JP2003232968A - 集光装置及び発光装置 - Google Patents

集光装置及び発光装置

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JP2003232968A JP2002168928A JP2002168928A JP2003232968A JP 2003232968 A JP2003232968 A JP 2003232968A JP 2002168928 A JP2002168928 A JP 2002168928A JP 2002168928 A JP2002168928 A JP 2002168928A JP 2003232968 A JP2003232968 A JP 2003232968A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体レーザアレイの複数の発光部から出射
された各レーザ光を、より効率良く光ファイバに集光で
き、且つ容易に実現できる集光装置及び発光装置を提供
する。 【解決手段】 第1のレンズ40(slow軸幅均一化
レンズ40)は、入射側と出射側にそれぞれ単一の曲面
を有し、入射された光を屈折させる所定方向を有し、複
数の発光部12から第1のレンズ40のほぼ焦点距離の
位置に、各発光部12から出射された光が入射されるよ
うに配置される。そして、各発光部12から出射された
光をそれぞれ所定方向に対してほぼ均一の幅に変換す
る。第2のレンズ50(slow軸集光レンズ50)
は、第1のレンズ40により所定方向に対してほぼ均一
の幅に変換されたそれぞれの光を各発光部12に対応す
る所定方向のグループ毎の領域に集光し、複数のグルー
プに分けられた複数の発光部12から出射された光を各
グループ毎に集光する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、半導体レ
ーザ光を集光する集光装置及び当該集光装置を用いた発
光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図2に示すように、半導体レーザ(レー
ザダイオード等)の活性層14の発光部12から出射さ
れる半導体レーザ光(以下、「レーザ光」と記載する)
は、レーザ光100の進行方向に対して垂直な面におい
てほぼ楕円状であり、当該楕円状のレーザ光100は、
長軸方向のfast軸方向と、短軸方向のslow軸方
向とを有する。また、当該楕円は、発光部12からの距
離が長くなるほど大きくなる。そして、半導体レーザを
fast軸方向とslow軸方向に2次元的に配列して
複数の発光部を持つ半導体レーザアレイから出射される
レーザ光を、光ファイバに集光してレーザ光の出力を増
大させる半導体レーザ集光装置が知られている。例え
ば、半導体レーザをレーザ加工装置の光源として用いる
場合、加工に用いるレーザ光の高出力化が必要である
が、単一の発光部から出射されるレーザ光では、出力強
度に限界がある。そこで、レンズ群を用いて複数の発光
部から出射されるレーザ光を集光して、レーザ光の出力
を増大させている。従来の半導体レーザ集光装置の技術
として、例えば、特開2000−98191号公報で
は、レンズ群と光ファイバを備え、レーザ光の発光部か
ら光ファイバまでの間に、長軸方向コリメートレンズ、
長軸方向集光レンズ、短軸方向集光レンズ、の順にレン
ズを配置してレーザ光を光ファイバに集光し、レーザ光
の出力を増大させることを提案している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】半導体レーザの発光部
から出射されるレーザ光を効率良く光ファイバに集光し
てレーザ光の出力を増大させるには、より細い光ファイ
バに、より多くの発光部からのレーザ光を入射して密度
を高めることと、より小さな入射角で入射端面に入射す
る(入射端面に対して、より直角に近い角度で入射す
る)ことが必要である。発光部12から出射されたレー
ザ光は、fast軸方向及びslow軸方向に拡がりな
がら進行する。拡がりながら進行するレーザ光を集光す
る場合、いきなりレンズで集光すると、集光位置(光フ
ァイバへの入射位置)を正確に設定することが困難であ
り、効率的に集光できない可能性がある。そこで、一
旦、レーザ光の拡がりを抑制して平行光(ほぼ均一の
幅)に変換し、その後に集光すると、集光位置の設定が
容易であり、効率良く光ファイバに入射することができ
る。従来の半導体レーザ集光装置(例えば、特開200
0−98191号公報)は、発光部の間隔が比較的広い
fast軸方向においては、一旦、平行光に変換してか
ら集光しているが、発光部の間隔が比較的狭いslow
軸方向においては、レンズの配置が困難であるため、平
行光にしてから集光することをせず、集光のみを行って
いる。
【0004】従来の半導体レーザ集光装置(例えば、特
開2000−98191号公報)では、図8に示すよう
に、半導体レーザアレイ10の各発光部12(m、n)
から出射されるレーザ光を、fast軸(長軸方向)コ
リメートレンズ20を通過させ、fast軸(長軸方
向)集光レンズ30を通過させ、更に、slow軸(短
軸方向)集光レンズ70を通過させて光ファイバ80
(s、t)に入射している。なお、図1〜図10におい
て、座標軸は、レーザ光の進行方向をZ軸、fast軸
方向(長軸方向)をX軸、slow軸方向(短軸方向)
をY軸としている。なお、全ての図面は、説明を容易に
するため、あるいは比較等を容易にするために、実際の
寸法とは異なる寸法で記載している部分を含んでいる。
【0005】また、図8の構成における、各レンズ及び
レーザ光の様子を図9に示す。図9は、slow軸方向
に並んだ2個の発光部から出射される2本のレーザ光
と、fast軸方向に並んだ4個の発光部から出射され
る4本のレーザ光の合計8本のレーザ光を、1本の光フ
ァイバに集光している。図9(A)は、図8をX軸方向
から見た図(上から見た図)であり、図9(B)は、図
8をY軸方向から見た図(横から見た図)である。一般
的によく用いられる半導体レーザアレイでは、slow
軸方向においては、各発光部12の幅(図9(A)中の
Dw)は約0.2mmであり、発光部と発光部の間隔
(図9(A)中のDp)は約0.2mmである。よっ
て、slow軸方向において隣り合う2個の発光部をグ
ループとした場合の幅(図9(A)中のDin)は約
0.6mmである。また、各発光部から出射されるレー
ザ光のslow軸方向の拡がり角(図9(A)中のθi
ny)は約3.5°である。また、fast軸方向にお
いて隣り合う発光部の間隔(図9(B)中のDh)は約
1.75mmであり、各発光部から出射されるレーザ光
のfast軸方向の拡がり角(図9(B)中のθin
x)は約40°である。
【0006】例えば、このレーザ光を、光ファイバ80
に、slow軸方向において2本のレーザ光を集光し、
fast軸方向において4本のレーザ光を集光する。ま
た、slow軸方向の入射角(図9(A)中のθout
y)が約10°以下になるように(より小さな入射角
で)集光する。この場合、最も効率良く集光するために
は、図9(A)において、slow軸方向に隣り合う発
光部12から出射されるレーザ光が重なる前にslow
