
層配線基板１１からも外部へと放熱される。従って、熱
抵抗の上昇がより一層抑制される。
【００３１】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
半導体集積回路チップの裏面からヒートスプレッダに伝
達されてそこから放熱されるだけでなく、金属製補強部
材又は放熱性部材及び金属製補強部材により半導体集積
回路チップの側面又は表面及び側面からも多層配線基板
又はヒートスプレッダに伝達させることができる。これ
により、放熱性を著しく向上させ、熱抵抗の上昇を抑制
することができる。この結果、半導体集積回路チップを
高速化・高機能化しても、ノート型のパーソナルコンピ
ュータ及びエンジニアリング・ワークステーションをよ
り薄型化することができる。
半導体集積回路チップの裏面からヒートスプレッダに伝
達されてそこから放熱されるだけでなく、金属製補強部
材又は放熱性部材及び金属製補強部材により半導体集積
回路チップの側面又は表面及び側面からも多層配線基板
又はヒートスプレッダに伝達させることができる。これ
により、放熱性を著しく向上させ、熱抵抗の上昇を抑制
することができる。この結果、半導体集積回路チップを
高速化・高機能化しても、ノート型のパーソナルコンピ
ュータ及びエンジニアリング・ワークステーションをよ
り薄型化することができる。
【図１】本発明の参考例に係るフィルムキャリア型半導
体装置の構成を示す断面図である。
体装置の構成を示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施例に係るフィルムキャリア
型半導体装置の構成を示す断面図である。
型半導体装置の構成を示す断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例に係るフィルムキャリア
型半導体装置の構成を示す断面図である。
型半導体装置の構成を示す断面図である。
【図４】従来のフィルムキャリア型半導体装置を示す断
面図である。
面図である。
１、１０１；絶縁ベースフィルム ２、１０２；インナリード ３、１０３；ＬＳＩチップ ４、１０４；デバイスホール ５ａ、５ｂ、１０５ａ、１０５ｂ；金属導電層 ６、１０６；ソルダレジスト膜 ７、１０７；スルーホール ８、１０８；微細ビアホール ９、１０９；フィルムキャリアテープ １０、１１０；半田バンプ １１、１１１；多層配線基板 １１ａ；導体層 １２、１１２；ポッティング樹脂 １３、１１３；放熱性樹脂 １４、１１４；ヒートスプレッダ １５、１５ａ、１１５；スティフナ １６、１１６；接着剤 １７；ビアホール １８；導体金属層 １９；放熱用部材 ２０；高放熱性ゴム状シート ２１；高放熱性接着剤
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/12 H01L 23/34 - 23/473
Claims (7)
- 【請求項１】 最上層の導体層にビアホールが形成され
た多層配線基板と、この多層配線基板にフィルムキャリ
アテープを使用して実装された半導体集積回路チップ
と、この半導体集積回路チップの裏面が貼り付けられた
ヒートスプレッダと、前記ビアホールに埋設された導電
体膜と前記半導体集積回路チップの表面との間で熱を伝
導させる放熱部材と、前記フィルムキャリアテープ、前
記ヒートスプレッダ及び前記半導体集積回路チップに貼
り付けられた金属製補強部材と、を有し、前記金属製補
強部材は、エポキシ系樹脂及びシリコーン系樹脂からな
る群から選択された１種の樹脂に金属粉末及びセラミッ
ク粉末からなる群から選択された１種の粉末が添加され
た接着剤により前記半導体集積回路チップに接着されて
いることを特徴とするフィルムキャリア型半導体装置。 - 【請求項２】 最上層の導体層にビアホールが形成され
た多層配線基板と、この多層配線基板にフィルムキャリ
アテープを使用して実装された半導体集積回路チップ
と、この半導体集積回路チップの裏面が貼り付けられた
ヒートスプレッダと、前記ビアホールに埋設された導電
体膜と前記半導体集積回路チップの表面との間で熱を伝
導させる放熱部材と、前記フィルムキャリアテープ、前
記ヒートスプレッダ及び前記半導体集積回路チップに貼
り付けられた金属製補強部材と、を有し、前記金属製補
強部材は、半田を含有する接着剤により前記半導体集積
回路チップに接着されていることを特徴とするフィルム
キャリア型半導体装置。 - 【請求項３】 前記半導体集積回路チップは、エポキシ
系樹脂及びシリコーン系樹脂からなる群から選択された
１種の樹脂に金属粉末及びセラミック粉末からなる群か
ら選択された１種の粉末が添加された接着剤により前記
ヒートスプレッダに接着されていることを特徴とする請
求項１又は２に記載のフィルムキャリア型半導体装置。 - 【請求項４】 前記半導体集積回路チップは、半田を含
有する接着剤により前記ヒートスプレッダに接着されて
いることを特徴とする請求項１又は２に記載のフィルム
キャリア型半導体装置。 - 【請求項５】 多層配線基板と、この多層配線基板にフ
ィルムキャリアテープを使用して実装された半導体集積
回路チップと、この半導体集積回路チップの裏面が貼り
付けられたヒートスプレッダと、前記フィルムキャリア
テープ、前記ヒートスプレッダ及び前記半導体集積回路
チップに貼り付けられた金属製補強部材と、を有し、前
記金属製補強部材は、エポキシ系樹脂及びシリコーン系
樹脂からなる群から選択された１種の樹脂に金属粉末及
びセラミック粉末からなる群から選択された１種の粉末
が添加された接着剤により前記半導体集積回路チップに
接着されていることを特徴とするフィルムキャリア型半
導体装置。 - 【請求項６】 多層配線基板と、この多層配線基板にフ
ィルムキャリアテープを使用して実装された半導体集積
回路チップと、この半導体集積回路チップの裏面が貼り
付けられたヒートスプレッダと、前記フィルムキャリア
テープ、前記ヒートスプレッダ及び前記半導体集積回路
チップに貼り付けられた金属製補強部材と、を有し、前
記金属製補強部材は、半田を含有する接着剤により前記
半導体集積回路チップに接着されていることを特徴とす
るフィルムキャリア型半導体装置。 - 【請求項７】 前記ヒートスプレッダは、金属材料及び
セラミック材料からなる群から選択された少なくとも１
種の材料により構成されていることを特徴とする請求項
１乃至６のいずれか１項に記載のフィルムキャリア型半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12727599A JP3344362B2 (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | フィルムキャリア型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12727599A JP3344362B2 (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | フィルムキャリア型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000323627A JP2000323627A (ja) | 2000-11-24 |
| JP3344362B2 true JP3344362B2 (ja) | 2002-11-11 |
Family
ID=14955964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12727599A Expired - Fee Related JP3344362B2 (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | フィルムキャリア型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3344362B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6858932B2 (en) * | 2002-02-07 | 2005-02-22 | Freescale Semiconductor, Inc. | Packaged semiconductor device and method of formation |
| KR100714186B1 (ko) | 2006-03-20 | 2007-05-02 | 삼성전자주식회사 | 열방출형 테이프 캐리어 패키지 및 그의 제조 방법 |
| JP5280014B2 (ja) * | 2007-04-27 | 2013-09-04 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2012175070A (ja) * | 2011-02-24 | 2012-09-10 | Panasonic Corp | 半導体パッケージ |
| JP5935330B2 (ja) * | 2012-01-12 | 2016-06-15 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法、電子装置 |
-
1999
- 1999-05-07 JP JP12727599A patent/JP3344362B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000323627A (ja) | 2000-11-24 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |