JP2001318244A - ファイバ端面への成膜方法及び膜付光ファイバ - Google Patents
ファイバ端面への成膜方法及び膜付光ファイバInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フェルール付きファイバの端面に成膜された
膜中にAu原子が混入して当該膜の光学特性が設計値から
かけ離れたものになる。 【解決手段】 本発の成膜方法は、フェルールにファイ
バ素線を挿通・固定し、そのフェルールを成膜装置のチ
ャンバにセットして、同フェルールの端面に突出又は露
出しているファイバ素線の端面に反射防止膜等を成膜す
るファイバ端面への成膜方法において、フェルールの金
メッキ部分の全部又は一部をメッキ材質以外の物質で予
め被覆するか、ファイバ素線をフェルールに固定する半
田で被覆するか、除去するか、遮蔽板で覆うか、保護膜
で被覆するかして、チャンバ内に前記金メッキが露出し
ないようにする。また、本発明の膜付光ファイバは、成
膜される多層膜をファイバ素線の端面から数えて第１層
目より第２層目以降の方が緻密とした。
膜中にAu原子が混入して当該膜の光学特性が設計値から
かけ離れたものになる。 【解決手段】 本発の成膜方法は、フェルールにファイ
バ素線を挿通・固定し、そのフェルールを成膜装置のチ
ャンバにセットして、同フェルールの端面に突出又は露
出しているファイバ素線の端面に反射防止膜等を成膜す
るファイバ端面への成膜方法において、フェルールの金
メッキ部分の全部又は一部をメッキ材質以外の物質で予
め被覆するか、ファイバ素線をフェルールに固定する半
田で被覆するか、除去するか、遮蔽板で覆うか、保護膜
で被覆するかして、チャンバ内に前記金メッキが露出し
ないようにする。また、本発明の膜付光ファイバは、成
膜される多層膜をファイバ素線の端面から数えて第１層
目より第２層目以降の方が緻密とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フェルールに挿通
・固定されたファイバ素線の端面に反射防止膜等の所望
の膜を成膜するファイバ端面への成膜方法及び膜付光フ
ァイバに関するものである。
・固定されたファイバ素線の端面に反射防止膜等の所望
の膜を成膜するファイバ端面への成膜方法及び膜付光フ
ァイバに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】端部を図７（ａ）に示すようなくさび形
にしたり、端面を図７（ｂ）に示すような鏡面状の平面
や図７（ｃ）に示すような曲面としたりしたファイバ素
線Ｂの側面に金属膜を成膜し、そのファイバ素線Ｂを図
８に示すようにフェルールＣに挿通し、これを半田Ｆに
よってフェルールＣに固定し、固定されたファイバ素線
Ｂの端面Ａに反射防止膜（図示しない）を成膜したレン
ズドファイバと呼ばれる光デバイスＤがある。この光デ
バイスＤは例えば図９に示すように、通信光源や光増幅
器用の励起光源等として用いられるレーザモジュールＥ
において、レーザダイオード（ＬＤ）から出射された光
を低反射の状態で光ファイバ内に導くための使用され
る。
にしたり、端面を図７（ｂ）に示すような鏡面状の平面
や図７（ｃ）に示すような曲面としたりしたファイバ素
線Ｂの側面に金属膜を成膜し、そのファイバ素線Ｂを図
８に示すようにフェルールＣに挿通し、これを半田Ｆに
よってフェルールＣに固定し、固定されたファイバ素線
Ｂの端面Ａに反射防止膜（図示しない）を成膜したレン
ズドファイバと呼ばれる光デバイスＤがある。この光デ
バイスＤは例えば図９に示すように、通信光源や光増幅
器用の励起光源等として用いられるレーザモジュールＥ
において、レーザダイオード（ＬＤ）から出射された光
を低反射の状態で光ファイバ内に導くための使用され
る。
【０００３】従来から図８に示すファイバ素線Ｂの端面
Ａに反射防止膜を成膜する方法は種々あるが、その１つ
にファイバ素線Bが挿通・固定されたフェルールCを成膜
原料（例えばシリカ：SiO2とタンタルオキサイド：Ta2O
5）の蒸発原子又は分子が存在するチャンバ（図示しな
い）内にセットして、ファイバ素線Bの端面AにSiO2とTa
2O5が交互に積層された多層膜を成膜すると共に、同チ
ャンバ内に設置されたイオン銃からファイバ素線Bの端
面Aに向けてO2活性分子を照射或いは加速させることに
よって蒸発原子又は分子にエネルギーを付与して緻密性
が高く、付着力が強い膜を成膜する方法（イオンビーム
アシステッドデポジション法：ＩＡD法）、放電ガスが
充填されたチャンバ内でファイバ素線Bがセットされた
ホルダや同チャンバのドームをカソードとしてイオン化
した蒸発原子又は分子を加速し、これをファイバ素線Ｂ
の端面Ａに付着させる方法（イオンプレーティング法）
等がある。
Ａに反射防止膜を成膜する方法は種々あるが、その１つ
にファイバ素線Bが挿通・固定されたフェルールCを成膜
原料（例えばシリカ：SiO2とタンタルオキサイド：Ta2O
5）の蒸発原子又は分子が存在するチャンバ（図示しな
い）内にセットして、ファイバ素線Bの端面AにSiO2とTa
2O5が交互に積層された多層膜を成膜すると共に、同チ
ャンバ内に設置されたイオン銃からファイバ素線Bの端
面Aに向けてO2活性分子を照射或いは加速させることに
よって蒸発原子又は分子にエネルギーを付与して緻密性
が高く、付着力が強い膜を成膜する方法（イオンビーム
アシステッドデポジション法：ＩＡD法）、放電ガスが
充填されたチャンバ内でファイバ素線Bがセットされた
ホルダや同チャンバのドームをカソードとしてイオン化
した蒸発原子又は分子を加速し、これをファイバ素線Ｂ
の端面Ａに付着させる方法（イオンプレーティング法）
等がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ファイバ素線の端面に
前記従来の成膜方法によって成膜すると、設計値通りの
膜厚の膜が成膜されているにも拘わらず反射減衰量、透
過率、反射率等の光学特性が設計値から大きくかけ離れ
てしまうといった問題があった。例えば、前記反射率に
ついては、設計上、波長が９８０nmの光に対して０．０
１％前後の反射率が得られるはずであるにも拘わらず、
実際には０．１％前後の反射率しか得られない。
前記従来の成膜方法によって成膜すると、設計値通りの
膜厚の膜が成膜されているにも拘わらず反射減衰量、透
過率、反射率等の光学特性が設計値から大きくかけ離れ
てしまうといった問題があった。例えば、前記反射率に
ついては、設計上、波長が９８０nmの光に対して０．０
１％前後の反射率が得られるはずであるにも拘わらず、
実際には０．１％前後の反射率しか得られない。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本件出願の第１のファイ
バ端面への成膜方法は、フェルールにファイバ素線を挿
通・固定し、同フェルールの側面部分の全部又は一部を
メッキ材質以外の被覆物で被覆してから、フェルールの
端面から突出している又は同端面に露出しているファイ
バ素線の端面に反射防止膜その他の膜を成膜するもので
ある。
バ端面への成膜方法は、フェルールにファイバ素線を挿
通・固定し、同フェルールの側面部分の全部又は一部を
メッキ材質以外の被覆物で被覆してから、フェルールの
端面から突出している又は同端面に露出しているファイ
バ素線の端面に反射防止膜その他の膜を成膜するもので
ある。
【０００６】本件出願の第２のファイバ端面への成膜方
法は、前記被覆物を半田としたものである。
法は、前記被覆物を半田としたものである。
【０００７】本件出願の第３のファイバ端面への成膜方
法は、ファイバ素線の端面に反射防止膜その他の膜を成
膜した後に、被覆物をフェルールから除去するものであ
る。
法は、ファイバ素線の端面に反射防止膜その他の膜を成
膜した後に、被覆物をフェルールから除去するものであ
る。
【０００８】本件出願の第４のファイバ端面への成膜方
法は、表面に金メッキがされたフェルールにファイバ素
線を挿通・固定し、同フェルールの金メッキの全部又は
一部を除去してから、同フェルールの端面から突出して
いる又は同端面に露出しているファイバ素線の端面に反
射防止膜その他の膜を成膜するものである。
法は、表面に金メッキがされたフェルールにファイバ素
線を挿通・固定し、同フェルールの金メッキの全部又は
一部を除去してから、同フェルールの端面から突出して
いる又は同端面に露出しているファイバ素線の端面に反
射防止膜その他の膜を成膜するものである。
【０００９】本件出願の第５のファイバ端面への成膜方
法は、フェルールにファイバ素線を挿通・固定し、同フ
ェルールの端面から突出している又は同端に露出してい
るファイバ素線の端面に反射防止膜その他の膜を成膜す
るファイバ端面への成膜方法において、端面への成膜時
にフェルールの側面部分の全部又は一部を遮蔽板で覆う
ものである。
法は、フェルールにファイバ素線を挿通・固定し、同フ
ェルールの端面から突出している又は同端に露出してい
るファイバ素線の端面に反射防止膜その他の膜を成膜す
るファイバ端面への成膜方法において、端面への成膜時
にフェルールの側面部分の全部又は一部を遮蔽板で覆う
ものである。
【００１０】本件出願の第６のファイバ端面への成膜方
法は、遮蔽板によってフェルールの端面から突出してい
るファイバ素線の端部をも覆うものである。
法は、遮蔽板によってフェルールの端面から突出してい
るファイバ素線の端部をも覆うものである。
【００１１】本件出願の第７のファイバ端面への成膜方
法は、フェルールにファイバ素線を挿通・固定し、同フ
ェルールの端面から突出している又は同端面に露出して
いるファイバ素線の端面に反射防止膜その他の多層膜を
成膜するファイバ端面への成膜方法において、第１層目
を成膜対象に向けてイオンを照射或いは加速させる方法
以外の方法で成膜し、第２層目以降を成膜対象に向けて
イオンを照射或いは加速させる方法で成膜するものであ
る。
法は、フェルールにファイバ素線を挿通・固定し、同フ
ェルールの端面から突出している又は同端面に露出して
いるファイバ素線の端面に反射防止膜その他の多層膜を
成膜するファイバ端面への成膜方法において、第１層目
を成膜対象に向けてイオンを照射或いは加速させる方法
以外の方法で成膜し、第２層目以降を成膜対象に向けて
イオンを照射或いは加速させる方法で成膜するものであ
る。
【００１２】本件出願の膜付光ファイバは、フェルール
にファイバ素線が挿通・固定され、フェルールの端面か
ら突出している又は同端面に露出しているファイバ素線
の端面に反射防止膜その他の多層膜が成膜された膜付光
ファイバであって、前記多層膜がファイバ素線の端面か
ら数えて第１層目より第２層目以降の方が緻密に形成さ
れているものである。
にファイバ素線が挿通・固定され、フェルールの端面か
ら突出している又は同端面に露出しているファイバ素線
の端面に反射防止膜その他の多層膜が成膜された膜付光
ファイバであって、前記多層膜がファイバ素線の端面か
ら数えて第１層目より第２層目以降の方が緻密に形成さ
れているものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】（実施形態１）本件発明のファイ
バ端面への成膜方法の第１の実施形態を図１、図２に基
づいて詳細に説明する。この成膜方法は図１に示すよう
に、表面全体（外面及び内面）が金メッキされたフェル
ール１（直径約１ｍｍ）に、ファイバ素線２（直径約
０．１２５ｍｍ）をその端面５が前記フェルール１の端
面４から約１ｍｍ突出するように挿通してからこれを半
田１２によってフェルール１に固定し（半田付けし）、
このフェルール１を図２に示すような成膜原料１３の蒸
発原子１４又は分子１４が存在する電子ビーム蒸着装置
のチャンバ３内のホルダ７にセットして、前記イオンア
シスト法によってフェルール１の端面４から突出してい
るファイバ素線２の端面５に数〜数百nm厚のSiO2層とTa
2O5層とが交互に積層された反射防止膜を蒸着するにあ
たって、図１に示すようにファイバ素線２をフェルール
１に半田付けする際に、フェルール１の端面４の金メッ
キ部分を同半田（An-Ｓn又はＳn-Ｐb等）１２で同時に
被覆することによって、チャンバ３にフェルール１をセ
ットしたときに、同フェルール１の金メッキがチャンバ
３内に露出しないようにしたものである。尚、ファイバ
素線２はフェルール１に挿通される前に、その端部が図
７（ａ）に示すようなくさび形とされるか、端面が図７
（ｂ）に示すような鏡面状の平面、或いは図７（ｃ）に
示すような曲面とされている。これは以降の実施形態に
おいても同様である。
バ端面への成膜方法の第１の実施形態を図１、図２に基
づいて詳細に説明する。この成膜方法は図１に示すよう
に、表面全体（外面及び内面）が金メッキされたフェル