軸集光レンズ70を配置する必要がある。レーザ光が重
なる位置は、発光部12から約1.6mmの位置であ
る。また、fast軸方向は、拡がり角が大きいので、
発光部12により近い位置で平行光にすることが好まし
い(距離を大きくして幅がより大きくなったレーザ光を
集光すると、光ファイバへの入射角(θoutx)が大
きくなるため)。よって、発光部12にほぼ隣接してf
ast軸コリメートレンズ20を配置する。
【0007】以上より、発光部12から約1.6mmま
での距離の間に、fast軸コリメートレンズ20とs
low軸集光レンズ70を配置する必要があり、事実
上、実現は非常に困難である。なお、fast軸集光レ
ンズ30は、図9(A)、(B)においては、fast
軸コリメートレンズ20とslow軸集光レンズ70の
間に配置したが、slow軸集光レンズ70と光ファイ
バ80の間に配置してもよい。ただし、この場合は、f
ast軸集光レンズ30と光ファイバ80までの距離が
より短くなるので、光ファイバ80へのfast軸方向
の入射角(図9(B)中のθoutx)が大きくなり、
集光の効率が低下する可能性がある。
【0008】また、この場合、slow軸集光レンズ7
0の焦点距離(f70)を、発光部12からslow軸
集光レンズ70までの距離(この場合、約1.6mm)
に設定すると、slow軸方向における集光の効率が最
適になるが、光ファイバ80の位置がslow軸集光レ
ンズ70から焦点距離(f70)の位置に自動的に決ま
る。つまり、発光部12から光ファイバ80までの距離
(図9(A)中のL)は、約3.2mmとなる。上記の
説明より、以下の課題を解決する必要がある。slow
軸集光レンズ70と発光部12との間の距離が短い。こ
のため、所定距離の間に、fast軸コリメートレンズ
20とslow軸集光70を適切に配置することが困難
である。また、光ファイバ80の位置も発光部12から
短い距離になり、fast軸方向の入射角(θout
x)を小さくすると、fast軸方向に集光できるレー
ザ光の本数が少なくなる。本発明は、このような点に鑑
みて創案されたものであり、半導体レーザアレイの複数
の発光部から出射された各レーザ光を、より効率良く光
ファイバに集光でき、且つ容易に実現できる集光装置及
び発光装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の第1発明は、請求項1に記載されたとおりの
集光装置である。請求項1に記載の集光装置では、例え
ば、fast軸方向及びslow軸方向に拡がりながら
進行するそれぞれのレーザ光を所定方向(例えば、sl
ow軸方向)に対してほぼ均一の幅に変換してからそれ
ぞれのレーザ光を集光する。このため、レーザ光の重な
りの有無に影響されず、各レーザ光を個々に変換して集
光できる。例えば、第1のレンズと第2のレンズをsl
ow軸方向において使用すれば、slow軸方向に関す
るレンズを、レーザ光がslow軸方向において重なる
前に配置する必要がなくなり、slow軸方向に関する
レンズと発光部12との間の距離を充分に確保すること
ができる。また、第1のレンズは、複数の発光部から出
射された(全部の)光が入射される単体(単一)のレン
ズであるため、大きな径に設定でき、実現が容易であ
る。また、第2のレンズも同様に単体のレンズで構成で
きるので、実現が容易である。また、それぞれのレーザ
光を各発光部に対応する所定方向のグループ毎(例え
ば、slow軸方向のグループ毎)の領域に集光するの
で、適切に集光することができる。このため、例えば、
半導体レーザアレイの複数の発光部から出射された各レ
ーザ光を、より効率良く集光でき、且つ容易に実現でき
る。
【0010】また、本発明の第2発明は、請求項2に記
載されたとおりの集光装置である。請求項2に記載の集
光装置では、第1のレンズの焦点距離と、第2のレンズ
の焦点距離との比に応じて、所定方向(例えば、slo
w軸方向)において光(レーザ光等)を所定方向のグル
ープ毎に集光できる。このため、例えば、半導体レーザ
アレイの複数の発光部から出射された各レーザ光を、よ
り効率良く集光でき、目標とするレーザ光の出力を容易
に得ることができる。
【0011】また、本発明の第3発明は、請求項3に記
載されたとおりの発光装置である。請求項3に記載の発
光装置では、例えば、fast軸方向及びslow軸方
向に拡がりながら進行するレーザ光を適切に集光するた
めに、短軸方向(slow軸方向)において、第1発明
または第2発明の第1のレンズと第2のレンズを用い
る。これにより、レーザ光がslow軸方向において重
なる前に配置する必要がなくなり、slow軸方向に関
するレンズと発光部12との間の距離を充分に確保する
ことができるとともに、レーザ光を各発光部に対応する
所定方向のグループ毎に適切に集光できる。このため、
例えば、半導体レーザアレイの複数の発光部から出射さ
れた各レーザ光を、より効率良く集光でき、且つ容易に
実現できる。
【0012】また、本発明の第4発明は、請求項4に記
載されたとおりの発光装置である。請求項4に記載の発
光装置では、長軸方向(fast軸方向)において、従
来と同様に、一旦、第3のレンズで平行光(幅はほぼ均
一)に変換してから、第4のレンズで集光する。また、
このとき、slow軸方向に集光する第2のレンズと、
fast軸方向に集光する第4のレンズを兼用した単一
レンズ(slow軸及びfast軸の双方向に集光する
レンズ)を用いる。これにより、レンズの数を削減でき
るので、レンズを配置可能な範囲が物理的に拡大する。
また、発光装置をより簡素化することができる。
【0013】また、本発明の第5発明は、請求項5に記
載されたとおりの発光装置である。請求項5に記載の発
光装置では、第3のレンズの焦点距離と、第2のレンズ
と第4のレンズを兼用した単一レンズの焦点距離との比
に応じて、長軸方向(fast軸方向)において光(レ
ーザ光等)を長軸方向のグループ毎に集光できる。ま
た、第1のレンズの焦点距離と、第2のレンズと第4の
レンズを兼用した単一レンズの焦点距離との比に応じ
て、短軸方向(slow軸方向)において光(レーザ光
等)を短軸方向のグループ毎に集光できる。このため、
例えば、半導体レーザアレイの複数の発光部から出射さ
れた各レーザ光を、fast軸方向及びslow軸方向
の双方向から適切に、より効率良く集光することがで
き、目標とするレーザ光の出力を、更に容易に得ること
ができる。
【0014】また、本発明の第6発明は、請求項6に記
載されたとおりの発光装置である。請求項6に記載の発
光装置では、複数の発光部から出射される半導体レーザ
光を、各グループ毎の領域に配置した光ファイバの入射
端面に集光する。このため、半導体レーザアレイの複数
の発光部から出射された各レーザ光を、より効率良く光
ファイバに集光でき、目標とするレーザ光の出力を、容
易に得ることができる集光装置及び発光装置を容易に実
現できる。
【0015】また、本発明の第7発明は、請求項7に記
載されたとおりの発光装置である。請求項7に記載の発
光装置では、半導体レーザアレイに配置された複数のレ
ーザ発光部から出射されるレーザ光を、光学集光系(レ
ンズ群等)を用いて集光することで、より細く、より少
ない数の光ファイバに集光して入射することができる。
