JPWO2016063436A1 - レーザモジュール - Google Patents
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Abstract
Description
以下、本開示の実施の形態について、図1〜図25を用いて説明する。
図1は、本実施の形態におけるレーザモジュール1の概略構成を示す斜視図である。図2は、本実施の形態におけるレーザモジュール1の水平斜視図である。図3は、本実施の形態におけるレーザモジュール1の正面図である。図4は、図3の点線における拡大図である。図5は、本実施の形態におけるレーザモジュール1の側面図である。図6は、図5の点線における拡大図である。
次に、図7および図8を用いて、ファーストコリメートレンズ50について説明する。図7は、本実施の形態におけるファーストコリメートレンズ50の斜視図である。図8は、図7のVIII−VIII線における断面図である。
次に、図9〜図15を用いて、ビームツイスタ60について説明する。図9は、本実施の形態におけるビームツイスタ60の部分斜視図である。図10は、本実施の形態におけるビームツイスタ60の正面側(レーザ光の入射面側)の図である。図11は、本実施の形態におけるビームツイスタ60の背面側(レーザ光の出射面側)の図である。図12は、本実施の形態におけるビームツイスタ60を構成するシリンダ61の斜視図である。図13は、本実施の形態におけるビームツイスタ60によるレーザ光の光路を示す斜視図である。図14は、本実施の形態におけるビームツイスタ60によるレーザ光の光路を示す側面図である。図15は、本実施の形態におけるビームツイスタ60によるレーザ光の光路を示す上面図である。
次に、図16を用いて、各構成の寸法や数について説明する。図16は、本実施の形態におけるレーザモジュール1の寸法関係を説明するための上面および側面を示す図である。
次に、レーザダイオード10の幅とレーザ光の出力の合計(レーザモジュール1の出力)について、図17および図18を用いて説明する。図17は、本実施の形態におけるレーザダイオード10が反った場合の、ビームツイスタ60の正面図である。図18は、本実施の形態における本実施の形態におけるレーザダイオード10が反った場合の、ビームツイスタ60の背面図である。なお、図17および図18では、ファースト方向がスロー方向よりも短いレーザ光を例として記載しているが、これに限らず、実際は、ファースト方向がスロー方向よりも長いレーザ光であっても構わない。
次に、エミッタ11のピッチとレーザ光の出力の合計(レーザモジュール1の出力)について、図19を用いて説明する。図19は、図10のXIX−XIX線における断面図である。レーザダイオード10の幅を6mmと仮定し、エミッタ11のピッチとレーザ光の出力の合計(レーザモジュールの出力)について説明する。レーザダイオード10の幅が一定であれば、エミッタ11のピッチに反比例してエミッタ11の数が決まる。例えば、エミッタ11のピッチが200μmであれば、エミッタ11の数は、30個(6mm÷200μm)となる。エミッタ11のピッチが300μmであれば、エミッタ11の数は、20個(6mm÷300μm)となる。エミッタ11のピッチが500μmであれば、エミッタ11の数は、12個(6mm÷500μm)となる。エミッタ11の幅が等しいと仮定すると、エミッタ11の数が多いほどレーザ光の出力の合計は大きくなる。しかし、エミッタ11のピッチが小さすぎると、ビームツイスタ60の曲面の加工精度の限界から、レーザ光は、ビームツイスタ60の入射面でけられ、レーザモジュール1からは出力されない。図19に示すように、ビームツイスタ60の入射面及び反射面には、シリンダの中央部のレンズ機能を有する有効領域Aとレンズ機能を有しない無効領域Bが存在する。ビームツイスタ60の無効領域Bの入射面に入射したレーザ光は入射面でけられることになる。ビームツイスタ60の加工精度によるこれらのレーザ光のロスを考慮すると、エミッタ11のピッチは250μm以上にする必要があり、300μm以上が好ましい。
次に、レーザダイオード10の幅を6mm、エミッタ11のピッチを300μm、エミッタ11の数を20個と仮定し、エミッタ11の幅とレーザ光の出力の合計(レーザモジュールの出力)について説明する。エミッタ11のピッチおよび数が一定であれば、エミッタ11の幅に応じてエミッタ11の出力が決まるため、レーザモジュール1からのレーザ光の出力が決まる。しかし、エミッタ11の幅が大きくなると、隣接するエミッタ11との距離が近くなり、スロー軸方向において、隣接するエミッタ11からのレーザ光同士が重なりやすくなるとともに、ビームツイスタ60のシリンダ61の端部までレーザ光が入射されることになる。しかし、エミッタ11の幅が大きすぎると、ビームツイスタ60の曲面の加工精度の限界から、レーザ光は、ビームツイスタ60の入射面でけられ、レーザモジュール1からは出力されない。この理由は、図19を用いて説明した上記の理由と同様である。ビームツイスタ60の加工精度によるレーザ光のロスを考慮すると、エミッタ11の幅は120μm以下にする必要があり、105m以下が好ましい。
本実施の形態のレーザモジュール1によるレーザ光について、図20〜図25を用いて説明する。図20は、本実施の形態におけるレーザモジュール1から出射されたレーザ光の、ビームツイスタ60の出射面における強度を示す図である。図21は、本実施の形態におけるレーザモジュール1から出射されたレーザ光の、ビームツイスタ60の出射面における強度を示すグラフである。図22は、本実施の形態におけるレーザモジュール1から出射されたレーザ光の、ビームツイスタ60から50mm離れた位置における強度を示す図である。図23は、本実施の形態におけるレーザモジュール1から出射されたレーザ光の、ビームツイスタ60から50mm離れた位置における強度を示すグラフである。図24は、本実施の形態におけるレーザモジュール1から出射されたレーザ光の、ビームツイスタ60から600mm離れた位置における強度を示す図である。図25は、本実施の形態におけるレーザモジュール1から出射されたレーザ光の、ビームツイスタ60から600mm離れた位置における強度を示すグラフである。