ール１（直径約１ｍｍ）に、ファイバ素線２（直径約
０．１２５ｍｍ）をその端面５が前記フェルール１の端
面４から約１ｍｍ突出するように挿通してからこれを半
田１２によってフェルール１に固定し（半田付けし）、
このフェルール１を図２に示すような成膜原料１３の蒸
発原子１４又は分子１４が存在する電子ビーム蒸着装置
のチャンバ３内のホルダ７にセットして、前記イオンア
シスト法によってフェルール１の端面４から突出してい
るファイバ素線２の端面５に数〜数百nm厚のSiO2層とTa
2O5層とが交互に積層された反射防止膜を蒸着するにあ
たって、図１に示すようにファイバ素線２をフェルール
１に半田付けする際に、フェルール１の端面４の金メッ
キ部分を同半田（An-Ｓn又はＳn-Ｐb等）１２で同時に
被覆することによって、チャンバ３にフェルール１をセ
ットしたときに、同フェルール１の金メッキがチャンバ
３内に露出しないようにしたものである。尚、ファイバ
素線２はフェルール１に挿通される前に、その端部が図
７（ａ）に示すようなくさび形とされるか、端面が図７
（ｂ）に示すような鏡面状の平面、或いは図７（ｃ）に
示すような曲面とされている。これは以降の実施形態に
おいても同様である。
【００１４】前記電子ビーム蒸着装置は従来からこの種
の成膜に使用されているものと同一のものである。具体
的には、図２に示すようにイオン銃１５とニュートライ
ザ１６が設けられたチャンバ３を備え、そのチャンバ３
のドーム１０に設けられたホルダ７にフェルール１をセ
ットしてから、同チャンバ３内にSiO2やTa2O5等の成膜
原料１３を蒸発させると共に、前記イオン銃１５からフ
ァイバ素線２の端面５に向けてO2活性分子（酸素イオ
ン）を照射或いは加速させて前記成膜原料１３の蒸発原
子１４にエネルギーを付与しながら同蒸発原子１４をフ
ァイバ素線２の端面５に蒸着させるものである。尚、前
記O2活性分子は、Ａｒ活性分子、Ｈｅ活性分子、Ｎ2活
性分子、Ｈ2活性分子、ＣＯ2活性分子、Ｈ2Ｏ活性分
子、空気等に変更することもできる。本実施形態でO2活
性分子を用いたのはTa2O5中の酸素欠陥を補う作用があ
るからである。前記ニュートライザ１６はチャンバ３内
にマイナス電子を放出して電気的中性を保つためのもの
である。
の成膜に使用されているものと同一のものである。具体
的には、図２に示すようにイオン銃１５とニュートライ
ザ１６が設けられたチャンバ３を備え、そのチャンバ３
のドーム１０に設けられたホルダ７にフェルール１をセ
ットしてから、同チャンバ３内にSiO2やTa2O5等の成膜
原料１３を蒸発させると共に、前記イオン銃１５からフ
ァイバ素線２の端面５に向けてO2活性分子（酸素イオ
ン）を照射或いは加速させて前記成膜原料１３の蒸発原
子１４にエネルギーを付与しながら同蒸発原子１４をフ
ァイバ素線２の端面５に蒸着させるものである。尚、前
記O2活性分子は、Ａｒ活性分子、Ｈｅ活性分子、Ｎ2活
性分子、Ｈ2活性分子、ＣＯ2活性分子、Ｈ2Ｏ活性分
子、空気等に変更することもできる。本実施形態でO2活
性分子を用いたのはTa2O5中の酸素欠陥を補う作用があ
るからである。前記ニュートライザ１６はチャンバ３内
にマイナス電子を放出して電気的中性を保つためのもの
である。
【００１５】本実施形態に示した成膜方法によって成膜
すると、前記チャンバ３内にセットされたフェルール１
に照射又は加速されたO2活性分子は、フェルール１の端
面４を被覆する半田１２によって遮蔽されて、当該端面
４の金メッキにまで届かない。従って、前記端面４に施
されている金メッキからAu原子が飛び出してファイバ素
線２の端面５に形成される反射防止膜中に混入すること
がない。
すると、前記チャンバ３内にセットされたフェルール１
に照射又は加速されたO2活性分子は、フェルール１の端
面４を被覆する半田１２によって遮蔽されて、当該端面
４の金メッキにまで届かない。従って、前記端面４に施
されている金メッキからAu原子が飛び出してファイバ素
線２の端面５に形成される反射防止膜中に混入すること
がない。
【００１６】本実施形態に示す成膜方法によって成膜さ
れた反射防止膜の光学特性をファイバ素線２の両端面の
うち、反射防止膜が成膜された端面５とは反対側の端面
（図示しない）から光を入射し（実際の入射方向とは反
対方向）、この反射光のレベルを測定する方法によって
反射減衰量を測定し、これを反射率に換算したところ、
波長が９８０nmの光に対して設計値（０．０１％）の反
射率を示した。
れた反射防止膜の光学特性をファイバ素線２の両端面の
うち、反射防止膜が成膜された端面５とは反対側の端面
（図示しない）から光を入射し（実際の入射方向とは反
対方向）、この反射光のレベルを測定する方法によって
反射減衰量を測定し、これを反射率に換算したところ、
波長が９８０nmの光に対して設計値（０．０１％）の反
射率を示した。
【００１７】（実施形態２）本件発明のファイバ端面へ
の成膜方法の第２の実施形態を図３に基づいて説明す
る。この成膜方法は、前記実施形態１と同様にしてファ
イバ素線２が挿通・固定されたフェルール１をイオンビ
ームスパッタ装置のチャンバ（図示しない）にセットし
て、イオンビームスパッタリング法によってファイバ素
線２の端面５に中心波長１５５０nm、半値幅３nmのバン
ドパスフィルタを蒸着するにあたって、フェルール１を
前記チャンバにセットする前に、フェルール１の端面４
の金メッキを予め除去（剥離）することによって、フェ
ルール１をチャンバにセットしたときに、同フェルール
１の金メッキがチャンバ内に露出しないようにしたもの
である。フェルール１の端面４の金メッキを除去するに
は、例えば紙ヤスリ、鉄ヤスリ、砥石等で機械的に削り
取る方法等を用いる。
の成膜方法の第２の実施形態を図３に基づいて説明す
る。この成膜方法は、前記実施形態１と同様にしてファ
イバ素線２が挿通・固定されたフェルール１をイオンビ
ームスパッタ装置のチャンバ（図示しない）にセットし
て、イオンビームスパッタリング法によってファイバ素
線２の端面５に中心波長１５５０nm、半値幅３nmのバン
ドパスフィルタを蒸着するにあたって、フェルール１を
前記チャンバにセットする前に、フェルール１の端面４
の金メッキを予め除去（剥離）することによって、フェ
ルール１をチャンバにセットしたときに、同フェルール
１の金メッキがチャンバ内に露出しないようにしたもの
である。フェルール１の端面４の金メッキを除去するに