そして、当該光ファイバから出射されるレーザ光を、更
に集光レンズで集光するため、レーザ光をより小径化し
て集光することができ、より効率良く集光でき、レーザ
光の出力を増大させることができる。
【0016】また、本発明の第8発明は、請求項8に記
載されたとおりの発光装置である。請求項8に記載の発
光装置では、複数の光ファイバの各出射面を、任意の形
状に束ねる。任意の形状に束ねることで、集光レンズを
通過させたレーザ光を、より小さい集光スポット(より
小さい集光面積)に、所望の形状(任意の形状)で集光
することができる。
【0017】また、本発明の第9〜第10発明は、請求
項9〜10に記載されたとおりの発光装置である。請求
項9〜10に記載の発光装置では、長軸方向及び短軸方
向に配列された複数のレーザ発光部から出射される、複
数のレーザ光のうち、2個以上のレーザ発光部(長軸方
向に並んだ2個以上のレーザ発光部)、あるいは4個以
上のレーザ発光部(長軸方向に並んだ2個以上のレーザ
発光部と、更に短軸方向に並んだ2個以上のレーザ発光
部)から出射されたレーザ光を、各光ファイバに集光し
て入射する。そして、当該光ファイバから出射されるレ
ーザ光を、更に集光レンズで集光するため、より多くの
レーザ光を、より小径化して集光することができ、レー
ザ光の出力を増大させることができる。
【0018】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面
を用いて説明する。図1は、本発明の発光装置の一実施
の形態の概略構成図を示している。半導体レーザアレイ
10は、複数の発光部12を有し、単一の発光部を有す
る半導体レーザを2次元的に配列して、あるいは一列に
複数の発光部を有するアレイ型半導体レーザを積層また
は配列して、あるいは2次元配列されたスタック型半導
体レーザで、構成されている。本実施の形態では、スタ
ック型レーザダイオードを用いている。この半導体レー
ザアレイ10の各発光部12(m、n)から出射された
レーザ光を、効率良く光ファイバ80(s、t)に集光
及び入射する。図2に示すように、半導体レーザアレイ
10の活性層14中の発光部12から出射されるレーザ
光は、レーザ光100の進行方向に対して垂直な面にお
いてほぼ楕円状であり、当該楕円は、長軸方向(fas
t軸方向)と短軸方向(slow軸方向)とを有する。
また、当該楕円は、発光部12からの距離が長くなるほ
ど大きくなる。なお、図1〜図10において、座標軸
は、発光部12から出射されるレーザ光の進行方向をZ
軸、fast軸方向をX軸、slow軸方向をY軸とし
ている。また、全ての図面は、説明を容易にするため、
あるいは比較等を容易にするために、実際の寸法とは異
なる寸法で記載している部分を含んでいる。
【0019】◆[第1の実施の形態] 図1を用いて、第1の実施の形態について説明する。半
導体レーザアレイ10の各発光部12から出射された各
レーザ光を、fast軸コリメートレンズ20と、fa
st軸集光レンズ30と、slow軸幅均一化レンズ4
0と、slow軸集光レンズ50とを通過させ、発光部
12(m、n)から出射されるレーザ光を光ファイバ8
0(s、t)に集光する。このとき、複数の発光部を複
数のグループに分け、各グループ毎に光ファイバに集光
する。例えば、4行2列ずつのグループに分けた場合、
図1中の「SG」に示すグループ(第1番目グループ)
のレーザ光は、光ファイバ80(1、8)に集光され
る。また、図1中の「FSG」は第2番目のグループに
おけるfast軸方向のグループであり、図1中の「S
SG」は、第3番目のグループにおけるslow軸方向
のグループである。なお、2番目のグループのレーザ光
は、光ファイバ80(1、7)に集光される。
【0020】fast軸コリメートレンズ20(第3の
レンズ)は、積層された各半導体レーザアレイ毎(Y軸
方向に並んだ、発光部の各「行」毎)に、中心軸方向が
slow軸方向である複数(この場合、「4行」の発光
部に対して「4つ」)のシリンドリカルレンズを、fa
st軸方向に配列した構造を有している。そして、fa
st軸コリメートレンズ20は、各発光部12から出射
された各レーザ光を、fast軸方向において幅をほぼ
均一にする。この場合、各発光部12から出射され、f
ast軸方向において幅をほぼ均一にされた各レーザ光
は、全て、出射された時点のレーザ光の進行方向(Z軸
方向)に対して、slow軸方向から見て平行である。
なお、詳細については後述する。
【0021】fast軸集光レンズ30(第4のレン
ズ)は、中心軸方向がslow軸方向であるシリンドリ
カルレンズであり、fast軸方向において幅をほぼ均
一にされた各レーザ光をfast軸方向に集光する。集
光する先は、各光ファイバ80の入射端面である。この
例では、光ファイバ80(s、t)がslow軸方向に
は1「行」であるので、fast軸集光レンズも1個と
している。複数の光ファイバ80がslow軸方向に2
「行」の場合は、fast軸集光レンズ30を、シリン
ドリカルレンズを2個fast軸方向に配列させた構造
とすればよい。
【0022】slow軸幅均一化レンズ40(第1のレ
ンズ)は、中心軸方向がfast軸方向であるシリンド
リカルレンズであり、入射側と出射側にそれぞれ継ぎ目
のない単一の曲面を有し(複数のレンズで構成されるこ
となく、単体(単一)のレンズであり)、発光部12
(m、n)から出射された各レーザ光を、slow軸方
向において幅をほぼ均一にする。この場合、各発光部1
2から出射され、slow軸方向において幅をほぼ均一
にされた各レーザ光は、出射された時点のレーザ光の進
行方向(Z軸方向)に対して、fast軸方向から見て
各々異なる角度を有している。なお、詳細については後
述する。
【0023】slow軸集光レンズ50(第2のレン
ズ)は、中心軸方向がfast軸方向であるシリンドリ
カルレンズであり、slow軸方向において幅をほぼ均
一にされた各レーザ光をslow軸方向に集光する。集
光する先は、光ファイバ80(s、t)の入射端面であ
る。また、slow軸集光レンズ50も、slow軸幅
均一化レンズ40と同様に、入射側と出射側にそれぞれ
継ぎ目のない単一の曲面を有している(複数のレンズで
構成されることなく、単体(単一)のレンズである)。
なお、図1において、fast軸コリメートレンズ20
(第3のレンズ)とfast軸集光レンズ30(第4の
レンズ)は長軸方向集光装置を構成しており、slow
軸幅均一化レンズ40(第1のレンズ)とslow軸集
光レンズ50(第2のレンズ)は短軸方向集光装置を構
成している。
【0024】次に、図3を用いて、各レンズを通過させ
たレーザ光を、光ファイバ80(s、t)に集光する様
子を説明する。図3(A)は、fast軸方向から見た
図であり、レーザ光をslow軸方向に屈折及び集光さ
せる様子を示している。また、図3(B)は、slow
軸方向から見た図であり、レーザ光をfast軸方向に
屈折及び集光させる様子を示している。また、図3
(A)中において発光部12(m、n)を、上端の発光
部から、発光部12(1、1)〜発光部12(1、1
6)とする。また、図3(A)中において光ファイバ8
0(s、t)を、下端の光ファイバから、光ファイバ8
