JP2014132646A - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 734
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 56
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 346
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 345
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 336
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 147
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 157
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 106
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 29
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 10
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 5
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 abstract description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1933
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 114
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 68
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 62
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 55
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 54
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 54
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 54
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 53
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 51
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 50
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 43
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 43
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 42
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 36
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 35
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 33
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 31
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 31
- 230000006870 function Effects 0.000 description 31
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 31
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 description 27
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 26
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 26
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 25
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 25
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 24
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 description 23
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 23
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 22
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 21
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 21
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 21
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 18
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 18
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 17
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 15
- -1 copper-magnesium-aluminum Chemical compound 0.000 description 14
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 13
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 12
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 12
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 10
- 239000002585 base Substances 0.000 description 10
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 10
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 10
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 9
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 9
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 9
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 9
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 9
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 9
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 8
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 8
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 8
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 8
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- 238000002042 time-of-flight secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 6
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 6
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 6
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 5
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000005011 time of flight secondary ion mass spectroscopy Methods 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 3
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 229960001730 nitrous oxide Drugs 0.000 description 3
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 3
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 102100040844 Dual specificity protein kinase CLK2 Human genes 0.000 description 2
- 238000004435 EPR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101000749291 Homo sapiens Dual specificity protein kinase CLK2 Proteins 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000560 X-ray reflectometry Methods 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- 239000002156 adsorbate Substances 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 229910052800 carbon group element Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000001350 scanning transmission electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N trisilane Chemical compound [SiH3][SiH2][SiH3] VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004402 ultra-violet photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100040862 Dual specificity protein kinase CLK1 Human genes 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005555 GaZnO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004129 HfSiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000749294 Homo sapiens Dual specificity protein kinase CLK1 Proteins 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000007711 Peperomia pellucida Species 0.000 description 1
- 241001591005 Siga Species 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000001941 electron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- NPEOKFBCHNGLJD-UHFFFAOYSA-N ethyl(methyl)azanide;hafnium(4+) Chemical compound [Hf+4].CC[N-]C.CC[N-]C.CC[N-]C.CC[N-]C NPEOKFBCHNGLJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- 238000004868 gas analysis Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000779 smoke Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichlorosilyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCULRUJILOGHCJ-UHFFFAOYSA-N triisobutylaluminium Chemical compound CC(C)C[Al](CC(C)C)CC(C)C MCULRUJILOGHCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】第1の酸化物膜及び酸化物半導体膜と、当該酸化物半導体膜に接する一対の電極と、酸化物半導体膜及び一対の電極に接する第2の酸化物膜とを有するトランジスタであって、第1の酸化物膜と、酸化物半導体膜及び一対の電極に接する第2の酸化物膜には、酸素が添加されており、酸素欠損が低減されている。当該酸素が加熱処理等により酸化物半導体膜に拡散することにより、酸化物半導体膜の酸素欠損が低減されている。
【選択図】図2
Description
膜中に酸素欠損が含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタは、しきい値電圧がマイナス方向に変動しやすく、ノーマリーオン特性となりやすい。これは、酸化物半導体に含まれる酸素欠損に起因して電荷が生じてしまい、低抵抗化するためである。また、酸化物半導体膜に酸素欠損が含まれると、経時変化やストレス試験(代表的には、光ゲートBT(Bias−Temperature)ストレス試験等)により、トランジスタの電気特性、代表的にはしきい値電圧が変動してしまうという問題がある。そこで、本実施の形態では、しきい値電圧の変動が少なく、信頼性の高い半導体装置及びその作製方法について説明する。また、電気特性の優れた半導体装置及びその作製方法について説明する。
本実施の形態では、トップゲート構造のトランジスタの作製方法について説明する。
次に、半導体装置の作製方法について、図2及び図3を用いて説明する。
ここで、図1(B)の多層膜116近傍の一点破線E−Fにおけるバンド構造について、図4(A)を用いて説明し、トランジスタ100におけるキャリアの流れについて、図4(B)を用いて説明する。
本実施の形態では、図2(B)において、酸化物半導体膜111を形成した後、加熱処理を行って、酸素が添加された酸化物膜109に含まれる酸素の一部を酸化物半導体膜111へ移動させたが、この代わりに、酸化物半導体膜111の成膜温度を170℃以上基板歪み点未満とすることで、酸化物半導体膜111を成膜しながら、酸素が添加された酸化物膜109に含まれる酸素の一部を酸化物半導体膜111へ移動させることが可能であるため、工程数を削減することができる。
