JP2013149739A - 電子機器モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】基板と電子部品との接合に伴う基板の反りを抑えることができる電子機器モジュールを提供すること。
【解決手段】熱電変換素子モジュール１１は、第１の絶縁基板１５ａに第１の電極層１４が設けられた第１の基板１５と、第２の絶縁基板２６ａに第２の電極層２４が設けられた第２の基板２６とが、第１の電極層１４と第２の電極層２４を向き合わせて配置されている。また、第１の電極層１４に半田層Ｓを介して熱電変換素子２２の一端が接合されるとともに、第２の電極層２４に半田層Ｓを介して熱電変換素子２２の他端が接合されている。第１及び第２の基板１５，２６における中央側でその他の熱電変換素子２２ｃを第１及び第２の電極層１４，２４に接合するその他の半田層Ｓ３の凝固点に比べて、中央側よりも外側で外側熱電変換素子２２ｂを第１及び第２の電極層１４，２４に接合する外側半田層Ｓ２の凝固点を高くした。
【選択図】図４

Description

本発明は、第１の電極層に接合層を介して電子部品の一端が接合されるとともに、第２の電極層に接合層を介して電子部品の他端が接合されてなる電子機器モジュールに関する。

この種の電子機器モジュールとしては、例えば、特許文献１に開示の熱電変換モジュールがある。図５に示すように、特許文献１の熱電変換モジュール９０は、Ｐ型熱電素子９１ａ（電子部品）とＮ型熱電素子９１ｂ（電子部品）が交互に電気的に直列に接続された熱電素子接続体９１を備える。また、熱電変換モジュール９０は、Ｐ型熱電素子９１ａとＮ型熱電素子９１ｂを電気的に接続するための第１電極９２ｂを一面に備える第１基板９２と、Ｐ型熱電素子９１ａとＮ型熱電素子９１ｂを電気的に接続するための第２電極９３ｂを一面に備える第２基板９３とを備える。第１基板９２には端子電極９４が設けられるとともに、この端子電極９４には圧着部材９５と、この圧着部材９５に接続されたリード線９６が設けられている。

また、このような熱電変換モジュール９０は、第１基板９２の他面に熱交換器（図示せず）が接合されるとともに、第２基板９３の他面にも熱交換器（図示せず）が接合されて、例えば、電池等の温度調節用に使用される。

特開２００４−２２５７４号公報

ところが、特許文献１のような熱電変換モジュール９０においては、第１電極９２ｂ及び第２電極９３ｂにＰ型熱電素子９１ａ及びＮ型熱電素子９１ｂを接合する際、各基板９２，９３が加温、冷却されると、各基板９２，９３と各電極９２ｂ，９３ｂとの線膨張係数の差により、各基板９２，９３には反りが発生してしまう。

本発明は、このような従来の技術に存在する問題点に着目してなされたものであり、その目的は、基板と電子部品との接合に伴う基板の反りを抑えることができる電子機器モジュールを提供することにある。

上記問題点を解決するために、請求項１に記載の発明は、第１の絶縁基板に第１の電極層が設けられた第１の基板と、第２の絶縁基板に第２の電極層が設けられた第２の基板とが、前記第１の電極層と前記第２の電極層を向き合わせて配置され、前記第１の電極層に接合層を介して電子部品の一端が接合されるとともに、前記第２の電極層に接合層を介して前記電子部品の他端が接合されてなる電子機器モジュールに関する。そして、前記第１及び第２の基板における中央側で前記電子部品を前記第１及び第２の電極層に接合する接合層の凝固点と、前記中央側よりも外側で前記電子部品を前記第１及び第２の電極層に接合する接合層の凝固点とが異なる。

これによれば、電子部品を接合層で各電極層に接合するために第１及び第２の基板が加温、冷却されると、各基板は、冷却時、その中央側より外側の部分が電子部品から離間する方向に向けて反る場合と、中央側より外側の部分が電子部品に近付く方向に向けて反る場合とがある。いずれの場合も、凝固点の高い側の接合層の凝固点付近で、第１及び第２の基板の反りが収まり、平坦状になれば、第１及び第２の基板が平坦状のときに凝固点の高い側の接合層が凝固し、凝固した接合層によって第１の基板と第２の基板を平坦状のまま接合することができる。そして、凝固点の高い側の接合層が凝固した後に、凝固点の低い側の接合層が凝固するが、基板の温度低下に伴い各基板が反ろうとして応力が発生しても、その応力は凝固点の異なる２種類の接合層によって受承される。このため、接合層によって接合された電子部品に応力が作用することが回避される。