0(1、1)〜光ファイバ80(1、8)とする。ここ
で、半導体レーザアレイ10の各発光部12(m、n)
は、slow軸方向の幅(図3(A)中のDw)が約
0.2mmであり、slow軸方向の間隔(図3(A)
中のDp)が約0.2mmである。このため、slow
軸方向において隣り合う2つの発光部から出射されるレ
ーザ光を1本の光ファイバに集光させるためには、出射
の時点でDin(約0.6mm)の幅を有するレーザ光
を、Dout(例えば、0.2mm)の径の光ファイバ
80(s、t)に集光する必要がある。
【0025】次に、図3(A)を用いて、各発光部12
(m、n)から出射された各レーザ光を、slow軸方
向において光ファイバ80(s、t)の入射端面に集光
することを説明する。図3(A)において、slow軸
幅均一化レンズ40の焦点距離をf40(例えば、15
mm)、slow軸集光レンズ50の焦点距離をf50
(例えば、5mm)とする。そして、slow軸幅均一
化レンズ40を「発光部12(m、n)からf40の距
離の位置」に配置し、slow軸集光レンズ50を「発
光部12(m、n)からf40+f40+f50の距離
の位置」に配置し、光ファイバ80(s、t)を「発光
部12(m、n)からf40+f40+f50+f50
の距離の位置」に配置する。このとき、各位置は誤差に
より微妙に位置が修正される。また、発光部12(m、
n)から出射された各レーザ光において、slow軸方
向の拡がり角度をθiny(例えば、3.5°)とす
る。また、光ファイバ80(s、t)に入射されるレー
ザ光において、slow軸方向の入射角をθouty
(例えば、10°)とする。
【0026】slow軸幅均一化レンズ40及びslo
w軸集光レンズ50を選定するには、発光部12(m、
n)における、Din、Dp、Dw、θinyから、目
標とする光ファイバ80(s、t)のslow軸方向の
本数(t)及び径(Dout)とθoutyを満足する
f40、f50の焦点距離を有する、slow軸幅均一
化レンズ40及びslow軸集光レンズ50を選定すれ
ばよい。なお、この場合、fast軸コリメートレンズ
20とfast軸集光レンズ30は、slow軸方向に
おいて何ら影響を及ぼさないので説明を省略する。
【0027】各発光部12(m、n)から出射された各
レーザ光は、Z軸方向に対してθinyの角度(例え
ば、3.5°の角度)を持ち、徐々に拡がり、やがて重
なる。slow軸方向に重なったレーザ光は、slow
軸幅均一化レンズ40を通過すると、slow軸幅均一
化レンズ40が焦点距離(f40)の位置に配置されて
いるため、slow軸方向において幅がほぼ均一にな
る。この時、slow軸幅均一化レンズ40を通過した
各レーザ光は、各々Z軸方向に対して異なる角度を有す
るが、各レーザ光の幅はほぼ均一であり、また、幅がほ
ぼ均一化された各レーザ光の幅の中心は、slow軸幅
均一化レンズ40の焦点の位置(図3(A)中のF4
0)を通る。そして、slow軸幅均一化レンズ40を
通過した各レーザ光は、slow軸集光レンズ50を通
過すると、各レーザ光がほぼ均一の幅であるため、sl
ow軸集光レンズ50からf50の距離(slow軸集
光レンズ50の焦点距離)に集光される。そして、各レ
ーザ光がslow軸集光レンズ50で集光される位置
(slow軸集光レンズ50からf50の距離の位置)
に、光ファイバ80(s、t)を配置して集光されたレ
ーザ光を入射する。このとき、slow軸方向のグルー
プ毎のレーザ光が、各グループ毎に集光される。例え
ば、光ファイバ(1、1)には、発光部12(1、1)
と発光部12(1、2)のレーザ光が集光される。
【0028】また、slow軸集光レンズ50の焦点距
離をf50よりも短いf50sのレンズとし、このレン
ズ50を発光部12(m、n)からf40+f40+f
50sの位置に配置した場合、このslow軸集光レン
ズ50を通過後、slow軸集光レンズ50の後方のf
50sの距離の位置に集光されるレーザ光は、slow
軸方向において密になる。(図4(A)に示す。) 逆に、slow軸集光レンズ50の焦点距離をf50よ
りも長いf50eのレンズとし、このレンズ50を発光
部12(m、n)からf40+f40+f50eの位置
に配置した場合、このslow軸集光レンズ50を通過
後、slow軸集光レンズ50の後方のf50eの距離
の位置に集光されるレーザ光は、slow軸方向におい
て疎になる。(図4(B)に示す。)
【0029】次に、図3(B)を用いて、発光部12
(m、n)から出射された各レーザ光を、fast軸方
向において光ファイバ80(s、t)の入射端面に集光
することを説明する。図3(B)において、fast軸
コリメートレンズ20の焦点距離をf20、fast軸
集光レンズ30の焦点距離をf30とする。また、発光
部12(m、n)から出射された各レーザ光において、
fast軸方向の拡がり角度をθinx(例えば、40
°)とする。また、光ファイバ80(s、t)に入射さ
れるレーザ光において、fast軸方向の入射角をθo
utx(例えば、10°)とする。また、発光部12
(m、n)のfast軸方向における間隔をDh(例え
ば、1.75mm)とする。fast軸コリメートレン
ズ20及びfast軸集光レンズ30を選定するには、
発光部12(m、n)における、Dh、θinxから、
目標とする光ファイバ80(s、t)のfast軸方向
の本数(s)及び径(Dout)とθoutxを満足す
るf20、f30の焦点距離を有する、fast軸コリ
メートレンズ20及びfast軸集光レンズ30を選定
すればよい。なお、この場合、slow軸幅均一化レン
ズ40とslow軸集光レンズ50は、fast軸方向
において何ら影響を及ぼさないので説明を省略する。
【0030】各発光部12(m、n)から出射された各
レーザ光は、Z軸方向に対してθinxの角度を持ち、
徐々に拡がり、fast軸コリメートレンズ20を通過
すると、fast軸コリメートレンズ20が焦点距離
(f20)の位置にあるため、fast軸方向において
幅がほぼ均一になる。この時、fast軸コリメートレ
ンズ20を通過した各レーザ光は、全てZ軸方向に対し
てほぼ平行になり、各レーザ光の幅はほぼ均一である。
そして、fast軸コリメートレンズ20を通過した各
レーザ光は、fast軸集光レンズ30を通過すると、
fast軸集光レンズ30からf30の距離(fast
軸集光レンズ30の焦点距離)に集光される。そして、
各レーザ光がfast軸集光レンズ30で集光される位
置(fast軸集光レンズ30からf30の距離の位置
であり、この位置は、slow軸集光レンズ50からf
50の距離の位置でもある)に、光ファイバ80(s、
t)を配置して集光されたレーザ光を入射する。このと
き、fast軸方向のグループ毎のレーザ光が、各グル
ープ毎に集光される。例えば、光ファイバ80(1、
1)には、発光部12(1、1)、発光部12(2、
1)、発光部12(3、1)、発光部12(4、1)の
レーザ光が集光される。
【0031】fast軸方向の拡がり角(θinx:例
えば40°)は、slow軸方向の拡がり角(θin
y:例えば3.5°)と比較して充分大きいので、fa
st軸コリメートレンズ20は、発光部12(m、n)