図1に示すトランジスタ100と比較して、一対の電極119、120と、ゲート絶縁膜127の間に設けられる酸化物膜125の形状の異なるトランジスタについて、図5を用いて説明する。なお、図1と同じ構成の説明は省略する。
図1に示すトランジスタ100と比較して、一対の電極119、120と、ゲート絶縁膜127との間に設けられる酸化物膜125の形状の異なるトランジスタについて、図6を用いて説明する。なお、図1と同じ構成の説明は省略する。
図1に示すトランジスタ100と比較して、多層膜116の異なるトランジスタについて、図7を用いて説明する。なお、図1と同じ構成の説明は省略する。
本実施の形態に示すトランジスタの酸化物半導体膜115において、不純物を低減し高純度化することで、さらに優れた電気特性を有するトランジスタを作製することができ好ましい。不純物としては、水素、窒素、アルカリ金属、またはアルカリ土類金属等がある。
本実施の形態に示すトランジスタにおいて、一対の電極119、120は酸化物半導体膜115及び酸化物膜125の間に有するが、酸化物絶縁膜117及び酸化物膜113の間に、一対の電極119、120を有してもよい。
本実施の形態に示す、下地絶縁膜として機能する酸化物絶縁膜117に用いることが可能な絶縁膜について、以下に説明する。
本実施の形態に示す、絶縁膜131及び絶縁膜133に用いることが可能な絶縁膜について、以下に説明する。
上記実施の形態及び変形例で開示された、酸化物半導体膜、無機絶縁膜など様々な膜はスパッタ法やプラズマCVD法により形成することができるが、他の方法、例えば、熱CVD法により形成してもよい。熱CVD法の例としてMOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法やALD(Atomic Layer Deposition)法を使ってもよい。
本実施の形態では、ボトムゲート構造のトランジスタの構造及び作製方法について、図8及び図9を用いて説明する。
図8(A)乃至図8(D)は、半導体装置が有するトランジスタ200の上面図及び断面図である。図8(A)はトランジスタ200の上面図であり、図8(B)は、図8(A)の一点鎖線A−B間の断面図であり、図8(C)は、図8(A)の一点鎖線C−D間の断面図であり、図8(D)は、図8(B)の多層膜近傍の拡大図である。なお、図8(A)では、明瞭化のため、例えば、基板101、ゲート絶縁膜203、酸化物膜225、絶縁膜227、絶縁膜229、絶縁膜231などを省略している。
次に、図8に示すトランジスタの作製方法について、図9を用いて説明する。
本実施の形態では、図9(B)において、酸化物半導体膜211を形成した後、加熱処理を行って、酸素が添加された酸化物膜209に含まれる酸素の一部を酸化物半導体膜211へ移動させたが、この代わりに、酸化物半導体膜211の成膜温度を170℃以上基板歪み点未満とすることで、酸化物半導体膜211を成膜しながら、酸素が添加された酸化物膜209に含まれる酸素の一部を酸化物半導体膜211へ移動させることが可能であるため、工程数を削減することができる。
実施の形態1の変形例3で示した酸化物膜155と同様に、酸化物膜225の端部が、一対の電極219、220上に位置してもよい。酸素欠損が生じにくい酸化物膜225を設けることにより、酸化物半導体膜215の側面からの酸素の脱離が抑制され、酸素欠損の生成を抑制することができる。その結果、電気的特性が向上され、信頼性の高いトランジスタを実現できる。
本実施の形態では、一対の電極219、220を酸化物半導体膜215及び酸化物膜225の間に設けたが、酸化物膜213及び酸化物半導体膜215の間に、一対の電極219、220を設けてもよい。
本実施の形態に示すゲート絶縁膜203として、実施の形態1の変形例7の酸化物絶縁膜117で説明した化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜を適宜用いることが可能である。
本実施の形態に示す絶縁膜227、絶縁膜229、及び絶縁膜231に用いることが可能な絶縁膜について、以下に説明する。
本実施の形態では、実施の形態1及び実施の形態2と異なる構造のトランジスタについて、図10を用いて説明する。本実施の形態に示すトランジスタは、酸化物半導体膜115を有する多層膜を介して対向する複数のゲート電極を有することを特徴とする。
本実施の形態では、実施の形態1と異なるトップゲート構造のトランジスタの構造及び作製方法について、図11乃至図21を用いて説明する。
図11にトランジスタ300の構成例を示す。図11(A)は、トランジスタ300の上面から見た概略図であり、図11(B)は、図11(A)中の一点鎖線A−Bにおける断面概略図であり、図11(C)は、図11(A)中の一点鎖線C−Dにおける断面概略図である。
本実施の形態に示すトランジスタにおいて、図11に示すトランジスタ300の多層膜304の代わりに、図15に示すような多層膜324を用いてもよい。
トランジスタ300を形成する工程において、工程を増やすことなく容量素子を形成することもできる。
以下では、上記で例示したトランジスタの作製方法の一例について、図面を参照して説明する。
以下では、上記で例示したトランジスタの作製方法の例とは一部が異なる例について説明する。特に本変形例で例示する作製方法例では、上記トランジスタの作製方法例における絶縁膜307の形成工程までの工程について説明する。
以下では、実施の形態3とは一部が異なるトランジスタの作製方法について説明する。ここでは、変形例1と同様に、絶縁膜307の形成工程までの工程について説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した半導体装置に含まれているトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に適用可能な一態様について説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態で説明したトランジスタを用いた、本発明の一態様である半導体装置について図面を用いて説明する。
図22(A)に本実施の形態で説明する半導体装置400の回路図を示す。半導体装置400は、上記実施の形態で説明したトランジスタ300と、容量素子350と、トランジスタ401とを有する。
本発明の一態様である半導体装置は、上記実施の形態で説明したトランジスタ300を用いていればよく、トランジスタ300の下層はトランジスタ401に限られるものではない。そこで、以下に、本発明の一態様である半導体装置であって、半導体装置400とは構造が一部異なる半導体装置について説明する。
以下に、本発明の一態様である半導体装置であって、半導体装置400及び半導体装置450とは構造が一部異なる半導体装置について説明する。
上記実施の形態で説明した半導体装置は、さまざまな電子機器に搭載されるマイクロコンピュータ、CPU等に適用することができる。
82 酸化物半導体膜
83 酸化物膜
100 トランジスタ
101 基板
103 酸化物絶縁膜
104 トラップ準位
105 酸化物膜
107 酸素
109 酸化物膜
111 酸化物半導体膜
113 酸化物膜
115 酸化物半導体膜
116 多層膜
116a ドレイン領域
116b ドレイン領域
117 酸化物絶縁膜
119 電極
120 電極
121 酸化物膜
123 酸素
125 酸化物膜
126 トラップ準位
127 ゲート絶縁膜
129 ゲート電極
131 絶縁膜
133 絶縁膜
135 開口部
136 開口部
137 配線
138 配線
150 トランジスタ
153 ゲート絶縁膜
155 酸化物膜
156 多層膜
157 ゲート絶縁膜
160 トランジスタ
165 酸化物膜
166 多層膜
167 ゲート絶縁膜
170 トランジスタ
173a 酸化物膜
173b 酸化物膜
175 酸化物半導体膜
176 多層膜
181 多層膜
182 酸化物膜
183 酸化物半導体膜
185 多層膜
186 酸化物膜
187 酸化物半導体膜
188 酸化物膜
200 トランジスタ
201 ゲート電極
203 ゲート絶縁膜
205 酸化物膜
207 酸素
209 酸化物膜
211 酸化物半導体膜
213 酸化物膜
215 酸化物半導体膜
216 多層膜
219 電極
220 電極
221 酸化物膜
223 酸素
