JP2011119335A - モールドパッケージの製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】ハーフモールド構造のモールドパッケージの製造方法において、ヒートシンクを部品搭載面である一面の中央部にて押さえることなく、当該一面が凸となるようにヒートシンクが反るのを抑制し、ヒートシンクの他面にモールド樹脂が付着するのを防止する。
【解決手段】予めヒートシンク10をその部品搭載面である一面が凹となるように反らせておき、この反りの状態を維持したままヒートシンク10を下型110の凹部111内に配置し、続いて、ヒートシンク10の一面のうち電子部品20よりも周辺部寄りの部位を上型120の押さえ部121で押さえて、ヒートシンク10の他面の全体を凹部111の底部に密着させる。その後、ヒートシンク10および電子部品20と上型120との隙間にモールド樹脂40を充填してモールド樹脂40による封止を行う。
【選択図】図3

Description

本発明は、板状をなすヒートシンクの一面に電子部品を搭載し、ヒートシンクの他面が露出するようにヒートシンクおよび電子部品をモールド樹脂で封止してなるハーフモールド構造のモールドパッケージの製造方法に関する。
従来より、この種の製造方法では、一般に、板状をなすヒートシンクの両板面のうちの一面の中央部寄りに電子部品を搭載し、これをモールド樹脂成型用の金型に配置し、ヒートシンクおよび電子部品をモールド樹脂で封止しつつ、ヒートシンクの両板面のうちの他面をモールド樹脂より露出させるようにしている。
ここで、金型を用いたモールド樹脂による封止工程は、一般に次の通りである。まず、金型としては、キャビティとしての凹部を有する下型とこの凹部を閉塞するように下型に合致する上型とよりなるものが一般的に用いられる。
そして、ヒートシンクの一面に電子部品を搭載し、このヒートシンクを下型の凹部内に配置する。このとき、ヒートシンクの他面を下型の凹部の底部に対向させて当該底部に密着させるようにする。これは、ヒートシンクの他面にモールド樹脂が回り込まないようにして、ヒートシンクの他面をモールド樹脂より露出させるためである。
そして、ヒートシンクおよび電子部品と上型とが隙間を有した状態となるように、上型を下型に合致させることにより、ヒートシンクを金型に固定する。その後、ヒートシンクおよび電子部品と上型との隙間にモールド樹脂を充填してモールド樹脂による封止を行う。以上が封止工程である。
ここにおいて、プレス等にてヒートシンクを成形するときに当該ヒートシンクに加わる力や、ヒートシンクを金型に配置後に当該ヒートシンクに加わる熱などにより、金型内に配置されたヒートシンクに反りが存在する場合がある。
このようなヒートシンクの反りが存在すると、ヒートシンクの他面の全体が金型に密着せず、一部が離れてしまい、その隙間にモールド樹脂が回り込んで樹脂バリが発生するという問題が生じる。
一方、従来では、ヒートシンクの他面を露出させるハーフモールド構造のモールドパッケージの封止工程において、ヒートシンクの一面側を上型で押さえてヒートシンクの他面を下型に密着させる方法(特許文献1参照)や、ヒートシンクの他面側を金型に吸着させる方法(特許文献2参照)が提案されている。
特開2002−343819号公報 特開平6−21120号公報
ここで、上記特許文献1のように、ヒートシンクを部品搭載面である一面側から押さえる方法を、反りの矯正方法として採用しようとすると、以下のような問題が生じる。
一般に、ヒートシンクの一面のうち中央部寄りに電子部品を搭載するので、ヒートシンクを押さえる場合には、ヒートシンクのうち一面の電子部品を外した周辺部を押さえることとなる。
この場合、ヒートシンクの他面が凸となるようにヒートシンクが反った場合には、ヒートシンクの周辺部が金型から浮き上がった状態となるので、ヒートシンクの一面の周辺部を押さえて反りを矯正することは可能である。しかし、ヒートシンクの一面が凸となるようにヒートシンクが反った場合には、ヒートシンクの一面の周辺部を押さえても当該反りは矯正されない。
一方、ヒートシンクの一面の中央部を押さえて、当該反りを矯正することも考えられるが、この場合、電子部品の上からヒートシンクを押さえつけることになるので、電子部品にダメージを与えないように当該押さえ力を大きくすることは困難であり、結果、当該反りの矯正も難しい。
また、ヒートシンクの一面の中央部に、押さえられる領域として空きスペースを設けることも考えられるが、この場合、ヒートシンクに対する電子部品の配置に制約が生じるため、現実的ではない。
また、上記特許文献2のような吸着力を用いた方法では、そもそもヒートシンクの反りが矯正可能な大きさの力を加えることが難しい。
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、ハーフモールド構造のモールドパッケージの製造方法において、ヒートシンクを部品搭載面である一面の中央部にて押さえることなく、当該一面が凸となるようにヒートシンクが反るのを抑制し、ヒートシンクの他面にモールド樹脂が付着するのを防止することを目的とする。
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明は、ハーフモールド構造のモールドパッケージの製造方法において、次のような点を特徴とするものである。
・凹部(111)を有する下型(110)と凹部(111)を閉塞するように下型(110)に合致する上型(120)とよりなるモールド樹脂(40)成形用の金型(100)を用意する。
