JP2014095916A - レーザエミッタモジュール及び構築方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】レーザエミッタバーの出力を光ファイバの入力面に結合させるフェルールのアセンブリを提供する。
【解決手段】光ファイバ44の入力面42を配置するためのフェルールのアセンブリ56であって、内側穿孔部81を有するバレル部80と、入力端と、前記バレル部80から半径方向に延在するフランジ部材82と、を有する外側スリーブと、当該外側スリーブの内側穿孔部で軸方向に摺動するように構成され、外面及び入力端と同心円状の軸方向の内腔87を有する、円柱状のファイバ連結スリーブ83と、入力端が前記ファイバ連結スリーブ83の入力端を超えて軸方向に延在した状態で、前記軸方向の内腔81に、及び前記外側スリーブの内側穿孔部に固定される光ファイバ44とを具える。
【選択図】図5
【解決手段】光ファイバ44の入力面42を配置するためのフェルールのアセンブリ56であって、内側穿孔部81を有するバレル部80と、入力端と、前記バレル部80から半径方向に延在するフランジ部材82と、を有する外側スリーブと、当該外側スリーブの内側穿孔部で軸方向に摺動するように構成され、外面及び入力端と同心円状の軸方向の内腔87を有する、円柱状のファイバ連結スリーブ83と、入力端が前記ファイバ連結スリーブ83の入力端を超えて軸方向に延在した状態で、前記軸方向の内腔81に、及び前記外側スリーブの内側穿孔部に固定される光ファイバ44とを具える。
【選択図】図5
Description
[関連出願]
本出願は、S.Cutillasらによる「Laser Emitter Modules and Methods of Assembly」という名称の、2007年12月17日提出の米国特許出願第61/014,364号による優先権を主張し、その全体が本明細書中に引用によって取り込まれる。
本出願は、S.Cutillasらによる「Laser Emitter Modules and Methods of Assembly」という名称の、2007年12月17日提出の米国特許出願第61/014,364号による優先権を主張し、その全体が本明細書中に引用によって取り込まれる。
光エネルギ、及びいくつかの実施形態においてレーザエネルギを要求するアプリケーションは、レーザエネルギ源として一般に利用可能で、動作に信頼性があり、かつ比較的経済的な、レーザダイオードといった固体光源の使用により有益となる。このようなデバイスは単一バーの中に、共通の方向に同時にレーザ光を放出する複数のレーザエミッタを含みうる。更に、複数の固体又はレーザエミッタバーは、均一の高出力レベルを生成するように積層型の構成で配置されうる。一般的にはこのような固体エミッタバーのエミッタは動作中に有意な量の熱を生成し、精巧かつ高価な冷却システムの必要なしに十分な冷却を許容すべく、互いに間隔を置いて配置される。
レーザダイオードバーは多くの場合、通信技術用デバイス、医療用アプリケーション、及び単一の固体エミッタバー又は積層型構成の複数のバーの総てのエミッタの出力を単一の光ファイバ又は他の光導管に結合することが所望される、軍事用アプリケーションといった他のアプリケーションで用いられる。一部の一般的な光学部品の取付手順は密閉されたアセンブリにおいて好適ではない。例えば、密閉されたユニットにおけるエポキシ接着での光学部品の取付けは、エポキシ材料からのガス放出がシステム、又はシステム内の光学部品を汚染しうるため、有機物用ゲッターがなければ、いくつかの実施形態について好適にできない。このように、この実施形態の熱散逸及び光学配列の要求によって、アセンブリのハーメチックシールが要求されるシステムにおいて特に、ダイオードバーの構築及びパッケージングが困難になりうる。
レーザエミッタバーの動作により生成される熱を有効に散逸する、信頼性があり、かつ堅固な構成を提供する有効かつ経済的な方法で実行されうる、1又はそれ以上のレーザエミッタバーをパッケージングするための方法及びデバイスが要求されてきた。密閉されたこのようなシステムを提供するのに好適な方法及びデバイスは更に要求されてきた。
いくつかの実施形態の光学装置は底部と、側壁部と、蓋部とを有するハウジングを具える。ヒートシンクスペーサは底部の内面に固定され、ヒートシンクは前記ヒートシンクスペーサの上面に固定される。前記光学装置は先記ヒートシンクの上面に固定されるレーザエミッタバーを具えるとともに、光学基板は前記ヒートシンクスペーサの上面に固定される。速軸コリメータは、前記レーザエミッタバーの出力面に隣接する前記光学基板に取付けられ、かつ、速軸方向に前記レーザエミッタバーの出力を実質的にコリメートするように構成される。熱伝導性及び電気絶縁性材料の層は、前記ハウジングから前記レーザエミッタバーを電気的に絶縁すべく、前記レーザエミッタバーと前記ハウジングの底部との間に配置される。
いくつかの実施形態の光学装置は底部と、側壁部と、蓋部とを有するハウジングを具えるとともに、ヒートシンクスペーサは前記底部の内面に固定される。熱伝導性及び電気絶縁性材料の上層部を有するヒートシンクは、前記ヒートシンクスペーサの上面に固定される。レーザエミッタバーは前記ヒートシンクの前記熱伝導性及び電気絶縁性の上層部に固定され、光学基板は前記ヒートシンクスペーサの上面に固定される。速軸コリメータは、前記レーザエミッタバーの出力面に隣接する前記光学基板に取付けられ、かつ、速軸方向に前記レーザエミッタバーの出力を実質的にコリメートするように構成される。
いくつかの実施形態の光学装置は底部と、側壁部と、蓋部とを有するハウジングを具える。熱伝導性及び電気絶縁性のヒートシンクスペーサは前記底部の内面に固定され、ヒートシンクは前記ヒートシンクスペーサの上面に固定される。複数のエミッタを有するレーザエミッタバーは前記ヒートシンクの上面に固定される。光学基板は前記ヒートシンクスペーサの上面に固定される。速軸コリメータは、前記レーザエミッタバーの出力面に隣接する前記光学基板に取付けられ、かつ、速軸方向に前記レーザエミッタバーの出力を実質的にコリメートするように構成される。いくつかの実施形態については、ビームコンディショニング光学部品は更に、前記速軸コリメータに隣接する前記光学基板に取付けることができる。
いくつかの実施形態の光学装置は底部と、蓋部と、前記底部と前記蓋部との間に配置される側壁部と、壁部に配置される開口部とを有する、密閉された筐体を具える。熱伝導性及び電気絶縁性のヒートシンクスペーサは前記底部の内面に固定され、ヒートシンクは前記ヒートシンクスペーサの上面に固定される。レーザエミッタバーは前記ヒートシンクの上面に配置され、光学基板は前記ヒートシンクスペーサの上面に固定される。速軸コリメータは、前記レーザエミッタバーの出力面に隣接する前記光学基板に取付けられ、かつ、速軸方向に前記レーザエミッタバーの出力を実質的にコリメートするように構成される。遅軸コリメータは、前記レーザエミッタバーの出力を、出力ビームの遅軸方向にコリメートするように構成される。フランジを有する調節可能なフェルールのアセンブリは前記筐体の壁部に密閉して固定され、光ファイバは前記調節可能なフェルールのアセンブリ内に配置され固定される。集束光学部品は前記装置の光学縦列に配置され、かつ、前記光ファイバの入力面へ前記レーザエミッタバーの出力を集束するように構成される。
レーザエミッタモジュールを能動的に位置調整するいくつかの実施形態の方法は、レーザエミッタバーとハウジングとを有するレーザエミッタモジュールを提供するステップを具える。前記ハウジングは底部と、前記レーザエミッタバーの出力ビームを収容するように調整及び配置される開口部とを具える。当該開口部は前記底部と一定の関係にある前記ハウジングの壁部に配置される。選択される前記ハウジングの表面の方向及び位置は外部基準部材に対して決定される。レーザエミッタバーのファセットの、前記外部基準部材に対する位置及び方向は次いで、前記ハウジングに対し前記レーザエミッタバーを位置調整するのに用いることができる。
レーザエミッタモジュールを能動的に位置調整するいくつかの実施形態の方法は、ハウジングを有するレーザエミッタモジュールを提供するステップを具える。前記ハウジングは底部と、当該底部と一定の関係にあるレーザエミッタバーと、当該レーザエミッタバーの出力ビームを収容するように調整及び配置される開口部とを具える。当該開口部は前記底部と一定の関係にある前記ハウジングの壁部に配置される。前記レーザエミッタバーの少なくとも1のエミッタは励起され、励起された前記少なくとも1のエミッタの出力ビームの特性は、前記出力ビームを撮像することによってモニタリングされる。その後、速軸コリメータは前記出力ビームに配置され、ビームの勾配及びエッジの鋭さが所望の品質となるまで位置調整される。速軸コリメータは次いで、前記ハウジングに対し定位置に固定できる。前記遅軸コリメータは次いで、前記出力ビームに配置され、ビームの勾配及びエッジの鋭さが所望の品質となるまで位置調整できる。前記遅軸コリメータは次いで、前記ハウジングに対し定位置に固定できる。集束光学部品は次いで、前記出力ビームに配置され、ビームの寸法及び位置が所望の品質となるまで位置調整できる。前記集束光学部品は次いで前記ハウジングに対し定位置に固定できる。
レーザエミッタモジュールを能動的に位置調整するいくつかの実施形態の方法は、レーザエミッタバーとハウジングとを有するレーザエミッタモジュールを提供するステップを具える。前記ハウジングは底部と、前記レーザエミッタバーの出力ビームを収容するように調整及び配置される開口部とを具える。当該開口部は前記底部と一定の関係にある前記ハウジングの壁部に配置される。選択される前記ハウジングの表面の、外部基準部材に対する方向及び位置が決定される。レーザエミッタバーのファセットの、前記外部基準部材に対する位置及び方向が、前記ハウジングに対し前記レーザエミッタバーを位置調整するために用いられる。前記レーザエミッタバーの少なくとも1のエミッタが励起され、励起された前記少なくとも1のエミッタの出力ビームの特性が、前記出力ビームを撮像することによってモニタリングできる。速軸コリメータが前記出力ビームに配置され、ビームの勾配及びエッジの鋭さが所望の品質となるまで位置調整される。前記速軸コリメータは前記ハウジングに対し定位置に固定できる。いくつかの実施形態については、再配置素子のようなビームコンディショニング光学部品は、前記速軸コリメータを有するサブアセンブリとして別個に、あるいは組合わせて固定してもよい。ビームの勾配及びエッジの鋭さ、レーザエミッタバーのファセットから設定される仮想基準によるスポットの位置、及びフラウンホーファー領域全体のビームの大きさは配列を最適化する場合に考慮される因子としてもよい。遅軸コリメータは前記出力ビームに配置され、ビームの勾配及びエッジの鋭さが所望の品質となるまで位置調整される。前記遅軸コリメータは前記ハウジングに対し定位置に固定できる。集束光学部品が前記出力ビームに配置され、ビームの寸法及び位置が所望の品質となるまで位置調整される。前記集束光学部品は次いで前記ハウジングに対し定位置に固定できる。
レーザエミッタモジュールの素子を能動的に位置調整するいくつかの実施形態の方法は、ハウジングを含むレーザエミッタモジュールを提供するステップを含む。前記ハウジングは底部と、当該底部と一定の関係にあるレーザエミッタバーと、前記ハウジングの壁部に前記レーザエミッタバーの出力ビームを収容するように調整及び配置される開口部とを具えることができる。前記ハウジングの壁部は前記底部と一定の関係にできる。前記レーザエミッタバーの少なくとも1のエミッタは次いで励起される。励起された前記少なくとも1のエミッタの出力ビームの特性はその後、前記開口部の平面で前記少なくとも1のエミッタの出力を撮像することによって、かつ、前記レーザエミッタモジュールの光学素子の配列中にフラウンホーファー領域のビームにおける前記少なくとも1のエミッタの出力を同時に撮像することによってモニタリングできる。
光ファイバの入力面を配置するためのいくつかの実施形態のフェルールのアセンブリは内側穿孔部を有するバレル部と、入力端とを有する外側スリーブを具える。フランジ部材は更に前記バレル部から半径方向に延在する。入力端を有する円柱状のファイバ連結スリーブは、前記外側スリーブの内側穿孔部で軸方向に摺動するように構成され、その外面と同心円状に配置される軸方向の内腔を有する。光ファイバは連結スリーブの前記軸方向の内腔に固定される。前記光ファイバの入力端は前記ファイバ連結スリーブの入力端を超えて軸方向に延在し、かつ前記外側スリーブの内側穿孔部に配置される。
いくつかの実施形態の光学装置は、底部を有するハウジングと、前記底部と一定の関係で固定されるレーザエミッタバーと、速軸方向に前記レーザエミッタバーの出力を実質的にコリメートするように構成される速軸コリメータとを具える。この装置は更に、内側穿孔部を有するバレル部と、入力端とを有する外側スリーブを有する光ファイバの入力面を配置するためのフェルールのアセンブリを具える。フランジ部材は前記バレル部から半径方向に延在し、前記ハウジングに固定される。円柱状のファイバ連結スリーブは前記外側スリーブの内側穿孔部で軸方向に摺動するように構成され、その外面に対し同心円状に配置される軸方向の内腔を有する。前記ファイバ連結スリーブは更に入力端を具える。光ファイバは、当該光ファイバの入力端が前記ファイバ連結スリーブの入力端を超えて軸方向に延在した状態で、前記軸方向の内腔に固定される。前記光ファイバの入力端は更に前記外側スリーブの内側穿孔部に配置される。
いくつかの実施形態の光学装置は、底部を有するハウジングと、出力スペクトル帯を有し、前記底部と一定の関係で固定されるレーザエミッタバーと、速軸方向に前記レーザエミッタバーの出力を実質的にコリメートするように構成される速軸コリメータとを具える。集束素子は前記レーザエミッタバーの出力を集束するように構成され、ミラーコーティングはこの装置の光学素子上に配置される。前記ミラーコーティングは前記レーザエミッタバーから放射される光エネルギのスペクトル帯と異なる光エネルギのスペクトル帯を反射するように構成される。
いくつかの実施形態の光学装置は、底部を有するハウジングを具えるレーザエミッタモジュールを具え、レーザエミッタバーは前記底部と一定の関係で固定される。前記レーザエミッタバーは出力スペクトル帯を有し、速軸コリメータは速軸方向に前記レーザエミッタバーの出力を実質的にコリメートするように構成される。集束素子は前記レーザエミッタバーの出力を集束するように構成される。前記レーザエミッタモジュールに連結される光学部品は、前記レーザエミッタバーの出力スペクトル帯を受けるように構成される。いくつかの実施形態については、このような光学部品は前記レーザエミッタバーのスペクトル帯と異なるスペクトル帯を有する光エネルギを、前記レーザエミッタモジュールへ逆向きに伝達できる。ミラーコーティングは前記レーザエミッタモジュールの光学素子の上に配置され、前記レーザエミッタモジュールに連結される前記光学部品によって伝達される前記スペクトル帯を反射するように構成される。前記ミラーコーティングは更に、前記レーザエミッタバーのスペクトル帯を伝達するように構成される。
いくつかの実施形態の光学装置は、底部を有するハウジングと、出力スペクトル帯を有し、前記底部と一定の関係で固定されるレーザエミッタバーと、速軸方向に前記レーザエミッタバーの出力を実質的にコリメートするように構成される速軸コリメータとを具える。集束素子は前記レーザエミッタバーの出力を集束するように構成でき、オプトアイソレータは前記ハウジング内に、又はそれに隣接して配置され、前記レーザエミッタバーのスペクトル帯と異なる光エネルギのスペクトル帯の、前記レーザエミッタバーへの逆向きの伝達を防ぐように構成できる。
いくつかの実施形態の光学装置は、底部を有するハウジングと、出力スペクトル帯を有し、前記底部と一定の関係で固定されるレーザエミッタバーと、速軸方向に前記レーザエミッタバーの出力を実質的にコリメートするように構成される速軸コリメータとを具える。集束素子は前記ハウジング内に配置され、前記レーザエミッタバーの出力を集束するように構成される。光学部品は前記レーザエミッタモジュールに連結され、前記レーザエミッタバーの出力スペクトル帯を受けるように構成される。このような光学部品は更に、前記レーザエミッタバーのスペクトル帯と異なるスペクトル帯を有する光エネルギを、前記レーザエミッタモジュールへ逆向きに伝達できる。オプトアイソレータは前記ハウジング内に又はそれに隣接して配置され、前記光学部品によって伝達される前記スペクトル帯を反射し、前記レーザエミッタバーのスペクトル帯を伝達するように構成できる。
光ファイバの入力面を配置するためのいくつかの実施形態のフェルールのアセンブリは、内側穿孔部を有するバレル部と、入力端と、前記バレル部から半径方向に延在するフランジ部材とを有する外側スリーブを具える。円柱状のファイバ連結スリーブは前記外側スリーブの内側穿孔部で軸方向に摺動するように構成され、外面と同心円状の軸方向の階段状の内腔を有する。前記軸方向の階段状の内腔は、スリーブの入力端から近位に延在する、内腔の横方向の寸法の副の部分と、当該横方向の寸法の副の部分から前記スリーブの近位端に延在する、内腔の横方向の寸法の主の部分とを具える。光ファイバは、当該光ファイバの入力端が前記ファイバ連結スリーブの入力端を超えて遠位に配置された状態で、前記軸方向の内腔に、及び前記外側スリーブの内側穿孔部に同心円状に固定される。
これらの実施形態の特徴は、添付の例示的な図面と併用した場合に、以下の詳細な説明から更に明らかになるであろう。
本明細書中で述べられる実施形態は、レーザエミッタバー又はレーザエミッタチップが1又はそれ以上の内部配置されるエミッタを有するよう、エミッタをパッケージングする方法及びデバイスに関する。本明細書中で述べられる実施形態は更に、レーザエミッタバーの出力を、光ファイバといった光導管に連結する方法及びデバイスに関する。このようなバー又はチップは、多様な方法によって実施形態の光学システムに取付けられ、そうでない場合は組み込まれうる。このような光学パッケージについては、チップの出力アレイが適切に位置調整されるべきであり、このような配列は簡便かつ正確に得られ、最終的な構成がチップによって生成される熱を効率良く散逸すべきことは重要である。いくつかの実施形態については、光学部品の筐体は、実施形態のアセンブリの出力に信頼性及び一貫性を提供するために、密閉すべきであることは更に重要である。
図1は、互いに対して実質的に平行な光軸を有する全部で5のエミッタ16を具える、出力面14を有するレーザエミッタバー12を示す。図2及び3は、4のレーザエミッタバー12の積層型アレイ10を示す。各々のレーザエミッタバー12は、互いに隣接して配置される全部で5のエミッタ16を含む出力面14を有する。各々のバー12のエミッタ16は、矢印18によって示されるように、エミッタ16の遅軸方向に沿って実質的には直線状の列に配置される。エミッタ16の速軸方向は遅軸方向18に対し垂直であり、矢印20で示される。エミッタ16は、遅軸方向18及び速軸方向20の双方に垂直な放射軸22に沿って伝播する出力ビームで光エネルギを放射するように配置されるか、そうでない場合は構成される。積層型アレイのエミッタ16の放射軸22は互いに実質的に平行であってもよい。