225 酸化物膜
227 絶縁膜
229 絶縁膜
231 絶縁膜
250 トランジスタ
251 ゲート電極
253 ゲート絶縁膜
300 トランジスタ
301 基板
302 低抵抗領域
303 絶縁膜
304 多層膜
304a 酸化物膜
304b 酸化物半導体膜
304c 酸化物膜
305 ゲート絶縁膜
306 酸化物膜
307 絶縁膜
308 電極
308a 電極
308b 電極
308c 電極
308d 電極
309 電極
309a 電極
309b 電極
311 絶縁膜
312 絶縁膜
320 トランジスタ
324 多層膜
324a 酸化物膜
324b 酸化物半導体膜
324c 酸化物膜
350 容量素子
354 酸化物膜
355 絶縁膜
358b 電極
358c 電極
359a 電極
359b 電極
361 レジストマスク
366 酸化物膜
371 バリア膜
400 半導体装置
401 トランジスタ
403 基板
405 チャネル形成領域
407 不純物領域
409 高濃度不純物領域
411 ゲート絶縁膜
413 ゲート電極
415 サイドウォール絶縁膜
416 電極
417 素子分離絶縁膜
419 絶縁膜
421 層間絶縁膜
423 配線
425 層間絶縁膜
427 配線
429 層間絶縁膜
431 電極
433 絶縁膜
435 絶縁膜
437 層間絶縁膜
439 電極
441 配線
447 電極
450 半導体装置
451 トランジスタ
452 CMOS回路
453 nウェル
454 チャネル形成領域
456 不純物領域
458 高濃度不純物領域
460 ゲート絶縁膜
462 ゲート電極
464 サイドウォール絶縁膜
466 電極
480 半導体装置
481 トランジスタ
482 チャネル形成領域
483 不純物領域
484 ゲート絶縁膜
485 ゲート電極
486 絶縁膜
487 ゲート電極
488 サイドウォール絶縁膜
489 電極
500 マイクロコンピュータ
501 直流電源
502 バスライン
503 パワーゲートコントローラ
504 パワーゲート
505 CPU
506 揮発性記憶部
507 不揮発性記憶部
508 インターフェース
509 検出部
511 光センサ
512 アンプ
513 ADコンバータ
530 発光素子
701 ガラス基板
703 電極
705 絶縁膜
707 酸化物膜
709 酸化物半導体膜
711 電極
713 電極
715 酸化物膜
717 絶縁膜
719 開口
721 開口
723 開口
731 曲線
733 曲線
735 細破線
801a 酸化物膜
801b 酸化物半導体膜
801c 酸化物膜
1141 スイッチング素子
1142 メモリセル
1143 メモリセル群
1189 ROMインターフェース
1190 基板
1191 ALU
1192 ALUコントローラ
1193 インストラクションデコーダ
1194 インタラプトコントローラ
1195 タイミングコントローラ
1196 レジスタ
1197 レジスタコントローラ
1198 バスインターフェース
1199 ROM
8000 表示装置
8001 筐体
8002 表示部
8003 スピーカー部
8004 CPU
8100 警報装置
8101 マイクロコンピュータ
8200 室内機
8201 筐体
8202 送風口
8203 CPU
8204 室外機
8300 電気冷凍冷蔵庫
8301 筐体
8302 冷蔵室用扉
8303 冷凍室用扉
8304 CPU
9700 電気自動車
9701 二次電池
9702 制御回路
9703 駆動装置
9704 処理装置
Claims (7)
- 基板上に設けられた絶縁膜上に、第1の酸化物膜を形成し、前記第1の酸化物膜に酸素を添加し、
前記酸素が添加された第1の酸化物膜上に酸化物半導体膜を形成した後加熱処理を行い、
前記酸素が添加された第1の酸化物膜及び前記酸化物半導体膜のそれぞれ一部をエッチングし、
前記エッチングされた酸化物半導体膜上に一対の電極を形成し、
前記エッチングされた酸化物半導体膜及び前記一対の電極上に第2の酸化物膜を形成し、前記第2の酸化物膜に酸素を添加した後加熱処理を行い、
前記酸素が添加された第2の酸化物膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上に設けられたゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、第1の酸化物膜を形成し、前記第1の酸化物膜に酸素を添加し、
前記酸素が添加された第1の酸化物膜上に酸化物半導体膜を形成した後加熱処理を行い、
前記酸素が添加された第1の酸化物膜及び前記酸化物半導体膜のそれぞれ一部をエッチングし、
前記エッチングされた酸化物半導体膜上に一対の電極を形成し、
前記エッチングされた酸化物半導体膜及び前記一対の電極上に第2の酸化物膜を形成した後、前記第2の酸化物膜に酸素を添加した後加熱処理を行い、
前記酸素が添加された第2の酸化物膜上に絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1または請求項2において、前記酸化物半導体膜は、In若しくはGaを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、前記第1の酸化物膜、及び前記第2の酸化物膜の伝導帯の下端が前記酸化物半導体膜の伝導帯の下端よりも真空準位に近いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、前記第1の酸化物膜、及び前記第2の酸化物膜の伝導帯の下端のエネルギーと、前記酸化物半導体膜の伝導帯の下端のエネルギーとの差は0.05eV以上2eV以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、前記第1の酸化物膜に、イオン注入法、イオンドーピング法、またはプラズマ処理により前記酸素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、前記第2の酸化物膜に、イオン注入法、イオンドーピング法、またはプラズマ処理により前記酸素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013249153A JP6320009B2 (ja) | 2012-12-03 | 2013-12-02 | 半導体装置及びその作製方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012264592 | 2012-12-03 | ||
JP2012264592 | 2012-12-03 | ||
JP2013249153A JP6320009B2 (ja) | 2012-12-03 | 2013-12-02 | 半導体装置及びその作製方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014132646A true JP2014132646A (ja) | 2014-07-17 |
JP2014132646A5 JP2014132646A5 (ja) | 2017-01-19 |
JP6320009B2 JP6320009B2 (ja) | 2018-05-09 |
Family
ID=50825832
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013249153A Active JP6320009B2 (ja) | 2012-12-03 | 2013-12-02 | 半導体装置及びその作製方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9349593B2 (ja) |
JP (1) | JP6320009B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016028423A (ja) * | 2014-07-11 | 2016-02-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2016157943A (ja) * | 2015-02-25 | 2016-09-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2017041536A (ja) * | 2015-08-20 | 2017-02-23 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2019087552A (ja) * | 2017-11-01 | 2019-06-06 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法、及び、薄膜トランジスタ |