・ヒートシンク(10)の他面を下型(110)の凹部(111)の底部に対向させた状態で、電子部品(20)が搭載されたヒートシンク(10)を凹部(111)内に配置するとともに、ヒートシンク(10)および電子部品(20)と上型(120)とが隙間を有した状態となるように、上型(120)を下型(110)に合致させることにより、ヒートシンク(10)を金型(100)に固定する第1の工程を行う。
・その後、ヒートシンク(10)および電子部品(20)と上型(120)との隙間にモールド樹脂(40)を充填してモールド樹脂(40)による封止を行う第2の工程を行う。
・ここにおいて、第1の工程の前に、予めヒートシンク(10)をその一面が凹となるように反らせておき、第1の工程では、当該反りの状態を維持したままヒートシンク(10)を凹部(111)内に配置し、続いて、第2の工程にて、ヒートシンク(10)の一面のうち電子部品(20)よりも周辺部寄りの部位を上型(120)で押さえて、ヒートシンク(10)の他面の全体を凹部(111)の底部に密着させる。本製造方法は、以上の点を特徴とするものである。
それによれば、予めヒートシンク(10)をその一面が凹となるように反らせているが、金型(100)内では、当該一面の周辺部を押さえることで、この反りは矯正され、ヒートシンク(10)の他面と凹部(111)の底部とは隙間なく密着する。また、モールド樹脂(40)で封止するときに、当該一面が凸となるようにヒートシンク(10)を反らせようとする力が、ヒートシンク(10)に加わっても、ヒートシンク(10)には、その力とは反対方向に反ろうとする力が存在しているので、当該一面が凸となるような反りは抑制される。
よって、本発明によれば、モールド樹脂(40)による封止工程において、ヒートシンク(10)を部品搭載面である一面の中央部にて押さえることなく、当該一面が凸となるようにヒートシンク(10)が反るのを抑制し、ヒートシンク(10)の他面にモールド樹脂(40)が付着するのを防止することができる。
請求項2に記載の発明は、ハーフモールド構造のモールドパッケージの製造方法において、次のような点を特徴とするものである。
・凹部(111)を有する下型(110)と凹部(111)を閉塞するように下型(110)に合致する上型(120)とよりなるモールド樹脂(40)成形用の金型(100)を用意する。
・ヒートシンク(10)の他面を下型(110)の凹部(111)の底部に対向させた状態で、電子部品(20)が搭載されたヒートシンク(10)を凹部(111)内に配置するとともに、ヒートシンク(10)および電子部品(20)と上型(120)とが隙間を有した状態となるように、上型(120)を下型(110)に合致させることにより、ヒートシンク(10)を金型(100)に固定する第1の工程を行う。
・その後、ヒートシンク(10)および電子部品(20)と上型(120)との隙間にモールド樹脂(40)を充填してモールド樹脂(40)による封止を行う第2の工程を行う。
ここにおいて、ヒートシンク(10)において互いに対向する端部に位置する側面にて、当該側面のうちヒートシンク(10)の一面寄りの部位を、当該側面の他の部位よりも突出する突出部(12a)とし、第1の工程では、突出部(12a)を凹部(111)の側面に接触させ、凹部(111)の側面から突出部(12a)に圧力を加えた状態で、ヒートシンク(10)を凹部(111)内に配置し、ヒートシンク(10)の他面の全体を凹部(111)の底部に密着させる。本製造方法は、以上の点を特徴とするものである。
それによれば、ヒートシンク(10)において互いに対向する端部に位置する側面のうちヒートシンク(10)の一面寄りの部位を突出部(12a)とし、第1の工程でヒートシンク(10)を凹部(111)内に配置するときに、その突出部(12a)と凹部(111)の側面とを接触させ、凹部(111)の側面から突出部(12a)に圧力が加わる状態となるようにしているため、ヒートシンク(10)の対向する端部から加わる当該圧力によって、金型(100)内のヒートシンク(10)に対しては、その一面が凹となるように反る方向に力が加わった状態となる。
よって、本発明によれば、モールド樹脂(40)による封止工程において、ヒートシンク(10)を部品搭載面である一面の中央部にて押さえることなく、当該一面が凸となるようにヒートシンク(10)が反るのを抑制し、ヒートシンク(10)の他面にモールド樹脂(40)が付着するのを防止することができる。
ここで、請求項3に記載の発明のように、請求項2に記載の製造方法においては、突出部(12a)は、ヒートシンク(10)の側面のうちヒートシンク(10)の他面寄りの部位から一面寄りの部位に向かってテーパ状に突出するものにできる。
それによれば、突出部(12a)をテーパ状に突出させることにより、ヒートシンク(10)を下型(110)の凹部(111)に配置するときに、突出部(12a)と凹部(111)の側面とを接触させつつ、ヒートシンク(10)を凹部(111)にスムーズに入れやすくなる。
また、請求項4に記載の発明のように、請求項2または請求項3に記載の製造方法においては、第1の工程では、ヒートシンク(10)の温度を常温未満とした状態で突出部(12a)を凹部(111)の側面に接触させて、ヒートシンク(10)を凹部(111)内に配置するようにしてもよい。