レーザエミッタバー12はエミッタ16の速軸方向20に沿って積層され、周期的かつ規則的な分布で積層してもよい。図2の実施形態においては、底部のレーザエミッタバー12のエミッタは、積層型アレイ10の高さになりうる矢印24によって示される距離だけ、隣接するレーザエミッタバー12のエミッタから垂直方向に分離される。いくつかの実施形態の積層型アレイ10については、矢印24によって示される高さは約1mmないし約3mm、特に約1.5mmないし約2.0mmであってもよい。このように、積層型アレイ10のレーザエミッタバー12及びエミッタ16によって、多量の光エネルギ又は出力が、いくつかの実施形態については小型デバイスで生成できるようにしてもよい。
実施形態のレーザエミッタバー12は、約1のエミッタないし約100のエミッタ、特に約3のエミッタないし約12のエミッタといった好適な数のエミッタ16を有してもよい。いくつかの実施形態については、約5のエミッタ16を有する各々のレーザエミッタバー12は、約5Wないし約50W、特に約10Wないし約20Wの出力電力を有してもよい。エミッタ16はエッジ型発光レーザダイオード、及び垂直共振器表面発光ダイオードレーザ(VCSEL)等といったレーザダイオードを含んでもよい。レーザエミッタバー12のエミッタ16用の材料はGaAs、InP、又はその他の好適なレーザ利得媒質といった半導体材料を含んでもよい。
通常、エミッタ16の実施形態のレーザダイオードの放射開口部は、エミッタ16の長辺が一般的には数十ないし数百ミクロンの大きさであり、その短辺は一般的には1ないし数ミクロンの大きさである形状の矩形である。エミッタ16から出る放射線は発散し、発散角はエミッタ16の短手方向に沿って大きくなる。発散角はエミッタ16の長手方向の方向で小さくなる。エミッタ16のいくつかの実施形態は、約50ミクロンないし約300ミクロンの物理的な幅と、約1ミクロンないし約3ミクロンの高さと、約0.5mmないし約5mmの空洞長を有してもよい。このように、実施形態のエミッタ16は、遅軸方向18での約2度ないし約12度の光エネルギ出力の発散と、速軸方向20での約30度ないし約75度の光エネルギ出力の発散を有してもよい。
レーザダイオードバー12のいくつかの実施形態は、約700nmないし約1500nm、特に約800nmないし約1000nmの波長を有する光エネルギを放射するエミッタ16を有してもよい。エミッタ16は約300nmないし約2000nm、特に約600nmないし約1000nmの中心又はピーク波長を有する光を放射し、近赤外スペクトルにわたる波長を含んでもよい。有用なエミッタのいくつかの特定の実施形態は、約350nmないし約550nm、600nmないし約1350nm、又は約1450nmないし約2000nmのピーク波長で光を放射してもよい。このようなレーザダイオードバーはパルスモード又は連続波モードのいずれで動作させてもよい。頻繁に、波長制御されない(例えば、体積回折格子(volume index grating)等からの波長依存性のフィードバックを提供することによって波長制御されない)別個のエミッタ16の出力スペクトル帯は、約0.5nmないし約2.0nm又はそれ以上であってもよい。別個の各エミッタでのスペクトル帯に加えて、ピーク放射波長の変化によって、レーザエミッタバー12の全体の帯域幅はいくつかの実施形態については約2nmないし約5nmであってもよい。積層型アレイ10は4のレーザエミッタバー12を含むが、他の実施形態の積層型アレイ10は、任意の好適な数のレーザエミッタバー12であってもよい。いくつかの実施形態の積層型アレイ10は約2のレーザエミッタバー12ないし約30のレーザエミッタバー12、特に約2のレーザエミッタバー12ないし約10のレーザエミッタバー12を有してもよい。
図3によると、積層型アレイ10は選択的に積層型アレイ10のエミッタ16上に選択的に配置され、速軸方向20に各レーザエミッタバー12のエミッタ16の出力ビームを実質的にコリメートするように構成される、シリンドリカルレンズアレイの形態で、速軸コリメータ26とともに示される。図3で示される実施形態はバー12に直接的に固定される速軸コリメータを示すが、以下に詳細に述べるように、同一のコリメートの効果が1又はそれ以上のバー12から離れ、かつ一定の関係で固定された速軸コリメータ26で得られうる。速軸コリメータ26は各レーザエミッタバー12用の1のシリンドリカルレンズ又は1又はそれ以上の一体型レンズアレイ、ならびにその他の好適な構成を含んでもよい。このエミッタ出力の速軸コリメーションは示されたような出力アレイ28を生成し、各レーザエミッタバー12の各エミッタ16の光エネルギ出力30はエミッタ16の速軸20に沿って実質的にコリメートされるが、エミッタ16の遅軸18に沿って発散し続ける。各レーザエミッタバー12の光エネルギ出力30は、伝播方向に対して横方向の矩形の断面を実質的に有することができ、示したように出力アレイ28を生成するよう相互に平行である。選択的に、任意の多様なビームコンディショニングデバイスが、出力面14の上又はその近くに配置されてもよい。例示的なビームコンディショニングデバイスは限定しないが、体積ブラッグ回折格子、格子、ビーム結合器、偏光子、及びビームツイスター等を含む。
図4ないし7は、レーザエミッタバー12の出力を光ファイバ44の入力面42に結合するためのレーザエミッタモジュールの形態で、光学装置アセンブリ40の実施形態を例示する。アセンブリ40は底部48と、蓋部50と、底部48と蓋部50との間に配置される側壁部52とを有するハウジング46の形態で密閉された筐体を含む。開口部54はレーザエミッタバー12と逆位の壁部52に配置され、筐体46の壁部に密封固定できる、半径方向に延在するフランジ58を有する調節可能なフェルールのアセンブリ56を受けるように構成される。開口部54は、以下に詳細に述べるように、装置40の光学部品を能動的に位置調整するために、レーザエミッタバー12の出力30が開口部54を通過できるよう更に調整できる。特に、開口部54はレーザエミッタバー12の出力軸60に実質的に位置調整される筐体46の壁部に配置される比較的大きな開口部54であってもよい。レーザエミッタバー12に対する開口部54の横方向の寸法及び位置は、速軸コリメータ62又は他のコリメーティング光学部品からの実質的に総てのレーザエミッタバー12の放射光出力30が開口部54を通過できるよう構成できる。いくつかの実施形態については、開口部54は約3mmないし約20mm、特に約5mmないし約10mmの横方向の寸法を有してもよい。レーザエミッタバー12は、5のエミッタ16とともに示されるが、モジュール40は上述のように好適な数のエミッタ16を有するレーザエミッタバー12を含んでもよい。
ハウジング46は更に、複数の大電流導電体を収容するように構成される、開口部54と逆位の壁部に配置される1又はそれ以上の開口部を具える。示された実施形態については、第1の導電体64及び第2の導電体66はハウジング46内に配置される1又はそれ以上のレーザエミッタバー12に電力供給するために、電気出力をハウジング46の内部に供給するように用いられる。導体64及び66は固体の導電性材料を含んでもよく、可動性のためにマルチフィラメントの編組又は撚線として構成してもよい。導体64及び66は銅、銀、又は金等といった高率の導電率を有する材料から生成してもよい。導体64及び66の一部はフランジ部材58と一定かつ密閉された関係で固定され、フランジ部材58はハウジング46の壁部52と一定かつ密閉された関係で更に固定してもよい。導体64及び66とフランジ58との間、ならびにフランジ58とハウジング46との間の封止材は、いくつかの実施形態についてはハーメチックシールであってもよい。
熱伝導性及び電気絶縁性のヒートシンクスペーサ70は、ヒートシンクスペーサ70と底部48との間に配置される結合剤層(図示せず)で、底部48の内面72に固定してもよい。示された実施形態のヒートシンクスペーサ70は、その下面と実質的に平行な上面を有し、実質的に矩形である。いくつかの実施形態については、ヒートシンクスペーサ70は、その上にヒートシンク74を取付けるための熱伝導性及び電気絶縁性の台座を提供するよう構成してもよい。ヒートシンク74は、モジュール40のレーザエミッタバー12を取付けるべく、台座として用いてもよい。いくつかの実施形態については、レーザエミッタバー12は熱伝導性接着、熱圧着、軟質はんだ、又は金錫はんだを含む硬質はんだ等でヒートシンク74に固定してもよい。
ヒートシンクスペーサ70と底部48との間の結合剤層は、ヒートシンクスペーサ70の底面全体を覆う、薄く、実質的に均一な層であってもよく、硬質はんだ、軟質はんだ、銀エポキシ又は銀ガラスといった熱伝導性接着剤、溶接、又はガラス接着等を含んでもよい。ヒートシンクスペーサ70と底部48との間の結合剤層用の好適なはんだは、InSn、AgSn、AuGe、及びAuSnのはんだ、ならびに他のものを含んでもよい。AuSnといった、いくつかの実施形態の硬質はんだについては、Auの密度はSnの密度に対して約80パーセントないし約86パーセントであってもよい。しかしながら、軟質はんだの使用は、ヒートシンクスペーサ70を底部48の熱膨張及び/又は熱ひずみと切り離すように作用しうる。いくつかの実施形態については、硬質はんだは少なくとも摂氏約280度の融点を有してもよく、軟質はんだは摂氏約280度未満の融点を有してもよい。いくつかの実施形態については、ヒートシンクスペーサ70と底部48との間の結合剤層は約10ミクロンないし約150ミクロンの厚さを有してもよい。
ヒートシンクスペーサ70の熱伝導度は、ヒートシンク74を通過し、レーザエミッタバー12によって生成される熱エネルギの散逸用のコンジットを提供できる。いくつかの実施形態については、ヒートシンクスペーサ70の電気絶縁特性は、一般的に底部48及び筐体46からレーザエミッタバー12を電気的に絶縁するように構成してもよい。いくつかの実施形態については、熱伝導性及び電気絶縁性のヒートシンクスペーサ70の材料は、窒化アルミニウムといったセラミック、ならびに他の好適な材料を含んでもよい。いくつかの実施形態については、ヒートシンクスペーサ70は更に、筐体46の底部48の熱膨張係数と実質的に合致する熱膨張係数を有する材料を含んでもよい。いくつかの実施形態については、ヒートシンクスペーサ70が約1.5×1011Paないし約4×1011Pa、特に約3×1011Paないし約3.5×1011Paのヤング率を有することが所望されうる。いくつかの実施形態については、ヒートシンクスペーサ70は約0.5mmないし約5mm、特に約1mmないし約3mmの厚さを有してもよい。
レーザエミッタバー12によって生成される熱の散逸用のヒートシンク素子74は、ヒートシンクスペーサ70の上面とヒートシンク素子74の底面との間に配置される結合剤層(図示せず)によってヒートシンクスペーサ70の上面に固定してもよい。上述したように、レーザエミッタバー12は多様な好適な方法によってヒートシンク素子74の上面に固定してもよい。いくつかの実施形態については、ヒートシンク素子74はその底面と実質的に平行な上面を有する形状で矩形であってもよい。ヒートシンク素子74は、いくつかの実施形態では導電性にでき、他の実施形態では電気絶縁性にできる熱伝導性材料から生成されてもよい。いくつかの実施形態については、ヒートシンク素子74は約0.5mmないし約5mm、特に約1mmないし約3mmの厚さを有してもよい。
ヒートシンクスペーサ70とヒートシンク素子74との間の結合剤層は、いくつかの実施形態については、ヒートシンク素子74の底面全体を覆う薄く実質的に均一な層であってもよく、硬質はんだ、軟質はんだ、銀エポキシ又は銀ガラスといった熱伝導性接着剤、溶接、又はガラス接着等を含んでもよい。ヒートシンクスペーサ70とヒートシンク素子74との間の結合剤層用の好適なはんだは、銀錫であるAgSn、インジウム銀であるInAg、金ゲルマニウムであるAuGe、及び金錫であるAuSnのはんだを含んでもよい。AuSnといった、いくつかの実施形態の硬質はんだについては、AuSnはんだは、Snの密度に対して約80パーセントないし約86パーセントのAuの密度を有してもよい。いくつかの場合においては、ヒートシンク素子74の熱膨張係数が、ヒートシンクスペーサ70の熱膨張係数と実質的に合致することが所望されうる。例えば、いくつかの実施形態においては、ヒートシンクスペーサ70は摂氏1度につき約4.2ppmの熱膨張係数を有する窒化アルミニウムで生成してもよく、ヒートシンク素子74は摂氏1度につき約6.5ppmの熱膨張係数を有する銅タングステンによって生成してもよい。このように、ヒートシンクスペーサ70とヒートシンク素子74との間の熱膨張係数の差が摂氏1度につき約3ppm未満である実施形態について、AgSn又はInAgといった軟質はんだは結合剤層で所望されうる。いくつかの実施形態については、ヒートシンクスペーサ70とヒートシンク素子との間の結合剤層は、約10ミクロンないし約150ミクロンの厚さを有してもよい。
任意の光学基板76は更にヒートシンクスペーサ70の上面に固定するとともに、速軸コリメータ62は光学基板76の上面に固定してもよい。いくつかの実施形態については、光学基板76は低い熱伝導度を有するセラミック又はガラスを含んでもよく、ヒートシンクスペーサ70の熱膨張係数と実質的に同一の熱膨張係数を有してもよい。光学基板76はいくつかの実施形態については、はんだ付け、溶接、又はガラス接着によってヒートシンクスペーサ70に固定してもよい。いくつかの実施形態については、光学基板76はエポキシ接着によってヒートシンクスペーサ70に固定してもよい。いくつかの実施形態については、ヒートシンクスペーサ70はレーザエミッタバー12、速軸コリメータ62、及び光学基板76をハウジング46から機械的に切り離すように作用しうる。
その密閉された実施形態といった、いくつかの実施形態の装置40については、エポキシのような、ガス放出を生成しうる結合剤が用いられる場合、ハウジング内に有機物用ゲッターを含むことが所望されうる。図4はカバー46の内面に固定される有機物用ゲッターアセンブリ76Aと、底部48に留められる有機物用ゲッターアセンブリ76Bを示す。このようなゲッターアセンブリ76A及び76Bは本明細書中に記載の実施形態のモジュールのいずれかに含んでもよい。有機物用ゲッターアセンブリ76A及び76Bは、モジュール40の内側で生じる有機物のガス放出を吸収するよう構成してもよい。このような有機物用ゲッターアセンブリは本明細書中に述べた実施形態のモジュールアセンブリのいずれかに含んでもよい。
速軸コリメータ62はレーザエミッタバー12の出力面14に隣接する固定位置に固定される。速軸コリメータ62は、伸長型のシリンドリカルレンズを含んでもよく、速軸方向にレーザエミッタバー12の出力を実質的にコリメートするように構成してもよい。いくつかの実施形態については、速軸コリメータ62ははんだ付け、溶接、又はガラス接着によって光学基板76に固定してもよい。いくつかの実施形態については、速軸コリメータ62はエポキシ接着によって光学基板76に固定してもよい。いくつかの実施形態については、ビームコンディショニング素子は速軸コリメータ62に加え、光学基板76の上面に固定してもよい。
モジュール40のいくつかの実施形態については、1又はそれ以上のビームコンディショニング光学部品77は、ビーム再構成光学部品を含んでもよく、速軸コリメータ62と任意の光学部品90との間のモジュール40の光学縦列、又はその他の好適な位置に配置してもよい。このようなビームコンディショニング光学部品77はサブアセンブリとして速軸コリメータ62と別個に、あるいは組合わせて固定してもよい。図4及び8に示した実施形態については、ビームコンディショニング光学部品77は、コンディショニング光学部品77を光学基板76に固定することによって、ハウジング46の底部48と一定の関係で固定され、光学基板76は更に各ヒートシンクスペーサに固定される。ビームコンディショニング光学部品77は、はんだ付け、溶接、ガラス接着、又はエポキシ接着を含む接着結合等によって、光学基板76、ヒートシンク、又はヒートシンクスペーサ、又は直接的に底部48に固定してもよい。いくつかの実施形態については、ビームコンディショニング光学部品77は、本明細書中で述べる能動的な配列方法によって、ハウジング46と一定の関係で固定される前に、能動的に位置調整してもよい。ビームの勾配及びエッジの鋭さ、対応するレーザエミッタバー12のファセットから設定された、仮想基準によるスポットの位置、及びフラウンホーファー領域全体のビームの大きさは、配列を最適化する際に考慮される因子である。いくつかの実施形態のビームコンディショニング光学部品77は、伝播軸周りで別個のビーム片を湾曲するか、あるいは水平方向に隣接する部分を垂直方向に再構成するビーム再構成光学部品として動作してもよい。
ビームコンディショニング光学部品77は、モジュール40の構成中に光学部品77の処理を促進するように光学部品77に固定される任意のハンドル部77Aを有してもよい。ハンドル部77Aが光学部品77の上面から延在するように、接着結合又ははんだ付け等により光学部品77に固定される硬質又は半硬質材料のブロックを、ハンドル部77Aは含んでもよい。これによって、光学部品77の重要な入力及び出力面と接触させることなく、構成中にピンセット又は他の処理装置によって、光学部品77が把持及び配置できる。ハンドル部77Aは更に、光学部品77の各側に固定してもよい。ハンドル部の材料は、いくつかの実施形態については、ガラス、石英、又はシリカ等といった、光学部品77と同様の材料であってもよい。このようなハンドル部77Aは更に本明細書中に述べた他の光学部品のいずれかに固定して、実施形態のモジュールのアセンブリを容易にしてもよい。
図4Aによると、光学基板76を含まず、一対のV字形のプリズム部材75によってヒートシンクスペーサ70に固定されるビームコンディショニング光学部品77を有するモジュール40の一部が示される。プリズム部材75は、接着結合又ははんだ付け等でヒートシンクスペーサ70に直接的に固定される底面を有する。各プリズム部材75の各々の側面はヒートシンクスペーサ70との結合に用いられるように、同一又は同様の方法によってビームコンディショニング光学部品77の逆側面に固定される。ビームコンディショニング光学部品77はレーザエミッタバー12の正面に配置され、その出力に位置調整される。プリズム部材75の材料は、いくつかの実施形態については、ガラス、石英、又はシリカ等といった、光学部品77と同様の材料であってもよい。速軸コリメータ62は図4Aに示した実施形態については、ビームコンディショニング光学部品77の後面に直接的に固定される。速軸コリメータ62の側面は更に、プリズム部材75の各側面に固定してもよい。
ビームコンディショニング光学部品の実施形態は、Y.Huらによって2007年5月10日に出願された代理人整理番号NPT−0230−UTの「Multiple Emitter Coupling Devices and Methods with Beam Transform Systems」という名称の米国特許出願第11/747,184号に記載されており、これは本明細書中に全体として引用により取り込まれている。特に、米国特許出願第11/747,184号は、本明細書中で述べる実施形態のレーザエミッタモジュール用のビームコンディショニング光学部品77として用いられうる、様々なビーム変換システムについて述べている。このようなビームコンディショニング又は変換用の光学部品の1つは本明細書中で図13及び14に示され、以降で更に論じられる。