JP2020077884A (ja) * | 2015-01-16 | 2020-05-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置 |
JP2021108407A (ja) * | 2014-09-19 | 2021-07-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105931967B (zh) | 2011-04-27 | 2019-05-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的制造方法 |
KR102207028B1 (ko) | 2012-12-03 | 2021-01-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2014103901A1 (en) | 2012-12-25 | 2014-07-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
TWI614813B (zh) | 2013-01-21 | 2018-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
US9190527B2 (en) * | 2013-02-13 | 2015-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device |
JP6250883B2 (ja) | 2013-03-01 | 2017-12-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
DE102013102670A1 (de) * | 2013-03-15 | 2014-10-02 | Asml Netherlands B.V. | Optisches Element und optisches System für die EUV-Lithographie sowie Verfahren zur Behandlung eines solchen optischen Elements |
US9893192B2 (en) | 2013-04-24 | 2018-02-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6345023B2 (ja) | 2013-08-07 | 2018-06-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
TWI721409B (zh) | 2013-12-19 | 2021-03-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
JP6444714B2 (ja) * | 2013-12-20 | 2018-12-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR20160126991A (ko) | 2014-02-28 | 2016-11-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치 |
US9564535B2 (en) | 2014-02-28 | 2017-02-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module |
TWI663726B (zh) | 2014-05-30 | 2019-06-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 半導體裝置、模組及電子裝置 |
KR102437450B1 (ko) * | 2014-06-13 | 2022-08-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 및 반도체 장치를 포함하는 전자 기기 |
TWI666776B (zh) * | 2014-06-20 | 2019-07-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置以及包括該半導體裝置的顯示裝置 |
US9722091B2 (en) | 2014-09-12 | 2017-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP6676316B2 (ja) | 2014-09-12 | 2020-04-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR20160034200A (ko) | 2014-09-19 | 2016-03-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
US9704704B2 (en) | 2014-10-28 | 2017-07-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including the same |
JP6647846B2 (ja) | 2014-12-08 | 2020-02-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR20160114511A (ko) | 2015-03-24 | 2016-10-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
US9806200B2 (en) | 2015-03-27 | 2017-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR102549926B1 (ko) * | 2015-05-04 | 2023-06-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 반도체 장치의 제작 방법, 및 전자기기 |
US10714633B2 (en) | 2015-12-15 | 2020-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device |
WO2017153882A1 (en) | 2016-03-11 | 2017-09-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, manufacturing method thereof, and display device including the semiconductor device |
KR102384624B1 (ko) * | 2016-10-21 | 2022-04-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR102393552B1 (ko) * | 2017-11-09 | 2022-05-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수소 차단막을 갖는 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시장치 |
KR102656371B1 (ko) | 2018-04-04 | 2024-04-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010067954A (ja) * | 2008-08-14 | 2010-03-25 | Fujifilm Corp | 薄膜電界効果型トランジスタ |
JP2011124360A (ja) * | 2009-12-10 | 2011-06-23 | Fujifilm Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びにその薄膜トランジスタを備えた装置 |