それによれば、常温未満のヒートシンク(10)が常温に戻ったときに、その分、ヒートシンク(10)が膨張する。そのため、突出部(12a)と凹部(111)の側面との接触の圧力が増加し、金型(100)内のヒートシンク(10)に対してその一面が凹となるように反る方向に加わる力も増加するので、好ましい。
また、請求項5に記載の発明では、請求項1ないし請求項4のいずれか1つに記載の製造方法において、ヒートシンク(10)を、当該ヒートシンク(10)の他面側に位置する第1の層(10a)と当該ヒートシンク(10)の一面側に位置する第2の層(10b)とが積層されてなるものであって、第1の層(10a)が第2の層(10b)よりも線膨張係数が大きいものとすることを特徴とする。
それによれば、金型(100)内に配置されたヒートシンク(10)に熱が加わったときに、線膨張係数の異なる第1及び第2の層(10a、10b)の膨張度合の差によって、ヒートシンク(10)に対しては、その一面が凹となるように反る方向に力が加わった状態となるから、好ましい。
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
(a)は本発明の第1実施形態に係るモールドパッケージの概略平面図であり、(b)は(a)中のA−A概略断面図である。 封止工程前のワークを示す図であり、(a)は概略平面図、(b)は概略断面図である。 封止工程を示す工程図である。 金型の概略平面図であり、(a)は下型、(b)は上型を示す。 第1実施形態の他の例としての封止工程を示す工程図である。 本発明の第2実施形態に係るモールドパッケージの製造方法を示す工程図である。 本発明の第3実施形態に係るモールドパッケージの製造方法を示す工程図である。 本発明の第4実施形態に係るモールドパッケージの製造方法を示す工程図である。 本発明の第5実施形態に係るモールドパッケージの製造方法を示す工程図である。 本発明の第6実施形態に係るモールドパッケージの製造方法を示す工程図である。 本発明の第7実施形態に係るモールドパッケージの製造方法を示す工程図である。 本発明の第8実施形態に係るモールドパッケージの製造方法を示す工程図である。
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
(第1実施形態)
図1(a)は、本発明の第1実施形態に係るモールドパッケージS1の概略平面構成を示す図であり、(b)は(a)中の一点鎖線A−Aに沿ったパッケージS1の概略断面図である。なお、図1(a)ではモールド樹脂40の外形を破線にて示し、モールド樹脂40の内部構成についてはモールド樹脂40を透過して示してある。
本実施形態のモールドパッケージS1は、大きくは、ヒートシンク10と、ヒートシンク10の一面上に搭載された電子部品20と、電子部品20と外部とを電気的に接続するためのリードフレーム30と、これらヒートシンク10、電子部品20およびリードフレーム30を封止するモールド樹脂40とを備えており、さらに、ヒートシンク10の他面をモールド樹脂40より露出させた構成、いわゆるハーフモールド構造のパッケージとされている。
ヒートシンク10は、銅や鉄などの放熱性に優れた金属等よりなり、板状をなしている。ここでは、ヒートシンク10は、電子部品20を搭載する略矩形板状の矩形部11とその矩形部11の対向する2辺から外側に張り出した張り出し部12とが一体化された板形状をなしている。つまり、本実施形態の板状のヒートシンク10は、矩形部11を中央部とし、その周辺部を張り出し部12として構成されている。
電子部品20は、ヒートシンク10の両板面の一面の中央部寄り、すなわち、矩形部11の一面に搭載されている。この電子部品20としては、ヒートシンク10に搭載されるものであれば、特に限定するものではないが、たとえば、半導体チップなどよりなるICチップやトランジスタ素子あるいは受動素子、さらには、ミニモールド部品などが挙げられる。
そして、電子部品20は、ダイマウント材50を介してヒートシンク10の一面に搭載され、このダイマウント材50によって、ヒートシンク10に接合・固定されている。このダイマウント50としては、はんだや銀ペーストなどの導電性接着剤、あるいは、一般的な非導電性の接着剤などが挙げられる。
リードフレーム30は、ヒートシンク10の外側に設けられているが、ここでは、ヒートシンク10を取り巻くように、複数のリードフレーム30がヒートシンク10の外側に配列されている。図示しないが、各リードフレーム30と電子部品20とは、ボンディングワイヤなどにより電気的に接続されている。
そして、モールド樹脂40は、ヒートシンク10の一面側、電子部品20、リードフレーム30、さらには上記したボンディングワイヤなどを包み込むように封止している。このモールド樹脂40は、後述するように金型を用いたトランスファーモールド法により成形されたものである。
ここで、ヒートシンク10の他面、ここでは矩形部11および張り出し部12の他面は、モールド樹脂40より露出しており、この露出部分にて放熱を行うようにしている。また、リードフレーム30のヒートシンク10とは反対側の端部は、モールド樹脂40より露出し、この露出部分にて外部との電気的接続を行うようにしている。
また、リードフレーム30は、後述する製造工程では、枠部30a(後述の図2(a)参照)によって複数のリードフレーム30が連結された状態にあり、モールド樹脂40による封止工程前において、当該連結状態のリードフレーム30とヒートシンク10とは、かしめにより一体に固定されるようになっている。図1には、ヒートシンク10の張り出し部12において、そのかしめ部13が示されている。