により近い位置に配置することが好ましい。図3(A)
及び(B)の例では、発光部12(m、n)にほぼ接触
する位置に配置している。また、光ファイバ80(s、
t)のfast軸方向の本数(この場合は「s」本であ
り、これにより、fast軸方向に集光するレーザ光の
数も決まる)、及び光ファイバ80(s、t)の径(こ
の場合は「Dout」)、及びθoutxにより、fa
st軸集光レンズ30の焦点距離f30、及びfast
軸集光レンズ30の配置位置が決まる。図3(A)及び
(B)の例では、1本の光ファイバ80に、slow軸
方向に2本のレーザ光を、fast軸方向に4本のレー
ザ光を集光し、合計8本のレーザ光を集光している。な
お、実現した半導体レーザ集光装置では、目標とするレ
ーザ光の出力を得るために、slow軸方向に2本のレ
ーザ光を、fast軸方向に10本のレーザ光を集光
し、合計20本のレーザ光を集光して実用可能な出力を
有するレーザ光を得た。
【0032】次に、図5を用いて、slow軸方向にお
ける集光について、従来(A)と本発明(B)の違いを
説明する。図5(A)及び(B)は、レーザ光をslo
w軸方向において、幅の均一化及び集光する様子を示し
ており、fast軸コリメートレンズ20とfast軸
集光レンズ30の記載を省略している。従来の半導体レ
ーザ集光装置は、slow軸方向において隣り合う発光
部12から出射され、距離が大きくなるに従いslow
軸方向に拡がるレーザ光が重なる前に、slow軸方向
に集光させているので、発光部12から光ファイバ80
までの距離(図9(A)中のL)に制約がある。
【0033】図5(A)に示す従来の方式では、slo
w軸方向の幅の均一化及び集光を1つのslow軸集光
レンズ70で行っている。このため、発光部12(1、
1)〜(1、2)から出射され、θinyの拡がり角度
を持ちDin(約0.6mm)の距離を持つレーザ光を
効率良く集光するためには、レーザ光が重なる前の位置
にslow軸集光レンズ70を配置する必要がある。θ
inyが約3.5°で、2つの発光部12からのレーザ
光を集光するためには、slow軸集光レンズ70の焦
点距離(f70)を約1.6mmに設定する必要があ
り、小型化が要求され、実現が困難である。
【0034】図5(A)では、slow軸集光レンズ7
0を通過した各レーザ光は、幅がほぼ均一になるが、入
射光に対して出射光の径を小さくする集光は、なされて
いない。このように、従来はslow軸方向において、
レーザ光の幅を小さくすることなく、複数のレーザ光を
集めている(束ねている)。レーザ光の幅を小さくする
には、slow軸集光レンズ70に入射されるレーザ光
の幅が均一でないので困難である。そこで、slow軸
集光レンズ70の焦点距離f70を少し短くして、sl
ow軸集光レンズ70を通過したレーザ光を集光する
(レーザ光の幅を小さくする)ことも可能であるが、光
ファイバの配置が困難になる可能性がある。また、図5
(A)においては、以下の式が成立する。 Dout=2*f70*tan(θiny) θouty=arctan[Din/(2*f70)] Dout/Din=tan(θiny)/tan(θo
uty) 通常、Din及びθinyは予め半導体レーザアレイ1
0において決まっているので、焦点距離f70が決まる
と、Dout及びθoutyも自動的に決まり、Dou
t及びθoutyを任意に設定することができない。
【0035】図5(B)に示す本発明の方式では、sl
ow軸方向の幅の均一化及び集光を、slow軸幅均一
化レンズ40とslow軸集光レンズ50とで、別々に
行う。このため、発光部12(1、1)〜(1、2)か
ら出射され、θinyの拡がり角度を持ちDin(約
0.6mm)の距離を持つレーザ光を効率良く集光でき
る。本発明では、slow軸方向において隣り合う発光
部12から出射され、距離が大きくなるに従いslow
軸方向に拡がるレーザ光がslow軸方向に重なった後
であっても、各発光部12(m、n)から出射された各
レーザ光を、各レーザ光毎にslow軸方向に集光させ
ることができる点が大きな特徴である。また、図5
(B)においては、以下の式が成立する。 Dout=(f50/f40)*Din θouty=arctan[(f40/f50)tan
(θiny)] Dout/Din=tan(θiny)/tan(θo
uty)=f50/f40 このため、slow軸幅均一化レンズ40の焦点距離f
40と、slow軸集光レンズ50の焦点距離f50と
の比を適切に選択することで、Dout及びθouty
を任意に設定できる。
【0036】また、slow軸幅均一化レンズ40の焦
点距離f40と、slow軸集光レンズ50の焦点距離
f50を適切に設定でき、slow軸幅均一化レンズ4
0を「発光部12からf40の距離の位置」に配置し、
slow軸集光レンズ50を「発光部12からf40+
f40+f50の距離の位置」に配置するので、発光部
12(m、n)から光ファイバ80(s、t)までの距
離を充分に確保でき、レンズ径等に制約されることなく
レンズ群を配置できる。また、slow軸幅均一化レン
ズ40及びslow軸集光レンズ50は、各々単一のシ
リンドリカルレンズで構成できるので、(従来の)sl
ow軸集光レンズ70程の小型化は要求されず、より実
現が容易である。また、slow軸幅均一化レンズ40
を通過した各レーザ光は、幅がほぼ均一であるので、s
low軸集光レンズ50を用いて、slow軸方向のグ
ループ毎に集光でき、適切に集光する(レーザ光の幅を
小さくする)ことが可能である。
【0037】◆[第2の実施の形態] 次に、第2の実施の形態について説明する。図6は、本
発明の発光装置の第2の実施の形態の概略構成図を示し
ている。以下、第1の実施の形態との相違点について説
明する。図6は、図1に示す第1の実施の形態の構成に
対して、fast軸集光レンズ30とslow軸集光レ
ンズ50に替えて、fast軸及びslow軸の双方向
に集光する双軸集光レンズ60(例えば、球面レンズ)
を配置している。その他の構成は、図1と同様である。
【0038】次に、図7を用いて、各レンズを通過させ
たレーザ光を、光ファイバ80(s、t)に集光する様
子を説明する。図7(A)は、fast軸方向から見た
図であり、レーザ光をslow軸方向に屈折及び集光さ
せる様子を示している。また、図7(B)は、slow
軸方向から見た図であり、レーザ光をfast軸方向に
屈折及び集光させる様子を示している。図7(A)を用
いて、発光部12(m、n)から出射された各レーザ光
を、slow軸方向において光ファイバ80(s、t)
の入射端面に集光することを説明する。図7(A)にお
いて、slow軸幅均一化レンズ40の焦点距離をf4
0(例えば、45mm)、双軸集光レンズ60の焦点距
離をf60(例えば、15mm)とする。
【0039】そして、slow軸幅均一化レンズ40を
「発光部12(m、n)からf40の距離の位置」に配
置し、双軸集光レンズ60を「発光部12(m、n)か
らf40+f40+f60の距離の位置」に配置し、光
ファイバ80(s、t)を「発光部12(m、n)から
f40+f40+f60+f60の距離の位置」に配置
する。また、発光部12(m、n)から出射された各レ
ーザ光において、slow軸方向の拡がり角度をθin