出力ビームの遅軸方向18にレーザエミッタバー12の出力をコリメートするように構成される遅軸コリメータ78は更に、図4に示される底部48に固定してもよい。遅軸コリメータ78はレーザエミッタバー12の出力のコリメーションを行うように構成されるシリンドリカルレンズ又はレンズアレイを含んでもよい。遅軸コリメータ78はいくつかの実施形態については、はんだ付け、溶接、又はガラス接着等によって、ならびにエポキシ接着の使用で、底部と一定の関係で固定してもよい。更に、遅軸コリメータ78は本明細書中に述べた能動的な配列方法のいずれかによって固定される前に、能動的に配置してもよい。
図4及び5によると、光ファイバ44は中心管状バレル80と、バレル80から半径方向に延在するフランジ部分82とを有する外側スリーブを含む調節可能なフェルールのアセンブリ56内に配置及び固定される。バレル80は、バレル80の第1の末端からバレル80の第2の末端に延在する実質的に同心円状の内腔81を含む。フランジ部分82は開口部54に隣接する筐体の壁部52の外面と結合するよう構成される扁平の内面84を含んでもよい。フランジ部分82は更に開口部54の横方向の外寸より大きな横方向の外寸を有する。フランジ部分82は更に、浅い円柱状の突起部分86を含んでもよく、その横方向の寸法は、突起部分86が開口部54と機械的に係合し、その筐体46と一定の関係でフェルール56を固定する前に、光ファイバ入力面42の位置調整を可能にするよう横方向に移動できるように、開口部54の横方向の寸法未満であってもよい。
入力端85を有する円柱状のファイバ連結スリーブ83は、外側スリーブ型バレル80の内側穿孔部81内で軸方向に摺動するように構成され、その外面と同心円状に配置される軸方向のファイバ受容内腔87を有する。光ファイバ44の外面は圧着、はんだ付け、ろう付け、溶接、又は接着結合等を含む、様々な好適な方法によって、連結スリーブ83の軸方向の内腔87内に固定してもよい。入力端42の近位に配置される光ファイバ44の被覆部分は、示されるように接着剤87Aに埋込まれ、そうでない場合はファイバ連結スリーブ83の内面に固定してもよい。テーパされた構成を有する弾力性のひずみ軽減素子87Bは更に、曲げ応力による光ファイバ44の損傷を防ぐために、連結スリーブ83の近位の光ファイバ44上に配置し、かつ連結スリーブ83に固定してもよい。
光ファイバの入力端42はファイバ連結スリーブ83の入力端85を軸方向に超えて、かつ、外側スリーブ80の内側穿孔部81内に配置される。いくつかの実施形態については、図5中の破線によって示されるように、光ファイバ44の入力端42はフランジ部分82の扁平面84と同一平面にあることが所望されうる。この構成によって、フランジ部分82は、溶接処理によるハウジングに対するファイバ44の入力端42の位置の最小の機械的なひずみで、ハウジング46の壁部52に対しシーム溶接、あるいはレーザシーム溶接できる。この構成は更に、溶接連結法を用いる実施形態によって、外側スリーブ80のハウジングの壁部52に対するレーザシーム溶接中に、異物混入から光ファイバ44の入力端42を保護するように作用しうる。
いくつかの実施形態については、ファイバ44の入力端42は約0.5mmないし約2mmの軸方向距離で突起86の前端部から内腔81内に引き込まれてもよい。いくつかの実施形態については、内腔81は約1mmないし約3mmの横方向の内寸又は内径を有してもよい。いくつかの実施形態については、外側スリーブ80はKovar(登録商標)、304Lステンレス鋼等のステンレス鋼、201ニッケル等のニッケルといった材料から生成してもよい。いくつかの実施形態については、外側スリーブ80は、モジュールを密閉して保持するために、レーザシーム溶接中に微細な亀裂を生成しないレーザ溶接用の好適な材料を含んでもよい。いくつかの実施形態については、ファイバ連結スリーブ83、外側スリーブ80、及び表面84は腐食から未加工の金属を保護するよう構成されるコーティングを含んでもよい。いくつかの実施形態については、このような腐食保護コーティングは電解ニッケルめっき、又はモジュールを密閉して保持するために、レーザシーム溶接中に微細な亀裂を生成しないレーザ溶接に好適なその他のコーティング材料を含んでもよい。いくつかの実施形態については、外側スリーブ80、ファイバ連結スリーブ83、又はその双方は、Arcap(登録商標)といった材料、あるいは、はんだ付け又はエポキシ接着に好適な他の材料から生成してもよい。いくつかの実施形態については、光ファイバ44の入力端42はファイバ連結スリーブ83の入力面85から約0.5mmないし約1mmの長さで延在してもよい。
示された実施形態については、フランジ部分82は外側スリーブ80とハウジング46との間にハーメチックシールを生成するために、その外周部全体を囲むようにハウジング46の壁部52にシーム溶接してもよい。ファイバ連結スリーブ83は更に、外側スリーブ80とファイバ連結スリーブ83との間にハーメチックシールを生成するために、外側スリーブ80の近位部分のその外面の外周部全体を囲むようにシーム溶接してもよい。ファイバ44の外面がはんだ付けされる場合、あるいはそうでない場合にファイバ連結スリーブの内腔87に密閉される場合、ファイバ44の外面とハウジングとの間のハーメチックシールは、信頼性のあるシールを生成し、更に装置40の構成中に光ファイバ44の入力端42の半径方向及び軸方向の位置の調整を可能にするよう生成してもよい。更に、筐体46の蓋部50は、はんだ付け又はレーザシーム溶接等といったハーメチックシール技術によってハウジング46に更に固定してもよい。このように、ハーメチックシールは全体として光ファイバ44の外面と筐体46の内部空洞との間に形成してもよい。
集束素子88はレーザエミッタバー12のエミッタ16から延在する装置40の光学縦列に配置できる。集束素子88はレーザエミッタバー12の、光ファイバ44の入力面42への出力を集束するように構成できる。集束素子88はいくつかの実施形態については、速軸20及び遅軸18の双方にレーザエミッタバー12の出力ビームを集束するように構成される1又はそれ以上のシリンドリカルレンズを含んでもよい。集束素子88は、はんだ付け、レーザ溶接を含む溶接、及びガラス接着等を含む様々な好適な方法によって、筐体46の底部48と一定の関係で固定してもよい。エポキシ接着は更に、いくつかの実施形態については、集束素子88を固定するために用いてもよい。いくつかの実施形態については、集束素子88は本明細書中に述べる能動的な配列方法のいずれかによって固定されうる前に、能動的に配置してもよい。
光学部品90は、上述のものに加えて、更に装置の光学縦列内に動作可能に配置してもよく、レンズ、フィルタ、プリズム、偏光子、1/4波長板及び1/2波長板といった波長板を含んでもよい。このような部品は、出力の光ファイバへの結合を更に増加させるために、レーザエミッタバー12の出力を調整するのに用いてもよい。これらの光学部品に加え、光学部品90は体積ブラッグ回折格子(VBG)といったスペクトル帯コンディショニング素子を含んでもよく、エミッタ16の出力ビームを制限する、あるいはそうでない場合に調整するのに用いることができる。
いくつかの実施形態については、装置40の光ファイバ44は光学部品に光エネルギの供給源を提供するように光学部品に連結してもよい。いくつかの実施形態については、光学部品はレーザであってもよく、光ファイバレーザ等を含み、ポンプエネルギ等を提供するために装置40に連結される。このような構成において、装置40のレーザエミッタバー12内に反射され、あるいは、そうでない場合には逆向きに伝達される光学部品からの光エネルギを防止することは重要になりうる。装置、特にレーザエミッタバー12に入る、このような反射又は漏出した光エネルギは、装置に対し有害となりうる。このことは、光学部品がファイバ44を通って装置40へ逆向きに伝達される高エネルギのパルス光を生成可能な場合に特に当てはまりうる。このような反射光のエネルギがレーザエミッタバー12に到達するのを防ぐ構成を有することが、このように、いくつかの実施形態の装置について所望されうる。多くの場合、装置40に連結されるレーザのような光学部品は、装置40のレーザエミッタバー12の出力スペクトル帯と異なるスペクトル帯で動作しうる。このような場合において、ミラーコーティングは装置40に連結される光学部品のスペクトル帯で光エネルギを反射し、装置のレーザエミッタバー12のスペクトル帯の光エネルギを伝達する装置40内で、光学素子のうちの1又はそれ以上に配置できる。レーザエミッタバー12のスペクトル帯での反射防止用の、装置の光学素子のうちの1又はそれ以上での反射防止コーティングを含むことが更に所望されうる。
いくつかの実施形態については、レーザエミッタモジュール40に連結される光学部品は、レーザエミッタバーの出力スペクトル帯を受容し、レーザエミッタバー12のスペクトル帯と異なるスペクトル帯を有する光エネルギをレーザエミッタモジュールへ逆向きに伝達するように構成してもよい。ミラーコーティングはレーザエミッタモジュールの光学素子に配置してもよく、レーザエミッタモジュールに連結される光学部品によって伝達されるスペクトル帯を反射し、かつレーザエミッタバー12のスペクトル帯を伝達するように構成してもよい。このような反射及び反射防止コーティングの用途に好適になりうる装置40の光学素子は、速軸コリメータ62、遅軸コリメータ78、集束素子88、又はビームコンディショニング光学部品を含みうる他の光学素子90等を含んでもよい。いくつかの実施形態については、ビームコンディショニング光学部品は伝播軸周りで別個のビーム片を湾曲するか、あるいは水平方向に隣接する部分を垂直方向に再構成しうるビーム再構成素子を含んでもよい。いくつかの実施形態については、レーザエミッタバー12のスペクトル帯は約750ナノメートルないし約999ナノメートル、特に約900ナノメートルないし約995ナノメートルの中心波長を有してもよい。いくつかの実施形態のミラーコーティングは、約1000ナノメートルないし約1095ナノメートルの中心波長を有するスペクトル帯を反射するよう構成してもよい。このような構成は、約1000ナノメートルないし約1095ナノメートルの中心波長を有するスペクトル帯で動作する光学部品、及び約900ナノメートルないし約995ナノメートルの中心波長のスペクトル帯の出力を有するレーザエミッタバー12に連結される装置40に好適になりうる。
いくつかの実施形態については、ミラーコーティングは二酸化ケイ素、アルミナ、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、及びハフニア、ならびに他の好適な材料を含んでもよい。上述の所望の効果は適切に選択された反射及び反射防止コーティングの使用で得られうるが、同一又は同様の効果はレーザエミッタモジュール40内に、あるいはそれに隣接して配置された1又はそれ以上のオプトアイソレータ(図示せず)で得られうることは留意すべきである。いくつかの実施形態については、このようなオプトアイソレータは、その放射が光ファイバ44の入力端42の方に向けられる場合に、約750ナノメートルないし約999ナノメートル、特に約900ナノメートルないし約995ナノメートルのエミッタ波長での高レベルの伝達を有してもよい。いくつかのこのような実施形態のアイソレータは更に、エミッタに向かう光ファイバ44などのような、エミッタの出力と異なる方向に向けられた、約1000ナノメートルないし約1150ナノメートル又はそれ以上、特に約1040ナノメートルないし約1095ナノメートルの波長を有する、低い光伝達又は高い反射率の光エネルギを有してもよい。いくつかの実施形態の好適なオプトアイソレータは、レーザエミッタバー12の偏光に実質的に平行な偏光方向を有する光エネルギを伝達する第1の偏光素子と、偏光回転素子と、レーザエミッタバー12からの光エネルギに対し高伝達性であるが、レーザエミッタバー12に向かい、逆方向に伝播する光エネルギに対し実質的に非伝達性であるように関連づけられる第2の偏光素子とを含んでもよい。
図8は、レーザエミッタバー12の出力を光ファイバ44の入力面42に連結するための、ある実施形態の光学装置アセンブリ92を例示する。図8の実施形態の装置92は、図4ないし7について上述した装置40の特徴、寸法及び材料と同一又は同様の、特徴、寸法及び材料の一部を有してもよい。しかしながら、図8の実施形態92については、ヒートシンク素子94はアセンブリ92のヒートシンクスペーサ素子98でこのような特性を不要にできる熱伝導性及び電気絶縁性材料96の上層部を含むことができる。特に、ヒートシンクスペーサ素子98は更に比較的高い熱伝導度を要求され、導電性材料で生成してもよい。
装置92は底部48と、側壁部52と、蓋部50とを有するハウジング46を含む。実施形態のヒートシンクスペーサ98は底部48の内面に固定される。実施形態のヒートシンクスペーサ98はセラミック又は金属を含んでもよい。金属材料はヒートシンクスペーサ98の上面に固定されるヒートシンク94の上面にある電気絶縁層のため、いくつかの実施形態の構造で許容可能になりうる。ヒートシンク素子94は、ヒートシンク94の上層部に配置され、ヒートシンク94の上面を形成する、熱伝導性及び電気絶縁性材料96の上層部を含む。熱伝導性及び電気絶縁性材料96は窒化アルミニウムといったセラミック材料を含んでもよく、底部48からレーザエミッタバー12を電気的に絶縁するように作用しうる。いくつかの実施形態については、ヒートシンク素子94は約0.5mmないし約5mm、特に約1mmないし約3mmの厚さを有してもよく、熱伝導性及び電気絶縁性材料96の上層部は約100ミクロンないし約500ミクロン、特に約300ミクロンないし約400ミクロンの厚さを有してもよい。
レーザエミッタバー12は熱伝導性接着又は熱圧着等といった好適な方法によってヒートシンク94の熱伝導性及び電気絶縁性の上層部96に固定できる。光学基板76は更に、任意の好適な方法によってヒートシンクスペーサ98の上面に固定してもよい。速軸コリメータ62はレーザエミッタバー12の出力面14に隣接する光学基板76に固定され、速軸方向20にレーザエミッタバー12の出力を実質的にコリメートするように構成される。任意のビームコンディショニング光学部品77は同様に、示したように速軸コリメータ62と光学部品90との間に取付け又は固定してもよい。
所望の、あるいは最適なレベルの動作効率を得るために、レーザエミッタバー12ならびにレーザエミッタモジュール40及び92の光学素子は、デバイスの光軸に沿って適切に位置調整されることが必要である。このような高レベルの光学配列を得るための一手段が、能動的な配列技術を用いることであり、これによってレーザエミッタバー12のエミッタ16が光学素子を通して光エネルギを放射している間に、モジュールの光学素子が位置調整される。このような方法については、レーザエミッタバー12のレーザエミッタ16の出力は、光学素子から放射されるビーム質をモニタリングするのに用いられる診断機器にアクセス可能にされなければならない。大きな開口部54は、レーザエミッタバー12の出力30が、動作中に大きな開口部を実質的に通過するように十分に位置調整された場合に、このようなアクセスを可能にする。レーザエミッタバー12の出力を大きな開口部に位置調整するために、図9ないし11に示されたような配置を用いてもよい。
図9ないし11によると、レーザエミッタモジュールを位置調整する方法は、外部基準部材に対する、前面100のような、選択されるハウジングの表面の方向及び位置を決定するよう、基準面又は点に対してレーザエミッタモジュール40のハウジング46を配置するステップを含む。図9及び10は、ハウジング46の前面100の位置が基準ブロック102と相対的に認識されるように、基準ブロック102の結合面に対し堅固に配置されたレーザエミッタモジュール40のハウジング46の前面100を示す。図10に示されるように、基準ブロック102に対するハウジング46の位置は更に、テーパされた円錐形の栓104の、ハウジング46の開口部54への貫入によって制限される。この配置においては、基準ブロック102の結合面はハウジング46の前後の動作を防ぎ、テーパされた円錐形の栓104は基準ブロック102に対する横方向又は左右方向の動作、ならびにハウジング46の垂直方向の動作を防ぐ。いくつかの実施形態については、円錐形の栓104の結合円錐面が、基準ブロック102に対するハウジング46の位置を維持するのを助けるべく一定の係合力で開口部54に係合するように、円錐形の栓104は順方向にばねの力のような弾性力によって付勢してもよい。
CCDカメラ106のような撮像デバイスは、配列手順中にハウジング46の内部を映像化できる位置に配置してもよい。基準ブロックに対する位置が更に、カメラ106の視野に対する位置を決定するのに用いることができるように、カメラ106は基準ブロック102と一定の関係にある。図11に示したように、カメラ106の視野は、レーザエミッタバー出力の光軸の、ハウジングの開口部54との適切な配列を得るために、レーザエミッタバー12の前方ファセットの適切な位置を示す、相互に垂直な2のラインを有する十字線108を含む。このように、レーザエミッタバー12からの多数の出力が、レーザエミッタバー12の前面ファセット及び側面を、十字線108の対応するラインに位置調整することによって開口部を通過するように、外部基準部材102に対するレーザエミッタバー12のファセットの位置及び方向は、ハウジング46に対してレーザエミッタバー12を位置調整するのに用いてもよい。レーザエミッタバーの位置の微調整は、ハウジングに対して正確に配置できる空気式ピンセット等を含むロボットツールで行ってもよい。レーザエミッタバー12が十字線108に一度適切に位置調整されると、レーザエミッタバー12は、はんだ付け、熱伝導性接着、又は熱圧着等によって、ハウジングと一定の関係で固定できる。
レーザエミッタバー12がハウジング46内に一度適切に配置及び固定されると、モジュール46の光学素子はレーザエミッタバー12の光軸に能動的に位置調整され、同様にハウジング46に対して一定の位置に固定できる。図12は、ビームプロファイリングアセンブリ110と機能的に関連して配置されるハウジング46及びレーザエミッタバー12のアセンブリを例示する。レーザエミッタバー12の出力軸がビームプロファイリングアセンブリ110の入力の方に向けられるように、ハウジング46は配置される。レーザエミッタバー12の出力が開口部54を通過し、実施形態の能動的な配列プロセス時にビームプロファイリングデバイス110によってモニタリング及び特徴づけできるように、ハウジング46の前面にある開口部54は開口される。ハウジング46は上述の基準ブロック102と同様になりうる基準ブロック(図示せず)と一定の関係で固定してもよい。
ハウジング46及び基準ブロックは更に、光学素子の能動的な配列プロセス時に好適に角度調整するために、光学素子62、78、88、又は90に対して最大6の自由度で移動するように構成されるアセンブリ110に固定してもよい。いくつかの実施形態については、レーザエミッタバー12の回転、高さ、及び偏揺れは、配置中の光学素子の光軸に対するレーザエミッタバー12のX軸、Y軸、及びZ軸の変換と同様に、配置すべき光学素子に対して調整してもよい。ハウジング46内に配置すべき光学素子は、速軸コリメータ62、遅軸コリメータ78、集束素子88、ならびにその他のビームコンディショニング光学部品90を含む。いくつかの実施形態の配列方法は特定の順序で様々な光学素子を取付けることに関するが、他の実施形態については、光学素子は任意の所望の順序で取付けてもよい。