次に、本モールドパッケージS1の製造方法について、図2、図3を参照して述べる。図2はモールド樹脂40による封止工程前のワークを示す図であり、(a)は概略平面図、(b)は概略断面図である。図3はモールド樹脂40による封止工程を示す工程図であり、各工程を断面的に示している。
まず、本製造方法では、ヒートシンク10の一面の中央部寄りに電子部品20を搭載する。また、ヒートシンク10とリードフレーム30とをかしめて、かしめ部13を形成することにより接合して一体化し、各リードフレーム30と電子部品20とを、ワイヤボンディングなどにより電気的に接続する。
このとき、リードフレーム30は、図2(a)に示されるように、枠部30aによって複数のリードフレーム30が連結された状態にある。そして、この連結状態のリードフレーム30において、モールド樹脂40による封止後には、枠部30aはモールド樹脂40の外側に位置しており、この枠部30aをカットすることで各リードフレーム30を分離するものである。
次に、図3に示されるように、この電子部品20およびリードフレーム30付きのヒートシンク10を金型100に設置し、モールド樹脂40による封止を行う。図4は、用意される金型100の概略平面図であり、(a)は下型110、(b)は上型120を示している。
この金型100は、図3、図4に示されるように、ヒートシンク10が入り込む大きさの凹部111を有する下型110と、この凹部111を閉塞するように下型110に合致する上型120とよりなる。
ここで、上型120には、モールド樹脂40の外形に対応した形状をなす凹部が形成されているが、さらに、ヒートシンク10の押さえ部121が設けられている。この押さえ部121は、封止工程中にヒートシンク10の一面の周辺部、すなわち張り出し部12の一面を押さえつけて、ヒートシンク10を固定する役割を果たすものである。なお、図2(a)には、張り出し部12の一面のうち押さえ部121で押さえられる領域12aを、示してある。
そして、本製造方法では、このような金型100内に、電子部品20およびリードフレーム30付きのヒートシンク10を配置するにあたって、予めヒートシンク10をその一面が凹、他面が凸となるように反らせておく。
なお、上述したように、ヒートシンク10はプレス等による成形時に反る場合があるが、このヒートシンク10の成形時において、ヒートシンク10が、その一面が凸となるように反った場合であっても、金型100への配置前には、ヒートシンク10を、その一面が凹となるように反らせておく。
この反りは、電子部品20を搭載する前のヒートシンク10に対して、曲げ加工などにより形成すればよい。反りの程度については、この種の一般的なサイズのヒートシンク10においては、たとえば20μm程度までとする。
次に、図3(a)に示されるように、この一面が凹となるように反った電子部品20およびリードフレーム30付きのヒートシンク10を、金型100に設置する第1の工程を行う。この第1の工程では、まず、当該ヒートシンク10の他面を下型110の凹部111の底部に対向させた状態で、ヒートシンク10を凹部111内に配置する。
このとき、予めヒートシンク10は、その一面が凹となるように反った状態となっているので、当該反りの状態を維持したまま、ヒートシンク10は凹部111内に配置される。そのため、ヒートシンク10の他面の中央部寄りの部位は、凹部11の底部に密着するが、当該他面の周辺部は凹部11の底部から浮いており、隙間が存在している。
そして、図3(b)に示されるように、ヒートシンク10および電子部品20と上型120とが隙間を有した状態となるように、上型120を下型110に合致させることにより、ヒートシンク10を金型100に固定する。
このとき、ヒートシンク10の一面のうち電子部品20よりも周辺部寄りの部位、ここでは張り出し部12を上型120の押さえ部121で押さえる。この押さえによって、ヒートシンク10の反りを矯正して、ヒートシンク10を平板形状とする。そうすることで、ヒートシンク10の他面の全体を凹部111の底部に密着させるようにする。ここまでが第1の工程であり、これによりヒートシンク10が金型100に設置される。
その後は、図示しないが、第2の工程として、ヒートシンク10および電子部品20と上型120との隙間にモールド樹脂40を充填してモールド樹脂40による封止を行う。この後、当該封止物を金型100より取り出し、リードフレーム30のカットなどを行うことにより、図1に示されるモールドパッケージS1ができあがる。以上が、本実施形態の製造方法である。
ところで、上記製造方法によれば、第1の工程の前に、予めヒートシンク10をその一面が凹となるように反らせているが、金型100内では、当該一面の周辺部を上型120の押さえ部121によって押さえることで、この反りは矯正され、ヒートシンク10の他面と凹部111の底部とは隙間なく密着する。そのため、ヒートシンク10の他面における樹脂バリの発生は防止される。
また、押さえ部121の押さえによって、ヒートシンク10の一面が凹となる反りは矯正されてはいるが、当該反りを引き起こそうとする力は、ヒートシンク10に内在している。それゆえ、封止工程時に、当該一面が凸となるようにヒートシンク10を反らせようとする力が、ヒートシンク10に加わっても、ヒートシンク10には、その力とは反対方向に反ろうとする力が存在しているので、当該一面が凸となるような反りは抑制されるのである。