また、前記中央側で前記電子部品を前記第１及び第２の電極層に接合する接合層の凝固点と比べ、前記中央側よりも外側で前記電子部品を前記第１及び第２の電極層に接合する接合層の凝固点を高くしてもよい。

これによれば、電子部品を接合するために加温して冷却するとき、基板の中央側より外側の部分が電子部品から離間する方向に向けて反る第１及び第２の基板において、第１及び第２の基板が平坦状のときに外側の接合層が凝固すると、凝固した接合層によって第１の基板と第２の基板を平坦状のまま接合することができる。そして、第１及び第２の基板の温度が低下していき、各基板が反ろうとしても、外側の接合層によって各基板の反りを抑制することができ、第１の基板と第２の基板を平坦状に形状維持することができる。また、外側の接合層が凝固した後に中央側の接合層が凝固するが、基板の温度低下に伴い各基板が反ろうとして応力が発生しても、その応力は外側の接合層によってほとんど受承される。このため、外側の接合層以外の接合層によって接合された電子部品に応力が作用することが回避される。

また、前記第１及び第２の基板における中央側にも前記凝固点の高い接合層を設けてもよい。
これによれば、電子部品の接合の際、外側の接合層が凝固する温度付近で第１及び第２の基板が平坦状のとき、両基板の中央同士を接合層によって接合することができ、基板の中央側の接合層と外側の接合層の両方で第１の基板と第２の基板を互いに平坦状に維持し、反りを抑えることができる。

本発明によれば、基板と電子部品との接合に伴う基板の反りを抑えることができる。

実施形態の熱電変換素子モジュールを示す分解斜視図。 第１の基板上の第１の電極層及び半田層の配置を示す平面図。 熱電変換素子モジュールの作用を示す図１の３−３線部分拡大断面図。 熱電変換素子モジュールの作用を示す図１の４−４線部分拡大断面図。 背景技術を示す図。

以下、本発明の電子機器モジュールを熱電変換素子モジュールに具体化した一実施形態を図１〜図４にしたがって説明する。
図１に示すように、熱電変換素子モジュール１１の第１の熱交換器１２は、金属材料からなり、正方形状の基部１２ａに対して、複数のフィン１２ｂを一定の間隔をおいて並設して形成されている。第１の熱交換器１２の基部１２ａにおいて、フィン１２ｂの並設面と反対側の面には、第１の基板１５が蝋付けによって接合されている。この第１の基板１５は、セラミックス等の絶縁材料によって正方形に形成された第１の絶縁基板１５ａと、この第１の絶縁基板１５ａの一面に形成されたアルミニウム製の第１の電極層１４と、第１の絶縁基板１５ａの他面に形成されたアルミニウム製の第１の金属層１６と、からなる。第１の金属層１６は、第１の絶縁基板１５ａ及び基部１２ａと略同じ大きさのシート状に形成されるとともに、第１の絶縁基板１５ａ及び基部１２ａに対し面接触して密着している。

そして、蝋付けによって第１の金属層１６と基部１２ａとが接合されて第１の基板１５と第１の熱交換器１２が接合されるとともに、熱的に結合されている。第１の電極層１４には、交互に配置されたｎ型及びｐ型の熱電変換素子２２（電子部品）の一端が接合層としての半田層Ｓによって半田付けされている。

また、図３及び図４に示すように、ｎ型及びｐ型の熱電変換素子２２の他端は、第２の基板２６の第２の電極層２４に、接合層としての半田層Ｓによって半田付けされている。なお、第２の基板２６は、セラミックス等の絶縁材料によって正方形に形成された第２の絶縁基板２６ａと、この第２の絶縁基板２６ａの一面に形成されたアルミニウム製の第２の電極層２４と、第２の絶縁基板２６ａの他面に形成されたアルミニウム製の第２の金属層２７と、からなる。そして、ｎ型及びｐ型の熱電変換素子２２は、第１の電極層１４と第２の電極層２４によって電気的に直列に接続されている。