実施形態のビームプロファイリングアセンブリはビームスプリッタ112と、参照レーザ114の正面に配置されるピンホール素子113と、第1の減光器116と、第2の減光器118と、ビーム絞り120と、第1の濃度フィルタセット124、第1のレンズ126と、第1のCCD面130を有する第1のCCDカメラ128とを含む。アセンブリは更に第2の濃度フィルタセット132と、第2のレンズ134と、第2の像平面138を有する第2のCCDカメラ136とを含む。
いくつかの実施形態の能動的な配列手順については、そこに固定されるレーザエミッタバー12を有するハウジング46は、速軸コリメータ62、遅軸コリメータ78、集束素子88、又は他のビームコンディショニング部品90といったその他の光学素子の追加前に、ビームプロファイリングデバイス110の正面に配置される。ハウジング46が一度配置されると、参照レーザ114が励起できる。参照レーザ114は、コリメートされた出力ビームを有するヘリウムネオンレーザ又は低出力赤色半導体レーザ等であってもよい。参照レーザ114からの参照ビームはピンホール113を通って伝わり、ビームスプリッタ112から開口部54を通って、かつ、レーザエミッタバー12の前面ファセット面、又は前面ファセットの位置に配置できる参照反射器に反射される。参照ビームは次いでレーザエミッタバー12の前面ファセット、又はレーザエミッタバー12の前面ファセット位置に配置される参照反射器から反射される。参照レーザ114は、前面ファセットからの反射ビームがピンホール113と位置調整されるように調整してもよい。その後、参照レーザビームはレーザエミッタバー12の前面ファセット又は出力面14と垂直になるように、レーザエミッタバーの光軸を規定しうる。いくつかの実施形態については、レーザエミッタバー12の前面にあるファセットの一部が、表面の反射率を増加させるべく、金属部分を有してもよい。いくつかの実施形態については、金のような金属は、レーザエミッタバー12のファセットの反射率を増加させるのに用いてもよい。レーザエミッタバー12の前面ファセットから反射される参照ビームは次いで、第1のCCDカメラ128によって映像化できる。第1のCCDカメラ128によって測定される参照ビームの衝突点は、レーザエミッタバー12の光軸を決定するのに用いてもよい。レーザエミッタバー12の光軸が位置調整されない場合、ハウジング46の位置は、エミッタバー12の光軸が適切に位置調整されるまで調整できる。
レーザエミッタバー12の光軸が一度、適切に構築されると、光学素子はハウジング46と一定の関係で別個に追加され、能動的に位置調整され、固定されうる。いくつかの実施形態については、光学素子62、78、88、及び90といった2又はそれ以上の光学素子は、サブアセンブリ中に事前接着してもよく、次いでサブアセンブリをハウジング46に能動的に位置調整及び固定してもよい。いくつかの実施形態については、速軸コリメータ62は空気式ピンセットといったピンセットによって把持し、レーザエミッタバー12の出力面14の正面に配置してもよい。レーザエミッタバー12のエミッタ16は次いで励起でき、レーザエミッタバー12の出力ビームはレーザエミッタバー12の光軸に対する速軸コリメータ62の配列の質を判定するためモニタリングしてもよい。第1の減光器116及び第2の減光器118は、レーザエミッタバー12から放射中の波長の光エネルギを反射することによって、ビームの出力を減衰するのに用いられる。第1の濃度フィルタセット124及び第2の濃度フィルタセット132は、第1及び第2のCCDカメラ128及び136によって撮像するのに好適なビーム強度を生成するために、レーザエミッタバー12の出力強度を減ずるのに用いられる。
速軸コリメータ62の配置の質は、第1のレンズ126による出力ビームの空間分布から換算された出力ビームの角度分布を測定することにより評価される。角度分布は第1のCCDカメラ128で測定される。開口部54でのビーム位置は更に、速軸コリメータ62からの出力の光軸の配列を測定するのに用いられうる第2のCCDカメラ136で、ハウジングの開口部54での出力ビームを撮像することによってモニタリングされる。速軸コリメータ62の配列は、第1及び第2のCCDカメラでのビーム位置、ビーム発散度、及び速軸方向におけるエッジの鋭さが所望のレベルになるまで調整され、そうでない場合は最適化される。所望の速軸コリメータ62の配列が一度得られると、速軸コリメータはハウジング46及びレーザエミッタバー12と一定の関係で固定できる。速軸コリメータ62は、速軸コリメータ62の取付け部分がはんだ付け、レーザ溶接を含む溶接、ろう付け、接着結合、又はその他の好適な方法によって光学基板76の取付け部分に接触する状態で固定してもよい。第1及び第2のCCDカメラ128及び136又は他の撮像デバイスの出力信号は、ビデオディスプレイ上で視覚的にモニタリングしてもよく、あるいは、他の好適なディスプレイデバイス及び方法によってモニタリングしてもよい。速軸コリメータはビームコンディショニング光学部品77で事前構成してもよい。ビームコンディショニング光学部品77は更に、光学基板76、あるいはヒートシンクスペーサ70上又はパッケージの底部48上のいずれかにある第2の光学基板(図示せず)に、別個に位置調整及び接着してもよい。
速軸コリメータ62、及び選択的にビームコンディショニング光学部品77が一度固定されると、遅軸コリメータ78は次いで空気式ピンセットといったピンセットによって把持でき、速軸コリメータ62の出力面の正面に、又はモジュール40の光学縦列中のその他の好適な位置に配置できる。レーザエミッタバー12のエミッタ16は次いで励起でき、レーザエミッタバー12の出力ビームは、レーザエミッタバー12の光軸に対する遅軸コリメータ78の配列の質を判定するためにアセンブリ110でモニタリングしてもよい。遅軸コリメータ78の配列の質は、第1のレンズ126による出力ビームの空間分布から換算された出力ビームの角度分布を測定することにより評価される。角度分布は第1のCCDカメラ128で測定される。速軸コリメータ62の配列の質は更に、遅軸コリメータ78からの出力の光軸の配列を測定するのに用いられうる第2のCCDカメラ136で、ハウジングの開口部54での出力ビームを撮像することによって評価される。遅軸コリメータ78の配列は、第1及び第2のCCDカメラでのビーム位置、ビーム発散度、及び遅軸方向におけるエッジの鋭さが所望のレベルになるまで調整され、そうでない場合は最適化される。所望の遅軸コリメータ78の配列が一度得られると、遅軸コリメータ78はハウジング46及びレーザエミッタバー12と一定の関係で固定できる。遅軸コリメータ78は、遅軸コリメータ78の取付け部分がはんだ付け、溶接及びレーザ溶接、ろう付け、接着結合、又はその他の好適な方法によって、ハウジング、あるいは、遅軸コリメータ78とハウジングとの間に配置されるスペーサに接触する状態で固定してもよい。
集束素子88は空気式ピンセットといったピンセットによって把持してもよく、遅軸コリメータ78の出力面の正面に、あるいはモジュール40の光学縦列中のその他の好適な位置に配置してもよい。レーザエミッタバー12のエミッタ16は次いで励起でき、レーザエミッタバー12の出力ビームはレーザエミッタバー12の光軸に対する集束素子88の配列の質を判定するためにアセンブリ110でモニタリングしてもよい。
集束素子88の配列の質は、ハウジング46の開口部54の平面で出力ビームのスポットの大きさ及び位置を測定することによって評価される。スポットの大きさ及び位置は、第2のCCDカメラ136によってモニタリングされ、焦点が開口部54に中心配置されるまで集束素子88の位置が調整される。所望の集束素子88の配列が一度得られると、集束素子88はハウジング46及びレーザエミッタバー12と一定の関係に固定できる。集束素子88は、集束素子88の取付け部分がはんだ付け、レーザ溶接を含む溶接、ろう付け、接着結合、又はその他の好適な方法によってハウジングに接触する状態で固定してもよい。いずれか又は総ての光学素子62、78、88、又は90は能動的に位置調整された各光学部品を硬く接着することによって、ハウジング46と一定の関係に固定してもよい。いくつかの実施形態については、能動的に位置調整された各光学部品は、レーザ溶接又ははんだ付けによって各取付け部位に硬く接着してもよい。
アセンブリ40内部の光学部品が一度、ハウジング46と一定の関係に能動的に位置調整及び固定されると、光ファイバ44及びフェルールのアセンブリ56はハウジング46と一定の関係に位置調整及び固定できる。いくつかの実施形態については、レーザエミッタバー12と光ファイバ44との間の光学的結合が最大になるように、光ファイバ44の入力端42は、レーザエミッタバー12の出力ビームの集束に対し位置調整される。光ファイバ44の入力端42、バレル80、及びフェルールのアセンブリ56のファイバ連結スリーブ83が一度適切に配置されると、フェルールのアセンブリ56のフランジ部分82は、はんだ付け、レーザ溶接を含む溶接、又は上述の構成といった構成における他の好適な方法によってハウジング46と一定の関係で固定できる。更にファイバ連結スリーブ83は、はんだ付け、レーザ溶接を含む溶接、又は上述の構成のような構成中の他の好適な方法によって外側スリーブ80に固定してもよい。フェルール56が一度固定され、及びいくつかの実施形態について、密閉されると、ハウジング46の蓋部50は、はんだ付け、レーザ溶接を含む溶接、又は他の好適な方法によってハウジング46の壁部52の上縁部に固定できる。複数の実施形態については、エポキシ接着といった接着結合はフェルール及び蓋部を固定するのに用いてもよい。
図13及び14は、上述し、取り込まれた米国特許出願第11/747,184号に更に述べられるような、ある実施形態のビームコンディショニング又は変換光学部品77を示す。ビームコンディショニング光学部品はエミッタバー12の各エミッタ素子16からの各出力の、90度のビーム回転のための屈折オフセット式のシリンドリカルレンズアレイ162を含む。いくつかの実施形態の、このような屈折オフセット式のシリンドリカルレンズアレイは、伝達ブロックの対向する平行面に対称的に位置調整される、対角線上に向けられたシリンドリカルレンズ素子178か、あるいはガラス又はシリカといった屈折性の固体で生成されうる基質180を含んでもよい。任意の対向する対称的なシリンドリカルレンズ素子178の組合せが伝達ブロック180の本体内での同一点又はラインで集束するように、伝達ブロック180は調整してもよい。このような構成は、出力ビームの速軸及び遅軸が反転されるように約90度で入射出力ビームを回転させる。別個の出力ビーム16の回転は、速軸と遅軸との間でビーム生成とビーム特性を対称的にするのに有用にでき、輝度を維持する間に後の集束又は密度の出力ビームを促進する。ビーム変換システム162のシリンドリカルレンズ素子178の傾斜又は角度方向は、図13の矢印185によって示されるように、約40度ないし約50度の角度に設定してもよい。90度のビーム回転用の複数の実施形態の屈折オフセット式のシリンドリカルレンズアレイ162は、ドイツ国ドルトムンドのボッケンブルゲヴェーグ4−8にあるLIMO社で作成されたような、製品を含んでもよい。
本明細書中に述べた実施形態のモジュールで用いられうる、ある実施形態の調節可能なフェルールのアセンブリ200は、図15及び16に示される。光ファイバ44は、図5に示されるフェルールのアセンブリ56と同一又は同様の、いくつかの特徴及び材料を有しうる調節可能なフェルールのアセンブリ200の部品に直接的又は間接的に配置又は固定される。フェルールのアセンブリ200は、中心管状バレル80と、バレル80から半径方向に延在するフランジ部分82とを有する外側スリーブを含む。バレル80は、バレル80の第1の端部からバレル80の第2の端部に延在する実質的に同心円状の内腔81を含む。フランジ部分82は、ハウジング46の開口部54に隣接する筐体の壁部52の外面と結合するように構成される扁平な内面又は前面84を含んでもよい。フランジ部分82は更に、開口部54の横方向の外寸より大きな横方向の外寸を有する。突起部分86が開口部54に機械的に係合でき、かつ筐体46と一定の関係でフェルールのアセンブリ200を固定する前に、光ファイバの入力面42の位置調整を可能にするよう横方向に移動できるように、フランジ部分82は更に、浅い円柱状の突起部分86を含んでもよく、その横方向の寸法は開口部54の横方向の寸法未満としてもよい。入力端204を有する円柱状のファイバ連結スリーブ202は、内側穿孔部81とスリーブ202との間で同心性を維持し、相対的な軸移動を可能にするように構成される締りばめとともに、外側スリーブ型バレル80の内側穿孔部81内で軸方向に摺動するように構成される。連結スリーブ202は、スリーブの外面内に同心円状に配置され、かつその長さで延在する、階段状の軸方向のファイバ受容内腔206を有する。光ファイバ44の外面は、圧着、はんだ付け、ろう付け、溶接、又は接着結合等を含む様々な好適な方法によって、連結スリーブ202の軸方向の内腔206内に固定してもよい。
光ファイバ44の入力端42は、いくつかの実施形態については、示されるように、ファイバ連結スリーブ202の入力端204を超えて、かつ外側スリーブ80の内側穿孔部81内に軸方向に固定してもよい。いくつかの実施形態については、光ファイバ44の入力端42は、図15で破線208によって示されるように、フランジ部分82の扁平の前面84と実質的に同延又は同一平面となることが所望されうる。この構成によってフランジ部分82は、溶接処理によってハウジングに対してファイバ44の入力端42の位置の最小の機械的ひずみで、ハウジング46の壁部52にシーム溶接又はレーザシーム溶接できる。この構成は更に、溶接連結法を用いる実施形態について、外側スリーブ80の、ハウジングの壁部52へのレーザシーム溶接中に、異物混入から光ファイバ44の入力端42を保護するように作用しうる。
高エネルギのレーザ光を光ファイバの入力部に結合することに関連する差異の一部は、熱生成及び、ファイバ入力部を取り囲むフェルールのアセンブリの一部に衝突し、かつ混入物を生成するこのような熱過剰なレーザエネルギの散逸を生じさせる光ファイバからの損失と、位置安定性と、光ファイバとフェルールのアセンブリ200の周囲部及びハウジング46のモジュールとの間で良好な封止を維持することとを含む。示された実施形態のフェルールのアセンブリ200は、これらの問題の少なくとも一部のために設けられ、かつ解決するように構成される。特に、ファイバ連結スリーブ202の軸方向の階段状の内腔206は、その長さで延在し、スリーブ202の外面と同心円状になる。軸方向の階段状の内腔206は、スリーブの入力端から近位に延在する、内腔の横方向の寸法の副の部分212を含む。軸方向の内腔は更に、横方向の寸法の副の部分212からスリーブ202の近位端216に延在する、内腔206の横方向の寸法の主の部分214を含む。はんだといった異なる結合材料は、異なる結合材料の性能利益を最大にするように、光ファイバ44の外面と、軸方向の内腔206の各部分の内面との間の空間内に配置してもよい。軸方向の内腔206の階段状の構成は、ファイバ44とフェルールのアセンブリ200との間の結合を更に強固にし、アセンブリ及びアセンブリの製造を促進する。
例えばいくつかの実施形態については、光ファイバ44は、スリーブの軸方向の内腔206の横方向の寸法の主の部分214を実質的に充填する軟質はんだ218と、スリーブの軸方向の内腔の横方向の寸法の副の部分212を実質的に充填する硬質はんだ220とにより、ファイバ連結スリーブ202に固定してもよい。例えば金錫はんだAuSnといった硬質はんだ220は、ファイバ連結スリーブ202の前端部で、高強度、高熱伝導度、及び高反射性を有する接着を提供できる。このような構成は、定位置に確実に光ファイバ44を保持するように作用し、熱を十分に散逸し、フェルールのアセンブリ200、特にファイバ連結スリーブ202の前面204に与えられる、光ファイバ44内に結合されない過剰なレーザ光エネルギを反射する傾向がある。このような硬質はんだ220の使用に対する1の潜在的な弱点は、このような材料の費用である。このような、光ファイバ44の外面とファイバ連結スリーブ202の内面との間の硬質はんだ接着は更に、ファイバ連結スリーブ202の全軸長にわたって延在する場合、所望されない機械的負荷を生成しうる。このように、インジウム銀はんだInAgといった低費用の軟質はんだ218は、横方向の寸法の副の部分212中の硬質はんだの適用後に内腔206を充填するために、軸方向の内腔206の横方向の寸法の主の部分214内に配置してもよい。この構成は、低コストで良好な機械的安定性と熱散逸とを提供しうる。実施形態の硬質はんだと、実施形態の軟質はんだとの間の融点における差異は更に、この充填プロセスを促進する。スリーブ202の前端部での硬質はんだ220は最初に適用して、その後低融点を有する軟質はんだ218を適用してもよい。スリーブ202の近位部分に適用される低融点の軟質はんだ218は更に、上述のそれに隣接するファイバの高分子成分に対する融解又は他の熱関連の損傷を防ぐのに有益になりうる。いくつかの実施形態については、硬質はんだ220と軟質はんだ218との間の境界部は、硬質はんだ220と軟質はんだ218との間で熱伝導を可能にするが、2のはんだ間で混合を防ぐ、円板又は障壁の材料(図示せず)を含んでもよい。
図15及び16に示された実施形態について、軸方向の内腔206の横方向の寸法の副の部分212は、横方向の内寸における、横方向の寸法の主の部分からの段階的な減少と、横方向の内寸における、横方向の寸法の副の部分内での別の段階的な減少とを含む。このような構成は、横方向の寸法の副の部分212内の軸方向の内腔206で、第1又は近位の横方向の寸法の副の部分221と、第2又は遠位の横方向の寸法の副の部分223とを生成する。延在した長さにわたり小さな直径孔を切削することは、いくつかの製造技術で高価になりうるため、軸方向の内腔206内の、この複数の段差の配置は、連結スリーブ202のコストを低くすることに対し有用になりうる。特に、その孔の横方向の内寸の約5倍より大きな長さにわたる軸方向の内腔206の、第2又は遠位の副の横方向の寸法といった、調整された小さな直径孔を生成することは、いくつかの状況においては困難であるか、あるいは高価である。いくつかの実施形態については、横方向の寸法の副の部分212は、いくつかの実施形態で一般的に、約125ミクロンないし約700ミクロンの横方向の内寸又は内径を有してもよい。いくつかの実施形態の連結スリーブ202について、横方向の寸法の副の部分212の、第2又は遠位の副の横方向の寸法は約200ミクロンないし約400ミクロン、特に約250ミクロンないし約350ミクロンの横方向の内寸を有してもよい。いくつかの実施形態については、横方向の寸法の副の部分212の、第1又は近位の主の横方向の寸法は約500ミクロンないし約700ミクロン、特にいくつかの実施形態については約550ミクロンないし約650ミクロンであってもよい。スリーブの軸方向の内腔206の横方向の寸法の主の部分214はその軸長にわたる実質的に一定の直径を有してもよく、約500ミクロンないし約1500ミクロン、特にいくつかの実施形態については約1150ミクロンないし約1250ミクロンの横方向の内寸を有してもよい。横方向の寸法の副の部分212の長さは約1mmないし約2mm、特にいくつかの実施形態については、約1.4mmないし約1.6mmであってもよい。実施形態のファイバ連結スリーブ202は3の異なる横方向の内寸部分を有して示されるが、他の実施形態は、2、4、5個又はそれ以上を含む任意の好適な数の異なる横方向の寸法部分を含んでもよい。