は、例えば紙ヤスリ、鉄ヤスリ、砥石等で機械的に削り
取る方法等を用いる。
【００１８】前記イオンビームスパッタ装置及びこの装
置によって実現されるイオンビームスパッタリング法は
従来からこの種の成膜に使用されているものと同一であ
り、前記図２に示すチャンバ３と基本的構造を共通にす
るチャンバ内で加速させたイオンを成膜原料（蒸着物
質）の表面に照射してその原子又は分子を叩き出し、こ
れをファイバ素線２の端面５に蒸着させるものである。
置によって実現されるイオンビームスパッタリング法は
従来からこの種の成膜に使用されているものと同一であ
り、前記図２に示すチャンバ３と基本的構造を共通にす
るチャンバ内で加速させたイオンを成膜原料（蒸着物
質）の表面に照射してその原子又は分子を叩き出し、こ
れをファイバ素線２の端面５に蒸着させるものである。
【００１９】本実施形態に示した成膜方法によって成膜
すると、前記チャンバ３内にフェルール１の金メッキ部
分が露出することがないので、当該フェルール１にイオ
ンを照射又は加速しても、金メッキからAｕ原子が飛び
出してファイバ素線２の端面５に形成される反射防止膜
中に混入することがない。
すると、前記チャンバ３内にフェルール１の金メッキ部
分が露出することがないので、当該フェルール１にイオ
ンを照射又は加速しても、金メッキからAｕ原子が飛び
出してファイバ素線２の端面５に形成される反射防止膜
中に混入することがない。
【００２０】本実施形態に示す成膜方法によって成膜さ
れたバンドパスフィルタの光学特性を測定したところ、
８００〜１７００nmの波長帯域で所定の透過率特性及び
反射率特性を示した。尚、本実施形態におけるフェルー
ル１の直径及びファイバ素線２の直径は前記実施形態１
に示すものと同一である。
れたバンドパスフィルタの光学特性を測定したところ、
８００〜１７００nmの波長帯域で所定の透過率特性及び
反射率特性を示した。尚、本実施形態におけるフェルー
ル１の直径及びファイバ素線２の直径は前記実施形態１
に示すものと同一である。
【００２１】（実施形態３）本件発明のファイバ端面へ
の成膜方法の第３の実施形態を説明する。この成膜方法
は、前記実施形態１と同様にしてファイバ素線２が挿通
・固定されたフェルール１を成膜原料１３の蒸発原子１
４又は分子１４が存在する成膜装置のチャンバ３（図
２）にセットして、前記ファイバ素線２の端面５に数〜
数百nm厚のSiO2層とTa2O5層とが交互に積層された反射
防止膜を成膜（蒸着）するにあたって、第１層目（SiO2
層又はTa2O5層）をイオンアシスト法やイオンプレーテ
ィング法等の成膜対象に向けてイオンを照射或いは加速
させる方法以外の方法で成膜（蒸着）し、第２層目以降
は前記イオンアシスト法やイオンプレーティング法等の
成膜対象に向けてイオンを照射或いは加速させる方法で
成膜（蒸着）するものである。
の成膜方法の第３の実施形態を説明する。この成膜方法
は、前記実施形態１と同様にしてファイバ素線２が挿通
・固定されたフェルール１を成膜原料１３の蒸発原子１
４又は分子１４が存在する成膜装置のチャンバ３（図
２）にセットして、前記ファイバ素線２の端面５に数〜
数百nm厚のSiO2層とTa2O5層とが交互に積層された反射
防止膜を成膜（蒸着）するにあたって、第１層目（SiO2
層又はTa2O5層）をイオンアシスト法やイオンプレーテ
ィング法等の成膜対象に向けてイオンを照射或いは加速
させる方法以外の方法で成膜（蒸着）し、第２層目以降
は前記イオンアシスト法やイオンプレーティング法等の
成膜対象に向けてイオンを照射或いは加速させる方法で
成膜（蒸着）するものである。
【００２２】本実施形態に示した成膜方法では、第１層
目は成膜対象に向けてイオンを照射或いは加速させない
方法で形成されるので、第１層目の形成時にフェルール
１の端面４の金メッキからAu原子が飛び出すことがな
い。さらに、第２層目以降を成膜対象に向けてイオンを
照射或いは加速させる方法で形成しても、当該第２層目
以降の形成時にフェルール１に向けて照射或いは加速さ
れるイオンは先に形成されている第１層によって遮蔽さ
れてフェルール１の金メッキにまで届かない。従って、
ファイバ素線２の端面５に成膜される反射防止膜中にAu
原子が混入することがなく、しかも、第２層目以降は第
１層目に比べて緻密に形成することができる。
目は成膜対象に向けてイオンを照射或いは加速させない
方法で形成されるので、第１層目の形成時にフェルール
１の端面４の金メッキからAu原子が飛び出すことがな
い。さらに、第２層目以降を成膜対象に向けてイオンを
照射或いは加速させる方法で形成しても、当該第２層目
以降の形成時にフェルール１に向けて照射或いは加速さ
れるイオンは先に形成されている第１層によって遮蔽さ
れてフェルール１の金メッキにまで届かない。従って、
ファイバ素線２の端面５に成膜される反射防止膜中にAu
原子が混入することがなく、しかも、第２層目以降は第
１層目に比べて緻密に形成することができる。
【００２３】本実施形態に示す成膜方法によって成膜さ
れた反射防止膜の光学特性を前記実施形態１に示す測定
方法と同一の測定方法で測定したところ、波長が１４８
０nmの光に対する反射率は設計値（０．０１％）であっ
た。また、成膜された反射防止膜の各層について顕微鏡
写真を用いてその緻密さを確認したところ、イオンアシ
スト等のエネルギー付与を行わずに形成した第１層目に
は粒同士の界面が多数残っており、イオンアシスト等の
エネルギー付与を行って形成した第２層目以降には粒同
士の界面が殆ど残っておらず、第１層目よりも第２層目
以降の方が緻密であることが確認された。尚、本実施形
態におけるフェルール１の直径及びファイバ素線２の直
径は前記実施形態１に示すものと同一である。
れた反射防止膜の光学特性を前記実施形態１に示す測定
方法と同一の測定方法で測定したところ、波長が１４８
０nmの光に対する反射率は設計値（０．０１％）であっ
た。また、成膜された反射防止膜の各層について顕微鏡
写真を用いてその緻密さを確認したところ、イオンアシ
スト等のエネルギー付与を行わずに形成した第１層目に
は粒同士の界面が多数残っており、イオンアシスト等の
エネルギー付与を行って形成した第２層目以降には粒同
士の界面が殆ど残っておらず、第１層目よりも第２層目
以降の方が緻密であることが確認された。尚、本実施形
態におけるフェルール１の直径及びファイバ素線２の直