よって、上記製造方法によれば、封止工程において、ヒートシンク10を部品搭載面である一面の中央部にて押さえることなく、当該一面が凸となるようにヒートシンク10が反るのを抑制し、ヒートシンク10の他面にモールド樹脂40が付着するのを防止することができる。
なお、図5は、本実施形態の他の例としての封止工程を示す工程図である。図5に示されるように、本製造方法に用いられる金型100としては、下型110の凹部111の底部が、その中央部が凸となるような凸面とされたものであってもよい。
この場合、封止工程における押さえ部121の押さえによって、ヒートシンク10は当該凸面に密着するように反らされるので、ヒートシンク10の他面へのモールド樹脂40の回り込み防止に好ましい。
(第2実施形態)
図6は、本発明の第2実施形態に係るモールドパッケージの製造方法を示す工程図であり、(a)、(b)はモールド樹脂40による封止工程を断面的に示す図であり、(c)は突出部12aを拡大して示す斜視図である。
本製造方法は、上記した第1実施形態の製造方法に比べて、ヒートシンク10における互いに対向する端部に位置する側面に、突出部12aを設け、この突出部12aを利用して封止工程を行うことが相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。
図6に示されるように、本実施形態では、突出部12aは、ヒートシンク10において互いに対向する端部の側面、ここでは、両張り出し部12の張り出し方向の先端部に位置する側面に、それぞれ設けられている。
そして、この突出部12aは、当該側面のうちヒートシンク10の一面寄りの部位を、当該側面の他の部位よりも突出させたものとして構成されている。ここでは、突出部12aは当該他の部位とは段差をもって突出している。このような突出部12aは、プレス加工やエッチング加工などにより形成される。
そして、本製造方法では、このような突出部12aを有するヒートシンク10に対して、上記同様に、電子部品20の搭載・固定、リードフレーム30の固定、さらにはワイヤボンディングなどを行い、続いて、封止工程を行う。
図6(a)では、ヒートシンク10はプレス等による成形時の力によって、その一面が凸となるように反っている。しかし、本製造方法の封止工程では、上記製造方法のようにヒートシンク10に予め反りを設ける方法ではなく、上記同様の第1、第2の工程を行うときに突出部12aを利用することで、金型100内のヒートシンク10において、その一面が凸となるような反りが発生するのを防止する。
すなわち、図6に示されるように、本封止工程における第1の工程では、突出部12aを凹部111の側面に接触させ、凹部111の側面から突出部12aに圧力を加えた状態で、ヒートシンク10を凹部111内に配置する。
具体的には、突出部12aを凹部111の側面に接触させ当該接触の圧力が加わった状態で、ヒートシンク10の張り出し部12を押さえ部121で押し込むことにより、突出部12aと凹部111の側面とを摺動させながら、ヒートシンク10を凹部111内に配置し、ヒートシンク10の他面の全体を凹部111の底部に密着させる。ここまでが第1の工程である。
その後は、上記第1実施形態と同様に、第2の工程として、ヒートシンク10および電子部品20と上型120との隙間にモールド樹脂40を充填してモールド樹脂40による封止を行い、リードフレーム30のカットなどを行う。
こうして、本実施形態においては、ヒートシンク10が突出部12aを有すること以外は、上記図1と同様の構成を有するモールドパッケージができあがる。以上が、本実施形態の製造方法である。
上記製造方法によれば、第1の工程でヒートシンク10を凹部111内に配置するときに、ヒートシンク10の側面のうちヒートシンク10の一面寄りの部位に設けられた突出部12aと凹部111の側面とが摺動するが、その摺動の摩擦力によって、ヒートシンク10に対して、その一面が凹となるように反る方向に力が加わる。
そして、金型100に配置された後のヒートシンク10に対しては、ヒートシンク10の対向する端部にて、凹部111の側面からヒートシンク10の一面寄りの突出部12aに圧力が加わるため、ヒートシンク10においては、図6(b)におけるヒートシンク10中に示す白矢印のように、その一面が凹となるように反る方向に力が発生した状態となる。
それにより、上記図6(a)において発生していた反りは矯正され、図6(b)に示されるように、ヒートシンク10は平板形状となり、その他面全体が凹部111の底部に密着する。そして、この状態で、第2の工程で、モールド樹脂40による封止が行われるのである。
そのため、本製造方法によれば、封止工程において、ヒートシンク10を部品搭載面である一面の中央部にて押さえることなく、当該一面が凸となるようにヒートシンク10が反るのを抑制し、ヒートシンク10の他面にモールド樹脂40が付着するのを防止することができる。
(第3実施形態)
図7(a)、(b)は、本発明の第3実施形態に係るモールドパッケージの製造方法を示す工程図であり、モールド樹脂40による封止工程を断面的に示す図である。
本実施形態は、上記第2実施形態の製造方法と同様、封止工程の第1、第2の工程を行うときに突出部12aを利用することで、金型100内のヒートシンク10において、その一面が凸となるような反りが発生するのを防止するものである。