いくつかの実施形態については、ファイバ連結スリーブ202は約5mmないし約15mmの軸長と、約1mmないし約5mm、特に約2mmないし約3mmの横方向の外寸又は外径を有してもよい。いくつかの実施形態については、ファイバ連結スリーブ202は、そこに配置される光ファイバ44に安定した機械的な支持を提供する程度に大きく、かつ、製造及び構築中にはんだ付けならびに他の好適なプロセスでの十分な熱伝達を可能にする程度に薄い壁厚を有することが所望されうる。このようにいくつかの実施形態については、その外面と軸方向の内腔206との間でのファイバ連結スリーブ202の壁厚は、約0.2mmないし約1mm、特に約0.3mmないし約0.5mmであってもよい。ファイバ連結スリーブ202の材料は更に、様々なコーティングを含んでもよい。いくつかの実施形態については、ファイバ連結スリーブは約2ミクロンないし約8ミクロンの厚さを有する、全体的なニッケル又は他の好適な材料の金属コーティングを有してもよい。金又は他の好適な材料の別のコーティングは、約0.1ミクロンないし約2ミクロンの厚さを有する軸方向の内腔206内にのみ配置してもよい。このようなコーティングはいくつかの実施形態については、はんだ及び接着剤等といった結合材料の接着を改善するのに有用になりうる。
熱を散逸し、かつ光ファイバ44とフェルールのアセンブリ200との間で良好なハーメチックシールを維持するのに有用になりうる別の特徴は、図15中の矢印224によって示されるように、ファイバ連結スリーブ202内の光ファイバ44の軸方向部分にわたって配置される金属層222の使用を含む。光ファイバ44の外面上にあるこのような層222は、真空めっき、スパッタリング、又はめっき等といった任意の好適な方法によって蒸着してもよく、ファイバ連結スリーブ202に固定される光ファイバ44のその部分にわたって配置してもよい。このような金属層によってコーティングされない光ファイバ44の曝露部分を残すことは更に所望されうる。いくつかの実施形態については、光ファイバ44の外面は、高エネルギレーザ光がそうでない場合に金属コーティング222と直接的に接触する光ファイバ44の入力端42近傍の、内部に配置されるファイバ連結スリーブ202又は硬質はんだ220から遠位に延在する光ファイバ部分の一部に、金属層を含まない。いくつかの実施形態については、金属コーティング222は約0.1ミクロンないし約2ミクロンの厚さを有する、光ファイバ44の外面上の薄い金コーティングを含んでもよい。金属コーティング222は更に、金、ニッケル、チタン、クロム、ならびに任意の他の好適な材料を含む、1又はそれ以上の中間又は障壁層コーティングの材料を含んでもよい。いくつかの実施形態については、これらのコーティングは、はんだ付け又は最大摂氏約320度の温度に到達する他の結合プロセスと互換的であってもよい。いくつかの実施形態については、表面204で過剰なレーザエネルギ入射の反射を最大にするように、ファイバ連結スリーブ202の入力面204に、このような金属コーティング(図示せず)を含むことは更に有用になりうる。
ファイバ連結スリーブ202の近位端216で、光ファイバ44はフェルールのアセンブリ200の近位にある光ファイバ44の外面を密閉及び保護する、アクリラート性の緩衝材といった高分子緩衝材226によってコーティングされる。いくつかの実施形態については、アクリラート性の緩衝材226は光ファイバ44にわたる均一コーティングにしてもよく、約50ミクロンないし約100ミクロンの壁厚を有してもよい。いくつかの実施形態については、光ファイバ44は更に、光ファイバのガラス又は他の材料より少ない開口部の数を有するシリコン樹脂材料の層でコーティングし、光ファイバとアクリラート性の緩衝材226との間に配置してもよい。アクリラート性の緩衝材226は更に高強度の高分子コーティング228によって覆われてもよく、フェルールのアセンブリ200の近位にある光ファイバ44に更なる強度と保護を提供し、光ファイバ44とフェルールのアセンブリ200との間で接着とひずみ軽減とを促進するコーティングである、Dupont社によって製造されたHytrel(登録商標)といった可塑性ポリエステルエラストマを含んでもよい。ファイバ連結スリーブ202の近位部分あるいは横方向の寸法の主の部分214で軟質はんだ218を用いる別の利益は、摂氏約125度ないし摂氏約175度の低い融解温度によって、いくつかの実施形態については、ファイバ連結スリーブ202の近位にある光ファイバ44の高分子緩衝材226及びコーティング228を融解、又はそうでない場合に損なうことなく、はんだ付けプロセスがフェルールのアセンブリ200の構成中に行われることである。いくつかの実施形態については、高分子コーティング228は約0.2mmないし約0.4mmの壁厚を有し、約A65ないし約A90のショアー硬さを有してもよい。テーパされた円柱状のひずみ軽減部230はファイバ連結スリーブ202に隣接する高分子コーティング228にわたって配置してもよく、更に硬性のファイバ連結スリーブ202と、比較的軟性の高分子コーティング228及びその近位にある緩衝材226との間で円滑な遷移を提供するように、ファイバ連結スリーブ202の近位端216に固定してもよい。柔軟性におけるこのような円滑な遷移は、そうでない場合に光ファイバ44に対する機械的な支持の急激な遷移を生じうる、応力点での光ファイバ44の破損を防ぐのに有用になりうる。ひずみ軽減部230は、室温加硫(RTV)シリコン樹脂等のシリコン樹脂を含む軟性高分子といった任意の好適な材料で生成してもよい。
いくつかの実施形態については、ファイバ44の入力端42は約0.5mmないし約2mmの軸方向距離で、突起86の前端部から内腔81内に引き込まれてもよい。いくつかの実施形態については、外側スリーブの内腔81は約1mmないし約3mmの横方向の内寸又は内径を有してもよい。いくつかの実施形態については、外側スリーブ80、ファイバ連結スリーブ202、又はその双方はKovar(登録商標)、304Lステンレス鋼等のステンレス鋼、及び201ニッケル等のニッケルなどといった材料から生成してもよい。いくつかの実施形態については、外側スリーブ80は、モジュールを密閉して保持するために、レーザシーム溶接中に微細な亀裂を生成しないレーザ溶接用の好適な材料を含んでもよい。いくつかの実施形態については、ファイバ連結スリーブ202、外側スリーブ80、及び外側スリーブの前面84は腐食から未加工の金属を保護するよう構成されるコーティングを含んでもよい。いくつかの実施形態については、このような腐食保護コーティングは電解ニッケルめっき、又はモジュールを密閉して保持するために、レーザシーム溶接中に微細な亀裂を生成しないレーザ溶接に好適なその他のコーティング材料を含んでもよい。いくつかの実施形態については、外側スリーブ80、ファイバ連結スリーブ202、又はその双方は、Arcap(登録商標)といった材料、あるいは、はんだ付け又はエポキシ接着に好適な他の材料から生成してもよい。いくつかの実施形態については、光ファイバ44の入力端42はファイバ連結スリーブ202の入力面204から約0.5mmないし約1mmの距離で延在してもよい。
示された実施形態については、フランジ部分82は外側スリーブ80とハウジング46との間にハーメチックシールを生成するために、その外周部全体を囲むようにハウジング46の壁部52にシーム溶接してもよい。ファイバ連結スリーブ202は更に、外側スリーブ80とファイバ連結スリーブ202との間にハーメチックシールを生成するために、外側スリーブ80の近位部分の外面の外周部全体を囲むようにシーム溶接してもよい。ファイバ44の外面がはんだ付けされる場合、あるいはそうでない場合でファイバ連結スリーブ202の軸方向の内腔に密閉される場合、ファイバ44の外面とハウジング46との間のハーメチックシールは、信頼性のあるシールを生成し、更に装置40の構成中に光ファイバ44の入力端42の半径方向及び軸方向位置の調整を可能にするよう生成してもよい。更に、筐体46の蓋部50は、はんだ付け又はレーザシーム溶接等といったハーメチックシール技術によってハウジング46に更に固定してもよい。このように、ハーメチックシールは全体として光ファイバ44の外面と筐体46の内部空洞との間に形成してもよい。
上の詳細な記載について、本明細書中で用いられる同様の引用番号は、同一又は同様の寸法、材料及び構成を有しうる同様の要素である。特定の形態の実施形態が例示及び記載されてきたが、様々な変更が本発明の実施形態の精神及び範囲から逸脱することなく、なされうることは明らかであろう。従って、本発明は前述の詳細な説明によって限定すべきことを意図していない。
Claims (13)
- 光ファイバの入力面を配置するためのフェルールのアセンブリであって、
内側穿孔部を有するバレル部と、
入力端と、
前記バレル部から半径方向に延在するフランジ部材と、
を有する外側スリーブと、
当該外側スリーブの内側穿孔部で軸方向に摺動するように構成され、外面及び入力端と同心円状の軸方向の内腔を有する、円柱状のファイバ連結スリーブと、
入力端が前記ファイバ連結スリーブの入力端を超えて軸方向に延在した状態で、前記軸方向の内腔に、及び前記外側スリーブの内側穿孔部に固定される光ファイバと、
を具えることを特徴とするフェルールのアセンブリ。 - 請求項1に記載のフェルールのアセンブリにおいて、前記光ファイバの入力端が実質的に、前記フランジ部材と軸方向に同延であることを特徴とするフェルールのアセンブリ。
- 光ファイバの入力面を配置するためのフェルールのアセンブリであって、
内側穿孔部を有するバレル部と、
入力端と、
前記バレル部から半径方向に延在するフランジ部材と、
を有する外側スリーブと、
当該外側スリーブの内側穿孔部で軸方向に摺動するように構成され、
スリーブの入力端から近位に延在する、内腔の横方向の寸法の副の部分と、
当該横方向の寸法の副の部分から前記スリーブの近位端に延在する、内腔の横方向の寸法の主の部分と、
を有し、外面と同心円状の軸方向の階段状の内腔を有する、円柱状のファイバ連結スリーブと、
入力端が前記ファイバ連結スリーブの入力端を超えて遠位に配置された状態で、前記軸方向の内腔に、及び前記外側スリーブの内側穿孔部に同心円状に固定される光ファイバと、
を具えることを特徴とするフェルールのアセンブリ。 - 請求項3に記載のフェルールのアセンブリにおいて、前記光ファイバの入力端が実質的に、前記外側スリーブのフランジ部材の前面と軸方向に同延であることを特徴とするフェルールのアセンブリ。
- 請求項3に記載のフェルールのアセンブリにおいて、前記光ファイバが、
前記スリーブの軸方向の内腔の、前記横方向の寸法の主の部分で軟質はんだによって、及び、
前記スリーブの軸方向の内腔の、前記横方向の寸法の副の部分で硬質はんだによって、
前記ファイバ連結スリーブに固定されることを特徴とするフェルールのアセンブリ。 - 請求項5に記載のフェルールのアセンブリにおいて、前記軟質はんだがインジウム銀はんだを含むことを特徴とするフェルールのアセンブリ。
- 請求項5に記載のフェルールのアセンブリにおいて、前記硬質はんだが金錫はんだを含むことを特徴とするフェルールのアセンブリ。
- 請求項3に記載のフェルールのアセンブリにおいて、前記スリーブの軸方向の内腔の、前記横方向の寸法の副の部分が、約125ミクロンないし約700ミクロンの横方向の寸法を有することを特徴とするフェルールのアセンブリ。
- 請求項3に記載のフェルールのアセンブリにおいて、前記スリーブの軸方向の内腔の、前記横方向の寸法の主の部分が、約500ミクロンないし約1500ミクロンの横方向の寸法を有することを特徴とするフェルールのアセンブリ。
- 請求項3に記載のフェルールのアセンブリにおいて、前記光ファイバの外面が、前記ファイバ連結スリーブ内で前記光ファイバの軸方向部分にわたって配置される金属層を更に具えることを特徴とするフェルールのアセンブリ。
- 請求項10に記載のフェルールのアセンブリにおいて、前記光ファイバの外面が、前記ファイバ連結スリーブから遠位に延在する一部の光ファイバ上に金属層を有しないことを特徴とするフェルールのアセンブリ。
- 請求項3に記載のフェルールのアセンブリにおいて、前記ファイバ連結スリーブが約5mmないし約15mmの軸長を有することを特徴とするフェルールのアセンブリ。
- 請求項3に記載のフェルールのアセンブリにおいて、前記ファイバ連結スリーブの前面入力面が金めっきを含むことを特徴とするフェルールのアセンブリ。
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Cited By (2)
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WO2016063436A1 (ja) * | 2014-10-22 | 2016-04-28 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | レーザモジュール |
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Families Citing this family (60)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7830608B2 (en) * | 2006-05-20 | 2010-11-09 | Oclaro Photonics, Inc. | Multiple emitter coupling devices and methods with beam transform system |
US20070268572A1 (en) * | 2006-05-20 | 2007-11-22 | Newport Corporation | Multiple emitter coupling devices and methods with beam transform system |
US7680170B2 (en) * | 2006-06-15 | 2010-03-16 | Oclaro Photonics, Inc. | Coupling devices and methods for stacked laser emitter arrays |
US7866897B2 (en) * | 2006-10-06 | 2011-01-11 | Oclaro Photonics, Inc. | Apparatus and method of coupling a fiber optic device to a laser |
EP2232656A4 (en) | 2007-12-17 | 2014-04-16 | Ii Vi Laser Entpr Gmbh | LASER MASTER MODULES AND ASSEMBLY METHOD |
US8804246B2 (en) | 2008-05-08 | 2014-08-12 | Ii-Vi Laser Enterprise Gmbh | High brightness diode output methods and devices |
JP5740654B2 (ja) | 2010-01-22 | 2015-06-24 | トゥー−シックス レイザー エンタープライズ ゲーエムベーハー | 遠視野ファイバ結合放射の均質化 |
WO2011119667A2 (en) * | 2010-03-23 | 2011-09-29 | Molex Incorporated | Embedded optical fiber termination device |
US8644357B2 (en) | 2011-01-11 | 2014-02-04 | Ii-Vi Incorporated | High reliability laser emitter modules |
EP2479594A1 (en) | 2011-01-21 | 2012-07-25 | Oclaro Technology Limited | Robust pigtail system for high power laser modules |
CN102170087B (zh) * | 2011-03-30 | 2014-06-04 | 中国电子科技集团公司第四十五研究所 | 一种管座夹具 |
CN102170088B (zh) * | 2011-04-01 | 2014-11-26 | 中国电子科技集团公司第四十五研究所 | 一种管座定位夹紧装置 |
US20130051024A1 (en) * | 2011-08-31 | 2013-02-28 | Moshe Amit | Optical Transmitter Assembly, Optical Transceivers Including the Same, and Methods of Making and Using Such Optical Transmitter Assemblies and Optical Transceivers |
US8518814B2 (en) | 2011-12-02 | 2013-08-27 | Northrop Grumman Systems Corporation | Methods of fabrication of high-density laser diode stacks |
US20130208349A1 (en) * | 2012-02-10 | 2013-08-15 | David Balsley | Laser feedback damage mitigation assembly and apparatus |
US20130215924A1 (en) * | 2012-02-16 | 2013-08-22 | John McKenna Brennan | Non-hermetic, multi-emitter laser pump packages and methods for forming the same |
EP2642619B1 (de) * | 2012-03-21 | 2014-05-14 | Trumpf Laser Marking Systems AG | Laserresonatoranordnung mit lasergeschweißten optischen Komponenten |
JP6135840B2 (ja) * | 2012-09-06 | 2017-05-31 | 株式会社島津製作所 | レーザ装置及びレーザ装置の製造方法 |
JP5868335B2 (ja) * | 2013-01-15 | 2016-02-24 | 三菱電機株式会社 | 調芯方法 |
US8824519B1 (en) * | 2013-03-01 | 2014-09-02 | Princeton Optronics Inc. | VCSEL pumped fiber optic gain systems |
GB2513123B (en) * | 2013-04-15 | 2015-12-02 | Lumenis Ltd | Adaptor |
JP2014231796A (ja) * | 2013-05-29 | 2014-12-11 | 日本電産サンキョー株式会社 | ポンプ |
JP6358531B2 (ja) * | 2014-03-04 | 2018-07-18 | 株式会社Soken | レーザ点火装置 |
CN104330859B (zh) * | 2014-03-20 | 2018-04-20 | 中航光电科技股份有限公司 | 线缆连接结构及使用该线缆连接结构的光端机 |