径は前記実施形態１に示すものと同一である。
【００２４】（実施形態４）本件発明のファイバ端面へ
の成膜方法の第４の実施形態を図４に基づいて説明す
る。この成膜方法は前記実施形態１と同様にしてファイ
バ素線２が挿通・固定されたフェルール１を成膜原料１
３の蒸発原子１４又は分子１４が存在する電子ビーム蒸
着装置のチャンバ３（図２）にセットして、イオンアシ
スト法によってファイバ素線２の端面５にバンドパスフ
ィルタを成膜（蒸着）するにあたって、チャンバ３にセ
ットされたフェルール１の表面のうち、同チャンバ３内
に露出するフェルール１の端面４の金メッキ部分を遮蔽
板６で被覆するものである。この遮蔽板６は、ステンレ
ス、アルミ等の金属製、ガラス・アルミナ・ジルコニア
・チタニア等のセラミックス製のものとすることがで
き、これ以外にもファイバ素線２の端面５に向けて照射
或いは加速されるイオンがフェルール１の端面４に当た
ることを防止できるものであれば素材は特定のものに限
定されない。
の成膜方法の第４の実施形態を図４に基づいて説明す
る。この成膜方法は前記実施形態１と同様にしてファイ
バ素線２が挿通・固定されたフェルール１を成膜原料１
３の蒸発原子１４又は分子１４が存在する電子ビーム蒸
着装置のチャンバ３（図２）にセットして、イオンアシ
スト法によってファイバ素線２の端面５にバンドパスフ
ィルタを成膜（蒸着）するにあたって、チャンバ３にセ
ットされたフェルール１の表面のうち、同チャンバ３内
に露出するフェルール１の端面４の金メッキ部分を遮蔽
板６で被覆するものである。この遮蔽板６は、ステンレ
ス、アルミ等の金属製、ガラス・アルミナ・ジルコニア
・チタニア等のセラミックス製のものとすることがで
き、これ以外にもファイバ素線２の端面５に向けて照射
或いは加速されるイオンがフェルール１の端面４に当た
ることを防止できるものであれば素材は特定のものに限
定されない。
【００２５】本実施形態に示した成膜方法によって成膜
すると、前記チャンバ３内にセットされたフェルール１
に照射又は加速されたイオンは、フェルール１の端面４
を被覆する遮蔽板６に遮蔽されて、当該端面４の金メッ
キにまで届かない。従って、前記端面４に施されている
金メッキからAu原子が飛び出してファイバ素線２の端面
５に形成される反射防止膜中に混入することがない。
すると、前記チャンバ３内にセットされたフェルール１
に照射又は加速されたイオンは、フェルール１の端面４
を被覆する遮蔽板６に遮蔽されて、当該端面４の金メッ
キにまで届かない。従って、前記端面４に施されている
金メッキからAu原子が飛び出してファイバ素線２の端面
５に形成される反射防止膜中に混入することがない。
【００２６】本実施形態では、図２に示すチャンバ３内
にプラズマ（Arガス雰囲気）をたてることで蒸着膜へエ
ネルギーを付与した。また、本実施形態に示す成膜方法
によって成膜されたバンドパスフィルタは、８００nm〜
１７００nmの波長帯域で所定の透過率特性及び反射率特
性を示した。
にプラズマ（Arガス雰囲気）をたてることで蒸着膜へエ
ネルギーを付与した。また、本実施形態に示す成膜方法
によって成膜されたバンドパスフィルタは、８００nm〜
１７００nmの波長帯域で所定の透過率特性及び反射率特
性を示した。
【００２７】前記遮蔽板６はチャンバ３内のホルダ７
（図２）に設けることもでき、その他の好適な位置に設
けることができる。また、遮蔽板６は図５に示すよう
に、フェルール１の端面４のみではなく、同端面４から
突出したファイバ素線１の端部２０をも覆うものであっ
てもよい。具体的には、この遮蔽板６は、フェルール１
の端面４側からファイバ素線１の端面５側に向けて先細
りになる略円錐状のテーパ部２１と、テーパ部２１の周
縁から立ち上げられた立ち上がり部２２を備えており、
テーパ部２１の先端に開設された穴２３においてファイ
バ素線１の端面５がチャンバ３内に露出されるようにし
てある。かかる構造の遮蔽板６を用いると、ファイバ素
線２に端部側面及びフェルール４の側面への蒸発原子１
４又は分子１４の付着を防止できるという効果がある。
特に、フェルール４の側面への蒸発原子１４又は分子１
４の付着が防止されることによって、後にフェルール４
の側面を何らかの部材に溶接する際に、同側面に付着し
た蒸発原子１４又は分子１４によって溶接が阻害される
といった不都合が回避される。尚、テーパ部２１がファ
イバ素線２の端部側面への蒸発原子１４又は分子１４の
付着防止に効果的に作用し、立ち上がり部２２がフェル
ール４の側面への蒸発原子１４又は分子１４の付着防止
に効果的に作用することは図５から明かである。前記テ
ーパ部２１について説明を補足すれば、このテーパ部２
１は、径方向においてファイバ素線２の端面５から離れ
るに従い、軸線方向においてフェルール１の端面４に近
づくように形成されている。この様なテーパ部２２を備
えた遮蔽板６を用いれば、反射された蒸発原子１４又は
分子１４がファイバ素線２の端面５に戻ることを防げる
ので、同端面５に成膜される膜の膜厚を所望の膜厚とす
ることができる。
（図２）に設けることもでき、その他の好適な位置に設
けることができる。また、遮蔽板６は図５に示すよう
に、フェルール１の端面４のみではなく、同端面４から
突出したファイバ素線１の端部２０をも覆うものであっ
てもよい。具体的には、この遮蔽板６は、フェルール１
の端面４側からファイバ素線１の端面５側に向けて先細
りになる略円錐状のテーパ部２１と、テーパ部２１の周
縁から立ち上げられた立ち上がり部２２を備えており、
テーパ部２１の先端に開設された穴２３においてファイ
バ素線１の端面５がチャンバ３内に露出されるようにし
てある。かかる構造の遮蔽板６を用いると、ファイバ素
線２に端部側面及びフェルール４の側面への蒸発原子１
４又は分子１４の付着を防止できるという効果がある。
特に、フェルール４の側面への蒸発原子１４又は分子１
４の付着が防止されることによって、後にフェルール４
の側面を何らかの部材に溶接する際に、同側面に付着し
た蒸発原子１４又は分子１４によって溶接が阻害される
といった不都合が回避される。尚、テーパ部２１がファ
イバ素線２の端部側面への蒸発原子１４又は分子１４の
付着防止に効果的に作用し、立ち上がり部２２がフェル
ール４の側面への蒸発原子１４又は分子１４の付着防止
に効果的に作用することは図５から明かである。前記テ
ーパ部２１について説明を補足すれば、このテーパ部２