10 レーザダイオード
11 エミッタ
20 サブマウント
30 下部電極ブロック
40 上部電極ブロック
50 ファーストコリメートレンズ
60 ビームツイスタ
61 シリンダ
70 台座
900 レーザエミッタモジュール
901 エミッタ
902 レーザエミッタバー
903 ヒートシンク
904 ヒートシンクスペーサ
905 ファースト軸コリメータ
906 プリズム部材
907 ビームコンディショニング光学部材
Claims (9)
- 複数のエミッタを有し、発光面において前記複数のエミッタのそれぞれからレーザ光を出射するレーザダイオードと、
前記レーザダイオードの前記発光面から第1の距離だけ離れて設けられ、前記レーザ光のファースト軸方向の拡がりを平行化する第1のコリメートレンズと、
前記第1のコリメートレンズから第2の距離だけ離れて設けられ、前記レーザ光を約90度旋回させるビームツイスタとを備え、
前記発光面における、前記複数のエミッタの各々の幅は、5μm〜120μmであり、
前記発光面における、前記複数のエミッタのピッチは、295μm〜305μmであるレーザモジュール。 - 前記第1の距離は70μm〜130μmである請求項1に記載のレーザモジュール。
- 前記第1の距離は80μm〜120μmである請求項2に記載のレーザモジュール。
- 前記第2の距離は0μm〜60μmである請求項1〜3のいずれかに記載のレーザモジュール。
- 前記第2の距離は0μm〜40μmである請求項4に記載のレーザモジュール。
- 前記発光面に対して垂直な方向の、前記複数のエミッタの各々の長さは、2mm〜8mmである請求項1〜5のいずれかに記載のレーザモジュール。
- 前記発光面に対して垂直な方向の、前記複数のエミッタの各々の長さは、4mm〜7mmである請求項6に記載のレーザモジュール。
- 前記発光面における、前記複数のエミッタの各々の幅は、70μm〜115μmである請求項1〜7のいずれかに記載のレーザモジュール。
- 前記発光面における、前記複数のエミッタのピッチは、298μm〜302μmである請求項1〜8のいずれかに記載のレーザモジュール。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201462067047P | 2014-10-22 | 2014-10-22 | |
US62/067,047 | 2014-10-22 | ||
PCT/JP2015/003932 WO2016063436A1 (ja) | 2014-10-22 | 2015-08-05 | レーザモジュール |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020010487A Division JP2020061591A (ja) | 2014-10-22 | 2020-01-27 | レーザモジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2016063436A1 true JPWO2016063436A1 (ja) | 2017-08-03 |
Family
ID=55760500
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016555049A Pending JPWO2016063436A1 (ja) | 2014-10-22 | 2015-08-05 | レーザモジュール |
JP2020010487A Pending JP2020061591A (ja) | 2014-10-22 | 2020-01-27 | レーザモジュール |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020010487A Pending JP2020061591A (ja) | 2014-10-22 | 2020-01-27 | レーザモジュール |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10003169B2 (ja) |
EP (1) | EP3211734B1 (ja) |
JP (2) | JPWO2016063436A1 (ja) |
CN (1) | CN106797102B (ja) |
WO (1) | WO2016063436A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2015-08-05 JP JP2016555049A patent/JPWO2016063436A1/ja active Pending
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JP2014095916A (ja) * | 2007-12-17 | 2014-05-22 | Oclaro Photonics Inc | レーザエミッタモジュール及び構築方法 |
JP2012164981A (ja) * | 2011-01-24 | 2012-08-30 | Soraa Inc | 基板部材上に構成された複数のエミッタを有するレーザーパッケージ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20170288365A1 (en) | 2017-10-05 |
JP2020061591A (ja) | 2020-04-16 |
CN106797102B (zh) | 2020-04-21 |
US10003169B2 (en) | 2018-06-19 |
EP3211734A1 (en) | 2017-08-30 |
EP3211734B1 (en) | 2022-04-20 |
CN106797102A (zh) | 2017-05-31 |
EP3211734A4 (en) | 2017-11-15 |
WO2016063436A1 (ja) | 2016-04-28 |
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