ここにおいて、上記第2実施形態では、突出部12aは当該他の部位とは段差をもって突出していたが、本実施形態の突出部12aは、ヒートシンク10の側面のうちヒートシンク10の他面寄りの部位から一面寄りの部位に向かってテーパ状に突出するものである。このような突出部12aもプレス加工やエッチング加工などにより形成される。
そして、本製造方法では、封止工程における第1の工程において、ヒートシンク10の張り出し部12を押さえ部121で押し込むことにより、テーパ状の突出部12aと凹部111の側面とを摺動させながら、ヒートシンク10を凹部111内に配置する。それにより、突出部12aを凹部111の側面に接触させつつ、凹部111の側面から突出部12aに圧力を加えた状態で、ヒートシンク10が凹部111内に配置される。
そのため、本製造方法においても、ヒートシンク10において、図7(b)におけるヒートシンク10中に示す白矢印のように、その一面が凹となるように反る方向に力が発生した状態となり、ヒートシンク10は平板形状となって、その他面全体が凹部111の底部に密着する。こうして、第1の工程を行った後、上記同様の第2の工程を行うことで、テーパ状の突出部12aを有するモールドパッケージができあがる。
以上が本製造方法であるが、本実施形態においても、上記同様、封止工程において、ヒートシンク10の一面が凸となるようにヒートシンク10が反るのが抑制され、ヒートシンク10の他面の樹脂バリの発生を防止できる。
ここで、本製造方法では、突出部12aをテーパ状に突出させることにより、ヒートシンク10を凹部111に配置するときに、突出部12aと凹部111の側面とを接触させつつ、ヒートシンク10を凹部111にスムーズに入れやすい。さらに、図7に示されるように、凹部111の側面を当該凹部11の底部から開口部側に向かって拡がるテーパ面とすれば、ヒートシンク10の凹部111への挿入を、よりスムーズに行える。
(第4実施形態)
図8(a)、(b)は、本発明の第4実施形態に係るモールドパッケージの製造方法を示す工程図であり、モールド樹脂40による封止工程を断面的に示す図である。
本実施形態の製造方法も、上記第2実施形態と同様、突出部12aを利用するものであるが、本実施形態では、金型100の下型110を2分割された第1の下型110aと第2の下型110bとより構成されたものとしたことが相違する。
これら第1の下型110aおよび第2の下型110bは、上記各実施形態における下型110を凹部111の中央部付近にて2分割したものであり、最終的には当該両下型110a、110bが合致して、上記同様の下型110を構成するものである。
本製造方法の封止工程における第1の工程では、まず、図8(a)に示されるように、当該両下型110a、110bを分離させた状態で、ヒートシンク10を凹部111内に配置する。このとき、両下型110a、110bが分離しているので、その分、凹部111の開口幅も広がっており、ヒートシンク10の突出部12aと凹部111の側面とは接触せず、離れた状態となる。
次に、図8(b)に示されるように、両下型110a、110bを合致させて最終的な下型110の形状を形成することにより、突出部12aを凹部111の側面に接触させ、凹部111の側面から突出部12aに圧力を加えた状態とする。
そのため、ヒートシンク10において、図8(b)におけるヒートシンク10中に示す白矢印のように、その一面が凹となるように反る方向に力が発生した状態となり、平板形状となったヒートシンク10は、その他面全体を凹部111の底部に密着させつつ、当該凹部111内に配置される。
こうして、第1の工程を行った後、上記同様の第2の工程を行うことで、テーパ状の突出部12aを有するモールドパッケージができあがる。以上が本製造方法であり、本実施形態においても、封止工程において、ヒートシンク10の一面が凸となるようにヒートシンク10が反るのが抑制され、ヒートシンク10の他面の樹脂バリの発生を防止することができる。
(第5実施形態)
図9(a)、(b)は、本発明の第5実施形態に係るモールドパッケージの製造方法を示す工程図であり、モールド樹脂40による封止工程を断面的に示す図である。本実施形態の製造方法は、突出部12aを利用する上記第2および第3実施形態の製造方法において、ヒートシンク10の温度に工夫を施したものである。
すなわち、本製造方法の封止工程における第1の工程では、ヒートシンク10の温度を金型100の温度、特に下型110の温度よりも低く且つ常温未満とした状態で突出部12aを凹部111の側面に接触させ上記圧力を加えた状態で、ヒートシンク10を凹部111内に配置する。
具体的に、下型110の温度は、モールド樹脂40の成形温度、たとえば約200℃としておき、ヒートシンク10の温度は、たとえば10℃以下としておく。そして、図9(a)に示されるように、このような低温のヒートシンク10を凹部111内に配置する。
それによれば、常温未満のヒートシンク10が常温に戻ったときに、その分、ヒートシンク10が凹部111内にて膨張するから、突出部12aと凹部111の側面との接触の圧力が増加する。そして、図9(b)におけるヒートシンク10中に示す白矢印のように、ヒートシンク10の一面が凹となるように反る方向に力が発生するが、上記接触の圧力の増加によって、当該発生する力も増加する。
そのため、図9(b)に示されるように、ヒートシンク10は、その反りが矯正されて平板形状となり、その他面全体が凹部111の底部に密着する。そして、この状態でモールド樹脂40による封止が行われるから、ヒートシンク10の他面にモールド樹脂40が付着するのを防止することができる。