１は、径方向においてファイバ素線２の端面５から離れ
るに従い、軸線方向においてフェルール１の端面４に近
づくように形成されている。この様なテーパ部２２を備
えた遮蔽板６を用いれば、反射された蒸発原子１４又は
分子１４がファイバ素線２の端面５に戻ることを防げる
ので、同端面５に成膜される膜の膜厚を所望の膜厚とす
ることができる。
【００２８】（実施形態５）本件発明のファイバ端面へ
の成膜方法には、図６に示すように、ファイバ素線２が
挿通・固定されたフェルール１を成膜装置のチャンバ３
（図２）にセットした際に同チャンバ３内に露出するフ
ェルール１及びファイバ素線２の表面のうち、ファイバ
素線２の端面５を除く部分に保護膜（レジスト膜）３０
を形成し、その後、前記成膜方法の何れかの方法によっ
てファイバ素線２の端面５に反射防止膜その他の膜３を
成膜し、その後、保護膜３０を除去することにより、フ
ェルール１の側面への膜３の付着を防ぐ方法も含まれ
る。尚、ファイバ素線１の端部２０に関しては、その全
長（０．４mm）の約半分（フェルール１の端面４寄り約
半分）までを保護膜３０によって被覆してある。もっと
も、ファイバ素線２の端部２０の全長や保護膜３０によ
る被覆範囲は一例に過ぎないことは勿論である。
の成膜方法には、図６に示すように、ファイバ素線２が
挿通・固定されたフェルール１を成膜装置のチャンバ３
（図２）にセットした際に同チャンバ３内に露出するフ
ェルール１及びファイバ素線２の表面のうち、ファイバ
素線２の端面５を除く部分に保護膜（レジスト膜）３０
を形成し、その後、前記成膜方法の何れかの方法によっ
てファイバ素線２の端面５に反射防止膜その他の膜３を
成膜し、その後、保護膜３０を除去することにより、フ
ェルール１の側面への膜３の付着を防ぐ方法も含まれ
る。尚、ファイバ素線１の端部２０に関しては、その全
長（０．４mm）の約半分（フェルール１の端面４寄り約
半分）までを保護膜３０によって被覆してある。もっと
も、ファイバ素線２の端部２０の全長や保護膜３０によ
る被覆範囲は一例に過ぎないことは勿論である。
【００２９】（実施形態６）フェルール１をチャンバ３
にセットすると、その端面４以外の金メッキ部がチャン
バ３内に露出する場合には同露出する金メッキ部分の全
部又は一部を前記と同様にしてチャンバ３内に露出しな
いようにすることもできる。要は、チャンバ３内に露出
しているフェルール１の金メッキ部分からAu原子が飛び
出さないようにできればよい。前記実施形態１では、フ
ェルール１の金メッキを半田１２で被覆したが、金メッ
キを被覆する被覆物はメッキ材質以外であれば所望の物
質を選択することができ、例えばメッキ材質以外の金属
や酸化物等を選択することができる。
にセットすると、その端面４以外の金メッキ部がチャン
バ３内に露出する場合には同露出する金メッキ部分の全
部又は一部を前記と同様にしてチャンバ３内に露出しな
いようにすることもできる。要は、チャンバ３内に露出
しているフェルール１の金メッキ部分からAu原子が飛び
出さないようにできればよい。前記実施形態１では、フ
ェルール１の金メッキを半田１２で被覆したが、金メッ
キを被覆する被覆物はメッキ材質以外であれば所望の物
質を選択することができ、例えばメッキ材質以外の金属
や酸化物等を選択することができる。
【００３０】
【発明の効果】本件出願のファイバ端面への成膜方法
は、次に示す効果の１つ又は２つ以上を有する。 （１）フェルールの金メッキ部分の全部又は一部をメッ
キ材質以外の金属又は酸化物で予め被覆するか、半田で
被覆するか、除去するか、遮蔽板で覆うかして、チャン
バ内に前記金メッキが露出しないようにするので、フェ
ルール表面の金メッキから飛び出したAu原子が膜中に混
入して、当該膜の光学特性が設計値からかけ離れること
がない。特にイオンアシスト法等の成膜対象にイオンを
照射或いは加速させる成膜方法は緻密性が高く、付着力
が強い膜を成膜可能であるというメリットがある一方
で、照射或いは加速されたイオンによってフェルール表
面の金メッキからAu原子が叩き出されて膜中に混入し易
いといったデメリットがあるが、本件発明の成膜方法に
よればフェルール表面の金メッキからAu原子が飛び出す
ことがないので前記メリットはそのままにデメリットの
みを回避することができる。 （２）従来から行われているフェルールとファイバ素線
の半田付け工程において、フェルールの端面を半田で被
覆する以外は従来と全く同一の工程で成膜するだけで前
記効果を得ることができる。 （３）フェルールの金メッキをヤスリや砥石等で除去す
るという極めて簡単な工程を追加し、その他は従来と全
く同じ工程で成膜するだけで前記効果を得ることができ
る。 （４）チャンバ内のホルダに遮蔽板を設けたり、その他
の好適な位置に遮蔽板を設けるだけで、従来と全く同じ
工程で成膜しても前記効果を得ることができる。 （５）遮蔽板によってフェルールの端面から突出してい
るファイバ素線の端部をも覆うので、ファイバ素線の端
部側面に成膜原料の蒸発原子や分子が付着することを防
止できる。さらに、遮蔽板の形状によってはフェルール
の側面に成膜原料の蒸発原子や分子が付着することをも
防止できる。 （６）第１層目は、例えば単に成膜原料から蒸発原子を
蒸発させて、これをファイバ素線の端面に蒸着させると
いった極めて簡単な方法で形成し、第２層目以降を例え
ばイオンアスト法で形成するだけで前記効果を得ること
ができる。
は、次に示す効果の１つ又は２つ以上を有する。 （１）フェルールの金メッキ部分の全部又は一部をメッ
キ材質以外の金属又は酸化物で予め被覆するか、半田で
被覆するか、除去するか、遮蔽板で覆うかして、チャン
バ内に前記金メッキが露出しないようにするので、フェ
ルール表面の金メッキから飛び出したAu原子が膜中に混
入して、当該膜の光学特性が設計値からかけ離れること
がない。特にイオンアシスト法等の成膜対象にイオンを
照射或いは加速させる成膜方法は緻密性が高く、付着力
が強い膜を成膜可能であるというメリットがある一方
で、照射或いは加速されたイオンによってフェルール表
面の金メッキからAu原子が叩き出されて膜中に混入し易
いといったデメリットがあるが、本件発明の成膜方法に
よればフェルール表面の金メッキからAu原子が飛び出す
ことがないので前記メリットはそのままにデメリットの
みを回避することができる。 （２）従来から行われているフェルールとファイバ素線