JP2011135063A (ja) * | 2009-11-28 | 2011-07-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2011228689A (ja) * | 2010-04-02 | 2011-11-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2011228695A (ja) * | 2010-04-02 | 2011-11-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2011243973A (ja) * | 2010-04-23 | 2011-12-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2011243971A (ja) * | 2010-04-23 | 2011-12-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2012033908A (ja) * | 2010-07-02 | 2012-02-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2012134475A (ja) * | 2010-12-03 | 2012-07-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 酸化物半導体膜および半導体装置 |
JP2012169606A (ja) * | 2011-01-26 | 2012-09-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
Family Cites Families (130)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
WO1997006554A2 (en) | 1995-08-03 | 1997-02-20 | Philips Electronics N.V. | Semiconductor device provided with transparent switching element |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
WO2003040441A1 (en) | 2001-11-05 | 2003-05-15 | Japan Science And Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
US7049190B2 (en) | 2002-03-15 | 2006-05-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
KR101078509B1 (ko) | 2004-03-12 | 2011-10-31 | 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 | 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
WO2006051994A2 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
CA2585071A1 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor employing an amorphous oxide |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
CN102938420B (zh) | 2004-11-10 | 2015-12-02 | 佳能株式会社 | 无定形氧化物和场效应晶体管 |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI472037B (zh) | 2005-01-28 | 2015-02-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI569441B (zh) | 2005-01-28 | 2017-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP5078246B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
EP1995787A3 (en) | 2005-09-29 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method therof |
JP5064747B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
CN101707212B (zh) | 2005-11-15 | 2012-07-11 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
CN101663762B (zh) | 2007-04-25 | 2011-09-21 | 佳能株式会社 | 氧氮化物半导体 |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
KR101270174B1 (ko) | 2007-12-03 | 2013-05-31 | 삼성전자주식회사 | 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조방법 |
US8202365B2 (en) | 2007-12-17 | 2012-06-19 | Fujifilm Corporation | Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film |
TWI711182B (zh) | 2008-07-31 | 2020-11-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的製造方法 |
JP5627071B2 (ja) | 2008-09-01 | 2014-11-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
TWI567829B (zh) * | 2008-10-31 | 2017-01-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
NL2003112C2 (en) | 2009-07-01 | 2011-01-04 | Brainlabs B V | Novel diagnostic method for diagnosing depression. |
DE112011101395B4 (de) * | 2010-04-23 | 2014-10-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung |
US8956944B2 (en) | 2011-03-25 | 2015-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9012904B2 (en) | 2011-03-25 | 2015-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9219159B2 (en) | 2011-03-25 | 2015-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device |
TWI545652B (zh) | 2011-03-25 | 2016-08-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
US9166055B2 (en) | 2011-06-17 | 2015-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9214474B2 (en) | 2011-07-08 | 2015-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