(第6実施形態)
図10(a)、(b)は、本発明の第6実施形態に係るモールドパッケージの製造方法を示す工程図であり、モールド樹脂40による封止工程を断面的に示す図である。本実施形態の製造方法は、上記第2実施形態の製造方法と同様、突出部12aを利用するものであるが、上型120の押さえ部121の位置を変更したものである。
ここでは、図10に示されるように、押さえ部121の位置を上記第2実施形態に比べて、ヒートシンク10の中央部寄りに変更している。ただし、あくまで、押さえ部121は、ヒートシンク10の一面における電子部品20よりも周辺部寄りの部位を押さえるものである。このように押さえ部121の位置を、ヒートシンク10の中央部寄りとすることで、反りを矯正するための押さえ力がより大きくなることが期待される。
(第7実施形態)
図11(a)、(b)は、本発明の第7実施形態に係るモールドパッケージの製造方法を示す工程図であり、モールド樹脂40による封止工程を断面的に示す図である。
図11に示されるように、本製造方法では、封止工程においてヒートシンク10の他面と下型110における凹部111の底部との間に緩衝材200を介在させたものであり、上記した各実施形態に組み合わせて適用が可能である。この緩衝材200としては、たとえばグリース、布、皮などが挙げられる。
この場合、図11(a)に示されるように、凹部111の底部に緩衝材200を敷き詰めておき、その上からヒートシンク10を凹部111内に配置する。これにより、ヒートシンク10と凹部111の底部との隙間が緩衝材200によって埋められた形となるので、当該隙間の発生防止という点で好ましく、ヒートシンク10の他面における樹脂バリの発生防止に効果的である。
(第8実施形態)
図12(a)、(b)は、本発明の第8実施形態に係るモールドパッケージの製造方法を示す工程図であり、モールド樹脂40による封止工程を断面的に示す図である。
本製造方法は、ヒートシンク10を2層構造することで、封止工程中の熱によって金型100内のヒートシンク10の一面が凸となるような反りが発生するのを防止するものであり、上記した各実施形態の製造方法と組み合わせて適用が可能である。
具体的に、本製造方法では、図12に示されるように、ヒートシンク10を、当該ヒートシンク10の他面側に位置する第1の層10aと当該ヒートシンク10の一面側に位置する第2の層10bとが積層されてなるものとし、さらに、第1の層10aを第2の層10bよりも線膨張係数が大きいものとする。限定するものではないが、たとえば、第1の層10aを銅とし、第2の層10bを鉄とし、これらが圧延加工などで接合されたものとする。
それによれば、金型100内に配置されたヒートシンク10に熱が加わったときに、線膨張係数の大きい方の第1の層10aが、線膨張係数の小さい方の第2の層10bよりも膨張度合が大きくなるから、ヒートシンク10に対しては、その一面が凹となるように反る方向に力が加わった状態となる。
そのため、図12(a)に示されるように、ヒートシンク10が、その一面が凸となるように反っていたとしても、封止工程の際の熱によって、図12(b)に示されるように、当該反りが矯正されて、ヒートシンク10は平板形状となりやすい。
つまり、本実施形態は、加熱時に、ヒートシンク10の一面が凸となるような反りとは反対方向の反りを生じさせる力を付与するものであり、上記各実施形態と組み合わせることで、効果的なものである。ここで、本実施形態において、ヒートシンク10の端部に設ける上記突出部12aは、具体的にはヒートシンク10の一面側に位置する第2の層10bに設ければよい。
(他の実施形態)
なお、板状をなすヒートシンクとしては、上記した矩形部11および張り出し部12を有する形状に限定されるものではなく、たとえば正方形や長方形などの単純な矩形であってもよいし、それ以外の多角形、あるいは、円形などであってもよい。
これらの場合には、ヒートシンクにおいて互いに対向する端部に位置する側面とは、たとえば矩形や多角形における対向する2辺に位置する側面であったり、円の中心を挟んで対向する側面となる。そして、この側面において上記した突出部12aを設けるようにすればよい。
また、ヒートシンク10の一面上に設けられる電子部品20は、複数個であってもよい。この場合、ヒートシンク10の一面の周辺部を除く中央部寄りの部位に、複数個の電子部品20を搭載すればよい。
10 ヒートシンク
10a 第1の層
10b 第2の層
12a 突出部
20 電子部品
40 モールド樹脂
100 金型
110 下型
111 下型の凹部
120 上型

Claims (5)

  1. 板状をなすヒートシンク(10)の一面の中央部寄りに電子部品(20)を搭載し、前記ヒートシンク(10)および前記電子部品(20)をモールド樹脂(40)で封止しつつ、前記ヒートシンク(10)の他面を前記モールド樹脂(40)より露出させるようにしたモールドパッケージの製造方法において、
    凹部(111)を有する下型(110)と前記凹部(111)を閉塞するように前記下型(110)に合致する上型(120)とよりなる前記モールド樹脂(40)成形用の金型(100)を用意し、
    前記ヒートシンク(10)の他面を前記下型(110)の前記凹部(111)の底部に対向させた状態で、前記電子部品(20)が搭載された前記ヒートシンク(10)を前記凹部(111)内に配置するとともに、前記ヒートシンク(10)および前記電子部品(20)と前記上型(120)とが隙間を有した状態となるように、前記上型(120)を前記下型(110)に合致させることにより、前記ヒートシンク(10)を前記金型(100)に固定する第1の工程と、