の半田付け工程において、フェルールの端面を半田で被
覆する以外は従来と全く同一の工程で成膜するだけで前
記効果を得ることができる。 （３）フェルールの金メッキをヤスリや砥石等で除去す
るという極めて簡単な工程を追加し、その他は従来と全
く同じ工程で成膜するだけで前記効果を得ることができ
る。 （４）チャンバ内のホルダに遮蔽板を設けたり、その他
の好適な位置に遮蔽板を設けるだけで、従来と全く同じ
工程で成膜しても前記効果を得ることができる。 （５）遮蔽板によってフェルールの端面から突出してい
るファイバ素線の端部をも覆うので、ファイバ素線の端
部側面に成膜原料の蒸発原子や分子が付着することを防
止できる。さらに、遮蔽板の形状によってはフェルール
の側面に成膜原料の蒸発原子や分子が付着することをも
防止できる。 （６）第１層目は、例えば単に成膜原料から蒸発原子を
蒸発させて、これをファイバ素線の端面に蒸着させると
いった極めて簡単な方法で形成し、第２層目以降を例え
ばイオンアスト法で形成するだけで前記効果を得ること
ができる。
【００３１】本件出願の膜付光ファイバは、次のような
効果を有する。 （１）フェルールに挿通・固定されたファイバ素線の端
面に形成された多層膜のうち、前記端面から数えて第１
層目より第２層目以降の方が緻密に形成されている。即
ち、第１層目を成膜対象に向けてイオンを照射或いは加
速させる方法以外の方法で成膜し、第２層目以降を成膜
対象に向けてイオンを照射或いは加速させる方法で成膜
されている。従って、成膜の際にフェルールの金メッキ
から飛び出したAu原子が多層膜中に混入することがな
く、設計値通りの光学特性を示す膜付光ファイバとな
る。また、この膜付光ファイバを得るためには第１層目
は、例えば単に成膜原料から蒸発原子を蒸発させて、こ
れをファイバ素線の端面に蒸着させるといった極めて簡
単な方法で形成し、第２層目以降を例えばイオンアスト
法で形成するだけで良いので、生産が容易である。
効果を有する。 （１）フェルールに挿通・固定されたファイバ素線の端
面に形成された多層膜のうち、前記端面から数えて第１
層目より第２層目以降の方が緻密に形成されている。即
ち、第１層目を成膜対象に向けてイオンを照射或いは加
速させる方法以外の方法で成膜し、第２層目以降を成膜
対象に向けてイオンを照射或いは加速させる方法で成膜
されている。従って、成膜の際にフェルールの金メッキ
から飛び出したAu原子が多層膜中に混入することがな
く、設計値通りの光学特性を示す膜付光ファイバとな
る。また、この膜付光ファイバを得るためには第１層目
は、例えば単に成膜原料から蒸発原子を蒸発させて、こ
れをファイバ素線の端面に蒸着させるといった極めて簡
単な方法で形成し、第２層目以降を例えばイオンアスト
法で形成するだけで良いので、生産が容易である。
【図１】本件発明のファイバ端面への成膜方法の実施形
態の一例を示す説明断面図。
態の一例を示す説明断面図。
【図２】成膜装置のチャンバの一例を示す説明図。
【図３】本件発明のファイバ端面への成膜方法の実施形
態の一例を示す説明断面図。
態の一例を示す説明断面図。
【図４】本件発明のファイバ端面への成膜方法の実施形
態の一例を示す説明断面図。
態の一例を示す説明断面図。
【図５】本件発明のファイバ端面への成膜方法の実施形
態の一例を示す説明断面図。
態の一例を示す説明断面図。
【図６】本件発明のファイバ端面への成膜方法の実施形
態の一例を示す説明断面図。
態の一例を示す説明断面図。
【図７】（ａ）はくさび加工が施されたファイバ素線の
端部を示す説明図、（ｂ）は鏡面加工が施されたファイ
バ素線の端面を示す説明図、（ｃ）は曲面加工が施され
たファイバ素線の端面を示す説明図
端部を示す説明図、（ｂ）は鏡面加工が施されたファイ
バ素線の端面を示す説明図、（ｃ）は曲面加工が施され
たファイバ素線の端面を示す説明図
【図８】レンズドファイバの一例を示す説明図。
【図９】レンズドファイバの使用例を示す説明図。
１ フェルール ２ ファイバ素線 ３ チャンバ ４ フェルールの端面 ５ ファイバ素線の端面 ６ 遮蔽板 ２０ ファイバ素線の端部 ３０ 保護膜
Claims (8)
- 【請求項１】フェルール（１）にファイバ素線（２）を
挿通・固定し、同フェルール（１）の側面部分の全部又
は一部をメッキ材質以外の被覆物で被覆してから、同フ
ェルール（１）の端面（４）から突出している又は同端
面（４）に露出しているファイバ素線（２）の端面
（５）に反射防止膜その他の膜を成膜することを特徴と
するファイバ端面への成膜方法。 - 【請求項２】被覆物が半田であることを特徴とする請求
項１記載のファイバ端面への成膜方法。 - 【請求項３】ファイバ素線（２）の端面（５）に反射防
止膜その他の膜を成膜した後に、被覆物をフェルール
（１）から除去することを特徴とする請求項１記載のフ
ァイバ端面への成膜方法。 - 【請求項４】表面に金メッキがされたフェルール（１）
にファイバ素線（２）を挿通・固定し、同フェルール
（１）の金メッキの全部又は一部を除去してから、同フ
ェルール（１）の端面（４）から突出している又は同端
面（４）に露出しているファイバ素線（２）の端面
（５）に反射防止膜その他の膜を成膜することを特徴と
するファイバ端面への成膜方法。 - 【請求項５】フェルール（１）にファイバ素線（２）を
挿通・固定し、同フェルール（１）の端面（４）から突
出している又は同端面（４）に露出しているファイバ素
線（２）の端面（５）に反射防止膜その他の膜を成膜す
るファイバ端面への成膜方法において、端面（５）への
成膜時にフェルール（１）の側面部分の全部又は一部を
遮蔽板（６）で覆うことを特徴とするファイバ端面への
成膜方法。 - 【請求項６】請求項５記載のファイバ端面への成膜方法
において、遮蔽板（６）によってフェルール（１）の端
面（４）から突出しているファイバ素線（２）の端部
（２０）をも覆うことを特徴とするファイバ端面への成
膜方法。 - 【請求項７】フェルール（１）にファイバ素線（２）を
挿通・固定し、同フェルール（１）の端面（４）から突
出している又は同端面（４）に露出しているファイバ素
線（２）の端面（５）に反射防止膜その他の多層膜を成
膜するファイバ端面への成膜方法において、第１層目を
成膜対象に向けてイオンを照射或いは加速させる方法以
外の方法で成膜し、第２層目以降を成膜対象に向けてイ
オンを照射或いは加速させる方法で成膜することを特徴