CN103840367A (zh) * | 2014-03-26 | 2014-06-04 | 无锡亮源激光技术有限公司 | 一种小功率半导体激光器 |
CN106134018A (zh) * | 2014-03-31 | 2016-11-16 | Ipg光子公司 | 高功率激光二极管封装方法和激光二极管模块 |
US10431955B2 (en) * | 2014-04-25 | 2019-10-01 | Lmd Power Of Light Corp | Laser core having conductive mass electrical connection |
CN110676679B (zh) | 2014-07-04 | 2022-08-09 | 古河电气工业株式会社 | 光纤激光装置 |
US9768361B2 (en) * | 2014-07-23 | 2017-09-19 | Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. | Light emitter and light detector modules including vertical alignment features |
CN104966986A (zh) * | 2015-06-30 | 2015-10-07 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 激光器阵列装配指向性测试系统 |
EP3121630B1 (en) * | 2015-07-21 | 2023-04-05 | Tyco Electronics Svenska Holdings AB | Optoelectronic module with improved heat management |
US10126558B2 (en) * | 2016-01-11 | 2018-11-13 | Ut-Battelle, Llc | Stable, narrow spectral linewidth, fiber-delivered laser source for spin exchange optical pumping |
CN105470806B (zh) * | 2016-01-20 | 2018-06-08 | 福建中科晶创光电科技有限公司 | 一种提高微型全固态激光器稳定性的装配方法 |
US11272983B2 (en) * | 2016-02-03 | 2022-03-15 | Cyclone Biosciences, Llc | Process and system for reducing laser damage to surgical instruments |
NL2017599B1 (en) * | 2016-10-10 | 2018-04-16 | Rijk Zwaan Zaadteelt En Zaadhandel Bv | Method and system for picking up and collecting plant matter |
CN108169989A (zh) * | 2016-12-07 | 2018-06-15 | 深圳市光峰光电技术有限公司 | 密封结构的光学模组及投影设备 |
JP6814887B2 (ja) | 2016-12-23 | 2021-01-20 | エヌライト,インコーポレーテッド | 低コスト光ポンプレーザパッケージ |
CN106848830B (zh) * | 2017-01-05 | 2023-08-29 | 无锡亮源激光技术有限公司 | 小型风冷一字线激光系统 |
CN107706736A (zh) * | 2017-10-23 | 2018-02-16 | 深圳市杰普特光电股份有限公司 | 半导体激光器快轴准直设备 |
JP6636062B2 (ja) * | 2018-01-11 | 2020-01-29 | 三菱電機株式会社 | レーザ合成光学装置 |
US10998689B2 (en) * | 2018-01-19 | 2021-05-04 | Shailendhar Saraf | Systems, apparatus, and methods for producing ultra stable, single-frequency, single-transverse-mode coherent light in solid-state lasers |
CN111919352B (zh) | 2018-02-06 | 2024-04-26 | 恩耐公司 | 具有fac透镜面外波束转向的二极管激光设备 |
WO2019160065A1 (ja) * | 2018-02-14 | 2019-08-22 | 古河電気工業株式会社 | 蓋部および半導体レーザモジュール |
WO2019160038A1 (ja) * | 2018-02-14 | 2019-08-22 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザモジュール |
CN108490572B (zh) * | 2018-03-12 | 2021-04-23 | Oppo广东移动通信有限公司 | 激光投射模组、深度相机及电子装置 |
JP6967480B2 (ja) * | 2018-03-30 | 2021-11-17 | パナソニック デバイスSunx株式会社 | レーザ発振器ユニット、レーザ加工装置 |
CN108871232A (zh) * | 2018-07-27 | 2018-11-23 | 航天智造(上海)科技有限责任公司 | 一种激光轮廓检测装置 |
US10969551B2 (en) * | 2019-01-16 | 2021-04-06 | Te Connectivity Corporation | Sheathed optical ribbon cable assembly |
JP2020145327A (ja) * | 2019-03-07 | 2020-09-10 | 株式会社島津製作所 | 半導体レーザモジュール及びその装置 |
US11536911B2 (en) | 2019-11-08 | 2022-12-27 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Ferrule, optical connector, optical communication element, communications device, and preparation method |
CN115657219A (zh) * | 2019-11-08 | 2023-01-31 | 华为技术有限公司 | 一种插芯、光连接器、光通信元件、通信设备及制备方法 |
CN110764203A (zh) * | 2019-12-10 | 2020-02-07 | 武汉优信技术股份有限公司 | 一种光器件用激光器固定封装结构及其制造方法 |
CN110875574A (zh) * | 2020-01-17 | 2020-03-10 | 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 | 一种紧凑型边发射tof封装结构及制作方法 |
CN113410750B (zh) * | 2020-03-17 | 2022-07-12 | 潍坊华光光电子有限公司 | 一种双光束半导体激光器及制作方法 |
CN111367032A (zh) * | 2020-06-01 | 2020-07-03 | 苏州长光华芯光电技术有限公司 | 一种光纤耦合装置和激光耦合设备 |
CN111399138A (zh) * | 2020-06-05 | 2020-07-10 | 苏州长光华芯光电技术有限公司 | 一种光纤耦合散热结构及光纤输入头 |
CN113972555A (zh) * | 2020-07-23 | 2022-01-25 | 山东华光光电子股份有限公司 | 一种半导体激光器叠阵的光学处理方法 |
CN112171606B (zh) * | 2020-09-22 | 2022-08-23 | 哈尔滨工业大学 | 一种机器人关节的fbg光纤集成辅助钳位平台及装配方法 |
DE102022103260A1 (de) | 2022-02-11 | 2023-08-17 | Ams-Osram International Gmbh | Laserbauelement |
CN115173219B (zh) * | 2022-08-15 | 2024-04-12 | 北京工业大学 | 一种高亮度半导体激光模块 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01309011A (ja) * | 1989-03-18 | 1989-12-13 | Hitachi Cable Ltd | 光コネクタの製造方法 |
JPH0961669A (ja) * | 1995-08-23 | 1997-03-07 | Miyachi Technos Corp | 光ファイバコネクタ |
JPH11223746A (ja) * | 1998-02-09 | 1999-08-17 | Nec Corp | 光モジュール用結合装置とその製造方法及びこの装置と一体にした光半導体モジュール |
JP2001091784A (ja) * | 1999-09-20 | 2001-04-06 | Kyocera Corp | 光ファイバ固定具 |
JP2001133657A (ja) * | 1999-11-04 | 2001-05-18 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光ファイバ用フェルールの気密構造 |
JP2001318244A (ja) * | 2000-03-03 | 2001-11-16 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ファイバ端面への成膜方法及び膜付光ファイバ |
JP2002214478A (ja) * | 2001-01-18 | 2002-07-31 | Kyocera Corp | 光ファイバ用フェルール及びその加工方法及びそれを用いた光ファイバ端末 |
JP2002365473A (ja) * | 2001-06-11 | 2002-12-18 | Totoku Electric Co Ltd | フェルールアセンブリ |
JP2003107281A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Kyocera Corp | 光ファイバ固定具 |
JP2003222756A (ja) * | 2002-01-29 | 2003-08-08 | Kyocera Corp | 光ファイバ固定具とその製造方法及びそれを用いた光半導体モジュール |
JP2006184337A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-13 | Kyocera Corp | 光ファイバ固定具及びそれを用いた光コネクタ |
JP2006337520A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Yonezawa Densen Kk | 光ファイバ付きフェルールの製造方法 |
Family Cites Families (141)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4428647A (en) * | 1982-11-04 | 1984-01-31 | Xerox Corporation | Multi-beam optical system using lens array |
US4763975A (en) * | 1987-04-28 | 1988-08-16 | Spectra Diode Laboratories, Inc. | Optical system with bright light output |
US4910539A (en) | 1988-12-27 | 1990-03-20 | General Dynamics Corporation, Electronics Division | RF frequency fiber optic power coupling device |
US5203969A (en) * | 1989-02-25 | 1993-04-20 | Gkss-Forschungszentrum Geesthacht Gmbh | Method of separating and recovering components of mixtures via pervaporization |
US5333077A (en) * | 1989-10-31 | 1994-07-26 | Massachusetts Inst Technology | Method and apparatus for efficient concentration of light from laser diode arrays |
US5230969A (en) | 1990-08-09 | 1993-07-27 | Physical Optics Corporation | Composite graft optical polymer |
US5144486A (en) * | 1990-10-01 | 1992-09-01 | Spectra-Physics Laserplane, Inc. | Laser beam apparatus for providing multiple reference beams |
US5049981A (en) | 1990-10-19 | 1991-09-17 | At&T Bell Laboratories | Heat sink for electronic circitry |
CH682698A5 (de) * | 1990-11-01 | 1993-10-29 | Fisba Optik Ag Bystronic Laser | Verfahren, bei dem mehrere, in einer oder mehreren Reihen angeordnete Strahlungsquellen abgebildet werden und Vorrichtung hierzu. |
JP3122173B2 (ja) | 1990-11-09 | 2001-01-09 | 株式会社東芝 | 放熱器、放熱装置および放熱器の製造方法 |
US5127068A (en) * | 1990-11-16 | 1992-06-30 | Spectra-Physics, Inc. | Apparatus for coupling a multiple emitter laser diode to a multimode optical fiber |
US5579422A (en) * | 1990-11-16 | 1996-11-26 | Spectra-Physics Lasers, Inc. | Apparatus for coupling a multiple emitter laser diode to a multimode optical fiber |
US5168401A (en) * | 1991-05-07 | 1992-12-01 | Spectra Diode Laboratories, Inc. | Brightness conserving optical system for modifying beam symmetry |
JPH054112U (ja) * | 1991-07-01 | 1993-01-22 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザモジユール |
US5691989A (en) * | 1991-07-26 | 1997-11-25 | Accuwave Corporation | Wavelength stabilized laser sources using feedback from volume holograms |
US5365366A (en) * | 1993-04-29 | 1994-11-15 | Spectra-Physics Lasers, Inc. | Synchronously pumped sub-picosecond optical parametric oscillator |
US5513201A (en) * | 1993-04-30 | 1996-04-30 | Nippon Steel Corporation | Optical path rotating device used with linear array laser diode and laser apparatus applied therewith |
US5367529A (en) * | 1993-06-15 | 1994-11-22 | Spectra-Physics Lasers, Inc. | Apparatus and method for improved time synchronization of pulsed laser systems |
GB9324589D0 (en) * | 1993-11-30 | 1994-01-19 | Univ Southampton | Beam shaping device |
US5446749A (en) * | 1994-02-04 | 1995-08-29 | Spectra-Physics Lasers Inc. | Diode pumped, multi axial mode, intracavity doubled laser |
US5740288A (en) * | 1995-02-22 | 1998-04-14 | E-Tek Dynamics, Inc. | Variable polarization beam splitter, combiner and mixer |
DE19511593C2 (de) * | 1995-03-29 | 1997-02-13 | Siemens Ag | Mikrooptische Vorrichtung |
DE19514626C2 (de) * | 1995-04-26 | 1997-03-06 | Fraunhofer Ges Forschung | Anordnung zur Formung des geometrischen Querschnitts eines Strahlungsfeldes eines oder mehrerer Festkörper- und/oder Halbleiterlaser(s) |
US6931037B2 (en) * | 1995-05-19 | 2005-08-16 | Spectra Physics Lasers, Inc. | Diode pumped, multi axial mode intracavity doubled laser |
US5999544A (en) * | 1995-08-18 | 1999-12-07 | Spectra-Physics Lasers, Inc. | Diode pumped, fiber coupled laser with depolarized pump beam |