また、第２の基板２６は、熱電変換素子２２を挟むように第１の基板１５に対向配置されている。具体的には、第１の基板１５と、第２の基板２６とは、第１の電極層１４と第２の電極層２４とを向き合わせて配置されている。第２の基板２６において、第２の金属層２７には第２の熱交換器２５が蝋付けによって接合されている。第２の熱交換器２５は、第１の熱交換器１２と同様に、基部２５ａに複数のフィン２５ｂを並設した構成とされている。

第２の金属層２７は、第２の絶縁基板２６ａ及び基部２５ａと略同じ大きさのシート状に形成されるとともに、第２の絶縁基板２６ａ及び基部２５ａに対し面接触して密着している。

図１に示すように、熱電変換素子モジュール１１において、第１及び第２の基板１５，２６の中央側に配置されたｎ型及びｐ型の熱電変換素子２２を、中央側熱電変換素子２２ａとする。なお、第１及び第２の基板１５，２６の中央側とは、各基板１５，２６の中央そのものを含むとともに、中央付近も含むものとする。また、これら中央側熱電変換素子２２ａの外側で、第１及び第２の基板１５，２６の四隅に配置されたｎ型及びｐ型の熱電変換素子２２を、外側熱電変換素子２２ｂとする。そして、中央側熱電変換素子２２ａ及び外側熱電変換素子２２ｂ以外の熱電変換素子２２を、その他の熱電変換素子２２ｃとする。

また、図２に示すように、各基板１５，２６の中央側に配置され、中央側熱電変換素子２２ａを第１及び第２の電極層１４，２４に半田付けする半田層Ｓを中央側半田層Ｓ１とする。さらに、各基板１５，２６の中央側よりも外側であり、第１及び第２の基板１５，２６の四隅で外側熱電変換素子２２ｂを第１及び第２の電極層１４，２４に半田付けする半田層Ｓを外側半田層Ｓ２とする。さらに、中央側半田層Ｓ１及び外側半田層Ｓ２以外の半田層Ｓを、その他の半田層Ｓ３とする。

中央側半田層Ｓ１及び外側半田層Ｓ２を形成する半田は、その凝固点が、その他の半田層Ｓ３を形成する半田に比べて凝固点が高いものが用いられている。そして、中央側半田層Ｓ１及び外側半田層Ｓ２を形成する半田を、高温半田と記載し、その他の半田層Ｓ３を形成する半田を低温半田と記載する。高温半田は、低温半田に比べて引っ張り強度が強くなっている。

次に、第１の基板１５及び第２の基板２６の反りについて説明する。第１の基板１５の第１の絶縁基板１５ａには、第１の電極層１４及び第１の金属層１６が半田等により接合されるとともに、第２の基板２６の第２の絶縁基板２６ａには、第２の電極層２４及び第２の金属層２７が半田等により接合されている。各電極層１４，２４と、各金属層１６，２７とでは、各金属層１６，２７の方が各基板１５，２６に対する接合面積が大きい。このため、各絶縁基板１５ａ，２６ａと、各電極層１４，２４と、各金属層１６，２７を加温・冷却して半田等によって接合すると、各金属層１６，２７の収縮によって各絶縁基板１５ａ，２６ａが引っ張られる。すると、第１の基板１５は、中央より外側（周縁）が第１の金属層１６側に向けて反り、第２の基板２６は、中央より外側（周縁）が第２の金属層２７側に向けて沿っている。

各熱電変換素子２２ａ〜２２ｃに対し、第１の電極層１４と第２の電極層２４を半田付けする際は、各熱電変換素子２２ａ〜２２ｃと各電極層１４，２４の間に所定の高温半田及び低温半田を介装した状態で、融点まで昇温させた後、降温させ、溶融した高温半田及び低温半田を凝固させることで行われる。このとき、高温半田及び低温半田は、各熱電変換素子２２ａ〜２２ｃに対応して第１の基板１５及び第２の基板２６の所定箇所に碁盤目状に配置される。

次に、第１の基板１５、及び第２の基板２６と、熱電変換素子２２との半田付けを、各基板１５，２６の変形と共に説明する。
第１の基板１５と第２の基板２６は、対向配置されるとともに、第１の基板１５と第２の基板２６の間には中央側半田層Ｓ１、外側半田層Ｓ２、及びその他の半田層Ｓ３を介して各熱電変換素子２２ａ〜２２ｃが配設されているものとする。なお、第１及び第２の基板１５，２６の変形は、ＣＡＥ等による弾塑性解析や、電気抵抗ひずみ計測、光弾性法、幾何モアレ法、モアレ干渉法等による実測によって把握される。