    その後、前記ヒートシンク(10)および前記電子部品(20)と前記上型(120)との隙間に前記モールド樹脂(40)を充填して前記モールド樹脂(40)による封止を行う第2の工程とを備え、
    前記第1の工程の前に、予め前記ヒートシンク(10)をその一面が凹となるように反らせておき、前記第1の工程では、当該反りの状態を維持したまま前記ヒートシンク(10)を前記凹部(111)内に配置し、続いて、前記第2の工程にて、前記ヒートシンク(10)の一面のうち前記電子部品(20)よりも周辺部寄りの部位を前記上型(120)で押さえて、前記ヒートシンク(10)の他面の全体を前記凹部(111)の底部に密着させることを特徴とするモールドパッケージの製造方法。
  2. 板状をなすヒートシンク(10)の一面の中央部寄りに電子部品(20)を搭載し、前記ヒートシンク(10)および前記電子部品(20)をモールド樹脂(40)で封止しつつ、前記ヒートシンク(10)の他面を前記モールド樹脂(40)より露出させるようにしたモールドパッケージの製造方法において、
    凹部(111)を有する下型(110)と前記凹部(111)を閉塞するように前記下型(110)に合致する上型(120)とよりなる前記モールド樹脂(40)成形用の金型(100)を用意し、
    前記ヒートシンク(10)の他面を前記下型(110)の前記凹部(111)の底部に対向させた状態で、前記電子部品(20)が搭載された前記ヒートシンク(10)を前記凹部(111)内に配置するとともに、前記ヒートシンク(10)および前記電子部品(20)と前記上型(120)とが隙間を有した状態となるように、前記上型(120)を前記下型(110)に合致させることにより、前記ヒートシンク(10)を前記金型(100)に固定する第1の工程と、
    その後、前記ヒートシンク(10)および前記電子部品(20)と前記上型(120)との隙間に前記モールド樹脂(40)を充填して前記モールド樹脂(40)による封止を行う第2の工程とを備え、
    前記ヒートシンク(10)において互いに対向する端部に位置する側面にて、当該側面のうち前記ヒートシンク(10)の一面寄りの部位を、当該側面の他の部位よりも突出する突出部(12a)とし、
    前記第1の工程では、前記突出部(12a)を前記凹部(111)の側面に接触させ、前記凹部(111)の側面から前記突出部(12a)に圧力を加えた状態で、前記ヒートシンク(10)を前記凹部(111)内に配置し、前記ヒートシンク(10)の他面の全体を前記凹部(111)の底部に密着させるようにしたことを特徴とするモールドパッケージの製造方法。
  3. 前記突出部(12a)は、前記ヒートシンク(10)の側面のうち前記ヒートシンク(10)の他面寄りの部位から一面寄りの部位に向かってテーパ状に突出するものであることを特徴とする請求項2に記載のモールドパッケージの製造方法。
  4. 前記第1の工程では、前記ヒートシンク(10)の温度を常温未満とした状態で前記突出部(12a)を前記凹部(111)の側面に接触させて、前記ヒートシンク(10)を前記凹部(111)内に配置することを特徴とする請求項2または3に記載のモールドパッケージの製造方法。
  5. 前記ヒートシンク(10)を、当該ヒートシンク(10)の他面側に位置する第1の層(10a)と当該ヒートシンク(10)の一面側に位置する第2の層(10b)とが積層されてなるものであって、前記第1の層(10a)が前記第2の層(10b)よりも線膨張係数が大きいものとすることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載のモールドパッケージの製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10256291A (ja) * 1996-11-27 1998-09-25 Sgs Thomson Microelectron Srl 熱散逸器を具備する電子装置用プラスチックパッケージの製造方法
JPH11150216A (ja) * 1997-11-19 1999-06-02 Denso Corp 樹脂封止型半導体部品及びその製造方法
JPH11340401A (ja) * 1998-05-22 1999-12-10 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10256291A (ja) * 1996-11-27 1998-09-25 Sgs Thomson Microelectron Srl 熱散逸器を具備する電子装置用プラスチックパッケージの製造方法
JPH11150216A (ja) * 1997-11-19 1999-06-02 Denso Corp 樹脂封止型半導体部品及びその製造方法
JPH11340401A (ja) * 1998-05-22 1999-12-10 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013016636A (ja) * 2011-07-04 2013-01-24 Denso Corp モールドパッケージの製造方法

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