y(例えば、3.5°)とする。また、slow軸方向
において光ファイバ80(s、t)への入射角をθou
ty(例えば、10°)とする。slow軸幅均一化レ
ンズ40及び双軸集光レンズ60を選定するには、発光
部12(m、n)における、Din、Dp、Dw、θi
nyから、目標とする光ファイバ80(s、t)のsl
ow軸方向の本数(t)及び径(Dout)とθout
yを満足するf40、f60の焦点距離を有する、sl
ow軸幅均一化レンズ40及び双軸集光レンズ60を選
定すればよい。なお、この場合、fast軸コリメート
レンズ20は、slow軸方向において何ら影響を及ぼ
さないので説明を省略する。また、図7(A)におけ
る、レーザ光の集光の様子は、図3(A)と同様である
ので、説明を省略する。
【0040】また、図7において、双軸集光レンズ60
の焦点距離をf60よりも短いf60sのレンズとし、
このレンズ60を発光部12(m、n)からf40+f
40+f60sの位置に配置した場合、この双軸集光レ
ンズ60を通過後、双軸集光レンズ60の後方のf60
sの距離の位置に集光されるレーザ光は、slow軸方
向において密になる。(図4(A)と同様) 逆に、双軸集光レンズ60の焦点距離をf60よりも長
いf60eのレンズとし、このレンズ60を発光部12
(m、n)からf40+f40+f60eの位置に配置
した場合、この双軸集光レンズ60を通過後、双軸集光
レンズ60の後方のf60eの距離の位置に集光される
レーザ光は、slow軸方向において疎になる。(図4
(B)と同様)
【0041】次に、図7(B)を用いて、発光部12
(m、n)から出射された各レーザ光を、fast軸方
向において光ファイバ80(s、t)の入射端面に集光
することを説明する。図7(B)において、fast軸
コリメートレンズ20の焦点距離をf20、双軸集光レ
ンズ60の焦点距離をf60とする。また、発光部12
(m、n)から出射された各レーザ光において、fas
t軸方向の拡がり角度をθinxとする。また、光ファ
イバ80(s、t)に入射されるレーザ光における入射
角をθoutx(例えば、10°)とする。また、発光
部12(m、n)のfast軸方向における間隔をDh
(例えば、1.75mm)とする。fast軸コリメー
トレンズ20及び双軸集光レンズ60を選定するには、
発光部12(m、n)における、Dh、θinxから、
目標とする光ファイバ80(s、t)のfast軸方向
の本数(s)及び径(Dout)とθoutxを満足す
るf20、f60の焦点距離を有する、fast軸コリ
メートレンズ20及び双軸集光レンズ60を選定すれば
よい。なお、この場合、slow軸幅均一化レンズ40
は、fast軸方向において何ら影響を及ぼさないので
説明を省略する。
【0042】fast軸コリメートレンズ20を通過し
た各レーザ光は、双軸集光レンズ60を通過すると、双
軸集光レンズ60からf60の距離(双軸集光レンズ6
0の焦点距離)に集光される。そして、各レーザ光が双
軸集光レンズ60で集光される位置(双軸集光レンズ6
0からf60の距離の位置)に、光ファイバ80(s、
t)を配置して集光されたレーザ光を入射する。このと
き、fast軸方向のグループ毎のレーザ光が、各グル
ープ毎に集光される。例えば、光ファイバ80(1、
1)には、発光部12(1、1)、発光部12(2、
1)、発光部12(3、1)、発光部12(4、1)の
レーザ光が集光される。また、光ファイバ80(s、
t)のfast軸方向の本数(この場合は「s」本であ
り、これにより、fast軸方向に集光するレーザ光の
数も決まる)、及び光ファイバ80(s、t)の径(こ
の場合は「Dout」)、及びθoutxにより、双軸
集光レンズ60の焦点距離f60、双軸集光レンズ60
の配置位置が決まる。
【0043】第2の実施の形態では、第1の実施の形態
に対して、レンズの個数が削減できるが、光ファイバ8
0(s、t)への入射されるレーザ光において、fas
t軸方向の拡がり角度θoutxが比較的大きくなる。
このθoutxをより小さくするには、図10(A)に
示すように、双軸集光レンズ60をfast軸方向に複
数配列した構成とすることで可能となる。また、第1の
実施の形態においても、θoutxをより小さくするに
は、図10(B)に示すように、fast軸集光レンズ
30をfast軸方向に複数配列した構成とすることで
可能となる。このように、集光する光ファイバ80
(s、t)の配列、光ファイバ80(s、t)への入射
角(θoutx、θouty)等に応じて、各レンズの
構成を種々変更して対応する。また、光ファイバ(s、
t)は、複数でも単数でもよく、任意の数及び配列を設
定できるので、目標とするレーザ光の出力を容易に得る
ことができる。
【0044】◆[第3の実施の形態] 第3の実施の形態は、図11に示すように、第1の実施
の形態に対してslow軸幅均一化レンズ40を省略してい
る。また、slow軸集光レンズ50のサイズが大きい。図
11に示す第3の実施の形態では、図8に示す従来のレ
ーザ集光装置に対して、半導体レーザアレイ10と光フ
ァイバ80との距離を非常に大きくできる(第1の実施
の形態と同様)。このため、各レンズの配置が容易であ
るとともに、光ファイバ80への入射角を小さくできる
ので、より効率良くレーザ光を光ファイバ80に集光し
て入射することができる。また、図1に示す第1の実施
の形態に対して、slow軸幅均一化レンズ40を省略して
いるため、第1の実施の形態に比して構成が簡素化さ
れ、各レンズ等の位置決め、調整等をより容易にするこ
とができる。
【0045】[全体構成]図11は、第3の実施の形態
の概略構成図を示している。図11では、図1に示す第
1の実施の形態と比して、slow軸幅均一化レンズ40が
省略されていることと、slow軸集光レンズ50のサイズ
が大きい点で構成上の相違がある(上記)。また、slow
軸集光レンズ50の配置位置も第1の実施の形態とは異
なる。この構成上の相違、及び配置位置の相違により、
レーザ光の集光状態が、第1の実施の形態と異なる様子
を以下に説明する。なお、光ファイバ80の本数は、sl
ow軸集光レンズ50の焦点距離(f50)等によって、
種々変更することができる。また、光ファイバ80の出
射面側を束ね、光ファイバ80から出射されたレーザ光
を集光レンズ120で集光することも追加しているが、
この部分の説明は後述する。他は第1の実施の形態と同
様であるので説明を省略する。
【0046】[各構成要素の配置と、レーザ光の集光状
態]次に、図12を用いて、発光部12、fast軸コリメ
ートレンズ20、fast軸集光レンズ30、slow軸集光レ
ンズ50、光ファイバ80の配置位置と、レーザ光の集
光状態(光ファイバ80までの集光状態)について説明
する。図12(A)は、長軸(fast軸(図12中のX
軸))方向から見た図であり、レーザ光を短軸(slow軸
(図12中のY軸))方向に屈折及び集光する様子を示
している。また、図12(B)は、短軸(slow軸)方向
から見た図であり、レーザ光を長軸(fast軸)方向に屈
折及び集光する様子を示している。図12(B)では、
図3(B)に対してslow軸幅均一化レンズ40が省略さ
れている。slow軸幅均一化レンズ40は、長軸方向にお