さて、昇温前では、各基板１５，２６は、各金属層１６，２７の接合によって中央より外側の部分が熱電変換素子２２から離間する方向に向けて反った状態になっている。そして、各基板１５，２６の温度が上昇していくと、各基板１５，２６は熱膨張によって反り状態が徐々に収まっていき、ほぼ平坦状になる。そして、各基板１５，２６の温度が各半田層Ｓ１〜Ｓ３の融点以上になるようにさらに昇温させていくと、各基板１５，２６の中央より外側の部分が、逆に熱電変換素子２２に近付く方向に向けて反っていく。つまり、各半田層Ｓ１〜Ｓ３の融点及びその前後では、各基板１５，２６の中央より外側の部分が、熱電変換素子２２に近付く方向に向けて反っている。このため、第１の基板１５と第２の基板２６を対向させた状態では、両基板１５，２６の周縁が互いに近付く方向に向けて反った状態となる。

各半田層Ｓ１〜Ｓ３の融点以上から降温させていくと、各基板１５，２６は反り状態が徐々に収まっていき、中央側半田層Ｓ１及び外側半田層Ｓ２（高温半田）の凝固点では、第１の基板１５と第２の基板２６は平坦状になっている。すなわち、第１の基板１５と第２の基板２６は互いに平行をなす状態になる。そして、第１の基板１５と第２の基板２６が平坦状になったときに、中央側半田層Ｓ１及び外側半田層Ｓ２が凝固して、中央側熱電変換素子２２ａ及び外側熱電変換素子２２ｂが各基板１５，２６に半田付けされる。

さらに、降温させていき、その他の半田層Ｓ３（低温半田）の凝固点では、各基板１５，２６は、中央より外側の部分が熱電変換素子２２から離間する方向に反ろうとする。このとき、各基板１５，２６の四隅が外側半田層Ｓ２によって接合されているため、両基板１５，２６が反ることが防止され、第１及び第２の基板１５，２６の平坦状が維持される。なお、両基板１５，２６が反ろうとする際に発生する応力は、外側半田層Ｓ２によって受承される。そして、その他の半田層Ｓ３によって、その他の熱電変換素子２２ｃも各基板１５，２６に半田付けされる。

その後、さらに、各基板１５，２６を降温させていくと、各基板１５，２６は、加温する前の状態に戻ろうとするが、第１〜第３の半田層Ｓ１〜Ｓ３によって、各基板１５，２６の反りが防止される。

次に、熱電変換素子モジュール１１の作用について説明する。
第１及び第２の基板１５，２６の四隅では、凝固点の高い高温半田よりなる外側半田層Ｓ２によって外側熱電変換素子２２ｂが半田付けされている。そして、この外側半田層Ｓ２の凝固点は、半田付けのために加温して冷却するときに、第１の基板１５と第２の基板２６の反りが収まり、ほぼ平坦状になるときの温度である。このため、外側半田層Ｓ２により、第１の基板１５と第２の基板２６とが平坦状のまま接合されている。

また、第１及び第２の基板１５，２６の中央側でも、凝固点の高い高温半田よりなる中央側半田層Ｓ１によって中央側熱電変換素子２２ａが半田付けされている。そして、この中央側半田層Ｓ１の凝固点も、第１の基板１５と第２の基板２６の反りが収まり、ほぼ平坦状になるときの温度である。このため、中央側半田層Ｓ１により、第１の基板１５と第２の基板２６とが平坦状のまま接合されている。

上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
（１）その他の半田層Ｓ３の凝固点よりも、外側半田層Ｓ２の凝固点を高くした。そして、外側半田層Ｓ２の凝固点を、半田付けのために加温して冷却するときに両基板１５，２６が平坦状をなすときの温度とした。このため、各熱電変換素子２２ａ〜２２ｃの半田付けの際、第１及び第２の基板１５，２６が平坦状のとき、両基板１５，２６の四隅同士を、外側熱電変換素子２２ｂを介して外側半田層Ｓ２によって半田付けすることができる。したがって、熱電変換素子モジュール１１において、第１の基板１５と第２の基板２６を互いに平坦状にし、反りを抑えることができる。その結果として、各基板１５，２６と熱電変換素子２２とを確実に接合することができる。