WO2013054823A1 (en) | 2011-10-14 | 2013-04-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP6059566B2 (ja) | 2012-04-13 | 2017-01-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
WO2013154195A1 (en) | 2012-04-13 | 2013-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9236408B2 (en) | 2012-04-25 | 2016-01-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor device including photodiode |
JP2014027263A (ja) | 2012-06-15 | 2014-02-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
KR20220013471A (ko) | 2012-06-29 | 2022-02-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 디스플레이 디바이스 |
US9190525B2 (en) | 2012-07-06 | 2015-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including oxide semiconductor layer |
SG11201505225TA (en) | 2012-08-03 | 2015-08-28 | Semiconductor Energy Lab | Oxide semiconductor stacked film and semiconductor device |
CN104584229B (zh) | 2012-08-10 | 2018-05-15 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法 |
JP6211843B2 (ja) | 2012-08-10 | 2017-10-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI595659B (zh) | 2012-09-14 | 2017-08-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
JP5951442B2 (ja) | 2012-10-17 | 2016-07-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6283191B2 (ja) | 2012-10-17 | 2018-02-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6300489B2 (ja) | 2012-10-24 | 2018-03-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
WO2014065343A1 (en) | 2012-10-24 | 2014-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR102207028B1 (ko) * | 2012-12-03 | 2021-01-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
-
2013
- 2013-12-02 JP JP2013249153A patent/JP6320009B2/ja active Active
- 2013-12-02 US US14/094,293 patent/US9349593B2/en active Active
-
2016
- 2016-05-10 US US15/150,509 patent/US9905703B2/en active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010067954A (ja) * | 2008-08-14 | 2010-03-25 | Fujifilm Corp | 薄膜電界効果型トランジスタ |
JP2011135063A (ja) * | 2009-11-28 | 2011-07-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2011124360A (ja) * | 2009-12-10 | 2011-06-23 | Fujifilm Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びにその薄膜トランジスタを備えた装置 |
JP2011228689A (ja) * | 2010-04-02 | 2011-11-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2011228695A (ja) * | 2010-04-02 | 2011-11-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2011243973A (ja) * | 2010-04-23 | 2011-12-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2011243971A (ja) * | 2010-04-23 | 2011-12-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2012033908A (ja) * | 2010-07-02 | 2012-02-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2012134475A (ja) * | 2010-12-03 | 2012-07-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 酸化物半導体膜および半導体装置 |
JP2012169606A (ja) * | 2011-01-26 | 2012-09-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016028423A (ja) * | 2014-07-11 | 2016-02-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2021108407A (ja) * | 2014-09-19 | 2021-07-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2020077884A (ja) * | 2015-01-16 | 2020-05-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置 |
JP2016157943A (ja) * | 2015-02-25 | 2016-09-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2017041536A (ja) * | 2015-08-20 | 2017-02-23 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2019087552A (ja) * | 2017-11-01 | 2019-06-06 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法、及び、薄膜トランジスタ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9905703B2 (en) | 2018-02-27 |
US9349593B2 (en) | 2016-05-24 |
US20160254387A1 (en) | 2016-09-01 |
JP6320009B2 (ja) | 2018-05-09 |
US20140154837A1 (en) | 2014-06-05 |
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