いてほとんど影響を及ぼさないため、図12(B)に示
すレーザ光の集光状態と、図3(B)に示すレーザ光の
集光状態は同じ(fast軸コリメートレンズ20と、fast
軸集光レンズ30の配置位置も同じ)である。このた
め、図12(B)については説明を省略する。
【0047】次に、図12(A)を用いて、各発光部1
2(m、n)から出射された各レーザ光を、slow軸方向
において光ファイバ80(s、t)の入射面に集光する
ことを説明する。図12(A)において、slow軸集光レ
ンズ50の焦点距離をf50(この場合、例えば、30
mm)とする。そして、slow軸集光レンズ50を「発光
部12(m、n)から距離(S1)の位置」に配置し、
光ファイバ80(m,n)を「slow軸集光レンズ50か
ら距離(T1)の位置」に配置する。なお、このとき以
下のように、S1及びT1を設定する。(図12(A)の
例では、(S1、T1)=(60mm、60mm)) 1/S1+1/T1=1/f50 このとき、各位置は誤差により微妙に位置が修正され
る。また、発光部12(m、n)から出射された各レー
ザ光において、slow軸方向の拡がり角度をθiny(例え
ば、3.5°)とする。また、光ファイバ80(s、
t)に入射されるレーザ光において、slow軸方向の入射
角をθouty(例えば、10°)とする。なお、入射角
(θouty)を所定角度未満とするために、図12(A)
の光ファイバ80(1,1)に示す点線のように、各光
ファイバ80(s,t)をYZ平面上で、入射面を中心
として各々適切な角度で回転させてもよい。
【0048】slow軸集光レンズ50を選定するには、発
光部12(m、n)における、Din、Dp、Dw、θinyか
ら、目標とする光ファイバ80(s、t)のslow軸方向
の本数(t)及び径(Dout)とθoutyを満足する焦点距
離(f50)を有する、slow軸集光レンズ50を選定す
ればよい。各光ファイバ80(s,t)の入射面は、複
数の発光部12(m,n)を含む発光面から所定の距離
(この場合、S1+T1の距離)の面上の直線上にあり、
且つ短軸方向にほぼ平行な直線上にある。以下、この光
ファイバ80(s,t)の入射面を並べた位置を「レー
ザ集光位置」という。なお、この場合、fast軸コリメー
トレンズ20及びfast軸集光レンズ30は、slow軸方向
において、ほとんど影響を及ぼさないので説明を省略す
る。
【0049】各発光部12(m、n)から出射された各
レーザ光は、Z軸方向に対してθinyの角度(例えば、
3.5°の角度)を持ち、徐々に拡がり、やがて重な
る。各レーザ光の進行方向が、slow軸集光レンズ50の
光軸とほぼ平行であるため、slow軸方向に重なったレー
ザ光は、slow軸集光レンズ50を通過すると、1/S1
+1/T1=1/f50が成立していれば、発光部12
(m,n)からS1+T1の距離に各々集光される。そし
て、各レーザ光がslow軸集光レンズ50で集光される位
置(発光部12(m,n)から距離S1+T1の位置)
に、光ファイバ80(s、t)の入射面を配置して、集
光されたレーザ光を各光ファイバ80(s,t)に入射
する。この「各レーザ光がslow軸集光レンズ50で集光
される位置(レーザ集光位置)」に、fast軸方向におい
ても集光する。
【0050】●[光ファイバから出射されたレーザ光の
集光] 次に、図13を用いて、(第3の実施の形態(図11)
に示すように、)光ファイバ80(m、n)から出射さ
れるレーザ光が、集光レンズ120で所定の位置(図1
3の[位置SM])に集光される様子について説明す
る。なお、図示していないが、第1の実施の形態(図
1)、第2の実施の形態(図6)も同様に、光ファイバ
80(m、n)から出射されるレーザ光を集光レンズ1
20で所定の位置に集光することができる。なお、光フ
ァイバ80(m、n)の出射面は、図14(A)および
(B)に示すように、任意の形状に束ねられている。任
意の形状とすることで、例えば、レーザ加工の場合、所
望の形状で加工することができる。また、束ねる形状
は、円形(図14(A))、四角形(図14(B))等
に限定されず、様々な形状とすることが可能である。ま
た、束ねる場合において光ファイバの本数も、必要に応
じて様々な本数を束ねることが可能である。
【0051】図13(A)及び(B)において、レーザ
光を集光する所定の位置を[位置SM]、集光レンズ1
20の焦点距離を[f120]、[位置SM]から集光
レンズ120の中心までの距離(集光レンズ120の光
軸方向における距離)を[距離T2]及び[距離T3]、
集光レンズ120の中心から光ファイバ80(m、n)
の出射面までの距離(集光レンズ120の光軸方向にお
ける距離)を[距離S 2]及び[距離S3]とする。ま
た、以下のように、(S2、T2)、(S3、T3)を設定
する。 1/S2+1/T2=1/f120 1/S3+1/T3=1/f120、且つS3>S2 上記式に基づいた図13(A)と(B)を比較すれば明
らかなように、光ファイバ80(m、n)の出射面から
集光レンズ120の中心までの距離[距離SX]が大き
くなるほど、集光レンズ120の中心から[位置SM]
までの距離[距離TX]が小さくなる。また、[距離
X]が小さくなるほど、[位置SM]上の[集光スポ
ット距離Sout]が小さくなる。[集光スポット距離Sou
t]が小さいほど、単位面積当たりのレーザ出力が増大
され、レーザ加工等に有効となる。なお、本実施例で
は、集光レンズ120から距離TXの位置[位置SM]
を集光点としているが、集光レンズ120から距離f1
20の位置(集光レンズ120の焦点距離の位置)を集
光点としてもよい。
【0052】以上説明したように、本実施の形態に示し
た発光装置を用いれば、半導体レーザアレイ10の各発
光部12から出射されるレーザ光を、レンズ群(光学集
光系)を用いて集光することで、より細い、より少ない
数の光ファイバに入射することができる。特に、ビーム
品質の良いfast軸方向のレーザ光を、各光ファイバによ
り多く入射することができるので、レーザ加工等に有効
である。また、より細い、より少ない数の光ファイバに
各レーザ光を入射し、当該光ファイバから出射されたレ
ーザ光を、更に集光レンズ120で集光するため、レー
ザ出力をより増大させることができ、レーザ加工等に非
常に有効である。
【0053】本発明の集光装置及び発光装置は、本実施
の形態で説明した構成に限定されず、本発明の要旨を変
更しない範囲で種々の変更、追加、削除が可能である。
本発明の集光装置及び発光装置は、レーザ加工装置等、
レーザ光を用いた種々の装置に適用することが可能であ
る。本実施の形態の説明に用いた数値は一例であり、こ
の数値に限定されるものではない。また、各レンズの形
状、サイズ等は、実施の形態の説明及び図に限定される
ものではない。本発明で使用される各レンズは、一方面
が曲面であれば、他方面は平面でも曲面でもよい。
【0054】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1〜2のい
ずれかに記載の集光装置あるいは請求項3〜6のいずれ
かに記載の発光装置を用いれば、半導体レーザアレイの
複数の発光部から出射された各レーザ光を、より効率良