KR0171374B1 (ko) * | 1995-11-17 | 1999-05-01 | 양승택 | 광집속렌즈를 포함하는 레이저 모듈 및 그 렌즈 고정방법 |
US6922419B1 (en) * | 1996-04-10 | 2005-07-26 | Spectra Physics Lasers, Inc. | Long pulse vanadate laser |
US5832150A (en) * | 1996-07-08 | 1998-11-03 | Laser Power Corporation | Side injection fiber optic coupler |
JPH1051065A (ja) | 1996-08-02 | 1998-02-20 | Matsushita Electron Corp | 半導体レーザ装置 |
US5740292A (en) * | 1996-09-12 | 1998-04-14 | Lucent Technologies Inc. | Mode coupling optical waveguide grating |
US6331692B1 (en) * | 1996-10-12 | 2001-12-18 | Volker Krause | Diode laser, laser optics, device for laser treatment of a workpiece, process for a laser treatment of workpiece |
US5848083A (en) | 1996-10-24 | 1998-12-08 | Sdl, Inc. | Expansion-matched high-thermal-conductivity stress-relieved mounting modules |
FR2756972B1 (fr) | 1996-12-10 | 1999-03-05 | France Telecom | Procede de relaxation de film contraint par fusion de couche interfaciale |
KR100317452B1 (ko) * | 1996-12-31 | 2002-02-19 | 이정태 | 궤환구조형이종펌핑광섬유증폭기 |
CN1189000A (zh) * | 1997-01-09 | 1998-07-29 | 日本电气株式会社 | 半导体激光组件 |
US5986794A (en) * | 1997-02-01 | 1999-11-16 | Laserline Gesellschaft Fur Entwicklung Und Vertrieb Von Diodenlasern Mbh | Laser optics and diode laser |
JP3206536B2 (ja) * | 1997-02-21 | 2001-09-10 | 住友電気工業株式会社 | 半導体レーザモジュール |
US6384896B1 (en) * | 1997-10-02 | 2002-05-07 | Unisia Jecs Corporation | Microfilm search device |
US6044096A (en) * | 1997-11-03 | 2000-03-28 | Sdl, Inc. | Packaged laser diode array system and method with reduced asymmetry |
DE19800590B4 (de) * | 1998-01-09 | 2005-12-01 | Jenoptik Ag | Optische Anordnung zur Symmetrierung der Strahlung eines oder mehrerer übereinander angeordneter Hochleistungsdiodenlaser |
US6448801B2 (en) | 1998-06-05 | 2002-09-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and device for supporting flip chip circuitry in analysis |
US6314116B1 (en) * | 1998-07-07 | 2001-11-06 | Spectra Physics Lasers, Inc. | Single resonator for simultaneous multiple single-frequency wavelengths |
DE19839902C1 (de) * | 1998-09-02 | 2000-05-25 | Laserline Ges Fuer Entwicklung | Optische Anordnung zur Verwendung bei einer Laserdiodenanordnung sowie Diodenlaser |
US6215598B1 (en) * | 1998-10-05 | 2001-04-10 | Ruey Jennifer Hwu | Apparatus and method for concentrating beams from broad area diode lasers, diode laser bars and/ or diode laser arrays |
US6356380B1 (en) * | 1998-11-04 | 2002-03-12 | Barco Graphics Nv | Apparatus for imaging light from multifaceted laser diodes onto a multichannel spatial light modulator |
US6185235B1 (en) * | 1998-11-24 | 2001-02-06 | Spectra-Physics Lasers, Inc. | Lasers with low doped gain medium |
JP3982932B2 (ja) * | 1998-12-11 | 2007-09-26 | 株式会社沖データ | Ledアレイヘッド |
JP2000252559A (ja) * | 1999-03-01 | 2000-09-14 | Nec Corp | ダブルクラッドファイバおよび光ファイバアンプ |
US6428217B1 (en) | 1999-04-07 | 2002-08-06 | Jds Uniphase Corporation | Apparatus and method for encapsulation of an optical fiber splice |
US6236779B1 (en) * | 1999-05-24 | 2001-05-22 | Spectra Physics Lasers, Inc. | Photonic crystal fiber system for sub-picosecond pulses |
US6822978B2 (en) * | 1999-05-27 | 2004-11-23 | Spectra Physics, Inc. | Remote UV laser system and methods of use |
US6356577B1 (en) * | 1999-07-15 | 2002-03-12 | Silicon Light Machines | Method and apparatus for combining light output from multiple laser diode bars |
JP3681581B2 (ja) | 1999-07-30 | 2005-08-10 | ファナック株式会社 | 冷却装置とそれを備えた面発光装置 |
DE19939750C2 (de) * | 1999-08-21 | 2001-08-23 | Laserline Ges Fuer Entwicklung | Optische Anordnung zur Verwendung bei einer Laserdiodenanordnung sowie Laserdiodenanordnung mit einer solchen optischen Anordnung |
JP2001083369A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-03-30 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光ファイバ用フェルールおよびそれを用いた半導体レーザモジュール |
CA2284946A1 (en) * | 1999-10-04 | 2001-04-04 | Institut National D'optique | Laser diode array assembly made from a ridged monolithic substrate |
US6999769B1 (en) * | 1999-12-08 | 2006-02-14 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method for in-progress telephone call transfer between a wireless telephone and a wired telephone using a short-range communication control link |
EP1279282B1 (en) * | 2000-04-18 | 2015-06-10 | Imax Corporation | Methods and systems for low loss separation and combination of light |
JP2001343561A (ja) | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Kyocera Corp | 光モジュール |
US7068882B2 (en) | 2000-07-04 | 2006-06-27 | Namiki Seimitsu Houseki Kabushiki Kaisha | Optical fiber microlens, optical fiber and method of positioning optical fiber |
JP2002076522A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-03-15 | Nec Corp | 窒化物半導体レーザ |
US6709169B2 (en) * | 2000-09-28 | 2004-03-23 | Powernetix, Inc. | Thermally and mechanically stable low-cost high thermal conductivity structure for single-mode fiber coupling to laser diode |
JP4629843B2 (ja) * | 2000-09-29 | 2011-02-09 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザモジュール及びその製造方法並びにシステム |
FR2815138B1 (fr) | 2000-10-05 | 2003-01-31 | Cit Alcatel | Structure interne a faible contrainte pour boitier optoelectrique |
JP4407039B2 (ja) * | 2000-11-02 | 2010-02-03 | 三菱電機株式会社 | 固体レーザ装置および固体レーザ装置システム |
US6493148B1 (en) * | 2000-11-08 | 2002-12-10 | Opto Power Corporation | Increasing laser beam power density |
US6516011B1 (en) * | 2000-11-08 | 2003-02-04 | Opto-Power Corp. | Focusing multiple laser beams |
JP2002148491A (ja) | 2000-11-14 | 2002-05-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ加工装置及びその調整方法 |
DE10102592A1 (de) | 2001-01-20 | 2002-07-25 | Deutsche Telekom Ag | Optik zur Einkopplung von Licht aus einer Lichtquelle in ein Medium |
JP3857881B2 (ja) | 2001-01-31 | 2006-12-13 | 古河電気工業株式会社 | ラマン光増幅用励起光源装置およびそれを用いたラマン光増幅システム |
US20020172475A1 (en) | 2001-02-20 | 2002-11-21 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Ferrule holder and method of making semiconductor laser module |
JP2003198051A (ja) | 2001-03-02 | 2003-07-11 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ装置および半導体レーザモジュール |
CN1498352A (zh) * | 2001-03-26 | 2004-05-19 | 浜松光子学株式会社 | 半导体激光装置 |
DE10117020C2 (de) * | 2001-04-05 | 2003-05-08 | Unique M O D E Ag | Optisches oder optoelektronisches Modul |
US6792008B2 (en) | 2001-04-30 | 2004-09-14 | Jds Uniphase Corporation | Tracking error suppression and method of reducing tracking error |
JP2004006439A (ja) * | 2001-07-02 | 2004-01-08 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザモジュール及びその製造方法 |
JP4844997B2 (ja) * | 2001-08-29 | 2011-12-28 | 古河電気工業株式会社 | レーザモジュール |
US6600605B1 (en) * | 2001-09-28 | 2003-07-29 | Spectra-Physics Semiconductor Lasers, Inc. | Diode beam transformation |
US7295783B2 (en) * | 2001-10-09 | 2007-11-13 | Infinera Corporation | Digital optical network architecture |
JP2003131083A (ja) | 2001-10-25 | 2003-05-08 | Kyocera Corp | 双方向光モジュール |
US6831778B2 (en) * | 2001-12-26 | 2004-12-14 | Wuhan Research I.O.P. And Telecom | Hybrid component and method for combining two pumping lights and depolarizing them simultaneously and optical amplifier therefor |
US6882664B2 (en) * | 2002-02-28 | 2005-04-19 | Lucent Technologies Inc. | Laser with internally coupled pump source |
JP3925791B2 (ja) * | 2002-03-08 | 2007-06-06 | リコープリンティングシステムズ株式会社 | 印刷装置 |
JP2003303751A (ja) * | 2002-04-05 | 2003-10-24 | Canon Inc | 投影光学系、該投影光学系を有する露光装置及び方法 |
US6876784B2 (en) * | 2002-05-30 | 2005-04-05 | Nanoopto Corporation | Optical polarization beam combiner/splitter |
JP2004022679A (ja) * | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザモジュール |
US6891876B2 (en) * | 2002-08-30 | 2005-05-10 | Spectra Physics, Inc. | Method and apparatus for polarization and wavelength insensitive pumping of solid state lasers |
US7244965B2 (en) * | 2002-09-04 | 2007-07-17 | Cree Inc, | Power surface mount light emitting die package |
AU2003274969A1 (en) * | 2002-09-12 | 2004-04-30 | Visotek, Inc. | Contact lens package and storage case, holder, and system and method of making and using |
US7010194B2 (en) * | 2002-10-07 | 2006-03-07 | Coherent, Inc. | Method and apparatus for coupling radiation from a stack of diode-laser bars into a single-core optical fiber |
US6763054B2 (en) * | 2002-11-19 | 2004-07-13 | The Boeing Company | Optical system for improving the brightness of a stack of lensed diode lasers |
AU2003295719A1 (en) * | 2002-11-20 | 2004-06-15 | Mems Optical, Inc. | Laser diode bar integrator/reimager |
US6898231B2 (en) | 2002-11-21 | 2005-05-24 | Coherent, Inc. | Off-peak optical pumping of yttrium orthovanadate |
US6897486B2 (en) * | 2002-12-06 | 2005-05-24 | Ban P. Loh | LED package die having a small footprint |