とするファイバ端面への成膜方法。 - 【請求項８】フェルール（１）にファイバ素線（２）が
挿通・固定され、フェルール（１）の端面（４）から突
出している又は同端面（４）に露出しているファイバ素
線（２）の端面（５）に反射防止膜その他の多層膜が成
膜された膜付光ファイバであって、前記多層膜がファイ
バ素線（２）の端面（５）から数えて第１層目より第２
層目以降の方が緻密に形成されていることを特徴とする
膜付光ファイバ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001060853A JP2001318244A (ja) | 2000-03-03 | 2001-03-05 | ファイバ端面への成膜方法及び膜付光ファイバ |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000059479 | 2000-03-03 | ||
| JP2000-59479 | 2000-03-03 | ||
| JP2001060853A JP2001318244A (ja) | 2000-03-03 | 2001-03-05 | ファイバ端面への成膜方法及び膜付光ファイバ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001318244A true JP2001318244A (ja) | 2001-11-16 |
Family
ID=26586782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001060853A Pending JP2001318244A (ja) | 2000-03-03 | 2001-03-05 | ファイバ端面への成膜方法及び膜付光ファイバ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001318244A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014095916A (ja) * | 2007-12-17 | 2014-05-22 | Oclaro Photonics Inc | レーザエミッタモジュール及び構築方法 |
| JP2019504352A (ja) * | 2015-12-23 | 2019-02-14 | エヌケイティー フォトニクス アクティーゼルスカブＮｋｔ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ａ／Ｓ | フォトニック結晶ファイバアセンブリ |
| CN110531468A (zh) * | 2019-09-06 | 2019-12-03 | 安徽光纤光缆传输技术研究所(中国电子科技集团公司第八研究所) | 一种光纤插芯、光纤插芯对接装置和光纤插芯的成型方法 |
| CN110904420A (zh) * | 2019-12-30 | 2020-03-24 | 浙江工业大学 | 一种磁控溅射中纤维端面镀膜装置 |
| US11474293B2 (en) | 2015-12-23 | 2022-10-18 | Nkt Photonics A/S | Hollow core optical fiber and a laser system |
| CN115704083A (zh) * | 2021-08-02 | 2023-02-17 | 飞秒光电科技(西安)有限公司 | 插针镀膜方法、装置、电子设备和计算机存储介质 |
| US12098088B2 (en) | 2015-11-10 | 2024-09-24 | Nkt Photonics A/S | Element for a preform, a fiber production method and an optical fiber drawn from the preform |
| US12110248B2 (en) | 2016-04-27 | 2024-10-08 | Nkt Photonics A/S | Method of fiber production |
-
2001
- 2001-03-05 JP JP2001060853A patent/JP2001318244A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2014095916A (ja) * | 2007-12-17 | 2014-05-22 | Oclaro Photonics Inc | レーザエミッタモジュール及び構築方法 |
| US12098088B2 (en) | 2015-11-10 | 2024-09-24 | Nkt Photonics A/S | Element for a preform, a fiber production method and an optical fiber drawn from the preform |
| JP2019504352A (ja) * | 2015-12-23 | 2019-02-14 | エヌケイティー フォトニクス アクティーゼルスカブＮｋｔ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ａ／Ｓ | フォトニック結晶ファイバアセンブリ |
| JP7136695B2 (ja) | 2015-12-23 | 2022-09-13 | エヌケイティー フォトニクス アクティーゼルスカブ | フォトニック結晶ファイバアセンブリ |
| US11474293B2 (en) | 2015-12-23 | 2022-10-18 | Nkt Photonics A/S | Hollow core optical fiber and a laser system |
| US12117654B2 (en) | 2015-12-23 | 2024-10-15 | Nkt Photonics A/S | Photonic crystal fiber assembly |
| US11662518B2 (en) | 2015-12-23 | 2023-05-30 | Nkt Photonics A/S | Hollow core optical fiber and a laser system |
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