く光ファイバに集光でき、且つ容易に実現できる集光装
置及び発光装置を提供できる。また、請求項7〜10の
いずれかに記載の発光装置を用いれば、半導体レーザア
レイの複数のレーザ発光部から出射された各レーザ光
を、より効率良く集光でき、且つより容易に実現できる
発光装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の発光装置の第1の実施の形態の概略構
成図である。
【図2】半導体レーザの発光部から出射されるレーザ光
を説明する図である。
【図3】第1の実施の形態において、各レンズの配置位
置と、各レンズを通過したレーザ光が集光される様子を
説明する図である。
【図4】slow軸集光レンズ50を変更した場合にお
いて、slow軸集光レンズ50を通過したレーザ光が
集光される様子を説明する図である。
【図5】slow軸方向における集光について、従来
(A)と本発明(B)の違いを説明する図である。
【図6】本発明の発光装置の第2の実施の形態の概略構
成図である。
【図7】第2の実施の形態において、各レンズの配置位
置と、各レンズを通過したレーザ光が集光される様子を
説明する図である。
【図8】従来の半導体レーザ集光装置の概略構成図であ
る。
【図9】従来の半導体レーザ集光装置において、各レン
ズの配置位置と、各レンズを通過したレーザ光が集光さ
れる様子を説明する図である。
【図10】本発明の発光装置の他の実施形態を説明する
図である。
【図11】本発明の発光装置の第3の実施の形態の概略
構成図である。
【図12】第3の実施の形態において、各レンズの配置
位置と、各レンズを通過したレーザ光が集光される様子
を説明する図である。
【図13】光ファイバ80(m、n)から出射されるレ
ーザ光が、集光レンズ120で所定の位置に集光される
様子について説明する図である。
【図14】光ファイバ80(m、n)の出射面を任意の
形状に束ねた状態を説明する図である。
【符号の説明】
10 半導体レーザアレイ 12(m、n) 発光部 20 fast軸コリメートレンズ 30 fast軸集光レンズ 40 slow軸幅均一化レンズ 50、70 slow軸集光レンズ 60 双軸集光レンズ 80(s、t) 光ファイバ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 喜紳 愛知県刈谷市朝日町1丁目1番地 豊田工 機株式会社内 Fターム(参考) 2H037 AA03 BA03 BA05 CA21

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数のグループに分けられた複数の発光
    部から出射された光を各グループ毎に集光する集光装置
    であって、第1のレンズと第2のレンズを備え、 第1のレンズは、入射された光を屈折させる所定方向を
    有し、複数の発光部から第1のレンズのほぼ焦点距離の
    位置に、各発光部から出射された光が入射されるように
    配置され、各発光部から出射された光をそれぞれ所定方
    向に対してほぼ均一の幅に変換し、 第2のレンズは、第1のレンズにより所定方向に対して
    ほぼ均一の幅に変換されたそれぞれの光を各発光部に対
    応する所定方向のグループ毎の領域に集光する、ことを
    特徴とする集光装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の集光装置であって、 第2のレンズを、複数の発光部から第1のレンズの焦点
    距離のほぼ2倍の距離に第2のレンズのほぼ焦点距離を
    加えた距離の位置に配置する、ことを特徴とする集光装
    置。
  3. 【請求項3】 光の進行方向に対して垂直な面におい
    て、長軸と短軸を有するほぼ楕円状の光を出射し、長軸
    方向及び短軸方向に配置された複数の発光部と、各発光
    部から出射された光を長軸方向のグループ毎の領域に集
    光する長軸方向集光装置と、各発光部から出射された光
    を短軸方向のグループ毎の領域に集光する短軸方向集光
    装置とを備えた発光装置であって、 短軸方向集光装置として請求項1又は2に記載の集光装
    置を用いる、ことを特徴とする発光装置。
  4. 【請求項4】 請求項3に記載の発光装置であって、長
    軸方向集光装置は、第3のレンズと第4のレンズを備
    え、 第3のレンズは、各グループの発光部から出射された光
    をそれぞれ長軸方向に対してほぼ均一の幅に変換し、 第4のレンズは、第3のレンズにより長軸方向に対して
    ほぼ均一の幅に変換されたそれぞれの光を各発光部に対
    応する長軸方向のグループ毎の領域に集光し、 第2のレンズと第4のレンズを単一のレンズにより構成
    する、ことを特徴とする発光装置。
  5. 【請求項5】 請求項4に記載の発光装置であって、 第2のレンズと第4のレンズを兼用した単一レンズを、
    複数の発光部から第1のレンズの焦点距離のほぼ2倍の
    距離に第2のレンズと第4のレンズを兼用した単一レン
    ズのほぼ焦点距離を加えた距離の位置に配置する、こと
    を特徴とする発光装置。
  6. 【請求項6】 請求項3〜5のいずれかに記載の発光装
    置であって、更に、光ファイバを備え、 発光部から出射される光は半導体レーザ光であり、各グ
    ループ毎の領域は光ファイバの入射端面である、ことを
    特徴とする発光装置。
  7. 【請求項7】 半導体レーザアレイと、光学集光系と、
    光ファイバと、集光レンズとを備え、 半導体レーザアレイは、レーザ光の進行方向に対して垂
    直な面において長軸と短軸を有するほぼ楕円状の、長軸
    方向及び短軸方向に拡散しながら進行するレーザ光を出
    射する、長軸方向及び短軸方向に配列された複数のレー
    ザ発光部を有し、 光学集光系は、複数のグループに分けられた複数のレー
    ザ発光部から出射されたレーザ光を各グループ毎に集光
    するとともに、集光したレーザ光を短軸方向に配列した
    複数の光ファイバの入射面に入射し、 各光ファイバは、入射面から入射されたレーザ光を、出
    射面から出射し、 集光レンズは、各光ファイバから出射されたレーザ光を
    所定の位置に集光する、ことを特徴とする発光装置。
  8. 【請求項8】 請求項7に記載の発光装置であって、 複数の光ファイバの各出射面を、任意の形状に束ねる、
    ことを特徴とする発光装置。
  9. 【請求項9】 請求項7または8に記載の発光装置であ
    って、 各光ファイバの入射面には、長軸方向における所定のグ
    ループのレーザ発光部のうちの2個以上のレーザ発光部
    から出射されるレーザ光を集光して入射する、ことを特
    徴とする発光装置。
  10. 【請求項10】 請求項9のに記載の発光装置であっ
    て、 各光ファイバの入射面には、更に、短軸方向における所
    定のグループのレーザ発光部のうちの2個以上のレーザ
    発光部から出射されるレーザ光を集光して入射する、こ
    とを特徴とする発光装置。
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