JP4153438B2 (ja) * | 2003-01-30 | 2008-09-24 | 富士フイルム株式会社 | レーザ光合波方法および装置 |
US20040184753A1 (en) * | 2003-01-31 | 2004-09-23 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Fiber module in which optical fiber coated with metal or inorganic material is fixed to sealable package so that an end of the optical fiber appears inside the package |
KR20040070094A (ko) * | 2003-01-31 | 2004-08-06 | 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 | 레이저 모듈 |
CN1759337A (zh) * | 2003-03-07 | 2006-04-12 | 松下电器产业株式会社 | 光模块及光发送接收装置 |
DE60304564T3 (de) * | 2003-05-30 | 2011-05-05 | Lumera Laser Gmbh | Verbessertes optisches Pumpen von Materialien mit polarisationsabhängiger Absorption |
US7006549B2 (en) * | 2003-06-11 | 2006-02-28 | Coherent, Inc. | Apparatus for reducing spacing of beams delivered by stacked diode-laser bars |
US6993059B2 (en) * | 2003-06-11 | 2006-01-31 | Coherent, Inc. | Apparatus for reducing spacing of beams delivered by stacked diode-laser bars |
US6768593B1 (en) * | 2003-06-24 | 2004-07-27 | Suganda Jutamulia | Fiber-coupled laser diode having high coupling-efficiency and low feedback-noise |
EP1649564A4 (en) * | 2003-07-03 | 2007-09-05 | Pd Ld Inc | USE OF VOLUME BRAGG GRIDS FOR THE PREPARATION OF LASER EMISSION SCALE SIZES |
JP2005107319A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Toshiba Corp | 光モジュール、光ファイバレーザ装置、映像表示装置 |
US7088883B2 (en) * | 2003-09-30 | 2006-08-08 | Textron Systems Corporation | Beam combination using interleaved optical plates |
JP4690646B2 (ja) | 2003-12-04 | 2011-06-01 | 古河電気工業株式会社 | 温度調節器を有する光学装置およびレーザモジュール |
US7372879B2 (en) | 2003-12-05 | 2008-05-13 | Finisar Corporation | Wavelength locker using modulator current and photodetector |
US7322754B2 (en) | 2004-02-11 | 2008-01-29 | Jds Uniphase Corporation | Compact optical sub-assembly |
US7212553B2 (en) * | 2004-03-16 | 2007-05-01 | Coherent, Inc. | Wavelength stabilized diode-laser array |
US20050248819A1 (en) * | 2004-03-26 | 2005-11-10 | Art Hymel | Wavelength stabilized lasers with feedback from multiplexed volume holograms feedback |
US20050248820A1 (en) * | 2004-03-31 | 2005-11-10 | Christophe Moser | System and methods for spectral beam combining of lasers using volume holograms |
US7549460B2 (en) | 2004-04-02 | 2009-06-23 | Adaptivenergy, Llc | Thermal transfer devices with fluid-porous thermally conductive core |
JP2006066875A (ja) * | 2004-07-26 | 2006-03-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | レーザモジュール |
US7251259B2 (en) * | 2004-08-17 | 2007-07-31 | Coherent, Inc. | Wavelength locked fiber-coupled diode-laser bar |
US7251260B2 (en) * | 2004-08-24 | 2007-07-31 | Coherent, Inc. | Wavelength-locked fiber-coupled diode-laser bar |
WO2006055876A2 (en) * | 2004-11-17 | 2006-05-26 | Ondax, Inc. | Spectral control of laser diode bars and stacks |
DE102004060761A1 (de) * | 2004-12-15 | 2006-07-06 | Reinhardt Thyzel | Kupplungsvorrichtung für einen Lichtleiter |
JP2006171348A (ja) * | 2004-12-15 | 2006-06-29 | Nippon Steel Corp | 半導体レーザ装置 |
DE102004062849A1 (de) * | 2004-12-27 | 2006-07-06 | Carl Baasel Lasertechnik Gmbh & Co. Kg | Laseraktive optische Faser für einen Faserlaser oder einen faseroptischen Verstärker |
US7355800B2 (en) | 2005-02-07 | 2008-04-08 | Coherent, Inc. | Apparatus for projecting a line of light from a diode-laser array |
US20060280209A1 (en) * | 2005-02-11 | 2006-12-14 | Hans-Georg Treusch | Beam combining methods and devices with high output intensity |
WO2006133238A2 (en) * | 2005-06-07 | 2006-12-14 | Kigre, Inc. | Method for cooling semiconductor laser diodes and light emitting diodes |
US7391561B2 (en) | 2005-07-29 | 2008-06-24 | Aculight Corporation | Fiber- or rod-based optical source featuring a large-core, rare-earth-doped photonic-crystal device for generation of high-power pulsed radiation and method |
JP4976005B2 (ja) | 2005-11-28 | 2012-07-18 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザモジュール |
US7881355B2 (en) * | 2005-12-15 | 2011-02-01 | Mind Melters, Inc. | System and method for generating intense laser light from laser diode arrays |
JP2007300015A (ja) | 2006-05-02 | 2007-11-15 | Sony Corp | 光学装置 |
US20070263684A1 (en) | 2006-05-09 | 2007-11-15 | Nolan John F | Method and system for cooling and pressurizing an imaging head |
US20070268572A1 (en) * | 2006-05-20 | 2007-11-22 | Newport Corporation | Multiple emitter coupling devices and methods with beam transform system |
US7830608B2 (en) * | 2006-05-20 | 2010-11-09 | Oclaro Photonics, Inc. | Multiple emitter coupling devices and methods with beam transform system |
US20070291373A1 (en) * | 2006-06-15 | 2007-12-20 | Newport Corporation | Coupling devices and methods for laser emitters |
US7680170B2 (en) * | 2006-06-15 | 2010-03-16 | Oclaro Photonics, Inc. | Coupling devices and methods for stacked laser emitter arrays |
US20080008216A1 (en) | 2006-07-07 | 2008-01-10 | Newport Corporation | Laser device including heat sink with insert to provide a tailored coefficient of thermal expansion |
US20080008217A1 (en) | 2006-07-07 | 2008-01-10 | Newport Corporation | Laser device including heat sink with a tailored coefficient of thermal expansion |
US7866897B2 (en) | 2006-10-06 | 2011-01-11 | Oclaro Photonics, Inc. | Apparatus and method of coupling a fiber optic device to a laser |
JP2008276008A (ja) | 2007-05-01 | 2008-11-13 | Fujifilm Corp | 光デバイス及び露光装置 |
DE602007011610D1 (de) * | 2007-09-14 | 2011-02-10 | Punch Graphix Int Nv | Lichtemittierendes Array zum Drucken oder Kopieren |
US8320419B2 (en) | 2007-09-20 | 2012-11-27 | Oclaro Technology Limited | High power semiconductor laser diodes |
WO2009037555A2 (en) | 2007-09-20 | 2009-03-26 | Bookham Technology Plc | High power semiconductor laser diodes |
EP2232656A4 (en) | 2007-12-17 | 2014-04-16 | Ii Vi Laser Entpr Gmbh | LASER MASTER MODULES AND ASSEMBLY METHOD |
US20100177796A1 (en) | 2009-01-09 | 2010-07-15 | Newport Corporation | Laser device and heat sink with core to manage stress due to thermal expansion |
US8644357B2 (en) | 2011-01-11 | 2014-02-04 | Ii-Vi Incorporated | High reliability laser emitter modules |
-
2008
- 2008-12-17 EP EP08862579.3A patent/EP2232656A4/en not_active Withdrawn
- 2008-12-17 CN CN2008801208419A patent/CN101933202B/zh active Active
- 2008-12-17 WO PCT/US2008/087198 patent/WO2009079567A2/en active Application Filing
- 2008-12-17 US US12/337,275 patent/US8553737B2/en active Active
- 2008-12-17 CN CN2012100223424A patent/CN102545062A/zh active Pending
- 2008-12-17 JP JP2010538236A patent/JP2011507280A/ja active Pending
-
2014
- 2014-01-06 JP JP2014000625A patent/JP2014095916A/ja active Pending
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01309011A (ja) * | 1989-03-18 | 1989-12-13 | Hitachi Cable Ltd | 光コネクタの製造方法 |
JPH0961669A (ja) * | 1995-08-23 | 1997-03-07 | Miyachi Technos Corp | 光ファイバコネクタ |
JPH11223746A (ja) * | 1998-02-09 | 1999-08-17 | Nec Corp | 光モジュール用結合装置とその製造方法及びこの装置と一体にした光半導体モジュール |
JP2001091784A (ja) * | 1999-09-20 | 2001-04-06 | Kyocera Corp | 光ファイバ固定具 |
JP2001133657A (ja) * | 1999-11-04 | 2001-05-18 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光ファイバ用フェルールの気密構造 |
JP2001318244A (ja) * | 2000-03-03 | 2001-11-16 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ファイバ端面への成膜方法及び膜付光ファイバ |
JP2002214478A (ja) * | 2001-01-18 | 2002-07-31 | Kyocera Corp | 光ファイバ用フェルール及びその加工方法及びそれを用いた光ファイバ端末 |
JP2002365473A (ja) * | 2001-06-11 | 2002-12-18 | Totoku Electric Co Ltd | フェルールアセンブリ |
JP2003107281A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Kyocera Corp | 光ファイバ固定具 |
JP2003222756A (ja) * | 2002-01-29 | 2003-08-08 | Kyocera Corp | 光ファイバ固定具とその製造方法及びそれを用いた光半導体モジュール |
JP2006184337A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-13 | Kyocera Corp | 光ファイバ固定具及びそれを用いた光コネクタ |
JP2006337520A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Yonezawa Densen Kk | 光ファイバ付きフェルールの製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016063436A1 (ja) * | 2014-10-22 | 2016-04-28 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | レーザモジュール |
JPWO2016063436A1 (ja) * | 2014-10-22 | 2017-08-03 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | レーザモジュール |
US10003169B2 (en) | 2014-10-22 | 2018-06-19 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Laser module |
JP2020061591A (ja) * | 2014-10-22 | 2020-04-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | レーザモジュール |
WO2018037663A1 (ja) | 2016-08-26 | 2018-03-01 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | レーザモジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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