（２）その他の半田層Ｓ３の凝固点よりも、外側半田層Ｓ２の凝固点を高くした。そして、外側半田層Ｓ２を各基板１５，２６の四隅に配置した。凝固点の高い外側半田層Ｓ２は、その他の半田層Ｓ３よりも引っ張り強度が強い。このため、外側半田層Ｓ２の凝固後、各基板１５，２６の降温に伴い各基板１５，２６が反ろうとしても、反りに伴い発生する応力を外側半田層Ｓ２で受承し、各基板１５，２６が応力によって反ることを防止することができる。逆に、その他の半田層Ｓ３では、応力をほとんど受承しないため、その他の半田層Ｓ３によって半田付けされる多くの熱電変換素子２２ｃに応力が発生することを防止することができる。

（３）各基板１５，２６の中央側の中央側熱電変換素子２２ａも、その他の半田層Ｓ３よりも凝固点の高い中央側半田層Ｓ１によって半田付けした。そして、各熱電変換素子２２ａ〜２２ｃの半田付けの際、第１及び第２の基板１５，２６が平坦状のとき、両基板１５，２６の中央同士も、中央側熱電変換素子２２ａを介して中央側半田層Ｓ１によって半田付けすることができる。したがって、各基板１５，２６の中央同士と、四隅同士を平坦状のまま接合することができ、第１の基板１５と第２の基板２６を互いに平坦状に維持し、反りを抑えることができる。

（４）熱電変換素子モジュール１１は、第１の基板１５と第２の基板２６が熱電変換素子２２ａ〜２２ｃを挟むように配置して形成されている。そして、各半田層Ｓ１〜Ｓ３の凝固点を設定することで、第１の基板１５と第２の基板２６が互いに平坦状をなす状態で各基板１５，２６と熱電変換素子２２を半田付けすることができ、第１及び第２の基板１５，２６の両方に熱電変換素子２２を確実に半田付けすることができる。

（５）各基板１５，２６は、それぞれ一面に各電極層１４，２４が形成され、他面にシート状に各金属層１６，２７が形成されている。各電極層１４，２４と、各金属層１６，２７の形状が異なることから、各基板１５，２６には反りが生じてしまう。しかし、本実施形態のように、その他の半田層Ｓ３の凝固点よりも、外側半田層Ｓ２の凝固点を高くし、外側半田層Ｓ２の凝固点を、半田付けのために加温して冷却するときに両基板１５，２６が平坦状をなすときの温度とすることで、各基板１５，２６を平坦状のまま半田付けすることができる。したがって、半田付けの際の各基板１５，２６の反りを抑えるために、各金属層１６，２７を、各電極層１４，２４の形状に合わせて分割して形成する必要がなくなる。

（６）各基板１５，２６は加温、冷却によって反りが発生するが、反りが収まり平坦状になる温度が存在する。そして、この平坦状になる温度を外側半田層Ｓ２の凝固点となるように、半田を選定した。よって、半田を選定するだけで、各基板１５，２６を平坦状に維持して熱電変換素子２２を半田付けすることができる。したがって、熱電変換素子２２の半田付けのために、各基板１５，２６の反りを抑える部材を別途設けたり、各基板１５，２６の厚みを変更する必要がなく、コストを大幅に増やすことなく熱電変換素子２２を半田付けすることができる。

なお、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
○ 実施形態では、各熱交換器１２，２５を矩形板状のフィン１２ｂ，２５ｂを複数並設したタイプに具体化したが、フィン１２ｂ，２５ｂの形状はピン状であってもよいし、フィンの配置等は適宜変更してもよく、フィンが無いタイプであってもよい。そして、各熱交換器１２，２５におけるフィンの形状、配置、有無等や、各基板１５，２６の中央からの距離により、各基板１５，２６のどの部分が反るかが決まる。よって、各基板１５，２６の反り量を予め測定しておき、その測定結果に合わせて半田の凝固点を考え、半田を選定するようにする。

○ 実施形態では、第１の基板１５及び第２の基板２６を正方形状に形成したが、第１の基板１５及び第２の基板２６は長方形状であってもよく、その他の形状であってもよい。

○ 実施形態では、電子部品として熱電変換素子２２に具体化したが、電子部品はその他の半導体素子やコンデンサ等に変更してもよい。
○ 実施形態では、各基板１５，２６の中央側にも、その他の半田層Ｓ３よりも凝固点の高い中央側半田層Ｓ１を設けたが、中央側半田層Ｓ１は無くてもよい。

○ 実施形態では、外側半田層Ｓ２を各基板１５，２６の四隅に配置したが、外側半田層Ｓ２を各基板１５，２６の周縁全体に亘って配置してもよい。
○ 実施形態では、各基板１５，２６の四隅の外側熱電変換素子２２ｂを、凝固点の高い外側半田層Ｓ２で各基板１５，２６に半田付けしたが、外側半田層Ｓ２で各基板１５，２６に半田付けする電子部品をダミーチップに変更してもよい。

○ 実施形態では、外側熱電変換素子２２ｂを外側半田層Ｓ２によって各基板１５，２６の四隅に半田付けするとともに、中央側熱電変換素子２２ａを中央側半田層Ｓ１によって各基板１５，２６の中央に半田付けしたが、これに限らない。各基板１５，２６の平坦状を維持できるのであれば、凝固点の高い外側半田層Ｓ２や中央側半田層Ｓ１の配置は適宜変更してもよい。

○ 実施形態では、接合層（半田層）の凝固点付近で各基板１５，２６の中央より外側の部分が熱電変換素子２２から離間する方向に向けて反る基板１５，２６の場合に具体化したが、接合層の凝固点付近で各基板の中央より外側の部分が熱電変換素子２２に近付く方向に向けて基板の場合に具体化してもよい。この場合、各基板の中央側で中央側熱電変換素子２２ａを各電極層１４，２４に接合する中央側半田層Ｓ１の凝固点を、中央より外側で外側熱電変換素子２２ｂを各電極層１４，２４に接合する外側半田層Ｓ２の凝固点より高くする。

○ 実施形態では、各基板１５，２６に各熱交換器１２，２５を接合した構成としたが、各基板１５，２６は、熱交換器１２，２５が接合されていないものであってもよい。
○ 実施形態では、接合層として半田に具体化したが、半田以外にも接着剤や熱硬化性樹脂等に具体化してもよい。

次に、上記実施形態及び別例から把握できる技術的思想について以下に追記する。
（イ）前記基板の他面には金属層が設けられるとともに、該金属層には熱交換器が接合されている電子機器モジュール。

（ロ）前記外側の接合層の凝固点は、前記接合層による前記電子部品の接合の際に前記第１の基板及び第２の基板が平坦状をなすときの温度である電子機器モジュール。
（ハ）前記外側の接合層の引っ張り強度は、中央の接合層の引っ張り強度より強い電子機器モジュール。

Ｓ…接合層としての半田層、Ｓ１…接合層としての中央側半田層、Ｓ２…接合層としての外側半田層、１１…電子機器モジュールとしての熱電変換素子モジュール、１４…第１の電極層、１５…第１の基板、１５ａ…第１の絶縁基板、２２…電子部品としての熱電変換素子、２４…第２の電極層、２６…第２の基板、２６ａ…第２の絶縁基板。

Claims (3)

1. 第１の絶縁基板に第１の電極層が設けられた第１の基板と、
   第２の絶縁基板に第２の電極層が設けられた第２の基板とが、前記第１の電極層と前記第２の電極層を向き合わせて配置され、前記第１の電極層に接合層を介して電子部品の一端が接合されるとともに、前記第２の電極層に接合層を介して前記電子部品の他端が接合されてなる電子機器モジュールであって、
   前記第１及び第２の基板における中央側で前記電子部品を前記第１及び第２の電極層に接合する接合層の凝固点と、
   前記中央側よりも外側で前記電子部品を前記第１及び第２の電極層に接合する接合層の凝固点とが異なることを特徴とする電子機器モジュール。
2. 前記中央側で前記電子部品を前記第１及び第２の電極層に接合する接合層の凝固点と比べ、前記中央側よりも外側で前記電子部品を前記第１及び第２の電極層に接合する接合層の凝固点を高くしたことを特徴とする請求項１に記載の電子機器モジュール。
3. 前記第１及び第２の基板における中央側にも前記凝固点の高い接合層を設けた請求項２に記載の電子機器モジュール。